CN109867287A - 一种太阳能多晶硅片制备方法 - Google Patents
一种太阳能多晶硅片制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109867287A CN109867287A CN201910200969.6A CN201910200969A CN109867287A CN 109867287 A CN109867287 A CN 109867287A CN 201910200969 A CN201910200969 A CN 201910200969A CN 109867287 A CN109867287 A CN 109867287A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- trichlorosilane
- solar energy
- polycrystalline silicon
- purification
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本发明公开了一种太阳能多晶硅片制备方法，包括以下步骤：冶炼提纯：取材石英砂，并将石英砂加入电弧炉中冶炼，使其提纯到98%并生成工业硅；二次提纯：将工业硅粉碎，将粉碎的工业硅加入无水氯化氢的流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅；三次提纯：过滤并冷凝拟溶解的三氯氢硅生成三氯氢硅（多级精馏）；还原：净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯SiHCl3在H2气体中还原沉积而生成多晶硅。本发明所述的一种太阳能多晶硅片制备方法，首先对反应杂质物进行处理，且处理所产生的H2可以作为前置反应中的反应物，这样使得该方法生产多晶硅造价更低，环保性更强。
Description
技术领域
本发明涉及硅片制备技术领域，特别涉及一种太阳能多晶硅片制备方法。
背景技术
硅是一种化学元素，原子序数14，相对原子质量28.0855，有无定形硅和 晶体硅两种同素异形体，属于元素周期表上第三周期，IVA族的类金属元素。 硅也是极为常见的一种元素，然而它极少以单质的形式在自然界出现，而是 以复杂的硅酸盐或二氧化硅的形式，广泛存在于岩石、砂砾、尘土之中，硅 在宇宙中的储量排在第八位。在地壳中，它是第二丰富的元素，构成地壳总 质量的26.4％，仅次于第一位的氧；
硅片是通过对硅进行加工生产出的一种片状结晶硅，多晶硅，是单质硅 的一种形态，熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态 排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起 来，就结晶成多晶硅，而现有的多晶硅生产方法中对生产所生成的杂质物不 进行处理，导致资源的浪费，环保性差。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种太阳能多晶硅片制备方法，可以有效解 决背景技术中的问题。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：
一种太阳能多晶硅片制备方法，包括以下步骤：
(1)、冶炼提纯：取材石英砂，并将石英砂加入电弧炉中冶炼，使其提 纯到98％并生成工业硅；
(2)、二次提纯：将工业硅粉碎，将粉碎的工业硅加入无水氯化氢的流 化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅；
(3)、三次提纯：过滤并冷凝拟溶解的三氯氢硅生成三氯氢硅(多级精 馏)；
(4)、还原：净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯SiHCl3在H2 气体中还原沉积而生成多晶硅。
优选的，所述步骤(1)中冶炼提纯，包括以下步骤：
(1.1)、取材石英砂；
(1.2)、将石英砂加入电弧炉中进行提炼，使其纯度达到98％并生产工 业硅，其化学式为SiO2+C→Si+CO2↑。
优选的，所述步骤(3)中三次提纯，对步骤(2.3)中三氯化硅及其混 合物进行提纯，冷凝和净化，生成三氯化硅精馏。
优选的，所述步骤(2)中，二次提纯步骤如下：
(2.1)对步骤(1.2)中的工业硅进行粉碎；
(2.2)将粉碎的工业硅加入设置有无水氯化氢的流化床反应器中；
(2.3)粉碎的工业硅和无水氯化氢反应生成三氯氢硅和气态的混合物， 且化学式为Si+HCl→SiHCl3+H2；
(2.4)对气态混合物进行分解提纯处理。
优选的，所述步骤(4)中，还原步骤如下：
(4.1)将步骤(3)中提纯后的三氯化硅精馏加入反应容器中；
(4.2)在反应容器中注入氢气；
(4.3)在反应容器中加入电加热硅棒；
(4.4)对电加热硅棒进行加热使之升温，三氯化硅精馏在电加热硅棒上 沉淀，形成多晶硅，其化学式为SiHCl3+H2→Si+HCl；
(4.5)将步骤(4.4)中HCl通入水中，对其进行处理。
优选的，所述步骤(2.3)中的气态的混合物包括H2,HCl,SiHCl3,SiC14,Si。
优选的，所述步骤(2.4)中气态混合物进行分解提纯处理方法，包括以 下步骤：
a.将气态混合物冲入装有水的容器中，并在该容器上连接一个导管，
集气容器进行连接；
b.气态混合物与水反应并沉淀，其中SiHCl3和SiC14与水发生反应，
其反应化学式为SiHCl3+4H2O→Si(OH)4+H2↑+3HCl和 SiC14+4H2O＝H2SiO4+4HCl，H2不溶于水通过导管进入集气容器中，HCl 溶于水中，反应后Si(OH)4、H2SiO4和Si沉淀，可以通过过滤进行 去除回收。
优选的，所述步骤(4.4)的反应中电加热硅棒的温度在1080℃～1100℃。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
1、本发明中通过对气态混合物进行过水处理，使气态混合物中的SiHCl3和SiC14与水发生反应并产生沉淀，这些沉淀物为硅和硅的化合物，通过过滤 可以将其进行分离，对于分离后的硅和硅的化合物可以再次进行提炼，这样 相比于直接排放更加节约资源，且再次提炼不需要再次经过步骤(1)中的冶 炼提纯了，且其提炼耗资和耗时远远小于冶炼原料的耗资和耗时，同时对于 气态混合物中的H2和SiHCl3和SiC14与水发生反应产生的氢气可以通过排水 法进行收集，进行二次回收利用，从而使得该发明的环保性和节能性更强；
2、本发明通过实验得出温度在1080℃-1100℃时，多晶硅生成速度为最 快，效率最高，由此在生产中将多晶硅生成的温度控制在1080℃-1100℃可以 最大化降低多晶硅制作的时间；
3、本发明中步骤(2.4)中产生的氢气可以通过导管输送至步骤(4.1) 中反应容器中，为其提供反应料，这种方法使得该发明在制备多晶硅时造价 更低。
附图说明
图1为本发明一种太阳能多晶硅片制备方法制作整体流程图。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解， 下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
实施例1
如图1所示，包括以下步骤：
(1)、冶炼提纯：取材石英砂，并将石英砂加入电弧炉中冶炼，使其提 纯到98％并生成工业硅；
(2)、二次提纯：将工业硅粉碎，将粉碎的工业硅加入无水氯化氢的流 化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅；
(3)、三次提纯：过滤并冷凝拟溶解的三氯氢硅生成三氯氢硅(多级精 馏)；
(4)、还原：净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯SiHCl3在H2 气体中还原沉积而生成多晶硅。
所述步骤(1)中冶炼提纯，包括以下步骤：
(1.1)、取材石英砂；
(1.2)、将石英砂加入电弧炉中进行提炼，使其纯度达到98％并生产工 业硅，其化学式为SiO2+C→Si+CO2↑。
所述步骤(2)中，二次提纯步骤如下：
(2.1)对步骤(1.2)中的工业硅进行粉碎；
(2.2)将粉碎的工业硅加入设置有无水氯化氢的流化床反应器中；
(2.3)粉碎的工业硅和无水氯化氢反应生成三氯氢硅和气态的混合物， 且化学式为Si+HCl→SiHCl3+H2；
(2.4)对气态混合物进行分解提纯处理。
所述步骤(3)中三次提纯，对步骤(2.3)中三氯化硅及其混合物进行 提纯，冷凝和净化，生成三氯化硅精馏。
所述步骤(4)中，还原步骤如下：
(4.1)将步骤(3)中提纯后的三氯化硅精馏加入反应容器中；
(4.2)在反应容器中注入氢气；
(4.3)在反应容器中加入电加热硅棒；
(4.4)对电加热硅棒进行加热使之升温，三氯化硅精馏在电加热硅棒上 沉淀，形成多晶硅，其化学式为SiHCl3+H2→Si+HCl；
(4.5)将步骤(4.4)中HCl通入水中，对其进行处理。
所述步骤(2.3)中的气态的混合物包括H2,HCl,SiHCl3,SiC14,Si。
