CN111634916B - 一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺 - Google Patents
一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111634916B CN111634916B CN202010586038.7A CN202010586038A CN111634916B CN 111634916 B CN111634916 B CN 111634916B CN 202010586038 A CN202010586038 A CN 202010586038A CN 111634916 B CN111634916 B CN 111634916B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- water
- gas
- reaction chamber
- silicon
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/03—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of silicon halides or halosilanes or reduction thereof with hydrogen as the only reducing agent
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，属于半导体技术领域，一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，本方案通过将水和双载传递动子内的二氧化碳同时做为热量载体，随着双载传递动子的上下移动，将热量传递给热源收集箱内的水，既能提高对能量的可持续利用，同时细沙内的水积累到一定的程度滴落后，被已经下沉的双载传递动子包括其表面的变色硅胶吸收，对液态水的回流进行限制，减少液态水的再次进入浓盐酸内，并随着双载传递动子在反应载板和过滤网框之间持续的上下移动，逐渐降低浓盐酸的含水量会，从而提高了硅和氯化氢合成为三氯化硅的效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，更具体地说，涉及一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺。
背景技术
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的，大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联，常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。
现有技术中大多数的半导体产品是通过硅制造的，硅是一种化学元素，它的化学符号是Si，旧称矽，原子序数14，相对原子质量28.0855，有无定形硅和晶体硅两种同素异形体，属于元素周期表上第三周期，IVA族的类金属元素，硅也是极为常见的一种元素，然而它极少以单质的形式在自然界出现，而是以复杂的硅酸盐或二氧化硅的形式，广泛存在于岩石、砂砾、尘土之中，硅在宇宙中的储量排在第八位，在地壳中，它是第二丰富的元素，构成地壳总质量的26.4％，仅次于第一位的氧(49.4％)。
目前当半导体损坏后，需要对半导体衬片上的单晶硅层进行回收，因此急需一种半导体单晶硅层的高效回收工艺。
发明内容
1.要解决的技术问题
针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，本方案通过将水和双载传递动子内的二氧化碳同时做为热量载体，随着双载传递动子的上下移动，将热量传递给热源收集箱内的水，既能提高对能量的可持续利用，同时细沙内的水积累到一定的程度滴落后，被已经下沉的双载传递动子包括其表面的变色硅胶吸收，对液态水的回流进行限制，减少液态水的再次进入浓盐酸内，并随着双载传递动子在反应载板和过滤网框之间持续的上下移动，逐渐降低浓盐酸的含水量会，从而提高了硅和氯化氢合成为三氯化硅的效率。
2.技术方案
为解决上述问题，本发明采用如下的技术方案。
一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，包括以下流程：
S1、将废弃的半导体硅片放置在高效反应装置内与浓盐酸溶液反应，通过高效反应装置持续减少浓盐酸的水含量，快速得到三氯氢硅以及四氯化硅或二氯氢硅等氯硅烷等其他杂质的混合溶液；
S2、对步骤S1中得到的混合溶液进行收集，并通过精馏技术对其进行分离提纯，从而得到提纯后的三氯氢硅；
S3、用氢作为还原剂还原步骤S2中的提纯的三氯氢硅，使高纯硅淀积在1100～1200℃的热载体上。
进一步的，所述步骤S1中的高效反应装置包括气冲反应室，所述气冲反应室内填充有浓盐酸，所述气冲反应室内壁固定连接有位于浓盐酸上侧的反应载板，所述反应载板底端嵌设有多个均匀分布的半导体硅片，所述反应载板内安装有多个均匀分布且位于半导体硅片上侧的电热丝，所述反应载板上端开凿有多个与半导体硅片间隔分布的气交换孔，所述反应载板上侧设有多个均匀分布的双载传递动子，所述气冲反应室内壁固定连接有位于双载传递动子上侧的过滤网框，所述过滤网框内设有传递杆和将传递杆浸没的细沙，所述细沙的粒径为0.01㎜，所述气冲反应室外端固定连接有热源收集箱，所述传递杆贯穿气冲反应室和热源收集箱，通过启动电热丝加热至280℃，使浓盐酸受热挥发，氯化氢气体在高温下与半导体硅片反应，借助二氧化碳使双载传递动子在受热膨胀后浮起，并在将热量传递后下沉，使得氯化氢气体和水蒸气向上移动，水蒸气将热量传递给细沙，冷凝成水珠后被细沙吸收，并最终通过传递杆将热量传递给热源收集箱内的水，当细沙内的水积累到一定的程度后，会向下滴落至已经下沉的双载传递动子的表面，并被其表面的变色硅胶吸收，减少液态水的再次回流，随着双载传递动子在反应载板和过滤网框之间持续的上下移动，浓盐酸的含水量会逐渐降低，从而提高了硅转化为三氯化硅的效率，并且通过将水和双载传递动子内的二氧化碳同时做为热量载体，随着双载传递动子的上下移动，将热量传递给热源收集箱内的水，提高了对能量的可持续利用。
进一步的，所述传递杆外端固定连接有多个均匀分布且位于过滤网框内的鼓动气囊，所述过滤网框上端设有吸水树脂层，所述双载传递动子外端固定连接有变色硅胶，通过设置吸水树脂层，可以在细沙内的水分过高时，对细沙内的水进行吸收，从而减少水量过多而使得液态水大量滴落回浓盐酸内的可能性，通过设置变色硅胶，可以将从细沙滴落的水吸收，并将做为热量载体，借助双载传递动子的上下移动，可以将热量传递给热源收集箱内的水。
进一步的，所述变色硅胶外端固定连接有多个均匀分布的接触短锥，所述接触短锥的尺寸和过滤网框的网孔孔径为0.005㎜，所述鼓动气囊内填充有氯化铵粉末，通过设置接触短锥，可以在双载传递动子接触到过滤网框时，使接触短锥卡入过滤网框的网孔内，从而提高双载传递动子与过滤网框的接触面积，提高热量的传递效率，通过设置氯化铵粉末，可以使得氯化铵粉末受热分解成氯化氢和氨气，从而使鼓动气囊膨胀，对沙子进行挤压，使得含水的沙子不易结块，从而对沙子进行充分的打散，提高沙子对热量的吸收效率。
进一步的，所述气冲反应室左端安装有侧封闭门，所述侧封闭门位于浓盐酸和反应载板之间，所述气冲反应室上端安装有位于吸水树脂层上侧的上封闭门，通过设置侧封闭门，可以方便向气冲反应室内添加浓盐酸，通过设置上封闭门，可以方便将吸水树脂层取出并更换。
进一步的，所述气冲反应室右端嵌设有第一气传导管，所述第一气传导管贯穿热源收集箱，所述第一气传导管上端安装有控制阀，所述气冲反应室左侧内壁安装有位于反应载板上侧的气压传感器，所述气压传感器与控制阀电性连接，通过设置第一气传导管和气压传感器，可以在气冲反应室内部气压过大时，将气冲反应室内的气体部分排出至热源收集箱内，从而分别对反应后产生的氢气、水蒸气和未反应的氯化氢气体进行收集。
进一步的，所述双载传递动子内填充有二氧化碳，所述热源收集箱内填充有水，通过设置二氧化碳，可以借助二氧化碳为温室气体的性质，使得双载传递动子受热膨胀并上浮，通过在热源收集箱内填充水，可以对反应放出的热量进行收集。
进一步的，所述传递杆由铜材质制成，所述传递杆表面电镀有氧化铝层，通过使用铜材质制作传递杆，可以提高其导热效率，通过在传递杆表面设置氧化铝层，可以对传递杆进行保护，从而使得传递杆不易被腐蚀。
进一步的，所述热源收集箱上端嵌设有位于传递杆右侧的第二气传导管，所述第二气传导管外端螺纹连接有螺纹环，所述螺纹环外端固定连接有收集囊袋，所述收集囊袋外端安装有氢气分子筛，通过设置收集囊袋和氢气分子筛，可以方便对氢气进行收集，为步骤S3提供氢气做为反应原料，同时可以阻止水蒸气和氯化氢气体进入，可以促进热源收集箱内的水对水蒸气和氯化氢气体的吸收。
3.有益效果
相比于现有技术，本发明的优点在于：
(1)本方案通过将水和双载传递动子内的二氧化碳同时做为热量载体，随着双载传递动子的上下移动，将热量传递给热源收集箱内的水，既能提高对能量的可持续利用，同时细沙内的水积累到一定的程度滴落后，被已经下沉的双载传递动子包括其表面的变色硅胶吸收，对液态水的回流进行限制，减少液态水的再次进入浓盐酸内，并随着双载传递动子在反应载板和过滤网框之间持续的上下移动，逐渐降低浓盐酸的含水量会，从而提高了硅和氯化氢合成为三氯化硅的效率。
(2)传递杆外端固定连接有多个均匀分布且位于过滤网框内的鼓动气囊，过滤网框上端设有吸水树脂层，双载传递动子外端固定连接有变色硅胶，通过设置吸水树脂层，可以在细沙内的水分过高时，对细沙内的水进行吸收，从而减少水量过多而使得液态水大量滴落回浓盐酸内的可能性，通过设置变色硅胶，可以将从细沙滴落的水吸收，并将做为热量载体，借助双载传递动子的上下移动，可以将热量传递给热源收集箱内的水。
(3)变色硅胶外端固定连接有多个均匀分布的接触短锥，接触短锥的尺寸和过滤网框的网孔孔径为0.005㎜，鼓动气囊内填充有氯化铵粉末，通过设置接触短锥，可以在双载传递动子接触到过滤网框时，使接触短锥卡入过滤网框的网孔内，从而提高双载传递动子与过滤网框的接触面积，提高热量的传递效率，通过设置氯化铵粉末，可以使得氯化铵粉末受热分解成氯化氢和氨气，从而使鼓动气囊膨胀，对沙子进行挤压，使得含水的沙子不易结块，从而对沙子进行充分的打散，提高沙子对热量的吸收效率。
(4)气冲反应室左端安装有侧封闭门，侧封闭门位于浓盐酸和反应载板之间，气冲反应室上端安装有位于吸水树脂层上侧的上封闭门，通过设置侧封闭门，可以方便向气冲反应室内添加浓盐酸，通过设置上封闭门，可以方便将吸水树脂层取出并更换。
(5)气冲反应室右端嵌设有第一气传导管，第一气传导管贯穿热源收集箱，第一气传导管上端安装有控制阀，气冲反应室左侧内壁安装有位于反应载板上侧的气压传感器，气压传感器与控制阀电性连接，通过设置第一气传导管和气压传感器，可以在气冲反应室内部气压过大时，将气冲反应室内的气体部分排出至热源收集箱内，从而分别对反应后产生的氢气、水蒸气和未反应的氯化氢气体进行收集。
(6)双载传递动子内填充有二氧化碳，热源收集箱内填充有水，通过设置二氧化碳，可以借助二氧化碳为温室气体的性质，使得双载传递动子受热膨胀并上浮，通过在热源收集箱内填充水，可以对反应放出的热量进行收集。
(7)传递杆由铜材质制成，传递杆表面电镀有氧化铝层，通过使用铜材质制作传递杆，可以提高其导热效率，通过在传递杆表面设置氧化铝层，可以对传递杆进行保护，从而使得传递杆不易被腐蚀。
(8)热源收集箱上端嵌设有位于传递杆右侧的第二气传导管，第二气传导管外端螺纹连接有螺纹环，螺纹环外端固定连接有收集囊袋，收集囊袋外端安装有氢气分子筛，通过设置收集囊袋和氢气分子筛，可以方便对氢气进行收集，为步骤S3提供氢气做为反应原料，同时可以阻止水蒸气和氯化氢气体进入，可以促进热源收集箱内的水对水蒸气和氯化氢气体的吸收。
附图说明
图1为本发明的整体的工艺流程图；
图2为本发明的气冲反应室部分的剖面图；
图3为图2中A处的结构示意图；
图4为本发明的传递动子部分的剖面图；
图5为本发明的鼓动气囊部分的剖面图；
图6为本发明的鼓动气囊受热时的剖面图。
图中标号说明：
1气冲反应室、101侧封闭门、102上封闭门、103第一气传导管、104气压传感器、2浓盐酸、3反应载板、4半导体硅片、5电热丝、6气交换孔、7双载传递动子、8过滤网框、9细沙、10传递杆、11热源收集箱、1101第二气传导管、1102螺纹环、1103收集囊袋、1104氢气分子筛、12鼓动气囊、13吸水树脂层、14变色硅胶、15接触短锥、16氯化铵粉末。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图；对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然；所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例；而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例；本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例；都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“顶/底端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“套设/接”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
实施例1：
请参阅图1，一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，包括以下流程：
S1、将废弃的半导体硅片放置在高效反应装置内与浓盐酸溶液反应，通过高效反应装置持续减少浓盐酸的水含量，快速得到三氯氢硅以及四氯化硅或二氯氢硅等氯硅烷等其他杂质的混合溶液；
S2、对步骤S1中得到的混合溶液进行收集，并通过精馏技术对其进行分离提纯，从而得到提纯后的三氯氢硅；
S3、用氢作为还原剂还原步骤S2中的提纯的三氯氢硅，使高纯硅淀积在1100～1200℃的热载体上，载体常用细的高纯硅棒，通以大电流使其达到所需温度。
请参阅图2，步骤S1中的高效反应装置包括气冲反应室1，气冲反应室1内填充有浓盐酸2，气冲反应室1内壁固定连接有位于浓盐酸2上侧的反应载板3，反应载板3底端嵌设有多个均匀分布的半导体硅片4，反应载板3内安装有多个均匀分布且位于半导体硅片4上侧的电热丝5，反应载板3上端开凿有多个与半导体硅片4间隔分布的气交换孔6，反应载板3上侧设有多个均匀分布的双载传递动子7，气冲反应室1内壁固定连接有位于双载传递动子7上侧的过滤网框8，过滤网框8内设有传递杆10和将传递杆10浸没的细沙9，细沙9的粒径为0.01㎜，气冲反应室1外端固定连接有热源收集箱11，传递杆10贯穿气冲反应室1和热源收集箱11，热源收集箱11在实际运用时，本领域金属人员可以选择合适的方式，对热源收集箱11内的热水加以利用，例如：取暖和发电，通过启动电热丝5加热至280℃，使浓盐酸2受热挥发，氯化氢气体在高温下与半导体硅片4反应，借助二氧化碳使双载传递动子7在受热膨胀后浮起，并在将热量传递后下沉，使得氯化氢气体和水蒸气向上移动，水蒸气将热量传递给细沙9，冷凝成水珠后被细沙9吸收，并最终通过传递杆10将热量传递给热源收集箱11内的水，当细沙9内的水积累到一定的程度后，会向下滴落至已经下沉的双载传递动子7的表面，并被其表面的变色硅胶14吸收，减少液态水的再次回流，随着双载传递动子7在反应载板3和过滤网框8之间持续的上下移动，浓盐酸2的含水量会逐渐降低，从而提高了硅转化为三氯化硅的效率，并且通过将水和双载传递动子7内的二氧化碳同时做为热量载体，随着双载传递动子7的上下移动，将热量传递给热源收集箱11内的水，提高了对能量的可持续利用。
请参阅图2-5，传递杆10外端固定连接有多个均匀分布且位于过滤网框8内的鼓动气囊12，过滤网框8上端设有吸水树脂层13，双载传递动子7外端固定连接有变色硅胶14，通过设置吸水树脂层13，可以在细沙9内的水分过高时，对细沙9内的水进行吸收，从而减少水量过多而使得液态水大量滴落回浓盐酸2内的可能性，通过设置变色硅胶14，可以将从细沙9滴落的水吸收，并将做为热量载体，借助双载传递动子7的上下移动，可以将热量传递给热源收集箱11内的水。
请参阅图2-4，变色硅胶14外端固定连接有多个均匀分布的接触短锥15，接触短锥15的尺寸和过滤网框8的网孔孔径为0.005㎜，鼓动气囊12内填充有氯化铵粉末16，通过设置接触短锥15，可以在双载传递动子7接触到过滤网框8时，使接触短锥15卡入过滤网框8的网孔内，从而提高双载传递动子7与过滤网框8的接触面积，提高热量的传递效率，通过设置氯化铵粉末16，可以使得氯化铵粉末16受热分解成氯化氢和氨气，从而使鼓动气囊12膨胀，对沙子进行挤压，使得含水的沙子不易结块，从而对沙子进行充分的打散，提高沙子对热量的吸收效率。
请参阅图1，气冲反应室1左端安装有侧封闭门101，侧封闭门101位于浓盐酸2和反应载板3之间，气冲反应室1上端安装有位于吸水树脂层13上侧的上封闭门102，通过设置侧封闭门101，可以方便向气冲反应室1内添加浓盐酸2，通过设置上封闭门102，可以方便将吸水树脂层13取出并更换，气冲反应室1右端嵌设有第一气传导管103，第一气传导管103贯穿热源收集箱11，第一气传导管103上端安装有控制阀，气冲反应室1左侧内壁安装有位于反应载板3上侧的气压传感器104，气压传感器104与控制阀电性连接，通过设置第一气传导管103和气压传感器104，可以在气冲反应室1内部气压过大时，将气冲反应室1内的气体部分排出至热源收集箱11内，从而分别对反应后产生的氢气、水蒸气和未反应的氯化氢气体进行收集。
请参阅图2-6，双载传递动子7内填充有二氧化碳，热源收集箱11内填充有水，通过设置二氧化碳，可以借助二氧化碳为温室气体的性质，使得双载传递动子7受热膨胀并上浮，通过在热源收集箱11内填充水，可以对反应放出的热量进行收集，传递杆10由铜材质制成，传递杆10表面电镀有氧化铝层，通过使用铜材质制作传递杆10，可以提高其导热效率，通过在传递杆10表面设置氧化铝层，可以对传递杆10进行保护，从而使得传递杆10不易被腐蚀，热源收集箱11上端嵌设有位于传递杆10右侧的第二气传导管1101，第二气传导管1101外端螺纹连接有螺纹环1102，螺纹环1102外端固定连接有收集囊袋1103，收集囊袋1103外端安装有氢气分子筛1104，通过设置收集囊袋1103和氢气分子筛1104，可以方便对氢气进行收集，为步骤S3提供氢气做为反应原料，同时可以阻止水蒸气和氯化氢气体进入，可以促进热源收集箱11内的水对水蒸气和氯化氢气体的吸收。
以上所述；仅为本发明较佳的具体实施方式；但本发明的保护范围并不局限于此；任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内；根据本发明的技术方案及其改进构思加以等同替换或改变；都应涵盖在本发明的保护范围内。
Claims (8)
1.一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，其特征在于：包括以下流程：
S1、将废弃的半导体硅片放置在高效反应装置内与浓盐酸溶液反应，通过高效反应装置持续减少浓盐酸的水含量，快速得到三氯氢硅以及杂质四氯化硅或杂质二氯氢硅的混合溶液；高效反应装置包括气冲反应室(1)，所述气冲反应室(1)内填充有浓盐酸(2)，所述气冲反应室(1)内壁固定连接有位于浓盐酸(2)上侧的反应载板(3)，所述反应载板(3)底端嵌设有多个均匀分布的半导体硅片(4)，所述反应载板(3)内安装有多个均匀分布且位于半导体硅片(4)上侧的电热丝(5)，所述反应载板(3)上端开凿有多个与半导体硅片(4)间隔分布的气交换孔(6)，所述反应载板(3)上侧设有多个均匀分布的双载传递动子(7)，所述气冲反应室(1)内壁固定连接有位于双载传递动子(7)上侧的过滤网框(8)，所述过滤网框(8)内设有传递杆(10)和将传递杆(10)浸没的细沙(9)，所述细沙(9)的粒径为0.01mm，所述气冲反应室(1)外端固定连接有热源收集箱(11)，所述传递杆(10)贯穿气冲反应室(1)和热源收集箱(11)；
S2、对步骤S1中得到的混合溶液进行收集，并通过精馏技术对其进行分离提纯，从而得到提纯后的三氯氢硅；
S3、用氢作为还原剂还原步骤S2中的提纯的三氯氢硅，使高纯硅淀积在1100～1200℃的热载体上。
2.根据权利要求1所述的一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，其特征在于：所述传递杆(10)外端固定连接有多个均匀分布且位于过滤网框(8)内的鼓动气囊(12)，所述过滤网框(8)上端设有吸水树脂层(13)，所述双载传递动子(7)外端固定连接有变色硅胶(14)。
3.根据权利要求2所述的一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，其特征在于：所述变色硅胶(14)外端固定连接有多个均匀分布的接触短锥(15)，所述接触短锥(15)的尺寸和过滤网框(8)的网孔孔径为0.005mm，所述鼓动气囊(12)内填充有氯化铵粉末(16)。
4.根据权利要求1所述的一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，其特征在于：所述气冲反应室(1)左端安装有侧封闭门(101)，所述侧封闭门(101)位于浓盐酸(2)和反应载板(3)之间，所述气冲反应室(1)上端安装有位于吸水树脂层(13)上侧的上封闭门(102)。
5.根据权利要求1所述的一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，其特征在于：所述气冲反应室(1)右端嵌设有第一气传导管(103)，所述第一气传导管(103)贯穿热源收集箱(11)，所述第一气传导管(103)上端安装有控制阀，所述气冲反应室(1)左侧内壁安装有位于反应载板(3)上侧的气压传感器(104)，所述气压传感器(104)与控制阀电性连接。
6.根据权利要求1所述的一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，其特征在于：所述双载传递动子(7)内填充有二氧化碳，所述热源收集箱(11)内填充有水。
7.根据权利要求1所述的一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，其特征在于：所述传递杆(10)由铜材质制成，所述传递杆(10)表面电镀有氧化铝层。
8.根据权利要求1所述的一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，其特征在于：所述热源收集箱(11)上端嵌设有位于传递杆(10)右侧的第二气传导管(1101)，所述第二气传导管(1101)外端螺纹连接有螺纹环(1102)，所述螺纹环(1102)外端固定连接有收集囊袋(1103)，所述收集囊袋(1103)外端安装有氢气分子筛(1104)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010586038.7A CN111634916B (zh) | 2020-06-24 | 2020-06-24 | 一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010586038.7A CN111634916B (zh) | 2020-06-24 | 2020-06-24 | 一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111634916A CN111634916A (zh) | 2020-09-08 |
| CN111634916B true CN111634916B (zh) | 2022-05-24 |
Family
ID=72326442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010586038.7A Active CN111634916B (zh) | 2020-06-24 | 2020-06-24 | 一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111634916B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004002138A (ja) * | 2001-10-19 | 2004-01-08 | Tokuyama Corp | シリコンの製造方法 |
| CN1702193A (zh) * | 2000-06-30 | 2005-11-30 | 兰姆研究公司 | 用于半导体处理设备的陶瓷件 |
| CN207608319U (zh) * | 2017-11-29 | 2018-07-13 | 唐山三孚硅业股份有限公司 | 一种低成本、高效率的氯化氢气体干燥装置 |
| CN108383124A (zh) * | 2018-04-12 | 2018-08-10 | 南通山剑防腐科技有限公司 | 一种用于制备三氯氢硅的环保节能设备 |
| CN109867287A (zh) * | 2019-03-16 | 2019-06-11 | 浙江海顺新能源有限公司 | 一种太阳能多晶硅片制备方法 |
-
2020
- 2020-06-24 CN CN202010586038.7A patent/CN111634916B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1702193A (zh) * | 2000-06-30 | 2005-11-30 | 兰姆研究公司 | 用于半导体处理设备的陶瓷件 |
| JP2004002138A (ja) * | 2001-10-19 | 2004-01-08 | Tokuyama Corp | シリコンの製造方法 |
| CN207608319U (zh) * | 2017-11-29 | 2018-07-13 | 唐山三孚硅业股份有限公司 | 一种低成本、高效率的氯化氢气体干燥装置 |
| CN108383124A (zh) * | 2018-04-12 | 2018-08-10 | 南通山剑防腐科技有限公司 | 一种用于制备三氯氢硅的环保节能设备 |
| CN109867287A (zh) * | 2019-03-16 | 2019-06-11 | 浙江海顺新能源有限公司 | 一种太阳能多晶硅片制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111634916A (zh) | 2020-09-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Gribov et al. | Preparation of high-purity silicon for solar cells | |
| US7972584B2 (en) | Magnesiothermic methods of producing high-purity silicon | |
| CN103435044B (zh) | 一种纯化分离多晶硅尾气中氯硅烷的方法 | |
| CN209205503U (zh) | 一种多晶硅破碎系统 | |
| CN110526249A (zh) | 一种生产硅烷混合物的反应器系统 | |
| CN111634916B (zh) | 一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺 | |
| CN110963494B (zh) | 一种制备硅烷的系统和方法 | |
| JP2004284935A (ja) | シリコンの製造装置及び製造方法 | |
| CN102605418A (zh) | 太阳能电池基板、太阳能电池的制造方法及其使用的坩埚 | |
| CN106976913A (zh) | 一种六氟化钨的合成方法 | |
| CN112645336B (zh) | 生产硅烷、一氯硅烷、二氯硅烷和六氯乙硅烷的系统 | |
| CN102741166A (zh) | 多晶硅的制造方法 | |
| CN101054722A (zh) | 一种太阳能多晶硅原料提纯制备方法 | |
| CN102815702B (zh) | 一种硅烷法流化床生产高纯粒状多晶硅装置及工艺 | |
| CN202246098U (zh) | 三氯氢硅合成设备 | |
| CN102390835A (zh) | 一种用氟硅酸钙制备四氟化硅的方法 | |
| CN206735809U (zh) | 一种电子级多晶硅的生产系统 | |
| CN112663074B (zh) | 一种电催化合成高纯乙硅烷的系统 | |
| CN102060298B (zh) | 一种多晶硅生产装置及多晶硅生产方法 | |
| CN204803014U (zh) | 络合反应精馏提纯硅烷的装置 | |
| CN211226345U (zh) | 一种五氟化磷反应器 | |
| CN204057974U (zh) | 一种利用三氯氢硅制备颗粒多晶硅的系统 | |
| CN201850135U (zh) | 一种氯化氢气体干燥装置 | |
| CN214880244U (zh) | 新型合成三氯氢硅的生产装置 | |
| CN101628720A (zh) | 三氯氢硅合成产物加压冷凝的生产工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20230419 Address after: 322000 1st floor, No.2, building 30, Chunhan Third District, Beiyuan street, Yiwu City, Jinhua City, Zhejiang Province Patentee after: Zhejiang Refining New Materials Technology Co.,Ltd. Address before: 322000 group 3, Xiangbei village, Shangxi Town, Yiwu City, Jinhua City, Zhejiang Province Patentee before: Wu Jianrong |
|
| TR01 | Transfer of patent right |