CN111630584A - 透明显示装置和具备透明显示装置的夹层玻璃 - Google Patents

透明显示装置和具备透明显示装置的夹层玻璃 Download PDF

Info

Publication number
CN111630584A
CN111630584A CN201980009262.5A CN201980009262A CN111630584A CN 111630584 A CN111630584 A CN 111630584A CN 201980009262 A CN201980009262 A CN 201980009262A CN 111630584 A CN111630584 A CN 111630584A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wiring
display device
transparent display
transparent
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201980009262.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111630584B (zh
Inventor
垰幸宏
古贺将英
川上玲美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Publication of CN111630584A publication Critical patent/CN111630584A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111630584B publication Critical patent/CN111630584B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种透明显示装置，具备第1透明基材、与各像素对应地配置于第1透明基材上的发光部(20)和与各发光部(20)连接的配线部(30A)，各发光部(20)包含具有10000μm2以下的面积的至少一个发光二极管，在显示区域中，透射率为20％以下的区域的面积为30％以下。

Description

透明显示装置和具备透明显示装置的夹层玻璃
技术领域
本发明涉及透明显示装置和具备透明显示装置的夹层玻璃。
背景技术
以往，已知利用发光二极管作为显示像素的显示装置。并且，在这样的显示装置中，已知能够透过装置识别背面侧的图像的显示装置。例如，专利文献1中记载了用于显示重叠在背景上的信息的透明设备，其具备可通过堆积在透明的下层上的导电性路径寻址的多个LED光源。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2006－301650号公报
发明内容
然而，专利文献1中记载的透明设备中为了确保适当的显示能力而不得不使配线等构成要素的配置复杂。因此，画面的透明性降低，可能很难识别显示装置的背面侧的图像。
鉴于上述情况，本发明的一个方式中，课题在于使具备发光二极管的透明显示装置在确保适当的显示能力的同时提高透明性。
为了解决上述课题，本发明的一个方式是一种透明显示装置，其具备第1透明基材、与各像素对应地配置于上述第1透明基材上的发光部和连接于各上述发光部的配线部，各上述发光部包含具有10000μm2以下的面积的至少一个发光二极管，在显示区域中，透射率为20％以下的区域的面积为30％以下。
根据本发明的一个方式，能够使具备发光二极管的透明显示装置在确保适当的显示能力的同时提高透明性。
附图说明
图1是用于对第1实施方式的透明显示装置的基本构成进行说明的示意性截面图。
图2是第1实施方式的透明显示装置的示意性俯视图。
图3是用于对第1实施方式的透明显示装置的变形例进行说明的示意图。
图4是用于对第1实施方式的透明显示装置的变形例进行说明的示意图。
图5是用于对第1实施方式的透明显示装置的变形例进行说明的示意图。
图6是用于对第1实施方式的透明显示装置的变形例进行说明的示意图。
图7是用于对第1实施方式的透明显示装置的变形例进行说明的示意图。
图8是用于对第1实施方式的透明显示装置的变形例进行说明的示意图。
图9是用于对第1实施方式的透明显示装置的变形例进行说明的示意图。
图10是用于对第2实施方式的透明显示装置的基本构成进行说明的示意性截面图。
图11A是用于对第2实施方式的透明显示装置的构成进行说明的示意性截面图。
图11B是用于对第2实施方式的透明显示装置的构成进行说明的示意性截面图。
图11C是用于对第2实施方式的透明显示装置的构成进行说明的示意性截面图。
图12是用于对第3实施方式(夹层玻璃)的基本构成进行说明的示意性截面图。
图13是表示第3实施方式(夹层玻璃)的应用例的图。
图14是表示例1～8中使用的光掩模图案的图。
图15是用于对实施例的双重图像试验中使用的装置进行说明的图。
图16是表示例9～14中使用的一种图像模式的图。
图17是表示例15～18中使用的一种图像模式的图。
图18是表示例19和例20中使用的一种图像模式的图。
图19是表示例21和例22中使用的一种图像模式的图。
图20是表示例15～18的衍射光图像的模拟图像的图。
图21是对光量的评价中的0阶光和十阶光进行说明的图。
图22是表示例15～18的衍射光图像的滤波处理后的模拟图像的图。
具体实施方式
以下，对用于实施本发明的方式进行说明。各附图中，对相同的或者对应的构成标以相同的或者对应的附图标记而有时省略说明。另外，本发明不限定于下述的实施方式。
本发明的一个方式是一种透明显示装置，其具备：第1透明基材、与各像素对应地配置于第1透明基材上的发光部和连接于各发光部的配线部，发光部包含具有10000μm2以下的面积的至少一个发光二极管，显示区域中透射率为20％以下的区域的面积为30％以下。
本说明书中，“透明显示装置”是在所希望的使用环境下能够识别位于显示装置的背面侧(与观察者相反的一侧)的人物、背景等视觉信息的显示装置。应予说明，能够识别是指至少在显示装置为非显示状态即未通电的状态下可判定。
另外，本说明书中，“透明”(或具有透光性)是指可见光线的透射率为40％以上，优选为60％以上，更优选为70％以上。另外，可以指透射率为5％以上且雾度(雾度值)为10以下。如果透射率为5％以上，则从室内看白天的室外时，能够以与室内相同的程度或更高的亮度看室外，因此能够确保充分的识别性。另外，如果透射率为40％以上，则即便观察者侧和透明显示装置的另一侧(背面侧)的亮度为同等程度，实质上也能够无问题地识别透明显示装置的另一侧。另外，如果雾度为10以下，则能够确保背景的对比度为10，因此能够实质上没有问题地识别透明显示装置的另一侧。“透明”不管是否赋予了颜色，换句话说，可以是无色透明，也可以是有色透明。应予说明，透射率是指利用按照ISO9050的方法测定的值(％)。雾度(Haze)是利用按照ISO14782的方法测定的值。
另外，本说明书中，“显示区域”是透明显示装置中显示图像(包括文字)的区域，是指亮度可根据发光部变化的最大范围。
＜第1实施方式＞
图1中示出用于对本发明的第1实施方式的透明显示装置1A的基本结构进行说明的截面的示意图。如图所示，透明显示装置1A可以具有透明基材10、配置于透明基材10的主面上的发光部20(后述的发光二极管21)和同样配置于透明基材10的主面上的配线部30A。
图2中示出第1实施方式的透明显示装置1A的示意性局部俯视图。图2中例示在图的行方向和列方向(分别为附图的x方向和y方向)各配置有2个像素合计4个像素的区域。如图2所示，发光部20在显示区域内在行方向和列方向(分别为附图的x方向和y方向)即以矩阵状(格子状)进行配置。但是，发光部20的配置形式不限于矩阵状，也可以是千鸟格状(偏移(offset)状)等相同颜色的发光部在特定的方向隔开恒定间隔地配置的其它配置形式。
多个发光部20各自与透明显示装置1A的各个像素(也称为pixel、显示像素)对应地设置。即，各发光部20与显示装置1A的各像素对应，一个发光部20构成一个像素。
各发光部20包含至少一个发光二极管(LED)。因而，本方式中，至少1个LED构成透明显示装置1A的各像素。这样，本方式的透明显示装置1A是使用LED作为像素的显示装置，被称为所谓的LED显示器(LED显示装置)。
各发光部20可以包含2个以上的LED。例如，可以包含具有波长相互不同的3个LED。更具体而言，如图示的方式那样，各发光部20可以包含红色系LED21R、绿色系LED21G和蓝色系LED21B(以下，有时总称为LED21)。而且，各LED与构成一个像素的各子像素(sub-pixel)对应。这样，通过各发光部20具有分别能够发出光的三种原色(R，G，B)的LED，3种颜色的LED为1组而能够构成一个像素，由此，能够显示全彩色的图像。另外，各发光部20可以包含2个以上的同色系的LED。由此，能够增大映像的动态范围。
本方式中使用的LED是微小尺寸的被称为所谓的微型LED的部件。具体而言，将LED配置在透明基材10上时的LED的宽度，即行方向(x方向)的长度可以为100μm以下，优选为50μm以下，更优选为20μm以下。另外，配置在透明基材10上时的LED的长度，即列方向(y方向)的长度可以为100μm以下，优选为50μm以下，更优选为20μm以下。LED的宽度和长度的下限没有特别限定，从制造上的各条件等考虑，特别是为了减少边缘效应，分别优选为3μm以上。
另外，在透明基材10上1个LED所占的面积可以为10000μm2以下。该面积优选为1000μm2以下，更优选为100μm2以下。应予说明，透明基材10上的1个LED所占的面积的下限，从制造上的各条件等考虑可以为10μm2以上。应予说明，本说明书中，对于LED、配线等构成部件所占的面积，在一个像素区域中配线部所占的面积可以为俯视时的面积。
