CN116368554A - 显示面板和显示装置 - Google Patents

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CN116368554A CN202180003123.9A CN202180003123A CN116368554A CN 116368554 A CN116368554 A CN 116368554A CN 202180003123 A CN202180003123 A CN 202180003123A CN 116368554 A CN116368554 A CN 116368554A
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徐攀
张大成
韩影
王国英
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Abstract

一种显示面板和显示装置，该显示面板具有显示区(AA)、虚设像素区(XA)以及电路区(WA)，显示区(AA)具有排布为多行多列的多个显示子像素(P)，且包括像素驱动电路层、平坦化层(1016)、发光器件层以及封装层(EN)，虚设像素区(XA)具有多个虚设子像素(XP)，电路区(WA)包括多条走线以及封框胶(F)，在垂直于衬底基板(110)的方向上，封框胶(F)与多条走线的至少部分重叠，封装层(EN)还延伸至电路区(WA)，且与封框胶(F)的至少部分重叠，平坦化层(1016)还延伸至电路区(WA)，且在电路区(WA)包括至少一个凹槽(GV)，凹槽(GV)与多条走线的至少部分重叠，位于显示区(AA)相对两侧的第一侧(10)和第二侧(20)还包括绑定区(BA)，绑定区(BA)包括位于第一侧(10)的第一绑定区(BA1)和位于第二侧(20)的第二绑定区(BA2)，第一绑定区(BA1)包括至少一个第一覆晶薄膜(COF1)，第二绑定区(BA2)包括至少一个第二覆晶薄膜(COF2)，该至少一个第一覆晶薄膜(COF1)和至少一个第二覆晶薄膜(COF2)相对于显示区(AA)的中心呈中心对称。

Description

显示面板和显示装置 技术领域
本公开的实施例涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置具有自发光、对比度高、清晰度高、视角宽、功耗低、响应速度快、以及制造成本低等一系列优势，已经成为新一代显示装置的重点发展方向之一，因此受到越来越多的关注。
OLED显示装置中作为发光器件的有机发光二极管通常包括阳极、阴极以及位于阳极与阴极之间的有机功能层，例如发光层。当对有机发光二极管的阳极与阴极施加适当电压时，从阳极注入的空穴与从阴极注入的电子会在发光层中结合并激发产生光。
对于大尺寸OLED显示装置，边框的宽度是影响视觉效果的重要因素，通常来说，边框越窄，视觉效果越好。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种显示面板，该显示面板具有显示区以及在所述显示区至少一侧且向远离所述显示区的方向依次排布的虚设像素区以及电路区，且包括衬底基板，其中，所述显示区具有排布为多行多列的多个显示子像素，且包括设置在所述衬底基板上的像素驱动电路层、设置在所述像素驱动电路层的远离所述衬底基板一侧的平坦化层、设置在所述平坦化层远离所述衬底基板一侧的发光器件层以及设置在所述发光器件层远离所述衬底基板一侧的封装层，所述多个显示子像素中的每个包括设置在所述像素驱动电路层中的像素驱动电路和设置在所述发光器件层中的发光器件；所述虚设像素区具有设置在所述衬底基板上的多个虚设子像素，所述电路区包括设置在所述衬底基板上的多条走线以及设置在所述多条走线远离所述衬底基板一侧的封框胶，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述封框胶与所述多条走线的至少部分重 叠，所述封装层还延伸至所述电路区，且与所述封框胶的至少部分重叠，所述平坦化层还延伸至所述电路区，且在所述电路区包括至少一个凹槽，所述至少一个凹槽与所述多条走线的至少部分重叠，所述至少一侧包括位于所述显示区相对两侧的第一侧和第二侧，所述第一侧和第二侧还包括位于所述电路区远离所述显示区的绑定区，所述绑定区包括位于所述第一侧的第一绑定区和位于所述第二侧的第二绑定区，所述第一绑定区包括至少一个第一覆晶薄膜，所述第二绑定区包括至少一个第二覆晶薄膜，所述至少一个第一覆晶薄膜和所述至少一个第二覆晶薄膜相对于所述显示区的中心呈中心对称。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一覆晶薄膜配置为向所述多行多列的多个显示子像素中位于奇数列的显示子像素提供电信号，所述第二覆晶薄膜配置为向所述多行多列的多个显示子像素中位于偶数列的显示子像素提供电信号；或者所述第一覆晶薄膜配置为向所述多行多列的多个显示子像素中位于偶数列的显示子像素提供电信号，所述第二覆晶薄膜配置为向所述多行多列的多个显示子像素中位于奇数列的显示子像素提供电信号。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述电路区还包括分别位于所述第一侧和所述第二侧的静电释放电路，所述多条走线包括沿第一方向延伸的感应线，所述感应线配置为向所述像素驱动电路提供感应信号，所述静电释放电路包括多个静电释放部分，在垂于所述第一方向的第二方向上，所述多个静电释放部分相对于所述感应线对称分布。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述多条走线还包括沿所述第一方向延伸的多条数据线，所述多条数据线配置为向所述像素驱动电路提供数据信号，多条数据线分别位于所述多个静电释放部分的远离所述感应线的一侧。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述显示区还包括设置在所述像素驱动电路层的远离所述衬底基板一侧的钝化层，所述钝化层还延伸至所述电路区，且位于所述多条走线的远离所述衬底基板的一侧，所述封框胶位于所述钝化层的远离所述衬底基板的一侧，且与所述钝化层直接接触。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，在远离所述显示区的方向上，所述电路区包括分别位于所述第一侧和所述第二侧的电源总线区、扇出信号线区和转接信号线区，所述封框胶包括位于所述扇出信号线区的第一部分和位于所述转接信号线区的第二部分。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述电源总线区包括第一电源总线，所述第一电源总线的第一端与多个显示子像素的第一电源线电连接。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一电源总线的与所述第一端相对的第二端分别通过多条电源引线连接至所述至少一个第一覆晶薄膜或所述至少一个第二覆晶薄膜。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述扇出信号线区包括多条扇出信号线，在所述扇出信号线区，所述多条扇出信号线与所述多条电源引线交替排布。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述至少一个凹槽包括分别位于所述第一侧和所述第二侧的第一凹槽，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一凹槽的至少部分位于所述电源总线区。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述至少一侧还包括位于所述显示区相对两侧的第三侧和第四侧，所述第三侧和第四侧分别包括第一栅扫描驱动电路和第二栅扫描驱动电路，所述第一扫描驱动电路位于所述第二扫描驱动电路的靠近所述显示区的一侧，所述第一扫描驱动电路和所述第二栅扫描驱动电路中的一个为行扫描驱动电路，配置为向所述多个显示子像素提供行扫描信号，另一个为发光扫描驱动电路，配置为向所述多个显示子像素提供发光控制信号，所述至少一个凹槽包括位于所述第一栅扫描驱动电路和所述第二栅扫描驱动电路之间的第二凹槽。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述发光器件层包括连续设置的用于所述发光器件的第一电极层，在所述第一侧和所述第二侧，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一电极层与所述第一凹槽至少部分重叠；在所述第三侧和所述第四侧，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一电极层与所述第二凹槽不重叠。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述显示区还包括 设置在所述平坦化层的远离所述衬底基板一侧的像素界定层，所述至少一个凹槽贯穿所述平坦化层和所述像素界定层。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述封装层包括无机封装层，所述无机封装层延伸至所述封框胶的靠近所述衬底基板的一侧，所述电路区还包括分别设置在所述第三侧和所述第四侧的多条时钟信号线，所述多条时钟信号线位于所述第二扫描驱动电路的远离所述显示区的一侧，所述多条时钟信号线在所述衬底基板上的正投影位于所述无机封装层在所述衬底基板上的正投影内部。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，在所述第一侧和所述第二侧，所述无机封装层终止于所述扇出信号线区。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，在所述第一侧、所述第二侧、所述第三侧和所述第四侧，所述无机封装层终止于所述封框胶的靠近所述衬底基板的表面。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述显示区还包括设置在所述封装层远离所述衬底基板一侧的黑矩阵层，所述黑矩阵层还延伸至位于所述第三侧和所述第四侧的所述电路区中，所述第一栅扫描驱动电路和第二栅扫描驱动电路分别包括多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵层在所述衬底基板上的正投影内部。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述多条时钟信号线在所述衬底基板上的正投影与所述黑矩阵层在所述衬底基板上的正投影不重叠。
本公开至少一实施例提供一种显示装置，该显示装置包括上述任一的显示面板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1A为一种显示面板的像素驱动电路的电路图；
图1B为图1A中的像素驱动电路的时序图；
图2为本公开至少一实施例提供的显示面板的平面示意图；
图3为本公开至少一实施例提供的显示面板中显示区的部分截面示意图；
图4为图2中的显示面板沿M-M线的截面示意图；
图5为图2中的显示面板沿N-N线的截面示意图；
图6A为本公开至少一实施例提供的显示面板的另一平面示意图；
图6B为本公开至少一实施例提供的显示面板的再一平面示意图；
图6C为本公开至少一实施例提供的显示面板的再另一平面示意图；
图6D为本公开至少一实施例提供的显示面板的再另一平面示意图；
图7为本公开至少一实施例提供的显示面板的显示区的第一侧的部分平面示意图；
图8为本公开至少一实施例提供的显示面板的显示区的第一侧的另一部分平面示意图；以及
图9为本公开至少一实施例提供的显示面板的显示区的第三侧的另一部分平面示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他 元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
例如，在大尺寸OLED显示装置中，在显示区域，可以采用3T1C像素驱动电路来驱动发光器件进行发光。例如，图1A示出了一种3T1C像素驱动电路的示意图，图1B为图1A中的像素驱动电路的时序图。
例如，如图1A和图1B所示，该像素驱动电路包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3以及存储电容等结构，存储电容包括第一极板ACT以及第二极板SHL和SD，该像素驱动电路连接有数据线DT、感测线SN、高电平电源线VDD和低电平电源线Vss等信号线以及数模转换器DAC以及模数转换器ADC等元件，并具有如图所示的连接关系。
在上述3T1C像素驱动电路的工作过程中，结合图1A和图1B，在t1时段，第一控制信号G1和第二控制信号G2为开启信号并输入至第二晶体管T2和第三晶体管T3的栅极，第二晶体管T2和第三晶体管T3导通，数据信号dt经第二晶体管T2传输至第一晶体管T1的栅极，第一晶体管T1导通，感测IC通过感测线SN及第二晶体管T2向发光器件的第一电极(例如阳极)写入复位信号Vint。
在t2时段，第一控制信号G1和第二控制信号G2为关闭信号，存储电容两端的电压保持不变，第一晶体管T1工作在饱和状态且电流不变，并驱动发光器件发光。
此时，如果该发光器件所在的像素行需要补偿时，则进入感测阶段S，即t3-t6时段。
在t3时段，第一控制信号G1和第二控制信号G2为开启信号并输入至第二晶体管T2和第三晶体管T3的栅极，第二晶体管T2和第三晶体管T3导通，数据信号dt经第二晶体管T2传输至第一晶体管T1的栅极，第三晶体管T3导通，感测IC通过感测线SN及第二晶体管T2向发光器件的第一电极(例如阳极)写入复位信号Vint。
在t4时段，第一晶体管T1关闭，第二晶体管T2和第三晶体管T3打开，通过S点向感测线SN的寄生电容放电，直到第三晶体管T3的Vgs＝Vth，第三晶体管T3关闭，此时感测IC获取到S的电位即可计算出第三晶体管的 Vth，根据感测阶段S点的放电曲线还可以计算出第三晶体管的迁移率等特性参数。
在t5时段，第一晶体管T1打开，数据线DT向第三晶体管T3的栅极写入数据电压，由于感测阶段，该发光器件所在的像素行不发光，会导致显示时出现一条暗线，因此t4阶段结束后，立即写入一个数据电压，让该行像素发光，降低暗线对显示效果的影响。
在t6时段，第一晶体管T1和第二晶体管T2关闭，发光器件发光。
上述t5和t6时段是针对开机补偿增加的时序，关机补偿中不需要这两个阶段。
例如，上述3T1C像素驱动电路的数据线DT、感测线SN等信号线可以延伸至显示装置的周边区域，并且周边区域中设置驱动电路，以为上述各信号线提供驱动信号。在周边区域中，如何布置上述驱动电路以及各个信号线是实现窄边框的重要研究课题。
本公开至少一实施例提供一种显示面板，该显示面板具有显示区以及在显示区至少一侧且向远离显示区的方向依次排布的虚设像素区以及电路区，且包括衬底基板，其中，显示区具有排布为多行多列的多个显示子像素，且包括设置在衬底基板上的像素驱动电路层、设置在像素驱动电路层的远离衬底基板一侧的平坦化层、设置在平坦化层远离衬底基板一侧的发光器件层以及设置在发光器件层远离衬底基板一侧的封装层，多个显示子像素中的每个包括设置在像素驱动电路层中的像素驱动电路和设置在发光器件层中的发光器件；虚设像素区具有设置在衬底基板上的多个虚设子像素，电路区包括设置在衬底基板上的多条走线以及设置在多条走线远离衬底基板一侧的封框胶，在垂直于衬底基板的方向上，封框胶与多条走线的至少部分重叠，封装层还延伸至电路区，且与封框胶的至少部分重叠，平坦化层还延伸至电路区，且在电路区包括至少一个凹槽，至少一个凹槽与多条走线的至少部分重叠，至少一侧包括位于显示区相对两侧的第一侧和第二侧，第一侧和第二侧还包括位于电路区远离显示区的绑定区，绑定区包括位于第一侧的第一绑定区和位于第二侧的第二绑定区，第一绑定区包括至少一个第一覆晶薄膜，第二绑定区包括至少一个第二覆晶薄膜，至少一个第一覆晶薄膜和至少一个第二覆晶薄膜相对于显示区的中心呈中心对称。
本公开实施例提供的上述显示面板采用覆晶薄膜双侧驱动的技术方案，可以在周边区具有更紧凑的结构，并且，在周边区的各个功能层均能充分利用周边区各个部分的空间，实现相应的功能，因此可以实现窄边框设计，例如实现极窄边框设计。
下面，通过几个具体的实施例来详细介绍本公开实施例提供的显示面板和显示装置。
图2示出了本公开至少一实施例提供的显示面板的平面示意图，如图2所示，该显示面板具有显示区AA以及在显示区AA至少一侧且向远离显示区AA的方向依次排布的虚设像素区XA以及电路区WA。
如图2所示，显示区AA具有排布为多行多列的多个显示子像素P，多个显示子像素P可被驱动而用于显示图像。例如，图3示出了一个显示子像素P的部分截面示意图，如图3所示，显示面板包括衬底基板110，显示区AA包括设置在衬底基板110上的像素驱动电路层、设置在像素驱动电路层的远离衬底基板110一侧的平坦化层1016、设置在平坦化层1016远离衬底基板110一侧的发光器件层以及设置在发光器件层远离衬底基板110一侧的封装层EN。每个显示子像素P包括设置在像素驱动电路层中的像素驱动电路和设置在发光器件层中的发光器件EM。
例如，如图2所示，像素驱动电路包括薄膜晶体管T以及存储电容C等结构，薄膜晶体管T包括设置在衬底基板110上的有源层1021、栅极1022、栅绝缘层1014(例如包括第一栅绝缘层1014A和第二栅绝缘层1014B)，层间绝缘层1015和源漏电极(包括源极1023和漏极1024)。存储电容C包括第一电容极板1031和第二电容极板1032。例如，第一电容极板1031与栅极1022同层设置，第二电容极板1032在栅绝缘层1014和层间绝缘层1015之间。发光器件EM包括第一电极层1043、第二电极层1041以及第一电极层1043和第二电极层1041之间的发光材料层1042等结构，第二电极层1041通过平坦层1016中的过孔连接到薄膜晶体管的源极1023。
在本公开的实施例中，“同层设置”为两个功能层或结构层在显示基板的层级结构中同层且同材料形成，即在制备工艺中，该两个功能层或结构层可以由同一个材料层形成，且可以通过同一构图工艺形成所需要 的图案和结构。由此可以简化显示面板的制备工艺。
例如，如图2所示，虚设像素区XA具有设置在衬底基板110上的多个虚设子像素XP，每个虚设子像素XP例如具有与显示子像素P相同或者相似的结构，但是并不用于显示。例如，每个虚设子像素XP可以具有与显示子像素P相同的结构，但是不连接信号线，从而不会被驱动；或者，每个虚设子像素XP可以具有与显示子像素P相似的结构，但缺少一些必要的功能层，从而相比于显示子像素P来说结构并不完整，因此不会被驱动。本公开的实施例对虚设子像素XP的具体结构不做限定。
例如，虚设子像素XP可以围绕显示区AA设置，例如，在显示区AA的四周，虚设子像素XP可以设置1-5层，也即，在相同的方向上，显示子像素P两侧还分别具有1-5个虚设子像素XP，图2中示出一个作为示例。例如，在一些实施例中，在显示区AA中，每三个或四个显示子像素P组成一个重复单元，多个重复单元阵列排布。例如，一个重复单元中的四个显示子像素P可以分别为红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素以及白色子像素，或者为一个红色子像素、两个绿色子像素以及一个蓝色子像素。或者，一个重复单元中的三个显示子像素P可以分别为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。本公开的实施例对每个重复单元的具体形式不做限定。
例如，设置在显示区AA四周的虚设子像素XP可以以一个重复单元为单位设置一行或一列，或者也可以以少于一个重复单元(例如0.5个重复单元)为单位设置一行或一列。本公开的实施例对虚设子像素XP的具体设置方式不做限定。
例如，图4和图5分别示出了图2中的显示面板沿M-M线和N-N线的截面示意图。如图4和图5所示，电路区WA包括设置在衬底基板110上的多条走线(例如，在图4中，区域WA1、WA2和WA3中的至少部分具有多条走线，在图5中，区域CLK和区域GOA1/GOA2具有多条走线，稍后详细介绍)以及设置在多条走线远离衬底基板110一侧的封框胶F。例如，在垂直于衬底基板110的方向上(即图中的竖直方向上)，封框胶F与多条走线的至少部分重叠。由此，封框胶F与多条走线的至少部分占据了衬底基板110上基本相同的空间，以实现 充分利用空间，减小边框的效果。
例如，封装层EN可以为复合封装层，例如包括第一无机封装层1051、第二有机封装层1052和第三无机封装层1053，或者，在其他实施例中，封装层EN也可以包括更多或者更少的封装层。例如，封装层EN的至少部分(例如第一无机封装层1051和/或第三无机封装层1053)还延伸至电路区WA，且与封框胶F的至少部分重叠，从而充分实现封装作用。
例如，平坦化层1016还延伸至电路区WA，且在电路区WA包括至少一个凹槽GV，该至少一个凹槽GV与多条走线的至少部分重叠。凹槽GV可以断开水氧等杂质沿平坦化层1016的界面进入显示面板内部的通道，从而可以起到阻隔水氧等杂质、保护显示面板的作用。
例如，如图2所示，至少一侧包括位于显示区AA相对两侧的第一侧10和第二侧20，第一侧10和第二侧20例如具有基本相同或相似的结构。如图4所示，第一侧10和第二侧20还包括位于电路区WA远离显示区AA的绑定区BA，例如，图6A示出了显示面板的另一平面示意图，结合图2和图6A，绑定区BA包括位于第一侧10的第一绑定区BA1和位于第二侧20的第二绑定区BA2，第一绑定区BA1包括至少一个第一覆晶薄膜COF1，第二绑定区BA2包括至少一个第二覆晶薄膜COF2，至少一个第一覆晶薄膜COF1和至少一个第二覆晶薄膜COF2相对于显示区AA的中心O呈中心对称。
例如，图6A中分别示出了两个第一覆晶薄膜COF1和两个第二覆晶薄膜COF2作为示例，在其他实施例中，第一覆晶薄膜COF1和第二覆晶薄膜COF2的数量也可以为一个或者多于两个，本公开的实施例对此不作具体限定。
例如，在一些实施例中，第一覆晶薄膜COF1配置为向多行多列的多个显示子像素P中位于奇数列的显示子像素P提供电信号，例如数据信号、电源信号等，第二覆晶薄膜COF2配置为向多行多列的多个显示子像素P中位于偶数列的显示子像素P提供电信号，例如数据信号、电源信号等；或者，在另一些实施例中，第一覆晶薄膜COF1配置为向多行多列的多个显示子像素P中位于偶数列的显示子像素P提供电信号，第二覆晶薄膜COF2配置为向多行多列的多个显示子像素P中位于奇数 列的显示子像素P提供电信号。
例如，在另一些实施例中，如图6B所示，多列显示子像素P分为多组，每组包括两列显示子像素P，此时，第一覆晶薄膜COF1可以配置为向位于奇数组的显示子像素P提供电信号，例如数据信号、电源信号等，第二覆晶薄膜COF2配置为向位于偶数组的显示子像素P提供电信号，例如数据信号、电源信号等；或者，第一覆晶薄膜COF1配置为向位于偶数组的显示子像素P提供电信号，第二覆晶薄膜COF2配置为向位于奇数组的显示子像素P提供电信号。例如，在一些实施例中，每组也可以包括更多列显示子像素P，例如包括三列、四列或者五列等，并按照上述方式进行驱动。
例如，如图6C所示，多列显示子像素P分为多组，每组包括四列显示子像素P(一列重复单元)，此时，第一覆晶薄膜COF1可以配置为向位于奇数组的显示子像素P提供电信号，例如数据信号、电源信号等，第二覆晶薄膜COF2配置为向位于偶数组的显示子像素P提供电信号，例如数据信号、电源信号等；或者，第一覆晶薄膜COF1配置为向位于偶数组的显示子像素P提供电信号，第二覆晶薄膜COF2配置为向位于奇数组的显示子像素P提供电信号。
例如，在另一些实施例中，如图6D所示，多列显示子像素P分为两部分，例如图中左侧的部分和右侧的部分，此时，第一覆晶薄膜COF1可以配置为向位于左侧部分的多列显示子像素P提供电信号，例如数据信号、电源信号等，第二覆晶薄膜COF2配置为向位于右侧部分的多列显示子像素P提供电信号，例如数据信号、电源信号等；或者，第一覆晶薄膜COF1配置为向位于右侧部分的多列显示子像素P提供电信号，第二覆晶薄膜COF2配置为向位于左侧部分的多列显示子像素P提供电信号。本公开的实施例对第一覆晶薄膜COF1和第二覆晶薄膜COF2的具体配置方式不做限定。
本公开的实施例中，通过在显示区AA的第一侧10和第二侧20均设置覆晶薄膜，相比于仅在显示区AA的一侧设置覆晶薄膜的技术方案来说，可以减小并平衡第一侧10和第二侧20的边框宽度，避免在显示区的一侧具有较宽的边框，由此有助于实现窄边框设计，实现大屏显示。另外，通过将至少一个第一覆晶薄膜COF1和至少一个第二覆晶薄膜 COF2设置为相对于显示区AA的中心O呈中心对称，可以提高第一覆晶薄膜COF1和第二覆晶薄膜COF2向显示区AA提供电信号的均匀性，以提高显示面板的显示均一性。
本公开的实施例中，由于显示区AA的第一侧10和第二侧20具有基本相同或相似的结构，下面以第一侧10为例进行介绍，第二侧20的结构可以参考对第一侧10的描述。
例如，图7示出了位于第一侧的电路区的示意图。如图7所示，电路区WR还包括分别位于第一侧10和第二侧20的静电释放电路ESD，多条走线包括至少部分沿第一方向(图中的竖直方向)延伸的感应线SEN，感应线SEN配置为向像素驱动电路提供感应信号(具体可以参考图1A和图1B的描述)。例如，静电释放电路ESD包括多个静电释放部分，图中示出为四个部分作为示例，即第一部分D1、第二部分D2、第三部分D3和第四部分D4。在垂于第一方向的第二方向(图中的水平方向)上，多个静电释放部分D1-D4相对于感应线SEN对称分布。
例如，参考图4，静电释放电路ESD可以设置在电源总线区WA1(稍后介绍)的靠近显示区AA的一侧，例如设置在图中虚线框所示的位置。
例如，在一些实施例中，如图7所示，多条走线还包括沿第一方向延伸的多条数据线DA，多条数据线DA配置为向像素驱动电路提供数据信号(具体可以参考图1A和图1B的描述)，多条数据线DA分别位于多个静电释放部分ESD的远离感应线SEN的一侧。例如，在图7中，在感应线SEN的左侧，多条数据线DA分别位于多个静电释放部分ESD的左侧，感应线SEN的右侧，多条数据线DA分别位于多个静电释放部分ESD的右侧。由此，静电释放部分ESD可以将感应线SEN与数据线DA间隔开，可以防止感应线SEN与数据线DA之间发生信号串扰。
例如，在一些实施例中，如图3所示，显示区AA还包括设置在像素驱动电路层的远离衬底基板110一侧的钝化层1019，如图4和图5所示，钝化层1019还延伸至电路区WA，且位于多条走线的远离衬底基板110的一侧，封框胶F位于钝化层1019的远离衬底基板110的一侧，且与钝化层1019直接接触。由此，封框胶F下方不具有电极层(例 如第二电极层1041以及第一电极层1043)、平坦化层1016以及像素界定层1017等功能层，从而可以防止外界的水氧等杂质沿着这些功能层的界面进入到显示面板中而破坏显示面板的结构。
例如，在一些实施例中，如图4所示，在远离显示区AA的方向上，电路区WA包括分别位于第一侧10和第二侧20的电源总线区WA1、扇出信号线区WA2和转接信号线区WA3，封框胶F包括位于扇出信号线区WA2的第一部分F1和位于转接信号线区WA3的第二部分F2，也即封框胶F同时覆盖了扇出信号线区WA2和转接信号线区GA，从而封框胶F与扇出信号线区WA2和转接信号线区GA占据衬底基板110上基本相同的空间，由此有助于实现窄边框设计。
例如，在一些实施例中，如图7所示，电源总线区WA1包括第一电源总线VB，第一电源总线VB的宽度可以为50微米-90微米，例如60微米或者70微米等。第一电源总线VB的第一端VB1与多个显示子像素P的第一电源线VDD电连接。第一电源线VDD例如为提供高电平信号的电源线。例如，在一些实施例中，静电释放部分ESD可以连接至第一电源总线VB，以从第一电源总线VB获取电信号。
例如，在一些实施例中，第一电源总线VB的与第一端VB1相对的第二端VB2分别通过多条电源引线VDD1连接至至少一个第一覆晶薄膜COF1或至少一个第二覆晶薄膜COF2。
例如，如图7所示，扇出信号线区WA2包括多条扇出信号线DA1，在扇出信号线区WA2，多条扇出信号线DA1与多条电源引线VDD1(图7中示出一条作为示例)交替排布。例如，扇出信号线DA1包括数据线引线，用于将数据线DA电连接至至少一个第一覆晶薄膜COF1或至少一个第二覆晶薄膜COF2。
本公开的实施例中，通过第一电源总线VB和多条电源引线VDD1相结合的结构将多个显示子像素P的第一电源线VDD连接至覆晶薄膜，相比于仅通过第一电源总线VB将多个显示子像素P的第一电源线VDD连接至覆晶薄膜的技术方案(该技术方案中第一电源总线VB的宽度需要达到约2000微米)来说，本公开实施例提供的结构可以大大减小第一电源总线VB的宽度，从而实现窄边框设计，例如可以实现极窄边框设计。
例如，图8示出了位于第一侧和第二侧的走线区的平面示意图。如图8所示，转接信号线区WA3包括多条转接信号线DA2以及多条转接信号线VDD2，多条转接信号线DA2分别将多条扇出信号线DA1连接至至少一个第一覆晶薄膜COF1或至少一个第二覆晶薄膜COF2，多条转接信号线VDD2分别将多条电源引线VDD1连接至至少一个第一覆晶薄膜COF1或至少一个第二覆晶薄膜COF2。
例如，转接信号线区WA3还包括第二电源总线VSS，第二电源总线VSS呈片状，用于向像素驱动电路提供低电平电源信号，例如，第二电源总线VSS通过第二电源线与第一电极层1043电连接。第二电源总线VSS也可以连接至至少一个第一覆晶薄膜COF1或至少一个第二覆晶薄膜COF2。
例如，在一些实施例中，如图4所示，至少一个凹槽GV包括分别位于第一侧10和第二侧20的第一凹槽GV1，在垂直于衬底基板110的方向上(即图中的竖直方向上)，第一凹槽GV1的至少部分位于电源总线区WA1，从而第一凹槽GV1的至少部分与位于电源总线区WA1中的第一电源总线VB交叠。
例如，如图2所示，至少一侧还包括位于显示区AA相对两侧的第三侧30和第四侧40，第三侧30和第四侧40例如具有基本相同或相似的结构。例如，如图5所示，第三侧30和第四侧40分别包括第一栅扫描驱动电路GOA1和第二栅扫描驱动电路GOA2，第一扫描驱动电路GOA1位于第二扫描驱动电路GOA2的靠近显示区AA的一侧，第一扫描驱动电路GOA1和第二栅扫描驱动电路GOA2中的一个为行扫描驱动电路，配置为向多个显示子像素P提供行扫描信号，另一个为发光扫描驱动电路，配置为向多个显示子像素P提供发光控制信号。例如，至少一个凹槽GV包括位于第一栅扫描驱动电路GOA1和第二栅扫描驱动电路GOA2之间的第二凹槽GV2。
例如，图9示出了第一栅扫描驱动电路GOA1、第二栅扫描驱动电路GOA2以及第二凹槽GV2的平面示意图。例如，如图9所示，第一栅扫描驱动电路GOA1和第二栅扫描驱动电路GOA2分别包括级联的多个移位寄存器单元，每个移位寄存器单元包括多个薄膜晶体管和存储电容等结构，例如在一些示例中可以形成为4T1C结构，即至少包括四 个晶体管和一个电容，以分别实现信号输入、信号输出、寄存器复位等功能，也可以包括更多的晶体管和/或电容，例如加入用于实现上拉节点控制、下拉节点控制、降噪等功能的子电路等，以实现更稳定地输入、输出以及复位。
例如，移位寄存器单元包括的多个薄膜晶体管和存储电容等结构可以与像素驱动电路的多个薄膜晶体管T和存储电容C等结构基本相同，例如，移位寄存器单元包括的多个薄膜晶体管和存储电容等结构可以与像素驱动电路的多个薄膜晶体管T和存储电容C等结构同层设置，也即移位寄存器单元包括的多个薄膜晶体管和存储电容等结构的各个功能层可以与像素驱动电路的多个薄膜晶体管T和存储电容C等结构的各个功能层分别对应同层设置，从而在制备工艺中可以一起形成，从而简化显示面板的制备工艺。
例如，如图2所示，显示区AA还可以包括设置在平坦化层1016的远离衬底基板110一侧的像素界定层1017，像素界定层1017具有多个子像素开口，子像素开口暴露第二电极层1041，用于限定发光器件EM的发光区域。例如，像素界定层1017还延伸至走线区WA，凹槽GV(包括第一凹槽GV1和第二凹槽GV2)贯穿平坦化层1016和像素界定层1017。也即，在显示面板的制备过程中，通过在去除平坦化层1016和像素界定层1017中的部分材料来形成凹槽GV。
例如，如图9所示，虚线框所示的区域为第一栅扫描驱动电路GOA1和第二栅扫描驱动电路GOA2的移位寄存器单元的多个薄膜晶体管GT和存储电容CT等结构的设置区域，在第一栅扫描驱动电路GOA1中，这些结构与第二凹槽GV2的距离L1为40微米-60微米，例如50微米等，在第二栅扫描驱动电路GOA2中，这些结构与第二凹槽GV2的距离L2为40微米-60微米，例如50微米等。由此，在显示面板的制备过程中，当采用刻蚀工艺，例如等离子体刻蚀工艺等形成第二凹槽GV2时，上述距离可以避免刻蚀工艺采用的等离子体对薄膜晶体管等结构造成不良影响。
例如，在一些实施例中，发光器件层中的第一电极层1043连续设置，也即发光器件层中的多个发光器件EM的第一电极层1043为一体结构。例如，在第一侧10和第二侧20，如图4所示，在垂直于衬底基 板110的方向上，第一电极层1043与第一凹槽GV1至少部分重叠；在第三侧30和第四侧40，如图4所示，在垂直于衬底基板110的方向上，第一电极层1043与第二凹槽GV2不重叠。
例如，如图2所示，第一无机封装层1051和/或第三无机封装层1053延伸至封框胶F的靠近衬底基板110的一侧。例如，如图5所示，电路区WR还包括分别设置在第三侧30和第四侧40的多条时钟信号线CL，多条时钟信号线CL位于第二扫描驱动电路GOA2的远离显示区AA的一侧，位于区域CLK。多条时钟信号线CL在衬底基板110上的正投影位于第一无机封装层1051和/或第三无机封装层1053在衬底基板110上的正投影内部。
例如，在一些实施例中，如图4所示，在第一侧10和第二侧20，第一无机封装层1051和/或第三无机封装层1053终止于扇出信号线区WA2。
例如，在一些实施例中，在第一侧10、第二侧20、第三侧30和第四侧40，第一无机封装层1051和/或第三无机封装层1053终止于封框胶F的靠近衬底基板110的表面，也即第一无机封装层1051和/或第三无机封装层1053终止于封框胶F的中间部分，从而封框胶F也密封了封装层EN。由此可以实现对显示面板的有效封装。
例如，在一些实施例中，如图2所示，显示区AA还包括设置在封装层EN远离衬底基板110一侧的黑矩阵层BM，黑矩阵层BM还延伸至位于第三侧30和第四侧40的电路区WA中，第一栅扫描驱动电路GOA1和第二栅扫描驱动电路GOA2分别包括多个薄膜晶体管GT(参考图9)，多个薄膜晶体管GT在衬底基板110上的正投影位于黑矩阵层BM在衬底基板110上的正投影内部。由此，黑矩阵层BM还可以遮挡多个薄膜晶体管GT，以免外界光照射到多个薄膜晶体管GT上而影响多个薄膜晶体管GT的性能。
例如，多条时钟信号线CL在衬底基板110上的正投影与黑矩阵层BM在衬底基板110上的正投影不重叠。例如，如图5所示，封框胶F可以完全覆盖多条时钟信号线CL，也即区域CLK在衬底基板110上的正投影位于封框胶F在衬底基板110上的正投影内部，此时，区域CLK与封框胶F基本占据衬底基板110上基本相同的空间，从而有助于窄边 框设计。
例如，在一些实施例中，显示面板还可以包括一些检测结构，来检测或推断显示面板的某些区域是否可以正常工作。
例如，在一些实施例中，如图2和图5所示，显示面板还可以包括显示区检测结构TE1(虚线矩形框示出的部分)，显示区检测结构TE1设置在靠近显示区AA的区域，例如可以设置在虚设像素区XA或者走线区WA中，或者一部分设置在虚设像素区XA、一部分设置在走线区WA中，例如设置在显示区AA的四个边角的位置，用于检测显示区AA是否可以正常工作。例如，显示区检测结构TE1在衬底基板110上的正投影位于封装层EN在衬底基板110上的正投影内部。
例如，显示区检测结构TE1例如具有2×2个重复单元或者3×3个重复单元，如上所述，每个重复单元包括三个或四个子像素。例如，显示区检测结构TE1的这些重复单元具有与显示区AA中的重复单元基本相同的结构，从而可以通过对显示区检测结构TE1中的重复单元进行检测来推断显示区AA中的重复单元是否可以正常工作。例如，在显示区检测结构TE1例如具有3×3个重复单元的情况下，可以对位于3×3个重复单元的中心区域的重复单元进行检测，来推断显示区AA中的重复单元是否可以正常工作。由于中心区域的重复单元具有与显示区域AA中的重复单元基本相同的环境，即被多个重复单元环绕，因此通过对该重复单元进行检测获得的检测结果更准确。
例如，在一些实施例中，如图2和图5所示，显示面板还可以包括信号线压降检测结构TE2(虚线圈示出的部分)，信号线压降检测结构TE2例如用于检测连接第二电源总线VSS的第二电源线的压降，进而检测传输至每个发光器件EM的第一电极层1043的电压是否基本一致。例如，每个发光器件EM的第一电极层1043分别通过像素界定层1017、钝化层1019以及平坦化层中的过孔与位于源漏极层的检测电极电连接，并通过对检测电极施加相同的电流进行压降(IR)检测。例如，在一些实施例中，由于位于显示面板中间行的显示子像素P的第一电极层1043距离第二电源总线VSS最远，因此可通过位于显示面板中间行区域的第二电源线的压降，进而推断压降(IR)是否符合要求。例如，在一些示例中，也可以检测位于显示面板不同区域的第二电源线的压降， 例如在中间行区域与第二电源总线VSS之间也设置信号线压降检测结构TE2，进而可以获得压降(IR)的变化趋势。
例如，在一些实施例中，如图6A所示，显示面板还可以包括栅扫描电路检测结构TE3，栅扫描电路检测结构TE3例如包括第一覆晶薄膜COF1和/或第二覆晶薄膜COF2中的部分引脚(PIN)，因此可以通过将该部分引脚连接至外部检测电路来检测该部分引脚所连接的栅扫描电路，例如第一栅扫描驱动电路GOA1和第二栅扫描驱动电路GOA2是否可以正常工作。
例如，在本公开的实施例中，还可以通过对各个功能层的延伸距离的设计，来增强显示面板的封装效果。
例如，在一些实施例中，如图4所示，在第一侧10和第二侧20，发光材料层1042可以延伸至显示区AA外侧，例如超出显示区AA的距离W1为0.2毫米-0.4毫米，例如0.3毫米，例如，第一凹槽GV1的靠近显示区AA的边缘与发光材料层1042的距离W2可以为1.5毫米-1.7毫米，例如1.6毫米，第一凹槽GV1的宽度W3可以为0.5毫米-0.6毫米，例如0.54毫米，第一电极层1043的远离显示区AA的边缘与第一凹槽GV1的远离显示区A的边缘的距离W4可以为0.2毫米-0.3毫米，例如0.26毫米，平坦化层1016和像素界定层1017的远离显示区AA的边缘与第一电极层1043的远离显示区AA的边缘的距离W5可以为1.0毫米-1.1毫米，例如1.04毫米，封装层EN的远离显示区AA的边缘与平坦化层1016和像素界定层1017的远离显示区AA的边缘的距离W6为0.9毫米-1.0毫米，例如0.96毫米，封框胶F的远离显示区AA的边缘与封装层EN的远离显示区AA的边缘的距离W7为1.8毫米-1.9毫米，例如1.85毫米，转接信号线区WA3的远离显示区AA的边缘与封框胶F的远离显示区AA的边缘的距离W8为0.9毫米-1.1毫米，例如1.0毫米，绑定区BA的宽度W8为0.9毫米-1.1毫米，例如1.0毫米，绑定区BA的远离显示区AA的边缘与衬底基板110的边缘的距离W10为0.4毫米-0.5毫米，例如0.45毫米。例如封框胶F的宽度W11为2.5毫米-3.0毫米，例如2.8毫米。
例如，在一些实施例中，如图5所示，在第三侧30和第四侧40，虚设像素区XA的宽度H1可以为0.2毫米-0.4毫米，例如0.3毫米，例 如虚设像素区XA在第一侧10和第二侧20的宽度也可以为0.2毫米-0.4毫米，例如0.3毫米。例如，发光材料层1042可以延伸至显示区AA外侧，例如超出显示区AA的距离也为0.2毫米-0.4毫米，例如0.3毫米。例如，第一电极层1043的远离显示区AA的边缘与发光材料层1042的远离显示区A的边缘的距离H2可以为0.6毫米-0.8毫米，例如0.7毫米，第二凹槽GV2的靠近显示区AA的边缘与第一电极层1043的远离显示区AA的边缘的距离H3可以为1.7毫米-1.9毫米，例如1.8毫米，第二凹槽GV2的宽度H4可以为0.1毫米-0.2毫米，例如0.16毫米，封框胶F的靠近显示区AA的边缘与第二凹槽GV2的远离显示区AA的边缘的距离H5可以为1.5毫米-0.6毫米，例如1.54毫米，区域CLK的宽度H6可以为1.4毫米-1.6毫米，例如1.5毫米，封装层EN的远离显示区AA的边缘与区域CLK的远离显示区AA的边缘的距离H7可以为0.3毫米-0.4毫米，例如0.35毫米，封框胶F的远离显示区AA的边缘与封装层EN的远离显示区AA的边缘的距离H8可以为0.9毫米-1.1毫米，例如1.0毫米，封框胶F的远离显示区AA的边缘与衬底基板的边缘的距离H9可以为0.2毫米-0.3毫米，例如0.25毫米。封框胶F的宽度H10可以为2.5毫米-3.0毫米，例如2.8毫米。例如，封框胶F在第一侧10和第二侧20的宽度W11与封框胶F在第三侧30和第四侧40的宽度H10相同。
在本公开的实施例中，通过对各个功能层进行上述设计，可以增强显示面板的封装效果，同时实现窄边框(例如极窄边框)设计。
例如，本公开的实施例中，衬底基板110可以采用玻璃、石英等刚性基板或者聚酰亚胺等柔性基板，栅极1022可以采用铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)、钼(Mo)等金属材料或者合金材料，例如形成为单层金属层结构或者多层金属层结构，例如钛/铝/钛等多层金属层结构。源漏极1023和1024可以采用铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)、钼(Mo)等金属材料或者合金材料，例如形成为单层金属层结构或者多层金属层结构，例如钛/铝/钛等多层金属层结构。第一电极极板1031以及第二电极极板1032的材料包括铝、钛、钴、铜等金属或者合金材料。有源层1021可以采用多晶硅和金属氧化物等材料。
例如，如图3所示，显示面板还包括设置在衬底基板110上的阻挡 层1112和缓冲层1013，阻挡层1112和缓冲层1013可以防止衬底基板110中的杂质进入到显示基板110上的多个功能层中，从而起到保护作用。例如，阻挡层1112、缓冲层1013以及栅绝缘层1014(包括第一栅绝缘层1014A和第二栅绝缘层1014B)、层间绝缘层1015以及封装层EN的第一无机封装层1051和第二无机封装层1053可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料。
例如，如图3所示，显示面板还包括设置在像素界定层1017上的隔垫物层1018，隔垫物层1018用于限定封装空间。例如，平坦化层1016、像素界定层1017、隔垫物层1018以及封装层EN的第一有机封装层1052可以采用聚酰亚胺、树脂等有机绝缘材料。
例如，如图3-图5所示，显示面板还可以包括盖板COV，盖板COV可以通过封框胶F结合在形成了上述各功能结构的衬底基板110上，例如，盖板COV可以为玻璃盖板。
例如，显示面板还可以包括除上述结构以外的其他结构，具体可以参考相关技术，这里不再赘述。
另外，需要说明的是，本公开的实施例对各功能层的材料不做限定，且各功能层的材料并不局限于上述示例。在本公开的实施例中，各薄膜晶体管可以为P型薄膜晶体管或者N型薄膜晶体管，结构可以为底栅型、顶栅型或者双栅型，附图中示出的结构仅仅是示例性的，本公开的实施例对各薄膜晶体管的具体形式不做限定。
本公开至少一实施例提供一种显示装置，该显示装置包括上述任一的显示面板，该显示装置可以实现为大尺寸、窄边框显示装置。例如，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
还有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例的附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (19)

  1. 一种显示面板，具有显示区以及在所述显示区至少一侧且向远离所述显示区的方向依次排布的虚设像素区以及电路区，且包括衬底基板，其中，
    所述显示区具有排布为多行多列的多个显示子像素，且包括设置在所述衬底基板上的像素驱动电路层、设置在所述像素驱动电路层的远离所述衬底基板一侧的平坦化层、设置在所述平坦化层远离所述衬底基板一侧的发光器件层以及设置在所述发光器件层远离所述衬底基板一侧的封装层，所述多个显示子像素中的每个包括设置在所述像素驱动电路层中的像素驱动电路和设置在所述发光器件层中的发光器件；
    所述虚设像素区具有设置在所述衬底基板上的多个虚设子像素，
    所述电路区包括设置在所述衬底基板上的多条走线以及设置在所述多条走线远离所述衬底基板一侧的封框胶，
    在垂直于所述衬底基板的方向上，所述封框胶与所述多条走线的至少部分重叠，所述封装层还延伸至所述电路区，且与所述封框胶的至少部分重叠，所述平坦化层还延伸至所述电路区，且在所述电路区包括至少一个凹槽，所述至少一个凹槽与所述多条走线的至少部分重叠，
    所述至少一侧包括位于所述显示区相对两侧的第一侧和第二侧，所述第一侧和第二侧还包括位于所述电路区远离所述显示区的绑定区，所述绑定区包括位于所述第一侧的第一绑定区和位于所述第二侧的第二绑定区，所述第一绑定区包括至少一个第一覆晶薄膜，所述第二绑定区包括至少一个第二覆晶薄膜，所述至少一个第一覆晶薄膜和所述至少一个第二覆晶薄膜相对于所述显示区的中心呈中心对称。
  2. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一覆晶薄膜配置为向所述多行多列的多个显示子像素中位于奇数列的显示子像素提供电信号，所述第二覆晶薄膜配置为向所述多行多列的多个显示子像素中位于偶数列的显示子像素提供电信号；或者
    所述第一覆晶薄膜配置为向所述多行多列的多个显示子像素中位于偶数列的显示子像素提供电信号，所述第二覆晶薄膜配置为向所述多行多列的多个显示子像素中位于奇数列的显示子像素提供电信号。
  3. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述电路区还包括分 别位于所述第一侧和所述第二侧的静电释放电路，所述多条走线包括沿第一方向延伸的感应线，所述感应线配置为向所述像素驱动电路提供感应信号，
    所述静电释放电路包括多个静电释放部分，在垂于所述第一方向的第二方向上，所述多个静电释放部分相对于所述感应线对称分布。
  4. 根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述多条走线还包括沿所述第一方向延伸的多条数据线，所述多条数据线配置为向所述像素驱动电路提供数据信号，
    多条数据线分别位于所述多个静电释放部分的远离所述感应线的一侧。
  5. 根据权利要求1-4任一所述的显示面板，其中，所述显示区还包括设置在所述像素驱动电路层的远离所述衬底基板一侧的钝化层，所述钝化层还延伸至所述电路区，且位于所述多条走线的远离所述衬底基板的一侧，
    所述封框胶位于所述钝化层的远离所述衬底基板的一侧，且与所述钝化层直接接触。
  6. 根据权利要求1-5任一所述的显示面板，其中，在远离所述显示区的方向上，所述电路区包括分别位于所述第一侧和所述第二侧的电源总线区、扇出信号线区和转接信号线区，
    所述封框胶包括位于所述扇出信号线区的第一部分和位于所述转接信号线区的第二部分。
  7. 根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述电源总线区包括第一电源总线，所述第一电源总线的第一端与多个显示子像素的第一电源线电连接。
  8. 根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述第一电源总线的与所述第一端相对的第二端分别通过多条电源引线连接至所述至少一个第一覆晶薄膜或所述至少一个第二覆晶薄膜。
  9. 根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述扇出信号线区包括多条扇出信号线，
    在所述扇出信号线区，所述多条扇出信号线与所述多条电源引线交替排布。
  10. 根据权利要求6-9任一所述的显示面板，其中，所述至少一个凹槽包括分别位于所述第一侧和所述第二侧的第一凹槽，
    在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一凹槽的至少部分位于所述电源总线区。
  11. 根据权利要求10所述的显示面板，其中，所述至少一侧还包括位于所述显示区相对两侧的第三侧和第四侧，所述第三侧和第四侧分别包括第一栅扫描驱动电路和第二栅扫描驱动电路，所述第一扫描驱动电路位于所述第二扫描驱动电路的靠近所述显示区的一侧，
    所述第一扫描驱动电路和所述第二栅扫描驱动电路中的一个为行扫描驱动电路，配置为向所述多个显示子像素提供行扫描信号，另一个为发光扫描驱动电路，配置为向所述多个显示子像素提供发光控制信号，
    所述至少一个凹槽包括位于所述第一栅扫描驱动电路和所述第二栅扫描驱动电路之间的第二凹槽。
  12. 根据权利要求10或11所述的显示面板，其中，所述发光器件层包括连续设置的用于所述发光器件的第一电极层，
    在所述第一侧和所述第二侧，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一电极层与所述第一凹槽至少部分重叠；
    在所述第三侧和所述第四侧，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一电极层与所述第二凹槽不重叠。
  13. 根据权利要求1-12任一所述的显示面板，其中，所述显示区还包括设置在所述平坦化层的远离所述衬底基板一侧的像素界定层，所述至少一个凹槽贯穿所述平坦化层和所述像素界定层。
  14. 根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述封装层包括无机封装层，所述无机封装层延伸至所述封框胶的靠近所述衬底基板的一侧，
    所述电路区还包括分别设置在所述第三侧和所述第四侧的多条时钟信号线，所述多条时钟信号线位于所述第二扫描驱动电路的远离所述显示区的一侧，
    所述多条时钟信号线在所述衬底基板上的正投影位于所述无机封装层在所述衬底基板上的正投影内部。
  15. 根据权利要求14所述的显示面板，其中，在所述第一侧和所述第二侧，所述无机封装层终止于所述扇出信号线区。
  16. 根据权利要求14或15所述的显示面板，其中，在所述第一侧、所述第二侧、所述第三侧和所述第四侧，所述无机封装层终止于所述封框胶的靠近所述衬底基板的表面。
  17. 根据权利要求14-16任一所述的显示面板，其中，所述显示区还包括设置在所述封装层远离所述衬底基板一侧的黑矩阵层，
    所述黑矩阵层还延伸至位于所述第三侧和所述第四侧的所述电路区中，
    所述第一栅扫描驱动电路和第二栅扫描驱动电路分别包括多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵层在所述衬底基板上的正投影内部。
  18. 根据权利要求17所述的显示面板，其中，所述多条时钟信号线在所述衬底基板上的正投影与所述黑矩阵层在所述衬底基板上的正投影不重叠。
  19. 一种显示装置，包括权利要求1-18任一所述的显示面板。
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