CN111668142A - 分隔板、保管容器、基片处理系统和基片的输送方法 - Google Patents

分隔板、保管容器、基片处理系统和基片的输送方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111668142A
CN111668142A CN202010118940.6A CN202010118940A CN111668142A CN 111668142 A CN111668142 A CN 111668142A CN 202010118940 A CN202010118940 A CN 202010118940A CN 111668142 A CN111668142 A CN 111668142A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
storage container
foup
consumable
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010118940.6A
Other languages
English (en)
Inventor
丰卷俊明
贝瀬精一
沼仓雅博
武山裕纪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN111668142A publication Critical patent/CN111668142A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6732—Vertical carrier comprising wall type elements whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising sidewalls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781—Batch transfer of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67363—Closed carriers specially adapted for containing substrates other than wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G47/00—Article or material-handling devices associated with conveyors; Methods employing such devices
    • B65G47/74—Feeding, transfer, or discharging devices of particular kinds or types
    • B65G47/90—Devices for picking-up and depositing articles or materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H01L21/67265—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769—Storage means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers

Abstract

本发明提供分隔板、保管容器、基片处理系统和基片的输送方法。消耗部件的保管容器包括多个收纳部、分隔板和固定部。多个收纳部构成为能够逐一收纳从一个方向插入的消耗部件。构成为能够代替上述消耗部件而收纳在上述多个收纳部中的分隔板，其具有构成为能够夹在发光部与受光部之间的第1部分。固定部将多个收纳部固定在去往配置消耗部件的真空处理室的输送路径上。本发明能够防止基片和消耗部件的误输送。

Description

分隔板、保管容器、基片处理系统和基片的输送方法
技术领域
本发明涉及保管容器的分隔板、保管容器、基片处理系统和基片的输送方法。
背景技术
已知一种将收纳有基片(例如半导体基片。以下也称为晶片)的承载器配置在基片处理装置的附近，从该承载器自动地输送基片的系统(专利文献1)。另外，提出有将用于对基片处理装置送入送出晶片的机械臂(robot)，用于取出和更换消耗部件的技术(专利文献2)。
现有技术文献
专利文献1：日本特开2003-168715号公报
专利文献2：日本特开2017-98540号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种能够防止基片和消耗部件的误输送的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的消耗部件的保管容器包括多个收纳部、分隔板和固定部。多个收纳部构成为能够逐一收纳从一个方向送入送出的消耗部件。分隔板构成为能够收纳在多个收纳部的一个收纳部中，其具有构成为能够夹在检测部所具有的发光部与受光部之间的第1部分。固定部以能够将消耗部件从多个收纳部送入送出的方式在输送路径上进行固定。
发明效果
依照本发明，能够防止基片和消耗部件的误输送。
附图说明
图1是一实施方式的基片处理系统的概略结构图。
图2是表示一实施方式的保管容器的一例的概略结构图。
图3是表示一实施方式的分隔板的一例的概略结构图。
图4是表示一实施方式的基片处理系统中设置有晶片用FOUP的状态的图。
图5是表示在晶片用FOUP的插槽配置有晶片的状态的图。
图6是第2输送机构的概略立体图。
图7是第2输送机构的概略正视图。
图8是表示一实施方式的基片的输送方法的流程的一例的流程图。
附图标记说明
1 基片处理系统
10 真空输送室
15 第1输送机构
20 常压输送室
20a 边界壁
20b 窗部
20c 窗部开闭机构
201 载置台
202a、202b 固定部
25 第2输送机构
25a 臂部件
25c 连杆
25d 基座
25p 发光部
25r 受光部
27a 第1拾取器
27b 第2拾取器
30 控制装置
31 存储部
32 处理部
33 输入输出接口
34 显示部
110 分隔板
111 密封部
112a 第1缺口
112b 第2缺口
113 第1部分
ER1～ER12 边缘环
LLM1、LLM2 负载锁定区块
LP1～LP5 负载端口
MS 映射传感器
P1～P7 垫片
PM1～PM8 处理区块(真空处理室)
GV 闸阀
S1～S13 插槽
W1～W25 晶片。
具体实施方式
以下，基于附图，详细说明所公开的实施方式。此外，本实施方式并不限于此。另外，各实施方式在不使处理内容矛盾的范围内能够适当组合。
(实施方式的基片处理系统1)
图1是一实施方式的基片处理系统的概略结构图。基片处理系统1包括多个真空处理室(也称为处理区块。)PM1～PM8、真空输送室10、常压输送室20。基片处理系统1还包括多个负载锁定区块LLM1～LLM2、多个负载端口LP1～LP5、对准器AU和控制装置30。此外，图1所示的真空处理室、负载锁定区块、负载端口是例示，各部的数量不限于图1所示的数量。
此外，在图1的例中，示出8个处理区块PM1～PM8、2个负载锁定区块LLM1～LLM2、5个负载端口LP1～LP5。其中，基片处理系统1所具有的处理区块PM、负载锁定区块LLM、负载端口LP的数量不限于图示。以下，在不需要特别区别的情况下，8个处理区块PM1～PM8统一称为处理区块PM。同样，2个负载锁定区块LLM1～LLM2统一称为负载锁定区块LLM。另外，同样地，5个负载端口LP1～LP5统一称为负载端口LP。此外，本实施方式的基片处理系统1至少包括2个负载锁定区块LLM。
处理区块PM在减压气氛下执行作为被处理对象的晶片W的处理。处理区块PM例如执行蚀刻、成膜等处理。处理区块PM包括支承晶片W的载置台和在该载置台上以包围晶片W的方式配置的边缘环ER。处理区块PM内，在处理晶片W的期间被维持成减压气氛。处理区块PM各自经由可开闭的闸阀GV与真空输送室10连接。
真空输送室10的内部能够被维持成减压气氛。晶片W经真空输送室10被输送到各处理区块。在处理区块PM内已处理的晶片W经真空输送室10被输送到进行下一处理的处理区块PM。全部的处理结束的晶片W经真空输送室10被输送到负载锁定区块LLM。
在真空输送室10配置用于输送晶片W和边缘环ER的第1输送机构15。第1输送机构15在处理区块PM1～PM8和负载锁定区块LLM1、LLM2之间输送晶片W和边缘环ER。
负载锁定区块LLM包括载置台以及使晶片W和边缘环ER升降的支承销。负载锁定区块LLM内能够切换成大气气氛和减压气氛。负载锁定区块LLM沿不配置处理区块PM的真空输送室10的一边并排地配置。负载锁定区块LLM和真空输送室10构成为经由闸阀GV内部能够连通。负载锁定区块LLM在与真空输送室10连接一侧的相反侧，与常压输送室20连接。在负载锁定区块LLM和常压输送室20之间，经由闸阀GV各自的内部能够连通。
常压输送室20能够被维持成常压气氛。在常压输送室20的一侧并排设置有多个负载锁定区块LLM。另外，在常压输送室20的另一侧并排设置有多个负载端口LP。在常压输送室20内配置用于在负载锁定区块LLM与负载端口LP之间输送输送物的第2输送机构25。第2输送机构25具有臂部件25a。臂部件25a可旋转地固定在基座25d上。基座25d固定在负载端口LP3附近。臂部件25a的前端与大致U字形状的第1拾取器27a和第2拾取器27b可旋转地连接。
第1拾取器27a和第2拾取器27b的至少一者在前端具有映射传感器(mappingsensor)MS(参照图3)。例如，在第1拾取器27a和第2拾取器27b各自的大致U字的两个端部配置映射传感器MS。映射传感器MS是检测部的一例。映射传感器MS例如检测后述的FOUP内的晶片W和边缘环ER存在与否以及位置，将检测结果发送到控制装置30(后述)。
负载端口LP形成为能够安装收纳晶片W或边缘环ER的保管容器(以下也称为FrontOpening Unified Pod(FOUP：前开式晶片传送盒)。)。FOUP是能够收纳晶片W或边缘环ER的保管容器。FOUP具有可开闭的盖(未图示)。当FOUP贝设置在负载端口LP时，FOUP的盖与负载端口LP的门卡合。在该状态下，通过打开负载端口LP使得门和FOUP的盖移动而FOUP打开，经由负载端口LP而FOUP内与常压输送室20内连通。一个实施方式的FOUP包括能够收纳晶片W的晶片用FOUP和能够收纳边缘环ER的边缘环(ER)用FOUP。晶片用FOUP和ER用FOUP的收纳部的数量以及间距(pitch)不同。晶片用FOUP具有与收纳的晶片W的数量相应的架状的收纳部。另外，ER用FOUP，例如形成为能够收纳与基片处理系统1所具有的处理区块PM的数量相应的数量的边缘环ER。保管容器的结构的详细情况在后文详述。
负载端口LP能够安装晶片用FOUP和ER用FOUP的任一者。其中，可以设置能够安装晶片用FOUP的负载端口LP、能够安装ER用FOUP的负载端口、能够安装任一者的负载端口LP。
在常压输送室20的一个短边配置对准器AU。对准器AU包括载置晶片W的旋转载置台和光学地检测晶片W的外周缘部的光学传感器。对准器AU例如检测晶片W的定向平板(orientation flat)或切口(notch)等，来进行晶片W的位置对准。
如上所述构成的处理区块PM、真空输送室10、第1输送机构15、负载锁定区块LLM、常压输送室20、第2输送机构25、负载端口LP、对准器AU各自与控制装置30连接，由控制装置30控制。
控制装置30是控制基片处理系统1的各部的信息处理装置。控制装置30的具体的结构和功能没有特别限定。控制装置30例如包括存储部31、处理部32、输入输出接口(IO I/F)33和显示部34。存储部31例如是硬盘、光盘、半导体存储元件等任意的存储装置。处理部32例如是CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、MPU(MicroProcessing Unit：微处理单元)等存储器。显示部34例如是液晶画面或触摸面板等显示信息的功能部。处理部32读取并执行保存于存储部31的程序和方案，由此通过输入输出接口来控制基片处理系统1的各部。
(保管容器的结构的一例)
图2是表示一实施方式的保管容器的一例的概略结构图。图2所示的保管容器是ER用FOUP100。ER用FOUP100构成为能够收纳具有规定的厚度T1的已使用的边缘环ER1～ER6和未使用的边缘环ER7～ER12。其中，ER用FOUP100也可以构成为能够收纳12以外的数量的边缘环ER。各边缘环ER1～ER12通过形成于ER用FOUP100的正面的开口105被送入送出。在开口105设置有未图示的可开闭的盖。边缘环ER1～ER12逐个被收纳在以一定间隔设置于ER用FOUP100的两侧面的内壁插槽S1～S13之中的插槽S1～S6和S8～S13。各插槽S1～S6、S8～S13例如具有大致V字形的截面形状，以具有余量(游隙)的方式分别收纳边缘环ER1～ER12的周缘部(参照图5)。插槽S1～S13是收纳部的一例。
在ER用FOUP100的插槽S7插入分隔板110。图3是表示一实施方式的分隔板110的一例的概略结构图。分隔板11具有沿ER用FOUP100的内壁的外周形状。另外，在分隔板110的外周设置有密封部111，该密封部111与ER用FOUP100的内壁紧贴，将ER用FOUP100的内部空间分割为第1空间SP1和第2空间SP2这两个空间。另外，在分隔板110的正面、即配置在ER用FOUP100的开口105侧的部分设置有第1缺口112a和第2缺口112b。第1缺口112a和第2缺口112b依照设置有第2输送机构25的映射传感器MS的拾取器(第1拾取器27a或者第2拾取器27b)的前端形状的形状而形成。如图3所示，在第1缺口112a与第2缺口112b之间，形成向外周方向膨胀的形状的第1部分113。映射传感器MS的发光部25p和受光部25r(后述)分别配置在第1缺口112a和第2缺口112b的凹部中时，第1部分113位于发光部25p与受光部25r之间。分隔板110具有比晶片W的厚度T2厚、与边缘环ER的厚度T1大致相同的厚度。
晶片用FOUP为与图2所示的ER用FOUP100相同的结构。但是，晶片W所具有的规定的厚度T2比边缘环ER的厚度T1薄，因此，晶片用FOUP的插槽的数量和间距与ER用FOUP100的插槽的数量和间距不同。例如，晶片用FOUP有25排插槽S1～S25，在各插槽中逐个收纳晶片W1～W25。此外，由于晶片用FOUP和ER用FOUP100所具有的插槽的间距差，所以在晶片用FOUP的插槽中无法收纳分隔板110。
(晶片和边缘环的送入送出)
图4是表示在一实施方式的基片处理系统1中设置有晶片用FOUP的状态的图。图5是表示在晶片用FOUP的插槽中配置有晶片的状态的图。设置有ER用FOUP时也为相同的状态。
在图4中，在负载端口LP上的载置台201载置有晶片用FOUP。在晶片用FOUP载置于载置台201的状态下，如图4所示，各插槽S1～插槽S25在垂直方向以一定间隔保持晶片W1～W25。此时，晶片W1～W25以表面(形成半导体器件的面)成为上表面(在将晶片W保持为水平的情况下成为上侧的面)的状态被保持。另外，各插槽S1～插槽S25利用成为大致V字形的下部的斜面而成为分别保持晶片W1～W25的周缘部的状态，能够将具有规定的厚度T2的晶片W1～W25以规定的间隔保持为大致水平(参照图5)。
在边界壁20a中，在与晶片用FOUP的载置场所对应的位置形成有窗部20b，在窗部20b的常压输送室20侧设置有通过开闭件来开闭窗部20b的窗部开闭机构20c。该窗部开闭机构20c也能够开闭设置于晶片用FOUP的盖，在开闭窗部20b的同时也开闭晶片用FOUP的盖。使窗部20b开口而使晶片用FOUP的开口与常压输送室20连通时，能够访问配置于常压输送室20的第2输送机构25的晶片用FOUP，成为能够取出和收纳晶片W的状态。此外，窗部开闭机构20c优选设置内锁(interlock)以使得晶片用FOUP没有载置到载置台201的规定位置时不动作。此外，晶片用FOUP具有用于将晶片用FOUP固定在载置台201上的固定部202a，其使得收纳于内部的晶片W被配置在去往处理区块PM的输送路径上。ER用FOUP也同样具有用于固定在载置台201上的固定部202b(参照图2)，其使得收纳于内部的边缘环ER被配置在去往处理区块PM的输送路径上。此外，用于将ER用FOUP和晶片用FOUP固定在载置台201上的机构没有特别限定。
图6是第2输送机构25的概略立体图，图7是其概略正视图。在配置于常压输送室20的第2输送机构25的基座25d之上，设置有通过未图示的伺服机构的旋转驱动而进行升降移动的连杆25c。在连杆25c上连接有臂部件25a。因此，臂部件25a通过连杆25c的升降移动而能够在Z方向(参照图1)上移动。另外，如图6所示，臂部件25a具有多关节，由此构成为能够在X―Y平面内自由移动。在臂部件25a的前端可转动地连接有第1拾取器27a和第2拾取器27b。因此，通过使臂部件25a、第1拾取器27a和第2拾取器27b移动，第2输送机构25能够访问载置于载置台201的所有晶片用FOUP或者ER用FOUP100。另外，第2输送机构25能够访问设置于晶片用FOUP或者ER用FOUP100的任意高度的插槽S1～插槽S25或者插槽S1～S13。另外，第2输送机构25访问负载锁定区块LLM1、LLM2而能够输送晶片W或者边缘环ER。
在安装于臂部件25a的前端的第1拾取器27a和第2拾取器27b的至少一者配置有映射传感器MS(参照图3)。另外，在第1拾取器27a和第2拾取器27b的上表面配置有输送晶片W时与晶片W抵接的垫片P1、P2、P3(参照图3)。另外，在第1拾取器27a和第2拾取器27b的上表面配置有输送边缘环ER时与边缘环ER抵接的垫片P4、P5、P6、P7(参照图3)。垫片P1～P7的材质和形状没有特别限定。不过，垫片P1～P7优选构成为在输送时能够防止晶片W和边缘环ER的破损、脱落。第1拾取器27a和第2拾取器27b分别能够独立地控制。第1拾取器27a和第2拾取器27b为同样的结构，因此，以下，作为代表说明第1拾取器27a。
第1拾取器27a为形成为在上表面能够载置晶片W的宽度和长度的板体，构成为能够通过未图示的驱动机构利用臂部件25a相对于基座25d在前后方向(图1的Y轴方向)和左右方向(图1的X轴方向)移动。并且，第1拾取器27a设置于通过上述的未图示的伺服机构的伺服电机的旋转驱动而能够在Z方向上升降的连杆25c上，因此能够在图1所示的Z方向上移动。第1拾取器27a从各晶片W间的间隙水平地前进至FOUP内的里侧的下方里侧位置，在下方里侧位置稍微上升时，位于上部的晶片W的下表面与配置于第1拾取器27a上的垫片P1～P3抵接。即，第1拾取器27a使垫片P1～P3与晶片W抵接，能够使晶片W载置在第1拾取器27a上。此外，边缘环ER也能够以与晶片W相同的方式送入送出。在送入送出边缘环ER时，边缘环ER与第1拾取器27a上的垫片P4～P7抵接。
接着，说明映射传感器MS。映射传感器MS是具有发光部25p和受光部25r的检测部。图3是在第1拾取器27a的第1端配置发光部25p、在第2端配置受光部25r的例子。发光部25p例如是LED、激光二极管等的发光二极管等的发光元件。另外，受光部25r是光电晶体管、光二极管等的受光元件。发光部25p和受光部25r通过未图示的发光受光元件驱动电路进行动作。在发光部25p与受光部25r之间不存在物体时，由发光部25p出射的光入射到受光部25r，从受光部25r例如输出“H”电平的输出信号。但是，在发光部25p与受光部25r之间存在物体时，从发光部25p出射的光被该物体遮光，因此不入射到受光部25r，从受光部25r输出的输出信号例如成为“L”电平。受光部25r获得的输出信号作为传感器检测信号被发送到控制装置30。映射传感器MS能够基于检测到L电平的输出信号的期间的长度所对应的数值来检测对象的厚度。另外，通过使映射传感器MS的输出信号为规定循环的脉冲信号，控制装置30基于该脉冲信号，能够检测第1拾取器27a的移动量和当前位置。例如，控制装置30能够通过来自初始位置的脉冲信号的数量来检测第1拾取器27a的移动位置。
发光部25p与受光部25r的间隔如图3所示被选择成，第1拾取器27a能够进入晶片用FOUP和ER用FOUP的两侧壁的内侧，且晶片W、边缘环ER的一部分能够水平地进入发光部25p与受光部25r之间的大小。所以，发光部25p和受光部25r能够检测收纳于晶片用FOUP内的各晶片W1～W25的厚度和位置以及收纳于ER用FOUP内的边缘环ER1～ER12的厚度和位置的信息。
另外，控制装置30也可以为了判断由映射传感器MS检测的对象的厚度而使用阈值。例如，映射传感器MS在输送晶片W时和输送边缘环ER时，能够切换用于检测厚度的阈值。晶片W的厚度T2与边缘环ER的厚度T1相比通常较薄。例如，晶片W的厚度T2为1mm以下，边缘环ER的厚度T1为3mm以上。因此，输送晶片W时映射传感器MS的阈值可以被设定为与T2相应的阈值。另外，输送边缘环ER时映射传感器MS的阈值可以被设定为与T1相应的阈值。
因此，在输送晶片W时操作者误将晶片W收纳于ER用FOUP的情况下，映射传感器MS检测到超过在ER用FOUP内收纳有边缘环ER时设定的阈值的厚度的物体。当检测到超过阈值的厚度的物体时，基于从映射传感器MS发送到控制装置30的信息，控制装置30使第2输送机构25的动作停止。控制装置30也可以在显示部34显示警告。
但是，在FOUP内既不收纳边缘环ER也不收纳晶片W时，操作者误将晶片W收纳于ER用FOUP的情况下，映射传感器MS没有检测到物体而无法由控制装置30使动作停止。所以，在本实施方式中，在ER用FOUP内配置有比晶片W的厚度厚的分隔板110。另外，为了能够利用映射传感器MS进行检测，在分隔板110设置有第1缺口112a和第2缺口112b。
此外，分隔板110的配置位置优选ER用FOUP100的插槽7。这是因为，当在上方的插槽S8～S13中收纳未使用的边缘环ER、在下方的插槽S1～S6中收纳已使用的边缘环ER时，能够抑制由已使用的边缘环ER释放的气体等导致的未使用的边缘环ER的污染。但是，分隔板110的配置位置没有特别限定，能够插入任意的插槽。
另外，分隔板110的厚度为根据映射传感器MS的阈值设定能够检测误输送的厚度即可。例如，可以为超过晶片W用的阈值和边缘环ER用的阈值的厚度。另外，可以为超过晶片W用的阈值、边缘环ER用的阈值以下的厚度。不过，在晶片W用的阈值中设定上限值和下限值的情况下，当为下限值以下的厚度时，分隔板110自身的刚性变低，因此优选超过阈值的上限值的厚度。
此外，FOUP的材质可以为透明的防带电聚碳酸酯等。另外，FOUP的侧壁具有防带电性能。
此外，在上述实施方式中，映射传感器MS设置于第2输送机构25的拾取器。不限于此，例如，也可以在FOUP的开口左右位置配置映射传感器MS，将检测结果发送到控制装置30。
另外，用于使分隔板110与FOUP的内壁紧贴的密封部可以设置在分隔板110侧也可以设置在FOUP的内壁。
另外，收纳在FOUP中要输送的消耗品不限于边缘环ER。在同样输送其他消耗品的情况下，适当调整映射传感器MS的阈值和分隔板110的厚度。
(实施方式的输送方法)
图8是表示一实施方式的基片的输送方法的流程的一例的流程图。例如，操作者手动操作第2输送机构25将晶片W送入FOUP时，由控制装置30执行图8的处理。
首先，通过操作者的操作将FOUP设置在负载端口LP(步骤S81)。操作者在设置FOUP时指定FOUP的种类并存储在基片处理系统1中。然后，根据操作者的指示输入，第2输送机构25执行晶片W的输送。例如，第2输送机构25从负载锁定区块LLM接收晶片后向载置于负载端口LP的FOUP的开口输送晶片W。在输送晶片W时预先将映射传感器MS的阈值设定为晶片用的阈值(步骤S82)。接着，第2输送机构25的第1拾取器27a从FOUP的开口进入FOUP内。第2输送机构25在第1拾取器27a的发光部25p和受光部25r前进至图3所示的位置时停止。然后，第1拾取器27a一边在FOUP的前方在Z方向移动一边检测FOUP内的物体的厚度(步骤S83)。检测到的厚度的信息被发送到控制装置30。控制装置30判断映射传感器MS检测到的厚度是否超过阈值(步骤S84)。在判断为检测到超过阈值的厚度的情况下(步骤S84，是)，控制装置30使第2输送机构25的动作停止(步骤S85)。另一方面，在判断为没有检测到超过阈值的厚度的情况下(步骤S84，否)，控制装置30以原状态结束处理。之后，操作者能够继续输送晶片W。
如上所述，本实施方式的基片处理系统1能够根据设置于FOUP内的物体的厚度使输送继续或者停止。因此，在操作者存储于基片处理系统1的FOUP的种类错误的情况下，基片处理系统1也能够防止误输送以防止晶片W等的破损。此外，在图8中，以基于操作者的指示输入执行输送处理的情况为例进行了说明。不限于此，在将FOUP设置于负载端口LP后，控制装置30从FOUP自动读取表示FOUP的种类的识别标志等来进行输送处理的情况下，也可以执行图8的处理。例如，在控制装置30误读取FOUP的种类，将晶片W送入ER用FOUP时，也能够通过图8的处理来防止误输送。此外，也可以为与图8的处理并行地，控制装置30基于映射传感器MS检测到的信息，将空插槽的信息等通知操作者。另外，也可以为与图8的处理并行地，控制装置30基于检测结果更新存储于存储部31的FOUP的信息。
(实施方式的效果)
如上所述，一实施方式的消耗部件的保管容器包括多个收纳部、分隔板和固定部。多个收纳部能够逐一收纳从一个方向送入送出的消耗部件。分隔板构成为能够收纳在多个收纳部的一个收纳部中，具有构成为能够夹在检测部所具有的发光部与受光部之间的第1部分。固定部以能够将消耗部件从多个收纳部送入送出的方式在输送路径上进行固定。因此，保管容器能够使检测部检测到分隔板的存在。
另外，分隔板比基片厚。因此，分隔板能够使检测部检测为该保管容器不是基片用的保管容器。
另外，分隔板具有与消耗部件大致相同的厚度。因此，分隔板能够使检测部检测为该保管容器是消耗部件用的保管容器。
另外，分隔板与保管容器的壁面紧贴而将多个收纳部分为第1空间和第2空间。因此，分隔板能够防止由收纳在保管容器内的已使用的消耗部件导致的未使用的消耗部件的污染。
另外，具有分隔板的第1部分，是具有与发光部和受光部各自的形状对应的形状的两个缺口部所夹着的部分。因此，能够利用分隔板来不阻碍检测部的动作而实现检测。
一实施方式的保管容器的分隔板构成为能够代替消耗部件收纳在配置于基片的处理空间的消耗部件的保管容器内，具有比基片厚的、构成为能够夹在检测部所具有的发光部与受光部之间的第1部分。因此，能够不改变保管容器的结构，而将基片送入消耗部件用的保管容器。因此，能够防止误输送导致的基片的破损。
一实施方式的基片处理系统包括真空处理室、臂部件、检测部和控制部。真空处理室配置消耗部件并提供用于处理基片的处理空间。臂部件设置在真空处理室与收纳消耗部件和基片的任一者的保管容器之间的输送路径上，用于输送消耗部件和基片。检测部具有在设置于臂部件的前端的拾取器的第1端配置的发光部和在拾取器的第2端配置的受光部。控制部使检测部检测配置于保管容器内的部件的厚度，在检测到的厚度超过阈值的情况下，停止用臂部件输送基片。因此，基片处理系统能够防止基片的误输送。
一实施方式的基片的输送方法，利用具有配置在拾取器的第1端的发光部和配置在拾取器的第2端的受光部的检测部，检测配置在保管容器内的部件的厚度，其中该拾取器输送配置在真空处理室的消耗部件和在真空处理室中被处理的基片，该保管容器配置在消耗部件和基片的输送路径上且收纳消耗部件或者基片的任一者，在检测到的厚度超过阈值的情况下，停止输送基片。因此，基片处理系统能够防止基片的误输送。
本次公开的实施方式在所有方面是例示而非限制性的。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求的范围及其主旨的情况下，能够以各种方式进行省略、置换、改变。

Claims (8)

1.一种消耗部件的保管容器，其特征在于，包括：
多个收纳部，其构成为能够逐一收纳从一个方向送入送出的消耗部件；
构成为能够收纳在所述多个收纳部的一个收纳部中的分隔板，其具有构成为能够夹在检测部所具有的发光部与受光部之间的第1部分；和
固定部，其以能够将所述消耗部件从所述多个收纳部送入送出的方式在输送路径上进行固定。
2.如权利要求1所述的保管容器，其特征在于：
所述分隔板比基片厚。
3.如权利要求1或2所述的保管容器，其特征在于：
所述分隔板具有与所述消耗部件大致相同的厚度。
4.如权利要求1至3中任一项所述的保管容器，其特征在于：
所述分隔板与所述保管容器的壁面紧贴而将所述多个收纳部分为第1空间和第2空间。
5.如权利要求1至4中任一项所述的保管容器，其特征在于：
所述第1部分是具有与所述发光部和所述受光部各自的形状对应的形状的两个缺口部所夹着的部分。
6.一种保管容器的分隔板，其特征在于：
构成为能够代替所述消耗部件收纳在配置于所述基片的处理空间的消耗部件的保管容器内，具有比基片厚的、构成为能够夹在检测部所具有的发光部与受光部之间的第1部分。
7.一种基片处理系统，其特征在于，包括：
真空处理室，其配置消耗部件并提供用于处理基片的处理空间；
臂部件，其设置在所述真空处理室与收纳所述消耗部件和所述基片的任一者的保管容器之间的输送路径上，用于输送所述消耗部件和所述基片；
具有发光部和受光部的检测部，其中所述发光部配置在设置于所述臂部件的前端的拾取器的第1端，所述受光部配置在所述拾取器的第2端；和
控制部，其使所述检测部检测配置于所述保管容器内的部件的厚度，在检测到的厚度超过阈值的情况下，停止用所述臂部件输送所述基片。
8.一种基片的输送方法，其特征在于：
利用具有配置在拾取器的第1端的发光部和配置在所述拾取器的第2端的受光部的检测部，来检测配置于保管容器内的部件的厚度，其中所述拾取器输送配置在真空处理室的消耗部件和在真空处理室中被处理的基片，所述保管容器配置在所述消耗部件和所述基片的输送路径上且收纳所述消耗部件或基片的任一者，
在检测到的厚度超过阈值的情况下，停止输送所述基片。
CN202010118940.6A 2019-03-07 2020-02-26 分隔板、保管容器、基片处理系统和基片的输送方法 Pending CN111668142A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-041408 2019-03-07
JP2019041408A JP7357453B2 (ja) 2019-03-07 2019-03-07 基板処理システムおよび基板の搬送方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111668142A true CN111668142A (zh) 2020-09-15

Family

ID=72334682

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010118940.6A Pending CN111668142A (zh) 2019-03-07 2020-02-26 分隔板、保管容器、基片处理系统和基片的输送方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11735448B2 (zh)
JP (1) JP7357453B2 (zh)
KR (1) KR20200107810A (zh)
CN (1) CN111668142A (zh)
TW (1) TW202043123A (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11004713B2 (en) 2019-05-16 2021-05-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Robot arm device and method for transferring wafer
US20220084854A1 (en) * 2020-09-16 2022-03-17 Changxin Memory Technologies, Inc. Wafer transferring device
TW202232624A (zh) * 2020-10-26 2022-08-16 日商東京威力科創股份有限公司 處理系統及搬運方法
US20220285186A1 (en) * 2021-03-03 2022-09-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for mapping wafers in a wafer carrier
KR102496544B1 (ko) * 2021-08-10 2023-02-07 권재헌 웨이퍼 안착 상태 감지기능을 구비하는 웨이퍼 버퍼
CN114823441B (zh) * 2022-06-28 2022-09-02 深圳市星国华先进装备科技有限公司 一种针测机传输机构晶圆防滑出保护装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003218018A (ja) * 2002-01-25 2003-07-31 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP3169676U (ja) * 2011-05-31 2011-08-11 東京エレクトロン株式会社 基板検出装置及び基板検出装置を具備する基板処理装置
CN102881618A (zh) * 2011-07-15 2013-01-16 东京毅力科创株式会社 基板搬送装置、基板处理系统和基板搬送方法
US20170117170A1 (en) * 2015-10-22 2017-04-27 Lam Research Corporation Front Opening Ring Pod
CN107845588A (zh) * 2016-09-20 2018-03-27 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板搬送方法
TW201824441A (zh) * 2016-08-31 2018-07-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法及基板處理系統
CN109415837A (zh) * 2016-06-30 2019-03-01 株式会社荏原制作所 基板固持器、电子元件制造装置中搬送基板的搬送系统、及电子元件制造装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1313329C (zh) * 2001-04-01 2007-05-02 诚实公司 晶片承载器与插入件以及支承薄晶片的方法
TW547460U (en) * 2001-10-09 2003-08-11 Advanced Semiconductor Eng Storage box for chip
JP3964662B2 (ja) * 2001-12-03 2007-08-22 東京エレクトロン株式会社 基板の取り出し方法
CN1316583C (zh) * 2002-11-26 2007-05-16 株式会社迪斯科 用于储存多个半导体片的盒子
JP5353336B2 (ja) 2009-03-16 2013-11-27 株式会社安川電機 基板検出装置およびそれを備えた基板搬送装置
JP5650935B2 (ja) 2009-08-07 2015-01-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法
DE102010018465B4 (de) * 2010-04-27 2020-02-06 Centrotherm Photovoltaics Ag Vorrichtung und Verfahren zum Ermitteln der räumlichen Lage von Plattenelementen eines Waferbootes sowie Beladevorrichtung und Verfahren zum Be- und/oder Entladen eines solchen Waferbootes
JP5797430B2 (ja) * 2011-03-18 2015-10-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板収容器
JP5703878B2 (ja) * 2011-03-22 2015-04-22 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
JP2014007344A (ja) 2012-06-26 2014-01-16 Disco Abrasive Syst Ltd 収容カセット
US10014198B2 (en) 2015-08-21 2018-07-03 Lam Research Corporation Wear detection of consumable part in semiconductor manufacturing equipment
US10062599B2 (en) * 2015-10-22 2018-08-28 Lam Research Corporation Automated replacement of consumable parts using interfacing chambers
US10543988B2 (en) * 2016-04-29 2020-01-28 TricornTech Taiwan Real-time mobile carrier system for facility monitoring and control
US20190279887A1 (en) * 2018-03-07 2019-09-12 Kuo Yang Ma Vapor reduction device for a semiconductor wafer
JP7446073B2 (ja) * 2019-09-27 2024-03-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003218018A (ja) * 2002-01-25 2003-07-31 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP3169676U (ja) * 2011-05-31 2011-08-11 東京エレクトロン株式会社 基板検出装置及び基板検出装置を具備する基板処理装置
CN102881618A (zh) * 2011-07-15 2013-01-16 东京毅力科创株式会社 基板搬送装置、基板处理系统和基板搬送方法
US20170117170A1 (en) * 2015-10-22 2017-04-27 Lam Research Corporation Front Opening Ring Pod
CN109415837A (zh) * 2016-06-30 2019-03-01 株式会社荏原制作所 基板固持器、电子元件制造装置中搬送基板的搬送系统、及电子元件制造装置
TW201824441A (zh) * 2016-08-31 2018-07-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法及基板處理系統
CN107845588A (zh) * 2016-09-20 2018-03-27 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板搬送方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020145333A (ja) 2020-09-10
KR20200107810A (ko) 2020-09-16
JP7357453B2 (ja) 2023-10-06
US20200286752A1 (en) 2020-09-10
US20230290660A1 (en) 2023-09-14
TW202043123A (zh) 2020-12-01
US11735448B2 (en) 2023-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111668142A (zh) 分隔板、保管容器、基片处理系统和基片的输送方法
KR20180025290A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템
KR101877425B1 (ko) 기판 반송 장치, 기판 반송 방법 및 기억 매체
KR101009855B1 (ko) 기판처리장치 및 그 기판반송방법
TWI540668B (zh) 基板處理裝置、基板裝置之運用方法及記憶媒體
KR20010006331A (ko) 통합된 인트라베이 버퍼, 운반, 그리고 스톡커 시스템
US20090060692A1 (en) Substrate positional misalignment detection system
US11257707B2 (en) Substrate gripping mechanism, substrate transfer device, and substrate processing system
KR20190024718A (ko) 반송 장치 및 기판 처리 장치
US20090294442A1 (en) Lid opening/closing system for closed container, contained object insertion/takeout system having same lid opening/closing system, and substrate processing method using same lid opening/closing system
US20220285180A1 (en) Enclosure system structure
TW202308024A (zh) 裝載端口
KR100840959B1 (ko) 중계 스테이션 및 중계 스테이션을 이용한 기판 처리시스템
KR20070001636A (ko) 센서가 장착된 도어와 이를 구비한 웨이퍼 처리 장치
KR101620545B1 (ko) 기판 정렬 장치 및 게이트 밸브 그리고 그것을 갖는 클러스터 설비
CN111029285B (zh) 装载埠和检测装载埠的foup盖的异常的方法
JP3954714B2 (ja) 基板搬送装置
KR20030076856A (ko) 반도체 웨이퍼의 매핑 장치
KR100994478B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20040021985A (ko) 자동이송장치의 카세트 로딩상태 감지구조
KR20220122632A (ko) 반송 시스템
KR20020006073A (ko) 웨이퍼 감지를 위한 웨이퍼 반송 로봇
KR100362943B1 (ko) 스탠더드 메커니컬 인터페이스 시스템의 웨이퍼 돌출 감지장치
JP2004253507A (ja) 局所クリーン化ウエハ処理装置
KR20070083038A (ko) 웨이퍼 캐리어

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination