CN111801744B - 绝缘扁平导体、线圈及绝缘扁平导体的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明的绝缘扁平导体(10，20)为具备扁平导体(11)及包覆所述扁平导体(11)的绝缘覆膜(15)的绝缘扁平导体(10，20)，其特征在于，所述扁平导体(11)具有第一面(12a)及与所述第一面(12a)相对的第二面(12b)，所述第一面(12a)与所述第二面(12b)相比更粗糙。

Description

绝缘扁平导体、线圈及绝缘扁平导体的制造方法

技术领域

本发明涉及一种绝缘扁平导体、线圈及绝缘扁平导体的制造方法。

本申请主张基于2018年3月5日在日本申请的专利申请2018-038670号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

绝缘扁平导体通过利用绝缘覆膜包覆截面为大致矩形状的扁平导体而成。由该绝缘扁平导体构成的线圈用作马达或变压器等各种电气设备用的电气线圈。由绝缘扁平导体构成的线圈与由截面为大致圆形状的绝缘圆线导体构成的线圈相比，具有能够缩小导体彼此的间隙且能够提高导体在线圈中的占有体积率的优点。

然而，绝缘扁平导体存在如下问题：在弯曲加工为线圈状时，与绝缘圆线导体相比，绝缘覆膜容易剥离。因此，已展开提高扁平导体与绝缘覆膜的密合性的研究。

专利文献1中，作为铜与树脂之间的密合特性优异的铜及树脂复合体，公开有如下复合体，其具有由铜或铜合金构成的金属及通过形成于所述金属上的纳米多孔层与所述金属接合的树脂。在该专利文献1中，作为形成纳米多孔层的方法，记载有在由铜或铜合金构成的金属的表面照射激光来形成氧化铜纳米多孔层的方法。

在专利文献2中公开有具备绝缘覆膜的绝缘电线，所述绝缘覆膜由最内绝缘覆膜和最外绝缘覆膜构成，最内绝缘覆膜是通过在导体的外周涂布硅烷偶联剂来形成的，最外绝缘覆膜是通过在该最内绝缘覆膜上涂布及烧结漆包线涂料来形成的。在该专利文献2中，作为将导体的平均表面粗糙度Ra设为0.2～1.0μm并且将表面粗糙度Ra粗糙化为该范围的方法，记载有蚀刻处理、基于镀铜形成的粗糙化及基于喷砂的表面抛光。

专利文献1：日本特开2015-082401号公报(A)

专利文献2：日本专利第5102541号公报(B)

为了提高绝缘覆膜与扁平导体的密合性，如专利文献1所述那样在扁平导体的表面形成纳米多孔层，或如专利文献2所述那样对扁平导体的表面进行粗糙化是有效的方法之一。然而，若使整个扁平导体粗糙化，则异物等容易附着在扁平导体的表面，并且即使清洗，也有可能容易残留异物等。若在扁平导体的表面附着有异物等，则难以利用绝缘覆膜均匀地包覆扁平导体的表面，有可能产生绝缘覆膜的缺陷。

发明内容

本发明是鉴于前述情况而完成的，其目的在于提供一种不易产生绝缘覆膜的缺陷且扁平导体与绝缘覆膜的密合性高的绝缘扁平导体及利用该绝缘扁平导体制作的线圈。并且，本发明的目的还在于提供一种不易产生绝缘覆膜的缺陷且扁平导体与绝缘覆膜的密合性高的绝缘扁平导体的制造方法。

为了解决上述课题，本发明的一方式的绝缘扁平导体(以下，称为“本发明的绝缘扁平导体”)为具备扁平导体及包覆所述扁平导体的绝缘覆膜的绝缘扁平导体，其特征在于，所述扁平导体具有第一面及与所述第一面相对的第二面，所述第一面与所述第二面相比更粗糙。

根据设为这种结构的本发明的绝缘扁平导体，由于扁平导体的第一面与第二面相比更粗糙，第一面与绝缘覆膜的接触面积较大，因此扁平导体与绝缘覆膜的密合性提高。另一方面，第二面设为与第一面相比更平滑的面，异物等不易附着，因此在形成绝缘覆膜时，不易产生绝缘覆膜的缺陷。

在此，在本发明的绝缘扁平导体中，优选所述扁平导体的第一面的表面粗糙度Ra为0.14μm以上。

在该情况下，扁平导体的第一面的表面粗糙度Ra为0.14μm以上，因此与绝缘覆膜的接触面积较大，由此更加可靠地提高与绝缘覆膜的密合性。

并且，在本发明的绝缘扁平导体中，优选所述扁平导体的所述第二面的表面粗糙度Ra为0.07μm以下。

在该情况下，扁平导体的第二面的表面粗糙度Ra为0.07μm以下，因此更加可靠地不易附着异物等，由此在形成绝缘覆膜时，更加可靠地不易产生绝缘覆膜的缺陷。

本发明的另一方式的线圈(以下，称为“本发明的线圈”)的特征在于，通过将上述绝缘扁平导体以所述扁平导体的所述第一面成为内侧的方式卷绕而形成。

根据设为这种结构的本发明的线圈，通过以扁平导体的第一面成为内侧的方式卷绕上述绝缘扁平导体而形成，因此扁平导体的第一面与绝缘覆膜不易剥离。

本发明的另一方式的绝缘扁平导体的制造方法(以下，称为“本发明的绝缘扁平导体的制造方法”)为上述绝缘扁平导体的制造方法，其特征在于，包括如下工序：准备具有第一面及与所述第一面相对的第二面的扁平导体；以使所述扁平导体的所述第一面与所述第二面相比更粗糙的方式进行粗糙化处理；及利用绝缘覆膜包覆已进行所述粗糙化处理的所述扁平导体的表面。

根据设为这种结构的本发明的绝缘扁平导体的制造方法，利用绝缘覆膜包覆以使扁平导体的第一面与第二面相比更粗糙的方式进行了粗糙化处理的扁平导体的表面，因此能够加大第一面与绝缘覆膜的接触面积，由此扁平导体与绝缘覆膜的密合性提高。并且，扁平导体的第二面设为比第一面更平滑的面，异物等不易附着，因此在形成绝缘覆膜时，不易产生绝缘覆膜的缺陷。因此，能够获得不易产生绝缘覆膜的缺陷且扁平导体与绝缘覆膜的密合性高的绝缘扁平导体。

根据本发明，能够提供一种不易产生绝缘覆膜的缺陷且扁平导体与绝缘覆膜的密合性高的绝缘扁平导体及利用该绝缘扁平导体的线圈。

并且，根据本发明，能够提供一种不易产生绝缘覆膜的缺陷且扁平导体与绝缘覆膜的密合性高的绝缘扁平导体的制造方法。

附图说明

图1是作为本发明的第一实施方式的绝缘扁平导体的横剖视图。

图2是说明利用作为本发明的第一实施方式的绝缘扁平导体制作线圈的方法的立体图。

图3是作为本发明的第二实施方式的绝缘扁平导体的横剖视图。

图4是说明利用作为本发明的第二实施方式的绝缘扁平导体制作线圈的方法的立体图。

具体实施方式

以下，参考附图，对作为本发明的一实施方式的绝缘扁平导体、线圈及绝缘扁平导体的制造方法进行说明。

[第一实施方式]

图1是作为本发明的第一实施方式的绝缘扁平导体的横剖视图。

如图1所示，绝缘扁平导体10具备扁平导体11及包覆扁平导体11的绝缘覆膜15。

扁平导体11的截面为大致矩形状，具有其长边侧的面12及短边侧的面13。在本实施方式中，将短边侧的面13中的一个面设为第一面13a，并使该第一面13a与和第一面13a相对的第二面13b相比更粗糙。

第一面13a设为粗糙面，从而与绝缘覆膜15的接触面积比第二面13b大且与绝缘覆膜15的密合性较高。优选第一面13a的表面粗糙度Ra为0.14μm以上，更优选为0.48μm以上。若第一面13a的表面粗糙度Ra为0.14μm以上，则第一面13a与绝缘覆膜的接触面积较大。

另外，若第一面13a的表面粗糙度Ra过大，则有可能容易在第一面13a与绝缘覆膜15之间生成空隙。因此，优选第一面13a的表面粗糙度Ra为1.5μm以下。

第二面13b设为平坦的面，从而与第一面13a相比，异物等不易附着。优选第二面13b的表面粗糙度Ra为0.07μm以下。若表面粗糙度Ra为0.07μm以下，则异物等更可靠地不易附着在第二面13b。

另外，第二面13b的表面粗糙度Ra也可以是0.03μm以上。即使将第二面13b的表面粗糙度Ra设为小于0.03μm，使异物等不易附着的效果也饱和，并且若使表面平滑至表面粗糙度Ra小于0.03μm，则其平滑化的处理费用有可能变高。

长边侧的面12可以设为粗糙面，也可以设为平滑的面。并且，长边侧的面12也可以具有粗糙面和平坦面。在该情况下，优选与第一面13a相接的一侧设为粗糙面且与第二面13b相接的一侧设为平滑的面。为了提高扁平导体11与绝缘覆膜15的密合性且减少异物等向扁平导体11的表面的附着，优选长边侧的面12在从第一面13a与长边侧的面12交叉的角部至长边的1/2以下的范围内设为粗糙面。

作为扁平导体11的材料，能够使用通常作为线圈用扁平导体的材料来利用的金属及合金。例如，能够使用铜、铜合金、铝或铝合金。

包覆扁平导体11的绝缘覆膜15的膜厚优选在10μm以上且50μm以下的范围内。

作为绝缘覆膜15的材料，例如能够使用聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、环氧-丙烯酸树脂、聚氨酯树脂或氟树脂等。

这些材料可以单独使用一种，也可以组合两种以上来使用。

接着，对本实施方式的绝缘扁平导体10的制造方法进行说明。

本实施方式的绝缘扁平导体10的制造方法包括：准备具有第一面13a及与第一面13a相对的第二面13b的扁平导体11的工序；以使扁平导体11的第一面13a与第二面13b相比更粗糙的方式进行粗糙化处理的粗糙化处理工序；及利用绝缘覆膜15包覆已进行粗糙化处理的扁平导体11的表面的包覆工序。

在粗糙化处理工序中，作为以使扁平导体11的第一面13a与第二面13b相比更粗糙的方式进行粗糙化处理的方法，例如能够利用以第二面13b不与蚀刻液接触的方式将第一面13a浸渍于蚀刻液的方法。

具体地说，例如能够利用仅将扁平导体11的第一面13a浸渍于蚀刻液的方法、遮蔽第二面13b并将整个扁平导体11浸渍于蚀刻液的方法等。

扁平导体11向蚀刻液的浸渍时间优选设为使得扁平导体11的蚀刻量成为相当于0.1μm以上且3.0μm以下厚度的量的时间，尤其优选设为使得扁平导体11的蚀刻量成为相当于1.5μm以上且2.0μm以下厚度的量的时间。若扁平导体11向蚀刻液的浸渍时间在该范围内，则能够形成具有与绝缘覆膜15的密合性优异的表面粗糙度Ra的粗糙面。

在包覆工序中，作为利用绝缘覆膜15包覆已进行粗糙化处理的扁平导体11的表面的方法，并无特别限制，例如能够利用涂布法及电沉积法。

涂布法为如下方法：将包含绝缘覆膜形成用树脂及溶剂的漆涂布于导体的表面来形成涂布层，接着加热涂布层，从而将所生成的绝缘覆膜烧结于导体。

电沉积法为如下方法：将导体和电极浸渍于分散有具有电荷的绝缘树脂粒子的电沉积液，并在该导体与电极之间施加直流电压，由此将绝缘树脂粒子电沉积于导体表面来形成电沉积层，接着加热电沉积层，从而将所生成的绝缘覆膜烧结于导体。

接着，对利用绝缘扁平导体10制作的线圈进行说明。

图2是说明利用作为本发明的第一实施方式的绝缘扁平导体10制作线圈的方法的立体图。

在制作线圈时，如图2所示，通过以使扁平导体11的第一面13a(边缘面)成为内侧的方式卷绕绝缘扁平导体10来制作线圈(扁立线圈(edgewise coil))。若卷绕绝缘扁平导体10，则对内侧赋予压缩应力，但通过使与绝缘覆膜15的密合性高的第一面13a成为内侧的方式卷绕绝缘扁平导体10，扁平导体11和绝缘覆膜15不易剥离。作为卷绕绝缘扁平导体10的方法，并无特别限制，能够采用在制作通常的扁立线圈时通常利用的公知的方法。

根据设为如以上的结构的第一实施方式的绝缘扁平导体10，扁平导体11的作为短边侧的面13中的一个面的第一面13a与第二面13b相比更粗糙，第一面13a与绝缘覆膜15的接触面积较大，因此第一面13a与绝缘覆膜15的密合性提高。另一方面，第二面13b设为与第一面13a相比更平滑的面，异物等不易附着，因此在形成绝缘覆膜15时，不易产生绝缘覆膜15的缺陷。

并且，在本实施方式的绝缘扁平导体10中，通过将扁平导体11的第一面13a的表面粗糙度Ra设为0.14μm以上，与绝缘覆膜15的接触面积较大，由此更可靠地提高与绝缘覆膜15的密合性。

并且，在本实施方式的绝缘扁平导体10中，通过将扁平导体11的第二面13b的表面粗糙度Ra设为0.07μm以下，异物等更加不易附着，由此在形成绝缘覆膜15时，更可靠地不易产生绝缘覆膜15的缺陷。

并且，本实施方式的线圈通过以使扁平导体11的第一面13a成为内侧的方式卷绕上述绝缘扁平导体10而成，因此即使受到卷绕引起的压缩应力，扁平导体11的第一面13a与绝缘覆膜15也不易剥离。

并且，根据本实施方式的扁平导体的粗糙化处理方法，利用绝缘覆膜15包覆以使扁平导体11的第一面13a与第二面13b相比更粗糙的方式进行了粗糙化处理的扁平导体11的表面，因此能够加大第一面13a与绝缘覆膜15的接触面积，由此扁平导体11与绝缘覆膜15的密合性提高。并且，扁平导体11的第二面13b设为比第一面13a更平滑的面，异物等不易附着，因此在形成绝缘覆膜15时，不易产生绝缘覆膜15的缺陷。由此，能够获得不易产生绝缘覆膜15的缺陷且扁平导体11与绝缘覆膜15的密合性高的绝缘扁平导体10。

[第二实施方式]

接着，对本发明的第二实施方式进行说明。另外，对与第一实施方式相同的构成部分，标注相同的符号来记载，并省略详细说明。

图3是作为本发明的第二实施方式的绝缘扁平导体的横剖视图。

如图3所示，绝缘扁平导体20具备扁平导体11及包覆扁平导体11的绝缘覆膜15，扁平导体11的截面为大致矩形状，具有其长边侧的面12及短边侧的面13。

在本实施方式中，将长边侧的面12中的一个面设为第一面12a，使该第一面12a与和第一面12a相对的第二面12b相比更粗糙，从而提高第一面12a与绝缘覆膜15的密合性，本实施方式在这一点上与第一实施方式不同。第一面12a及第二面12b的表面粗糙度Ra的优选值与第一实施方式的第一面13a及第二面13b的情况相同。

短边侧的面13可以设为粗糙面，也可以设为平滑的面。并且，短边侧的面13也可以具有粗糙面和平坦面。在该情况下，优选与第一面12a相接的一侧设为粗糙面且与第二面12b相接的一侧设为平滑的面。为了提高扁平导体11与绝缘覆膜15的密合性且减少异物等向扁平导体11的表面的附着，优选短边侧的面13在从第一面12a与短边侧的面13交叉的角部至短边的1/2以下的范围内设为粗糙面。

绝缘覆膜15的膜厚及材料和第一实施方式的情况相同。

关于本实施方式的绝缘扁平导体20的制造方法，在粗糙化处理工序中，以使扁平导体11的第一面12a与第二面12b相比更粗糙的方式进行粗糙化处理，除此以外，与第一实施方式中说明的绝缘扁平导体10的制造方法相同。在粗糙化处理工序中，以使扁平导体11的第一面12a与第二面12b相比更粗糙的方式进行处理的方法与第一实施方式的情况相同，能够利用以第二面12b不与蚀刻液接触的方式将第一面12a浸渍于蚀刻液的方法。

接着，对利用绝缘扁平导体20制作的线圈进行说明。

图4是说明利用作为本发明的第二实施方式的绝缘扁平导体20制作线圈的方法的立体图。

在制作线圈时，如图4所示，通过以使扁平导体11的第一面12a(扁平面)成为内侧的方式卷绕绝缘扁平导体20来制作线圈(平卷线圈(flat wise coil))。若卷绕绝缘扁平导体20，则在内侧受到压缩应力，但通过以使与绝缘覆膜15的密合性高的第一面12a成为内侧的方式卷绕绝缘扁平导体20，扁平导体11和绝缘覆膜15不易剥离。作为卷绕绝缘扁平导体20的方法，并无特别限制，能够采用在制作平卷线圈时通常利用的公知的方法。

根据设为如以上的结构的第二实施方式的绝缘扁平导体20，扁平导体11的作为长边侧的面12中的一个面的第一面12a与第二面12b相比更粗糙，第一面12a与绝缘覆膜15的接触面积较大，因此第一面12a与绝缘覆膜15的密合性提高。另一方面，第二面12b设为与第一面12a相比更平滑的面，异物等不易附着，因此在形成绝缘覆膜15时，不易产生绝缘覆膜15的缺陷。

并且，在本实施方式的绝缘扁平导体20中，通过将扁平导体11的第一面12a的表面粗糙度Ra设为0.14μm以上，与绝缘覆膜15的接触面积较大，由此更可靠地提高与绝缘覆膜15的密合性。

并且，在本实施方式的绝缘扁平导体20中，通过将扁平导体11的第二面12b的表面粗糙度Ra设为0.07μm以下，异物等更加不易附着，由此在形成绝缘覆膜15时，更可靠地不易产生绝缘覆膜15的缺陷。

并且，本实施方式的线圈通过以使扁平导体11的第一面12a成为内侧的方式卷绕上述绝缘扁平导体20而成，因此扁平导体11的第一面12a与绝缘覆膜15不易剥离。

并且，根据本实施方式的扁平导体的粗糙化处理方法，利用绝缘覆膜15包覆以使扁平导体11的第一面12a与第二面12b相比更粗糙的方式进行了粗糙化处理的扁平导体11的表面，因此能够加大第一面12a与绝缘覆膜15的接触面积，由此扁平导体11与绝缘覆膜15的密合性提高。并且，扁平导体11的第二面12b设为比第一面12a更平滑的面，异物等不易附着，因此在形成绝缘覆膜15时，不易产生绝缘覆膜15的缺陷。由此，能够获得不易产生绝缘覆膜15的缺陷且扁平导体11与绝缘覆膜15的密合性高的绝缘扁平导体20。

以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于此，能够在不脱离本发明的技术思想的范围内进行适当变更。

实施例

接着，通过实施例对本发明的作用效果进行说明。

[本发明例1]

(扁平铜线的粗糙化处理)

准备了短边为1.5mm、长边为6.5mm且四个面的表面粗糙度Ra分别为0.07μm的长条状的扁平铜线。

将该扁平铜线的短边侧的一对面中的一个面设为第一面，以整个第一面及从第一面与长边侧的面交叉的角部至长边的1/2的范围为止的部分与铜蚀刻液接触的方式，将扁平铜线浸渍于铜蚀刻液。浸渍时间设为与铜蚀刻液接触的扁平铜线的蚀刻量成为相当于0.5μm的厚度的量的时间。

浸渍结束之后，从铜蚀刻液取出扁平铜线，浸渍于水中进行清洗之后，对扁平铜线吹送暖风来进行了干燥。

(绝缘扁平铜线的制作)

通过电沉积法，在粗糙化处理之后的扁平铜线的表面形成绝缘覆膜来制作了绝缘扁平铜线。具体地说，在含有2质量％的具有负电荷的聚酰胺酰亚胺(PAI)粒子的电沉积液中浸渍粗糙化处理之后的扁平铜线和电极，将扁平铜线作为正极且将电极作为负极来施加直流电压，在扁平铜线的表面以干燥之后的覆膜的厚度成为40μm的方式电沉积PAI粒子，从而形成了电沉积层。接着，利用保持为300℃的烧结炉(电炉)进行了5分钟的干燥及烧结处理。

(线圈的制作)

将绝缘扁平铜线沿着直径为与扁平铜线的长边相同的6.5mm的圆棒以使扁平铜线的第一面成为内侧的方式进行扁立弯曲加工，并且以弯曲半径成为3.25mm的方式折弯成L字状(90度)，从而制作了具有直线部及L字状折弯部的线圈(扁立线圈)。

[本发明例2～4]

在扁平铜线的粗糙化处理中，以扁平铜线的蚀刻量成为下述表1所示的厚度的方式调整了扁平铜线向铜蚀刻液的浸渍时间，除此以外，设为以与本发明例1同样的方式制作了绝缘扁平铜线和线圈。

[比较例1]

未进行扁平铜线的粗糙化处理，除此以外，设为以与本发明例1同样的方式制作了绝缘扁平铜线和线圈。

[评价]

对在本发明例1～4及比较例1中制作的绝缘扁平铜线及线圈进行了下述评价。将其结果示于表1。

(粗糙化处理之后的扁平铜线的表面粗糙度Ra)

通过下述方法测定了粗糙化处理之后的扁平铜线的表面粗糙度Ra。

1、对样品的绝缘扁平铜线进行树脂填埋，并使扁平铜线的截面(与扁平铜线的长边方向垂直的面)暴露。

2、利用SEM(扫描型电子显微镜)拍摄所暴露的扁平铜线的第一面和第二面的截面图像。此时，对第一面和第二面的各两处拍摄截面图像。

3、从在上述2中获得的截面图像提取绝缘覆膜与扁平导体的界面作为第一面或者第二面的轮廓曲线。

4、计算在上述3中获得的轮廓曲线的算术平均粗糙度Ra。采用从在第一面及第二面的各两处拍摄的截面图像获得的算术平均粗糙度Ra的平均值作为第一面及第二面的表面粗糙度Ra。

(线圈的L字状折弯部的扁平铜线的表面粗糙度Ra)

关于线圈的L字状折弯部的扁平铜线的表面粗糙度Ra，将从L字状折弯部切取的绝缘扁平铜线作为样品，除此以外，以与上述粗糙化处理之后的扁平铜线的表面粗糙度Ra同样的方式进行了测定。

(线圈内侧的L字状折弯部的扁平铜线与绝缘覆膜的密合性)

根据线圈内侧的L字状折弯部的绝缘覆膜的表面状态对扁平铜线与绝缘覆膜的密合性进行了评价。首先，利用光学显微镜以20倍的倍率观察线圈内侧的L字状折弯部的绝缘覆膜的表面，从而确认了有无凹凸。接着，对在绝缘覆膜的表面确认到凹凸的线圈，从相对于弯曲方向垂直的方向对确认到凹凸的部分进行放大观察(300倍)，画出通过没有凹凸的部分的基线，从而测定了凸部的高度(凸部的最高的位置与基线之间的距离)。将在绝缘覆膜的表面未确认到凹凸的情况评价为“A”，将在绝缘覆膜的表面确认到凹凸但凸部的高度小于5μm的情况评价为“B”，将凸部的高度为5μm以上的情况评价为“C”。

[表1]

卷绕扁平铜线的第一面的表面未被粗糙化的比较例1的绝缘扁平铜线而形成的线圈中，在线圈内侧的折弯部的绝缘覆膜的表面确认到高度为5μm以上的凸部，并确认到扁平铜线与绝缘覆膜的密合性低。

相对于此，卷绕扁平铜线的第一面的表面被粗糙化的本发明例1～4的绝缘扁平铜线而形成的线圈中，在线圈内侧的折弯部的绝缘覆膜的表面未确认到高度为5μm以上的凸部，确认到扁平铜线与绝缘覆膜的密合性提高。尤其，卷绕扁平铜线的第一面的表面粗糙度Ra设为0.48μm以上的本发明例3～4的绝缘扁平铜线而形成的线圈中，在线圈内侧的折弯部的绝缘覆膜的表面未确认到凹凸，确认到扁平铜线与绝缘覆膜的密合性显著提高。

[本发明例5～7、比较例2]

在与本发明例4相同的条件下进行了扁平铜线的第一面的粗糙化处理。

接着，将扁平铜线的未进行粗糙化处理的部分(整个第二面及从第二面与长边侧的面交叉的角部至长边的1/2的范围为止的部分)浸渍于铜蚀刻液来对扁平铜线进行了粗糙化处理。以扁平铜线的蚀刻量成为下述表2所示的厚度的方式调整了扁平铜线向铜蚀刻液的浸渍时间。并且，最后针对对第一面和第二面进行了粗糙化处理的扁平铜线，以与本发明例1同样的方式形成绝缘覆膜来制作了绝缘扁平铜线。

[评价]

对在本发明例5～7、比较例2及本发明例4中制作的绝缘扁平铜线进行了下述评价。将其结果示于表2。

(表面粗糙度Ra)

通过与上述相同的方法测定了粗糙化处理之后的扁平铜线的表面粗糙度Ra。

(弯曲试验之后的L字状折弯部外侧的龟裂的有无)

将绝缘扁平铜线沿着直径6.5mm的圆棒以使扁平铜线的第一面成为内侧的方式进行扁立弯曲加工，并且以弯曲半径成为3.25mm的方式折弯成L字状(90度)，进行了弯曲试验。

对折弯试验之后的绝缘扁平铜线，利用光学显微镜以20倍的倍率对L字状折弯部的外侧的绝缘覆膜的表面进行观察，确认了绝缘覆膜的龟裂的有无。将扁平铜线的表面产生了可直接观察到的程度的龟裂的情况设为“有”，将扁平铜线的表面未产生可直接观察到的程度的龟裂的情况设为“无”。

(总蚀刻量)

将在本发明例4中仅对第一面进行了粗糙化处理的扁平铜线的总蚀刻量设为1，计算出了在本发明例5～7及比较例2中进行了粗糙化处理的扁平铜线的总蚀刻量。例如，在本发明例5中，第一面的蚀刻量为1且第二面的蚀刻量相对于第一面为25％，因此总蚀刻量成为1.25(＝1+0.25)。

[表2]

对在本发明例4～7及比较例2中制作的绝缘扁平铜线中的任一个，在弯曲试验之后的L字状折弯部外侧也均未确认到龟裂。若扁平铜线的总蚀刻量增多，则表面粗糙度Ra变大，有可能容易附着异物等。因此，扁平铜线的总蚀刻量优选较少，即第二面设为平坦的面。因此，在本发明例4～7及比较例2中，从异物等的易附着性角度考虑，最优选的是总蚀刻量最少的本发明例4。

产业上的可利用性

能够提供一种不易产生绝缘覆膜的缺陷且扁平导体与绝缘覆膜的密合性高的绝缘扁平导体及利用该绝缘扁平导体制作的线圈。

符号说明

10、20 绝缘扁平导体

11 扁平导体

12 长边侧的面

12a 第一面

12b 第二面

13 短边侧的面

13a 第一面

13b 第二面

15 绝缘覆膜

Claims (3)

1.一种绝缘扁平导体，具备扁平导体及包覆所述扁平导体的绝缘覆膜，所述扁平导体具有短边侧的第一面及与所述第一面相对的第二面，所述绝缘扁平导体用于以所述第一面成为内侧的方式卷绕而形成的扁立线圈，所述绝缘扁平导体的特征在于，

所述绝缘覆膜的材料为选自聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、环氧-丙烯酸树脂、聚氨酯树脂及氟树脂中的一种，

所述绝缘覆膜的膜厚为10μm以上且50μm以下，

所述第一面与所述第二面相比更粗糙，所述第一面的表面粗糙度Ra为0.14μm以上且1.5μm以下，所述第二面的表面粗糙度Ra为0.03μm以上且0.07μm以下。

2.一种线圈，其特征在于，通过将权利要求1所述的绝缘扁平导体以所述扁平导体的所述第一面成为内侧的方式卷绕而形成。

3.一种绝缘扁平导体的制造方法，其特征在于，用于制造权利要求1所述的绝缘扁平导体，所述制造方法的特征在于，包括如下工序：

准备具有第一面及与所述第一面相对的第二面的扁平导体；

以使所述扁平导体的所述第一面与所述第二面相比更粗糙的方式进行粗糙化处理；及

利用绝缘覆膜包覆已进行所述粗糙化处理的所述扁平导体的表面。

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