CN111667992B - 线圈电子组件 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种线圈电子组件，所述线圈电子组件包括：主体，具有第一表面、第二表面、第三表面和第四表面；绝缘基板，设置在主体中；线圈部，分别设置在绝缘基板的相对表面上；第一引出部，连接到线圈部中的一个线圈部，并且从第一表面和第三表面暴露；第二引出部，连接到线圈部中的另一线圈部，并且从第二表面和第三表面暴露；以及第一外电极和第二外电极，第一外电极覆盖第一引出部，第二外电极覆盖第二引出部。绝缘基板包括：支撑部，支撑线圈部；第一端部，从支撑部延伸，并且包括分别从第一表面和第三表面暴露且彼此间隔开的端表面；以及第二端部，从支撑部延伸，并且包括从第二表面和第三表面暴露且彼此间隔开的端表面。

Description

线圈电子组件
本申请要求于2019年3月6日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0025971号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种线圈电子组件。
背景技术
电感器(一种类型的线圈组件)是在电子装置中连同电阻器和电容器一起使用的无源电子组件。
在线圈组件中，薄膜线圈组件可通过以下步骤制造：通过在绝缘基板上通过镀覆方法形成线圈来制造线圈基板，通过在线圈基板上层叠包括混合在其中的磁性粉末和树脂的磁性复合片来制造主体，以及在主体的外部上形成外电极。
由于电子装置已被设计为具有高的性能和减小的尺寸，因此在电子装置中使用的线圈组件的数量已增大并且线圈组件的尺寸已减小。因此，薄膜线圈组件的厚度和线圈基板的厚度已减小。
然而，随着线圈基板的厚度的减小，可能因为线圈基板的翘曲等而难以精确地控制线圈基板。作为示例，线圈基板的位置可能由于在层叠磁性复合片的工艺期间产生的压力和热而变形。
发明内容
本公开的一方面在于提供一种可使基板的变形显著减少的线圈电子组件。
本公开的另一方面在于提供一种可具有减小的重量和尺寸的线圈电子组件。
根据本公开的一方面，提供一种线圈电子组件，所述线圈电子组件包括：主体，具有彼此相对的第一表面和第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面且彼此相对的第三表面和第四表面；绝缘基板，设置在所述主体中；第一线圈部和第二线圈部，分别设置在所述绝缘基板的相对表面上；第一引出部，连接到所述第一线圈部的一端，并且从所述主体的所述第一表面和所述第三表面暴露；第二引出部，连接到所述第二线圈部的一端，并且从所述主体的所述第二表面和所述第三表面暴露；以及第一外电极和第二外电极，所述第一外电极覆盖所述第一引出部，所述第二外电极覆盖所述第二引出部。所述绝缘基板包括：支撑部，支撑所述第一线圈部和所述第二线圈部；第一端部，从所述支撑部延伸，并且具有嵌在所述第一引出部中的至少一部分，并且包括从所述主体的所述第一表面暴露的一个端表面以及从所述主体的所述第三表面暴露且与所述一个端表面间隔开的另一端表面；以及第二端部，从所述支撑部延伸，并且具有嵌在所述第二引出部中的至少一部分，并且包括从所述主体的所述第二表面暴露的一个端表面以及暴露于所述第三表面且与所述第二端部的所述一个端表面间隔开的另一端表面，并且所述第一端部的所述另一端表面和所述第二端部的所述另一端表面彼此间隔开。
所述主体可具有1608的尺寸或更小的尺寸。
所述线圈部可平行于所述主体的所述第一表面和所述第二表面设置。
所述线圈部可在80°至100°的角度内垂直于所述主体的所述第三表面或所述第四表面设置。
覆盖所述第一引出部的所述第一外电极和覆盖所述第二引出部的所述第二外电极可延伸到所述主体的所述第一表面、所述第二表面和所述第三表面，并且可不设置在所述主体的所述第四表面上。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：
图1是示出根据本公开的示例实施例的线圈电子组件的线圈部的透视图；
图2是示出根据本公开的示例实施例的线圈电子组件的线圈部的透视图；
图3是示出根据本公开的示例实施例的从主体的第三表面观察的图2中示出的线圈电子组件的主体的透视图；
图4A至图4D是示出根据本公开的示例实施例的制造图1至图3中示出的线圈电子组件的方法的截面图；
图5是示出根据本公开的另一示例实施例的从主体的第三表面观察的线圈电子组件的主体的透视图；以及
图6是示出根据本公开的另一示例实施例的从主体的第三表面观察的线圈电子组件的主体的透视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图如下描述本公开的实施例。
提供以下描述中的使用的术语以用于解释特定示例性实施例，并非意在限制。除非另外表明，否则单数术语包括复数形式。说明书的术语“包括”、“包含”、“被构造为”等用于表示特征、数量、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组合的存在，但不排除组合或添加一个或更多个其他特征、数量、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组合的可能性。此外，术语“设置在……上”、“位于……上”、“安装在……上”等可表示元件可设置在另一元件上或另一元件的下方，并不必然表示元件相对于重力方向仅设置在上部中。
将理解的是，当元件“与”另一元件“结合”/“结合到”另一元件或“与”另一元件“连接”时，所述元件可直接与另一元件结合/直接结合到另一元件或直接与另一元件连接，并且在所述元件与另一元件之间可存在中介元件。
附图中示出的元件的尺寸和厚度仅是示例，以帮助理解本公开的技术要件。
在附图中，X方向是第一方向或长度方向，Y方向是第二方向或宽度方向，Z方向是第三方向或厚度方向。
在附图中，相同的元件将由相同的附图标记表示。此外，将不提供可能不必要地使本发明的要点模糊的已知功能和已知元件的冗余描述和详细描述。
在电子装置中，可使用各种类型的电子组件，并且在电子组件之间可使用各种类型的线圈组件，以去除噪声和用于其他目的。
在电子装置中，线圈组件可用作功率电感器、高频(HF)电感器、普通磁珠、高频(例如，GHz)磁珠、共模滤波器等。
在以下描述中，将描述线圈电子组件10实现为在供电电路的电力线中使用的薄膜电感器的示例实施例。除了薄膜电感器之外，示例实施例中的线圈组件也可实现为片式磁珠、片式滤波器等。
第一示例实施例
图1是示出根据示例实施例的线圈电子组件的线圈部的透视图。图2是示出根据示例实施例的线圈电子组件的线圈部的透视图。图3是示出根据示例实施例的从主体的第三表面观察的图2中示出的线圈电子组件的主体的透视图。
参照图1至图3，示例实施例中的线圈电子组件10可包括主体50、绝缘基板23、线圈部42和44、引出部62和64以及外电极851和852，并且还可包括加强层31和32。
主体50可形成线圈电子组件10的外观，并且可包括设置在主体50中的绝缘基板23。
主体50可具有六面体形状。
主体50可包括在长度方向(X)上彼此相对的第一表面101和第二表面102、在厚度方向(Z)上彼此相对的第三表面103和第四表面104以及在宽度方向(Y)上彼此相对的第五表面105和第六表面106。主体50的彼此相对的第三表面103和第四表面104可连接主体50的彼此相对的第一表面101和第二表面102。
主体50可被构造为使得包括设置在其中的外电极851和852的线圈电子组件10可具有0.2±0.1mm的长度、0.25±0.1mm的宽度和0.4mm的厚度，但其示例实施例不限于此。
主体50可包括磁性材料和绝缘树脂。例如，主体50可通过层叠包括绝缘树脂和分散在绝缘树脂中的磁性材料的一个或更多个磁性复合片形成。主体50的结构也可与磁性材料设置在绝缘树脂中的结构不同。例如，主体50可利用诸如铁氧体的磁性材料形成。
磁性材料可以是铁氧体粉末或磁性金属粉末。
例如，铁氧体粉末可以是尖晶石型铁氧体(诸如，Mg-Zn基铁氧体、Mn-Zn基铁氧体、Mn-Mg基铁氧体、Cu-Zn基铁氧体、Mg-Mn-Sr基铁氧体、Ni-Zn基铁氧体等)、六角晶系铁氧体(诸如，Ba-Zn基铁氧体、Ba-Mg基铁氧体、Ba-Ni基铁氧体、Ba-Co基铁氧体、Ba-Ni-Co基铁氧体等)、石榴石型铁氧体(诸如，Y基铁氧体)和Li基铁氧体中的一种或更多种。
磁性金属粉末可包括铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铝(Al)、铌(Nb)、铜(Cu)和镍(Ni)中的至少一种或它们的合金。例如，磁性金属粉末可以是纯铁粉末、Fe-Si基合金粉末、Fe-Si-Al基合金粉末、Fe-Ni基合金粉末、Fe-Ni-Mo基合金粉末、Fe-Ni-Mo-Cu基合金粉末、Fe-Co基合金粉末、Fe-Ni-Co基合金粉末、Fe-Cr基合金粉末、Fe-Cr-Si基合金粉末、Fe-Si-Cu-Nb基合金粉末、Fe-Ni-Cr基合金粉末和Fe-Cr-Al基合金粉末中的一种或更多种。
磁性金属粉末可以是非晶的或结晶的。例如，磁性金属粉末可以是Fe-Si-B-Cr基非晶合金粉末，但磁性金属粉末的示例实施例不限于此。
铁氧体粉末和磁性金属粉末中的每者的平均直径可以是0.1μm至30μm，但铁氧体粉末和磁性金属粉末中的每者的平均直径的示例实施例不限于此。
主体50可包括分散在绝缘树脂中的两种或更多种不同类型的磁性材料。可包括不同类型的磁性材料的概念表明磁性材料可通过平均直径、成分、结晶度和形状中的一种来彼此区分开。
绝缘树脂可包括环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物等中的一种或它们的组合，但绝缘树脂的示例实施例不限于此。
绝缘基板23可设置在主体50中，并且线圈部42和44可分别设置在绝缘基板23的两个表面上。绝缘基板23可包括：支撑部24，支撑线圈部42和44；以及端部231和232，分别支撑引出部62和64。绝缘基板23的厚度T1可以大于或等于10μm且小于或等于60μm。当绝缘基板23的厚度小于10μm时，线圈部42和44之间可能发生电短路，并且当绝缘基板23的厚度大于60μm时，线圈组件的厚度可能增大，使得可能难以减小线圈组件的尺寸。根据示例实施例，与绝缘基板23的厚度为60μm的示例相比，当绝缘基板23的厚度为30μm时，电感Ls(μH)可减小7.2％，并且饱和电流Isat(A)可增大8.9％，与绝缘基板23的厚度为30μm的示例相比，当绝缘基板23的厚度为20μm时，Ls(μH)可增大2.5％，并且Isat(A)可增大2.2％。
绝缘基板23可利用热固性绝缘树脂(诸如，环氧树脂)、热塑性绝缘树脂(诸如，聚酰亚胺树脂)或包括感光绝缘树脂的绝缘材料形成，或者可利用在上述绝缘材料中浸渍增强材料(诸如，玻璃纤维或无机填料)的绝缘材料形成。例如，绝缘基板23可利用诸如半固化片、ABF(Ajinomoto Build-up Film)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)、感光电介质(PID)等的绝缘材料形成，但材料的示例可不限于此。
从利用二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)、硫酸钡(BaSO4)、滑石、粘土、云母粉末、氢氧化铝(Al(OH)3)、氢氧化镁(Mg(OH)2)、碳酸钙(CaCO3)、碳酸镁(MgCO3)、氧化镁(MgO)、氮化硼(BN)、硼酸铝(AlBO3)、钛酸钡(BaTiO3)和锆酸钙(CaZrO3)组成的组中选择的一种或更多种成分可用作无机填料。
当绝缘基板23利用包括增强材料的绝缘材料形成时，绝缘基板23可提供改善的刚度。当绝缘基板23利用不包括玻璃纤维的绝缘材料形成时，可易于减小线圈部42和44的整体厚度。当绝缘基板23利用包括感光绝缘树脂的绝缘材料形成时，可减少用于形成线圈部42和44的工艺的数量，从而可降低生产成本并且可形成精细的过孔。
绝缘基板23的支撑部24可设置在线圈部42和44之间，并且可支撑线圈部42和44。
第一端部231可从支撑部24延伸，可设置在第一引出部62与第一虚设引出部63之间，并且可支撑第一引出部62和第一虚设引出部63。第二端部232可从支撑部24延伸，可设置在第二引出部64与第二虚设引出部65之间，并且可支撑第二引出部64和第二虚设引出部65。
例如，第一端部231可从支撑部24延伸，第一端部231的至少一部分可嵌在第一引出部62中，并且第一端部231可包括暴露于主体50的第一表面101的一个端表面以及暴露于第三表面103且与所述一个端表面间隔开的另一端表面。第二端部232可从支撑部24延伸，第二端部232的至少一部分可嵌在第二引出部64中，并且第二引出部64可包括暴露于主体50的第二表面102的一个端表面以及暴露于第三表面103且与所述一个端表面间隔开的另一端表面。
线圈部42和44可设置在绝缘基板23的彼此相对的两个表面上，并且可实现线圈电子组件的特性。例如，当线圈电子组件10用作功率电感器时，线圈部42和44可通过将电场存储为磁场以保持输出电压，从而使电子装置的功率稳定。
示例实施例中的线圈部42和44可垂直于主体50的第三表面103或第四表面104设置。
线圈部42和44可垂直于第三表面103或第四表面104设置的概念可表示线圈部42和44的与绝缘基板23相邻的表面可垂直或几乎垂直于主体50的第三表面103或第四表面104设置。例如，线圈部42和44可在80°至100°的角度内大体垂直于主体50的第三表面103或第四表面104设置。
线圈部42和44可平行于主体50的第五表面105和第六表面106设置。因此，线圈部42和44的与绝缘基板23接触的表面可平行于主体50的第五表面105和第六表面106。
由于主体50可具有1608的尺寸或1006的尺寸或者更小的尺寸，因此主体50的厚度可大于宽度，并且主体50的在XZ方向上截取的截面可大于主体50的在XY方向上截取的截面。因此，由于线圈部42和44可垂直于主体50的第三表面103或第四表面104设置，因此可设置线圈部42和44的区域可增大。
例如，当主体50的长度为1.6±0.2mm并且宽度为0.8±0.05mm时，主体50的厚度可满足1.0±0.05mm的范围(1608的尺寸)。当主体50的长度为0.2±0.1mm并且宽度为0.25±0.1mm时，主体50的厚度可满足最大值为0.4mm或更小(1006的尺寸)。由于厚度大于宽度，因此与线圈部42和44平行于主体50的第三表面103或第四表面104设置的示例相比，当线圈部42和44垂直于主体50的第三表面103或第四表面104设置时，线圈部42和44可确保较大的面积。线圈部42和44的面积越大，电感(L)和品质因数(Q)可改善的程度越大。
第一线圈部42和第二线圈部44中的每者可具有相对于作为轴的芯部71形成至少一匝的平面螺旋形式。作为示例，第一线圈部42可在绝缘基板23的一个表面上相对于作为轴的芯部71形成至少一匝。
线圈部42和44可包括螺旋形状的线圈图案，并且设置在绝缘基板23的彼此相对的两个表面上的线圈部42和44可通过形成在绝缘基板23中的过孔电极(未示出)彼此电连接。
线圈部42和44以及过孔电极(未示出)可包括具有高导电率的金属。例如，线圈部42和44以及过孔电极(未示出)可利用银(Ag)、钯(Pd)、铝(Al)、镍(Ni)、钛(Ti)、金(Au)、铜(Cu)、铂(Pt)或它们的合金或者其他元素形成。
引出部62和64可分别暴露于主体50的第一表面101和第二表面102。例如，第一引出部62和第一虚设引出部63可暴露于主体50的第一表面101，第二引出部64和第二虚设引出部65可暴露于主体50的第二表面102。
参照图1和图2，形成在绝缘基板23的一个表面上的第一线圈部42的一端可延伸并可形成第一引出部62，并且第一引出部62可暴露于主体50的第一表面101和第三表面103。此外，形成在绝缘基板23的与所述一个表面相对的另一表面上的第二线圈部44的一端可延伸并可形成第二引出部64，并且第二引出部64可暴露于主体50的第二表面102和第三表面103。设置有示例实施例的第一引出部62和第二引出部64的区域可比主体50的宽度窄。第一引出部62和第二引出部64可分别从主体50的第一表面101和第二表面102延伸，并且可引出到第三表面103，并且第一引出部62和第二引出部64可不设置在主体50的第四表面104、第五表面105和第六表面106上。
参照图1至图3，外电极851和852以及线圈部42和44可通过设置在主体50中的引出部62和64彼此连接。然而，在示例实施例中，第一引出部62可被构造为以一体的形式连接到第一虚设引出部63，并且第二引出部64可被构造为以一体的形式连接到第二虚设引出部65，以分别改善外电极851与引出部62之间的结合力以及外电极852与引出部64之间的结合力。当引出部62和64以及虚设引出部63和65分开设置时，由于端部231和232的电连接性可与引出部62和64的电连接性不同，因此可在第一引出部62与第一虚设引出部63之间以及第二引出部64和第二虚设引出部65之间的区域(设置有端部231和232的区域)中形成凹陷结构。如图1和图2所示，由于引出部中的每者具有“L”形状的形式，因此引出部62和64中的每者的内部部分也可被加工为具有“L”形状的形式。在加工之后，端部231和232可以以与设置在主体50中的保留的引出部62和64的形式一致的阶梯形式嵌入。因此，端部231和232的端表面在引出部62和64中可暴露于主体的第一表面101、第二表面102和第三表面103。第一端部231可从支撑部24延伸，第一端部231的至少一部分可嵌在第一引出部62中，并且第一端部231可包括暴露于主体50的第一表面101的一个端表面以及暴露于第三表面103且与所述一个端表面间隔开的另一端表面。第二端部232可从支撑部24延伸，第二端部232的至少一部分可嵌在第二引出部64中，并且第二端部232可包括暴露于主体50的第二表面102的一个端表面以及暴露于第三表面103且与所述一个端表面间隔开的另一端表面。第一端部231的另一端表面可与第二端部232的另一端表面间隔开。在去除嵌入的端部231和232时，绝缘基板23(具体地，端部231和232)可能变形。因此，可优先设置用于支撑端部231和232的加强层31和32。
引出部62和64可包括诸如铜(Cu)的导电金属，并且可在镀覆线圈部时形成。与一般的下电极结构相比，当连续形成在主体的第一表面至第三表面上的引出部62和64形成在主体50中时，可增大引出部与外电极之间的接触面积，因此，可减小线圈电子组件的尺寸并且可实现高容量。
加强层31和32可设置在端部231和232的至少一个表面上。参照图1至图6，加强层31和32可从端部231和232的一个端表面延伸到另一端表面。例如，第一加强层31的至少一部分可嵌在第一引出部62中，并且第一加强层31可从第一端部231的暴露于主体的第一表面101的一个端表面延伸到第一端部231的暴露于第三表面103且与所述一个端表面间隔开的另一端表面。第二加强层32的至少一部分可嵌在第二引出部64中，并且第二加强层32可从第二端部232的暴露于主体的第二表面102的一个端表面延伸到第二端部232的暴露于第三表面103且与所述一个端表面间隔开的另一端表面。在示例实施例中，加强层31和32中的每者的厚度T2可以大于或等于1μm且小于或等于50μm。当绝缘基板23的厚度为60μm时，加强层31和32中的每者的厚度可被调整到1μm与2μm之间，并且加强层31和32中的每者的与绝缘基板23对应的最小厚度可以为1μm或更大。如上所述，当绝缘基板23的厚度减小时，加强层31和32中的每者的厚度可相对增大。当绝缘基板23的厚度为25μm时，加强层31和32中的每者的厚度可被调整到18μm或更大。当绝缘基板23的厚度为15μm时，加强层31和32中的每者的厚度可被调整到35μm或更大。当加强层31和32中的每者的厚度超过50μm时，线圈组件的整体厚度可能增大，使得可能难以减小线圈组件的尺寸。
参照图1至图3，端部231和232的端表面中的每个端表面的长度L1可与加强层31和32的端表面中的每个端表面的长度L2对应。在示例实施例中，加强层31和32在主体50的表面上的暴露位置(相对于绝缘基板23)可根据阻镀剂33(图4C中所示)的位置而改变。在示例实施例中，当阻镀剂33形成在与加强层31和32接触的区域中时，端部231和232的暴露于主体50的第一表面101、第二表面102和第三表面103的端表面中的每个端表面的长度L1可与加强层31和32的暴露于主体50的第一表面101、第二表面102和第三表面103的端表面中的每个端表面的长度L2相同(如图3所示)。
虚设引出部63和65可分别设置在绝缘基板23的一个表面和另一表面上，以分别与引出部62和64对应。在示例实施例中，还可包括：第一虚设引出部63，与第一引出部62相对地设置在绝缘基板23的表面上；以及第二虚设引出部65，与第二引出部64相对地设置在绝缘基板23的表面上。在示例实施例中，为了改善外电极851和852与引出部62和64之间的结合力，第一引出部62可被构造为以一体的形式连接到第一虚设引出部63，第二引出部64可被构造为以一体的形式连接到第二虚设引出部65。
线圈部42和44、过孔电极(未示出)、引出部62和64以及虚设引出部63和65中的至少一者可包括一个或更多个导电层。
作为示例，当通过镀覆工艺在绝缘基板23的表面上形成线圈部42和44、虚设引出部63和65以及过孔电极(未示出)时，线圈部42和44、虚设引出部63和65以及过孔电极(未示出)可包括诸如无电镀层的种子层和电镀层。电镀层可具有单层结构或者可具有多层结构。具有多层结构的电镀层可以以一个电镀层覆盖其它电镀层的共形膜结构形成，或者可以以一个电镀层仅层叠在另一电镀层的一个表面上的形式形成。线圈部42和44的种子层、虚设引出部63和65的种子层以及过孔电极(未示出)的种子层可彼此成为一体，使得它们之间可不形成边界，但其示例实施例不限于此。线圈部42和44的电镀层、虚设引出部63和65的电镀层以及过孔电极(未示出)的电镀层可彼此成为一体，使得它们之间可不形成边界，但其示例实施例不限于此。
线圈部42和44、引出部62和64、虚设引出部63和65以及过孔电极(未示出)可利用导电材料(诸如，铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金)形成，但材料可不限于此。
参照图1和图2，当虚设引出部63和65与磁性片(其上设置有线圈部42和44、第一引出部62以及第二引出部64)相邻地层叠时，可与设置在主体50的第一表面101、第二表面102和第三表面103上的外电极851和852发生更大量的金属结合。因此，可改善线圈部42和44与外电极851和852之间的粘合力以及电子组件与印刷电路板之间的粘合力。
外电极851和852可设置在主体50的第一表面101、第二表面102和第三表面103上。
在示例实施例中，第一外电极851可设置在主体50的第一表面101和第三表面103上，以连接到暴露于主体50的第一表面101和第三表面103的第一引出部62，第二外电极852可设置在主体50的第二表面102和第三表面103上，以连接到暴露于主体50的第二表面102和第三表面103的第二引出部64。设置有外电极851和852的区域可比主体50的宽度窄。第一外电极851可覆盖第一引出部62，可从主体50的第一表面101延伸，并且可设置在第三表面103上，并且可不设置在主体50的第四表面104、第五表面105和第六表面106上。第二外电极852可覆盖第二引出部64，可从主体50的第二表面102延伸，并且可设置在第三表面103上，并且可不设置在主体50的第四表面104、第五表面105和第六表面106上。
当外电极851和852形成在第三表面103上时，来自外电极851和852的干扰磁通流动的影响可降低，使得诸如电感(L)、品质因数(Q)等的电感器性能可改善。
外电极851和852中的每者可具有单层结构或者可具有多层结构。外电极851和852可包括覆盖引出部62和64的第一层85a以及覆盖第一层85a的第二层85b。例如，在示例实施例的线圈组件中，第一层85a可包括镍(Ni)，第二层85b可包括锡(Sn)。
制造线圈电子组件的方法
图4A至图4D是示出根据示例实施例的用于按顺序制造线圈电子组件的方法的工艺中的部分的示图。
参照图4A，铜箔层30以及加强层31和32可形成在绝缘基板23上。
作为示例，铜箔层30以及加强层31和32可通过如下步骤形成：在覆铜层压板(CCL)的一个表面上形成具有开口的抗蚀剂，蚀刻暴露于开口的铜箔，以及去除抗蚀剂。加强层31和32可利用铜箔形成。抗蚀剂可通过在覆铜层压板上层叠干膜(DF)并且执行光刻工艺来形成。由于抗蚀剂覆盖与利用铜箔形成的铜箔层30和第一加强层31对应的区域，因此铜箔层30和第一加强层31可因此而保留在绝缘基板23上。然而，其示例实施例不限于此，铜箔层30以及加强层31和32还可通过在半固化片(PPG)的一个表面上的选择性镀覆工艺形成。
铜箔层30可以是用于电镀工艺的镀覆入口线。
加强层31和32可设置在绝缘基板23的端部231和232上，以防止绝缘基板23变形。加强层31和32可形成闭环，并且绝缘基板23的一部分可被闭环包围。
参照图4B，可去除绝缘基板23的设置有引出部62和64的区域。
例如，由于引出部具有“L”形状的形式，所以引出部62和64中的每者的内部部分可被加工为具有“L”形状的形式。在该工艺期间，可去除绝缘基板23的被加强层31和32包围的区域。当使用激光去除绝缘基板23的该区域时，可能由于激光施加的能量而发生绝缘基板23的翘曲。由于绝缘基板(具体地，端部231和232)在去除嵌入的端部231和232的工艺期间可能形，因此可优先设置支撑端部231和232的加强层31和32。
在加工之后，可以以与设置在主体50中的引出部62和64的形式一致的阶梯形式嵌入端部231和232。因此，端部231和232的端表面在引出部62和64中可暴露于主体的第一表面101、第二表面102和第三表面103。因此，第一端部231可从支撑部24延伸，第一端部231的至少一部分可嵌在第一引出部62中，并且第一端部231可包括暴露于主体50的第一表面101的一个端表面以及暴露于第三表面103且与所述一个端表面间隔开的另一端表面。第二端部232可从支撑部24延伸，第二端部232的至少一部分可嵌在第二引出部64中，并且第二端部232可包括暴露于主体50的第二表面102的一个端表面以及暴露于第三表面103且与所述一个端表面间隔开的另一端表面。第一端部231的另一端表面可与第二端部232的另一端表面间隔开。
参照图4C，可在绝缘基板23上形成阻镀剂33，阻镀剂33具有与线圈部42和44对应的开口以及与引出部62和64对应的开口。
参照图4D，可通过电镀工艺在绝缘基板23上形成引出部62和64以及线圈部42和44，可去除阻镀剂33，并且可执行修整工艺。
参照图1至图3，端部231和232的端表面中的每个端表面的长度L1可与加强层31和32的端表面中的每个端表面的长度L2对应。在示例实施例中，加强层31和32在主体50的表面上的暴露位置(相对于绝缘基板23)可根据阻镀剂33的位置而改变。在示例实施例中，当阻镀剂33形成在与加强层31和32接触的区域中时，端部231和232的暴露于主体50的第一表面101、第二表面102和第三表面103的端表面中的每个端表面的长度L1可与加强层31和32的暴露于主体50的第一表面101、第二表面102和第三表面103的端表面中的每个端表面的长度L2相同(如图3所示)。
第二示例实施例
在该示例实施例中，可应用与上述示例实施例中描述的构造的描述相同的描述。图5是示出根据另一示例实施例的从主体的第三表面观察的线圈电子组件的主体的透视图。
图5是示出从主体的第三表面观察的线圈电子组件10中的除了外电极851和852的区域之外的主体的透视图。参照图1至图4D，与在上述示例实施例中的线圈电子组件10相比，加强层31和32的位置可不同。因此，在该示例实施例中，将仅描述加强层31和32的与上述示例实施例中描述的加强层31和32的结构不同的结构。其他元件的描述将与上述示例实施例中的其他元件的描述相同。
加强层31和32可设置在端部231和232的至少一个表面处。参照图1至图6，加强层31和32可从端部231和232的一个端表面延伸到另一端表面。例如，第一加强层31的至少一部分可嵌在第一引出部62中，并且第一加强层31可从第一端部231的暴露于主体的第一表面101的一个端表面延伸到暴露于第三表面103且与所述一个端表面间隔开的另一端表面。第二加强层32的至少一部分可嵌在第二端部232中，并且第二加强层32可从第二端部232的暴露于第二表面102的一个端表面延伸到第二端部232的暴露于第三表面103且与所述一个端表面间隔开的另一端表面。在示例实施例中，加强层31和32中的每者的厚度T2可以大于或等于1μm且小于或等于50μm。当绝缘基板23的厚度为60μm时，加强层31和32中的每者的厚度可被调整到1μm与2μm之间，并且加强层31和32中的每者的与绝缘基板23对应的最小厚度可以是1μm或更大。如上所述，当绝缘基板23的厚度减小时，加强层31和32中的每者的厚度可相对增大。当绝缘基板23的厚度为25μm时，加强层31和32中的每者的厚度可被调整到18μm或更大。当绝缘基板23的厚度为15μm时，加强层31和32中的每者的厚度可被调整到35μm或更大。当加强层31和32中的每者的厚度超过50μm时，线圈组件的整体厚度可能增大，使得可能难以减小线圈组件的尺寸。
参照图5，加强层31和32的在主体50的表面上的暴露位置(相对于绝缘基板23)可根据阻镀剂33的位置而改变。
参照图5，当阻镀剂33设置在加强层31和32的外部区域中时，端部231和232的端表面中的每个端表面的长度L1可比加强层31和32的端表面中的每个端表面的长度L2长。因此，引出部62和64的暴露于主体的第三表面103的区域可扩展与加强层的外周部分的设置有阻镀剂33的区域对应的长度(L1-L2)。
第三示例实施例
图6是示出根据另一示例实施例的从主体的第三表面观察的线圈电子组件的主体的透视图。
图6是示出线圈电子组件10中的除了外电极851和852的区域之外的主体的透视图。参照图1至图4D，与上述示例实施例中描述的线圈电子组件10相比，加强层31和32的位置可不同。因此，在该示例实施例中，将仅描述加强层31和32的与上述示例实施例中描述的加强层31和32的结构不同的结构。其他元件的描述将与上述示例实施例中的其他元件的描述相同。
加强层31和32可设置在端部231和232的至少一个表面处。参照图1至图6，加强层31和32可从端部231和232的一个端表面延伸到另一端表面。例如，第一加强层31的至少一部分可嵌在第一引出部62中，并且第一加强层31可从第一端部231的暴露于主体的第一表面101的一个端表面延伸到暴露于第三表面103且与所述一个端表面间隔开的另一端表面。第二加强层32的至少一部分可嵌在第二端部232中，并且第二加强层32可从第二端部232的暴露于第二表面102的一个端表面延伸到第二端部232的暴露于第三表面103且与所述一个端表面间隔开的另一端表面。在示例实施例中，加强层31和32中的每者的厚度T2可以大于或等于1μm且小于或等于50μm。当绝缘基板23的厚度为60μm时，加强层31和32中的每者的厚度T2可被调整到1μm与2μm之间，并且加强层31和32中的每者的与绝缘基板23对应的最小厚度可以是1μm或更大。如上所述，当绝缘基板23的厚度减小时，加强层31和32中的每者的厚度可相对增大。当绝缘基板23的厚度为25μm时，加强层31和32中的每者的厚度可被调整到18μm或更大。当绝缘基板23的厚度为15μm时，加强层31和32中的每者的厚度可被调整到35μm或更大。当加强层31和32中的每者的厚度超过50μm时，线圈组件的整体厚度可能增大，使得可能难以减小线圈组件的尺寸。
参照图6，加强层31和32的在主体50的表面上的暴露位置(相对于绝缘基板23)可根据阻镀剂33的位置而改变。
参照图6，端部231和232的暴露于主体50的第一表面101、第二表面102和第三表面103的端表面中的每个端表面的长度L1可被构造为与加强层31和32的暴露于主体50的第一表面101、第二表面102和第三表面103的端表面中的每个端表面的长度L2相同。当阻镀剂33设置在加强层31的内部部分中时，绝缘基板23以及加强层31和32可设置在与引出部62和64的暴露于主体50的第三表面103的边界表面对应的区域中。
根据上述示例实施例，线圈电子组件的质量可通过减少基板的变形而提高。
此外，即使当片尺寸显著减小时，也可通过在相同片尺寸下增大线圈部的面积实现高容量。
此外，可通过降低安装基板和外电极的可能干扰磁通流动的影响来改善诸如电感(L)、品质因数(Q)等的性能。
虽然以上已经示出并描述了示例性实施例，但是对于本领域的技术人员而言将明显的是，在不脱离本发明的由所附权利要求限定的范围的情况下，可以进行修改和变型。

Claims (14)

1.一种线圈电子组件，所述线圈电子组件包括：
主体，具有彼此相对的第一表面和第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面且彼此相对的第三表面和第四表面；
绝缘基板，设置在所述主体中；
第一线圈部和第二线圈部，分别设置在所述绝缘基板的相对表面上；
第一引出部，连接到所述第一线圈部的一端，并且从所述主体的所述第一表面和所述第三表面暴露；
第二引出部，连接到所述第二线圈部的一端，并且从所述主体的所述第二表面和所述第三表面暴露；以及
第一外电极和第二外电极，所述第一外电极覆盖所述第一引出部，所述第二外电极覆盖所述第二引出部，
其中，所述绝缘基板包括：
支撑部，支撑所述第一线圈部和所述第二线圈部；
第一端部，从所述支撑部延伸，并且具有嵌在所述第一引出部中的至少一部分，并且包括从所述主体的所述第一表面暴露的一个端表面以及从所述主体的所述第三表面暴露且与所述一个端表面间隔开的另一端表面；以及
第二端部，从所述支撑部延伸，并且具有嵌在所述第二引出部中的至少一部分，并且包括从所述主体的所述第二表面暴露的一个端表面以及从所述第三表面暴露且与所述第二端部的所述一个端表面间隔开的另一端表面。
2.根据权利要求1所述的线圈电子组件，其中，所述第一端部的所述另一端表面和所述第二端部的所述另一端表面彼此间隔开。
3.根据权利要求1所述的线圈电子组件，所述线圈电子组件还包括：
第一加强层和第二加强层，所述第一加强层设置在所述第一端部的至少一个表面上，所述第二加强层设置在所述第二端部的至少一个表面上。
4.根据权利要求3所述的线圈电子组件，
其中，所述第一加强层从所述第一端部的所述一个端表面延伸到所述第一端部的所述另一端表面，并且
其中，所述第二加强层从所述第二端部的所述一个端表面延伸到所述第二端部的所述另一端表面。
5.根据权利要求4所述的线圈电子组件，其中，所述第一端部的两个端表面的长度与设置在所述第一端部上的所述第一加强层的两个端表面的长度对应，并且
所述第二端部的两个端表面的长度与设置在所述第二端部上的所述第二加强层的两个端表面的长度对应。
6.根据权利要求4所述的线圈电子组件，其中，所述第一端部的两个端表面的长度比设置在所述第一端部上的所述第一加强层的两个端表面的长度长，并且
所述第二端部的两个端表面的长度比设置在所述第二端部上的所述第二加强层的两个端表面的长度长。
7.根据权利要求3所述的线圈电子组件，其中，所述第一加强层的厚度以及所述第二加强层的厚度大于或等于1μm且小于或等于50μm。
8.根据权利要求1所述的线圈电子组件，其中，所述绝缘基板的厚度大于或等于10μm且小于或等于60μm。
9.根据权利要求1所述的线圈电子组件，其中，所述第一引出部的宽度以及所述第二引出部的宽度小于所述主体的宽度。
10.根据权利要求1所述的线圈电子组件，其中，所述第一外电极的宽度以及所述第二外电极的宽度小于所述主体的宽度。
11.根据权利要求1所述的线圈电子组件，其中，所述第一外电极包括设置在所述第一引出部上的第一层以及覆盖所述第一外电极的第一层的第二层，所述第二外电极包括设置在所述第二引出部上的第一层以及覆盖所述第二外电极的第一层的第二层。
12.根据权利要求11所述的线圈电子组件，
其中，所述第一层包括镍，并且
其中，所述第二层包括锡。
13.根据权利要求1所述的线圈电子组件，其中，所述第一端部包括与所述第一引出部不叠置的第一部分以及与所述第一引出部叠置的第二部分，
所述第二端部包括与所述第二引出部不叠置的第三部分以及与所述第二引出部叠置的第四部分，
从所述第一端部的所述第一部分到所述第二端部的距离小于从所述第一端部的所述第二部分到所述第二端部的距离，并且
从所述第二端部的所述第三部分到所述第一端部的距离小于从所述第二端部的所述第四部分到所述第一端部的距离。
14.根据权利要求1所述的线圈电子组件，其中，所述第一端部包括与所述第一引出部不叠置的第一部分以及与所述第一引出部叠置覆盖的第二部分，
所述第二端部包括与所述第二引出部不叠置的第三部分以及与所述第二引出部叠置的第四部分，
从所述第一端部的所述第一部分到所述第三表面的距离大于从所述第一端部的所述第二部分到所述第三表面的距离，并且
从所述第二端部的所述第三部分到所述第三表面的距离大于从所述第二端部的所述第四部分到所述第三表面的距离。
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