所述步骤(2.4)中气态混合物进行分解提纯处理方法，包括以下步骤：
a.将气态混合物冲入装有水的容器中，并在该容器上连接一个导管， 集气容器进行连接；
b.气态混合物与水反应并沉淀，其中SiHCl3和SiC14与水发生反应， 其反应化学式为SiHCl3+4H2O→Si(OH)4+H2↑+3HCl和 SiC14+4H2O＝H2SiO4+4HCl，H2不溶于水通过导管进入集气容器中，HCl 溶于水中，反应后Si(OH)4、H2SiO4和Si沉淀，可以通过过滤进行 去除回收；
该方法通过对气态混合物进行过水处理，使气态混合物中的SiHCl3和 SiC14与水发生反应并产生沉淀，这些沉淀物为硅和硅的化合物，通过 过滤可以将其进行分离，对于分离后的硅和硅的化合物可以再次进行 提炼，这样相比于直接排放更加节约资源，且再次提炼不需要再次经 过步骤(1)中的冶炼提纯了，使得比原始取材更加方便，同时对于气 态混合物中的H2和SiHCl3和SiC14与水发生反应产生的氢气可以通过 排水法进行收集，进行二次回收利用，从而使得该发明的环保性和节 能性更强。
实施例2
包括以下步骤：
(1)、冶炼提纯：取材石英砂，并将石英砂加入电弧炉中冶炼，使其提 纯到98％并生成工业硅；
(2)、二次提纯：将工业硅粉碎，将粉碎的工业硅加入无水氯化氢的流 化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅；
(3)、三次提纯：过滤并冷凝拟溶解的三氯氢硅生成三氯氢硅(多级精 馏)；
(4)、还原：净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯SiHCl3在H2 气体中还原沉积而生成多晶硅。
所述步骤(1)中冶炼提纯，包括以下步骤：
(1.1)、取材石英砂；
(1.2)、将石英砂加入电弧炉中进行提炼，使其纯度达到98％并生产工 业硅，其化学式为SiO2+C→Si+CO2↑。
所述步骤(2)中，二次提纯步骤如下：
(2.1)对步骤(1.2)中的工业硅进行粉碎；
(2.2)将粉碎的工业硅加入设置有无水氯化氢的流化床反应器中；
(2.3)粉碎的工业硅和无水氯化氢反应生成三氯氢硅和气态的混合物， 且化学式为Si+HCl→SiHCl3+H2；
(2.4)对气态混合物进行分解提纯处理。
所述步骤(3)中三次提纯，对步骤(2.3)中三氯化硅及其混合物进行 提纯，冷凝和净化，生成三氯化硅精馏。
所述步骤(4)中，还原步骤如下：
(4.1)将步骤(3)中提纯后的三氯化硅精馏加入反应容器中；
(4.2)在反应容器中注入氢气；
(4.3)在反应容器中加入电加热硅棒；
(4.4)对电加热硅棒进行加热使之升温，三氯化硅精馏在电加热硅棒上 沉淀，形成多晶硅，其化学式为SiHCl3+H2→Si+HCl；
(4.5)将步骤(4.4)中HCl通入水中，对其进行处理。
所述步骤(2.3)中的气态的混合物包括H2,HCl,SiHCl3,SiC14,Si。
所述步骤(2.4)中气态混合物进行分解提纯处理方法，包括以下步骤：
a.将气态混合物冲入装有水的容器中，并在该容器上连接一个导管， 集气容器进行连接；
b.气态混合物与水反应并沉淀，其中SiHCl3和SiC14与水发生反应， 其反应化学式为SiHCl3+4H2O→Si(OH)4+H2↑+3HCl和 SiC14+4H2O＝H2SiO4+4HCl，H2不溶于水通过导管进入集气容器中，HCl 溶于水中，反应后Si(OH)4、H2SiO4和Si沉淀，可以通过过滤进行 去除回收。
所述步骤(4.4)的反应中多晶硅沉淀的质量与电加热硅棒的温度和时间变 化关系如图2，由图中可以看出，当温度处于1080℃-1100℃时，多晶硅的生成量趋 于平稳，从而可以得出结论，当温度在1080℃-1100℃时，多晶硅生成速度为最快，效 率最高。
实施例3
如图1所示，包括以下步骤：
(1)、冶炼提纯：取材石英砂，并将石英砂加入电弧炉中冶炼，使其提 纯到98％并生成工业硅；
(2)、二次提纯：将工业硅粉碎，将粉碎的工业硅加入无水氯化氢的流 化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅；
(3)、三次提纯：过滤并冷凝拟溶解的三氯氢硅生成三氯氢硅(多级精 馏)；
(4)、还原：净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯SiHCl3在H2 气体中还原沉积而生成多晶硅。
所述步骤(1)中冶炼提纯，包括以下步骤：
(1.1)、取材石英砂；
