CN112531037A - 光伏电池电极、光伏电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及光伏电池技术领域，具体而言，涉及一种光伏电池电极,包括依次设置的本征ZnO膜层、第一BZO膜层和第二BZO膜层，所述第一BZO膜层的掺硼浓度大于第二BZO膜层的掺硼浓度。光伏电池包括依次设置的基板、第一电极、光电转换层、第二电极和封装胶膜，所述第二电极为本申请技术方案提供的光伏电池电极。采用本技术方案的光伏电池组件通过DH1000试验检测后，与常规电池相比，光伏电池组件的衰减明显降低，光伏电池组件的稳定性更好。
Description
技术领域
本申请涉及光伏电池技术领域，具体而言，涉及一种光伏电池电极和光伏电池以及光伏电池的制备方法。
背景技术
太阳能是一种取之不尽用之不竭的清洁能源，光伏电池的应用前景非常广阔；薄膜太能电池具有弱光下发电、面积大、生产成本低等优势，制造生产薄膜太能电池的技术受到市场广泛关注，成为近年来研究的热点。
薄膜光伏电池组件的基本结构如图1所示，其包括基板1、前电极2、光电转换材料3、背电极4、封装胶膜5和背板6等。封装胶膜一般使用EVA、PVB、POE等高分子材料，这些材料在电池组件中起到粘接、绝缘、保护电池的作用。因封装胶膜受热分解后产生的酸性气体会侵蚀到作为背电极的导电氧化物膜甚至电池内部，从而导致功率下降，影响电池组件的发电量及使用寿命。
发明内容
为了解决上述技术问题，本申请提供了一种光伏电池电极以及光伏电池，还提供了该光伏电池的制备方法。
为了实现上述目的，根据本技术方案的一个方面，本技术方案提供了一种光伏电池电极，包括依次设置的本征ZnO膜层、第一BZO膜层和第二BZO膜层，所述第一BZO膜层的掺硼浓度大于第二BZO膜层的掺硼浓度。
进一步的，所述本征ZnO膜层的厚度为50-150nm，和/或所述第一BZO膜层的厚度为140-350nm，和/或第二BZO膜层的厚度为1600-2000nm。
进一步的，所述光伏电池电极的的方块电阻为14-17Ω/sq。
进一步的，采用低压化学气象沉积制备所述第一BZO膜层和第二BZO层，其中制备所述第一BZO膜层时，B2H6流量与DEZ流量比值为0.3～0.83，制备所述第二BZO膜层时，B2H6流量与DEZ流量比值为0.05～0.25。
为了实现上述目的，根据本技术方案的第二个方面，本技术方案还提供了一种光伏电池，包括依次设置的基板、第一电极、光电转换层、第二电极和封装胶膜，所述第二电极为上述的光伏电池电极，其中，所述第二电极的本征ZnO膜层与所述光电转换层接触，所述第二电极的第二BZO膜层与所述封装胶膜接触。
为了实现上述目的，根据本技术方案的第三个方面，本技术方案还提供了一种光伏电池的制备方法。
根据本申请实施例的光伏电池的制备方法包括以下步骤：
将沉积有光电转换层的基板预热；
在所述光电转换层表面形成本征ZnO膜层；
在所述本征ZnO膜层表面形成第一BZO膜层；
在所述第一BZO膜层表面形成沉积第二BZO膜层；
其中，所述第一BZO膜层的掺硼浓度大于第二BZO膜层的掺硼浓度。
进一步的，将所述基板的预热温度为170℃-190℃。
进一步的，所述本征ZnO膜层、第一BZO膜层和第二BZO膜层采用低压化学气象沉积的方法制备。
进一步的，在所述光电转换层表面形成本征ZnO膜层，具体为：控制DEZ流量为600-1000sccm，H2O流量为730-1300sccm，工艺压力为0.4-0.6mbar，反应时间为10-30s。
进一步的，在所述本征ZnO膜层表面形成第一BZO膜层，具体为：控制B2H6流量为300-500sccm，DEZ流量为600-1000sccm，H2O流量为730-1300sccm，工艺压力为0.4-0.6mbar，反应时间为10-30s。
进一步的，在所述第一BZO膜层表面形成沉积第二BZO膜层，具体为：控制B2H6流量为50-150sccm，DEZ流量为600-1000sccm，H2O流量为730-1300sccm，工艺压力为0.4-0.6mbar，反应时间为30-90s。
进一步的，控制DEZ与H2O的流量比值为1.5-1.1:1。
本实施例通过提升第一BZO膜层和第二BZO膜层的掺杂浓度，降低方块电阻，来提升光伏电池组件的抗腐蚀性和稳定性。同时，由于第二BZO膜层的掺杂量较小，掺杂量较小的ZnO膜层晶粒生长的更有规则，进而膜层更加致密，致密的膜层更有利于阻止其它异物侵蚀，进一步提升光伏电池组件的抗腐蚀性和稳定性。采用本技术方案的光伏电池组件通过DH1000试验检测后，与常规电池相比，光伏电池组件的衰减明显降低，光伏电池组件的稳定性更好。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本申请的进一步理解，使得本申请的其它特征、目的和优点变得更明显。本申请的示意性实施例附图及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1示意性的给出了现有技术中薄膜光伏电池的结构图。
图中：
1、基板；2、前电极；3、光电转换层；4、背电极；5、封装胶膜；6、背板。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将实施例来详细说明本申请。
现有薄膜光伏电池组件的封装胶膜一般使用EVA、PVB、POE等高分子材料，这些材料在电池组件中起到粘接、绝缘、保护电池的作用。因高分子材料自身特性及受热分解等特点，分解后产生的酸、碱、水汽等物质会侵蚀到作为电极的导电氧化物膜甚至电池内部，从而导致功率下降，影响电池组件的发电量及使用寿命。技术人员在生产实践中发现，与封装胶膜连接的电极的方阻与光伏电池组件抵抗封装胶膜的腐蚀性具有相关性，技术人员发现，通过降低光伏电池电极的方阻可以提高光伏电池组件的抗腐蚀性、耐候性以及稳定性。因此，技术人员通过调整与封装胶膜连接的电极的制备工艺，来获得方阻较低的电极，进而可以提高产品的抗腐蚀性和耐候性。
首先，本申请实施例提供了一种光伏电池电极，其包括依次设置的本征ZnO膜层、第一BZO膜层和第二BZO膜层，第一BZO膜层的掺硼浓度大于第二BZO膜层的掺硼浓度。
本实施例通过提升第一BZO膜层和第二BZO膜层的掺杂浓度，降低方块电阻，来提升光伏电池组件的抗腐蚀性和稳定性。同时，由于第二BZO膜层的掺杂量较小，掺杂量较小的ZnO膜层晶粒生长的更有规则，进而膜层更加致密，致密的膜层更有利于阻止其它异物侵蚀，进一步提升光伏电池组件的抗腐蚀性和稳定性。
可选的，光伏电池电极的的方块电阻为14Ω/sq-17Ω/sq。常规光伏电池电极的方块电阻为22Ω/sq-25Ω/sq，与常规的光伏电池电极的方块电阻相比，本实施例光伏电池电极的方块电阻调低了5Ω/sq以上，提升了光伏电池电极的导电性。同时，由于提升了光伏电池电极的掺杂浓度，所以光伏电池电极的整体透光率基本没有变化，即不影响太阳光的入射。
进一步的，本征ZnO膜层的厚度为50-150nm，和/或第一BZO膜层的厚度为140-350nm，和/或第二BZO膜层的厚度为1600-2000nm。第二BZO膜层较厚，一是提升光伏电池电极与封装胶膜接触层的致密性和抗腐蚀性，二是避免光伏电池电极掺杂浓度的增加透光率下降的问题。
进一步的，采用低压化学气象沉积制备第一BZO膜层和第二BZO层，其中制备第一BZO膜层时，B2H6流量与DEZ流量比值为0.3～0.83，制备第二BZO膜层时，B2H6流量与DEZ流量比值为0.05～0.25。本实施例通过控制B2H6流量与DEZ流量比来实现光伏电池电极所需的掺杂浓度。
其次，本申请实施例提供了一种光伏电池，其包括依次设置的基板、第一电极、光电转换层、第二电极和封装胶膜，第二电极为上述的光伏电池电极。其中第一电极优选为前电极，第二电极优选为背电极。
再次，本申请实施例提供了一种光伏电池的制备方法，其包括以下步骤：
步骤一，预热：将沉积有第一电极光电转换层的基板预热，使得基板的温度达到进行沉积所需的范围，优选为170-190℃。
步骤二，制备ZnO膜层：通过低压化学气相沉积法在光电转换层表面沉积一层本征ZnO膜层。优选的，控制DEZ流量为600-1000sccm，H2O流量为730-1300sccm，工艺压力为0.4-0.6mbar，沉积时间10-30s，沉积厚度为50-150nm，本征ZnO膜层的引入使生长的晶粒更加整齐，可以增加整体背电极BZO膜层的透过率，可以起到降低方阻的效果，其中DEZ为二乙基锌。
步骤三，制备第一BZO膜层：通过低压化学气相沉积法在本征ZnO膜层表面继续沉积第一BZO膜层，DEZ流量为600-1000sccm，H2O流量为730-1300sccm，工艺压力为0.4-0.6mbar，调整B2H6掺杂量为300-500sccm，沉积时间为30-70s，沉积厚度为140-350nm。
步骤四，制备第二BZO膜层：通过低压化学气相沉积法在第一BZO膜层表面继续沉积第二BZO膜层，调整B2H6的掺杂量为50-150sccm，沉积时间为为30-90s，沉积厚度为1600-2000nm。
步骤三和步骤四中通过增加B2H6的掺杂量、降低DEZ的流量以及增大膜层厚度中至少一种手段来实现降低电极方阻的目的。
优选的，在沉积本征ZnO膜层和第一BZO膜层的步骤中，控制DEZ与H2O的流量比值为1.225，确保二者的比例以实现良好的沉积膜层，属于成膜的最佳比例。如果通过降低DEZ流量来实现降低方阻的目的，即B2H6/DEZ流量之比增大，同时保证DEZ/H2O的流量之比保持1.225不变，那么H2O的流量也同比减低。
优选的，在沉积本征ZnO膜层、第一BZO膜层和第二BZO膜层的步骤中，控制DEZ的基准流量为720sccm，控制H2O的基准流量为882sccm，控制工艺压力基准为0.5mbar，上述工艺参数下，可以得到平整度更为均匀的镀层。
以上实施例提出的BZO的制备方式只是制备BZO膜层的一种方式，也可以采用其他方式，例如磁控溅射法、化学涂布法或者共蒸发的方式，才本发明中不做具体限定。
需要说明的是，本申请中提及的光伏电池包括但不限于双叠层电池、单结电池或三叠层电池；光电转换层的材料包括但不限于硅基薄膜、CIGS、CdTe、HIT异质结等太阳能光电转换材料；第一电极优选为前电极，包括但不限于LPCVD方法沉积的BZO，溅射、蒸发法或其它物理或化学方法制备的ITO/FTO/AZO等透明导电氧化物膜层；与封装胶膜连接的电极优选为背电极，包括但不限于LPCVD方法沉积的BZO，溅射、蒸发法或其它物理或化学方法制备的ITO/FTO/AZO等透明导电氧化物膜层；DEZ和B2H6的流量和沉积时间不限定，每一步骤的气体流量和沉积时间都可以做相应调整和优化；背板材料包括但不限于玻璃、不锈钢或PET等柔性材料；光伏电池的尺寸可以制定成任意形状和大小，包括但不限于透明的BIPV组件或不透明的常规电池组件。
本申请说明书及权利要求书中提及的LPCVD表示低压化学气相沉积，BZO表示掺杂硼元素的氧化锌，ITO表示N型氧化物半导体-氧化铟锡，FTO表示掺杂氟的SnO2，AZO表示掺杂铝元素的氧化锌，CIGS表示铜铟镓硒层，化学结构式为CuInxGa(1-x)Se2，CdTe表示碲化镉层，其以p型CdTe和n型Cd的异质结为基础，DEZ表示二乙基锌，化学式为C4H10Zn。
实施例1
一种抗封装胶膜腐蚀的背电极，其通过低压化学气相沉积法制备而得，采用的低压化学气相沉积包括有六个工艺腔室，具体为PM1-PM6，通过控制各腔室内的控制参数来调整成膜的特性。具体的设备控制参数如表1所示，下面结合表1来说明本实施例光伏电池电极的具体制备方法：
(1)将沉积有前电极和光电转换层的基板预热到180℃，使得基板的温度达到进行沉积所需的范围，并调整六个工艺腔室PM1-PM6中心区域的温度为196℃；
(2)首先在第一个工艺腔室PM1内通过低压化学气相沉积法在光电转换层表面沉积一层本征ZnO膜层，控制PM1内的B2H6掺杂量为0sccm，DEZ流量为720sccm，H2O流量为882sccm，工艺压力为0.5mbar(上下偏差控制在0.025mbar)，H2与B2H6总气流量为500sccm，沉积时间为21s，沉积厚度为100nm。
(3)在第一个工艺腔室PM1内通过低压化学气相沉积法在本征ZnO膜层表面继续沉积第一BZO膜层，具体操作为调整PM1工艺腔室内的B2H6气流量为400sccm，其他压力和流量参数保持不变，沉积时间为49s，该阶段获得的第一BZO膜层沉积厚度为233nm。
(4)在第2-6个工艺腔室PM2-PM6内通过低压化学气相沉积法在第一BZO膜层表面继续沉积第二BZO膜层，控制PM2-PM6内的B2H6总气流量为500sccm，氢气的总气流量为500sccm，H2O的总气流量为4410sccm，PM2-PM3内的DEZ总气流量为1440sccm，PM4-PM6内的DEZ总气流量为2160sccm，即PM2-PM6五个腔室中B2H6平均气流量为100sccm，氢气的平均气流量为100sccm，H2O的平均气流量为882sccm，DEZ平均气流量为720sccm，此外保持工艺压力与PM1中相同，均为0.5mbar(上下偏差控制在0.025mbar)，控制沉积时间为60s，最终形成由本征ZnO膜层、第一BZO膜层和第二BZO膜层组成的背电极。
表1实施例1光伏电池电极制备工艺参数
为了验证通过本申请实施例1提供的工艺制备得到的光伏电池电极的电学性能，特通过THR测试来获得通过实施例1制得的背电极与现有背电极在导电氧化物膜层厚度、雾度(绒度，Haze@600nm＝DT(散射透过率)/TT(总透过率))、方块电阻等参数，THR测试结果如表2所示，其中T为厚度平均值，TU为厚度不均匀度，H为600nm波长的雾度均值，HU为600nm波长的雾度不均匀性，R为方阻，RU为方阻不均匀性。
通过表2的THR测试数据显示，本申请实施例1制备得到的背电极具有较好的电学性能，并且实施例1制得的背电极与传统工艺制得的背电极相比，方阻大大降低。
表2.THR测试数据
| 组别 | T(nm) | TU(％) | H(％) | HU(％) | R(Ω/sq) | RU(％) |
| 实施例1背电极工艺 | 1850.3 | 10.35 | 29.15 | 23.43 | 14.21 | 28.79 |
| 传统背电极工艺 | 1727.2 | 12.98 | 26.58 | 25.12 | 21.55 | 29.9 |
为了验证通过本申请实施例1提供的工艺制备得到的背电极的抗腐蚀性能，特通过湿热老化测试(Damp Heat，简称DH，DH测试又称为双85试验，是一种在85±2℃、湿度85±5％环境下对电池组件进行的可靠性测试)来获得通过实施例1制得的背电极与传统背电极功率衰减方面的试验数值。测试采用基于两种工艺制备得到的背电极分别组装成为电池组件，组装中用到的其他材料和工艺均相同。经过1000小时的DH测试后，测试结果如表3所示，其中Pm为最大输出功率，Vmpp为最大输出电压，Impp为最大输出电流，Voc为开路电压，Isc为短路电流。
通过对比两种工艺制备得到的背电极组装成的电池组件的DH1000衰减率，发现实施例1工艺制得的背电极组装的电池组件的功率衰减为3.58％，通过传统工艺制得的背电极组装的电池组件功率衰减为32.89％，实施例1的衰减率降低29.31％，在抗胶膜腐蚀方面体现出显著优势。
表3.DH1000测试数据
实施例2
一种抗封装胶膜腐蚀的光伏电池的制备方法，包括以下步骤：
A、使用超白浮法玻璃作为基板，在基板上用LPCVD方法沉积一层导电氧化物膜层作为前电极。
B、在前电极表面用PECVD方法沉积非晶硅/微晶硅作为光电转换层。
C、通过实施例1提供的抗封装胶膜腐蚀的光伏电池电极的制备方法，在光电转换层表面沉积背电极，不同之处在于：在步骤(1)中沉积有前电极和光电转换层的基板预热温度为170℃；步骤(2)中控制DEZ流量为600sccm，H2O流量为730sccm，工艺压力为0.4mbar(上下偏差控制在0.025mbar)，沉积时间为30s，沉积厚度为150nm；在步骤(3)中，控制B2H6气流量为300sccm，沉积时间为30s，沉积厚度为140nm；在步骤(4)中，控制PM2-PM6内的B2H6总气流量为250sccm，即平均每个工艺腔室气流量为50sccm，控制沉积时间为30s，沉积厚度为1600nm。
D、在背电极表面依次敷设PVB胶膜封装材料和背板玻璃后，通过层压工艺完成光伏电池的封装。
实施例2获得的光伏电池采用实施例1中的THR测试和DH1000测试来与传统工艺的光伏电池进行比对，试验结果表明实施例2制备得到的光伏电池具有较好的电学性能，背电极方阻降低5.35Ω/sq，实施例2工艺制得的光伏电池的功率衰减相比于传统工艺制得的光伏电池的功率衰减降低24.22％，在抗胶膜腐蚀方面体现出显著优势。
实施例3
一种抗封装胶膜腐蚀的光伏电池的制备方法，包括以下步骤：
A、使用超白浮法玻璃作为基板，在基板上用LPCVD方法沉积一层导电氧化物膜层作为前电极。
B、在前电极表面用PECVD方法沉积非晶硅/微晶硅作为光电转换层。
C、通过实施例1提供的抗封装胶膜腐蚀的光伏电池电极的制备方法，在光电转换层表面沉积背电极，不同之处在于：在步骤(1)中沉积有前电极和光电转换层的基板预热温度为190℃；步骤(2)中控制DEZ流量为1000sccm，H2O流量为1300sccm，工艺压力为0.6mbar(上下偏差控制在0.025mbar)，沉积时间为10s，沉积厚度为50nm；在步骤(3)中，控制B2H6气流量为500sccm，沉积时间为70s，沉积厚度为335nm；在步骤(4)中，控制PM2-PM6内的B2H6总气流量为750sccm，即平均每个工艺腔室气流量为150sccm，控制沉积时间为90s，沉积厚度为2000nm。
D、在背电极表面依次敷设EVA胶膜封装材料和背板玻璃后，通过层压工艺完成光伏电池的封装。
实施例3获得的光伏电池采用实施例1中的THR测试和DH1000测试来与传统工艺的光伏电池进行比对，试验结果表明实施例3制备得到的光伏电池具有较好的电学性能，背电极方阻降低4.92Ω/sq，实施例3工艺制得的光伏电池的功率衰减相比于传统工艺制得的光伏电池的功率衰减降低22.73％，在抗胶膜腐蚀方面体现出显著优势。
实施例4
一种抗封装胶膜腐蚀的光伏电池的制备方法，包括以下步骤：
A、使用超白浮法玻璃作为基板，在基板上用LPCVD方法沉积一层导电氧化物膜层作为前电极。
B、在前电极表面用PECVD方法沉积非晶硅/微晶硅作为光电转换层。
C、通过实施例1提供的光伏电池电极的制备方法，在光电转换层表面沉积背电极，不同之处在于：在步骤(1)中沉积有前电极和光电转换层的基板预热温度为180℃；步骤(2)中控制DEZ流量为900sccm，H2O流量为1102.5sccm，沉积时间为15s，沉积厚度为75nm；在步骤(3)中，控制B2H6气流量为450sccm，沉积时间为50s，沉积厚度为240nm；在步骤(4)中，控制PM2-PM6内的B2H6总气流量为750sccm，即平均每个工艺腔室气流量为150sccm，控制沉积时间为90s，沉积厚度为2000nm。
D、在背电极表面依次敷设POE胶膜封装材料和背板玻璃后，通过层压工艺完成光伏电池的封装。
实施例4获得的光伏电池采用实施例1中的THR测试和DH1000测试来与传统工艺的光伏电池进行比对，试验结果表明实施例4制备得到的光伏电池具有较好的电学性能，背电极方阻降低3.39Ω/sq，实施例4工艺制得的光伏电池的功率衰减相比于传统工艺制得的光伏电池的功率衰减降低20.63％，在抗胶膜腐蚀方面体现出显著优势。
本说明书中部分实施例采用递进或并列的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
以上仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (12)
1.一种光伏电池电极，其特征在于，包括依次设置的本征ZnO膜层、第一BZO膜层和第二BZO膜层，所述第一BZO膜层的掺硼浓度大于第二BZO膜层的掺硼浓度。
2.根据权利要求1所述的光伏电池电极，其特征在于，所述本征ZnO膜层的厚度为50-150nm，和/或所述第一BZO膜层的厚度为140-350nm，和/或第二BZO膜层的厚度为1600-2000nm。
3.根据权利要求1所述光伏电池电极，其特征在于，所述光伏电池电极的的方块电阻为14-17Ω/sq。
4.根据权利要求1所述光伏电池电极，其特征在于，采用低压化学气象沉积制备所述第一BZO膜层和第二BZO层，其中制备所述第一BZO膜层时，B2H6流量与DEZ流量比值为0.3～0.83，制备所述第二BZO膜层时，B2H6流量与DEZ流量比值为0.05～0.25。
5.一种光伏电池，其特征在于，包括依次设置的基板、第一电极、光电转换层、第二电极和封装胶膜，所述第二电极为权利要求1-3任一项所述的光伏电池电极，其中，所述第二电极的本征ZnO膜层与所述光电转换层接触，所述第二电极的第二BZO膜层与所述封装胶膜接触。
6.一种光伏电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将沉积有光电转换层的基板预热；
在所述光电转换层表面形成本征ZnO膜层；
在所述本征ZnO膜层表面形成第一BZO膜层；
在所述第一BZO膜层表面形成沉积第二BZO膜层；
其中，所述第一BZO膜层的掺硼浓度大于第二BZO膜层的掺硼浓度。
7.根据权利要求6所述的光伏电池的制备方法，其特征在于，将所述基板的预热温度为170℃-190℃。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述本征ZnO膜层、第一BZO膜层和第二BZO膜层采用低压化学气象沉积的方法制备。
9.根据权利要求8所述的光伏电池的制备方法，其特征在于，在所述光电转换层表面形成本征ZnO膜层，具体为：控制DEZ流量为600-1000sccm，H2O流量为730-1300sccm，工艺压力为0.4-0.6mbar，反应时间为10-30s。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述本征ZnO膜层表面形成第一BZO膜层，具体为：控制B2H6流量为300-500sccm，DEZ流量为600-1000sccm，H2O流量为730-1300sccm，工艺压力为0.4-0.6mbar，反应时间为10-30s。
11.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述第一BZO膜层表面形成沉积第二BZO膜层，具体为：控制B2H6流量为50-150sccm，DEZ流量为600-1000sccm，H2O流量为730-1300sccm，工艺压力为0.4-0.6mbar，反应时间为30-90s。
12.根据权利要求9-11任一项所述的制备方法，其特征在于，控制DEZ与H2O的流量比值为1.5-1.1:1。
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| CN113471306A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-10-01 | 安徽华晟新能源科技有限公司 | 一种异质结电池及异质结电池的制备方法 |
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