CN106992216A - 一种深紫外光电器件封装结构 - Google Patents

一种深紫外光电器件封装结构 Download PDF

Info

Publication number
CN106992216A
CN106992216A CN201710212064.1A CN201710212064A CN106992216A CN 106992216 A CN106992216 A CN 106992216A CN 201710212064 A CN201710212064 A CN 201710212064A CN 106992216 A CN106992216 A CN 106992216A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cover plate
substrate
duv
package structure
electric device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710212064.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106992216B (zh
Inventor
孙卿
汤磊
罗邵军
杨福华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Center (wuhan) Photoelectric Technology Co Ltd
Original Assignee
Center (wuhan) Photoelectric Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Center (wuhan) Photoelectric Technology Co Ltd filed Critical Center (wuhan) Photoelectric Technology Co Ltd
Priority to CN201710212064.1A priority Critical patent/CN106992216B/zh
Publication of CN106992216A publication Critical patent/CN106992216A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106992216B publication Critical patent/CN106992216B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/09Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

本发明公开了一种深紫外光电器件封装结构。它包括抗紫外辐射的固定盖板和基板、透深紫外光的透光盖板和光电器件,所述固定盖板中部设置透光孔,所述透光盖板固定于固定盖板上将透光孔封闭,所述固定盖板和基板相互扣合,透光盖板与基板之间设置封闭的空腔,所述光电器件固定于空腔内,所述基板上设有穿透基板的正电极和负电极,所述正电极和负电极分别通过引线与光电器件的正负极电连接。本发明结构简单,设计合理,避免了深紫外线对封装胶体以及结构部件的破坏,使深紫外光电器件的使用寿命更长。

Description

一种深紫外光电器件封装结构
技术领域
本发明属于半导体器件技术领域,具体涉及一种深紫外光电器件封装结构。
背景技术
深紫外光是指波长100nm到280nm之间的光波。这个波段发光器件在医疗、印刷、杀菌、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大应用价值。这个波段探测器在光电对抗、导弹预警、防爆抑爆、水质监测、臭氧监测等军事和民用众多领域的应用也在逐步开发。
随着技术的发展,深紫外光电器件芯片技术已较成熟,其应用也越来越广泛。但深紫外光电器件的封装技术一直是制约器件普及的一个重要因素。
深紫外光单个光子的能量由:
E=hc/λ(1)
式中h是普朗克常数,c是光速,λ是光波对应的波长。
有(1)式可知,深紫外光波长越短,能量越大,对封装有机材料的破坏力也越强,使得有机材料老化越快,器件寿命也会越短。现有光电器件常用封装方法为有机胶体包裹或贴片封装,封装的有机材料长期暴露在大量深紫外光辐射下,使得有机材料老化较快,降低了深紫外光电器件的使用寿命。
发明内容
本发明的目的就是为了解决上述背景技术存在的不足,提供一种结构简单、使用寿命长的深紫外光电器件封装结构。
本发明采用的技术方案是:一种深紫外光电器件封装结构,包括抗紫外辐射的固定盖板和基板、透深紫外光的透光盖板和光电器件,所述固定盖板中部设置透光孔,所述透光盖板固定于固定盖板上将透光孔封闭,所述固定盖板和基板相互扣合,透光盖板与基板之间设置封闭的空腔,所述光电器件固定于空腔内,所述基板上设有穿透基板的正电极和负电极,所述正电极和负电极分别通过引线与光电器件的正负极电连接。
进一步地,所述基板中部设有第一凹槽,所述光电器件固定于第一凹槽内,所述固定盖板和基板相互扣合后透光盖板将第一凹槽封闭形成空腔。
进一步地,所述光电器件表面贴合透光盖板表面。
进一步地,所述固定盖板底部设有环形凸起,所述基板顶部设有环形凹槽,所述固定盖板和基板通过环形凸起与环形凹槽相配合固定连接。
进一步地,所述基板上位于环形凹槽外侧设有一个或多个连通环形凹槽与外界的气孔。
进一步地,还包括抗深紫外辐射的散热片,所述散热片固定于空腔的底面上,所述光电器件固定于散热片上。
进一步地,所述透光孔的面积小于透光盖板的面积,所述透光盖板固定于固定盖板上靠近基板的一侧面,透光盖板侧面与固定盖板侧面齐平。
更进一步地,所述正电极和负电极结构相同,所述正电极包括一体化连接的焊接端和导电端,焊接端与引线电连接,所述焊接端为板状结构,焊接端位于空腔内贴合空腔底面,导电端为柱状结构,导电端位于基板内,导电端另一端面与基板外表面齐平。
本发明通过抗紫外线的固定盖板和基板将光电器件进行封装,固定盖板上设置透光盖板,整体结构简单、封装设计合理,避免了深紫外线对封装胶体以及结构部件的破坏,增强了深紫外光电器件的使用寿命。
附图说明
图1为本发明固定盖板与透光盖板的连接示意图。
图2为本发明基板与封装器件的安装示意图。
图3为本发明的俯视图。
图中:1-固定盖板;1-1-透光孔;1-2-环形凸起;1-3-侧面;2-透光盖板;2-1-侧面;3-基板;3-1-第一凹槽;3-2-环形凹槽;3-3-气孔;4-光电器件;5-空腔;6-正电极;6-1-焊接端;6-2-导电端;7-负电极;8-1-引线;8-2-引线;9-散热片。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的详细说明,便于清楚地了解本发明,但它们不对本发明构成限定。
如图1-3所示,本发明包括抗紫外辐射的固定盖板1和基板3、透深紫外光的透光盖板2和光电器件4,所述固定盖板1中部设置透光孔1-1,所述透光盖板2固定于固定盖板1上将透光孔1-1封闭,所述固定盖板1和基板3相互扣合,透光盖板2与基板3之间设置封闭的空腔5,所述光电器件4固定于空腔5内,所述透光盖板2与光电器件4对应布置,所述基板3上设有穿透基板3的正电极6和负电极7,所述正电极6和负电极7分别通过引线8-1和引线8-2与光电器件4的正、负极电连接。
上述方案中,如图1所示,透光盖板2固定于固定盖板1上靠近基板的一侧面,固定盖板1与透光盖板2的连接处用无机胶或其他抗紫外粘合剂密封。透光盖板2的侧面2-1与固定盖板1的侧面1-3齐平,透光孔1-1的面积小于透光盖板2的面积,即透光盖板2内嵌在固定盖板1的一侧面上,固定盖板1盖过透光盖板2一些面积是防止紫外线损伤密封粘合剂。
上述方案中,固定盖板1底部设有环形凸起1-2,所述基板3顶部设有环形凹槽3-2,所述固定盖板1和基板3通过环形凸起1-2与环形凹槽3-2相配合固定连接。环形凸起1-2与环形凹槽3-2通过胶体固定,固定盖板1与基板3固定后,因透光盖板2侧面与固定盖板1侧面齐平,透光盖板2侧面贴合基板3表面,固定盖板1可以是方形或也可以是其他形状的,透光盖板2可以是石英盖板或紫外透光玻璃。
上述方案中,基板3中部设有圆形的第一凹槽3-1,第一凹槽3-1位于环形凹槽3-2的内侧,第一凹槽3-1的面积小于透光盖板2的面积,便于透射深紫外光。所述光电器件4固定于第一凹槽3-1内,所述固定盖板1和基板3相互扣合后,透光盖板2贴合基板3将第一凹槽3-1封闭形成空腔5。图2中仅显示基板3,未画出固定盖板1,故空腔5与第一凹槽3-1指示同一位置。封闭的空腔5也可以是另一种结构形式:即基板3表面为平面,透光盖板上设置凹陷部分,光电器件4固定在基板的平面上且位于透光盖板的凹陷部分内部。
上述方案中,基板3上位于环形凹槽3-2的外侧设有一个或多个连通环形凹槽与外界的气孔3-3。气孔3-3是用于环形凸起1-2与环形凹槽3-2固定时的气体流出口,便于固定盖板1和基板3更牢固密封连接。
上述方案中,还包括抗深紫外辐射的散热片9,所述散热片9固定于空腔5的底面5-1上,光电器件4通过抗深紫外辐射胶固定于散热片9上加强散热。散热片9是用于散热的铜片或其他抗深紫外辐射且导热性能好的材料,散热片通过粘合剂贴于基板3(即空腔的底面5-1)上。同时固定盖板1与基板3连接后,透光盖板2表面贴合光电器件4表面,通过透光盖板对光电器件进一步固定,避免长时间强深紫外辐射导致的胶体破坏引起的芯片松动,达到延长深紫外光电器件的使用寿命的目的。为防止光电器件松动,还可以将光电器件4设计成凹陷在散热片或基板上。
上述方案中,通过引线将光电器件4的正负极连接到基板3上的正电极6和负电极7上。正电极6和负电极7结构相同,所述正电极6包括一体化连接的焊接端6-1和导电端6-2,焊接端6-1与引线电连接,所述焊接端6-1为板状结构,便于与引线焊接,焊接端6-1位于空腔内贴合空腔底面5-1,导电端6-2为柱状结构,导电端6-2位于基板内,导电端6-2另一端面与基板3外表面齐平。
本发明通过抗紫外线的固定盖板和基板将光电器件进行封装,固定盖板上设置透光盖板,整体结构简单、封装设计合理,避免了深紫外线对封装胶体以及结构部件的破坏,增强了深紫外光电器件的使用寿命。
本说明书中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。

Claims (8)

1.一种深紫外光电器件封装结构,其特征在于:包括抗紫外辐射的固定盖板(1)和基板(3)、透深紫外光的透光盖板(2)和光电器件(4),所述固定盖板(1)中部设置透光孔,所述透光盖板(2)固定于固定盖板(1)上将透光孔封闭,所述固定盖板(1)和基板(3)相互扣合,透光盖板与基板之间设置封闭的空腔(5),所述光电器件(4)固定于空腔(5)内,所述基板(3)上设有穿透基板的正电极(6)和负电极(7),所述正电极(6)和负电极(7)分别通过引线与光电器件(4)的正负极电连接。
2.根据权利要求1所述的深紫外光电器件封装结构,其特征在于:所述基板(3)中部设有第一凹槽(3-1),所述光电器件(4)固定于第一凹槽(3-1)内,所述固定盖板(1)和基板(3)相互扣合后透光盖板将第一凹槽(3-1)封闭形成空腔(5)。
3.根据权利要求1所述的深紫外光电器件封装结构,其特征在于:所述光电器件(4)表面贴合透光盖板(2)表面。
4.根据权利要求1所述的深紫外光电器件封装结构,其特征在于:所述固定盖板(1)底部设有环形凸起(1-2),所述基板(3)顶部设有环形凹槽(3-2),所述固定盖板(1)和基板(3)通过环形凸起(1-2)与环形凹槽(3-2)相配合固定连接。
5.根据权利要求1所述的深紫外光电器件封装结构,其特征在于:所述基板(3)上位于环形凹槽外侧设有一个或多个连通环形凹槽与外界的气孔(3-3)。
6.根据权利要求1所述的深紫外光电器件封装结构,其特征在于:还包括抗深紫外辐射的散热片(9),所述散热片(9)固定于空腔(5)的底面上,所述光电器件(4)固定于散热片(9)上。
7.根据权利要求1所述的深紫外光电器件封装结构,其特征在于:所述透光孔(1-1)的面积小于透光盖板(2)的面积,所述透光盖板(2)固定于固定盖板(1)上靠近基板的一侧面,透光盖板(2)侧面与固定盖板(1)侧面齐平。
8.根据权利要求1所述的深紫外光电器件封装结构,其特征在于:所述正电极(6)和负电极(7)结构相同,所述正电极(6)包括一体化连接的焊接端(6-1)和导电端(6-2),焊接端(6-1)与引线(8)电连接,所述焊接端(6-1)为板状结构,焊接端(6-1)位于空腔(5)内贴合空腔底面,导电端(6-2)为柱状结构,导电端位于基板内,导电端(6-2)另一端面与基板(3)外表面齐平。
CN201710212064.1A 2017-04-01 2017-04-01 一种深紫外光电器件封装结构 Expired - Fee Related CN106992216B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710212064.1A CN106992216B (zh) 2017-04-01 2017-04-01 一种深紫外光电器件封装结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710212064.1A CN106992216B (zh) 2017-04-01 2017-04-01 一种深紫外光电器件封装结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106992216A true CN106992216A (zh) 2017-07-28
CN106992216B CN106992216B (zh) 2019-09-10

Family

ID=59415012

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710212064.1A Expired - Fee Related CN106992216B (zh) 2017-04-01 2017-04-01 一种深紫外光电器件封装结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106992216B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109514018A (zh) * 2018-12-10 2019-03-26 贵州振华风光半导体有限公司 一种半导体器件的金锡环封盖工艺方法
CN111710749A (zh) * 2020-04-23 2020-09-25 中国科学院上海技术物理研究所 基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构及实现方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006278487A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Iwate Univ 紫外線センサ素子及びその製造方法
JP2007248062A (ja) * 2006-03-13 2007-09-27 Namiki Precision Jewel Co Ltd 短波長紫外線検出器及びその製造方法
CN104821299A (zh) * 2014-02-04 2015-08-05 精工电子有限公司 光传感器装置
CN204905293U (zh) * 2015-08-06 2015-12-23 永林电子有限公司 一种深紫外cob光源
US20160086989A1 (en) * 2014-09-19 2016-03-24 Hamamatsu Photonics K.K. Ultraviolet sensor and ultraviolet detecting device
CN206602117U (zh) * 2017-04-01 2017-10-31 中蕊(武汉)光电科技有限公司 一种深紫外光电器件封装结构

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006278487A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Iwate Univ 紫外線センサ素子及びその製造方法
JP2007248062A (ja) * 2006-03-13 2007-09-27 Namiki Precision Jewel Co Ltd 短波長紫外線検出器及びその製造方法
CN104821299A (zh) * 2014-02-04 2015-08-05 精工电子有限公司 光传感器装置
US20160086989A1 (en) * 2014-09-19 2016-03-24 Hamamatsu Photonics K.K. Ultraviolet sensor and ultraviolet detecting device
CN204905293U (zh) * 2015-08-06 2015-12-23 永林电子有限公司 一种深紫外cob光源
CN206602117U (zh) * 2017-04-01 2017-10-31 中蕊(武汉)光电科技有限公司 一种深紫外光电器件封装结构

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109514018A (zh) * 2018-12-10 2019-03-26 贵州振华风光半导体有限公司 一种半导体器件的金锡环封盖工艺方法
CN111710749A (zh) * 2020-04-23 2020-09-25 中国科学院上海技术物理研究所 基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构及实现方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106992216B (zh) 2019-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Baranwal et al. 100 C thermal stability of printable perovskite solar cells using porous carbon counter electrodes
WO2018157558A1 (zh) 电池模组
US20110232716A1 (en) Dye-sensitized solar cell
CN206602117U (zh) 一种深紫外光电器件封装结构
CN104299981B (zh) Oled显示面板及其封装方法和oled显示装置
JP5417304B2 (ja) 光電変換モジュール
CN106992216A (zh) 一种深紫外光电器件封装结构
CN108550607A (zh) 一种显示面板、显示装置及其封装检测方法
KR101156544B1 (ko) 광전변환모듈 및 그 제조방법
JP2003068373A (ja) 色素増感型太陽電池
Xu et al. Synergistic enhancement of CdSe/ZnS quantum dot and liquid scintillator for radioluminescent nuclear batteries
US8802967B2 (en) Photoelectric conversion module
KR20110101973A (ko) 광전변환소자 및 그 제조방법
CN204496009U (zh) 一种x射线探测器
KR101097271B1 (ko) 광전변환소자
CN208985984U (zh) 一种半导体紫外探测器和紫外led集成的光电器件
CN210607327U (zh) 一种led封装用透镜结构及其led封装结构
CN206574741U (zh) 一种led阵列器件的防水封装结构
CN106099205A (zh) 一种锂电池
CN208315563U (zh) 一种氚电池
CN213191499U (zh) 一种新型深紫外led灯珠封装结构
CN215680714U (zh) 钙钛矿太阳能电池封装结构
CN208204574U (zh) 一种固态封装的led冷光源
CN102810589A (zh) 一种光伏组件接线盒
CN211856360U (zh) 一种溶解氧测量装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20190910