(1.2)、将石英砂加入电弧炉中进行提炼，使其纯度达到98％并生产工 业硅，其化学式为SiO2+C→Si+CO2↑。
所述步骤(2)中，二次提纯步骤如下：
(2.1)对步骤(1.2)中的工业硅进行粉碎；
(2.2)将粉碎的工业硅加入设置有无水氯化氢的流化床反应器中；
(2.3)粉碎的工业硅和无水氯化氢反应生成三氯氢硅和气态的混合物， 且化学式为Si+HCl→SiHCl3+H2；
(2.4)对气态混合物进行分解提纯处理。
所述步骤(3)中三次提纯，对步骤(2.3)中三氯化硅及其混合物进行 提纯，冷凝和净化，生成三氯化硅精馏。
所述步骤(4)中，还原步骤如下：
(4.1)将步骤(3)中提纯后的三氯化硅精馏加入反应容器中；
(4.2)在反应容器中注入氢气；
(4.3)在反应容器中加入电加热硅棒；
(4.4)对电加热硅棒进行加热使之升温，三氯化硅精馏在电加热硅棒上 沉淀，形成多晶硅，其化学式为SiHCl3+H2→Si+HCl；
(4.5)将步骤(4.4)中HCl通入水中，对其进行处理。
所述步骤(2.3)中的气态的混合物包括H2,HCl,SiHCl3,SiC14,Si。
所述步骤(2.4)中气态混合物进行分解提纯处理方法，包括以下步骤：
a.将气态混合物冲入装有水的容器中，并在该容器上连接一个导管， 集气容器进行连接；
b.气态混合物与水反应并沉淀，其中SiHCl3和SiC14与水发生反应， 其反应化学式为SiHCl3+4H2O→Si(OH)4+H2↑+3HCl和 SiC14+4H2O＝H2SiO4+4HCl，H2不溶于水通过导管进入集气容器中，HCl 溶于水中，反应后Si(OH)4、H2SiO4和Si沉淀，可以通过过滤进行 去除回收。
对于步骤(2.4)-B的反应中产生的氢气可以通过导管输送至步骤(4.1) 中反应容器中，为其提供反应料，这种方法使得该发明在制备多晶硅时造价 更低。
本发明通过实验得出温度在1080℃-1100℃时，多晶硅生成速度为最快， 效率最高，由此在生产中将多晶硅生成的温度控制在1080℃-1100℃可以最大 化降低多晶硅制作的时间，同时，本发明中通过对气态混合物进行过水处理， 使气态混合物中的SiHCl3和SiC14与水发生反应并产生沉淀，这些沉淀物为 硅和硅的化合物，通过过滤可以将其进行分离，对于分离后的硅和硅的化合 物可以再次进行提炼，这样相比于直接排放更加节约资源，且再次提炼不需 要再次经过步骤(1)中的冶炼提纯了，使得比原始取材更加方便，同时对于 气态混合物中的H2和SiHCl3和SiC14与水发生反应产生的氢气可以通过排水 法进行收集，进行二次回收利用，从而使得该发明的环保性和节能性更强， 且产生的氢气可以通过导管输送至步骤(4.1)中反应容器中，为其提供反应 料，这种方法使得该发明在制备多晶硅时造价更低。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行 业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明 书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下， 本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范 围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (8)
1.一种太阳能多晶硅片制备方法，包括以下步骤：
(1)、冶炼提纯：取材石英砂，并将石英砂加入电弧炉中冶炼，使其提纯到 98%并生成工业硅；
(2)、二次提纯：将工业硅粉碎，将粉碎的工业硅加入无水氯化氢的流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅；
(3)、三次提纯：过滤并冷凝拟溶解的三氯氢硅生成三氯氢硅（多级精馏）；
(4)、还原：净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯 SiHCl3 在H2气体中还原沉积而生成多晶硅。
2.根据权利要求 1 所述的一种太阳能多晶硅片制备方法，其特征在于： 所述步骤（1）中冶炼提纯，包括以下步骤：
（1.1）、取材石英砂；
（1.2）、将石英砂加入电弧炉中进行提炼，使其纯度达到 98%并生产工业硅，其化学式为SiO2+C→Si+CO2↑。
3.根据权利要求 1 所述的一种太阳能多晶硅片制备方法，其特征在于： 所述步骤（2）中，二次提纯步骤如下：
（2.1）对步骤（1.2）中的工业硅进行粉碎；
（2.2）将粉碎的工业硅加入设置有无水氯化氢的流化床反应器中；
（2.3）粉碎的工业硅和无水氯化氢反应生成三氯氢硅和气态的混合物， 且化学式为Si+HCl→SiHCl3+H2；
（2.4）对气态混合物进行分解提纯处理。
4.根据权利要求 1 所述的一种太阳能多晶硅片制备方法，其特征在于： 所述步骤（3）中三次提纯，对步骤（2.3）中三氯化硅及其混合物进行提纯， 冷凝和净化，生成三氯化硅精馏。
5.根据权利要求 1 所述的一种太阳能多晶硅片制备方法，其特征在于：
所述步骤（4）中，还原步骤如下：
（4.1）将步骤（3）中提纯后的三氯化硅精馏加入反应容器中；
（4.2）在反应容器中注入氢气；
（4.3）在反应容器中加入电加热硅棒；
（4.4）对电加热硅棒进行加热使之升温，三氯化硅精馏在电加热硅棒上沉淀，形成多晶硅，其化学式为 SiHCl3+H2→Si+HCl；
（4.5）将步骤（4.4）中HCl 通入水中，对其进行处理。
6.根据权利要求 3 所述的一种太阳能多晶硅片制备方法，其特征在于： 所述步骤（2.3）中的气态的混合物包括 H2,HCl,SiHCl3,SiC14,Si。
7.根据权利要求 3 所述的一种太阳能多晶硅片制备方法，其特征在于： 所述步骤（2.4）中气态混合物进行分解提纯处理方法，包括以下步骤：
将气态混合物冲入装有水的容器中，并在该容器上连接一个导管， 集气容器进行连接；
气态混合物与水反应并沉淀，其中SiHCl3 和 SiC14 与水发生反应， 其 反 应 化 学式 为 SiHCl3+4H2O → Si(OH)4+H2 ↑ +3HCl 和SiC14+4H2O=H2SiO4+4HCl，H2 不溶于水通过导管进入集气容器中，HCl溶于水中，反应后 Si(OH)4、H2SiO4 和 Si 沉淀，可以通过过滤进行去除回收。
8.根据权利要求 1 所述的一种太阳能多晶硅片制备方法，其特征在于： 所述步骤（4.4）的反应中电加热硅棒的温度在 1080℃~1100℃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910200969.6A CN109867287A (zh) | 2019-03-16 | 2019-03-16 | 一种太阳能多晶硅片制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910200969.6A CN109867287A (zh) | 2019-03-16 | 2019-03-16 | 一种太阳能多晶硅片制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109867287A true CN109867287A (zh) | 2019-06-11 |
Family
ID=66920529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910200969.6A Pending CN109867287A (zh) | 2019-03-16 | 2019-03-16 | 一种太阳能多晶硅片制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109867287A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111634916A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-09-08 | 吴剑荣 | 一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺 |
| CN112410872A (zh) * | 2020-11-18 | 2021-02-26 | 山东金韵能源技术有限公司 | 多晶硅材料及其制备方法 |
| CN115771896A (zh) * | 2022-12-26 | 2023-03-10 | 宁夏润阳硅材料科技有限公司 | 一种多晶硅的生产还原方法及多晶硅 |
-
2019
- 2019-03-16 CN CN201910200969.6A patent/CN109867287A/zh active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111634916A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-09-08 | 吴剑荣 | 一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺 |
| CN111634916B (zh) * | 2020-06-24 | 2022-05-24 | 吴剑荣 | 一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺 |
| CN112410872A (zh) * | 2020-11-18 | 2021-02-26 | 山东金韵能源技术有限公司 | 多晶硅材料及其制备方法 |
| CN115771896A (zh) * | 2022-12-26 | 2023-03-10 | 宁夏润阳硅材料科技有限公司 | 一种多晶硅的生产还原方法及多晶硅 |
| CN115771896B (zh) * | 2022-12-26 | 2024-06-18 | 宁夏润阳硅材料科技有限公司 | 一种多晶硅的生产还原方法及多晶硅 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7972584B2 (en) | Magnesiothermic methods of producing high-purity silicon | |
| US8568683B2 (en) | Method for making silicon for solar cells and other applications | |
| CN109867287A (zh) | 一种太阳能多晶硅片制备方法 | |
| CA2973518C (en) | System and method for purifying and preparing high-purity vanadium pentoxide powder | |
| US20080233036A1 (en) | Production process for high purity silicon | |
| KR20140015255A (ko) | 규소를 정제하기 위한 형석/요오드화 공정 | |
| CN102030329A (zh) | 一种多晶硅生产装置及工艺 | |
| WO2006041272A1 (en) | Method of silane production | |
| CN101928002A (zh) | 一种等离子体还原四氟化硅生产多晶硅的方法 | |
| CN101759187B (zh) | 一种太阳能级多晶硅的制备方法及装置 | |
| CN103466626B (zh) | 一种多晶硅的生产方法 | |
| CN101181997A (zh) | 一种金属硅材料的制备方法 | |
| WO2012079274A1 (zh) | 一种利用磷肥副产物氟硅酸钠生产多晶硅的方法 | |
| CN102161488A (zh) | 一种制备太阳能级多晶硅的方法 | |
| CN104310406A (zh) | 三氯氢硅合成尾气的回收装置及其回收方法 | |
| CN101186299A (zh) | 一种流化床装置生产高纯度硅的新工艺 | |
| CN1830776A (zh) | 一种制备太阳能电池级硅材料的方法 | |
| WO2007013644A1 (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
| CN107857272A (zh) | 一种硅铁或者冶金硅脱磷的方法 | |
| US20140341795A1 (en) | Fluorspar/Iodide Process for Reduction, Purification, and Crystallization of Silicon | |
| JPH1160228A (ja) | 亜鉛還元による高純度シリコンの製造方法 | |
| CN218709227U (zh) | 一种联合生产三氯氢硅的系统 | |
| CN116395702B (zh) | 一种短流程制备高纯四氯化硅和多晶硅的装置及方法 | |
| KR101088901B1 (ko) | 슬래그로부터 회수된 실리카를 이용한 폴리실리콘의 제조방법 | |
| CN102161487A (zh) | 一种用磷肥副产硅胶生产纯硅的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20190611 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |