CN111710749A - 基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构及实现方法 - Google Patents

基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构及实现方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111710749A
CN111710749A CN202010324681.2A CN202010324681A CN111710749A CN 111710749 A CN111710749 A CN 111710749A CN 202010324681 A CN202010324681 A CN 202010324681A CN 111710749 A CN111710749 A CN 111710749A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
splicing
sub
detector
shaped
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010324681.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111710749B (zh
Inventor
王小坤
李俊
陈俊林
孙闻
曾智江
李雪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Institute of Technical Physics of CAS
Original Assignee
Shanghai Institute of Technical Physics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Institute of Technical Physics of CAS filed Critical Shanghai Institute of Technical Physics of CAS
Priority to CN202010324681.2A priority Critical patent/CN111710749B/zh
Publication of CN111710749A publication Critical patent/CN111710749A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111710749B publication Critical patent/CN111710749B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本发明公开了基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构及实现方法，本发明拼接结构由线列红外探测器芯片、Z字形探测器拼接子基板、共用大基板、Z向调节螺钉、X向调节结构和Y向调节螺钉组成，在安装过程中先借助Z向调节螺钉将Z字形探测器基板调整到共面，再用Y向调节螺钉和X向调节结构来调节确保各Z字形探测器拼接子基板之间的相对位置关系。本发明的结构简单，操作方便，成本低廉；适用于拼接式长线列红外探测器低温封装场合，也适用于其它的多低温冷平台低温组装的场合；本发明的采用Z字形探测器拼接子基板首尾咬合二次拼接，降低了拼接子基板的加工难度，同时有利于长线列的探测器规模的扩展，有利于提高探测器成品率。

Description

基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构及实现方法
技术领域
本发明涉及红外探测器的低温封装技术，具体指基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构及实现方法。它适用于拼接式线列红外探测器低温封装场合。也适用于其它的多低温冷平台低温组装的场合。
背景技术
红外遥感仪器的两个重要性能指标为视场和分辨率。在研制高分辨大视场光学系统中，为了克服视场和分辨率存在矛盾，解决的途径之一为采用高分辨率、超大规模红外焦平面探测器。红外探测器受制备工艺、填充系数、灵敏度、成品率、成本等因素的限制，其规模是一定的。为了得到超大规模红外探测器件，一般采用多个小规模的探测器通过“无缝”拼接而成。“无缝”拼接并不是指真正意义上的焦平面无缝拼接，而是通过一定的视场拼接方法，对整个视场进行无缝覆盖。典型的方法有品字形拼接，通过两次或多次成像覆盖，采用图像拼接的方法完成视场的无缝拼接。
拼接型线列红外探测器，就是在一维方向上由多个子模块拼接而成。中国专利200610027004.4一种超长线列红外焦平面探测器和200610118767.X多模块拼接长线列红外焦平面探测器的外引线组件，它们是多个规模较小的256×1 或512×1的线列探测器“无缝”拼接直接胶接在一块低膨胀系数的拼接基板形成2000至6000元超长线列探测器，拼接基板的平面度要求小于10微米。中国专利2014101546466.1密排拼接的双波段长线列红外探测器结构，也是多个规模较小探测器直接胶接在一块拼接基板上，拼接基板的平面度要求小于10 微米。中国专利201310469740.5一种热电制冷的超长线列InGaAs探测器封装结构，可以实现4000元以上的超长线列探测器封装，规模较小的探测器也是直接胶接在陶瓷拼接基板上。随着需要拼接的探测器规模的不断增加，将更多的规模较小探测模块直接胶接在一块拼接基板上会带来如下问题：1)规模较小探测器模块增加，出现故障的概念增加，直接胶接后的可维修性较差，直接导致超长线列探测器的成品率大大降低；2)在一块拼接基板上实现一维方向上由多个子模块拼接，为了确保探测器模块之间的位置精度，一般采用绝对坐标拼接，但随着拼接基板尺寸的增加，拼接设备的移动长度带来的误差会带来拼接精度降低；3)随着拼接探测器模块的增加，探测器直接胶接在拼接基板上的技术方案，使得对探测器模块的尺寸一致性提高，这降低的探测器模块的成品率。4)对拼接后探测器的共面度要求，使得对拼接基板的平面度较高，拼接基板的尺寸增加，导致拼接基板的加工难度大大增加，成品率降低；必须要探索一种新方法来解决这一问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构及实现方法。它适用于拼接式线列红外探测器低温封装场合，也适用于其它的多低温冷平台低温组装的场合。本发明既实现了长线列红外探测器三维方向高精度光学配准，又实现了拼接探测器的互换性和可维修性要求，解决了传统红外探测器由于规模增加而导致成品率低、室温拼接后低温下无法修正调节问题。
本发明的一种基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构及实现方法如附图1所示，它主要包括线列红外探测器芯片1、Z字形探测器拼接子基板 2、共用大基板3、Z向调节螺钉4、Y向调节螺钉5和X向调节结构6。线列红外探测器芯片1包括探测器101、电极基板102和“十”字标记103，在电极基板上102上有“十”字标记103。Z字形探测器拼接子基板2上拼接有2 的倍数的探测器芯片。在Z字形探测器拼接子基板两侧预留一定数量的光孔 201。共用大基板3选用轻量化的热导较小的金属材料，在安装Z字形探测器拼接子基板2的光孔201对应位置预留相对应的螺孔301，将若干个Z字形探测器拼接子基板依次首尾相连安装在共用大基板3上，用螺钉将Z字形探测器拼接子基板2的光孔201和共用大基板3上的螺孔301固定。在安装过程中先借助Z向调节螺钉4将Z字形探测器基板调整到共面，再用Y向调节螺钉5 和X向调节结构6来调节确保各Z字形探测器拼接子基板之间的相对位置关系。
所述的Z字形探测器拼接子基板2如附图2，采用膨胀系数与红外线列红外探测器芯片1接近的可伐或因瓦材料，将加工成Z型，Z字形探测器拼接子基板2安装探测器面的平面度优于10微米。上下两平面之间的平形度优于10 微米。Z字形探测器拼接基板的首尾咬合的设计参数如下：D1为基板沿X向对称中心线与基板边缘的距离0.1mm-0.3mm，L1为基板左侧边缘距离，其选取品字型拼接奇数行或偶数行相连两模块之间距离的1/2-(0.1mm～0.3mm)。确保相连Z字形探测器基板之间的首尾咬合在X向和Y向的间隙为 0.2mm-0.6mm。在探测器芯片的两侧均布光孔201。在Z字形拼接子基板2侧面靠近两头的地方共4处，每处预留2个螺纹孔203。在Z字形探测器拼接子基板2的两侧布置四个用于Z向旋转的调节过孔202。
所述的共用大基板3如附图3，选用密度小于4.3×103Kg/M3，导热系数小于6W/M·K的金属材料，通过机加工成沿长度方向“凹”字的形状。共用大基板3中间凹陷区域305，其在XZ方向的剖面内，宽度L2与Z字形探测器拼接子基板2的宽度L大2mm-5mm。深度H2与Z字形探测器拼接子基板2 的深度H1小3mm-5mm。考虑到降低热传导，其与Z字形探测器拼接子基板2的接触面宽度为6mm-8mm。预留与Z字形探测器拼接子基板2固定的螺孔 301。同时在Z字形探测器子基板2上预留过孔202对应的位置预留调节沉孔 302以及调节螺孔303。在共用大基板3的“凹”字的形状对应Z字形探测器拼接子基板2的侧面预留Y向调节用螺孔304。其数量是Z字形探测器拼接子基板数量的4倍，以确保对应每个Z字形探测器拼接子基板2对应有四个Y 向调节用螺孔304，分别对应分布在Z字形探测器拼接子基板2的两侧而且长边侧面两头均有。
所述的Z向调节螺钉4如附图4，Z向调节螺钉4选用平头的，开一字头。调节原理为通过一字螺丝刀，旋转Z向调节螺钉4，让Z向调节螺钉4与共用大基板3产生相对位移，Z向调节螺钉4的头部带动Z字形探测器拼接子基板 2上下移动，从而实现Z向共面度的调节。
所述的Y向调节螺钉5如附图5，在每个Z字形探测器拼接子基板2对应位置安装4个Y向调节螺钉5。调节原理为通过螺丝刀旋转Y向调节螺钉5 使得Y向调节螺钉5与共用大基板3上的Y向调节螺纹孔304产生相对位移，从而让Y向调节螺钉5顶着Z字形探测器拼接子基板2在Y向上发生移动，满足调节的需求。
所述的X向调节结构6如附图6，主要由X向调节固定块601、X向调节副动块602和X向调节螺钉603组成。在Z字形探测器拼接子基板2的两头的四个位置各预留两个螺纹孔203，通过螺钉604将X向调节固定块601和X 向调节副动块602分别固定在相连的两块Z字形探测器拼接子基板2上。通过螺丝刀旋转X向调节螺钉603，使得X向调节螺钉603与X向调节副动块602 发生位置变化，由于X向调节副动块602固定在Z字形探测器拼接子基板2 上，从而实现了两个相连的Z字形探测器拼接子基板2在X向发生位置变化。
本发明的基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构及实现方法如下：
1)线列红外探测器芯片1由探测器101和电极基板102组成，在电极基板上102上预留有“十”字标记103。将2的倍数的线列红外探测器芯片1用低温胶对中胶接在Z字形探测器拼接子基板2上，并烘烤固化。重复上述工艺制作出若干个带红外线列红外探测器芯片1的Z字形探测器拼接子基板2。
2)如附图1所示，共用大基板3上的所有调节沉孔302和调节螺孔303 上安装Z向调节螺钉4，确保Z向调节螺钉4的头部不超过共用大基板3上的所有Z型探测器拼接子基板2的安装面。然后依次在共用大基板3上放置若干个带红外线列红外探测器芯片1的Z字形探测器拼接子基板2。调节所有安装若干个带红外线列红外探测器芯片1的Z字形探测器拼接子基板2，确保Z字形探测器拼接子基板2的首尾咬合。然后用螺钉贯穿Z字形拼接子基板2的两侧预留一定数量的光孔201将Z字形探测器拼接子基板与共用大基板3上的螺孔301加少量预紧力固定，并预留调节空间。
3)如附图1所示，将Y向调节螺钉5安装在共用大基板3上的共用大基板3上预留的Y向调节螺纹孔304，确保Y向调节螺钉5的头部刚好顶到Z 字形探测器拼接子基板2的侧面。
4)如附图1所示，用螺钉将X向共面调节结构6的X向调节固定块601 和X向调节副动块602分别固定在相连的两块Z字形探测器拼接子基板2上。固定的原则为：如果Z字形探测器拼接子基板2的数量N为奇数时，选取最中间的Z字形探测器拼接子基板2两端为两个起始点，左边的两个起始点依次按 X向调节固定块601在X向调节副动块602的右边分别用螺钉固定在相连的两块Z字形探测器拼接子基板2上。右边的两个起始点依次按X向调节固定块601在X向调节副动块602的左边分别用螺钉固定在相连的两块Z字形探测器拼接子基板2上。如果Z字形探测器拼接子基板2的数量N为偶数时，选取从左往右，第N/2个Z字形探测器拼接子基板2两端为两个起始点，左边的两个起始点依次按X向调节固定块601在X向调节副动块602的右边分别用螺钉固定在相连的两块Z字形探测器拼接子基板2上。右边的两个起始点依次按X向调节固定块601在X向调节副动块602的左边分别用螺钉固定在相连的两块Z字形探测器拼接子基板2上。
5)先进行Z向平面度的调整和测试，具体步骤如下：a)在影像测试仪(带激光测距功能)测试所有线列红外探测器芯片1的电极基板102上有“十”字标记103，测试其高度，然后通过最小二乘法拟合探测器模块的平面度,观察是否达标；b)如不达标，松开用于固定Z字形探测器拼接子基板2与共用大基板上3的螺钉，根据激光测距仪的数据，实时调节Z向调节螺钉4；c)在激光测距仪下测试所有线列红外探测器芯片1的电极基板102上有“十”字标记103，测试其高度，然后通过最小二乘法拟合探测器模块的平面度,观察是否达标；d) 重复步骤b和步骤c，直到若干个Z字形探测器拼接子基板2上的所有线列红外探测器芯片1的电极基板102上的“十”字标记103的中心的的平面度达到应用的指标要求。
6)然后进行Y向调节，具体步骤如下：a)选取指定Z字形探测器拼接子基板2为起始基板，其选取方法如下：如果Z字形探测器拼接子基板2的数量N为奇数时，选取最中间的Z字形探测器拼接子基板2为起始基板；如果 Z字形探测器拼接子基板2的数量N为偶数时，选取从左往右，第N/2个Z 字形探测器拼接子基板2为起始基板；b)利用影像测试仪测试，如图7所示，通过四个Y向调节螺钉5，使得起始基板上呈品字型的两排探测器的最左端探测器2上在电极基板上102上预留有“十”字标记103和最右端倒数第二个探测器2上在电极基板上102上预留有“十”字标记103中心连线和最左端第二个上线列红外探测器芯片1在电极基板上102上预留有“十”字标记103的中心连线和最右端线列红外探测器芯片1上在电极基板上102上预留有“十”字标记103中心连线都平行于共用大基板3的中间凹陷区域305的长边。此起始 Z字形探测器拼接子基板2与共用大基板3的中间凹陷区域305之间的间隙，两边的对称度小于0.02mm；c)从起始Z字形探测器拼接子基板2向左开始数，第一个Z字形探测器拼接子基板2先进行Y向调节。先调节靠近起始Z字形探测器拼接子基板2的端的两个Y向调节螺钉5，使得向左开始数第一个Z 字形探测器拼接子基板2上最右边两个线列红外探测器芯片1的电极基板102 上有“十”字标记103与起始Z字形探测器拼接子基板2上相连的探测器上的电极基板102上有“十”字标记103在Y向上对齐，再调节此Z字形探测器拼接子基板2对应余下的两个Y向调节螺钉5，使得向左开始数第一个Z字形探测器拼接子基板2上最左边的探测器1的电极基板102上有“十”字标记 103与起始Z字形探测器拼接子基板2上相连的探测器上的电极基板102上有“十”字标记103在Y向上对齐；d)从起始Z字形探测器拼接子基板2向左开始数，第二个Z字形探测器拼接子基板2先进行Y向调节。先调节靠近向左开始数Z字形探测器拼接子基板2端的两个Y向调节螺钉5，使得向左开始数第二个Z字形探测器拼接子基板2上最右边两个线列红外探测器芯片1 的电极基板102上有“十”字标记103与起始Z字形探测器拼接子基板2上相连的探测器上的电极基板102上有“十”字标记103在Y向上对齐，再调节此 Z字形探测器拼接子基板2对应余下的两个Y向调节螺钉5，使得向左开始数第二个Z字形探测器拼接子基板2上最左边的探测器101的电极基板102上有“十”字标记103与从左数第一个Z字形探测器拼接子基板2上相连电极基板102上有“十”字标记103在Y向对齐；e)从起始Z字形探测器拼接子基板2向左开始数，第三个Z字形探测器拼接子基板2先进行Y向调节。操作类似步骤d；依次类推，将起始Z字形探测器拼接子基板2向左数的所有Z 字形探测器拼接子基板2的Y向位置关系通过Y向调节螺钉5调节到所需要的位置；f)从起始Z字形探测器拼接子基板2向右数的Z字形探测器拼接子基板2的Y向调节步骤，类似步骤c－e，这样就完成所有Z字形探测器拼接子基板2的Y向位置调节。
7)再进行X向调节，具体步骤如下：a)选取指定Z字形探测器拼接子基板2为起始基板，其选取方法如下：如果Z字形探测器拼接子基板2的数量 N为奇数时，选取最中间的Z字形探测器拼接子基板2为起始基板；如果Z 字形探测器拼接子基板2的数量N为偶数时，选取从左往右，第N/2个Z字形探测器拼接子基板2为起始基板；b)从起始Z字形探测器拼接子基板2向左开始数，第一个Z字形探测器拼接子基板2先进行X向调节。先调节靠近起始Z字形探测器拼接子基板2的端的两个X向调节结构6，使得向左开始数第一个Z字形探测器拼接子基板2上最右边两个线列红外探测器芯片1的电极基板102上有“十”字标记103与起始Z字形探测器拼接子基板2上相连的探测器上的电极基板102上有“十”字标记103中间距离满足设计要求；c)然后依次从起始Z字形探测器拼接子基板2向左开始数，依次第二个，第三个等等所有基板重复步骤c完成X向的调节；d)从起始Z字形探测器拼接子基板2向右数的Z字形探测器拼接子基板2的X向调节步骤，类似步骤b－c，这样就完成所有Z字形探测器拼接子基板2的X向位置调节。
8)最后在专用装置低温装置下，对降温后的基于多个基板二次拼接而成的长线列探测器，重复上述Z向、Y向和X向低温后相对室温的变化值进行补偿。三个方向的调节方法同室温调节方法。三方向的精度满足要求后，用螺钉贯穿Z字形拼接子基板2的两侧预留一定数量的光孔201将Z字形探测器拼接子基板2与共用大基板3上的螺孔301完全固定，回到室温，去除X向调节结构6的X向调节固定块601、X向调节副动块602和X向调节螺钉603。
以上就完成了的基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构及实现方法制备。
本发明的优点是：
(1)本发明的结构简单，操作方便，成本低廉；
(2)本发明的子模块基板尺寸较小，降低了拼接子基板的加工难度，降低生产成本；
(3)本发明兼容性好，有利于长线列的探测器的扩展，拼接所需要子模块规模小，有利于探测器成品率提高；
(4)本发明具有较高的探测器的互换性和可维修性要求，解决了传统红外探测器组件成品率低的问题；
(5)本发明具有多基板拼接和三维调节结构，解决了传统室温拼接后低温下无法修正调节问题；
附图说明
图1为基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构总图；
图中：1—线列红外探测器芯片；
101—探测器；
102—电极基板；
103—“十”字标记；
2—Z字形探测器拼接子基板；
201—光孔；
202—调节过孔；
203—螺纹孔；
3—共用大基板；
301—螺孔；
302—调节沉孔；
303—调节螺孔；
304—Y向调节螺纹孔；
305—中间凹陷区域；
4—Z向调节螺钉；
5—Y向调节结构；
6—X向调节结构；
601—X向调节固定块；
602—X向调节副动块；
603—X向调节螺钉；
604—螺钉；
图2为Z字形探测器拼接子基板结构图，其中图(1)是Z字形探测器拼接子基板俯视图；图(2)是Z字形探测器拼接子基板右视图；
图3为共用大基板图，其中图(1)是共用大基板俯视图；图(2)是共用大基板右视图；
图4为Z向调节螺钉图。
图5为Y向调节结构图。
图6为X向调节结构图。
图7为Y向调节原理示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明：
实例是某航天项目用36000元长线列红外探测器组件，由72个512×4元线列红外探测器芯片1拼接在相应的Z字形探测器拼接子基板2，共用大基板 3外形尺寸为280mm×26mm×8mm。用螺钉将Z字形探测器拼接子基板2的光孔201和共用大基板3上的螺孔301固定。在安装过程中先借助Z向调节螺钉4将Z字形探测器基板调整到共面，再用Y向调节螺钉5和X向调节结构 6来调节确保各Z字形探测器拼接子基板之间的相对位置关系，如附图1所示。
本发明的具体实施方式如下：
所述的Z字形探测器拼接子基板2如附图2，采用膨胀系数与红外线列红外探测器芯片1接近的可伐材料，将加工成Z型，其大小为60mm×22mm× 11mm，Z字形探测器拼接子基板2安装探测器面的平面度为6微米。上下两平面之间的平行度为8微米。Z字形探测器拼接基板的首尾咬合的设计参数如下：D1为基板沿X向对称中心线与基板边缘的距离0.2mm，L1为基板左侧边缘距离10mm，其选取品字型拼接奇数行或偶数行相连两模块之间距离的1/2-(0.1mm～0.3mm)。确保相连Z字形探测器基板之间的首尾咬合在X向和Y 向的间隙为0.2mm-0.6mm。在探测器芯片的两侧均布光孔201。在Z字形拼接子基板2侧面靠近两头的地方共4处，每处预留2个螺纹孔203。在Z字形探测器拼接子基板2的两侧布置四个用于Z向旋转的调节过孔202。
所述的共用大基板3如附图3，选用TC4材料，通过机加工成沿长度方向“凹”字的形状。共用大基板3中间凹陷区域305，其在XZ方向的剖面内，宽度L2为26mm，深度H2为11mm。考虑到降低热传导，其与Z字形探测器拼接子基板2的接触面宽度为6mm。预留与Z字形探测器拼接子基板2固定的螺孔301。同时在Z字形探测器子基板2上预留过孔202对应的位置预留调节沉孔302以及调节螺孔303。在共用大基板3的“凹”字的形状对应Z字形探测器拼接子基板2的侧面预留Y向调节用螺孔304。其数量是Z字形探测器拼接子基板数量的4倍，以确保对应每个Z字形探测器拼接子基板2对应有四个Y向调节用螺孔304，分别对应分布在Z字形探测器拼接子基板2的两侧而且长边侧面两头均有。
所述的Z向调节螺钉4如附图4，在Z字形探测器基板2上布置四个。Z 向调节螺钉4选用平头的，开一字头。调节原理为通过一字螺丝刀，旋转Z向调节螺钉4，让Z向调节螺钉4与共用大基板3产生相对位移，Z向调节螺钉 4的头部带动Z字形探测器拼接子基板2上下移动，从而实现Z向共面度的调节。
所述的Y向调节螺钉5如附图5，在每个Z字形探测器拼接子基板2对应位置安装4个Y向调节螺钉5。调节原理为通过螺丝刀旋转Y向调节螺钉5 使得Y向调节螺钉5与共用大基板3上的Y向调节螺纹孔304产生相对位移，从而让Y向调节螺钉5顶着Z字形探测器拼接子基板2在Y向上发生移动，满足调节的需求。
所述的X向调节结构6如附图6，主要由X向调节固定块601、X向调节副动块602和X向调节螺钉603组成。在Z字形探测器拼接子基板2的两头的四个位置各预留两个螺纹孔203，通过螺钉604将X向调节固定块601和X 向调节副动块602分别固定在相连的两块Z字形探测器拼接子基板2上。通过螺丝刀旋转X向调节螺钉603，使得X向调节螺钉603与X向调节副动块602 发生位置变化，由于X向调节副动块602固定在Z字形探测器拼接子基板2 上，从而实现了两个相连的Z字形探测器拼接子基板2在X向发生位置变化。
本发明的基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构及实现方法如下：
1)线列红外探测器芯片1由探测器101和电极基板102组成，在电极基板上102上预留有“十”字标记103。将2的倍数的线列红外探测器芯片1用低温胶对中胶接在Z字形探测器拼接子基板2上，并烘烤固化。重复上述工艺制作出4个带红外线列红外探测器芯片1的Z字形探测器拼接子基板2。
2)如附图1所示，共用大基板3上的所有调节沉孔302和调节螺孔303 上安装Z向调节螺钉4，确保Z向调节螺钉4的头部不超过共用大基板3上的所有Z型探测器拼接子基板2的安装面。然后依次在共用大基板3上放置若干个带红外线列红外探测器芯片1的Z字形探测器拼接子基板2。调节所有安装若干个带红外线列红外探测器芯片1的Z字形探测器拼接子基板2，确保Z字形探测器拼接子基板2的首尾咬合。然后用螺钉贯穿Z字形拼接子基板2的两侧预留一定数量的光孔201将Z字形探测器拼接子基板与共用大基板3上的螺孔301加少量预紧力固定，并预留调节空间。
3)如附图1所示，将Y向调节螺钉5的安装在共用大基板3上的共用大基板3上预留的Y向调节螺纹孔304，确保Y向调节螺钉5的头部刚好顶到Z 字形探测器拼接子基板2的侧面。
4)如附图1所示，用螺钉将X向共面调节结构6的X向调节固定块601 和X向调节副动块602分别固定在相连的两块Z字形探测器拼接子基板2上。选取从左往右，第2个Z字形探测器拼接子基板2两端为两个起始点，左边的两个起始点依次按X向调节固定块601在X向调节副动块602的右边分别用螺钉固定在相连的两块Z字形探测器拼接子基板2上。右边的两个起始点依次按X向调节固定块601在X向调节副动块602的左边分别用螺钉固定在相连的两块Z字形探测器拼接子基板2上。
5)先进行Z向平面度的调整和测试，具体步骤如下：a)在影像测试仪(带激光测距功能)测试所有线列红外探测器芯片1的电极基板102上有“十”字标记103，测试其高度，然后通过最小二乘法拟合探测器模块的平面度,观察是否达标；b)如不达标，松开用于固定Z字形探测器拼接子基板2与共用大基板上3的螺钉，根据激光测距仪的数据，实时调节Z向调节螺钉4；c)在激光测距仪下测试所有线列红外探测器芯片1的电极基板102上有“十”字标记103，测试其高度，然后通过最小二乘法拟合探测器模块的平面度,观察是否达标；d) 重复步骤b和步骤c，直到若干个Z字形探测器拼接子基板2上的所有线列红外探测器芯片1的电极基板102上的“十”字标记103的中心的平面度达到应用的指标要求。
6)然后进行Y向调节，具体步骤如下：a)选取指定Z字形探测器拼接子基板2为起始基板，其选取方法如下：选取第2个Z字形探测器拼接子基板2为起始基板；b)利用影像测试仪测试，如图7所示，通过四个Y向调节螺钉5，使得起始基板上呈品字型的两排探测器的最左端探测器2上在电极基板上102上预留有“十”字标记103和最右端倒数第二个探测器2上在电极基板上102上预留有“十”字标记103中心连线和最左端第二个上线列红外探测器芯片1在电极基板上102上预留有“十”字标记103的中心连线和最右端线列红外探测器芯片1上在电极基板上102上预留有“十”字标记103中心连线都平行于共用大基板3的中间凹陷区域305的长边。此起始Z字形探测器拼接子基板2与共用大基板3的中间凹陷区域305之间的间隙，两边的对称度小于 0.02mm；c)从起始Z字形探测器拼接子基板2向左开始数，第一个Z字形探测器拼接子基板2先进行Y向调节。先调节靠近起始Z字形探测器拼接子基板2的端的两个Y向调节螺钉5，使得向左开始数第一个Z字形探测器拼接子基板2上最右边两个线列红外探测器芯片1的电极基板102上有“十”字标记103与起始Z字形探测器拼接子基板2上相连的电极基板102上有“十”字标记103在Y向上对齐，再调节此Z字形探测器拼接子基板2对应余下的两个Y向调节螺钉5，使得向左开始数第一个Z字形探测器拼接子基板2上最左边的探测器1的电极基板102上有“十”字标记103与起始Z字形探测器拼接子基板2上相连的探测器上的电极基板102上有“十”字标记103在Y向上对齐；d)从起始Z字形探测器拼接子基板2向左开始数，第二个Z字形探测器拼接子基板2先进行Y向调节。先调节靠近向左开始数Z字形探测器拼接子基板2端的两个Y向调节螺钉5，使得向左开始数第二个Z字形探测器拼接子基板2上最右边两个线列红外探测器芯片1的电极基板102上有“十”字标记103与起始Z字形探测器拼接子基板2上相连的探测器上的电极基板102 上有“十”字标记103在Y向上对齐，再调节此Z字形探测器拼接子基板2 对应余下的两个Y向调节螺钉5，使得向左开始数第二个Z字形探测器拼接子基板2上最左边的探测器1的电极基板102上有“十”字标记103与从左数第一个Z字形探测器拼接子基板2上相连的探测器上的电极基板102上有“十”字标记103在Y向上对齐；e)从起始Z字形探测器拼接子基板2向左开始数，第三个Z字形探测器拼接子基板2先进行Y向调节。操作类似步骤d；依次类推，将起始Z字形探测器拼接子基板2向左数的所有Z字形探测器拼接子基板2的Y向位置关系通过Y向调节螺钉5调节到所需要的位置；f)从起始Z字形探测器拼接子基板2向右数的Z字形探测器拼接子基板2的Y向调节步骤，类似步骤c－e，这样就完成所有Z字形探测器拼接子基板2的Y 向位置调节。
