CN116344700A - 顶部发光型电致发光显示器 - Google Patents

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Abstract

本公开内容涉及顶部发光型电致发光显示器，其中将阳极电极与阴极电极之间的间隙的一部分形成为窄的。根据本公开内容的电致发光显示器包括：基板上的像素；像素中的发光元件，发光元件包括第一电极、在第一电极上的发射层以及在发射层上的第二电极；以及在发射层下方的遮光层，并且在发射层与遮光层之间有平坦化层，遮光层与发射层的第一部分重叠。在第一部分处第一电极与第二电极之间形成第一距离。在不同于第一部分的发射层的第二部分处第一电极与第二电极之间形成第二距离，第一距离小于第二距离。

Description

顶部发光型电致发光显示器
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月27日提交的韩国专利申请第10-2021-0188517号的权益，在此通过引用并入本文，如同在本文中完整阐述一样。
技术领域
本公开内容涉及顶部发光型电致发光显示器。。
背景技术
近来，已经开发了各种类型的显示器，例如阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)、等离子显示面板(PDP)和电致发光显示器。这些类型的显示器根据其独特的特性和用途而用于显示各种产品(例如计算机、移动电话、银行存取款设备(ATM)和车辆导航系统)的图像数据。
特别地，作为自发光显示器的电致发光显示器具有优异的光学性能，例如视角和颜色实现度，使得其应用领域逐渐拓宽，并且作为图像显示设备受到关注。由于这些优点，电致发光显示器作为用于实现4K超高分辨率显示和高达8K超高分辨率显示的最合适的显示器受到关注。随着分辨率提高，像素的尺寸变得较小，像素中所占据的发光区域的尺寸也变得较小。当电致发光显示器中的像素的尺寸变小时，优选地应用顶部发光型结构以使发光区域在像素中的尺寸比率最大化。
随着分辨率增加，像素的尺寸会减小。为了驱动较小像素中的发光元件，需要降低驱动功耗。然而，由于在设置在像素中的发光二极管中所包括的阳极电极和阴极电极之间形成窄距离非常困难，因此在降低驱动功率方面存在限制。即使按照原样使用现有的制造工艺，也有必要开发具有新结构的电致发光显示器，该新结构能够通过实现阳极电极与阴极电极之间的变窄距离来降低驱动功率。
发明内容
关于解决上述问题，本公开的目的是提供一种电致发光显示器，其具有通过在阳极电极与阴极电极之间形成窄的距离(或间隙)来降低驱动功耗的结构。本发明的另一目的是提供具有较低的整体驱动功耗的电致发光显示器，其在使用现有的制造工艺形成在阳极与阴极之间具有一定距离的发光二极管之后，施加热能以使阳极与阴极之间的距离部分地变窄。根据本公开内容，在顶部发光型电致发光显示器中，通过向设置在发光元件下方的金属层施加热能，可以使阳极电极与阴极电极之间的间隙的一部分变窄。
为了实现本公开的上述至少一个目的，根据本公开的电致发光显示器包括：在基板上的像素；在像素中的发光元件，发光元件包括第一电极、在第一电极上的发射层、以及在发射层上的第二电极；在发射层下方的遮光层，并且在发射层和遮光层之间设置有平坦化层，遮光层与发射层的第一部分重叠。在第一部分处在第一电极与第二电极之间形成第一距离。在不同于第一部分的发射层的第二部分处在第一电极与第二电极之间形成第二距离，第一距离小于第二距离。
在一个实施方式中，电致发光显示器还包括：驱动元件，驱动元件连接至发光元件并且设置在平坦化层下方，驱动元件与遮光层重叠，并且在遮光层和驱动元件之间设置有缓冲层。
在一个实施方式中，驱动元件包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有：半导体层；与半导体层的中间部分重叠的栅电极；连接至半导体层的一侧的源电极；连接至半导体层的另一侧的漏电极。遮光层与半导体层重叠，并且在遮光层和半导体层之间设置有缓冲层。
在一个实施方式中，驱动元件还包括：与第一电极重叠并且连接至薄膜晶体管的存储电容。
在一个实施方式中，遮光层与存储电容重叠。
在一个实施方式中，与遮光层重叠的发射层的第一部分在发光元件的整个区域的40％至70％的范围中。
另外，根据本公开的电致发光显示器包括：在基板上的像素；在像素中的发光元件，发光元件包括第一电极、在第一电极上的发射层、以及在发射层上的第二电极；以及在发射层下方的遮光层，并且在遮光层和发射层之间有平坦化层，遮光层与发射层的一部分重叠。发射层的不与遮光层重叠的第一部分具有第一厚度。发射层的与遮光层重叠的第二部分具有比第一厚度薄的第二厚度。
在一个实施方式中，电致发光显示器还包括驱动元件，驱动元件连接至发光元件并且设置在平坦化层下方，驱动元件与遮光层重叠，并且在驱动元件和遮光层之间设置有缓冲层。
在一个实施方式中，与遮光层重叠的发射层的第二部分在发光元件的整个区域的40％至70％的范围中。
此外，根据本公开的用于制造电致发光显示器的方法包括：在基板上形成遮光层；在基板的整个表面上沉积缓冲层以用于覆盖遮光层；在缓冲层上形成与遮光层的一部分重叠的驱动元件；在基板的整个表面上沉积平坦化层以用于覆盖驱动元件；在平坦化层上形成与遮光层重叠的发光元件，发光元件包括第一电极、发射层和第二电极；以及将热能施加到遮光层，以使得发射层的与遮光层重叠的部分处第一电极与第二电极之间的间隙变窄。
根据本公开的电致发光显示器具有顶部发光型，在顶部发光型中驱动元件被设置在基板上，发光元件被设置在驱动元件上。特别地，由于发光元件被设置成与驱动元件重叠，因此可以使发光区域在像素区域中占据的比率最大化。另外，在驱动元件下方堆叠有金属层，诸如遮光层、数据线、扫描线(或栅极线)和存储电容电极。通过向金属层的一部分施加热能，可以使覆盖发光二极管下方的金属层的平坦化层的一部分膨胀。因此，可以通过膨胀的平坦化层来将平坦化层上设置的阳极电极的一部分向上推，并且可以使阳极电极和阴极电极之间的距离变窄。因此，可以降低整个像素区域中设置的发光二极管的驱动功率。
附图说明
附图被包括以提供对本公开内容的进一步理解，并且附图被并入且构成本申请的一部分，附图示出了本公开内容的实施方式并且与描述一起用于说明本公开内容的原理。在附图中：
图1是示出根据本公开内容的电致发光显示器的示意结构的平面图。
图2是示出根据本公开内容的一个像素的结构的电路图。
图3是示出在根据本公开内容的电致发光显示器中设置的像素的结构的放大平面图。
图4是沿着图3中的切线I-I’的横截面图，用于示出根据本公开内容的电致发光显示器的结构。
图5是放大了图4中的虚线框部分‘A’的横截面图，用于示出根据本公开内容的电致发光显示器中通过使用激光的热处理工艺得到的发光二极管的结构。
具体实施方式
将通过以下参照附图描述的实施方式来阐明本公开内容的优点和特征及其实现方法。然而，本公开内容可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文中所述的实施方式。而是，提供这些实施方式是为了使本公开内容是彻底的和完整的，并且将本公开内容的范围充分地传达给本领域技术人员。此外，本公开内容仅由权利要求的范围限定。
用于描述本公开内容的实施方式的在附图中公开的形状、尺寸、比例、角度和数字仅是示例，因此，本公开内容不限于示出的细节。相似的附图标记始终指代相似的元件。在下面的描述中，当相关的已知功能或配置的详细描述被确定为不必要地使本公开内容的重点模糊时，将省略该详细描述。
现在将详细地描述本公开的示例性实施方式，示例性实施方式的示例在附图中被示出。在可能的任何地方，将在整个附图中使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。在本说明书中，应当注意，在其他附图中已经用于表示相似元件的相似附图标记被用于可能的任何地方的元件。在以下描述中，当对于本领域的技术人员已知的功能和配置与本公开的基本配置无关时，将省略其详细描述。说明书中描述的术语应当被理解成如下含义。
在使用本说明书中所描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅”，否则也可以存在另一部分。除非相反地指出，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在说明元件时，尽管没有明确的描述，但是该元件被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，当位置顺序被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下”和“靠近……”时，可以包括其间没有接触的情况，除非使用“正好”或“直接”。如果提到第一元件位于第二元件“上”，并不意味着在附图中第一元件实质上位于第二元件上方。有关对象的上部和下部可以取决于对象的取向而改变。因此，在附图中或在实际配置中，第一元件位于第二元件“上”的情况包括第一元件位于第二元件“下”的情况以及第一元件位于第二元件“上方”的情况。
例如，在描述时间关系时，当时间顺序被描述为“在……之后”、“随后”、“接下来”和“在……之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用“正好”或“直接”。
将要理解的是，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件进行区分。例如，在不脱离本公开内容的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，类似地，第二元件可以被称为第一元件。
在描述本公开内容的元件时，可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)和(b)的术语。这些术语只是为了将元件彼此区分，并且术语不限制元件的性质、顺序、次序或数目。当元件被描述为“链接”、“耦接”或“连接”至另一元件时，该元件可以被直接或间接地连接至另一元件，除非另有说明。应当理解，其他元件可以“插入”在可被连接或耦接的每个元件之间。
应当理解，术语“至少一个”包括与任何一个物品有关的所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件中的至少一个”可以包括选自第一、第二和第三元件中的两个或更多个元件的所有组合，以及第一、第二和第三元件中的每个元件。
本领域技术人员可以充分理解的是，本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此耦接或组合，并且可以以各种方式彼此互操作以及在技术上被驱动。本公开内容的实施方式可以相互独立地实行，或者可以以相互依赖的关系一起实行。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的显示装置的示例。在为每个附图的元件指定附图标记时，相同的部件可以尽可能地具有相同的附图标记，即使它们在不同的附图中示出。为了便于描述，附图中示出的元件的比例与实际比例不同，不限于附图中示出的比例。
在下文中，我们将参照附图详细说明关于本公开的内容。图1是示出根据本公开内容的电致发光显示器的示意结构的图。在图1中，X轴可以平行于扫描线的延伸方向，Y轴可以平行于数据线的延伸方向，并且Z轴可以表示显示器的厚度方向。
参照图1，电致发光显示器包括基板SUB、栅极(或扫描)驱动器200、数据焊盘部300、源极驱动IC(集成电路)410、柔性膜430、电路板450和时序控制器500。
基板SUB可以包括电绝缘材料或柔性材料。基板SUB可以由玻璃、金属或塑料制成，但不限于此。当电致发光显示器为柔性显示器时，基板SUB可以由诸如塑料的柔性材料制成。例如，基板SUB可以包括透明聚酰亚胺材料。
基板SUB可以包括显示区域AA和非显示区域NDA。作为用于呈现视频图像的区域的显示区域AA可以被限定为基板SUB的大部分中央区域，但不限于此。在显示区域AA中，可以形成或设置多条扫描线(或栅极线)、多条数据线和多个像素。每个像素可以包括多个子像素。每个子像素分别包括扫描线和数据线。
作为不呈现视频图像的区域的非显示区域NDA可以被限定在基板SUB的周缘区域处，围绕显示区域AA的全部或部分。在非显示区域NDA中，可以形成或设置栅极驱动器200和数据焊盘部300。
栅极驱动器200可以根据从时序控制器500接收的栅极控制信号向扫描线提供扫描(或栅极)信号。栅极驱动器200可以以GIP(面板内栅极驱动器)型，在基板SUB上显示区域AA的任何一侧形成在非显示区域NDA处。GIP型意味着栅极驱动器200直接形成在基板SUB上。
数据焊盘部300可以根据从时序控制器500接收的数据控制信号向数据线提供数据信号。数据焊盘部300可以被制成驱动芯片，并且安装在柔性膜430上。此外，柔性膜430可以以TAB(带式自动接合)型，在基板SUB上显示区域AA的任何一侧附接在非显示区域NDA处。
源极驱动IC 410可以从时序控制器500接收数字视频数据和源极控制信号。源极驱动IC 410可以根据源极控制信号将数字视频数据转换为模拟数据电压，然后将其提供给数据线。当源极驱动IC 410被制成芯片类型时，其可以以COF(膜上芯片)型或COP(塑料上芯片)型安装在柔性膜430上。
柔性膜430可以包括将数据焊盘部300连接至源极驱动IC 410的多条第一连线，以及将数据焊盘部300连接至电路板450的多条第二连线。可以使用各向异性导电膜将柔性膜430附接到数据焊盘部300上，使得数据焊盘部300可以连接到柔性膜430的第一连线。
电路板450可以附接到柔性膜430。电路板450可以包括实现为驱动芯片的多个电路。例如，电路板450可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。
时序控制器500可以通过电路板450的线缆从外部系统板接收数字视频数据和时序信号。时序控制器500可以基于时序信号，产生用于控制栅极驱动器200的操作时序的栅极控制信号，以及用于控制源极驱动IC 410的源极控制信号。时序控制器500可以向栅极驱动器200提供栅极控制信号，并且向源极驱动IC 410提供源极控制信号。取决于产品类型，时序控制器500可以与源极驱动IC 410形成为一个芯片并且安装在基板SUB上。
图1是示出根据本公开内容的电致发光显示器的示意结构的平面图。图2是根据本公开内容的一个像素的结构的电路图。图3是示出在根据本公开内容的电致发光显示器中设置的像素的结构的放大平面图。图4是沿着图3中的切线I-I’的横截面图，用于示出根据本公开内容的电致发光显示器的结构。
参照图2至图4，发光显示器的一个像素可以包括扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD。发光显示器的一个像素可以包括开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT、发光二极管OLE和存储电容Cst。驱动电流线VDD可以被提供有高电平电压以驱动发光二极管OLE。
例如，开关薄膜晶体管ST可以设置在扫描线SL和数据线DL交叉的部分。开关薄膜晶体管ST可以包括开关栅电极SG、开关半导体层SA、开关源电极SS和开关漏电极SD。开关栅电极SG可以从扫描线SL分支出来，或者其可以被限定为扫描线SL的一部分，如图3示出的。开关源电极SS可以连接至数据线DL，并且开关漏电极SD可以连接至驱动薄膜晶体管DT。开关半导体层SA与开关栅电极SG交叠。开关半导体层SA的一端连接至开关源电极SS，开关半导体层SA的另一端连接至开关漏电极SD。通过向驱动薄膜晶体管DT提供数据信号，开关薄膜晶体管ST可以起到选择将要驱动的像素的作用。
驱动薄膜晶体管DT可以起到对通过开关薄膜晶体管ST选择的像素的发光二极管OLE进行驱动的作用。驱动薄膜晶体管DT可以包括驱动栅电极DG、驱动半导体层DA、驱动源电极DS和驱动漏电极DD。驱动栅电极DG可以连接至开关薄膜晶体管ST的开关漏电极SD。驱动源电极DS可以连接至驱动电流线VSS，并且驱动漏电极DD可以连接至发光二极管OLE的阳极电极ANO。驱动半导体层DA与驱动栅电极DG交叠。驱动半导体层DA的一端连接至驱动源电极DS，驱动半导体层DA的另一端连接至驱动漏电极DD。存储电容Cst可以设置在驱动薄膜晶体管DT的驱动漏电极DD和发光二极管OLE的阳极电极ANO之间。
驱动薄膜晶体管DT可以设置在驱动电流线VDD和发光二极管OLE之间。驱动薄膜晶体管DT可以根据与开关薄膜晶体管ST的开关漏电极SD连接的驱动栅电极DG的电压水平，来控制从驱动电流线VDD流向发光二极管OLE的电流的量。
图4示出了具有顶部栅结构的薄膜晶体管ST和DT。顶部栅结构是指栅电极SG和DG被分别设置在半导体层SA和DA上。详细地，顶部栅结构可以具有在基板SUB上首先形成的半导体层SA和DA，以及在覆盖半导体层SA和DA的栅绝缘层GI上形成的栅电极SG和DG。在另一个示例中，根据本公开的电致发光显示器可以具有底部栅结构。底部栅结构可以具有在基板SUB上首先形成的栅电极SG和DG，以及在覆盖栅电极SG和DG的栅绝缘层GI上的半导体层SA和DA。优选地，在实现超高分辨率密度的情况下，根据本公开的电致发光显示器可以包括具有顶部栅结构的薄膜晶体管以增加开口率，开口率是发射面积与像素面积的比率。
另外，根据图4中示出的顶部栅结构，开关源电极SS、开关漏电极SD、驱动源电极DS和驱动漏电极DD与栅电极SG和DG形成在相同的层上。换句话说，源电极SS和DS以及漏电极SD和DD可以与形成扫描线SL和栅电极SG和DG的层形成在相同的层上，但是数据线DL和驱动电流线VDD可以与扫描线SL形成在不同的层上。中间绝缘层ILD可以堆叠在栅电极SG和DG、源电极SS和DS以及漏电极SD和DD上。数据线DL和驱动电流线VDD可以设置在中间绝缘层ILD上。
发光二极管OLE可以包括阳极电极ANO、发射层EL和阴极电极CAT。发光二极管OLE可以根据由驱动薄膜晶体管DT控制的电流的量来发光。换句话说，可以通过由驱动薄膜晶体管DT控制的低电平电压和高电平电压之间的电压差来驱动发光二极管OLE，从而可以控制电致发光显示器的亮度。发光二极管OLE的阳极电极ANO可以连接至驱动薄膜晶体管DT的驱动漏电极DD，并且阴极电极CAT可以连接至供应低电平电压的低电平电源线VSS。可以通过由驱动薄膜晶体管DT控制的高电平电压与低电平电压之间的电压差来驱动发光二极管OLE。
钝化层PAS可以被沉积在具有薄膜晶体管ST和DT的基板SUB上。优选地，钝化层PAS可以由诸如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的有机材料制成。平坦化层PL可以被沉积在钝化层PAS上。平坦化层PL可以是用于将在上面形成薄膜晶体管ST和DT的基板SUB的非均匀表面进行平坦化的膜层。为了使高度差均匀，平坦化层PL可以由有机材料制成。钝化层PAS和平坦化层PL可以具有将驱动薄膜晶体管DT的驱动漏极DD的一部分露出的像素接触孔PH。
阳极电极ANO可以形成在覆盖薄膜晶体管ST和DT的平坦化层PL的上表面上。阳极电极ANO可以通过像素接触孔PH而连接至驱动薄膜晶体管DT的驱动漏极DD。根据发光二极管OLE的发射结构，阳极电极ANO可以具有不同的结构。对于从发射层产生的光发射至基板SUB所设置的方向的底部发光型的示例，阳极电极ANO可以包括透明导电材料。对于从发射层产生的光发射至与基板SUB的相反方向的顶部发光型的另一示例，阳极电极ANO可以由具有优异光反射率的金属材料制成。例如，阳极电极可以包括银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)和钡(Ba)中的任何一种金属材料，或者包括它们的合金。另外，顶部发光型的阳极电极ANO可以包括具有优异光反射率的金属层和金属层上的透明导电材料层。
在本公开内容中，优选具有适合于实现超高分辨率的顶部发光型。在顶部发光型中，优选的是阳极电极ANO在由数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL限定的像素区域中具有最大面积。在这种情况下，薄膜晶体管ST和DT可以被设置成在阳极电极ANO下方与阳极电极ANO重叠。另外，数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL也可以与阳极电极ANO部分重叠。
在阳极电极ANO上形成有堤部BA。堤部BA可以覆盖阳极电极ANO的周缘区域，并且将阳极电极ANO的大部分中央部分露出。阳极电极ANO的通过堤部BA露出的区域可以被限定为像素的发光区域。
在顶部发光型中，薄膜晶体管ST和DT可以被设置为重叠的发光区域。另外，数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL的一些部分可以被设置为重叠的发光区域。
发射层EL被沉积在阳极电极ANO和堤部BA上。发射层EL可以沉积在整个显示区域AA上以覆盖阳极电极ANO和堤部BA。对于一个实施方式，发射层EL可以包括用于组合不同彩色光并发射白光的垂直堆叠的两个或更多个发射层。例如，发射层EL可以包括用于组合第一色光和第二色光以发射白光的第一发射层和第二发射层。
对于另一实施方式，发射层EL可以包括蓝光发射层、绿光发射层和红光发射层中的任何一个，以用于提供在像素处分配的彩色光。在这种情况下，发射层EL可以被设置成在由堤部BA限定的每个发光区域内被隔离。另外，发光二极管OLE还可以包括用于提高发射层EL的发光效率以及/或者发光时间的功能层。
阴极电极CAT以与发射层EL表面接触的方式被沉积在发射层EL上。阴极电极CAT以与设置在所有像素处的发射层EL连接的方式被沉积为覆盖基板SUB的整个表面。对于顶部发光型，优选地，阴极电极CAT可以由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料制成。
尽管图中未示出，但在通过沉积阴极电极CAT来完成发光二极管OLE之后，可以在阴极电极CAT上设置封装层。封装层可以具有将无机层、有机层和无机层依次堆叠的结构。另外，可以在封装层上形成滤色器。滤色器可以形成为具有与阳极电极ANO相同的尺寸或比阳极电极稍大的尺寸，并且与阳极电极ANO完全重叠。
根据本公开的电致发光显示器还可以包括遮光层LS。遮光层LS可以设置在半导体层SA和DA下方，以防止光侵入半导体层SA和DA而改变半导体沟道区的沟道特性。例如，可以在基板SUB上首先形成遮光层LS。例如，在将遮光层LS形成在要在基板SUB上设置半导体层SA和DA的位置处之后，可以在基板SUB的整个表面上沉积缓冲层BUF。
除了防止外部光进入半导体层SA和DA之外，遮光层LS可以用作修复元件以将缺陷像素连接至相邻的正常像素以使缺陷像素恢复正常。另外，遮光层LS可以用作数据线DL或驱动电流线VDD。在另一个示例中，遮光层LS可以被用作用于实现具有双栅结构的薄膜晶体管的第二栅电极。
在完成具有图4中示出的结构的电致发光显示器之后，可以从基板SUB的下方方向照射激光，以将热能施加到诸如遮光层LS和存储电容Cst的电极的金属层。因此，包括堆叠在金属层上的有机材料的平坦化层PL可以通过施加到遮光层LS和存储电容Cst的电极的热能来向上膨胀。
因此，如图5中示出，阳极电极ANO的一部分可以朝向阴极电极CAT向上膨胀。图5是放大了图4中的虚线框部分‘A’的横截面图，用于示出根据本公开内容的电致发光显示器中通过使用激光的热处理工艺得到的发光二极管的结构。换句话说，在照射激光之前，阳极电极ANO与阴极电极CAT之间的间隙可以具有第一高度H1，但在照射激光后，阳极电极ANO与阴极电极CAT之间的间隙可以具有比第一高度H1小的第二高度H2。
可以根据发光二极管OLE中的阳极电极ANO和阴极电极CAT之间的距离(或间隙)，即发射层EL的厚度，来确定功耗。例如，随着发射层EL的厚度增加，阳极电极ANO和阴极电极CAT之间的电位差可以增加，该电位差被施加以便从发射层EL产生光。换句话说，发射层EL的厚度与驱动功率之间可存在正比例关系。因此，使发射层EL的厚度变薄可以是降低功耗的主要因素。
然而，制造电致发光显示器的过程包括如下过程：在考虑形成的每一层所使用的材料、制造条件和的功能特性的情况下，设置预先确定的厚度，并且堆叠适合该厚度的薄膜。因此，随意改变一个薄层的厚度不容易确定，因为它影响整个过程。例如，在批量生产条件下，可以通过考虑诸如发光效率、发光材料和驱动方法的所有条件来形成发光二极管OLE的发射层EL。在这种情况下，很难轻易地改变制造过程，因为很难预测随意减小发射层EL的厚度将如何影响整个显示装置的质量。
在本公开内容中，在通过考虑各种工艺条件和性能而确定的现有制造工艺制造电致发光显示器之后，使用激光的局部热处理过程(作为后处理)被用于制造以下发光二极管OLE：其中阳极电极ANO和阴极电极CAT之间的距离可以在一些区域中被形成得更窄。因此，可以将用于驱动整个像素区域中的发光二极管OLE的驱动电压设置成远低于传统技术的驱动电压。
在图3中，由虚线表示的部分X是由遮光层LS和存储电容Cst占据的部分。即使未在图中示出，遮光层LS可以被形成为具有在存储电容Cst下方的大的区域，以与存储电容Cst完全重叠。在任何情况下，在平面图中由遮光层LS所占据的面积或由遮光层LS和存储电容Cst所占据的面积与像素区域的面积的比率可以至少为40％至70％。当施加激光热处理时，阳极电极ANO和阴极电极CAT之间的间隙可以在像素区域的40％至70％的区域中被较窄地形成。因此，可以获得将驱动功耗降低40％至70％的效果。
当遮光层LS被用作修复线并且施加在修复过程中使用的266nm波段中的激光时，可以在修复过程中一起执行热处理过程，而无需单独的热处理过程。在这种情况下，还可以获得防止制造节拍时间增加的优点。
修复过程执行断开连接部分的过程，或熔化其间具有绝缘层的两个重叠的电极(或线)以将它们连接。另一方面，用于使阳极电极ANO和阴极电极CAT之间的距离变窄的热处理可能不需要用以切割或熔化部件的高能量。因此，当使用修复过程进行热处理过程时，优选地相比于修复过程减少照射激光的时间，以免损坏发光二极管。
同时，在使用与修复过程的激光不同的激光进行热处理过程的情况下，优选地调整使用的激光的强度以免损坏像素区域中设置的其他部件，或者调整激光照射时间。
本公开内容的上述示例中描述的特征、结构、效果等被包括在本公开内容的至少一个示例中，而不仅限于一个示例。此外，在至少一个示例中说明的特征、结构、效果等可以由本公开内容所属领域的技术人员关于其他示例以组合方式或修改方式来实现。因此，与这些组合和变型有关的内容应当被解释为包括在本公开内容的范围内。
对于本领域技术人员明显的是，在不脱离本公开内容的构思或范围的情况下，可以在本公开内容中做出各种修改和变型。因此，本公开内容旨在覆盖本公开内容的修改和变型，只要这些修改和变型落入所附权利要求及其等同物的范围内即可。根据以上详细描述，可以对实施方式进行这些和其他改变。一般而言，在所附权利要求中，所使用的术语不应当被解释为将权利要求限制为说明书和权利要求中所公开的特定实施方式，而应当被解释为包括所有可能的实施方式以及这些权利要求所享有的等同物的全部范围。因此，权利要求不受本公开内容的限制。

Claims (11)

1.一种电致发光显示器，包括：
在基板上的像素；
在所述像素中的发光元件，所述发光元件包括第一电极、在所述第一电极上的发射层、以及在所述发射层上的第二电极；以及
遮光层，所述遮光层在所述发射层下方，并且在所述遮光层和所述发射层之间设置有平坦化层，所述遮光层与所述发射层的第一部分重叠，
其中，在所述第一部分处在所述第一电极与所述第二电极之间形成第一距离，以及
其中，在与所述第一部分不同的所述发射层的第二部分处在所述第一电极与所述第二电极之间形成第二距离，所述第一距离小于所述第二距离。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示器，还包括：
驱动元件，所述驱动元件连接至所述发光元件并且设置在所述平坦化层下方，所述驱动元件与所述遮光层重叠，并且在所述驱动元件与所述遮光层之间设置有缓冲层。
3.根据权利要求2所述的电致发光显示器，其中，所述驱动元件包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有：
半导体层；
栅电极，所述栅电极与所述半导体层的中间部分重叠；
源电极，所述源电极连接至所述半导体层的一侧；以及
漏电极，所述漏电极连接至所述半导体层的另一侧，
其中，所述遮光层与所述半导体层重叠，并且在所述遮光层与所述半导体层之间设置有所述缓冲层。
4.根据权利要求2所述的电致发光显示器，其中，所述驱动元件还包括：
存储电容，所述存储电容与所述第一电极重叠并且连接至所述薄膜晶体管。
5.根据权利要求4所述的电致发光显示器，其中，所述遮光层与所述存储电容重叠。
6.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，与所述遮光层重叠的所述发射层的第一部分在所述发光元件的整个区域的40％至70％的范围中。
7.一种电致发光显示器，包括：
在基板上的像素；
在所述像素中的发光元件，所述发光元件包括第一电极、在所述第一电极上的发射层、以及在所述发射层上的第二电极；以及
遮光层，所述遮光层在所述发射层下方，并且在所述遮光层与所述发射层之间有平坦化层，所述遮光层与所述发射层的一部分重叠，
其中，所述发射层的不与所述遮光层重叠的第一部分具有第一厚度，以及
其中，所述发射层的与所述遮光层重叠的第二部分具有比所述第一厚度薄的第二厚度。
8.根据权利要求7所述的电致发光显示器，还包括：
驱动元件，所述驱动元件连接至所述发光元件并且设置在所述平坦化层下方，所述驱动元件与所述遮光层重叠，并且在所述驱动元件与所述遮光层之间设置有缓冲层。
9.根据权利要求7所述的电致发光显示器，其中，与所述遮光层重叠的所述发射层的第二部分在所述发光元件的整个区域的40％至70％的范围中。
10.一种用于制造电致发光显示器的方法，包括：
在基板上形成遮光层；
在所述基板的整个表面上沉积缓冲层以覆盖所述遮光层；
在所述缓冲层上形成与所述遮光层的一部分重叠的驱动元件；
在所述基板的整个表面上沉积平坦化层以覆盖所述驱动元件；
在所述平坦化层上形成与所述遮光层重叠的发光元件，所述发光元件包括第一电极、发射层以及第二电极；以及
将热能施加到所述遮光层，以缩小所述发射层的与所述遮光层重叠的部分处所述第一电极和所述第二电极之间的间隙。
11.一种电致发光显示器，包括：
在基板上的多个像素，所述多个像素中的每一个像素包括发光元件，其中所述发光元件包括第一电极、在所述第一电极上的发射层、以及在所述发射层上的第二电极；以及
在每一个像素的发光元件下方的遮光层，
其中，所述遮光层被施加热能，使得在所述遮光层上方的所述第一电极的一部分朝向所述第二电极膨胀，并且在所述第一电极的膨胀部分与所述第二电极之间的所述发射层的一部分的厚度减小。
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