CN111684718A - 滤波器装置、高频前端电路及通信装置 - Google Patents

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Abstract

滤波器装置(1)具备第一端子(T1)及第二端子(T2)、第一滤波器(FLT1)及第二滤波器(FLT2)。第一滤波器(FLT1)及第二滤波器(FLT2)并联配置在第一端子(T1)与第二端子(T2)之间。滤波器装置(1)的第一通带包括第一滤波器(FLT1)的第二通带的至少一部分。第一通带包括第二滤波器(FLT2)的第三通带的至少一部分。第二通带比第一通带窄。第三通带比第一通带窄。第三通带的中心频率比第二通带的中心频率高。第一滤波器(FLT1)包括多个弹性波谐振器(s1、s2、p1)和第一电容元件(Cp1)。第一电容元件(Cp1)与第一弹性波谐振器(p1)并联连接。

Description

滤波器装置、高频前端电路及通信装置
技术领域
本发明涉及滤波器装置、高频前端电路及通信装置。
背景技术
以往，已知有通过将通带不同的两个滤波器并联连接而实现了通带的宽频带化的滤波器装置。例如，在日本特开2008-160629号公报(专利文献1)所公开的无线接收电路中，将通带不同的两个带通滤波器并联连接而实现了通带的宽频带化。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-160629号公报
发明内容
发明要解决的课题
如专利文献1所公开的无线接收电路那样，通过将第一滤波器与第二滤波器并联连接而形成滤波器装置的通带。第二滤波器的通带的中心频率比第一滤波器的通带的中心频率高。即，滤波器装置的通带中的比中心频率低的频带(低频带侧)主要由第一滤波器(低频带侧滤波器)形成，滤波器装置的通带中的比该中心频率高的频带(高频带侧)主要由第二滤波器(高频带侧滤波器)形成。
在第一滤波器包括弹性波滤波器的情况下，第二滤波器的通带的频率可能比第一滤波器所包含的弹性波谐振器的反谐振频率高。在该情况下，该弹性波谐振器的阻抗在第二滤波器的通带的频率下成为电容性，该弹性波谐振器作为电容器发挥功能。
但是，在比弹性波谐振器的反谐振频率高的频带中，产生由在弹性波谐振器的压电基板内部产生的体波引起的损耗(体波损耗)。因此，作为电容器发挥功能的弹性波谐振器的Q特性恶化。其结果是，滤波器装置的通带的最高的频率(高频带端)下的滤波器装置的插入损耗恶化。
本发明是为了解决上述课题而完成的，其目的在于，降低滤波器装置的通带的高频带端处的插入损耗。
用于解决课题的手段
本发明的一实施方式的滤波器装置具有第一通带。滤波器装置具备第一端子及第二端子、以及第一滤波器及第二滤波器。第一滤波器及第二滤波器并联配置在第一端子与第二端子之间。第一通带包括第一滤波器的第二通带的至少一部分。第一通带包括第二滤波器的第三通带的至少一部分。第二通带比第一通带窄。第三通带比第一通带窄。第三通带的中心频率比第二通带的中心频率高。第一滤波器包括多个弹性波谐振器和第一电容元件。第一电容元件与多个弹性波谐振器所包含的第一弹性波谐振器并联连接。
发明效果
根据本发明的一实施方式的滤波器装置，通过与低频带侧滤波器的弹性波谐振器并联连接的电容器，能够降低滤波器装置的通带的高频带端处的插入损耗。
附图说明
图1是实施方式的滤波器装置的电路结构图。
图2是示出图1的滤波器装置的通带、以及低频带侧滤波器、高频带侧滤波器各自的通带的关系的图。
图3是示出图1的滤波器所包含的弹性波谐振器的(a)阻抗的绝对值的频率特性的曲线图、以及(b)一并示出表示阻抗的频率特性的史密斯圆图。
图4是具体示出图1的低频带侧滤波器的结构的电路结构图。
图5是一并示出实施方式1的低频带侧滤波器、高频带侧滤波器及滤波器装置的通过特性的图。
图6是比较例的滤波器装置的电路结构图。
图7是一并示出实施方式1及比较例的滤波器装置的通过特性、低频带侧滤波器的反射特性及并联臂电路的反射特性的图。
图8是实施方式1的变形例的滤波器装置的电路结构图。
图9是实施方式2的滤波器装置的电路结构图。
图10是一并示出实施方式2的低频带侧滤波器、高频带侧滤波器及滤波器装置的通过特性的图。
图11是一并示出实施方式2及比较例的滤波器装置的通过特性、低频带侧滤波器的反射特性及并联臂电路的反射特性的图。
图12是一并示出弹性波谐振器的阻抗特性(虚线)、以及包括并联连接的弹性波谐振器及电容器的电路的阻抗特性(实线)的图。
图13是示出实施方式的弹性波谐振器的谐振频率与相对频带宽度的关系的图表。
图14是一并示出实施方式2、3的滤波器装置的通过特性、低频带侧滤波器的反射特性及串联臂电路的反射特性的图。
图15是将图14的(a)的1.53GHz～1.56GHz的范围的通过特性放大示出的图。
图16是实施方式4的滤波器装置的电路结构图。
图17是一并示出实施方式3、4的滤波器装置的通过特性及低频带侧滤波器的反射特性的图。
图18是将图17的(a)的1.53GHz～1.56GHz的范围的通过特性放大示出的图。
图19是实施方式4的变形例的滤波器装置的电路结构图。
图20是实施方式5的滤波器装置的电路结构图。
图21是示出图20的滤波器装置的模块结构的一例的图。
图22是一并示出图20的滤波器装置的通过特性和表示各开关的导通状态的表的图表。
图23是实施方式6的通信装置的结构图。
图24是实施方式6的变形例的滤波器装置的电路结构图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式详细进行说明。需要说明的是，针对图中相同或相当的部分标注相同的标记，原则上不再重复其说明。
图1是实施方式的滤波器装置1的电路结构图。如图1所示，滤波器装置1具备滤波器FLT1(第一滤波器)、滤波器FLT2(第二滤波器)、输入输出端子T1(第一端子)、以及输入输出端子T2(第二端子)。滤波器FLT1及FLT2并联连接在输入输出端子T1与T2之间。具体而言，滤波器FLT1的一个端子与输入输出端子T1连接，滤波器FLT1的另一个端子与输入输出端子T2连接。另外，滤波器FLT2的一个端子与输入输出端子T1连接，滤波器FLT2的另一个端子与输入输出端子T2连接。
滤波器FLT1包括多个弹性波谐振器。滤波器FLT2可以包括弹性波谐振器，也可以包括LC谐振电路。弹性波谐振器例如是声表面波(SAW：Surface Acoustic Wave)谐振器、体声波(BAW：Bulk Acoustic Wave)谐振器、FBAR(Film Bulk Acoustic Wave Resonator，薄膜体声波谐振器)、或者SM(Solidly Mounted，牢固安装)谐振器。
图2是示出图1的滤波器装置1的通带PB1(第一通带)及滤波器FLT1、FLT2各自的通带PB2(第二通带)、通带PB3(第三通带)的关系的图。在图2中，频率Cf1～Cf3是通带PB1～PB3各自的中心频率。需要说明的是，通带是指，插入损耗落入插入损耗的最小值以上且将该最小值加上3dB而得到的值以下的范围内的任意的连续频带。
如图2所示，通带PB1包括通带PB2的一部分及通带PB3的一部分。通带PB2比通带PB1窄。通带PB3比通带PB1窄。通带PB3的中心频率Cf3比通带PB2的中心频率Cf2高。通带PB1中的比中心频率Cf1低的频带主要由滤波器FLT1形成，通带PB1中的比中心频率Cf1高的频带主要由滤波器FLT2形成。滤波器FLT1是形成通带PB2的滤波器，称为低频带侧滤波器。滤波器FLT2是形成通带PB3的滤波器，称为高频带侧滤波器。
通常，在使用具有弹性波谐振器的并联臂电路及具有弹性波谐振器的串联臂电路而构成滤波器的情况下，在比构成该滤波器的弹性波谐振器的反谐振频率高的频带中，弹性波谐振器的阻抗成为电容性，弹性波谐振器作为电容器发挥功能。这里，在比反谐振频率高的频带中，弹性波谐振器的反射系数与反谐振频率处的反射系数相比下降。
图3是示出图1的滤波器FLT1所包含的弹性波谐振器的(a)阻抗的绝对值的频率特性的曲线图、以及(b)一并示出表示阻抗的频率特性的史密斯圆图。在图3中，频率fr、fa分别表示弹性波谐振器的谐振频率及反谐振频率。另外，频率Hf1是比反谐振频率fa高的该弹性波谐振器中的阻带的高频带端的频率。
如图3的(a)所示，弹性波谐振器的阻抗在谐振频率fr处成为极小，在反谐振频率fa处成为极大。如图3的(b)所示，该弹性波谐振器的阻抗在谐振频率fr处位于实部成分及虚部成分变得非常小的点，在反谐振频率fa处位于实部成分或虚部成分变得非常大的点。当频率比反谐振频率fa高时，弹性波谐振器的阻抗在史密斯圆图上绕顺时针移动，成为电容性的阻抗。
这里，如上所述，在比作为弹性波谐振器的阻带的高频带端的频率Hf1高的频率处，弹性波谐振器的反射系数比反谐振频率fa处的反射系数小。这是因为，通过弹性波谐振器中的体波向弹性波谐振器的外部泄漏，反射损耗变大，由此，该弹性波谐振器的Q特性恶化(泄漏损耗)。其结果是，通带PB1高频带端处的滤波器装置1的插入损耗恶化。
对此，在实施方式中，将电容器与低频带侧滤波器所包含的弹性波谐振器并联连接。在比弹性波谐振器的反谐振频率fa高的频带中，电容器的Q特性没有恶化。所施加的电力被分散到弹性波谐振器及电容器，因此，弹性波谐振器中的体波损耗减少，包括并联连接的弹性波谐振器及电容器的电路的Q特性提高。其结果是，能够降低实施方式的滤波器装置的通带的高频带端处的插入损耗。
在实施方式1～4中，对实施方式的滤波器装置的低频带侧滤波器的结构具体进行说明。以下，将并联臂电路设为配置在连结第一输入输出端子及第二输入输出端子的路径上的连接点与接地之间的电路。另外，将串联臂电路设为配置在第一输入输出端子或第二输入输出端子与连接并联臂电路的上述路径上的连接点之间的电路，或者设为配置在连接并联臂电路的上述路径上的连接点与连接其他并联臂电路的上述路径上的其他连接点之间的电路。串联臂电路及并联臂电路也有时分别由一个弹性波谐振器或电抗元件(例如电感器或电容器)形成。串联臂电路及并联臂电路分别也可以包括串联或并联分割的多个弹性波谐振器。
[实施方式1]
在实施方式1中，针对在并联臂电路所包含的弹性波谐振器并联连接有电容器的情况进行说明。
图4是具体示出图1的滤波器FLT1的结构的电路结构图。如图4所示，滤波器FLT1包括串联臂谐振器s1、s2、并联臂谐振器p1(第一弹性波谐振器)、以及电容器Cp1(第一电容元件)。
串联臂谐振器s1与s2串联连接在输入输出端子T1与T2之间。串联臂谐振器s1及s2分别形成串联臂电路。并联臂谐振器p1与电容器Cp1并联连接在接地点与串联臂谐振器s1及s2的连接点之间。并联臂谐振器p1和电容器Cp1形成并联臂电路pc1。
在以下的表1中，示出实施方式1中的串联臂谐振器s1、s2、并联臂谐振器p1及并联臂电路pc1各自的谐振频率fr、反谐振频率fa、相对频带宽度BWR、静电电容。针对电容器Cp1，仅示出静电电容。需要说明的是，相对频带宽度BWR是指，以百分比的形式显示用反谐振频率fa与谐振频率fr之差除以谐振频率fr而得到的值。
[表1]
Figure BDA0002617362640000061
图5是一并示出实施方式1的低频带侧滤波器FLT1、高频带侧滤波器FLT2及滤波器装置1的通过特性的图。图5的(a)是示出低频带侧滤波器FLT1的通过特性(插入损耗及衰减量的频率特性)的图。图5的(b)是示出高频带侧滤波器FLT2的通过特性的图。图5的(c)是示出图4的滤波器装置1的通过特性的图。需要说明的是，“滤波器的通过特性”是滤波器单体的通过特性，是将滤波器与其他电路分开的情况下的通过特性。
如图5的(a)所示，低频带侧滤波器FLT1形成滤波器装置1的通带PB1的低频带侧，具有通带PB2。如图5的(b)所示，高频带侧滤波器FLT2形成滤波器装置1的通带PB1的高频带侧，具有通带PB3。
图6是比较例的滤波器装置900的电路结构图。滤波器装置900的结构是将图4的滤波器装置1的滤波器FLT1、FLT2分别置换为滤波器FLT91、FLT92而得到的结构。FLT91所包含的串联臂谐振器s1a、s2a及并联臂谐振器p1a作为图4的串联臂谐振器s1、s2及并联臂谐振器p1的比较对象而分别对应。在滤波器装置900中，电容器未与并联臂谐振器p1a并联连接。滤波器装置900、滤波器FLT91、FLT92分别被设计为具有通带PB1、PB2、PB3。在以下的表2中，示出实施方式1中的串联臂谐振器s1a、s2a及并联臂谐振器p1a各自的谐振频率fr、反谐振频率fa、相对频带宽度BWR、静电电容。
[表2]
Figure BDA0002617362640000071
图7是一并示出实施方式1及比较例的滤波器装置的通过特性、低频带侧滤波器的反射特性及并联臂电路的反射特性的图。图7的(a)是一并示出衰减量0～5dB的范围内的滤波器装置1的通过特性及滤波器装置900的通过特性的图。图7的(b)是一并示出图4的滤波器FLT1的反射特性(反射损耗的频率特性)、图6的滤波器FLT91的反射特性的图。图7的(c)是一并示出图4的滤波器FLT1的并联臂电路pc1的反射特性及图6的滤波器FLT91的并联臂谐振器p1a的反射特性的图。需要说明的是，“滤波器的反射特性”是指滤波器单体的反射特性，是将滤波器与其他电路分开的情况下的反射特性。另外，“并联臂电路的反射特性”是指并联臂电路单体的反射特性，是将并联臂电路与其他电路分开的情况下的反射特性。
在图7的(a)中，实线示出滤波器装置1的通过特性，虚线示出滤波器装置900的通过特性。在图7的(b)中，实线示出滤波器FLT1的反射特性，虚线示出滤波器FLT91的反射特性。在图7的(c)中，实线示出并联臂电路pc1的反射特性，虚线示出并联臂谐振器p1a的反射特性。
如图7的(a)所示，在通带PB1的高频带端，滤波器装置1的插入损耗比滤波器装置900的插入损耗小。如图7的(b)所示，在通带PB1的高频带端，滤波器FLT1的反射损耗比滤波器FLT91的反射损耗小。如图7的(c)所示，在通带PB1的高频带端，并联臂电路pc1的反射损耗比并联臂谐振器p1a的反射损耗小。
在通带PB1的高频带端，通过降低并联臂电路pc1的反射特性而降低滤波器FLT1的反射特性。其结果是，降低了滤波器装置1的通过特性。
[实施方式1的变形例]
实施方式1的滤波器装置的通带也能够变化。图8是实施方式1的变形例的滤波器装置1A的电路结构图。滤波器装置1A的结构是在图4的滤波器装置1的结构的基础上追加了开关SW1～SW4而得到的结构。除此以外的结构相同，因此不再重复说明。
如图8所示，开关SW1(第二开关)连接在输入输出端子T1与滤波器FLT1之间。开关SW2(第三开关)连接在输入输出端子T2与滤波器FLT1之间。开关SW3(第四开关)连接在输入输出端子T1与滤波器FLT2之间。开关SW4(第五开关)连接在输入输出端子T2与滤波器FLT2之间。开关SW1及SW2的导通状态(接通或断开)同步。开关SW3及SW4的导通状态同步。
开关SW1～SW4例如根据来自未图示的RF信号处理电路(RFIC：Radio FrequencyIntegrated Circuit，射频集成电路)所包含的控制电路的控制信号而切换导通状态。该控制电路也可以与RFIC分开设置。
在开关SW1及SW2的导通状态为接通且开关SW3及SW4的导通状态为断开的情况下，滤波器装置1A的通带成为滤波器FLT1的通带PB2。在开关SW1及SW2的导通状态为断开且开关SW3及SW4的导通状态为接通的情况下，滤波器装置1A的通带成为滤波器FLT2的通带PB3。在开关SW1～SW4的导通状态为接通的情况下，滤波器装置1A的通带成为PB1。
并不是为了使实施方式1的滤波器装置的通带能够变化而需要开关SW1～SW4的全部。例如，通过具备开关SW1、SW2或开关SW3、SW4中的一个组合，能够使滤波器装置的通带变化。
在具备开关SW1及SW2且不具备开关SW3及SW4的情况下，当开关SW1、SW2接通时，滤波器装置的通带成为PB1。当开关SW1、SW2断开时，滤波器装置的通带成为滤波器FLT2的通带PB3。
在不具备开关SW1及SW2且具备开关SW3及SW4的情况下，当开关SW3、SW4接通时，滤波器装置的通带成为PB1。当开关SW3、SW4断开时，滤波器装置的通带成为滤波器FLT1的通带PB2。
以上，根据实施方式1及变形例的滤波器装置，能够降低通带的高频带端处的插入损耗。
[实施方式2]
在实施方式2中，针对在串联臂电路所包含的弹性波谐振器并联连接有电容器的情况进行说明。
图9是实施方式2的滤波器装置2的电路结构图。滤波器装置2的结构是将图4的滤波器FLT1、FLT2置换为滤波器FLT21、FLT22而得到的结构。滤波器装置2、滤波器FLT21(第一滤波器)及滤波器FLT22(第二滤波器)的通带分别为通带PB21(第一通带)、通带PB22(第二通带)、通带PB23(第三通带)。滤波器FLT22可以包括弹性波谐振器，也可以包括LC谐振电路。滤波器FLT21是低频带侧滤波器，滤波器FLT22是高频带侧滤波器。
通带PB21包括通带PB22的一部分及通带PB23的一部分。通带PB22比通带PB21窄。通带PB23比通带PB21窄。通带PB23的中心频率比通带PB22的中心频率高。
如图9所示，滤波器FLT21从图4的滤波器FLT1的结构中去掉了电容器Cp1，并且追加了电容器Cs1(第一电容元件)。电容器Cs1与串联臂谐振器s1(第一弹性波谐振器)并联连接。串联臂谐振器s1及电容器Cs1形成串联臂电路sc1。
在以下的表3中，示出实施方式2中的串联臂谐振器s1、s2、并联臂谐振器p1及串联臂电路sc1各自的谐振频率fr、反谐振频率fa、相对频带宽度BWR、静电电容。针对电容器Cs1，仅示出静电电容。
[表3]
Figure BDA0002617362640000101
以下，进行滤波器装置2及图6所示的滤波器装置900的比较。滤波器装置900的结构是从图9的滤波器装置2中去掉了电容器Cs1而得到的结构。滤波器装置900、滤波器FLT91及滤波器FLT92设计为分别具有通带PB21、PB22及PB23。在以下的表4中，示出实施方式2中的串联臂谐振器s1a、s2a及并联臂谐振器p1a各自的谐振频率fr、反谐振频率fa、相对频带宽度BWR、静电电容。
[表4]
Figure BDA0002617362640000102
图10是一并示出图9的低频带侧滤波器FLT21、高频带侧滤波器FLT22及滤波器装置2的通过特性的图。图10的(a)是示出低频带侧滤波器FLT21的通过特性的图。图10的(b)是示出高频带侧滤波器FLT22的通过特性的图。图10的(c)是一并示出图9的滤波器装置2的通过特性的图。
如图10的(a)所示，低频带侧滤波器FLT21形成滤波器装置2的通带PB21的低频带侧，具有通带PB22。如图10的(b)所示，高频带侧滤波器FLT22形成滤波器装置2的通带PB21的高频带侧，具有通带PB23。
图11是一并示出实施方式2及比较例的滤波器装置的通过特性、低频带侧滤波器的反射特性及串联臂电路的反射特性的图。图11的(a)是示出将图10的(c)的衰减量0～5dB的范围放大后的图9的滤波器装置2的通过特性及图6的滤波器装置900的通过特性的图。图11的(b)是一并示出图9的滤波器FLT21的反射特性及图6的滤波器FLT91的反射特性的图。图11的(c)是一并示出图9的串联臂电路sc1的反射特性及图6的串联臂谐振器s1a的反射特性的图。在图11的(a)中，实线示出图9的滤波器装置2的通过特性，虚线示出图6的滤波器装置900的通过特性。在图11的(b)中，实线示出滤波器FLT21的反射特性，虚线示出滤波器FLT91的反射特性。在图11的(c)中，实线示出串联臂电路sc1的反射特性，示出串联臂谐振器s1a的反射特性。需要说明的是，“串联臂电路的反射特性”是指串联臂电路单体的反射特性，是将串联臂电路与其他电路分开的情况下的反射特性。
如图11的(a)所示，在通带PB21的高频带端，滤波器装置2的插入损耗比滤波器装置900的插入损耗小。如图11的(b)所示，在通带PB21的高频带端，滤波器FLT21的反射损耗比滤波器FLT91的反射损耗小。如图11的(c)所示，在通带PB21的高频带端，串联臂电路sc1的反射损耗比串联臂谐振器s1a的反射损耗小。
在通带PB21的高频带端，通过改善串联臂电路sc1的反射特性而改善滤波器FLT21的反射特性。其结果是，改善了通带PB21的高频带端处的滤波器装置2的通过特性。
以上，根据实施方式2的滤波器装置，能够降低通带的高频带端处的插入损耗。
[实施方式3]
在实施方式3中，针对如下结构进行说明：在低频带侧滤波器中确保所希望的通带的同时，增大与弹性波谐振器并联连接的电容元件的电容，进一步降低通带的高频带端处的插入损耗。
图12是一并示出弹性波谐振器的阻抗特性(虚线)和包括并联连接的该弹性波谐振器及电容器的电路的阻抗特性(实线)的图。如图12所示，包括并联连接的弹性波谐振器及电容器的电路的谐振频率与弹性波谐振器的谐振频率fr几乎相同。另一方面，该电路的反谐振频率fa1比弹性波谐振器的反谐振频率fa小。该电容器的电容越大，反谐振频率fa1越小，反谐振频率fa1与fa之差越大。当该电路的谐振频率与反谐振频率fa1之差变小时，在包括该电路的滤波器中，可能难以维持所希望的通带。
对此，在实施方式3中，在低频带侧滤波器中，使与电容器并联连接的弹性波谐振器的相对频带宽度大于未与电容器并联连接的弹性波谐振器的相对频带宽度。由此，关于与低频带侧滤波器所包含的弹性波谐振器并联连接的电容器的电容，能够增大可维持所希望的通带的电容的限度。因此，能够进一步降低与该电容器并联连接的弹性波谐振器的体波损耗。其结果是，能够进一步降低实施方式3的滤波器装置的通带的高频带端处的插入损耗。
图13是示出通常的弹性波谐振器的谐振频率与相对频带宽度(BWR)的关系的图表。当使弹性波谐振器的谐振频率变化时，相对频带宽度BWR发生变化。在使用多个弹性波谐振器构成通常的滤波器装置的情况下，多个弹性波谐振器的谐振频率的频率差大致为100MHz以下。如图13所示，当使谐振频率变化100MHz时，相对频带宽度变化0.7％左右。对此，以下，在两个相对频带宽度之差为0.8％以上的情况下，设为该两个相对频带宽度不同。在两个相对频带宽度之差小于0.8％的情况下，设为该两个相对频带宽度相等。
在弹性波谐振器为SAW谐振器的情况下，在梳齿电极与具有压电性的基板之间设置包括绝缘体或电介质的第一调整膜，通过改变该第一调整膜的膜厚，能够改变弹性波谐振器的相对频带宽度。需要说明的是，在没有第一调整膜的情况下相对频带宽度最大，第一调整膜的膜厚越厚，相对频带宽度越小。另外，将包括绝缘体或电介质的第二调整膜设置为覆盖梳齿电极，通过改变第二调整膜的膜厚，能够改变SAW谐振器的相对频带宽度。需要说明的是，在没有第二调整膜的情况下相对频带宽度最大，第二调整膜的膜厚越厚，相对频带宽度越小。
在弹性波谐振器为BAW谐振器的情况下，通过变更对置的电极间的压电体的材料，能够改变相对频带宽度。
以下，使用图14及图15，进行关于实施方式3的滤波器装置的频率特性与关于图9的滤波器装置2的频率特性的比较。实施方式3的滤波器装置的电路结构与图9的滤波器装置2相同。关于相对频带宽度，在图9的滤波器装置2中，并联连接有电容器Cs1的串联臂谐振器s1的相对频带宽度与未并联连接电容器的串联臂谐振器s2(第三弹性波谐振器)的相对频带宽度相等。在实施方式3的滤波器装置中，串联臂谐振器s1的相对频带宽度比串联臂谐振器s2的相对频带宽度大。实施方式3中的电容器Cs1的电容比图9的电容器Cs1的电容大。在以下的表5中，示出实施方式3中的串联臂谐振器s1、s2、并联臂谐振器p1及串联臂电路sc1各自的谐振频率fr、反谐振频率fa、相对频带宽度BWR、静电电容。针对电容器Cs1，仅示出静电电容。除此以外的结构与实施方式2相同，因此，不再重复说明。
[表5]
Figure BDA0002617362640000131
图14是一并示出实施方式2、3的滤波器装置的通过特性、低频带侧滤波器的反射特性及串联臂电路的反射特性的图。图14的(a)示出实施方式3的滤波器装置的通过特性(实线)及图9的滤波器装置2的通过特性(虚线)。图14的(b)示出实施方式3的低频带侧滤波器的反射特性(实线)及图9的滤波器FLT21的反射特性(虚线)。图14的(c)是一并示出实施方式3中的串联臂电路sc1的反射特性(实线)及图9的串联臂电路sc1的反射特性(虚线)的图。图15是将图14的(a)的1.53GHz～1.56GHz的范围的通过特性放大示出的图。
如图14的(b)所示，在通带PB21的高频带端，实施方式3的低频带侧滤波器的反射损耗比滤波器FLT21的反射损耗小。如图14的(c)所示，实施方式3中的串联臂电路sc1的反射损耗比实施方式2中的串联臂电路sc1的反射损耗小。如图15所示，在通带PB21的高频带端，实施方式3的滤波器装置的插入损耗比实施方式2的滤波器装置2的插入损耗小。
关于实施方式3的串联臂谐振器s1，当相对频带宽度大于实施方式2的串联臂谐振器s1的相对频带宽度时，与实施方式2相比，能够增大谐振频率与产生体波损耗的频率的频率差。这里，在实施方式3的串联臂谐振器s1和实施方式2的串联臂谐振器s1中，谐振频率大致相同。因此，根据实施方式3，如上所述，关于串联臂谐振器s1，通过增大谐振频率与产生体波损耗的频率的频率差，能够使产生体波损耗的频率远离通带PB21的高频带端。因此，与实施方式2的滤波器装置2相比，实施方式3的滤波器装置的通带PB21内的体波损耗的影响小。
另外，当增大相对频带宽度时，能够增大弹性波谐振器的阻抗(减小弹性波谐振器的静电电容值)，并且，能够增大与弹性波谐振器并联连接的电容器的静电电容值。在向并联连接的弹性波谐振器及电容器施加的电力中，电容器所负担的电力的比例变大，因此，向弹性波谐振器施加的电力降低。
根据实施方式3的滤波器装置，与实施方式2的滤波器装置相比，能够降低弹性波谐振器中的体波损耗。其结果是，与实施方式2的滤波器装置相比，能够降低通带的高频带端处的插入损耗。
以上，根据实施方式3的滤波器装置，能够降低通带的高频带端处的插入损耗。
[实施方式4]
在实施方式的滤波器装置的低频带侧滤波器中，与输入输出端子最近的具有弹性波谐振器的串联臂电路直接且集中接受从该输入输出端子输入的电力。因此，在串联臂电路所包含的弹性波谐振器中，体波损耗容易变大。对此，在实施方式4中，针对如下情况进行说明：在低频带侧滤波器中，通过在与输入输出端子最近的串联臂电路所包含的弹性波谐振器并联连接电容器，更加有效地抑制体波损耗。
图16是实施方式4的滤波器装置4的电路结构图。滤波器装置4的结构是将在实施方式3中参照的图9的滤波器装置2的滤波器FLT21置换为滤波器FLT41而得到的结构。滤波器FLT41的结构是在图2的滤波器FLT21的结构的基础上追加了电容器Cs2而得到的结构。除此以外的结构与实施方式3相同，因此不再重复说明。
如图16所示，电容器Cs2(第二电容元件)与串联臂谐振器s2(第二弹性波谐振器)并联连接。串联臂谐振器s2及电容器Cs2形成串联臂电路sc2(第二串联臂谐振器)。串联臂谐振器s2的相对频带宽度比并联臂谐振器p1的相对频带宽度大。
串联臂电路sc1(第一串联臂谐振器)及串联臂电路sc2将各自作为两端而串联连接在输入输出端子T1与T2之间。串联臂电路sc1与输入输出端子T1最近。串联臂电路sc2与输入输出端子T2最近。在以下的表6中，示出实施方式4中的串联臂谐振器s1、s2、并联臂谐振器p1、串联臂电路sc1、sc2各自的谐振频率fr、反谐振频率fa、相对频带宽度BWR、静电电容。关于电容器Cs1、Cs2，仅示出静电电容。
[表6]
Figure BDA0002617362640000151
图17是一并示出实施方式3、4的滤波器装置的通过特性及低频带侧滤波器的反射特性的图。图17的(a)示出图16的滤波器装置4的通过特性(实线)及实施方式3的滤波器装置的通过特性(虚线)。图17的(b)示出从一个输入输出端子T1输入了信号的情况下的图16的滤波器FLT41的反射特性(实线)及实施方式3中的低频带侧滤波器的反射特性(虚线)。图17的(c)是一并示出从另一个输入输出端子T2输入了信号的情况下的图16的滤波器FLT41的反射特性(实线)及实施方式3中的低频带侧滤波器的反射特性(虚线)的图。图18是将图17的(a)的1.53GHz～1.56GHz的范围的通过特性放大示出的图。
如图17的(b)及图17的(c)所示，在通带PB21的高频带端，滤波器FLT41的反射损耗比实施方式3的低频带侧滤波器的反射损耗小。如图18所示，在通带PB21的高频带端，滤波器装置4的插入损耗比实施方式3的滤波器装置的插入损耗小。
在通带PB21的高频带端，与实施方式3相比改善了滤波器FLT41的反射特性，由此，与实施方式3相比，改善了滤波器装置4的通过特性。
[实施方式4的变形例]
在实施方式4的滤波器装置的低频带侧滤波器中，在从一个输入输出端子经由低频带侧滤波器到达另一个输入输出端子的路径中串联配置多个串联臂电路，在多个串联臂电路的两端的串联臂电路所包含的弹性波谐振器并联连接电容器即可。
图19是实施方式4的变形例的滤波器装置4A的电路结构图。滤波器装置4A的结构是将图16的滤波器装置4的滤波器FLT41置换为FLT41A(第一滤波器)而得到的结构。滤波器FLT41A的结构是在滤波器FLT41的结构的基础上追加了串联臂谐振器s3及并联臂谐振器p2而得到的结构。除此以外的结构与实施方式4相同，因此不再重复说明。
如图19所示，串联臂谐振器s3连接在串联臂电路sc1与sc2之间。并联臂谐振器p2连接在接地点与串联臂谐振器s3及串联臂电路sc2的连接点之间。串联臂电路sc1、串联臂谐振器s3及串联臂电路sc2将串联臂电路sc1及sc2作为两端而串联连接在输入输出端子T1与T2之间。
以上，根据实施方式4及变形例的滤波器装置，能够降低通带的高频带端处的插入损耗。
[实施方式5]
在实施方式5中，针对如下情况进行说明：在与低频带侧滤波器所包含的弹性波谐振器并联连接的电容器上串联连接开关，通过切换该开关的导通状态，使低频带侧滤波器的通过特性变化。
图20是实施方式5的滤波器装置5的电路结构图。如图20所示，滤波器装置5具备滤波器FLT51(第一滤波器)、滤波器FLT52(第二滤波器)、滤波器FLT53、开关电路SWC1(第二开关)、开关电路SWC2(第三开关)、共用端子T51(第一端子)、输入输出端子T52(第二端子)及输入输出端子T53(第三端子)。滤波器装置5、滤波器FLT51及滤波器FLT52分别具有通带PB51(第一通带)、通带PB52(第二通带)及通带PB53(第三通带)。滤波器FLT51是低频带侧滤波器，滤波器FLT52是高频带侧滤波器。滤波器FLT53具有通带PB53。
通带PB51包括通带PB52的一部分及通带PB53的一部分。通带PB52比通带PB51窄。通带PB53比通带PB51窄。通带PB53的中心频率比通带PB52的中心频率高。通带PB52与PB53不重叠。
在共用端子T51与输入输出端子T52之间，滤波器FLT52和开关电路SWC1依次串联连接。在共用端子T51与输入输出端子T52之间，滤波器FLT51与串联连接的滤波器FLT52及开关电路SWC1并联连接。在输入输出端子T53与滤波器FLT52及开关电路SWC1的连接点之间，开关电路SWC2与滤波器FLT53依次串联连接。
开关电路SWC1包括开关SW51、SW52、SW5G。开关SW51、SW52串联连接在滤波器FLT52与输入输出端子T52之间。开关SW51、SW52与滤波器FLT51并联连接。开关SW5G连接在接地点与开关SW51及SW52的连接点之间。开关SW51及SW52的导通状态同步。开关SW51(SW52)与开关SW5G排他性地切换导通状态。
开关电路SWC2包括开关SW6、SW6G。滤波器FLT52、开关SW6及滤波器FLT53依次串联连接在共用端子T51与输入输出端子T53之间。开关SW6G连接在接地点与开关SW6及滤波器FLT53的连接点之间。开关SW6与SW6G排他性地切换导通状态。
滤波器FLT51包括串联臂谐振器s11(第一弹性波谐振器)、串联臂谐振器s12、串联臂谐振器s13(第二弹性波谐振器)、并联臂谐振器p11～p14、开关SW91(第一开关)、开关SW92(第一开关)、开关SW93(第一开关)、电容器Cs11(第一电容元件)、电容器Cs12、以及电容器Cs13(第二电容元件)。串联臂谐振器s11～s13串联连接在共用端子T51与输入输出端子T52之间。并联臂谐振器p11连接在接地点与共用端子T51及串联臂谐振器s11的连接点之间。并联臂谐振器p12连接在接地点与串联臂谐振器s11及s12的连接点之间。并联臂谐振器p13连接在接地点与串联臂谐振器s12及s13的连接点之间。并联臂谐振器p14连接在接地点与串联臂谐振器s13及输入输出端子T52的连接点之间。
开关SW91～SW93与电容器Cs11～Cs13分别串联连接。开关SW91及电容器Cs11与串联臂谐振器s11并联连接。开关SW92及电容器Cs12与串联臂谐振器s12并联连接。开关SW93及电容器Cs13与串联臂谐振器s13并联连接。滤波器FLT51的通过特性在开关SW91～SW93接通的情况下和开关SW91～SW93断开的情况下不同。
开关SW51、SW52、SW5G、开关SW6、SW6G及开关SW91～SW93例如根据来自未图示的RFIC所包含的控制电路的控制信号，切换导通状态。该控制电路也可以与RFIC分开设置。
滤波器FLT52包括移相器PS21(第一移相器)、移相器PS22(第二移相器)、以及弹性波滤波器AS1。弹性波滤波器AS1包括串联臂谐振器s21和并联臂谐振器p21、p22。移相器PS21连接在共用端子T51与串联臂谐振器s21之间。移相器PS22连接在串联臂谐振器s21与开关SW6之间。移相器PS21、PS22构成为使滤波器FLT51的通带PB52中的滤波器FLT52的阻抗增加。
滤波器FLT53包括串联臂谐振器s31、纵耦合型谐振器32、以及并联臂谐振器p31。串联臂谐振器s31和纵耦合型谐振器32串联连接在开关SW6与输入输出端子T53之间。并联臂谐振器p31连接在接地点与纵耦合型谐振器32及输入输出端子T53的连接点之间。纵耦合型谐振器32例如由在两个反射器之间并排设置的多个IDT(Interdigita1 Transducer，叉指换能器)电极形成。纵耦合型谐振器32也可以不具有反射器。
图21是示出图20的滤波器装置5的模块结构的一例的图。如图21所示，在布线基板50安装有封装(芯片)51～55、以及电感器Lp21、Lp22。
封装51～53是谐振器用的封装。封装54、55是开关用的封装。封装51～55在底面具有用于向布线基板50安装的表面电极。该表面电极在图21中以圆形标记示出。需要说明的是，在图21中，为了容易观察封装构造，示意性地示出构成为各封装的电路元件及布线，透过封装51～55的内部而图示出各封装的底面的表面电极。
布线基板50具有分别构成共用端子T51、输入输出端子T52及T53的外部连接电极。该外部连接电极例如是用于将布线基板50安装于母基板等的表面电极、或者将布线基板50与其他电子部件连接的连接器。
在封装51安装有串联臂谐振器s11～s13及并联臂谐振器p11～p14。在封装55安装有开关SW91～SW93和电容器Cs11～Cs13。封装51、55形成滤波器FLT51。
在封装52安装有串联臂谐振器s21、并联臂谐振器p21、p22及电容器Cs21、Cs22。电感器Lp21和电容器Cs21形成移相器PS21。电感器Lp22和电容器Cs22形成移相器PS22。封装52及电感器Lp21、Lp22形成滤波器FLT52。
在封装53安装有串联臂谐振器s31、并联臂谐振器p31及纵耦合型谐振器32。封装53形成滤波器FLT53。在封装54形成有开关SW51、SW52、SW5G、SW6及SW6G。
开关SW51、SW52、SW5G、SW6、SW6G、开关SW91～SW93、电容器Cs11～Cs13、Cs21及Cs22也可以以与上述不同的结构模块化。例如，电容器Cs11～Cs13也可以不安装于开关用的封装而安装于谐振器用的封装，还可以安装于布线基板50的内部。
图22是一并示出图20的滤波器装置的通过特性和表示开关SW51、SW52、SW5G，SW6、SW6G、SW91～SW93的各导通状态的表的图表。
参照图20及图22，图22的(a)是示出开关SW51、SW52、SW6G接通且开关SW5G、SW6、SW91～SW93断开的情况下的共用端子T51与输入输出端子T52之间的通过特性的图。图22的(a)所示的开关的导通状态下的共用端子T51与输入输出端子T52之间的通带成为通过滤波器FLT51及FLT52而形成的通带PB51。需要说明的是，在该情况下，在输入输出端子T53不输入输出高频信号。
图22的(b)是一并示出开关SW51、SW52、SW6G、SW91～SW93断开且开关SW5G、开关SW6接通的情况下的共用端子T51与T52之间的通过特性IL51、以及开关SW51、SW52、SW6G断开且开关SW5G、开关SW6、SW91～SW93接通的情况下的共用端子T51与输入输出端子T52之间的通过特性IL52的图。图22的(b)所示的开关的导通状态下的共用端子T51与输入输出端子T52之间的通带成为通过滤波器FLT51而形成的通带PB52。
图22的(c)是示出开关SW51、SW52、SW6G、SW91～SW93断开且开关SW5G、SW6接通的情况下的共用端子T51与输入输出端子T53之间的通过特性的图。图22的(c)所示的开关的导通状态下的共用端子T51与输入输出端子T53之间的通带成为通过滤波器FLT52而形成的通带PB53。需要说明的是，即便在SW91～SW93接通的情况下，也成为相同的通过特性。
参照图22的(b)，通带PB52中的通过特性IL51与IL52大致同样地变化。在比通带PB52大的频率处，通过特性IL52在比通过特性IL51低的频率处产生衰减极。其结果是，通带PB52与通带PB53之间的频带中的通过特性IL52的增加的方式与通过特性IL51的增加的方式相比更为急剧。在通带PB53中，通过特性IL51与IL52以不同的方式变化。根据滤波器装置5，通过切换开关SW91～SW93的导通状态，能够使滤波器FLT51的通过特性变化。
根据滤波器装置5，在图22的(a)所示的开关的导通状态下，能够降低通带PB51的高频带端的插入损耗。另外，根据滤波器装置5，能够切换通带PB51的带通滤波器结构(图22的(a)的开关的导通状态)与具有通带PB52及通带PB53的多工器结构(图22的(b)及图22的(c)所示的开关的导通状态)。
以上，根据实施方式5的滤波器装置，能够降低通带的高频带端处的插入损耗。
[实施方式6]
在实施方式6中，针对能够使用实施方式1～5中说明的滤波器装置而实现的高频前端电路及通信装置进行说明。
图23是实施方式6的通信装置1000的结构图。如图23所示，通信装置1000具备高频前端电路300、RFIC400、BBIC(Baseband Integrated Circuit，基带集成电路)500、以及天线元件200。
高频前端电路300包括滤波器装置6、开关电路SWC6、双工器67、发送放大电路60T及62T、以及接收放大电路60R及62R。
开关电路SWC6与天线元件200、滤波器装置6及双工器67连接。开关电路SWC6切换天线元件200与滤波器装置6的连接、以及天线元件200与双工器67的连接。
滤波器装置6包括滤波器FLT61(第一滤波器)、滤波器FLT62(第二滤波器)、共用端子T61(第一端子)、输入输出端子T62(第二端子)、输入输出端子T63(第三端子)、开关SW61(第二开关)、以及开关SW62(第三开关)。滤波器装置6、滤波器FLT61及滤波器FLT62的通带分别为通带PB61(第一通带)、通带PB62(第二通带)、通带PB63(第三通带)。滤波器FLT61是低频带侧滤波器，滤波器FLT62是高频带侧滤波器。
通带PB61包括通带PB62的一部分及通带PB63的一部分。通带PB62比通带PB61窄。通带PB63比通带PB61窄。通带PB63的中心频率比通带PB62的中心频率高。通带PB62与PB63不重叠。
在共用端子T61与输入输出端子T62之间，滤波器FLT62与开关SW61依次串联连接。在共用端子T61与输入输出端子T62之间，滤波器FLT61与串联连接的滤波器FLT62及开关SW61并联连接。开关SW62连接在输入输出端子T63与滤波器FLT62及开关SW61的连接点之间。
滤波器装置6能够通过向实施方式1～4的滤波器装置追加开关SW61、SW62及输入输出端子T63而实现。另外，滤波器装置6也能够通过实施方式5的滤波器装置而实现。
共用端子T61与开关电路SWC6连接。输入输出端子T62与接收放大电路60R连接。输入输出端子T63与发送放大电路60T连接。
发送放大电路60T是对规定频段的高频信号进行电力放大的功率放大器。接收放大电路60R是对规定频段的高频信号进行电力放大的低噪声放大器。
双工器67具有发送端子及接收端子。双工器67将与通带PB61～PB63不同的频段设为发送频段及接收频段。
发送放大电路62T与双工器67的发送端子连接。发送放大电路62T是对规定频段的高频发送信号进行电力放大的功率放大器。接收放大电路62R与双工器67的接收端子连接。接收放大电路62R是对规定频段的高频信号进行电力放大的低噪声放大器。
RFIC400对由天线元件200发送及接收的高频信号进行处理。具体而言，RFIC400通过降频转换等，对从天线元件200经由接收侧信号路径而输入的高频信号进行信号处理，并将其向BBIC500输出。RFIC400通过升频转换等，对从BBIC500输入的发送信号进行信号处理并输出。
另外，RFIC400将切换导通状态的控制信号向开关电路SWC6、开关SW61、SW62分别输出。该控制信号也可以从与RFIC分开设置的控制电路输出。
[实施方式6的变形例]
在滤波器装置6中，针对第三开关连接在第三输入输出端子与第二滤波器及第二开关的连接点之间的情况进行了说明。实施方式6的滤波器装置也可以如图24所示的实施方式6的变形例的滤波器装置6A那样，将开关SW62(第三开关)连接在输入输出端子T62(第二端子)与低频带侧滤波器FLT61(第一滤波器)及开关SW61(第二开关)的连接点之间。
以上，根据实施方式6及变形例的通信装置，通过降低了高频带端处的插入损耗的滤波器装置，能够提高通信品质。
[关于弹性波谐振器的电容密度及电容元件的电容密度的关系]
以下，在实施方式1～6的低频带侧滤波器中，针对与电容元件并联连接的弹性波谐振器的电容密度和该电容元件的电容密度的关系进行补充说明。需要说明的是，电容密度是每单位面积的静电电容。
电容元件例如能够通过在电介质的表面形成梳齿状的电极而构成。或者，也能够通过形成隔着电介质而对置的两个电极而构成。另外，在该情况下，通过使电介质的介电常数大于弹性波谐振器的介电常数，或者减小对置的电极的间隔，从而电容元件的每单位面积的静电电容变大。其结果是，能够使滤波器装置小型。
在上述电介质使用了具有压电性的材料的情况下，在该电容元件中也产生体波。因此，在与该电容元件并联连接的弹性波谐振器中，需要使电容元件的电容密度大于弹性波谐振器的电容密度，使电容元件的自谐振频率高于弹性波谐振器的反谐振频率，使得在产生体波的频率处，在该电容元件不产生体波。
例如，在弹性波谐振器使用了SAW谐振器的情况下，弹性波谐振器具有形成在具有压电性的基板上的包括多个电极指的IDT电极。与该弹性波谐振器并联连接的电容元件具有形成在该基板上的包括多个电极指的梳齿电容电极。该电容元件的阻抗成为极大的频率被设计为，成为比实施方式的滤波器装置的第一通带高的频带。在这样的情况下，通过使梳齿电容电极中的多个电极指的重复间距(电极指间距)小于IDT电极的电极指间距，能够使电容元件的电容密度大于弹性波谐振器的电容密度。
通过使梳齿电容电极中的电极指的膜厚小于IDT电极的电极指的膜厚，能够进一步减小梳齿电容电极中的电极指的间距，因此，能够进一步增大电容元件的电容密度。另外，通过使梳齿电容电极中的相对于多个电极指的间距的多个电极指的占有率(电极指占空比)大于IDT电极的电极指占空比，能够进一步增大电容元件的电容密度。
例如，在弹性波谐振器使用了BAW谐振器的情况下，弹性波谐振器具有第一电极、以及经由压电体而与第一电极对置的第二电极。电容元件具有第三电极、以及经由电介质而与第三电极对置的第四电极。在这样的情况下，通过使电容元件的电介质的膜厚小于弹性波谐振器的压电体的膜厚，能够使电容元件的电容密度大于弹性波谐振器的电容密度。或者，通过使电容元件的电介质的介电常数大于弹性波谐振器的压电体的介电常数，能够使电容元件的电容密度大于弹性波谐振器的电容密度。
本次公开的各实施方式也预定在不矛盾的范围内适当组合而实施。本次公开的实施方式在所有方面是例示，应该认为不是限制性的内容。本发明的范围由权利要求书示出而非上述的说明，意在包括与权利要求书同等的含义及范围内的全部变更。
附图标记说明：
1、1A、2、4、4A、5、6、6A、900滤波器装置；32纵耦合型谐振器；50布线基板；51～55封装；60R、62R接收放大电路；60T、62T发送放大电路；67双工器；200天线元件；300高频前端电路；1000通信装置；AS1弹性波滤波器；Cp1、Cs1、Cs2、Cs11、Cs12、Cs13、Cs21、Cs22电容器；FLT1、FLT2、FLT21、FLT22、FLT41、FLT41A、FLT51～FLT53、FLT61、FLT62、FLT91、FLT92滤波器；Lp21、Lp22电感器；PS21、PS22移相器；SW1～SW4、SW5G、SW6、SW6G、SW51、SW52、SW61、SW62、SW91～SW93开关；SWC1、SWC2、SWC6开关电路；T1、T2、T52、T53、T62、T63输入输出端子；T51、T61共用端子；p1a、p1、p2、p11～p14、p21、p22、p31并联臂谐振器；pc1并联臂电路；s1a、s1～s3、s2a、s11～s13、s21、s31串联臂谐振器；sc1、sc2串联臂电路。

Claims (13)

1.一种滤波器装置，具有第一通带，其中，
所述滤波器装置具备：
第一端子及第二端子；以及
第一滤波器及第二滤波器，并联配置在所述第一端子与所述第二端子之间，
所述第一通带包括所述第一滤波器的第二通带的至少一部分及所述第二滤波器的第三通带的至少一部分，
所述第二通带比所述第一通带窄，
所述第三通带比所述第一通带窄，
所述第三通带的中心频率比所述第二通带的中心频率高，
所述第一滤波器包括：
多个弹性波谐振器；以及
第一电容元件，其与所述多个弹性波谐振器所包含的第一弹性波谐振器并联连接。
2.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，
所述第一滤波器包括并联臂电路，该并联臂电路连接在接地点与从所述第一端子经由所述第一滤波器到达所述第二端子的路径之间，
所述并联臂电路具有所述第一弹性波谐振器及所述第一电容元件。
3.根据权利要求1或2所述的滤波器装置，其中，
所述第一滤波器包括至少一个串联臂电路，该至少一个串联臂电路配置在从所述第一端子经由所述第一滤波器到达所述第二端子的路径中，
所述至少一个串联臂电路具有所述第一弹性波谐振器及所述第一电容元件。
4.根据权利要求3所述的滤波器装置，其中，
所述至少一个串联臂电路包括第一串联臂电路和第二串联臂电路，
所述第一串联臂电路包括所述第一弹性波谐振器及所述第一电容元件，
所述第二串联臂电路包括第二弹性波谐振器以及与所述第二弹性波谐振器并联连接的第二电容元件，
所述至少一个串联臂电路将所述第一串联臂电路及所述第二串联臂电路作为两端而串联配置在从所述第一端子经由所述第一滤波器到达所述第二端子的路径中。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述多个弹性波谐振器包括未并联连接电容元件的第三弹性波谐振器，
在将弹性波谐振器的反谐振频率与所述弹性波谐振器的谐振频率之差除以所述谐振频率而得到的值定义为相对频带宽度的情况下，
所述第一弹性波谐振器的相对频带宽度大于所述第三弹性波谐振器的相对频带宽度。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的滤波器装置，其中，
在将每单位面积的静电电容值定义为电容密度的情况下，
所述第一电容元件的电容密度大于所述第一弹性波谐振器的电容密度。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述第一滤波器还包括与所述第一电容元件串联连接的第一开关，
所述第一弹性波谐振器与串联连接的所述第一电容元件及所述第一开关并联连接。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述第二滤波器包括：
弹性波滤波器；
第一移相器，其配置在所述弹性波滤波器与所述第一端子之间的路径中；以及
第二移相器，其配置在所述弹性波滤波器与所述第二端子之间的路径中，
所述第一移相器及所述第二移相器构成为使所述第二通带中的所述第二滤波器的阻抗增加。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述滤波器装置还具备第二开关、第三开关、第四开关及第五开关，
所述第二开关、所述第一滤波器及所述第三开关依次串联连接在所述第一端子与所述第二端子之间，
所述第四开关、所述第二滤波器及所述第五开关依次串联连接在所述第一端子与所述第二端子之间，
串联连接的所述第二开关、所述第一滤波器及所述第三开关与串联连接的所述第四开关、所述第二滤波器及所述第五开关并联连接在所述第一端子与所述第二端子之间。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述滤波器装置还具备：
第三端子；以及
第二开关及第三开关，
所述第二滤波器及所述第二开关依次串联连接在所述第一端子与所述第二端子之间，
所述第一滤波器与串联连接的所述第二滤波器及所述第二开关并联连接在所述第一端子与所述第二端子之间，
所述第三开关连接在所述第三端子与所述第二滤波器及所述第二开关的连接点之间，
所述第二通带与所述第三通带不重叠。
11.根据权利要求1至8中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述滤波器装置还具备：
第三端子；以及
第二开关及第三开关，
所述第一滤波器及所述第二开关依次串联连接在所述第一端子与所述第三端子之间，
所述第二滤波器与串联连接的所述第一滤波器及所述第二开关并联连接在所述第一端子与所述第三端子之间，
所述第三开关连接在所述第二端子与所述第一滤波器及所述第二开关的连接点之间，
所述第二通带与所述第三通带不重叠。
12.一种高频前端电路，具备：
权利要求1至11中任一项所述的滤波器装置；以及
与所述滤波器装置电连接的放大电路。
13.一种通信装置，具备：
RF信号处理电路，其对由天线元件收发的高频信号进行处理；以及
权利要求12所述的高频前端电路，其在所述天线元件与所述RF信号处理电路之间传递所述高频信号。
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