CN110579915A - 覆晶薄膜组、显示模组及覆晶薄膜组的邦定方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种覆晶薄膜组、显示模组及覆晶薄膜组的邦定方法。该覆晶薄膜组包括多个覆晶薄膜;所述多个覆晶薄膜叠置并裸露出每一所述覆晶薄膜上的连接端子以连接外部信号,每个覆晶薄膜上设有呈一行排列的多个连接端子;所述多个覆晶薄膜的多个连接端子呈多行排布,可以增加一个覆晶薄膜上相邻两个连接端子之间的间距,防止覆晶薄膜上的连接端子由于间距过窄而导致短路,避免覆晶薄膜邦定不良。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种覆晶薄膜组、显示模组及覆晶薄膜组的邦定方法。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)是目前液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay,LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode,AMOLED)中的主要驱动元件,直接关系平板显示装置的显示性能。
现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器,其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管阵列基板(ThinFilm Transistor Array Substrate,TFT Array Substrate)与彩色滤光片(ColorFilter,CF)基板之间灌入液晶分子,并在两片基板上分别施加像素电压和公共电压,通过像素电压和公共电压之间形成的电场控制液晶分子的旋转方向,以将背光模组的光线透射出来产生画面。
OLED器件通常包括:基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光。具体的,OLED器件通常采用氧化铟锡(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层,电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层,并在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。
目前由于市场趋势,大众消费者对电视尺寸的刷新率,及分辨率要求越来越高,刷新率越高,需要的覆晶薄膜(COF)数目越多,但是由于尺寸限制,COF数目越多,相对应的COF的宽度也会变小,例如8K分辨率、120HZ刷新率采用1G1D架构(1G1D架构是指一条栅极线对应连接一行子像素,一条数据线对应连接一列子像素)的显示器会引起充电不足的问题,解决充电不足的问题则需要将8K分辨率、120HZ刷新率的显示器做成HG2D架构(HG2D架构是指一条栅极线对应连接两行子像素,两条数据线对应连接一列子像素),这样就需要48颗960通道的COF,由于液晶面板宽度的问题,现有技术的COF邦定(bonding)方法,会使的的COF的金手指的线宽(pitch)很小,即使使用二合一(2in 1)的1920通道的COF的金手指的线宽也会很小,会引起邦定不良的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种覆晶薄膜组,可以防止覆晶薄膜上的连接端子由于间距过窄而导致短路,避免覆晶薄膜邦定不良。
本发明的目的还在于提供一种显示模组,可以防止覆晶薄膜上的连接端子由于间距过窄而导致短路,避免覆晶薄膜邦定不良。
本发明的目的还在于提供一种覆晶薄膜组的邦定方法,可以防止覆晶薄膜上的连接端子由于间距过窄而导致短路,避免覆晶薄膜邦定不良。
为实现上述目的,本发明提供了一种覆晶薄膜组,包括:多个覆晶薄膜;所述多个覆晶薄膜叠置并裸露出每一所述覆晶薄膜上的连接端子以连接外部信号。
每个覆晶薄膜上设有呈一行排列的多个连接端子;所述多个覆晶薄膜的多个连接端子呈多行排布。
所述覆晶薄膜的数量为两个,所述两个覆晶薄膜叠置使分别位于所述两个覆晶薄膜上的两行连接端子呈两行排布。
所述多个覆晶薄膜叠置使分别位于所述多个覆晶薄膜上的多行连接端子交错排布。
每个覆晶薄膜上位于同一行的多个连接端子相互平行;每个覆晶薄膜的每相邻两个连接端子之间的间距相同。
所述覆晶薄膜组叠置后的整体形状为矩形;所述覆晶薄膜各自的形状均为“L”形。
每个覆晶薄膜包括第一部以及所述第一部垂直连接的第二部;
至少一个所述覆晶薄膜的第一部重叠覆盖另一所述覆晶薄膜的第一部,所述覆晶薄膜在叠置后的第二部的边缘平齐。
所述多个连接端子位于覆晶薄膜的第一部上;每个覆晶薄膜上还设有位于第二部上的驱动芯片。
本发明还提供一种显示模组,包括:显示面板以及设于所述显示面板上的多个如上所述的覆晶薄膜组。
本发明还提供一种覆晶薄膜组的邦定方法,包括如下步骤:
步骤S1、将多个如上所述的覆晶薄膜组中的一个覆晶薄膜的多个连接端子与显示面板邦定;
步骤S2、重复步骤S1直至将所有覆晶薄膜组中的多个覆晶薄膜的多个连接端子均与显示面板邦定。
本发明的有益效果:本发明的覆晶薄膜组包括多个覆晶薄膜;所述多个覆晶薄膜叠置并裸露出每一所述覆晶薄膜上的连接端子以连接外部信号,每个覆晶薄膜上设有呈一行排列的多个连接端子;所述多个覆晶薄膜的多个连接端子呈多行排布,可以增加一个覆晶薄膜上相邻两个连接端子之间的间距,防止覆晶薄膜上的连接端子由于间距过窄而导致短路,避免覆晶薄膜邦定不良。本发明的显示模组,可以防止覆晶薄膜上的连接端子由于间距过窄而导致短路,避免覆晶薄膜邦定不良。本发明的覆晶薄膜组的邦定方法,可以防止覆晶薄膜上的连接端子由于间距过窄而导致短路,避免覆晶薄膜邦定不良。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。
附图中,
图1为本发明的覆晶薄膜组的结构示意图;
图2和图3为本发明的覆晶薄膜组的一个覆晶薄膜的示意图;
图4为本发明的显示模组的结构示意图;
图5为本发明的覆晶薄膜组的邦定方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果,以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1至图3,本发明提供一种覆晶薄膜组,包括:多个覆晶薄膜20;所述多个覆晶薄膜20叠置并裸露出每一所述覆晶薄膜20上的连接端子211以连接外部信号。
具体的,每个覆晶薄膜20上设有呈一行排列的多个连接端子211;所述多个覆晶薄膜20的多个连接端子211呈多行排布。
需要说明的是,本发明的覆晶薄膜组中的多个覆晶薄膜叠置并裸露出每一所述覆晶薄膜上的连接端子以连接外部信号,多个覆晶薄膜20上均设有呈一行排列的多个连接端子211,所述多个覆晶薄膜20的多个连接端子211呈多行排布,相当于将现有技术中一个覆晶薄膜用一个覆晶薄膜组替代,也就是将现有技术中呈一行分布的连接端子分别用多行排布的连接端子替代,可以增加一个覆晶薄膜20上相邻两个连接端子211之间的间距,防止覆晶薄膜20上的连接端子211由于间距过窄而导致短路,避免覆晶薄膜20邦定不良。
具体的,请参阅图1,本发明的优选实施例中所述覆晶薄膜20的数量为两个,所述两个覆晶薄膜20叠置使分别位于所述两个覆晶薄膜20上的两行连接端子211呈两行排布,当然本发明的覆晶薄膜20的数量也可以为三个、四个或五个等等,相应的,三个覆晶薄膜20的多个连接端子211呈三行排布,四个覆晶薄膜20的多个连接端子211呈四行排布,本发明在此不做限制。
具体的,所述多个覆晶薄膜20叠置使分别位于所述多个覆晶薄膜20上的多行连接端子211交错排布,可以进一步增加一个覆晶薄膜20上相邻两个连接端子211之间的间距。
具体的,每个覆晶薄膜20上位于同一行的多个连接端子211相互平行;每个覆晶薄膜20的每相邻两个连接端子211之间的间距相同。
请参阅图2及图3,所述多个覆晶薄膜20叠置后的整体形状为矩形;所述覆晶薄膜20各自的形状均为“L”形;
每个覆晶薄膜20包括第一部212以及所述第一部212垂直连接的第二部213;
至少一个所述覆晶薄膜20的第一部212覆盖另一所述覆晶薄膜20的第一部212,所述覆晶薄膜20在叠置后的第二部213的边缘平齐,将多个形状为“L”形的覆晶薄膜20共同构成形状为矩形的覆晶薄膜组。
例如,当两个覆晶薄膜20叠置时,两个覆晶薄膜20中位于下方的覆晶薄膜20的第一部212的长度可以大于或等于位于上方的覆晶薄膜20的第一部212的长度;
两个覆晶薄膜20中位于下方的覆晶薄膜20的第一部212的宽度可以大于位于上方的覆晶薄膜20的第一部212的宽度;
两个覆晶薄膜20中位于下方的覆晶薄膜20的第二部213的长度和宽度可以分别等于位于上方的覆晶薄膜20的第二部213的长度和宽度。
具体的,所述多个连接端子211位于覆晶薄膜20的第一部212上;每个覆晶薄膜20上还设有位于第二部213上的驱动芯片30。
请参阅图4,基于上述的覆晶薄膜组,本发明还提供一种显示模组,包括:显示面板10以及设于所述显示面板10上的多个如上所述的覆晶薄膜组11。
具体的,所述显示面板10包括相对设置的TFT阵列基板101与CF基板102;所述TFT阵列基板101包括与覆晶薄膜组11邦定的外部引脚绑定(Outer Lead Bonding,OLB)端111;所述多个覆晶薄膜组11中的每个覆晶薄膜20的多个连接端子211均与外部引脚绑定端111邦定。
具体的,所述显示面板10的驱动电路为HG2D架构,即所述显示面板10包括呈阵列分布的多个子像素、多条沿竖直方向延伸的数据线以及多条沿水平方向延伸的栅极线;每一栅极线对应连接两行子像素,每两条数据线对应连接一列子像素。
请参阅图5,基于上述的覆晶薄膜组,本发明还提供一种覆晶薄膜组的邦定方法,包括如下步骤:
步骤S1、将多个如上所述的覆晶薄膜组11中的一个覆晶薄膜20的多个连接端子211与显示面板10邦定;
步骤S2、重复步骤S1直至将所有覆晶薄膜组11中的多个覆晶薄膜20的多个连接端子211均与显示面板10邦定。
需要说明的是,本发明的覆晶薄膜组中的多个覆晶薄膜20上均设有呈一行排列的多个连接端子211,所述多个覆晶薄膜20的多个连接端子211呈多行排布,相当于将现有技术中一个覆晶薄膜用一个覆晶薄膜组替代,也就是将现有技术中呈一行分布的连接端子分别用多行排布的连接端子替代,可以增加一个覆晶薄膜20上相邻两个连接端子211之间的间距,在邦定过程中,依次将多个覆晶薄膜20的多个连接端子211与显示面板10邦定,可以防止覆晶薄膜20上的连接端子211由于间距过窄而导致短路,避免覆晶薄膜20邦定不良。
综上所述,本发明的覆晶薄膜组包括多个覆晶薄膜;所述多个覆晶薄膜叠置并裸露出每一所述覆晶薄膜上的连接端子以连接外部信号,每个覆晶薄膜上设有呈一行排列的多个连接端子;所述多个覆晶薄膜的多个连接端子呈多行排布,可以增加一个覆晶薄膜上相邻两个连接端子之间的间距,防止覆晶薄膜上的连接端子由于间距过窄而导致短路,避免覆晶薄膜邦定不良。本发明的显示模组,可以防止覆晶薄膜上的连接端子由于间距过窄而导致短路,避免覆晶薄膜邦定不良。本发明的覆晶薄膜组的邦定方法,可以防止覆晶薄膜上的连接端子由于间距过窄而导致短路,避免覆晶薄膜邦定不良。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种覆晶薄膜组,其特征在于,包括:多个覆晶薄膜(20);所述多个覆晶薄膜(20)叠置并裸露出每一所述覆晶薄膜(20)上的连接端子(211)以连接外部信号。
2.如权利要求1所述的覆晶薄膜组,其特征在于,每个覆晶薄膜(20)上设有呈一行排列的多个连接端子(211);所述多个覆晶薄膜(20)的多个连接端子(211)呈多行排布。
3.如权利要求2所述的覆晶薄膜组,其特征在于,所述覆晶薄膜(20)的数量为两个,所述两个覆晶薄膜(20)叠置使分别位于所述两个覆晶薄膜(20)上的两行连接端子(211)呈两行排布。
4.如权利要求2所述的覆晶薄膜组,其特征在于,所述多个覆晶薄膜(20)叠置使分别位于所述多个覆晶薄膜(20)上的多行连接端子(211)交错排布。
5.如权利要求1所述的覆晶薄膜组,其特征在于,每个覆晶薄膜(20)上位于同一行的多个连接端子(211)相互平行;每个覆晶薄膜(20)的每相邻两个连接端子(211)之间的间距相同。
6.如权利要求1所述的覆晶薄膜组,其特征在于,所述多个覆晶薄膜(20)叠置后的整体形状为矩形;所述覆晶薄膜(20)各自的形状均为“L”形。
7.如权利要求6所述的覆晶薄膜组,其特征在于,每个覆晶薄膜(20)包括第一部(212)以及所述第一部(212)垂直连接的第二部(213);
至少一个所述覆晶薄膜(20)的第一部(212)覆盖另一所述覆晶薄膜(20)的第一部(212),所述覆晶薄膜(20)在叠置后的第二部(213)的边缘平齐。
8.如权利要求7所述的覆晶薄膜组,其特征在于,所述多个连接端子(211)位于覆晶薄膜(20)的第一部(212)上;每个覆晶薄膜(20)上还设有位于第二部(213)上的驱动芯片(30)。
9.一种显示模组,其特征在于,包括:显示面板(10)以及设于所述显示面板(10)上的多个如权利要求1-8任一项所述的覆晶薄膜组(11)。
10.一种覆晶薄膜组的邦定方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1、将多个如权利要求1-8任一项所述的覆晶薄膜组(11)中的一个覆晶薄膜(20)的多个连接端子(211)与显示面板(10)邦定;
步骤S2、重复步骤S1直至将所有覆晶薄膜组(11)中的多个覆晶薄膜(20)的多个连接端子(211)均与显示面板(10)邦定。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20191217 |