7)再进行X向调节，具体步骤如下：a)选取指定Z字形探测器拼接子基板2为起始基板，选取第2个Z字形探测器拼接子基板2为起始基板；b) 从起始Z字形探测器拼接子基板2向左开始数，第一个Z字形探测器拼接子基板2先进行X向调节。先调节靠近起始Z字形探测器拼接子基板2的端的两个X向调节结构6，使得向左开始数第一个Z字形探测器拼接子基板2上最右边两个线列红外探测器芯片1的电极基板102上有“十”字标记103与起始Z 字形探测器拼接子基板2上相连的探测器上的电极基板102上有“十”字标记 103中间距离满足设计要求；c)然后依次从起始Z字形探测器拼接子基板2 向左开始数，依次第二个，第三个等等所有基板重复步骤c完成X向的调节； d)从起始Z字形探测器拼接子基板2向右数的Z字形探测器拼接子基板2 的X向调节步骤，类似步骤b－c，这样就完成所有Z字形探测器拼接子基板 2的X向位置调节。
8)最后在专用装置低温装置下，对降温后的基于多个基板二次拼接而成的长线列探测器，重复上述Z向、Y向和X向低温后相对室温的变化值进行补偿。三个方向的调节方法同室温调节方法。三方向的精度满足要求后，用螺钉贯穿Z字形拼接子基板2的两侧预留一定数量的光孔201将Z字形探测器拼接子基板2与共用大基板3上的螺孔301完全固定，回到室温，去除X向调节结构6的X向调节固定块601、X向调节副动块602和X向调节螺钉603。
以上就完成了的基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接。

Claims (6)

1.一种基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构，包括线列红外探测器芯片(1)、Z字形探测器拼接子基板(2)、共用大基板(3)、Z向调节螺钉(4)、Y向调节螺钉(5)和X向调节结构(6)，其特征在于：
所述的线列红外探测器芯片(1)包括探测器(101)、电极基板(102)和“十”字标记(103)，Z字形探测器拼接子基板(2)上拼接有2的倍数的探测器(101)，在Z字形探测器拼接子基板(2)的两侧预留一定数量的光孔(201)，将若干个Z字形探测器拼接子基板(2)依次首尾相连安装在共用大基板(3)上，Z字形探测器拼接子基板(2)通过螺钉将光孔(201)和共用大基板3上的螺孔(301)固定在一起。
2.根据权利要求1所述的基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构，其特征在于：所述的Z字形探测器拼接子基板(2)采用膨胀系数与线列红外探测器芯片(1)接近的可伐或因瓦材料，Z字形探测器拼接子基板(2)的首尾咬合的设计参数如下：D1为基板沿X向对称中心线与基板边缘的距离0.1mm-0.3mm，L1为基板左侧边缘距离，其选取品字型拼接奇数行或偶数行相连两模块之间距离的一半少0.1mm～0.3mm，确保相连Z字形探测器拼接子基板(2)之间的首尾咬合在X向和Y向的间隙为0.2mm-0.6mm。
3.根据权利要求1所述的基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构，其特征在于：所述的共用大基板(3)其中间凹陷区域(305)的宽度L2与Z字形探测器拼接子基板(2)的宽度L大2mm-5mm，中间凹陷区域(305)的深度H2与Z字形探测器拼接子基板(2)的深度H1小3mm-5mm。
4.根据权利要求1所述的基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构，其特征在于：所述的X向调节结构(6)包括X向调节固定块(601)、X向调节副动块(602)和X向调节螺钉(603)；通过螺钉(604)将X向调节固定块(601)和X向调节副动块(602)分别固定在相连的两块Z字形探测器拼接子基板(2)上。通过螺丝刀旋转X向调节螺钉(603)，使得X向调节螺钉(603)与X向调节副动块(602)发生位置变化，由于X向调节副动块(602)固定在Z字形探测器拼接子基板(2)上，实现两个相连的Z字形探测器拼接子基板(2)在X向发生位置变化。
5.一种如权利要求1所述的基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构的实现方法，其特征在于方法如下：
借助带有带激光测距功能的影像测试仪，以呈品字型的两排线列红外探测器芯片(1)上预留有“十”字标记(103)为数据采集点，先借助Z向调节螺钉(4)将Z字形探测器基板调整到共面，再用Y向调节螺钉(5)和X向调节结构(6)来调节确保各Z字形探测器拼接子基板(2)之间的相对位置关系；Y或X向调节步骤中的调节步骤为：
1)选取起始Z字形探测器拼接子基板(2)；
2)从起始Z字形探测器拼接子基板(2)向左开始数，第一个Z字形探测器拼接子基板(2)先进行Y向调节或X向调节；
3)从起始Z字形探测器拼接子基板(2)向左开始数，第二个Z字形探测器拼接子基板(2)先进行Y向调节或X向调节；
4)从起始Z字形探测器拼接子基板(2)向左开始数，第三个Z字形探测器拼接子基板(2)先进行Y向调节或X向调节；操作类似步骤2)；依次类推，将起始Z字形探测器拼接子基板(2)向左数的所有Z字形探测器拼接子基板(2)的Y向或X向位置关系通过Y向调节或X向调节到所需要的位置；
5)从起始Z字形探测器拼接子基板(2)向右数的Z字形探测器拼接子基板(2)的Y向或X向调节步骤，类似步骤2)－4)，这样就完成所有Z字形探测器拼接子基板(2)的Y向或X向位置调节。
6.根据权利要求5所述的一种如权利要求1所述的基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构的实现方法，其特征在于：
步骤1)中所述的选取起始Z字形探测器拼接子基板(2)的方法为：如果Z字形探测器拼接子基板(2)的数量N为奇数时，选取最中间的Z字形探测器拼接子基板(2)为起始基板；如果Z字形探测器拼接子基板(2)的数量N为偶数时，选取从左往右，第N/2个Z字形探测器拼接子基板(2)为起始基板。
CN202010324681.2A 2020-04-23 2020-04-23 基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构及实现方法 Active CN111710749B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010324681.2A CN111710749B (zh) 2020-04-23 2020-04-23 基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构及实现方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010324681.2A CN111710749B (zh) 2020-04-23 2020-04-23 基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构及实现方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111710749A true CN111710749A (zh) 2020-09-25
CN111710749B CN111710749B (zh) 2022-09-09

Family

ID=72536629

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010324681.2A Active CN111710749B (zh) 2020-04-23 2020-04-23 基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构及实现方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111710749B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112309916A (zh) * 2020-10-28 2021-02-02 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 芯片拼接平台及芯片拼接基版调平方法

Citations (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0354106A1 (fr) * 1988-08-01 1990-02-07 Commissariat A L'energie Atomique Circuit d'élimination du bruit, intégré dans un détecteur d'images à l'état solide
CN1501515A (zh) * 2002-11-16 2004-06-02 中国科学院长春光学精密机械与物理研 一种阵列光电探测器的制备方法
US20040262497A1 (en) * 2003-06-24 2004-12-30 Shimadzu Corporation Two-dimensional semiconductor detector and two-dimensional imaging device
CN1639552A (zh) * 2001-07-12 2005-07-13 浜松光子学株式会社 红外线阵列检测装置
CN1858906A (zh) * 2006-05-26 2006-11-08 中国科学院上海技术物理研究所 一种超长线列红外焦平面探测器
US20080236496A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Fujifilm Corporation Vacuum evaporation apparatus
JP2009197301A (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 Fujifilm Corp 真空蒸着装置および真空蒸着方法
KR20090129123A (ko) * 2008-06-12 2009-12-16 한국과학기술원 광검출 효율이 향상된 실리콘 광전자 증배관 및 이를포함하는 감마선 검출기
CN101995679A (zh) * 2009-08-27 2011-03-30 沋博普利斯金股份有限公司 多探头单元
EP2355155A2 (en) * 2010-01-29 2011-08-10 Ewha University-Industry Collaboration Foundation Vertical silicon photomultipler with superior quantum efficiency at optical wavelengths
CN102664218A (zh) * 2012-05-29 2012-09-12 哈尔滨工业大学 一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法
CN102820308A (zh) * 2012-08-03 2012-12-12 中国科学院上海技术物理研究所 双波段线列红外焦平面探测器集成结构
JP2013029356A (ja) * 2011-07-27 2013-02-07 Canon Inc 放射線検出素子
US20130048860A1 (en) * 2011-08-26 2013-02-28 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion substrate, radiation detector, and radiographic image capture device
CN103258311A (zh) * 2012-11-01 2013-08-21 中国科学院上海技术物理研究所 一种红外长线列探测器的像元错位调整方法
CN103411681A (zh) * 2013-07-30 2013-11-27 中国科学院上海技术物理研究所 多模块面阵红外探测器三维拼接结构及实现方法
JP2013241289A (ja) * 2012-05-18 2013-12-05 Jx Nippon Mining & Metals Corp 放射線検出素子用化合物半導体結晶、放射線検出素子、放射線検出器、および放射線検出素子用化合物半導体結晶の製造方法
CN103500749A (zh) * 2013-10-10 2014-01-08 中国科学院上海技术物理研究所 一种热电制冷的超长线列InGaAs探测器封装结构
CN103560166A (zh) * 2013-10-17 2014-02-05 西北工业大学 碲锌镉像素探测器模块的封装方法
CN104051560A (zh) * 2014-06-19 2014-09-17 苏州瑞晟纳米科技有限公司 一种基于三维自组装纳米材料的新型红外探测器
CN104538384A (zh) * 2014-10-16 2015-04-22 中国科学院上海技术物理研究所 密排拼接的双波段长线列红外焦平面探测器结构
CN104748859A (zh) * 2015-01-21 2015-07-01 中国科学院上海技术物理研究所 超长线列探测器与单点冷源的热耦合结构及实现方法
CN106057960A (zh) * 2016-06-28 2016-10-26 兰建龙 一种异质结阵列基紫外探测器及其制作方法
US20160336476A1 (en) * 2015-05-13 2016-11-17 California Institute Of Technology P-compensated and p-doped superlattice infrared detectors
WO2016209666A2 (en) * 2015-06-15 2016-12-29 University Of Maryland, College Park Hybrid metal-graphene terahertz optoelectronic system with tunable plasmonic resonance and method of fabrication
CN106370310A (zh) * 2016-10-13 2017-02-01 中国科学院上海技术物理研究所 能抑制杂光均匀光通量的线列探测器封装结构及实现方法
WO2017026827A1 (ko) * 2015-08-12 2017-02-16 고려대학교 산학협력단 광위치 검출기 및 이의 제조 방법
US20170167922A1 (en) * 2015-12-15 2017-06-15 Ulis Detection device with suspended bolometric membranes having a high absorption efficiency and signal-to- noise ratio
CN106992216A (zh) * 2017-04-01 2017-07-28 中蕊（武汉）光电科技有限公司 一种深紫外光电器件封装结构
CN107121200A (zh) * 2017-07-12 2017-09-01 中国科学院上海技术物理研究所 一种超长线列拼接探测器分布式冷光阑结构
US9929293B1 (en) * 2017-04-04 2018-03-27 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Superlattice photodetector having improved carrier mobility
CN109786495A (zh) * 2019-02-01 2019-05-21 中国电子科技集团公司第十一研究所 超大规模凝视型红外探测器拼接基板及其制备方法
CN109974864A (zh) * 2019-03-11 2019-07-05 中国科学院上海技术物理研究所 用于GaAs基大面阵红外焦平面拼接的三维柔性基板结构
CN110267033A (zh) * 2019-07-18 2019-09-20 江苏康众数字医疗科技股份有限公司 拼接平板探测器及其拼接方法、成像系统及其成像方法
CN110429080A (zh) * 2019-08-12 2019-11-08 厦门多彩光电子科技有限公司 一种Mini LED的封装方法和Mini LED

Patent Citations (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0354106A1 (fr) * 1988-08-01 1990-02-07 Commissariat A L'energie Atomique Circuit d'élimination du bruit, intégré dans un détecteur d'images à l'état solide
CN1639552A (zh) * 2001-07-12 2005-07-13 浜松光子学株式会社 红外线阵列检测装置
CN1501515A (zh) * 2002-11-16 2004-06-02 中国科学院长春光学精密机械与物理研 一种阵列光电探测器的制备方法
US20040262497A1 (en) * 2003-06-24 2004-12-30 Shimadzu Corporation Two-dimensional semiconductor detector and two-dimensional imaging device
CN1858906A (zh) * 2006-05-26 2006-11-08 中国科学院上海技术物理研究所 一种超长线列红外焦平面探测器
US20080236496A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Fujifilm Corporation Vacuum evaporation apparatus
JP2009197301A (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 Fujifilm Corp 真空蒸着装置および真空蒸着方法
KR20090129123A (ko) * 2008-06-12 2009-12-16 한국과학기술원 광검출 효율이 향상된 실리콘 광전자 증배관 및 이를포함하는 감마선 검출기
CN101995679A (zh) * 2009-08-27 2011-03-30 沋博普利斯金股份有限公司 多探头单元
EP2355155A2 (en) * 2010-01-29 2011-08-10 Ewha University-Industry Collaboration Foundation Vertical silicon photomultipler with superior quantum efficiency at optical wavelengths
JP2013029356A (ja) * 2011-07-27 2013-02-07 Canon Inc 放射線検出素子
US20130048860A1 (en) * 2011-08-26 2013-02-28 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion substrate, radiation detector, and radiographic image capture device
JP2013241289A (ja) * 2012-05-18 2013-12-05 Jx Nippon Mining & Metals Corp 放射線検出素子用化合物半導体結晶、放射線検出素子、放射線検出器、および放射線検出素子用化合物半導体結晶の製造方法
CN102664218A (zh) * 2012-05-29 2012-09-12 哈尔滨工业大学 一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法
CN102820308A (zh) * 2012-08-03 2012-12-12 中国科学院上海技术物理研究所 双波段线列红外焦平面探测器集成结构
CN103258311A (zh) * 2012-11-01 2013-08-21 中国科学院上海技术物理研究所 一种红外长线列探测器的像元错位调整方法
CN103411681A (zh) * 2013-07-30 2013-11-27 中国科学院上海技术物理研究所 多模块面阵红外探测器三维拼接结构及实现方法
CN103500749A (zh) * 2013-10-10 2014-01-08 中国科学院上海技术物理研究所 一种热电制冷的超长线列InGaAs探测器封装结构
CN103560166A (zh) * 2013-10-17 2014-02-05 西北工业大学 碲锌镉像素探测器模块的封装方法
CN104051560A (zh) * 2014-06-19 2014-09-17 苏州瑞晟纳米科技有限公司 一种基于三维自组装纳米材料的新型红外探测器
CN104538384A (zh) * 2014-10-16 2015-04-22 中国科学院上海技术物理研究所 密排拼接的双波段长线列红外焦平面探测器结构
CN104748859A (zh) * 2015-01-21 2015-07-01 中国科学院上海技术物理研究所 超长线列探测器与单点冷源的热耦合结构及实现方法
US20160336476A1 (en) * 2015-05-13 2016-11-17 California Institute Of Technology P-compensated and p-doped superlattice infrared detectors
WO2016209666A2 (en) * 2015-06-15 2016-12-29 University Of Maryland, College Park Hybrid metal-graphene terahertz optoelectronic system with tunable plasmonic resonance and method of fabrication
WO2017026827A1 (ko) * 2015-08-12 2017-02-16 고려대학교 산학협력단 광위치 검출기 및 이의 제조 방법
US20170167922A1 (en) * 2015-12-15 2017-06-15 Ulis Detection device with suspended bolometric membranes having a high absorption efficiency and signal-to- noise ratio
CN106057960A (zh) * 2016-06-28 2016-10-26 兰建龙 一种异质结阵列基紫外探测器及其制作方法
CN106370310A (zh) * 2016-10-13 2017-02-01 中国科学院上海技术物理研究所 能抑制杂光均匀光通量的线列探测器封装结构及实现方法
CN106992216A (zh) * 2017-04-01 2017-07-28 中蕊（武汉）光电科技有限公司 一种深紫外光电器件封装结构
US9929293B1 (en) * 2017-04-04 2018-03-27 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Superlattice photodetector having improved carrier mobility
CN107121200A (zh) * 2017-07-12 2017-09-01 中国科学院上海技术物理研究所 一种超长线列拼接探测器分布式冷光阑结构
CN109786495A (zh) * 2019-02-01 2019-05-21 中国电子科技集团公司第十一研究所 超大规模凝视型红外探测器拼接基板及其制备方法
CN109974864A (zh) * 2019-03-11 2019-07-05 中国科学院上海技术物理研究所 用于GaAs基大面阵红外焦平面拼接的三维柔性基板结构
CN110736554A (zh) * 2019-03-11 2020-01-31 中国科学院上海技术物理研究所 一种用于红外探测器大面阵拼接的三维柔性基板结构
CN110267033A (zh) * 2019-07-18 2019-09-20 江苏康众数字医疗科技股份有限公司 拼接平板探测器及其拼接方法、成像系统及其成像方法
CN110429080A (zh) * 2019-08-12 2019-11-08 厦门多彩光电子科技有限公司 一种Mini LED的封装方法和Mini LED

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112309916A (zh) * 2020-10-28 2021-02-02 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 芯片拼接平台及芯片拼接基版调平方法
CN112309916B (zh) * 2020-10-28 2024-01-26 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 芯片拼接基版调平方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111710749B (zh) 2022-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101353188B1 (ko) 프로브 카드 조립체
US7868636B2 (en) Probe card and method for fabricating the same
US5640101A (en) Probe system and probe method
US7501840B2 (en) Probe assembly comprising a parallelogram link vertical probe made of a metal foil attached to the surface of a resin film
JP4721099B2 (ja) 電気信号接続装置及びこれを用いたプローブ組立体並びにプローバ装置
US7750655B2 (en) Multilayer substrate and probe card
US6111419A (en) Method of processing a substrate including measuring for planarity and probing the substrate
CN103411681B (zh) 多模块面阵红外探测器三维拼接结构及实现方法
KR20080012253A (ko) 분할된 기판을 구비하는 프로브 카드
JPH055377B2 (zh)
CN111710749B (zh) 基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构及实现方法
KR102050987B1 (ko) 전기 소자들을 테스트하기 위한 장치용 프로브 카드
US20070063718A1 (en) Contact assembly and LSI chip inspecting device using the same
TWI400448B (zh) Electrical signal connection device
TW201430351A (zh) 探針模組
CN104538384B (zh) 密排拼接的双波段长线列红外焦平面探测器结构
CN111174714A (zh) 基于二维光栅的多自由度位移测量系统
US20100126289A1 (en) Method of mounting contactor
JP2004274010A (ja) プローバ装置
CN204167315U (zh) 一种密排拼接的双波段长线列红外焦平面探测器结构
CN211668441U (zh) 基于二维光栅的多自由度位移测量系统
CN213633545U (zh) 探针卡
CN115112150B (zh) 一种焦平面的指示棱镜标定方法
TWI718770B (zh) 影像感測晶片之探針卡的微機電結構
TWI307426B (en) Carrier and electrical apparatus and manufacturing process thereof

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant