CN112634826B - micro-LED显示面板、micro-LED像素电路及显示装置 - Google Patents

micro-LED显示面板、micro-LED像素电路及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种micro‑LED显示面板、micro‑LED像素电路及显示装置，包括显示区域与非显示区域，所述非显示区域位于所述micro‑LED显示面板的四周；所述显示区域内包括遮光层，所述遮光层包括：与所述非显示区域邻接的第一遮光层和不与所述非显示区域邻接的第二遮光层；所述非显示区域内包括VDD环绕导电线和VSS环绕导电线，所述VSS环绕导电线环绕在所述第一遮光层的四周，所述VDD环绕导电线环绕在所述VSS环绕导电线的四周；所述VDD环绕导电线和所述VSS环绕导电线通过旁路通道与覆晶薄膜相连接。

Description

micro-LED显示面板、micro-LED像素电路及显示装置
技术领域
本申请涉及一种显示器技术领域，尤其涉及一种micro-LED显示面板、micro-LED像素电路及显示装置。
背景技术
近年来，显示行业得到了快速的发展，尤其是我国的显示行业，发生了天翻地覆的变化。通过技术、人才、先进设备的引进、以及核心技术的创新，我国已成为世界显示器制造大国，显示器水平达到世界领先水平。不仅结束了我国少屏的窘境，还引领显示界的潮流。
显示行业的竞争变得越来越激烈，更新周期不断缩短，以液晶显示器(LiquidCrystal Display，简称LCD)与有机发光半导体(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)的竞争尤为激烈。随着OLED工艺、材料的成熟以及良率的提升，LCD渐渐失去了在小尺寸的市场优势，特别是在手机市场，OLED已渐渐取代LCD的地位。近年来也兴起了很多新型的显示技术，例如量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)显示、E-ink、柔性LCD、mini-LED、micro-LED等等。这些新技术因还存在成本、寿命、可靠性等一些问题，还具备不了像LCD、OLED的量产性。micro-LED因具有色域广、对比度高、响应速度快、分辨率高、寿命长等优点，被很多企业大力推广，同时被视为下一代最具有潜力的新型显示技术。
micro-LED目前已经生产出了多种产品，但仍然存在很多问题。例如亮度不均匀、可靠性、转移良率低、TFT均匀性差、串色、混色、对比度差等问题。而micro-LED面板亮度不均匀与诸多因素有关，大概可以分为以下几个大类：电压降问题；驱动背板均匀性问题；micro-LED芯片的均匀性问题以及巨量转移的重复性等问题。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本申请实施例提供一种micro-LED显示面板、micro-LED像素电路及显示装置，通过改变可显示区域的外层遮光层图案，形成VDD环绕导电线和VSS环绕导电线，以此来降低面板的电阻，改善了面板的电压降问题，进而达到改善面板亮度不均匀的目的。
本发明实施例提供了一种micro-LED显示面板，所述micro-LED显示面板包括显示区域与非显示区域，所述非显示区域位于所述micro-LED显示面板的四周；所述micro-LED显示面板包括位于上下侧的第一侧和第二侧，位于左右侧的第三侧和第四侧；
所述显示区域内包括遮光层，所述遮光层包括：与所述非显示区域邻接的第一遮光层和不与所述非显示区域邻接的第二遮光层；
所述非显示区域内包括VDD环绕导电线和VSS环绕导电线，VSS环绕导电线设于所述第一侧、所述第二侧、所述第三侧以及所述第四侧上；VDD环绕导电线设于所述第一侧、所述第二侧、所述第三侧以及所述第四侧上；其中，所述VSS环绕导电线环绕在所述第一遮光层的四周，所述VDD环绕导电线环绕在所述VSS环绕导电线的四周；
所述micro-LED显示面板包括旁路通道与覆晶薄膜，所述VDD环绕导电线和所述VSS环绕导电线通过所述旁路通道与所述覆晶薄膜相连接。
根据本发明实施例所提供的micro-LED显示面板，所述显示区域包括若干个像素结构，所述像素结构均包含VDD导电线和VSS导电线。
根据本发明实施例所提供的micro-LED显示面板，所述覆晶薄膜配置成用于发送电信号，所述电信号用于通过所述旁路通道经过所述VSS环绕导电线，再输入到所述显示区域内的所述像素结构中。
根据本发明实施例所提供的micro-LED显示面板，所述覆晶薄膜配置成用于发送电信号，所述电信号用于通过所述旁路通道经过所述VDD环绕导电线，再输入到所述显示区域内的所述像素结构中。
根据本发明实施例所提供的micro-LED显示面板，所述覆晶薄膜配置成用于发送电信号到所述显示区域内的所述像素结构中。
本实施例还提供一种micro-LED像素电路，所述micro-LED像素电路包括位于上下侧的第一侧和第二侧，位于左右侧的第三侧和第四侧；覆晶薄膜，设于所述第一侧的下方；VSS环绕导电线设于所述第一侧、所述第二侧、所述第三侧以及所述第四侧上；VDD环绕导电线设于所述第一侧、所述第二侧、所述第三侧以及所述第四侧上，其中，所述VDD环绕导电线环绕在所述VSS环绕导电线的四周；若干个像素结构，若干个所述像素结构设置在所述VSS环绕导电线形成的环内；以及旁路通道；
其中，所述VDD环绕导电线与所述VSS环绕导电线通过所述旁路通道与所述覆晶薄膜相连接；若干个所述像素结构与所述覆晶薄膜相连接。
根据本发明实施例所提供的micro-LED像素电路，所述覆晶薄膜配置成用于发送电信号，所述电信号用于通过所述旁路通道经过所述VSS环绕导电线，再输入到所述像素结构中。
根据本发明实施例所提供的micro-LED像素电路，所述覆晶薄膜配置成用于发送电信号，所述电信号用于通过所述旁路通道经过所述VDD环绕导电线，再输入到所述像素结构中。
根据本发明实施例所提供的micro-LED像素电路，所述覆晶薄膜配置成用于直接发送电信号到若干个所述像素结构中。
本实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述实施例任一项所述的micro-LED像素电路。
本发明的有益效果为：本实施例所提供的一种micro-LED显示面板、micro-LED像素电路及显示装置，通过将显示区域最外围的一圈或几圈像素结构进行特殊的设计，将最外围的所述像素结构的遮光层图形进行分割，且分割成第一遮光层、VDD功能层以及VSS功能层。并将上述由所述遮光层分隔出来的所述VDD功能层以及VSS功能层分别连接起来，形成VDD环绕导电线和VSS环绕导电线，并通过覆晶薄膜的旁路通道和覆晶薄膜相连接起来。在所述micro-LED显示面板工作时，所述覆晶薄膜通过所述旁路通道将电信号传输到所述VDD环绕导电线和所述VSS环绕导电线中，再由所述VDD环绕导电线和所述VSS环绕导电线将电信号传输到显示区域内的像素结构中，且所述覆晶薄膜还直接输入电信号到所述显示区域的所述像素结构中的所述VDD导电线和所述VSS导电线中。本实施例所提供的micro-LED显示面板通过在显示区外围构造VDD环绕导电线和VSS环绕导电线，来降低显示面板的电阻，改善了显示面板的电压降问题，进而达到了改善显示面板亮度显示不均匀的问题，提升了micro-LED显示面板的显示品质。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有技术中常见的micro-LED显示面板示意图。
图2为本实施例提供的micro-LED显示面板结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
如图1所示，为现有技术中常见的micro-LED显示面板示意图。参阅图1可知，所述micro-LED显示面板包括位于上下侧的第一侧1和第二侧2，位于左右侧的第三侧3和第四侧4；在现有技术中的所述micro-LED显示面板包括显示区域与非显示区域，所述显示区域内包括若干个像素结构10以及若干个遮光层11，所述非显示区域设置在所述显示区域的四周并包围所述显示区域。在所述第二侧2还设置有覆晶薄膜(Chip On Film，简称COF)20。其中，在若干个所述像素结构10中均包括VDD导电线和VSS导电线；所述VDD导电线和所述VSS导电线与所述覆晶薄膜20相连接。所述覆晶薄膜20发送电信号给所述VDD导电线和所述VSS导电线，从而驱动若干个所述像素结构10。而在现有技术中的所述micro-LED显示面板中由于导线电阻不均匀的存在，很容易造成显示面板产出电压降的问题，从而导致面板亮度显示不均匀的问题。
针对现有技术中micro-LED显示面板容易造成电压降的问题，本实施例提供一种micro-LED显示面板、micro-LED像素电路及显示装置，用一种新的结构来降低显示面板的电阻，改善显示面板电压降的问题，从而达到改善面板亮度不均匀的目的。
如图2所示，为本实施例所提供的一种micro-LED显示面板结构示意图。参阅图2，所述micro-LED显示面板包括显示区域100与非显示区域200，所述非显示区域200位于所述micro-LED显示面板的四周；所述micro-LED显示面板包括位于上下侧的第一侧1和第二侧2，位于左右侧的第三侧3和第四侧4；
所述显示区域100内包括遮光层11，所述遮光层11包括：与所述非显示区域200邻接的第一遮光层111和不与所述非显示区域200邻接的第二遮光层112；
所述非显示区域200内包括VDD环绕导电线30和VSS环绕导电线40，所述VSS环绕导电线40设于所述第一侧1、所述第二侧2、所述第三侧3以及所述第四侧4上；所述VDD环绕导电线30设于所述第一侧1、所述第二侧2、所述第三侧3以及所述第四侧4上；其中，所述VSS环绕导电线40环绕在所述第一遮光层111的四周，所述VDD环绕导电线30环绕在所述VSS环绕导电线40的四周；
所述micro-LED显示面板包括旁路通道21与覆晶薄膜20(COF)，所述VDD环绕导电线30和所述VSS环绕导电线40通过所述旁路通道21与所述覆晶薄膜20(COF)相连接。所述覆晶薄膜20设置在所述第二侧2的下方。
其中，在所述显示区域100内还包括如干个像素结构10，所述像素结构10均包含VDD导电线和VSS导电线。所述VDD导电线和所述VSS导电线均与所述覆晶薄膜20相连接。
如图2所示，在所述micro-LED显示面板的所述第一侧1包括所述第一遮光层111，位于所述第一侧1的VDD功能模块以及位于所述第一侧1的VSS功能模块；在所述micro-LED显示面板的所述第二侧2包括所述第一遮光层111，位于所述第二侧2的VDD功能模块以及位于所述第二侧2的VSS功能模块；在所述micro-LED显示面板的所述第三侧3包括所述第一遮光层111，位于所述第三侧3的VDD功能模块以及位于所述第三侧3的VSS功能模块；在所述micro-LED显示面板的所述第四侧4包括所述第一遮光层111，位于所述第四侧4的VDD功能模块以及位于所述第四侧4的VSS功能模块。位于所述第一侧1的VDD功能模块、位于第二侧2的VDD功能模块、位于第三侧3的VDD功能模块以及位于第四侧4的VDD功能模块相互连接并形成所述VDD环绕导电线30。位于所述第一侧1的VSS功能模块、位于第二侧2的VSS功能模块、位于第三侧3的VSS功能模块以及位于第四侧4的VSS功能模块相互连接并形成所述VSS环绕导电线40。
在所述micro-LED显示面板显示工作时，所述覆晶薄膜20配置成用于发送电信号，所述电信号用于通过所述旁路通道21经过所述VSS环绕导电线40，所述VSS环绕导电线40再将电信号输入到所述显示区域100内的所述像素结构10中；所述覆晶薄膜20配置成用于发送电信号，所述电信号用于通过所述旁路通道21经过所述VDD环绕导电线30，所述VDD环绕导电线30再将电信号输入到所述显示区域100内的所述像素结构10中；所述覆晶薄膜20配置成用于发送电信号到所述显示区域100的所述像素结构10中的所述VDD导电线和所述VSS导电线中。
本实施例所提供的micro-LED显示面板通过将显示区域100最外围的一圈或几圈像素结构10进行特殊的设计，将最外围的所述像素结构10的遮光层11图形进行分割，且分割成第一遮光层111、VDD功能层以及VSS功能层。并将上述由所述遮光层11分隔出来的所述VDD功能层以及VSS功能层分别连接起来，形成VDD环绕导电线30和VSS环绕导电线40，并通过覆晶薄膜20的旁路通道21和所述覆晶薄膜20相连接起来。在所述micro-LED显示面板工作时，所述覆晶薄膜20配置成用于发送电信号，所述电信号用于通过所述旁路通道21传输到所述VDD环绕导电线30和所述VSS环绕导电线40中，再由所述VDD环绕导电线30和所述VSS环绕导电线40将电信号传输到显示区域100内的像素结构10中，且所述覆晶薄膜20配置成用于直接发送电信号到所述显示区域100的所述像素结构10中的所述VDD导电线和所述VSS导电线中。本实施例所提供的micro-LED显示面板通过在显示区域100外围构造VDD环绕导电线30和VSS环绕导电线40，来降低显示面板的电阻，改善了显示面板的电压降问题，进而达到了改善显示面板亮度显示不均匀的问题，提升了micro-LED显示面板的显示品质。
本实施例还提供了一种micro-LED像素电路，所述micro-LED像素电路包括位于上下侧的第一侧和第二侧，位于左右侧的第三侧和第四侧；覆晶薄膜(COF)，设于所述第一侧的下方；VSS环绕导电线设于所述第一侧、所述第二侧、所述第三侧以及所述第四侧上；VDD环绕导电线设于所述第一侧、所述第二侧、所述第三侧以及所述第四侧上，其中，所述VDD环绕导电线环绕在所述VSS环绕导电线的四周；若干个像素结构，若干个所述像素结构设置在所述VSS环绕导电线形成的环内；以及旁路通道；
其中，所述VDD环绕导电线与所述VSS环绕导电线通过所述旁路通道与所述覆晶薄膜相连接；若干个所述像素结构与所述覆晶薄膜相连接。
位于所述第一侧的所述VSS环绕导电线、位于所述第二侧的所述VSS环绕导电线、位于所述第三侧的所述VSS环绕导电线以及位于所述第四侧的所述VSS环绕导电线相互连接形成所述VSS环绕导电线，并包围若干个所述像素结构；位于所述第一侧的所述VDD环绕导电线、位于所述第二侧的所述VDD环绕导电线、位于所述第三侧的所述VDD环绕导电线以及位于所述第四侧的所述VDD环绕导电线相互连接形成所述VDD环绕导电线，并包围所述所述VSS环绕导电线。
在所述micro-LED像素电路工作时，所述覆晶薄膜配置成用于发送电信号，所述电信号用于通过所述旁路通道经过所述VSS环绕导电线，所述VSS环绕导电线再将电信号输入到若干个所述像素结构中；所述覆晶薄膜配置成用于发送电信号，所述电信号用于通过所述旁路通道经过所述VDD环绕导电线，所述VDD环绕导电线再将电信号输入到若干个所述像素结构中；所述覆晶薄膜配置成用于发送电信号到若干个所述像素结构中的所述VDD导电线和所述VSS导电线中。
本实施例还提供一种显示装置，该显示装置应用了本实施所提供的micro-LED像素电路。
本实施例所提供的一种micro-LED显示面板、micro-LED像素电路及显示装置，通过将显示区域最外围的一圈或几圈像素结构进行特殊的设计，将最外围的所述像素结构的遮光层图形进行分割，且分割成第一遮光层、VDD功能层以及VSS功能层。并将上述由所述遮光层分隔出来的所述VDD功能层以及VSS功能层分别连接起来，形成VDD环绕导电线和VSS环绕导电线，并通过覆晶薄膜的旁路通道和覆晶薄膜相连接起来。在所述micro-LED显示面板工作时，所述覆晶薄膜通过所述旁路通道将电信号传输到所述VDD环绕导电线和所述VSS环绕导电线中，再由所述VDD环绕导电线和所述VSS环绕导电线将电信号传输到显示区域内的像素结构中，且所述覆晶薄膜还直接输入电信号到所述显示区域的所述像素结构中的所述VDD导电线和所述VSS导电线中。本实施例所提供的micro-LED显示面板通过在显示区外围构造VDD环绕导电线和VSS环绕导电线，来降低显示面板的电阻，改善了显示面板的电压降问题，进而达到了改善显示面板亮度显示不均匀的问题，提升了micro-LED显示面板的显示品质。
以上对本申请实施例所提供的一种一种micro-LED显示面板、micro-LED像素电路及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种micro-LED显示面板，其特征在于，所述micro-LED显示面板包括显示区域与非显示区域，所述非显示区域位于所述micro-LED显示面板的四周；所述micro-LED显示面板包括位于上下侧的第一侧和第二侧，位于左右侧的第三侧和第四侧；
所述显示区域内包括若干个像素结构和遮光层，其中，所述若干个像素结构均包含VDD导电线和VSS导电线，所述遮光层包括与所述非显示区域邻接的第一遮光层和不与所述非显示区域邻接的第二遮光层；
所述非显示区域内包括VDD环绕导电线和VSS环绕导电线，所述VDD环绕导电线和所述VSS环绕导电线通过由所述遮光层分割出来的VDD功能层和VSS功能层分别连接而形成，所述VSS环绕导电线设于所述第一侧、所述第二侧、所述第三侧以及所述第四侧上；所述VDD环绕导电线设于所述第一侧、所述第二侧、所述第三侧以及所述第四侧上；其中，所述VSS环绕导电线环绕在所述第一遮光层的四周，所述VDD环绕导电线环绕在所述VSS环绕导电线的四周；
所述micro-LED显示面板包括旁路通道与覆晶薄膜，所述VDD环绕导电线和所述VSS环绕导电线通过所述旁路通道与所述覆晶薄膜相连接。
2.根据权利要求1所述的micro-LED显示面板，其特征在于，所述覆晶薄膜配置成用于发送电信号，所述电信号用于通过所述旁路通道经过所述VSS环绕导电线，再输入到所述显示区域内的所述像素结构中。
3.根据权利要求2所述的micro-LED显示面板，其特征在于，所述覆晶薄膜配置成用于发送电信号，所述电信号用于通过所述旁路通道经过所述VDD环绕导电线，再输入到所述显示区域内的所述像素结构中。
4.根据权利要求1所述的micro-LED显示面板，其特征在于，所述覆晶薄膜配置成用于发送电信号到所述显示区域内的所述像素结构中。
5.一种micro-LED像素电路，其特征在于，所述micro-LED像素电路包括位于上下侧的第一侧和第二侧，位于左右侧的第三侧和第四侧；覆晶薄膜，设于所述第一侧的下方；VSS环绕导电线设于所述第一侧、所述第二侧、所述第三侧以及所述第四侧上；VDD环绕导电线设于所述第一侧、所述第二侧、所述第三侧以及所述第四侧上，其中，所述VDD环绕导电线环绕在所述VSS环绕导电线的四周，所述VDD环绕导电线和所述VSS环绕导电线通过由遮光层分割出来的VDD功能层和VSS功能层分别连接而形成；若干个像素结构，所述若干个所述像素结构设置在所述VSS环绕导电线形成的环内，所述若干个所述像素结构均包含VDD导电线和VSS导电线；以及旁路通道；
其中，所述VDD环绕导电线与所述VSS环绕导电线通过所述旁路通道与所述覆晶薄膜相连接；若干个所述像素结构与所述覆晶薄膜相连接。
6.根据权利要求5所述的micro-LED像素电路，其特征在于，所述覆晶薄膜配置成用于发送电信号，所述电信号用于通过所述旁路通道经过所述VSS环绕导电线，再输入到所述像素结构中。
7.根据权利要求6所述的micro-LED像素电路，其特征在于，所述覆晶薄膜配置成用于发送电信号，所述电信号用于通过所述旁路通道经过所述VDD环绕导电线，再输入到所述像素结构中。
8.根据权利要求7所述的micro-LED像素电路，其特征在于，所述覆晶薄膜配置成用于直接发送电信号到若干个所述像素结构中。
9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求5-8任一项所述的micro-LED像素电路。
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