CN114120848B - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,用以减小显示面板边框区尺寸。本申请实施例提供的一种显示面板,所述显示面板包括:阵列排布的多个像素单元,沿第一方向延伸且沿第二方向排列的多条第一信号线,沿所述第二方向排列的多个第一连接电极;所述第一方向和所述第二方向交叉;所述多个像素单元中沿所述第二方向排布的像素单元组成一个像素单元行,m个像素单元行沿所述第一方向依次排布,其中,m为大于1的整数;第m个像素单元行中的至少一个像素单元在垂直于所述第二方向的平面上的投影,与所述第一连接电极在垂直于所述第二方向的平面上的投影,存在交叠区域。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
微型发光二极管(Micro-Led)技术是将无机发光二极管结构进行薄膜化、微小化、阵列化。由于在芯片转移、良率控制等方面限制了Micro-led大屏显示,目前主要采用单一的小模块Micro-led显示面板进行拼接,获得大屏显示产品。小模块Micro-led显示面板包含显示区和边框区。目前,小模块Micro-led显示面板的边框区较大,导致拼接获得的显示屏非显示拼缝区越大,影响着显示效果。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置,用以减小显示面板边框区尺寸。
本申请实施例提供的一种显示面板,所述显示面板包括:阵列排布的多个像素单元,沿第一方向延伸且沿第二方向排列的多条第一信号线,沿所述第二方向排列的多个第一连接电极;所述第一方向和所述第二方向交叉;
所述多个像素单元中沿所述第二方向排布的像素单元组成一个像素单元行,m个像素单元行沿所述第一方向依次排布,其中,m为大于1的整数;
第m个像素单元行中的至少一个像素单元在垂直于所述第二方向的平面上的投影,与所述第一连接电极在垂直于所述第二方向的平面上的投影,存在交叠区域。
在一些实施例中,所述第一连接电极包括:沿所述第一方向延伸的第一子电极;各所述第一子电极沿所述第二方向间隔排布;
第m个像素单元行中的至少一个像素单元在垂直于所述第二方向的平面上的投影,与所述第一子电极在垂直于所述第二方向的平面上的投影,存在交叠区域。
在一些实施例中,所述第一子电极沿所述第一方向上的长度h1与在所述第二方向上相邻两个所述像素单元之间的间距h2满足:0.2<h1/h2<0.4。
在一些实施例中,所述像素单元与所述第一子电极在所述第二方向上的间距h3,与在所述第二方向上相邻两个所述像素单元之间的间距h2满足:0.3<h3/h2<0.4。
在一些实施例中,所述第一连接电极还包括:沿所述第二方向延伸的第二子电极;其中,所述第二子电极与所述第一子电极构成一体结构;
所述第二子电极至少位于所述第一子电极的一侧。
在一些实施例中,所述第二子电极在所述第一方向上的长度h8与在所述第二方向上相邻两个所述像素单元之间的间距h2满足:0.3<h8/h2<0.48。
在一些实施例中,各所述第一连接电极中,所述第二子电极位于所述第一子电极的同一侧。
在一些实施例中,所述第一连接电极在所述显示面板在平行于第一方向延伸的对称轴两侧呈轴对称排布;
在所述对称轴同一侧的所述第二子电极,位于所述第一子电极的同一侧,在所述对称轴不同侧的所述第二子电极,位于所述第一子电极的不同侧。
在一些实施例中,所述像素单元包括:发光二极管器件。
在一些实施例中,所述像素单元包括:沿第一方向或第二方向排列的红色子像素、蓝色子像素、以及绿色子像素。
在一些实施例中,所述像素单元包括:排列成两行两列的红色子像素、蓝色子像素、绿色子像素、以及修复子像素。
本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法,所述方法包括:
在衬底基板上形成沿阵列排布的多个像素单元,以及形成沿第一方向延伸且与所述像素单元电连接的多条第一信号线;其中,所述多个像素单元中沿所述第二方向排布的像素单元组成一个像素单元行,m个像素单元行沿所述第一方向依次排布,m为大于1的整数;
利用磁控溅射掩膜板,采用磁控溅射工艺,在所述衬底基板之上形成与所述第一信号线一一对应电连接的第一连接电极;其中,所述第一连接电极沿第二方向排列,第m个像素单元行中的至少一个像素单元在垂直于所述第二方向的平面上的投影,与所述第一连接电极在垂直于所述第二方向的平面上的投影,存在交叠区域。
本申请实施例提供的一种显示装置,所述显示装置包括:本申请实施例提供的显示面板。
本申请实施例提供的显示面板及其制备方法、显示装置,第m个像素单元行中的至少一个像素单元在垂直于第二方向平面上的正投影,与第一连接电极在垂直于第二方向的平面上的正投影,存在交叠区域,即像素单元之间设置有第一连接电极,使得第一连接引线在显示区与第一信号线电连接,从而可以减小显示面板边框区的尺寸,有利于实现窄边框显示,可以提高显示效果提升用户体验。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域的普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图3为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图4为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图5为本申请实施例提供的一种显示面板中的子像素的示意图;
图6为本申请实施例提供的另一种显示面板中的子像素的示意图;
图7为本申请实施例提供的又一种显示面板中的子像素的示意图;
图8为本申请实施例提供的又一种显示面板中的子像素的示意图;
图9为本申请实施例提供的又一种显示面板中的子像素的示意图;
图10为本申请实施例提供的又一种显示面板中的子像素的示意图;
图11为本申请实施例提供的又一种显示面板中的子像素的示意图;
图12为本申请实施例提供的又一种显示面板中的子像素的示意图;
图13为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图14为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图15为本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的示意图;
图16为本申请实施例提供的一种磁控溅射掩膜板的示意图;
图17为本申请实施例提供的另一种磁控溅射掩膜板的示意图;
图18为本申请实施例提供的一种磁控溅射掩膜板的开口与第一连接电极的尺寸的示意图;
图19为本申请实施例提供的另一种磁控溅射掩膜板的开口与第一连接电极的尺寸的示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例的附图,对本申请实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本申请的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
除非另外定义,本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。
需要注意的是,附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例,目的只是示意说明本申请内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
需要说明的是,相关技术中,通过在显示面板的周边区设置焊盘组,以将显示面板正面的信号线引到背面进行绑定工艺,位于显示面板正面的信号线延伸至显示面板的周边区并与焊盘组中的焊盘对应连接,焊盘组显示区的像素之间存在间距,导致显示面板难以实现窄边框甚至无边框,在将多块显示面板进行拼接获得大尺寸显示屏时,会导致相邻显示面板之间的拼缝区尺寸较大,影响显示效果,影响用户体验。
本申请实施例提供了一种显示面板,如图1所示,所述显示面板包括:阵列排布的多个像素单元1,沿第一方向Y延伸且沿第二方向X排列的多条第一信号线2,沿所述第二方向X排列的多个第一连接电极3;所述第一方向和所述第二方向X交叉;
所述多个像素单元1沿所述第二方向X组成一个像素单元行4,m个像素单元行沿所述第一方向依次排布,其中,m为大于1的整数;
第m个像素单元行4的至少一个像素单元1在垂直于所述第二方向X的平面上的投影,与所述第一连接电极3在垂直于所述第二方向X的平面上的投影,存在交叠区域。
本申请实施例提供的显示面板,第m个像素单元行中的至少一个像素单元在垂直于第二方向平面上的正投影,与第一连接电极在垂直于第二方向的平面上的正投影,存在交叠区域,即像素单元之间设置有第一连接电极,使得第一连接引线在显示区与第一信号线电连接,从而可以减小显示面板边框区的尺寸,有利于实现窄边框显示,可以提高显示效果提升用户体验。
在一些实施例中,如图1所示,所述第一连接电极3包括:沿所述第一方向Y延伸的第一子电极5;多个所述第一子电极5沿所述第二方向X间隔排布。
第m个像素单元行4中的至少一个像素单元1在垂直于所述第二方向X的平面上的投影,与所述第一子电极5在垂直于所述第二方向X的平面上的投影,存在交叠区域。
在一些实施例中,如图1所示,所述第一子电极5沿第一方向Y的长度h1与在第二方向X上相邻的两个像素单元1之间的间距h2满足:0.2<h1/h2<0.4。其中,第一子电极沿第一方向的长度h1可以在70微米~150微米的范围内取值;在第二方向上相邻的两个像素单元之间的间距h2可以在100微米~270微米的范围内取值。
在一些实施例中,如图1所示,像素单元1与第一子电极5在第二方向X上的间距h3与在第二方向X上相邻两个像素单元1之间的间距h2满足:0.3<h3/h2<0.4。其中,在第二方向上相邻两个像素单元之间的间距h2可以在100微米~270微米内取值,像素单元与第一子电极在第二方向上的间距h3可以在30微米~85微米的范围内取值。
本申请实施例提供的显示面板,所述第一子电极5沿第一方向Y的长度h1与在第二方向X上相邻两个像素单元1之间的间距h2满足:0.2<h1/h2<0.4,像素单元1与第一子电极5在第二方向X上的间距h3与在第二方向X上相邻两个像素单元1之间的间距h2满足:0.3<h3/h2<0.4。从而可以避免第一子电极与像素单元之间导通。
第m个像素单元行4中的像素单元1与显示面板的边缘之间在第一方向Y的距离h4可以在30微米~100微米的范围内取值。第一子电极5在第二方向X上的长度h5与其在第一方向上Y的长度h1满足:2<h5/h1<4。第一子电极5在第一方向Y上的长度h1与第m个像素单元行4中的像素单元1与显示面板的边缘之间在第一方向Y的距离h4满足:(h1-h4)大于40微米。在第二方向上,最靠近显示面板边缘的像素单元与显示面板边缘之间的距离可以在80微米~400微米的范围内取值。
在一些实施例中,如图1所示,第一连接子电极5在显示面板所在平面方向的正投影的形状为矩形。当然,第一连接电极还可以是其他形状。
在一些实施例中,如图2所示,第一连接电极3还包括:沿所述第二方向X延伸的第二子电极6,其中第二子电极6与所述第一子电极5构成一体结构。第二子电极6至少位于所述第一子电极5的一侧,即第一连接电极在显示面板所在平面方向的正投影的形状为L形或者⊥形。
本申请实施例提供的显示面板,第一连接电极除了包括沿第一方向延伸且的第一子电极,还包括沿第二方向延伸且与第一子电极构成一体结构的第二子电极,从而可以增大第一连接电极的接触面积,既降低了连接电极断路的风险,又降低了第一连接电极的接触电阻大小,可以减小能耗。
在一些实施例中,如图2所示,第二子电极6在第一方向Y的长度h8与在第二方向X上相邻的两个像素单元之间的间距h2满足:0.3<h8/h2<0.48。
从而可以避免第二子电极与像素单元之间形成不必要的电连接通道。在此基础上可以对显示面板的边框尺寸进行控制,避免边框尺寸过大,有利于实现窄边框显示。
在一些实施例中,如图2所示,第一连接电极在显示面板所在平面方向的正投影的形状为L形时,像素单元1与第一子电极5在第二方向X上的间距h3与在第二方向X相邻的两个像素单元之间的间距h2满足:0.3<h3/h2<0.4。第一子电极5在第一方向Y上的长度h1可以在70微米~150微米的范围内取值,第m个像素单元行4中的像素单元1与第二子电极6在第一方向Y上的距离h7可以在10微米~30微米的范围内取值,第二子电极6在第一方向Y上的长度h8可以在30微米~100微米的范围内取值。在第二方向X上相邻的两个像素单元1之间的间距h2可以在100微米~270微米的范围内取值,像素单元1与第一子电极5在第二方向X上的间距h3可以在30微米~85微米的范围内取值,第一子电极5在第二方向X上的长度h5可以在40微米~100微米的范围内取值,第一连接电极3在第二方向X上的最大长度h6可以在180微米~400微米的范围内取值。第一子电极5在第二方向X上的长度h5与第一子电极在第一方向Y上的长度h1满足:2<h5/h1<4。第一子电极5在第一方向Y上的长度h1与第二子电极6在第一方向Y上长度h8之差满足:(h1-h8)大于40微米。在第一方向Y上,最靠近显示面板边缘的像素单元与显示面板边缘之间的距离可以在80微米~400微米的范围内取值。
在一些实施例中,如图2所示,各所述第一连接电极3中,所述第二子电极6位于所述第一子电极5的同一侧。
图2中以第二子电极6均位于第一子电极5的左侧为例进行举例说明。当然,也可以是如图3所示,第二子电极6均位于第一子电极5右侧。第二子电极位于第一子电极哪一侧可以根据实际需要进行选择。
在一些实施例中,如图4所示,所述第一连接电极3在所述显示面板在平行于第一方向Y的对称轴7两侧呈轴对称排布;在所述对称轴7同一侧的所述第二子电极6,位于所述第一子电极5的同一侧,在所述对称轴7不同侧的所述第二子电极6,位于所述第一子电极5的不同侧。
如图4所示,对称轴7左侧的第一连接电极3中,第二子电极6均位于第一子电极5的左侧,对称轴7右侧的第一连接电极3中,第二子电极6均位于第一子电极5右侧。
需要说明的是,在一些实施例中,第m个像素单元行中,相邻的两个像素单元之间,可以设置一个第一连接电极,也可以设置多个第一连接电极。当部分相邻的两个像素单元之间设置a个第一连接电极、且部分相邻的两个像素单元之间设置(a+b)个第一连接电极时,为保证相邻像素单元沿第二方向X的距离相等,在第二方向X上,(a+b)个第一连接电极中各第一子电极的长度,小于a个第一连接电极中各第一子电极的长度,其中a、b均为正整数。
例如,如图4所示,对称轴7两侧的相邻的两个像素单元1之间设置有两个第一连接电极3,其余相邻两个像素单元1之间设置有一个第一连接电极3,对称轴7两侧的第一连接电极3中的第一子电极5在第二方向X上的长度h5”小于其余第一连接电极3中的第一子电极5在第二方向X上的长度h5。
在一些实施例中,当相邻两个像素单元之间均设置一个第一连接电极时,各第一连接电极中的第一子电极沿第二方向的长度相同。
在一些实施例中,第一连接电极与第一信号线一一对应连接,即第一连接电极的数量与第一信号线的数量相同。第一信号线的数量与显示面板的驱动方式以及像素单元中子像素排列等有关,第一信号线的数量可以与像素单元列的数量相同,第一信号线的数量也可以大于像素单元列的数量,当第一信号线的数量大于像素单元列的数量时,部分像素单元列之间需要设置多个第一连接电极。相邻两个微发光二极管像素单元之间需要设置第一连接电极的数量,可以根据像素间距、第一信号线数量、薄膜晶体管控制像素的方式、显示面板的尺寸等进行选择。
在一些实施例中第一信号线例如可以是数据线。
在一些实施例中,所述像素单元包括:发光二极管。具体地,发光二极管例如可以是微型无机发光二极管,进一步地,微型无机发光二极管可以为电流型发光二极管,如微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)或者迷你发光二极管(Mini LightEmitting Diode,Mini LED)。发光二极管也可以是有机发光二极管(Organic LightEmitting Diode,OLED)。
在一些实施例中当像素单元包括发光二极管时,可以通过驱动芯片(IC)配合数据选择器驱动发光二极管发光,也可以通过薄膜晶体管驱动发光二极管发光。当通过IC驱动发光二极管发光时,可以设置为第一信号线的数量与像素单元列的数量相同。当通过薄膜晶体管驱动发光二极管发光时,第一信号线的数量可大于像素单元列的数量,部分像素单元列之间可设置多个第一连接电极。
在一些实施例中,所述像素单元包括:沿第一方向或第二方向排列的红色子像素、蓝色子像素、以及绿色子像素。
如图5、图7所示,像素单元1中的红色子像素R、绿色子像素G、以及蓝色子像素B沿第一方向排列。如图6、图8所示,像素单元1中的红色子像素R、绿色子像素G、以及蓝色子像素B沿第二方向排列。
在一些实施例中,如图9、图10、图11、图12所示,所述像素单元1包括:排列成两行两列的红色子像素R、蓝色子像素B、绿色子像素G、以及功能子像素8。在具体实施时,像素单元中各子像素的具体排列顺序可以根据实际需要进行选择。
在一些实施例中,当发光二极管为微型无机发光二极管时,红色子像素、蓝色子像素以及绿色子像素分别包括红色微型无机发光二极管、蓝色微型无机发光二极管、绿色微型无机发光二极管。功能子像素作为修复子像素时,如红色子像素、蓝色子像素以及绿色子像素等显示子像素能够正常工作时,功能子像素中无需设置微型无机发光二极管。若红色子像素、蓝色子像素以及绿色子像素中的任一子像素中的微型无机发光二极管损坏时,可以将对应颜色的微型无机发光二极管设置在功能子像素中,以保证像素的显示效果。功能子像素还可以包括白色微型无机发光二极管,与红色微型无机发光二极管、蓝色微型无机发光二极管、绿色微型无机发光二极管相互配合,实现显面板的色彩表现率和对比度的提高。
在一些实施例中,当发光二极管为有机电致发光二极管时,红色子像素、蓝色子像素、绿色子像素分别包括红色有机电致发光二极管、蓝色有机电致发光二极管、绿色有机电致发光二极管,功能子像素包括白光有机电致发光二极管,从而提高显面板的色彩表现率和对比度。
图5~图12中仅示出一个像素单元中的子像素以及一个第一连接电极,以对各子像素与第一连接电极的位置关系进行举例说明。
在一些实施例中,在像素单元包括排列成两行两列的子像素时,各子像素之间的间距h9可以在20微米~70微米的范围内取值。像素单元与第一子电极在第二方向上的间距h3与各子像素之间的间距h9满足:1<h1/h9<4。
在一些实施例中本申请实施例提供的显示面板可以应用于大尺寸拼接显示装置,即可以利用多个本申请实施例提供的显示面板拼接获得大尺寸显示装置。如图13所示,本申请实施例提供的显示面板,第一连接电极3设置于显示面板的正面10(即显示区域),显示面板还包括:位于显示面板的背面15的第二连接电极17,主体位于显示面板侧面12且将各第一连接电极3包括的多个第一子电极和各第二连接电极17包括的多个第三子电极分别实现一一对应且连接的多个侧边引线11。在一些实施例中,显示面板的背面还包括用于绑定驱动芯片(IC)的焊盘16,焊盘16通过扇出引线14与第二连接电极17连接。如此设置,本申请实施例提供的显示面板的边框极窄,当多个显示面板拼接实现大尺寸显示装置时,由于相邻的两个显示面板中的相邻的两列或两行像素单元之间的间距,可以与位于同一块显示面板中的相邻的两列或两行像素单元之间的间距几乎一致,也就是说,可以认为拼接显示装置中拼缝几乎不可见。
需要说明的是,为了便于示出第一连接电极、第二连接电极、侧边引线、扇出引线以及焊盘的连接关系,图13中将显示面板的正面、背面以及连接正面和背面的其中一个侧面在同一平面示出。
在一些实施例中,以利用薄膜晶体管驱动发光二极管发光为例,如图14所示,显示面板包括衬底基板18;位于衬底基板18之上的缓冲层19;位于缓冲层19之上的开关晶体管T1的有源层和驱动晶体管T2的有源层;位于开关晶体管T1的有源层和驱动晶体管T2的有源层之上的栅极绝缘层20;位于栅极绝缘层20之上的开关晶体管T1的栅极和驱动晶体管T2的栅极;位于开关晶体管T1的栅极和驱动晶体管T2的栅极之上的第一绝缘层21;位于第一绝缘层21之上的开关晶体管T1的源极和漏极、驱动晶体管T2的源极和漏极、以及与开关晶体管T2源极连接的数据线;位于开关晶体管T1的源极和漏极,驱动晶体管T2的源极和漏极之上的第一平坦化层22;位于第一平坦化层22之上的第一钝化层23;位于第一钝化层23之上的第二子信号线29和第一连接引线31;第二子信号线29通过贯穿第一平坦化层22和第一钝化层23的过孔与数据线连接,第一连接引线31通过贯穿第一平坦化层22和第一钝化层23的过孔与驱动晶体管T2的漏极连接;位于第二子信号线29和第一连接引线31之上的第二平坦化层24;位于第二平坦化层24之上的第二钝化层25;位于第二钝化层25之上的第一子信号线28、第二连接引线32;第一子信号线28通过贯穿第二平坦化层24和第二钝化层25的过孔与第二子信号线29连接;第二连接引线32通过贯穿第二平坦化层24和第二钝化层25的过孔与第一连接引线31连接;位于第一子信号线28、第二连接引线32之上的第三钝化层26;通过贯穿第三钝化层26的过孔与第二连接引线32电连接的发光二极管30;位于衬底基板18背离缓冲层19一侧的扇出引线14;位于扇出引线14之上的第四钝化层274;位于第四钝化层27之上设置有焊盘16和第二连接电极17;其中,焊盘16和第二连接电极17分别通过贯穿第四钝化层27的过孔与扇出引线14连接;其中,第一子信号线28与第一连接电极3连接,第一连接电极3通过侧边走线11与第二连接电极17连接。第一信号线包括:第一子信号线28、第二子信号线29以及数据线。
需要说明的是,图14中仅示出像素单元中的部分器件,例如,开关晶体管T1、驱动晶体管T2以及发光二极管30,像素单元例如还可以包括阈值补偿晶体管、存储电容等结构,在实际应用中,可以根据实际需要选择像素单元中的器件的种类和数量。图14中以开关晶体管T1、驱动晶体管T2为顶栅结构的薄膜晶体管为例进行举例说明,当然在实际应用中,像素单元中的薄膜晶体管还可以是其他结构。
在一些实施例中,第二连接电极和第一连接电极的形状相同,即多个第一连接电极、多个第二连接电极在显示面板的衬底基板上的正投影大致重合。当然,第二连接电极和第一连接电极的形状也可以不同,但需要保证每个第一连接电极和与之对应的第二连接电极在显示面板的衬底基板上的正投影至少部分重合,以保证可以高精度地实现准确的电气连接。
需要说明的是,本申请实施例提供的如图1~图4所示的显示面板,以在第一方向上第一连接电极设置于阵列排布的像素单元的一侧为例进行举例说明,在一些实施例中在第一方向上第一连接电极也可以设置于阵列排布的像素单元的两侧,两侧的第一连接电极的形状以及相关参数可以相同,例如可两侧的第一连接电极可以在显示面板平行于第二方向延伸的对称轴两侧呈轴对称分布。
基于同一发明构思,本申请实施例还提供了一种显示面板的制备方法,如图15所示,所述方法包括:
S101、在衬底基板上形成沿阵列排布的像素单元多个,以及形成沿第一方向延伸且与所述像素单元电连接的多条第一信号线;其中,所述多个像素单元中沿所述第二方向排布的像素单元组成一个像素单元行,m个像素单元行沿所述第一方向依次排布,m为大于1的整数;
S102、利用磁控溅射掩膜板,采用磁控溅射工艺,在所述衬底基板之上形成与所述第一信号线一一对应电连接的第一连接电极;其中,所述第一连接电极沿第二方向排列,第m个像素单元行中的至少一个像素单元在垂直于所述第二方向的平面上的投影,与所述第一连接电极在垂直于所述第二方向的平面上的投影,存在交叠区域。
需要说明的是,相关技术在形成连接电极时,通常需要在显示区贴付膜材以遮挡显示区,在需要设置连接电极的区域整面形成金属导电层,之后采用激光刻蚀工艺或者湿法刻蚀工艺形成连接电极的图案,但是,以上形成连接电极图案的方案,考虑到刻蚀精度以及影响区域,需要预留较大面积的区域,导致边框区尺寸较大。采用激光工艺或湿法刻蚀工艺还增加了制备成本以及制备时间,并且,如果连接电极与子像素距离较近,还容易出现激光刻蚀的热影响区域或湿法刻蚀的溶液损伤子像素中的微型无机发光二极管。
本申请实施例提供的显示面板的制备方法,利用磁控溅射掩膜板且采用磁控溅射工艺形成第一连接电极的图案,无需增加刻蚀工艺,可以节约第一连接电极的制作时间以及成本,且无需预留较大面积的第一连接电极的形成区域,可以进一步减小边框区尺寸,还可以避免损伤子像素中的微型无机发光二极管。
在一些实施例中例如可以采用不锈钢、玻璃等材料制备出具有与第一连接电极形状相似开口的磁控溅射掩膜板。当需要形成的第一连接电极的形状为矩形时,如图16所示,磁控溅射掩膜板开口9的形状为矩形。当需要形成的第一连接电极的形状为L形时,如图17所述,磁控溅射掩膜板开口9的形状为L形。图16、图17以阵列排布的像素单元的一侧设置第一连接电极时使用的掩膜板为例进行举例说明。
在一些实施例中考虑到工艺精度问题,测控溅射掩膜板开口的尺寸可以小于第一连接电极的尺寸。当第一连接电极的形状为矩形时,如图18所示,磁控溅射掩膜板开口9沿第一方向的长度h1’与第一子电极5沿第一方向的长度h1满足:0.4≤h1’/h1≤0.6,磁控溅射掩膜板开口9沿第二方向的长度h5’与第一子电极5在第二方向上的长度h5满足:0.5≤h5’/h5≤0.9。当第一连接电极的形状为L形时,如图19所示,磁控溅射掩膜板开口9沿第一方向的长度h1’与第一子电极5沿第一方向的长度h1满足:0.4≤h1’/h1≤0.6,磁控溅射掩膜板开口9沿第二方向的最小长度h5’与第一子电极5在第二方向上的长度h5满足:0.5≤h5’/h5≤0.9,磁控溅射掩膜板开口9沿第二方向的最大长度h6’与第一连接电极3第二方向上的最大长度h6满足:0.5≤h6’/h6≤0.9,磁控溅射掩膜板开口9沿第一方向的最小长度h8’与第二子电极6沿第一方向的长度h8满足:0.4≤h8’/h8≤0.6。例如,可以使得磁控溅射掩膜板开口的边缘与实际需要形成的电极的边缘之间的距离为20微米。图18、图19中虚线围成的区域代表磁控溅射掩膜板的开口9的区域。
在一些实施例中利用磁控溅射掩膜板,采用磁控溅射工艺,在所述衬底基板之上形成与所述第一信号线一一对应电连接的第一连接电极,例如可以包括:
将磁控溅射掩膜板与显示面板对位;
在磁控溅射掩膜板放置保护盖板;
采用磁控溅射工艺形成第一连接电极的图案。
需要说明的是,当本申请实施例提供的显示面板应用于拼接显示装置,还可以利用上述磁控溅射掩膜板在显示面板的背面形成第二连接电极的图案,将磁控溅射掩膜板与显示面板对位,在磁控溅射掩膜板背离显示面板的一侧放置保护盖板,通过磁控溅射工艺形成第二连接电极的图案;再制作侧边引线以连接第一连接电极和第二连接电极。从而,用于拼接显示装置中的单个显示面板可以实现超窄边框甚至无边框。
本申请实施例提供的一种显示装置,所述显示装置包括:本申请实施例提供的显示面板。
本申请实施例提供的显示装置为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的,在此不做赘述,也不应作为对本申请的限制。该显示装置的实施可以参见上述显示面板的实施例,重复之处不再赘述。
在一些实施例中本申请实施例提供的显示装置,例如可以由多个本申请实施例提供的显示面板拼接而成。
综上所述,本申请实施例提供的显示面板及其制备方法、显示装置,第m个像素单元行中的至少一个像素单元在垂直于第二方向平面上的正投影,与第一连接电极在垂直于第二方向的平面上的正投影,存在交叠区域,即像素单元之间设置有第一连接电极,使得第一连接引线在显示区与第一信号线电连接,从而可以减小显示面板边框区的尺寸,有利于实现窄边框显示,可以提高显示效果提升用户体验。
显然,本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样,倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内,则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (13)
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:阵列排布的多个像素单元,沿第一方向延伸且沿第二方向排列的多条第一信号线,沿所述第二方向排列的多个第一连接电极;所述第一方向和所述第二方向交叉;
所述多个像素单元沿所述第二方向的像素单元组成一个像素单元行,m个像素单元行沿所述第一方向依次排布,其中,m为大于1的整数;
第m个像素单元行中的至少一个像素单元在垂直于所述第二方向的平面上的投影,与所述第一连接电极在垂直于所述第二方向的平面上的投影,存在交叠区域。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一连接电极包括:沿所述第一方向延伸的第一子电极;各所述第一子电极沿所述第二方向间隔排布;
第m个像素单元行中的至少一个像素单元在垂直于所述第二方向的平面上的投影,与所述第一子电极在垂直于所述第二方向的平面上的投影,存在交叠区域。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一子电极沿所述第一方向上的长度h1与在所述第二方向上相邻两个所述像素单元之间的间距h2满足:0.2<h1/h2<0.4。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述像素单元与所述第一子电极在所述第二方向上的间距h3,与在所述第二方向上相邻两个所述像素单元之间的间距h2满足:0.3<h3/h2<0.4。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一连接电极还包括:沿所述第二方向延伸的第二子电极;其中,所述第二子电极与所述第一子电极构成一体结构;
所述第二子电极至少位于所述第一子电极的一侧。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第二子电极在所述第一方向上的长度h8与在所述第二方向上相邻两个所述像素单元之间的间距h2满足:0.3<h8/h2<0.48。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,各所述第一连接电极中,所述第二子电极位于所述第一子电极的同一侧。
8.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一连接电极在所述显示面板平行于第一方向延伸的对称轴两侧呈轴对称排布;
在所述对称轴同一侧的所述第二子电极,位于所述第一子电极的同一侧,在所述对称轴不同侧的所述第二子电极,位于所述第一子电极的不同侧。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素单元包括:发光二极管器件。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素单元包括:沿第一方向或第二方向排列的红色子像素、蓝色子像素、以及绿色子像素。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素单元包括:排列成两行两列的红色子像素、蓝色子像素、绿色子像素、以及修复子像素。
12.一种根据权利要求1~11任一项所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
在衬底基板上形成沿阵列排布的多个像素单元,以及形成沿第一方向延伸且与所述像素单元电连接的多条第一信号线;其中,所述多个像素单元中沿所述第二方向排布的像素单元组成一个像素单元行,m个像素单元行沿所述第一方向依次排布,m为大于1的整数;
利用磁控溅射掩膜板,采用磁控溅射工艺,在所述衬底基板之上形成与所述第一信号线一一对应电连接的第一连接电极;其中,所述第一连接电极沿第二方向排列,第m个像素单元行中的至少一个像素单元在垂直于所述第二方向的平面上的投影,与所述第一连接电极在垂直于所述第二方向的平面上的投影,存在交叠区域。
13.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:根据权利要求1~11任一项所述的显示面板。
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CN110825264A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-21 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及驱动方法、触控显示装置 |
CN111474758A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-07-31 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (5)
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US20080121903A1 (en) * | 2006-11-24 | 2008-05-29 | Sony Corporation | Method for manufacturing light-emitting diode, light-emitting diode, lightsource cell unit, light-emitting diode backlight, light-emitting diode illuminating device, light-emitting diode display, and electronic apparatus |
US10324345B2 (en) * | 2014-03-14 | 2019-06-18 | Innolux Corporation | Display device and display substrate |
CN106128950B (zh) * | 2016-05-27 | 2019-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的制作方法、显示基板和显示装置 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110825264A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-21 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及驱动方法、触控显示装置 |
CN111474758A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-07-31 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Also Published As
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