CN111675966B - 一种保护涂层及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的具体实施方式提供一种保护涂层，所述保护涂层为含有硅结构单元、以及仲胺结构单元或伯胺结构单元的单体A与包含羧端基结构的单体B在基材表面等离子聚合形成的第一涂层，该保护涂层与基材结合紧密，具有优异的耐磨性。

Description

一种保护涂层及其制备方法
技术领域
本发明属于等离子化学领域，具体涉及一种等离子体聚合保护涂层及其制备方法。
背景技术
有机聚合物涂层可以有效的对不同材料表面进行保护，例如，电子电气元器件、金属等在水气、液体的侵蚀下极易造成腐蚀、短路等现象，聚合物防护涂层可以阻挡液体的侵蚀，从而提高电子产品、金属产品等在潮湿或者水下的稳定性和可靠性。目前，气相沉积法在基材表面制备聚合物防护涂层是主流方法，该方法经济适用、易于操作等特点，尤其是等离子体化学气相沉积，利用等离子体活化反应单体气体并在基材表面进行沉积，这种方法适用于各种基材，且沉积的聚合物防护涂层均匀，涂层制备温度低，涂层厚度薄、应力小，对基材表面几乎没有损伤和基材性能几乎没有影响。在等离子体制备聚合物防护涂层中，通常以氟代化合物为单体在基材表面制备获得氟碳树脂防护涂层，对于该氟碳树脂防护涂层，存在与基材结合力差的问题，当防护涂层表面受到外力的摩擦作用时，易于磨损、从而失去保护的作用，因此，如何提高防护涂层与基材之间的结合力，使防护涂层紧固的附着在基材表面，提高防护涂层的耐磨性，是防护涂层优化改进的重要方向之一。
发明内容
为解决防护涂层与基材之间结合力差、耐磨性不好的问题，本发明的具体实施方式提供一种保护涂层及其制备方法，具体方案如下：
一种保护涂层，所述保护涂层为基材接触包含单体A和单体B的等离子体，从而在所述基材的表面等离子体聚合形成的第一涂层，其中，单体A同时包含式(Ⅰ)的结构单元，以及式(Ⅱ)或式(Ⅲ)结构单元中的至少一个，单体B包含羧端基结构单元
Figure BDA0002531487510000021
可选的，所述单体A的结构如式(Ⅳ)所示，
Figure BDA0002531487510000022
其中，X为连接键、氧原子或羰基，R1为C1-C10的亚烃基或C1-C10的卤原子取代亚烃基，R2、R3和R4分别独立的选自于氢原子、卤素原子、C1-C10的烃基、C1-C10的卤原子取代烃基、C1-C10的烃氧基、C1-C10的卤原子取代烃氧基、C1-C10的烃酰氧基或C1-C10的卤原子取代烃酰氧基。
可选的，X为连接键，R1为C1-C10的亚烷基，R2、R3和R4分别独立的为C1-C10的烃氧基。
可选的，R1为亚乙基、亚丙基或亚丁基，R2、R3和R4分别独立的为甲氧基、乙氧基或丙氧基。
可选的，所述单体B的结构如式(Ⅴ)所示，
Figure BDA0002531487510000023
其中，R5、R6和R7分别独立的选自于氢原子、卤素原子、C1-C10的烃基或C1-C10的卤原子取代烃基，Y为连接键、C1-C10的亚烃基或C1-C10的卤原子取代亚烃基。
可选的，所述R5、R6和R7分别独立的选自于氢原子或甲基，Y为连接键。
可选的，所述R5和R6为氢原子，R7为氢原子或甲基。
可选的，所述基材为电子或电气元器件、或金属。
可选的，以胺基结构单元计的单体A与以羧端基结构单元计的单体B的摩尔比为10：0.1～1：10之间。
可选的，以胺基结构单元计的单体A与以羧端基结构单元计的单体B的摩尔比为10：0.5～1：5之间。
可选的，所述保护涂层还包括位于第一涂层上的第二涂层，所述第二涂层包括一层或多层等离子体聚合涂层，所述第二涂层的各层单体分别独立的选自于氟代烃、氟代丙烯酸酯或氟代硅烷中的一种或多种。
可选的，所述第二涂层包括两层以上等离子体聚合涂层，其中，外层等离子体聚合涂层的单体的氟原子含量高于内层等离子体聚合涂层的单体的氟原子含量。
可选的，所述氟代烃选择于氟代烷烃、氟代烯烃、氟代炔烃中的一种或多种。
可选的，所述氟代丙烯酸酯的结构如式(Ⅵ)所示，
Figure BDA0002531487510000031
其中，R8、R9和R10分别独立的选自于氢原子、卤素原子、C1-C10的烃基或C1-C10的卤原子取代烃基，x为0-2的整数，y为1-10的整数。
可选的，R8、R9和R10分别独立的选自于氢原子或甲基。
一种上述保护涂层的制备方法，所述制备方法包括：
提供基材；将基材接触包含所述单体A和单体B的等离子体，从而在所述基材的表面等离子体聚合形成第一涂层。
可选的，还包括：在单体A和单体B的等离子体聚合形成的第一涂层上等离子体聚合形成第二涂层。
可选的，所述等离子体为脉冲等离子体。
可选的，所述脉冲等离子体通过施加脉冲高频电压放电产生，其中，脉冲功率为2W-500W，脉冲频率为10Hz-50kHz,脉冲占空比为0.1％-80％，等离子放电时间为100s-20000s。
一种器件，所述器件的至少部分表面具有包含任意上述的保护涂层。
本发明的具体实施方式方案的保护涂层与基材结合紧密，具有优异的耐磨性。
具体实施方式
本发明具体实施方式的保护涂层，所述保护涂层为基材接触包含单体A和单体B的等离子体，从而在所述基材的表面等离子体聚合形成的第一涂层，其中，单体A同时包含式(Ⅰ)的结构单元，以及式(Ⅱ)或式(Ⅲ)结构单元中的至少一个，单体B包含羧端基结构单元
Figure BDA0002531487510000041
本发明具体实施方式的保护涂层，通过由含有式(Ⅰ)的硅结构单元的同时，含有式(Ⅱ)的仲胺结构单元或式(Ⅲ)的伯胺结构单元的单体A与包含羧端基结构的单体B在基材表面进行等离子聚合涂层，制备获得的保护涂层与基材结合紧密，具有优异的耐磨性。
本发明具体实施方式的保护涂层，所述单体A的结构如式(Ⅳ)所示，
Figure BDA0002531487510000042
其中，X为连接键、氧原子或羰基，R1为C1-C10的亚烃基、C1-C10的卤原子取代亚烃基，R2、R3和R4分别独立的选自于氢原子、卤素原子、C1-C10的烃基、C1-C10的卤原子取代烃基、C1-C10的烃氧基、C1-C10的卤原子取代烃氧基、C1-C10的烃酰氧基或C1-C10的卤原子取代烃酰氧基。在本发明的一些具体实施方式中，所述亚烃基为饱和的亚烷基，例如，亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚戊基、亚己基等等，在本发明的另外一些具体实施方式中，所述亚烃基为不饱和的亚烯基、亚炔基或亚芳烃基。在本发明的一些具体实施方式中，所述烃基为饱和的烷基，例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等等，在本发明的另外一些具体实施方式中，所述烃基为不饱和的烯基、炔基或芳烃基。在本发明的一些具体实施方式中，所述烃氧基为饱和的烷氧基，例如，甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基等等，在本发明的另外一些具体实施方式中，所述烃氧基为不饱和的烯氧基、炔氧基或芳烃氧基。在本发明的一些具体实施方式中，所述烃酰氧基为饱和的烷酰氧基，例如，甲酰氧基、乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、戊酰氧基、己酰氧基等等，在本发明的另外一些具体实施方式中，所述烃酰氧基为不饱和的烯酰氧基、炔酰氧基或芳烃酰氧基。在本发明的一些具体实施方式中，X为连接键，R1为C1-C10的亚烷基，特别为亚乙基、亚丙基或亚丁基，R2、R3和R4分别独立的为C1-C10的烃氧基，特别为甲氧基、乙氧基或丙氧基。
本发明具体实施方式的保护涂层，所述单体B的结构如式(Ⅴ)所示，
Figure BDA0002531487510000051
其中，R5、R6和R7分别独立的选自于氢原子、卤素原子、C1-C10的烃基或C1-C10的卤原子取代烃基，Y为连接键、C1-C10的亚烃基或C1-C10的卤原子取代亚烃基。在本发明的一些具体实施方式中，所述亚烃基为饱和的亚烷基，例如，亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚戊基、亚己基等等，在本发明的另外一些具体实施方式中，所述亚烃基为不饱和的亚烯基、亚炔基或亚芳烃基。在本发明的一些具体实施方式中，所述烃基为饱和的烷基，例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等等，在本发明的另外一些具体实施方式中，所述烃基为不饱和的烯基、炔基或芳烃基。在本发明的一些具体实施方式中，所述R5、R6和R7分别独立的选自于氢原子或甲基，特别的所述R5、R6为氢原子，R7为氢原子或甲基，Y为连接键。
本发明具体实施方式的保护涂层，在一些具体实施方式中，所述基材为电子或电气元器件，例如移动电话、音频设备、便携式电脑、印刷电路板(PCB)、印刷电路板阵列(PCBA)、晶体管、电阻器或半导体芯片等，在另一些具体实施方式中，所述基材为其它的各种塑料、织物、玻璃或金属等基材。在一些具体实施方式中，所述基材包括经过表面预处理或前处理的基材，所述预处理或前处理包括例如热、氧或等离子的表面清洁处理，以及表面的其它涂层处理等。
本发明具体实施方式的保护涂层，以胺基结构单元计的单体A与以羧端基结构单元计的单体B的摩尔比为10：0.1～1：10之间，进一步，以胺基结构单元计的单体A与以羧端基结构单元计的单体B的摩尔比为10：0.5～1：5之间，具体的比如以胺基结构单元计的单体A与以羧端基结构单元计的单体B的摩尔比为10：0.5、10：1、10：2、10：3、10：4、10：5、10:10、5:10等等，所述以胺基结构单元计的单体A与以羧端基结构单元计的单体B是指单体A的摩尔量以单体A中含有的式(Ⅱ)和式(Ⅲ)的胺基结构单元的摩尔量计算，单体B的摩尔量以单体B中含有的羧端基结构单元的摩尔量计算。
本发明具体实施方式的保护涂层，在一些具体实施例中，所述保护涂层为基材接触单体A和单体B的等离子体，从而在所述基材的表面等离子体聚合形成的第一涂层，在另外一些具体实施例中，所述保护涂层也可以为基材接触单体A、单体B和其它单体的等离子体，从而在所述基材的表面等离子体聚合形成的第一涂层，在本发明的一些具体实施方式中，所述其它单体为氟代烃、氟代丙烯酸酯或氟代硅烷中的一种或多种，作为所述氟代烃的具体举例，包括氟代烷烃、氟代烯烃、氟代炔烃中的一种或多种，所述氟代烷烃如四氟甲烷、六氟乙烷、八氟丙烷或十氟丁烷等等，所述氟代烯烃如四氟乙烯、六氟丙烯、八氟丁烯、十氟戊烯或1H，1H，2H-全氟-1十二碳烯等等，所述氟代炔烃如二氟乙炔、四氟丙炔或六氟丁炔等等，所述氟代丙烯酸酯包括如下式(Ⅵ)所示的氟代丙烯酸酯，
Figure BDA0002531487510000071
式(Ⅵ)中，R8、R9和R10分别独立的选自于氢原子、卤素原子、C1-C10的烃基或C1-C10的卤原子取代烃基，x为0、1或2的整数，y为1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。在本发明的一些具体实施方式中，所述烃基为饱和的烷基，例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等等，在本发明的另外一些具体实施方式中，所述烃基为不饱和的烯基、炔基或芳烃基。在本发明的一些具体实施方式中，R8、R9和R10分别独立的选自于氢原子或甲基。
本发明具体实施方式的保护涂层，还包括位于第一涂层上的第二涂层，所述第二涂层包括一层或多层等离子体聚合涂层，所述第二涂层的各层单体分别独立的选自于氟代烃、氟代丙烯酸酯或氟代硅烷中的一种或多种。在一些具体实施方式中，所述保护涂层还包括在单体A和单体B等离子体聚合形成的第一涂层上形成的两层、三层或四层等两层以上等离子体聚合第二涂层，所述两层以上等离子体聚合第二涂层的各涂层单体分别独立的选自于氟代烃、氟代丙烯酸酯或氟代硅烷中的一种或多种，其中，外层等离子体聚合涂层的单体的氟原子含量高于内层等离子体聚合涂层的单体的氟原子含量，所述氟原子含量是指整个单体中氟原子数量在总原子数量中的占比，这样更有利于形成结合紧密的耐磨疏水保护涂层，具体例如，单体A和单体B等离子体聚合形成的第一涂层上依次形成2-(全氟丙基)乙基丙烯酸酯的等离子体聚合涂层和2-全氟辛基丙烯酸酯的等离子体聚合第二涂层。在本发明的具体实施方式中，所述氟代烃、氟代丙烯酸酯或氟代硅烷，具体说明如前所述。
本发明具体实施方式的保护涂层，所述保护涂层由等离子聚合形成，涂层厚度为纳米级，在一些具体实施方式中，所述保护涂层的厚度介于1nm-1000nm之间。
本发明具体实施方式还提供一种上述保护涂层的制备方法，包括：提供基材；将基材接触包含所述单体A和单体B的等离子体，从而在所述基材的表面等离子体聚合形成第一涂层。在一些具体实施方式中，所述制备方法还包括，在单体A和单体B的等离子体聚合形成的第一涂层上等离子体聚合形成第二涂层，所述第二涂层包括一层或多层的等离子体聚合涂层，所述第二涂层的各层单体分别独立的选自于氟代烃、氟代丙烯酸酯或氟代硅烷中的一种或多种。对于所述单体A、单体B、氟代烃、氟代丙烯酸酯或氟代硅烷以及基材的相关说明如前所述。
本发明具体实施方式的保护涂层的制备方法，在一些具体实施方式中，所述等离子体聚合采用连续等离子体，在一些具体实施方式中，为了获得更好的耐磨性，所述等离子体聚合采用脉冲等离子体，在一些具体实施方式中，采用如下的脉冲等离子体聚合工艺，将基材置于反应腔体内，将腔体抽真空至1毫托-100托，通过加热，将参加反应的单体以气态的形式进入腔体内，并通入惰性气体氦气，开启电源，产生等离子体，从而在基材表面发生化学气相沉积，其中，腔体内的温度控制在20℃-60℃，单体气化温度为70℃-150℃，且是在真空条件下发生气化，体流量为10-1000μL/min，特别的为100-200μL/min，等离子体放电方式为射频脉冲放电，功率2W-500W，特别的为50W-200W，脉冲频率为10Hz-50kHz,特别的为50Hz-500Hz，脉冲占空比为0.1％～80％，特别的为0.1％～1％，等离子放电时间为100s-20000s，特别的为500s-5000s。在本发明的一些具体实施方式中，等离子体放电方式可以采取射频放电、微波放电、中频放电或电火花放电等。本发明具体实施方式还提供一种器件，所述器件的至少部分表面具有包含任意上述的保护涂层，在一些具体实施方式中，所述器件的部分表面或全部表面仅沉积有上述的保护涂层，在一些具体实施方式中，所述器件的部分表面或全部表面除沉积有上述的保护涂层之外，还沉积有其它的涂层。
以下通过具体实施例对本发明做进一步说明。
实施例1
方案一
将线路板1、线路板2和线路板3的3块线路板放置于等离子体腔室内，对腔体进行连续抽真空至5毫托，通入氦气，流量为40sccm，开启脉冲放电等离子体，功率为180W，脉冲占空比为15％，脉冲频率为500Hz，将单体3-氨基丙基三甲氧基硅烷和甲基丙烯酸按摩尔比10:1混合后在温度为85℃下进行气化后导入腔体内进行等离子体化学气相聚合沉积，其中单体流量为150μL/min，反应时间1800s后停止；然后，通入单体2-(全氟丙基)乙基丙烯酸酯，气化温度90℃，脉冲放电功率更改为33W，脉冲占空比为15％，脉冲频率为500Hz,单体流量180μL/min，反应时间3600s后停止；然后，通入单体2-全氟辛基丙烯酸乙酯，气化温度80℃，功率180W，占空比0.3％，脉冲频率为50Hz，单体流量110μL/min，反应时间1000s停止。放电结束后通入压缩空气，使腔体恢复常压，打开腔体，取出线路板。
方案二：
将线路板1’、线路板2’和线路板3’的3块线路板放置于等离子体腔室内，对腔体进行连续抽真空至5毫托，通入氦气，流量为40sccm，开启脉冲放电等离子体，通入单体2-(全氟丙基)乙基丙烯酸酯，气化温度90℃，功率33W，脉冲占空比为15％，脉冲频率为500Hz,单体流量180μL/min，反应时间3600s后停止；然后，通入单体2-全氟辛基丙烯酸乙酯，气化温度80℃，功率180W，占空比为0.3％，脉冲频率为50Hz，单体流量110μL/min，反应时间1000s后停止。放电结束后通入压缩空气，使腔体恢复常压，打开腔体，取出线路板。
对方案一和方案二的线路板进行耐磨性测试，在耐磨试验机上进行，摩擦材料为无尘布、载荷100g，转速50r/min，摩擦次数50次。摩擦后进行泡水验证，泡水验证过程如下：1、电源为线路板提供5V电压；2、将线路板浸泡在水中；3、用电脑检测电流；4、记录失效时间(电流＞0.6mA)或者测试时间达到13min。
测试结果如下：
Figure BDA0002531487510000101
由此可知，摩擦后，方案一的电路板水下通电12min以下时未检测到电流，而方案二的线路板放入水中就产生较大的电流，表明方案一的涂层比方案二的涂层具有更优的耐磨性。
实施例2
方案一：
将1块铝合金板放置于等离子体腔室内，对腔体进行连续抽真空至5毫托，通入氦气，流量为40sccm，开启脉冲放电等离子体，功率200W，脉冲占空比25％，脉冲频率为700Hz，将实单体3-氨基丙基三甲氧基硅烷和甲基丙烯酸按摩尔比3:1混合，在气化温度为85℃下进行气化后导入腔体内进行等离子体化学气相沉积，其中单体流量为180μL/min，反应时间1800s后停止；然后，通入单体2-(全氟辛基)乙基丙烯酸酯，气化温度80℃，功率180W，占空比0.3％，脉冲频率为50Hz，单体流量110μL/min，反应时间3600s后停止。放电结束后通入压缩空气，使腔体恢复常压，打开腔体，取出铝合金板。
方案二：
将1块铝合金板放置于等离子体腔室内，对腔体进行连续抽真空至5毫托，通入氦气，流量为40sccm，开启脉冲放电等离子体，通入单体2-(全氟辛基)乙基丙烯酸酯，气化温度80℃，功率180W，脉冲占空比0.3％，脉冲频率为50Hz，单体流量110μL/min，反应时间5400s后停止。放电结束后通入压缩空气，使腔体恢复常压，打开腔体，取出铝合金板。
对该方案一和方案二的铝合金样品耐磨性测试，摩擦材料为钢丝绒，载荷1kg，转速60r/min，每500次记录一次水滴角，直至水滴角低于100°。
测试结果如下：
Figure BDA0002531487510000111
由此可知，方案一的铝合金板摩擦旋转3000次后，水滴接触角依然具有100°，而方案二的铝合金板摩擦旋转1000次时，水滴接触角低于100°，表明方案一的涂层具有更优的耐磨性。
实施例3
方案一：
将1块手机屏放置于等离子体腔室内，对腔体进行连续抽真空至5毫托，通入氦气，流量为40sccm，开启脉冲放电等离子体，功率180W，脉冲占空比10％，脉冲频率为300Hz，将单体3-氨基丙基三甲氧基硅烷和甲基丙烯酸按摩尔比1:1混合，在气化温度为85℃下进行气化后导入腔体内进行等离子体化学气相沉积，其中单体流量为180μL/min，反应时间1800s后停止；然后，通入单体(2H-全氟丁基)-2-丙烯酸酯，气化温度为85℃，功率180W，占空比0.3％，脉冲频率为50Hz，单体流量110μL/min，反应时间3600S。放电结束后通入压缩空气，使腔体恢复常压，打开腔体，取出手机屏。
方案二：
将1块手机屏放置于等离子体腔室内，对腔体进行连续抽真空至5毫托，通入氦气，流量为40sccm，开启脉冲放电等离子体，功率180W，脉冲占空比0.3％，脉冲频率为50Hz；将单体(2H-全氟丁基)-2-丙烯酸酯在气化温度为85℃下进行气化后导入腔体内进行等离子体化学气相沉积，其中单体流量为180μL/min，反应时间5400s。放电结束后通入压缩空气，使腔体恢复常压，打开腔体，取出手机屏。
对该手机屏样品耐磨性测试，摩擦材料为无尘布，载荷500g，转速60r/min，每500次记录一次水滴角，直至水滴角低于100°。
测试结果如下：
Figure BDA0002531487510000121
由此可知，方案一的手机屏摩擦旋转2000次后，水滴接触角依然具有100°，而方案二的手机屏摩擦旋转1000次时，水滴接触角会低于100°，表明方案一的涂层具有更优的耐磨性。
实施例4
将手机保护壳置于等离子体腔室内，其他条件与实施例3一致。
对该手机保护壳样品耐磨性测试，摩擦材料为橡皮檫，载荷500g，转速60r/min，每500次记录一次水滴角，直至水滴角低于100°。
测试结果如下：
Figure BDA0002531487510000122
由此可知，方案一的手机保护壳摩擦旋转2000次后，水滴接触角依然具有101°，而方案二的手机保护壳摩擦旋转1500次时，水滴接触角会低于100°，表明方案一的涂层具有更优的耐磨性。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (18)

1.一种保护涂层，其特征在于，所述保护涂层为将基材接触包含单体A和单体B的等离子体，从而在所述基材的表面等离子体聚合形成的第一涂层，其中，单体A同时包含式(Ⅰ)的硅结构单元，以及式(Ⅱ)或式(Ⅲ)的胺基结构单元中的至少一个，单体B包含羧端基结构单元；
Figure FDA0003370238470000011
-NH- (Ⅱ) -NH2 (III)
所述单体B的结构如式(Ⅴ)所示，
Figure FDA0003370238470000012
其中，R5、R6和R7分别独立的选自于氢原子、卤素原子、C1-C10的烃基或C1-C10的卤原子取代烃基，Y为连接键、C1-C10的亚烃基或C1-C10的卤原子取代亚烃基；
所述保护涂层还包括：位于第一涂层上的第二涂层，所述第二涂层包括一层或多层的等离子体聚合涂层，所述第二涂层的各层单体分别独立的选自于氟代烃、氟代丙烯酸酯或氟代硅烷中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的保护涂层，其特征在于，所述单体A的结构如式(Ⅳ)所示，
Figure FDA0003370238470000013
其中，X为连接键、氧原子或羰基，R1为C1-C10的亚烃基或C1-C10的卤原子取代亚烃基，R2、R3和R4分别独立的选自于氢原子、卤素原子、C1-C10的烃基、C1-C10的卤原子取代烃基、C1-C10的烃氧基、C1-C10的卤原子取代烃氧基、C1-C10的烃酰氧基或C1-C10的卤原子取代烃酰氧基。
3.根据权利要求2所述的保护涂层，其特征在于，X为连接键，R1为C1-C10的亚烷基，R2、R3和R4分别独立的为C1-C10的烃氧基。
4.根据权利要求3所述的保护涂层，其特征在于，R1为亚乙基、亚丙基或亚丁基，R2、R3和R4分别独立的为甲氧基、乙氧基或丙氧基。
5.根据权利要求1所述的保护涂层，其特征在于，所述R5、R6和R7分别独立的选自于氢原子或甲基，Y为连接键。
6.根据权利要求5所述的保护涂层，其特征在于，所述R5和R6为氢原子，R7为氢原子或甲基。
7.根据权利要求1所述的保护涂层，其特征在于，所述基材为电子或电气元器件、金属。
8.根据权利要求1所述的保护涂层，其特征在于，以胺基结构单元计的单体A与以羧端基结构单元计的单体B的摩尔比为10：0.1～10：10之间。
9.根据权利要求1所述的保护涂层，其特征在于，以胺基结构单元计的单体A与以羧端基结构单元计的单体B的摩尔比为10：0.5～10：5之间。
10.根据权利要求1所述的保护涂层，所述第二涂层包括两层以上等离子体聚合涂层，其中，外层等离子体聚合涂层的单体的氟原子含量高于内层等离子体聚合涂层的单体的氟原子含量。
11.根据权利要求1所述的保护涂层，其特征在于，所述氟代烃选择于氟代烷烃、氟代烯烃或氟代炔烃中的一种或多种。
12.根据权利要求1所述的保护涂层，其特征在于，所述氟代丙烯酸酯的结构如式(Ⅵ)所示，
Figure FDA0003370238470000021
其中，R8、R9和R10分别独立的选自于氢原子、卤素原子、C1-C10的烃基或C1-C10的卤原子取代烃基，x为0～2的整数，y为1～10的整数。
13.根据权利要求12所述的保护涂层，其特征在于，R8、R9和R10分别独立的选自于氢原子或甲基。
14.根据权利要求1所述的保护涂层，其特征在于，所述保护涂层厚度范围为：1nm～1000nm。
15.一种权利要求1-14任意一项所述的保护涂层的制备方法，其特征在于，包括：
提供基材；
将基材接触包含所述单体A和单体B的等离子体，从而在所述基材的表面等离子体聚合形成第一涂层；
在单体A和单体B的等离子体聚合形成的第一涂层上等离子体聚合形成第二涂层。
16.根据权利要求15所述的保护涂层的制备方法，其特征在于，所述等离子体为脉冲等离子体。
17.根据权利要求16所述的保护涂层的制备方法，其特征在于，所述脉冲等离子体通过施加脉冲高频电压放电产生，其中，脉冲功率为2W～500W，脉冲频率为10Hz～50kHz，脉冲占空比为0.1％～80％，等离子放电时间为100s～20000s。
18.一种器件，其特征在于，所述器件的至少部分表面具有包含权利要求1-14任意一项所述的保护涂层。
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