CN111763915B - 非导电性薄膜及其制备方法、镀膜基材 - Google Patents

非导电性薄膜及其制备方法、镀膜基材 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种非导电性薄膜及其制备方法、镀膜基材，其中，非导电性薄膜包括光学层以及用于保护光学层的保护层，所述光学层包括依次叠加的第一光学层、第二光学层以及第三光学层，其中：所述第一光学层为WO3薄膜层或者Nb2O5薄膜层，使用状态下所述第一光学层附着于基底材料；所述第二光学层为Si薄膜层；所述第三光学层为InSn薄膜层，所述保护层附着于所述第三光学层。本申请提供的非导电性薄膜及其制备方法、镀膜基材，薄膜具有非导电性，不会带来电容干扰/屏蔽信号等不良反应；薄膜以及镀膜基材呈现金色/玫瑰金，颜色效果能达到要求；且非导电性薄膜的制备方法简单易实现。

Description

非导电性薄膜及其制备方法、镀膜基材
技术领域
本申请涉及薄膜技术领域，特别是涉及一种非导电性薄膜及其制备方法、镀膜基材。
背景技术
目前行业内制备带颜色的薄膜大部分采用TiN/ZrN薄膜沉积、或者TiNC/AlTiC薄膜沉积，TiN/ZrN薄膜呈现金色，TiNC/AlTiC薄膜呈玫瑰金。以上方法虽然能达到颜色效果，但该薄膜均为良导体材料，具有导电特性的薄膜会给电子器件带来电容干扰/屏蔽信号等不良反应，无法在一些电子器件中应用。
因此，非导电性带颜色的薄膜至今没有人能攻破，主要受到材料的制约；用常规的光学膜制备的话，颜色亮度偏差大且工艺繁琐需制备多层薄膜。
发明内容
有鉴于此，为了解决带颜色的导电特性薄膜给电子器件带来电容干扰/屏蔽信号等不良反应的技术问题，本申请提供一种非导电性薄膜及其制备方法、镀膜基材。
本申请提供一种非导电性薄膜，所述光学层包括依次叠加的第一光学层、第二光学层以及第三光学层，其中：
所述第一光学层为WO3薄膜层或者Nb2O5薄膜层，使用状态下所述第一光学层附着于基底材料；
所述第二光学层为Si薄膜层；
所述第三光学层为InSn薄膜层，所述保护层附着于所述第三光学层。
以下还提供了若干可选方式，但并不作为对上述总体方案的额外限定，仅仅是进一步的增补或优选，在没有技术或逻辑矛盾的前提下，各可选方式可单独针对上述总体方案进行组合，还可以是多个可选方式之间进行组合。
可选的，所述InSn薄膜层中In与Sn的质量比为3/7～1。
可选的，所述第一光学层为WO3薄膜层或者Nb2O5薄膜层。
可选的，所述保护层为Nb2O5薄膜层或者TiO2薄膜层。
可选的，所述第一光学层的厚度为120nm～160nm，所述第二光学层的厚度为20nm～70nm，所述第三光学层的厚度为50nm～400nm，所述保护层的厚度为10nm～50nm。
可选的，所述第一光学层的厚度为144nm±10nm，所述第二光学层的厚度为30nm±10nm，所述第三光学层的厚度为150nm±50nm，所述保护层的厚度为20nm±10nm。
可选的，所述第一光学层的厚度为128nm，所述Si薄膜层的厚度为66nm，所述InSn薄膜层的厚度为100nm，所述保护层的厚度为15nm。
可选的，所述第一光学层的厚度为144nm，所述Si薄膜层的厚度为66nm，所述InSn薄膜层的厚度为100nm，所述保护层的厚度为15nm。
可选的，所述第一光学层的厚度为128nm，所述Si薄膜层的厚度为59nm，所述InSn薄膜层的厚度为100nm，所述保护层的厚度为15nm。
可选的，所述第一光学层的厚度为144nm，所述Si薄膜层的厚度为59nm，所述InSn薄膜层的厚度为100nm，所述保护层的厚度为15nm。
本申请还提供一种非导电性薄膜的制备方法，包括按照叠加次序依次形成所述第一光学层、第二光学层以及第三光学层以及保护层，各层均采用磁控溅射的方式制备得到。
可选的，所述第一光学层为WO3薄膜层，所述WO3薄膜层采用纯W金属靶材、Ar为溅射工艺气体并充入氧气溅射制备得到。
可选的，所述第二光学层为Si薄膜层，所述Si薄膜层采用纯Si靶材，Ar为溅射工艺气体，且不充氧气溅射得到。
可选的，所述第三光学层为InSn薄膜层，所述InSn薄膜层采用InSn合金靶材、Ar为溅射工艺气体，且不充氧气溅射得到。
本申请还提供一种镀膜基材，包括基底材料以及附着于所述基底材料上的所述非导电性薄膜。
可选的，所述基底材料采用透明基底。
本申请提供的非导电性薄膜及其制备方法、镀膜基材，至少具有以下技术效果之一：薄膜具有非导电性，不会带来电容干扰/屏蔽信号等不良反应；薄膜以及镀膜基材呈现金色/玫瑰金，颜色效果能达到要求；且非导电性薄膜的制备方法简单易实现。同时，不同的In与Sn的比例配方可获得不同亮度的薄膜；100度水煮一个小时后百格测试均在4B以上；绝缘阻抗大于1000兆欧。
具体实施方式
下面对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是在于限制本申请。
本申请一实施例提供一种非导电性薄膜，包括光学层以及用于保护光学层的保护层，光学层包括依次叠加的第一光学层、第二光学层以及第三光学层，其中，第一光学层为WO3薄膜层或者Nb2O5薄膜层，使用状态下第一光学层附着于基底材料；第二光学层为Si薄膜层；第三光学层为InSn薄膜层，保护层附着于第三光学层。通过调节InSn薄膜层中不同的In与Sn的比例配方可获得不同亮度的薄膜，以及调节各光学层以及保护层的厚度可获得金色/玫瑰金的非导电性薄膜。
本实施例中还提供一种镀膜基材，包括包括基底材料以及附着于基底材料上的非导电性薄膜。基底材料有相对的两侧，其中一侧为镀膜面，另一侧为非镀膜面，该非镀膜面为应用面。具体地，镀膜面用于沉积非导电性薄膜，并通过该镀膜面将镀膜基材通过贴合或镶嵌等其他方式应用于各个领域，例如电子产品等。同时，沉积有非导电性薄膜的镀膜面通过采用油墨或其他涂层起保护作用。
在其中一个实施例中，基底材料采用透明基底。可以理解，透明基底可以采用玻璃、Pet(聚对苯二甲酸乙二醇酯)等透明材料。
具体地，第一光学层作为光学搭配膜层及打底层，第二光学层作为光学搭配膜层。其中，第一光学层为WO3薄膜层或者Nb2O5薄膜层。
进一步地，InSn薄膜层中In与Sn的质量比为3/7～1。通过调节InSn薄膜层中不同的In与Sn的比例配方可获得不同亮度的薄膜。在其中一实施方式中，InSn薄膜层中In与Sn的质量比为3:7，InSn薄膜层的厚度60nm，InSn薄膜层的亮度为72。在其中一实施方式中，InSn薄膜层中In与Sn的质量比为5:5，InSn薄膜层的厚度60nm，InSn薄膜层的亮度为78。
更为具体地，保护层为Nb2O5薄膜层或者TiO2薄膜层，保护层相较于第一光学层更远离透明基底的镀膜面。
在其中一个实施例中，第一光学层的厚度为120nm～160nm，第二光学层的厚度为20nm～70nm，第三光学层的厚度为50nm～400nm，保护层的厚度为10nm～50nm。
例如，WO3薄膜层厚度范围为120nm～150nm，Si薄膜层的厚度范围为50nm～70nm；InSn薄膜层的厚度范围为50nm～400nm；Nb2O5薄膜层的厚度范围为10nm～50nm，以上厚度范围均有良好的可靠性，经测试，100度水煮一个小时后百格测试均在4B以上，绝缘阻抗大于1000兆欧。
在其中一个实施例中，第一光学层的厚度为144nm±10nm，第二光学层的厚度为30nm±10nm，第三光学层的厚度为150nm±50nm，保护层的厚度为20nm±10nm。
在其中一个实施例中，第一光学层的厚度为128nm，Si薄膜层的厚度为66nm，InSn薄膜层的厚度为100nm，保护层的厚度为15nm。
在其中一个实施例中，第一光学层的厚度为144nm，Si薄膜层的厚度为66nm，InSn薄膜层的厚度为100nm，保护层的厚度为15nm。
在其中一个实施例中，第一光学层的厚度为128nm，Si薄膜层的厚度为59nm，InSn薄膜层的厚度为100nm，保护层的厚度为15nm。
在其中一个实施例中，第一光学层的厚度为144nm，Si薄膜层的厚度为59nm，InSn薄膜层的厚度为100nm，保护层的厚度为15nm。
本申请还提供一种非导电性薄膜的制备方法，在其中一个实施例中，包括按照叠加次序依次形成第一光学层、第二光学层以及第三光学层以及保护层，各层均采用磁控溅射的方式制备得到，其中，磁控溅射真空度为2.0～4.5×10-1pa。
进一步地，第一光学层为WO3薄膜层，WO3薄膜层采用纯W金属靶材、Ar为溅射工艺气体并充入氧气溅射制备得到。第二光学层为Si薄膜层，Si薄膜层采用纯Si靶材，Ar为溅射工艺气体，且不充氧气溅射得到。第三光学层为InSn薄膜层，InSn薄膜层采用InSn合金靶材、Ar为溅射工艺气体，且不充氧气溅射得到。
具体地，非导电性薄膜采用WO3+Si+InSn+Nb2O5的膜系设计方案时，通过调节各膜层的厚度可获得金色/玫瑰金的非导薄膜。其中，WO3(包括但不限于WO3)、Si和InSn(不同In和Sn的比例)分别为光学层，Nb2O5(包括但不限于Nb2O5)为保护层。非导电性薄膜采用磁控溅射的方式进行制备，非导电性薄膜沉积在透明基底上，形成镀膜基材，并对镀膜基材进行光学效果测量，其中，
1)WO3薄膜层的制备：采用纯W金属靶材，Ar为溅射工艺气体，工艺压力2.0～4.5×10-1pa，充O2(20～60sccm)，采用中频电源，对应功率数值范围为2-12kw；
2)Si薄膜层的制备：采用纯Si靶材，Ar为溅射工艺气体，工艺压力2.0～4.5×10- 1pa，不充氧气，采用中频电源，对应功率数值范围2-12kw；
3)InSn薄膜层的制备：采用InSn合金靶材，Ar为溅射工艺气体，工艺压力2.0～4.5×10-1pa，不充氧气，采用中频电源，对应功率数值范围2-12kw；
4)Nb2O5薄膜层的制备：采用纯Nb2O5靶材制备，Ar为溅射工艺气体，工艺压力2.0～4.5×10-1pa，不充氧气，采用中频电源，对应功率数值范围2-12kw。
以下提供本申请的各具体实施例。
实施例1
非导电性薄膜的制备方法包括以下步骤：
1)采用纯W金属靶材，Ar为溅射工艺气体，氩气为400sccm，工艺压力3.5×10-1pa，充氧气20sccm，同时启用3个电源，每个电源的功率为8kw，磁控溅射得到厚度为128nm的WO3薄膜层，该WO3薄膜层沉积在透明玻璃上；
2)采用纯Si靶材，Ar为溅射工艺气体，氩气为300sccm，工艺压力3.0×10-1pa，不充氧气，同时启用2个电源，每个电源的功率为5kw，磁控溅射得到厚度为66nm的Si薄膜层，该Si薄膜层沉积在WO3薄膜层上；
3)采用InSn合金靶材，Ar为溅射工艺气体，氩气为300sccm，工艺压力3.0×10-1pa，不充氧气，启用1个电源，电源对应的功率为2.5kw，磁控溅射得到厚度为100nm的InSn薄膜层，该InSn薄膜层沉积在Si薄膜层上；
4)采用纯Nb2O5靶材制备，Ar为溅射工艺气体，氩气为400sccm，工艺压力3.5×10- 1pa，不充氧气，启用1个电源，电源对应的功率为5kw，磁控溅射得到厚度为15nm的Nb2O5薄膜层，该Nb2O5薄膜层沉积在InSn薄膜层上。
对沉积有上述各薄膜层的透明玻璃而形成的镀膜基材进行光学效果测量。
实施例2
非导电性薄膜的制备方法包括以下步骤：
1)采用纯W金属靶材，Ar为溅射工艺气体，氩气为400sccm，工艺压力3.5×10-1pa，充氧气20sccm，同时启用3个电源，每个电源的功率为9kw，磁控溅射得到厚度为144nm的WO3薄膜层，该WO3薄膜层沉积在透明玻璃上；
2)采用纯Si靶材，Ar为溅射工艺气体，氩气为300sccm，工艺压力3.0×10-1pa，不充氧气，同时启用2个电源，每个电源的功率为5kw，磁控溅射得到厚度为66nm的Si薄膜层，该Si薄膜层沉积在WO3薄膜层上；
3)采用InSn合金靶材，Ar为溅射工艺气体，氩气为300sccm，工艺压力3.0×10-1pa，不充氧气，启用1个电源，电源对应的功率为2.5kw，磁控溅射得到厚度为100nm的InSn薄膜层，该InSn薄膜层沉积在Si薄膜层上；
4)采用纯Nb2O5靶材制备，Ar为溅射工艺气体，氩气为400sccm，工艺压力3.5×10- 1pa，不充氧气，启用1个电源，电源对应的功率为5kw，磁控溅射得到厚度为15nm的Nb2O5薄膜层，该Nb2O5薄膜层沉积在InSn薄膜层上。
对沉积有上述各薄膜层的透明玻璃而形成的镀膜基材进行光学效果测量。
实施例3
非导电性薄膜的制备方法包括以下步骤：
1)采用纯W金属靶材，Ar为溅射工艺气体，氩气为400sccm，工艺压力2.0～4.5×10-1pa，充氧气20sccm，同时启用3个电源，每个电源的功率为8kw，磁控溅射得到厚度为128nm的WO3薄膜层，该WO3薄膜层沉积在透明玻璃上；
2)采用纯Si靶材，Ar为溅射工艺气体，氩气为300sccm，工艺压力3.0×10-1pa，不充氧气，同时启用2个电源，每个电源的功率为4.5kw，磁控溅射得到厚度为59nm的Si薄膜层，该Si薄膜层沉积在WO3薄膜层上；
3)采用InSn合金靶材，Ar为溅射工艺气体，氩气为300sccm，工艺压力3.0×10-1pa，不充氧气，启用1个电源，电源对应的功率为2.5kw，磁控溅射得到厚度为100nm的InSn薄膜层，该InSn薄膜层沉积在Si薄膜层上；
4)采用纯Nb2O5靶材制备，Ar为溅射工艺气体，氩气为400sccm，工艺压力3.5×10- 1pa，不充氧气，启用1个电源，电源对应的功率为5kw，磁控溅射得到厚度为15nm的Nb2O5薄膜层，该Nb2O5薄膜层沉积在InSn薄膜层上。
对沉积有上述各薄膜层的透明玻璃而形成的镀膜基材进行光学效果测量。
实施例4
非导电性薄膜的制备方法包括以下步骤：
1)采用纯W金属靶材，Ar为溅射工艺气体，氩气为400sccm，工艺压力2.0～4.5×10-1pa，充氧气20sccm，同时启用3个电源，每个电源的功率为9kw，磁控溅射得到厚度为144nm的WO3薄膜层，该WO3薄膜层沉积在透明玻璃上；
2)采用纯Si靶材，Ar为溅射工艺气体，氩气为300sccm，工艺压力3.0×10-1pa，不充氧气，同时启用2个电源，每个电源的功率为4.5kw，磁控溅射得到厚度为59nm的Si薄膜层，该Si薄膜层沉积在WO3薄膜层上；
3)采用InSn合金靶材，Ar为溅射工艺气体，氩气为300sccm，工艺压力3.0×10-1pa，不充氧气，启用1个电源，电源对应的功率为2.5kw，磁控溅射得到厚度为100nm的InSn薄膜层，该InSn薄膜层沉积在Si薄膜层上；
4)采用纯Nb2O5靶材制备，Ar为溅射工艺气体，氩气为400sccm，工艺压力3.5×10- 1pa，不充氧气，启用1个电源，电源对应的功率为3.5kw，，磁控溅射得到厚度为15nm的Nb2O5薄膜层，该Nb2O5薄膜层沉积在InSn薄膜层上。
对沉积有上述各薄膜层的透明玻璃而形成的镀膜基材进行光学效果测量。
上述各具体实施例以及光学效果如下表1所示：
表1
Figure BDA0002498410520000081
从上述表中数据可以看出，光学效果的L为正值，偏亮；a为负值，变绿；b为正值，偏黄，调节各薄膜层的不同厚度，能够实现薄膜以及镀膜基材的金色/玫瑰金颜色效果。
本申请提供的非导电性薄膜及其制备方法、镀膜基材，薄膜具有非导电性，不会带来电容干扰/屏蔽信号等不良反应；薄膜以及镀膜基材呈现金色/玫瑰金，颜色效果能达到要求；且非导电性薄膜的制备方法简单易实现。同时，不同的In与Sn的比例配方可获得不同亮度的薄膜；100度水煮一个小时后百格测试均在4B以上；绝缘阻抗大于1000兆欧。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。

Claims (9)

1.一种非导电性薄膜，包括光学层以及用于保护光学层的保护层，其特征在于，所述光学层包括依次叠加的第一光学层、第二光学层以及第三光学层，其中：
所述第一光学层为WO3薄膜层或者Nb2O5薄膜层，使用状态下所述第一光学层附着于基底材料；
所述第二光学层为Si薄膜层；
所述第三光学层为InSn薄膜层，所述保护层附着于所述第三光学层；
所述第一光学层的厚度为120nm～160nm，所述第二光学层的厚度为20nm～70nm，所述第三光学层的厚度为50nm～400nm，所述保护层的厚度为10nm～50nm。
2.根据权利要求1所述的非导电性薄膜，其特征在于，所述InSn薄膜层中In与Sn的质量比为3/7～1。
3.根据权利要求1所述的非导电性薄膜，其特征在于，所述保护层为Nb2O5薄膜层或者TiO2薄膜层。
4.根据权利要求1所述的非导电性薄膜，其特征在于，所述第一光学层的厚度为144nm±10nm，所述第二光学层的厚度为30nm±10nm，所述第三光学层的厚度为150nm±50nm，所述保护层的厚度为20nm±10nm。
5.根据权利要求1所述的非导电性薄膜，其特征在于，所述第一光学层的厚度为128nm，所述Si薄膜层的厚度为66nm，所述InSn薄膜层的厚度为100nm，所述保护层的厚度为15nm；或，
所述第一光学层的厚度为144nm，所述Si薄膜层的厚度为66nm，所述InSn薄膜层的厚度为100nm，所述保护层的厚度为15nm；或，
所述第一光学层的厚度为128nm，所述Si薄膜层的厚度为59nm，所述InSn薄膜层的厚度为100nm，所述保护层的厚度为15nm；或，
所述第一光学层的厚度为144nm，所述Si薄膜层的厚度为59nm，所述InSn薄膜层的厚度为100nm，所述保护层的厚度为15nm。
6.一种如权利要求1至权利要求5任一项所述的非导电性薄膜的制备方法，其特征在于，包括按照叠加次序依次形成所述第一光学层、第二光学层以及第三光学层以及保护层，各层均采用磁控溅射的方式制备得到。
7.根据权利要求6所述的非导电性薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一光学层为WO3薄膜层，所述WO3薄膜层采用纯W金属靶材、Ar为溅射工艺气体并充入氧气溅射制备得到；
所述第二光学层为Si薄膜层，所述Si薄膜层采用纯Si靶材，Ar为溅射工艺气体，且不充氧气溅射得到；
所述第三光学层为InSn薄膜层，所述InSn薄膜层采用InSn合金靶材、Ar为溅射工艺气体，且不充氧气溅射得到。
8.一种镀膜基材，其特征在于，包括基底材料以及附着于所述基底材料上的如权利要求1至权利要求5任一项所述的非导电性薄膜。
9.根据权利要求8所述的镀膜基材，其特征在于，所述基底材料采用透明基底。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4737252A (en) * 1981-05-18 1988-04-12 Westinghouse Electric Corp. Method of coating a metallic article of merchandise with a protective transparent film of abrasion-resistance material
KR20090126905A (ko) * 2008-06-05 2009-12-09 에스아이디주식회사 태양광 차단용 필름의 제조 방법
KR20110017828A (ko) * 2009-08-14 2011-02-22 (주)위너테크 비전도 금속 코팅 방법
CN109652779A (zh) * 2017-10-11 2019-04-19 比亚迪股份有限公司 一种外壳及其镀膜方法和电子产品
CN109825806A (zh) * 2019-02-23 2019-05-31 厦门玉通光电有限公司 一种pet非导电膜及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4737252A (en) * 1981-05-18 1988-04-12 Westinghouse Electric Corp. Method of coating a metallic article of merchandise with a protective transparent film of abrasion-resistance material
KR20090126905A (ko) * 2008-06-05 2009-12-09 에스아이디주식회사 태양광 차단용 필름의 제조 방법
KR20110017828A (ko) * 2009-08-14 2011-02-22 (주)위너테크 비전도 금속 코팅 방법
CN109652779A (zh) * 2017-10-11 2019-04-19 比亚迪股份有限公司 一种外壳及其镀膜方法和电子产品
CN109825806A (zh) * 2019-02-23 2019-05-31 厦门玉通光电有限公司 一种pet非导电膜及其制备方法

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