CN111640774A - 显示基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示基板及显示装置，属于显示技术领域，其可解决相关技术中的显示基板中第一电源线VSS与阴极之间搭接面积较小，容易导致能耗过大的问题。本发明的显示基板，具有显示区和环绕显示区的周边区，以及位于周边区的第一侧、且背离显示区一侧的多个焊盘区；显示区包括多个亚像素区；显示基板包括：基底、位于基底上的有机电致发光二极管和第一电源线；有机电致发光二极管设置于每个亚像素区；有机电致发光二极管的阴极由显示区延伸至周边区，且与位于周边区的第一电源线连接；周边区的第一连接侧包括与两相邻焊盘区对应的第一连接区，以及除第一连接区外的第二连接区；第一电源线与阴极的连接区域覆盖第二连接区的至少部分区域。

Description

显示基板及显示装置

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及显示装置。

背景技术

随着显示技术的不断发展，大尺寸有机电致发光二极管显示(organic light-emitting diode，OLED)面板越来越受到用户的欢迎。为了减小OLED面板的边框，相关技术中一般通过覆晶薄膜COF将OLED面板背面的驱动芯片与OLED面板上的显示器件连接。

发明人发现相关技术中至少存在如下问题：OLED面板上的显示区中设置有第一电源线VSS和第二电源线VDD，OLED面板靠近下边框设置有多个覆晶薄膜COF。目前一般在OLED面板靠近下边框的显示区仅在相邻的覆晶薄膜COF之间的第一电源线VSS与阴极搭接，其他靠近下边框的显示区覆晶薄膜通过引出线与第一电源线VSS连接，因此搭接面积较小，尤其是在较多个覆晶薄膜COF的情况下，搭接面积更小。这样，各个走线的布线长度和电阻也随着增大，导致面板中的第一电源信号端VSS与第二电源信号端VDD之间产生较大非必要压降(IR-drop)，从而造成能耗较大。

发明内容

本发明旨在至少解决相关技术中存在的技术问题之一，提供一种显示基板及显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板，具有显示区和环绕所述显示区的周边区，以及位于所述周边区的第一侧、且背离所述显示区一侧的多个焊盘区；所述显示区包括多个亚像素区；所述显示基板包括：基底、位于所述基底上的有机电致发光二极管和第一电源线；

所述有机电致发光二极管设置于每个所述亚像素区；所述有机电致发光二极管的阴极由所述显示区延伸至所述周边区，且与位于所述周边区的第一电源线连接；

所述周边区的第一连接侧包括与两相邻所述焊盘区对应的第一连接区，以及除所述第一连接区外的第二连接区；

所述第一电源线与所述阴极的连接区域覆盖所述第二连接区的至少部分区域。

可选地，所述第二连接区包括与所述焊盘区对应的第一子连接区，以及除第一子连接区外的第二子连接区；所述第一电源线与所述阴极的连接区域覆盖所述第一子连接区和所述第二子连接区。

可选地，所述显示基板还包括位于所述基底上的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管设置于每个所述亚像素区；

所述第一电源线与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，且材料相同。

可选地，所述显示基板还包括设置于所述周边区的第二电源线及与所述第二电源线连接的第二电源引出线；

所述第二电源线位于所述第一电源线靠近所述显示区的一侧；

所述第二电源线、所述第二电源引出线与所述薄膜晶体管的栅极同层设置，且材料相同。

可选地，靠近所述第二电源引出线的所述第一电源线断开设置；

所述第二电源引出线位于断开设置的所述第一电源线之间。

可选地，所述第一电源线的断开端连接第一电源引出线；

所述第一电源引出线和所述第二电源引出线同层设置，且材料相同。

可选地，所述显示基板还包括以及用于将所述薄膜晶体管的漏极与所述有机电致发光二极管的阳极连接的转接电极；所述第一电源线包括第一子电源线、第二子电源线及位于所述第一子电源线和所述第二子电源线之间的绝缘层；所述第一子电源线和所述第二子电源线通过贯穿所述绝缘层的搭接过孔连接；

所述第一子电源线与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，且材料相同；所述第二子电源线与所述转接电极同层设置，且材料相同。

可选地，靠近所述第二电源引出线的所述第一子电源线断开设置；

所述第二电源引出线位于断开设置的所述第一子电源线之间。

可选地，所述薄膜晶体管仅包括第一栅极；

所述第二电源线、所述第二电源引出线与所述薄膜晶体管的所述第一栅极同层设置，且材料相同。

可选地，所述薄膜晶体管包括相对设置的第一栅极和第二栅极、及位于所述第一栅极和所述第二栅极之间的绝缘层；

所述第二电源线、所述第二电源引出线与所述薄膜晶体管的所述第一栅极或所述第二栅极同层设置，且材料相同。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，包括如上述提供的显示基板。

可选地，所述显示装置还包括设置于所述焊盘区的多个第一焊盘和多个第二焊盘；

所述第一焊盘与所述第一电源引出线一一对应连接；

所述第二焊盘与所述第二电源引出线一一对应连接。

可选地，所述显示装置还包括多个覆晶薄膜；

所述覆晶薄膜上设置有多个第三焊盘；其中，相邻设置的一个所述第一焊盘和一个第二焊盘连接同一所述覆晶薄膜上的两个所述第三焊盘；或相邻设置的两个所述第一焊盘和一个所述第二焊盘连接同一所述覆晶薄膜上的三个所述第三焊盘。

附图说明

图1为一种示例性的显示基板的平面结构示意图；

图2为一种示例性的像素驱动电路的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种显示基板的平面结构示意图；

图4为本发明实施例提供的图3所示的显示基板沿A-A方向的一种剖面结构示意图；

图5为本发明实施例提供的图3所示的显示基板沿A-A方向的另一种剖面结构示意图；

图6为本发明实施例提供的图3所示的显示基板沿B-B方向的一种剖面结构示意图；

图7为本发明实施例提供的图3所示的显示基板沿B-B方向的另一种剖面结构示意图；

图8为本发明实施例提供的图3所示的显示基板沿B-B方向的又一种剖面结构示意图；

图9为本发明实施例提供的图3所示的显示基板沿C-C方向的一种剖面结构示意图；

图10为本发明实施例提供的图3所示的显示基板沿C-C方向的另一种剖面结构示意图；

图11为本发明实施例提供另一种显示基板平面结构示意图。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

图1为一种示例性的显示基板的平面结构示意图，如图1所示，相关技术中的显示基板中一般具有显示区和环绕显示区的周边区；显示区包括多个亚像素区，显示基板包括：基底101、位于基底上的有机电致发光二极管及像素驱动电路(图中未示出)，周边区中设置有为像素驱动电路提供信号的信号线，例如，第一电源线VSS和第二电源线VDD。外部的驱动芯片通过外接的覆晶薄膜COF与第一电源线VSS和第二电源线VDD连接，从而可以通过第一电源线VSS和第二电源线VDD分别向像素驱动电路输入第一电源信号和第二电源信号，其中，第一电源线VSS输入的第一电源信号的电位小于第二电源线VDD输入的第二电源信号的电位，再通过显示基板中的像素驱动电路来驱动有机电致发光二极管发光，从而实现显示基板的显示功能。

图2为一种示例性的像素驱动电路的结构示意图，如图2所示，该像素驱动电路包括：开关晶体管T1、驱动晶体管T2、存储电容C和有机电致发光二极管D；其中，开关晶体管T1的栅极连接栅极信号线，源极连接数据信号线，漏极连接第一节点N，其中，第一节点N为开关晶体管T1的漏极、驱动晶体管T2的栅极和电容C的一端之间的连接点。驱动晶体管T2的栅极连接第一节点N，源极连接第二电源线VDD，漏极连接有机电致发光二极管D的阳极。电容C的一端连接第一节点N，另一端连接第二电源线VDD。有机电致发光二极管D的阳极连接驱动晶体管T2的漏极，阴极连接第一电源线VSS。需要说明的是，第一电源线VSS输入的第一电源信号的电位小于第二电源线VDD输入的第二电源信号的电位，这样可以使得有机电致发光二极管D两端形成压差而导通，以进行发光。

在显示基板中，第一电源线VSS可以设置在周边区，有机电致发光二极管D的阴极102可以从显示区延伸至周边区，在周边区中第一电源线VSS可以与阴极102搭接。然而，显示基板的一侧需要外接覆晶薄膜COF并连接至背面的驱动芯片，为了便于布线，相关技术中一般在靠近覆晶薄膜COF一侧的周边区中仅在外接的覆晶薄膜COF之间对应的位置设置较短的一段第一电源线VSS，通过引出线将第一电源线VSS引出至覆晶薄膜COF。在与外接的覆晶薄膜COF正对的位置不设置第一电源线VSS，并且部分第一电源线VSS仅通过弯折改变走线方向，以便于将与引出线连接，该部分第一电源线VSS并不与有机电致发光二极管D的阴极102搭接，例如图1中第一电源线VSS靠近并向外接的覆晶薄膜COF方向弯折的部分，即虚线所圈出部分。这样在靠近覆晶薄膜COF的一侧的周边区中仅有小部分第一电源线VSS与有机电致发光二极管D的阴极102搭接，搭接面积较小，从而增大了连接电阻，进而增大了显示面板中的压降，容易导致能耗过大。尤其是大尺寸显示基板中需要设置多个覆晶薄膜COF，多个覆晶薄膜COF进一步占据了原本需要设置第一电源线VSS的空间，导致第一电源线VSS与有机电致发光二极管D的阴极102的搭接面积进一步减小，从而进一步增大了显示基板中的压降，能耗过大问题变得更加明显。例如，尺寸为35.7mmx27.5mm的产品，中心位置的第一电源线VSS的压降高达2伏(V)以上，由于大尺寸显示基板中的驱动电流较大，根据逻辑功耗P＝IU，2V的压降将会极大的增加整个显示基板的能耗。本发明实施例提供的显示基板及显示装置旨在解决上述的第一电源线VSS与阴极之间搭接面积较小，容易导致能耗过大的问题。下面将结合具体实施方式及附图，对本发明实施例提供的显示基板及显示装置进行进一步详细说明。

实施例一

图3为本发明实施例提供的一种显示基板的平面结构示意图，如图3所示，该显示基板具有显示区和环绕显示区的周边区，以及位于周边区的第一侧、且背离显示区一侧的多个焊盘区；显示区包括多个亚像素区；显示基板包括：基底101、位于基底101上的有机电致发光二极管(图中未示出)和第一电源线VSS；有机电致发光二极管设置于每个亚像素区；有机电致发光二极管的阴极102由显示区延伸至周边区，且与位于周边区的第一电源线VSS连接；周边区的第一连接侧包括与两相邻焊盘区对应的第一连接区Q1，以及除第一连接区Q1外的第二连接区Q2；第一电源线VSS与阴极102的连接区域覆盖第二连接区Q2的至少部分区域。

本发明实施例提供的显示基板中，显示区中所有的OLED的阴极102为共用的，或者多行/多列中OLED的阴极102共用，在本发明实施例中以所有的OLED的阴极102共用为例进行说明。所有的OLED的阴极可以形成整面的阴极102，整面的阴极102可以由显示区延伸至周边区，并且与在周边区中的第一电源线VSS连接。显示基板的周边区环绕显示区具有四个连接侧，其中需要外接覆晶薄膜COF的一侧为第一连接侧，在除第一连接侧外其余的三个连接侧，第一电源线VSS与阴极102连接的连接区域覆盖其与三个连接侧。在第一连接侧且背离显示区的一侧具有多个焊盘区，焊盘区可以设置焊盘以外接覆晶薄膜COF。周边区的第一连接侧划分为两相邻焊盘区对应的第一连接区Q1和除第一连接区Q1的第二连接区Q2。在第一连接区Q1，第一电源线VSS与阴极102连接。在第二连接区Q2，第一电源线VSS与阴极102的连接区域至少覆盖第二连接区Q2。这样，在周边区的任何一个连接侧中第一电源线VSS均可以与OLED的整面阴极102进行搭接。由此可见，较相关技术中的显示基板而言，本发明实施例提供的显示基板在周边区除第一连接的侧其余三个连接侧以及第一连接侧的第一连接区Q1和第二连接区Q2中，第一电源线VSS与阴极102均有搭接，可以明显增加第一电源线VSS与阴极102之间的搭接面积，这样可以减少第一电源线VSS与阴极102之间的连接电阻，从而可以降低压降(IR-drop)，进而可以节约能耗。

在一些实施例中，如图3所示，第二连接区Q2包括与焊盘区对应的第一子连接区Q21，以及除第一子连接区Q21外的第二子连接区Q22；第一电源线VSS与阴极102的连接区域覆盖第一子连接区Q21和第二子连接区Q22。

需要说明的是，第二连接区Q2包括与焊盘区对应的第一子连接区Q21，以及除了第一子连接区Q21之外的第二子连接区。其中第一子连接区Q21与相关技术中周边区中与外接的覆晶薄膜COF正对的区域相同，第二子连接区Q22与图1中虚线圈出的部分相同。在相关技术中，这两个区域中未设置第一电源线VSS或者设置有较短的第一电源线VSS，并且第一电源线VSS与阴极102未搭接。在本发明实施例中，第一电源线VSS与阴极102的连接区域覆盖第一子连接区Q21和第二子连接区Q22，可以看出较相关技术中的显示基板，在周边区的第一连接侧，可以明显增加第一电源线VSS与阴极102之间的搭接面积，这样可以减少第一电源线VSS与阴极102之间的连接电阻，从而可以降低压降(IR-drop)，进而可以节约能耗。

在一些实施例中，图4为本发明实施例提供的一种显示基板的剖面结构示意图，如图4所示，显示基板还包括位于基底101上的薄膜晶体管30；薄膜晶体管30设置于每个亚像素区；第一电源线VSS与薄膜晶体管30的源极301和漏极302同层设置，且材料相同。

需要说明的是，图4所示的显示基板中的薄膜晶体管30可以为像素驱动电路中的任意一个晶体管，在本发明实施例中以薄膜晶体管30为图2中所示的像素驱动电路中的驱动晶体管T2为例进行说明。可以理解的是，开关晶体管T1也可以采用与薄膜晶体管30同样的结构及制备方式制成，在此不再进行详述。薄膜晶体管30可以设置于每一个亚像素区中，以驱动每一个亚像素区中的有机电致发光二极管发光，从而实现显示功能。如图4所示，该薄膜晶体管30包括依次位于基底101上的有源层303，栅极绝缘层304、栅极305、层间绝缘层306、源极301和漏极302，其中源极301和漏极302同层设置，并通过贯穿层间绝缘层306与栅极绝缘层304的过孔分别与有源层303的两端连接。源极301和漏极302所在的膜层上还设置有平坦化层106，以及平坦化层106上设置有OLED器件，平坦化层106可以对源极301和漏极302进行平坦化，以与其他的膜层相贴合。漏极302可以通过贯穿平坦化层106的过孔与OLED的阳极105连接，以为OLED提供电源信号，OLED器件的具体结构将在之后的实施例中进一步详细说明。可以理解的是，本发明实施例提供的显示基板除了上述的膜层，还可以包括阻挡层、缓冲层及封装层等膜层，其结构与制备工艺与现有技术中的各个膜层的结构及制备工艺相同，在此不再赘述。在实际应用中，第一电源线VSS可以采用单层金属层制备而成，其可以与薄膜晶体管30的源极301和漏极302可以同层设置，这样可以采用同一工艺及材料形成，以简化显示基板的制备工艺。例如，第一电源线VSS、源极301和漏极302均可以利用铜或其他金属，采用蒸镀工艺形成。可以理解的是，在本发明实施例中，两个或更多个功能层同层设置指的是这些同层设置的功能层可以采用相同的材料并利用相同制备工艺(例如构图工艺等)形成，从而可以简化显示基板的制备工艺。

在一些实施例中，如图3、图4和图9所示，该显示基板还包括设置于周边区的第二电源线VDD及与第二电源线VDD连接的第二电源引出线103；第二电源线VDD位于第一电源线VSS靠近显示区的一侧。第二电源线VDD、第二电源引出线103与薄膜晶体管30的栅极305同层设置，且材料相同。

需要说明的是，设置于周边区第二电源线VDD可以设置为横向排布的条形，也可以设置为环绕显示区的环形，在本发明实施例中，以第二电源线VDD为横向排布的条形为例进行说明，第二电源线VDD较第一电源线VSS更靠近显示区。第二电源线VDD可以通过第二电源引出线103连接至外部的覆晶薄膜COF。在实际应用中，第二电源线VDD、第二电源引出线103可以与薄膜晶体管30的栅极305可以同层设置，可以采用同一工艺及材料形成，以简化显示基板的制备工艺。例如，第二电源线VDD、第二电源引出线103可以与薄膜晶体管30的栅极305可以利用铝或其他金属，采用沉积、涂覆光刻胶、曝光、显影及刻蚀工艺形成。在此需要说明的是，由于第二电源线VDD较第一电源线VSS更靠近显示区，第二电源线VDD通过第二电源引出线103连接至外部的覆晶薄膜COF时，需要穿过第二电源线VSS所在的区域。在本发明实施例中，第一电源线VSS采用单层金属层制成，第二电源线VDD、第二电源引出线103与薄膜晶体管30的栅极305同层设置，第一电源线VSS与薄膜晶体管的源极301和漏极302同层设置。如图6所示，第二电源引出线103可以从第一电源线VSS下方的膜层穿过以连接至外部的覆晶薄膜COF。这样采用第二电源引出线103从第一电源线VSS下方穿线的方式可以避免第二电源引出线103对第一电源线VSS与阴极102搭接面积的影响，从而可以使得第一电源线VSS与阴极102的搭接面积更大，减小连接电阻，进而可以降低压降(IR-drop)，以节约能耗。

在一些实施例中，如图4、图7和图11所示，靠近第二电源引出线103的第一电源线VSS断开设置；第二电源引出线103位于断开设置的第一电源线VSS之间。

需要说明的是，由于第二电源线VDD较第一电源线VSS更靠近显示区，第二电源线VDD通过第二电源引出线103连接至外部的覆晶薄膜COF时，需要穿过第二电源线VSS所在的区域。此时，如图8所示，第一电源线VSS在与第二电源引出线103对应的位置可以断开设置，这样断开的第一电源线VSS可以为第二电源引出线103留出走线空间，第二电源引线103可以从第一电源线VSS断开的位置或者其对应的下方穿过以连接至外部的覆晶薄膜COF。这样采用第一电源线VSS断开，使得第二电源引出线103从断开处引出至外接的覆晶薄膜COF的一端，同时在第二电源引出线103的两旁再引出两条第一电源引出线104，覆晶薄膜COF另一端采用同样的设置，覆晶薄膜COF两端的第一电源引出线104可以形成桥状连接，可以避免第二电源引出线103对第一电源线VSS与阴极102搭接面积的影响，从而可以使得第一电源线VSS与阴极102的搭接面积更大，减小连接电阻，进而可以降低压降(IR-drop)，以节约能耗。同时，由于第二电源引线103对应的第一电源线VSS断开设置，这样，第二电源线VDD、第二电源引线103可以与第一电源线VSS之间不形成正对，因此可以避免不同电源线之间正对造成的发热问题，从而可以节约能耗。可以理解的是，此时，第一电源线VSS可以采用单层金属层制成，也可以采用双层金属层制成。

在一些实施例中，第一电源线VSS的断开端连接第一电源引出线104；第一电源引出线104和第二电源引出线103同层设置，且材料相同。

需要说明的是，第一电源线VSS断开设置时，可以为第二电源引出线103留出走线空间，此时，第一电源引出线104和第二电源引出线103可以同层设置，可以采用同一工艺及材料形成，以简化显示基板的制备工艺。

在一些实施例中，如图3和图5所示，为了防止外界的水汽等侵入以对器件中各个金属层进行保护，防止发生氧化反应，在实际应用中，一般在平坦化层106上设置一层钝化层108，并通过转接电极107将有机电致发光二极管D的阳极105与薄膜晶体管30的漏极302连接。此时，第一电源线VSS可以包括两层结构，即第一电源线VSS包括第一子电源线VSS1、第二子电源线VSS2及位于第一子电源线VSS1和第二子电源线VSS2之间的绝缘层；第一子电源线VSS1和第二子电源线VSS2通过贯穿绝缘层的搭接过孔连接；第一子电源线VSS1与薄膜晶体管30的源极301和漏极302同层设置，且材料相同；第二子电源线VSS2与转接电极107同层设置，且材料相同。

需要说明的是，有机电致发光二极管可以包括与阴极102相对设置的阳极105，及位于阴极102与阳极105之间的有机功能层。有机功能层可以包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层及电子注入层等。在薄膜晶体管30的源极301和漏极302上设置有一层平坦化层106，来对源极301和漏极302进行平坦化，以便于与其他膜层相贴合。平坦化层106上设置有一层钝化层108，可以防止外界的水汽等侵入以对器件中各个金属层进行保护，防止发生氧化反应。转接电极107可以通过贯穿平坦化层106的过孔与漏极302连接。有机电致发光二极管D的阳极105可以通过贯穿钝化层108的过孔与转接电极107连接，使得第二电源线VDD提供的第二电源信号通过薄膜晶体管30输入至有机电致发光二极管D的阳极105。有机功能层可以在第一电源线VSS提供的第一电源信号和第二电源线VDD提供的第二电源信号的驱动下发光，以实现显示。在实际应用中，第一电源线VSS可以双层金属层制成，即第一电源线VSS包括第一子电源线VSS1、第二子电源线VSS2及位于第一子电源线VSS1和第二子电源线VSS2之间的绝缘层；第一子电源线VSS1和第二子电源线VSS2通过贯穿绝缘层的搭接过孔连接。可以理解的是，采用双层金属层结构可以降低形成的第一电源线VSS的电阻，从而减小压降。第一子电源线VSS1与薄膜晶体管30的源极301和漏极302可以同层设置，且材料相同，可以采用同一工艺及材料形成，以简化显示基板的制备工艺。同理，第二子电源线VSS与转接电极107也可以同层设置，且材料相同，可以采用同一工艺及材料形成，以简化显示基板的制备工艺。可以理解的是，第一子电源线VSS1和第二子电源线VSS2之间的绝缘层可以与平坦化层106共用。

在此需要说明的是，第一电源线VSS与OLED的阴极102位于不同的膜层中，如图4和图5中所示，可以在制备过程中，将阴极102的一部分直接形成在第一电源线VSS所在膜层上，从而实现第一电源线VSS与OLED的阴极102之间的连接。或者可以通过在二者之间的其他膜层设置过孔的方式(图中未示出)，将第一电源线VSS和阴极102通过过孔搭接在一起，从而实现第一电源线VSS与OLED的阴极102之间的连接。优选地，在本发明实施例中采用如图4和图5的方式，将阴极102的一部分直接形成在第一电源线VSS所在的膜层上，这样可以减少制备步骤，并降低阴极102的电阻。

在一些实施例中，如图5、图8和图10所示，靠近第二电源引出线103的第一子电源线VSS1断开设置；第二电源引出线103位于断开设置的第一子电源线VSS1之间。

需要说明的是，在实际应用中，第一电源线VSS采用双层金属层制成时，两层金属层分别制成第一子电源线VSS1和第二子电源线VSS2，对应第二电源引出线103的位置，第一子电源线VSS1可以断开设置，在第一子电源线VSS1所在的膜层可以为第二电源引出线103留出布线空间，第二电源引出线103可以从断开的第一子电源线VSS1之间穿过，这样可以避免第二电源引出线103对第一电源线VSS与阴极102搭接面积的影响，从而可以使得第一电源线VSS与阴极102的搭接面积更大，减小连接电阻，进而可以降低压降(IR-drop)，以节约能耗。

在一些实施例中，薄膜晶体管30仅包括第一栅极；第二电源线VDD、第二电源引出线103与薄膜晶体管30的第一栅极同层设置，且材料相同。

需要说明的是，本发明实施例提供的显示基板中的薄膜晶体管30可以为单栅结构，仅包括第一栅极。第二电源线VDD、第二电源引出线103与薄膜晶体管30的第一栅极同层设置，且材料相同，可以采用同一工艺及材料形成，以简化显示基板的制备工艺。

在一些实施例中，薄膜晶体管30包括相对设置的第一栅极和第二栅极、及位于第一栅极和第二栅极之间的绝缘层；第二电源线VDD、第二电源引出线103与薄膜晶体管的第一栅极或第二栅极同层设置，且材料相同。

需要说明的是，本发明实施例提供的显示基板中的薄膜晶体管30可以为双栅结构，包括绝缘设置的第一栅极和第二栅极。第二电源线VDD、第二电源引出线103与薄膜晶体管的第一栅极或第二栅极同层设置，且材料相同，可以采用同一工艺及材料形成，以简化显示基板的制备工艺。

实施例二

基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括如上述实施例提供的显示基板。该显示装置可以具有大尺寸显示基板的显示装置，例如智能电视等。

在一些实施例中，显示装置还包括设置于焊盘区的多个第一焊盘和多个第二焊盘；第一焊盘与第一电源引出线104一一对应连接；第二焊盘与第二电源引出线103一一对应连接。

需要说明的是，第一焊盘可以设置在第一电源引出线104的一端，第二焊盘可以设置在第二电源引出线103的一端，以通过第一焊盘和第二焊盘与外部的覆晶薄膜COF绑定连接。

在一些实施例中，显示装置还包括多个覆晶薄膜COF；覆晶薄膜COF上设置有多个第三焊盘；其中，相邻设置的一个第一焊盘和一个第二焊盘连接同一覆晶薄膜COF上的两个第三焊盘；或相邻设置的两个第一焊盘和一个第二焊盘连接同一覆晶薄膜COF上的三个第三焊盘。

需要说明的是，在实际应用中，具有大尺寸显示基板的显示装置由于其功率较大，一般需要由多个驱动芯片来提供信号。这样就需要多个覆晶薄膜COF将显示基板中的信号线与驱动芯片绑定连接。第一电源线VSS为连续设置时，第二电源引出线103可以从第一电源线VSS下方的膜层中穿过，仅需要一条第一电源引出线104即可与外部的覆晶薄膜COF的一端连接，这样可以仅需要相邻的两个第三焊盘与相邻第一焊盘和第二焊盘绑定即可。第一电源线VSS为断开设置时，第二电源引出线103可以从断开的第一电源线VSS之间对应的膜层中穿过，同时断开的第一电源线VSS需要两条第一电源引出线104与外部的覆晶薄膜COF的一端连接，这样需要相邻的三个第三焊盘与相邻设置的两个第一焊盘和一个第二焊盘连接。外部的驱动芯片可以通过覆晶薄膜COF翻折至显示装置的背面，以减少显示装置边框，提高屏占比，从而提高显示效果。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种显示基板，具有显示区和环绕所述显示区的周边区，以及位于所述周边区的第一连接侧、且背离所述显示区一侧的多个焊盘区；所述显示区包括多个亚像素区；其特征在于，所述显示基板包括：基底、位于所述基底上的有机电致发光二极管和第一电源线；

所述有机电致发光二极管设置于每个所述亚像素区；所述有机电致发光二极管的阴极由所述显示区延伸至所述周边区，且与位于所述周边区的第一电源线连接；

所述周边区的第一连接侧包括与两相邻所述焊盘区对应的第一连接区，以及除所述第一连接区外的第二连接区；

所述第一电源线与所述阴极的连接区域覆盖所述第二连接区的至少部分区域。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二连接区包括与所述焊盘区对应的第一子连接区，以及除第一子连接区外的第二子连接区；所述第一电源线与所述阴极的连接区域覆盖所述第一子连接区和所述第二子连接区。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述基底上的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管设置于每个所述亚像素区；

所述第一电源线与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，且材料相同。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括设置于所述周边区的第二电源线及与所述第二电源线连接的第二电源引出线；

所述第二电源线位于所述第一电源线靠近所述显示区的一侧；

所述第二电源线、所述第二电源引出线与所述薄膜晶体管的栅极同层设置，且材料相同。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，靠近所述第二电源引出线的所述第一电源线断开设置；

所述第二电源引出线位于断开设置的所述第一电源线之间。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一电源线的断开端连接第一电源引出线；

所述第一电源引出线和所述第二电源引出线同层设置，且材料相同。

7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括以及用于将所述薄膜晶体管的漏极与所述有机电致发光二极管的阳极连接的转接电极；所述第一电源线包括第一子电源线、第二子电源线及位于所述第一子电源线和所述第二子电源线之间的绝缘层；所述第一子电源线和所述第二子电源线通过贯穿所述绝缘层的搭接过孔连接；

所述第一子电源线与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，且材料相同；所述第二子电源线与所述转接电极同层设置，且材料相同。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，靠近所述第二电源引出线的所述第一子电源线断开设置；

所述第二电源引出线位于断开设置的所述第一子电源线之间。

9.根据权利要求4-8任一项所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管仅包括第一栅极；

所述第二电源线、所述第二电源引出线与所述薄膜晶体管的所述第一栅极同层设置，且材料相同。

10.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括相对设置的第一栅极和第二栅极、及位于所述第一栅极和所述第二栅极之间的绝缘层；

所述第二电源线、所述第二电源引出线与所述薄膜晶体管的所述第一栅极或所述第二栅极同层设置，且材料相同。

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的显示基板。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括设置于所述焊盘区的多个第一焊盘和多个第二焊盘；

所述第一焊盘与所述第一电源引出线一一对应连接；

所述第二焊盘与所述第二电源引出线一一对应连接。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括多个覆晶薄膜；

所述覆晶薄膜上设置有多个第三焊盘；其中，相邻设置的一个所述第一焊盘和一个第二焊盘连接同一所述覆晶薄膜上的两个所述第三焊盘；或相邻设置的两个所述第一焊盘和一个所述第二焊盘连接同一所述覆晶薄膜上的三个所述第三焊盘。

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