CN111718664A - 胶带 - Google Patents

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Abstract

本发明胶带包括基体、离型层、形成于基体上离型层一侧的胶粘层以及形成于基体另一侧的半导体层，所述基体包括聚酰亚胺基体层或者导电布或者Nomex纸中的至少一种或者几种的叠合。本方案提供的胶带，通过设置具有半导体层实现了胶带的防火与除静电目的，提供了一种具有一定柔性的功能材料，当然也保持了胶带良好的使用灵活性和便利性。

Description

胶带
技术领域
本发明属于电子设备技术领域，具体涉及一种具有防静电和隔热功能的胶带。
背景技术
防静电胶带通过特殊材质组成达到一种可以对静电隔绝的胶带，通常采用薄膜将其表面图一中防静电胶水，然后再经过相应的防静电功能处理，最终制作成为防静电胶带，通常的防静电胶带的颜色有黑色和透色等多种颜色，防静电胶带一般主要终于电子产品表面的粘贴以及需要进行防静电处理的地方使用。现有的除静电装置，由于采用抗静电剂形成胶粘涂层，在长期收益中极易发生衰减，这主要是受到高分子材料的老化影响，影响产品的长效使用寿命和质量。
发明内容
本发明的具有防静电和隔热功能的胶带，通过设置的半导体层作为抗静电结构，赋予了胶带良好的抗静电和隔热性能，并且保证了胶带在使用寿命周期内的质量稳定性。
本发明公开的胶带，包括基体、离型层、形成于基体上离型层一侧的胶粘层以及形成于基体另一侧的半导体层，基体包括聚酰亚胺基体层或者导电布或者Nomex纸中的至少一种或者几种的叠合(这里包括多层层叠结构的形态)。
本发明公开的胶带的一种改进，半导体层包括无定形硅层。
本发明公开的胶带的一种改进，半导体层还包括形成于无定型硅层表面的硅颗粒。
本发明公开的胶带的一种改进，硅颗粒形成于无定型硅层与基体相邻的一侧表面。
本发明公开的胶带的一种改进，硅颗粒的粒径为5μm～30μm。
本发明公开的胶带的一种改进，无定形硅层的厚度10μm～100μm。
本发明公开的胶带的一种改进，无定形硅层上硅颗粒的分布面积占一侧无定形硅层表面积的5-20％。
本发明公开的胶带的一种改进，硅颗粒在一侧无定形硅层表面上均匀分布。
本发明公开的胶带的一种改进，基体其厚度为0.05-0.25mm。
本发明公开的胶带的一种改进，胶粘层为亚克力胶粘剂层。
与单晶硅(或晶体硅)的可以延展得非常庞大，从而形成稳定的晶格结构——正四面体晶格结构相比，无定形硅不存在这种可以延展开的晶格结构，原子间的晶格网络呈无序排列。故而在无定形硅中，并非所有的原子都与其它原子严格地按照正四面体排列。由于这种不稳定性，无定形硅中的部分原子含有悬空键(dangling bond)。这些悬空键对硅作为导体的性质有很大的负面影响，但是同样不影响该无定形硅作为抗静电材料的应用。而出于对悬空键的考虑，则选择了在无定形硅层上形成特定量的硅颗粒，借此在改善无定形硅的吸电子性能，而又不至于形成导体。在综合上述缘由后，本方案获得了一种性能优良、具有长效稳定性的隔热防静电的胶带。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请胶带的一种实施方式的结构示意图；
图2是本申请半导体层的一种实施方式的结构示意图。
具体实施方式
以下将结合各实施方式对本发明进行详细描述。但该等实施方式并不限制本发明，本领域的普通技术人员根据该等实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。
本发明公开的胶带的一种实施方案，胶带包括基体、离型层、形成于基体上离型层一侧的胶粘层以及形成于基体另一侧的半导体层，基体包括聚酰亚胺基体层或者导电布或者Nomex纸中的至少一种或者几种的叠合，也就是基本形成了一种顺次包括离型层、胶粘层、基体、半导体层的隔热抗静电胶带；
需要注意的是，关于半导体层，在这里主要起到了除静电的作用，而非作为常规半导体的应用。这是出于对传统抗静电胶在长期使用中易因老化而性能下降，同时又考虑到，晶体硅作为一种半导体，其电导率高于防静电材料的要求，本方案中半导体层采用无定形硅层，是考虑到无定形硅除了单价低外，其悬空键结构又极大地降低了导电性，从而在经过针对性改善后就满足了本案对于抗静电材料电阻率的要求，此时就需要对无定形硅层上形成的硅颗粒的分布量、颗粒尺寸以及所在面进行限定。优选的，高电荷集聚性能的硅颗粒形成于无定型硅层与基体相邻的一侧表面，这是考虑到高导电性的硅颗粒由于其相对较高的电导性，在暴露形态下容易因电荷集聚而发生尖端放电或者形成干扰电磁场，此时选择性地使颗粒与基体层相邻，这就使得其可以在不影响消除静电的情况下，可以被屏蔽电场，并且将静电电荷及时引导消散。为了满足这些要求，这里进一步地限定了：硅颗粒的粒径为5μm～30μm。无定形硅层的厚度10μm～100μm。无定形硅层上硅颗粒的分布面积占一侧无定形硅层表面积的5-20％。硅颗粒在一侧无定形硅层表面上均匀分布。
在上述方案中，基体其总厚度为0.05-0.25mm。
在上述方案中，胶粘层为亚克力胶粘剂层。厚度可以选择为0.015-0.125mm。
在上述方案中硅颗粒在一侧无定形硅层表面上的形成为通过化学气相沉积法获取，具体为在无定形硅薄层上，在压强范围为0.1Torr～2Torr，反应气体为硅烷，反应气体的流量范围为10sccm～200sccm，温度范围为400℃～800℃的条件进行沉积。为了获得满足条件的半导体层，这里的化学沉积可以采用多次，而无需进行退火等作业，同样对无论是无定形硅或者硅颗粒的纯度都不作太高的要求，一定程度的杂质是对这里消除静电是有好处的，比如在杂质含量不超过0.8％时有较好的性能适应性，这就降低了对产品原料的要求，从而进一步地满足了对于成本控制。
半导体层的沉积实施例1
本实施例中采用厚度为10μm的无定形硅作为沉积的基底，沉积室在压强为0.1TorrTorr，反应气体为硅烷，反应气体的流量为10sccm，温度为400℃的条件进行沉积，单次沉积时间30min，经检测显示，形成的硅颗粒粒径为10μm，硅颗粒占据沉积侧(基底进行单侧沉积)表面积的5％，电导率约1*106西门子/米，满足抗静电要求。
半导体层的沉积实施例2
本实施例中采用厚度为40μm的无定形硅作为沉积的基底，沉积室在压强为2Torr，反应气体为硅烷，反应气体的流量为80sccm，温度为500℃的条件进行沉积，单次沉积时间20min，经检测显示，形成的硅颗粒粒径为5μm，硅颗粒占据沉积侧(基底进行单侧沉积)表面积的10％，电导率约3*106西门子/米，满足抗静电要求。
半导体层的沉积实施例3
本实施例中采用厚度为50μm的无定形硅作为沉积的基底，沉积室在压强为1.2Torr，反应气体为硅烷，反应气体的流量为200sccm，温度为700℃的条件进行沉积，单次沉积时间30min，经检测显示，形成的硅颗粒粒径为20μm，硅颗粒占据沉积侧(基底进行单侧沉积)表面积的15％，电导率约5*106西门子/米，满足抗静电要求。
半导体层的沉积实施例4
本实施例中采用厚度为80μm的无定形硅作为沉积的基底，沉积室在压强为1.5Torr，反应气体为硅烷，反应气体的流量为150sccm，温度为800℃的条件进行沉积，单次沉积时间10min，经检测显示，形成的硅颗粒粒径为30μm，进行三次沉积，硅颗粒占据沉积侧(基底进行单侧沉积)表面积的20％，电导率约4*106西门子/米，满足抗静电要求。
半导体层的沉积实施例5
本实施例中采用厚度为100μm的无定形硅作为沉积的基底，沉积室在压强为0.8Torr，反应气体为硅烷，反应气体的流量为100sccm，温度为500℃的条件进行沉积，单次沉积时间40min，经检测显示，形成的硅颗粒粒径为16μm，硅颗粒占据沉积侧(基底进行单侧沉积)表面积的12％，电导率约2*106西门子/米，满足抗静电要求。
胶带产品实施例
如图1和2所示，以下实施例的半导体层041以厚度为40μm的无定形硅作为沉积的基底，沉积室在压强为1.8Torr，反应气体为硅烷，反应气体的流量为130sccm，温度为700℃的条件进行沉积，单次沉积时间20min，重复沉积四次，经检测显示，形成的硅颗粒粒径为23μm，硅颗粒占据沉积侧(基底进行单侧沉积)表面积的16％，电导率约6*106西门子/米为例进行举例说明。半导体层04其包括由基底041以及形成于其上的硅颗粒042。
胶带的整体构成包括离型层01，可以采用通用型号，亚克力胶粘剂层02，基体层03以及半导体层04。
胶带实施例1
本实施例中，厚度为0.05mm的基体，采用聚酰亚胺基体层；胶粘层为亚克力胶粘剂层，厚度为0.0.125mm。
胶带实施例2
本实施例中，厚度为0.15mm的基体，采用聚酰亚胺基体层；胶粘层为亚克力胶粘剂层，厚度为0.015mm。
胶带实施例3
本实施例中，厚度为0.25mm的基体，采用Nomex纸；胶粘层为亚克力胶粘剂层，厚度为0.055mm。
胶带实施例4
本实施例中，厚度为0.20mm的基体，采用导电布；胶粘层为亚克力胶粘剂层，厚度为0.095mm。
胶带实施例5
本实施例中，厚度为0.25mm的基体，采用聚酰亚胺基体层；胶粘层为亚克力胶粘剂层，厚度为0.105mm。
对比例与对比例无的区别仅在于，半导体层替换为乙氧基化烷基胺等厚涂层。
下列测试均采用120摄氏度，85％湿度，1000瓦高压钠灯模拟环境下，老化30天后进行测试，10个样品进行测试，测试条件为：
室温25度环境下，以45摄氏度恒温电热器件贴合测试，60min后胶带表面的温度变化。
抗静电性为对应样品在老化前的衰减评估。
Figure BDA0002619906140000061
Figure BDA0002619906140000071
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施例加以描述，但并非每个实施例仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (10)

1.胶带，包括基体、离型层、形成于基体上离型层一侧的胶粘层，其特征在于，还包括形成于基体另一侧的半导体层，所述基体包括聚酰亚胺基体层或者导电布或者Nomex纸中的至少一种或者几种的叠合。
2.根据权利要求1所述的胶带，其特征在于，所述半导体层包括无定形硅层。
3.根据权利要求2所述的胶带，其特征在于，所述半导体层还包括形成于无定型硅层表面的硅颗粒。
4.根据权利要求3所述的胶带，其特征在于，所述硅颗粒形成于无定型硅层与基体相邻的一侧表面。
5.根据权利要求3或4所述的胶带，其特征在于，所述硅颗粒的粒径为5μm～30μm。
6.根据权利要求2-4任一所述的胶带，其特征在于，所述无定形硅层的厚度10μm～100μm。
7.根据权利要求6所述的胶带，其特征在于，所述无定形硅层上硅颗粒的分布面积占一侧无定形硅层表面积的5-20％。
8.根据权利要求7所述的胶带，其特征在于，所述硅颗粒在一侧无定形硅层表面上均匀分布。
9.根据权利要求1所述的胶带，其特征在于，所述基体其厚度为0.05-0.25mm。
10.根据权利要求1所述的胶带，其特征在于，所述胶粘层为亚克力胶粘剂层。
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