通常，视力1.5的人在距离1m的图像中能够识别的粗度的极限是50μm，可以说如果为15μm以下，则很难直接识别。因而，通过使用上述那样的微小尺寸的LED，即便观察者比较接近地，例如在几十cm～2m左右的距离观察显示装置的情况下，也不能识别LED，或者即便能识别，其存在也不显眼，所以可以提高显示装置的背面侧的图像的识别性。
另外，使用具有挠性的材料作为透明基材10时，即使得到的显示装置弯曲，也因为使用上述那样的微小尺寸的LED而LED不会损伤，能够作为像素适当发挥功能。因此，将本方式的显示装置安装在具有曲面的板状体，例如在相互正交的2方向弯曲的板状体进行使用时，或者封入这样的2个板状体之间使用时，显示装置也不易损伤。
LED本身的透明性低，例如其透射率为10％以下左右。其理由是因为在LED的上面或下面形成电极、用于从单侧高效地提取光的镜面结构。因此，通过使用微小尺寸的LED，能够减少LED妨碍光的透过的区域，能够减少显示区域中透射率低的区域(例如，透射率为20％以下的区域)。另外，通过使用微小尺寸的LED，像素中透射率高的区域增加，因此显示装置的透明性提高，能够提高背面侧的图像的识别性。另外，能够在确保显示装置的高透明性的同时增大配线等发光部以外的要素的构成的自由度。
使用的LED的类型不受限定，但可以为芯片型。LED可以是未被封装的状态，也可以是整体被封入封装内或者至少一部分被树脂覆盖。覆盖的树脂可以是通过具备透镜功能而提高光的利用率、向外部的提取效率那样的树脂。另外，这时，可以是1个LED被封入在1个封装内的类型，也可以是发出波长相互不同的光的3个LED被封入1个封装内的(3合1芯片)、以相同的波长发光但因荧光体等提取不同种类的光的类型等。应予说明，封装LED时，上述的1个LED所占的面积和LED的尺寸(x方向尺寸和y方向尺寸)分别是指封装后的状态下的面积和尺寸。3个LED被封入1个封装内时，各LED的面积可以为封装整体的面积的3分之1以下。
另外，LED的形状没有特别限定，可以为长方形、正方形、六边形、锥结构、柱形等。
LED可以安装通过液相生长法、HDVPE法、MOCVD法等生长并切断而得到的部件。另外，LED也可以通过微转移印刷等从半导体芯片剥离，转印到基材上。
LED的材料没有特别限定，优选为无机材料。例如，作为发光层的材料，为红色系LED时，优选AlGaAs、GaAsP、GaP等，为绿色系LED时，优选InGaN、GaN、AlGaN、GaP、AlGaInP、ZnSe等，为蓝色系LED时，优选InGaN、GaN、AlGaN、ZnSe等。
LED的发光效率(能量转换效率)优选为1％以上，更优选为5％以上，进一步优选为15％以上。通过使用发光效率为1％以上的LED，如上述那样即便LED的尺寸微小也能够得到足够的亮度，可以在白天作为显示部件利用。另外，如果LED的发光效率为15％以上，则能够减少发热量等，容易封入到使用树脂粘接层的夹层玻璃内部。
如图2所示，各发光部20隔开规定间隔地设置。发光部20间的间距相当于像素的间距。图2中，用ppx表示x方向的像素间距，用ppy表示y方向的像素间距。本说明书中称为像素间距时，是指x方向的像素间距ppx和y方向的像素间距ppy中的至少一方。
ppx可以为100～3000μm，优选为180～1000μm，更优选为250～400μm。ppy可以为100～3000μm，优选为180～1000μm，更优选为250～400μm。另外，一个像素区域P的面积可以用ppx×ppy表示。一个像素的面积可以为1×104μm2～9×106μm2，优选为3×104～1×106μm2，更优选为6×104～2×106μm2。
通过使像素间距为上述范围，能够在确保充分的显示能力的同时，实现高的透光性。另外，能够减少或者防止由来自透明显示装置的背面侧的光产生的衍射现象。
另外，本方式的显示装置的显示区域的像素密度可以为10ppi以上，可以优选为30ppi以上，更优选为60ppi以上。
上述像素间距可以与各发光部20中包含的同色的LED的间距相当。例如，x方向的像素间距ppx可以与红色系LED21R的x方向上的间距相当，y方向的像素间距ppy可以与红色系LED21R的y方向上的间距相当。
一个像素的面积可以根据画面或者显示区域的尺寸、用途、可视距离等适当地选择。通过使一个像素的面积为1×104μm2～9×106μm2，能够在确保适当的显示能力的同时提高显示装置的透明性。
各LED的面积相对于一个像素的面积可以为30％以下，优选为10％以下，更优选为5％以下，进一步优选为1％以下。通过使1个LED的面积相对于一个像素的面积为30％以下，能够提高透明性和显示装置的背面侧的图像的识别性。
另外，在显示区域中LED所占的面积的合计可以为30％以下，优选为10％以下，更优选为5％以下，进一步优选为1％以下。
图2中，对于各像素，红色系LED21R、绿色系LED21G、蓝色系LED21B在x方向排成一列进行配置，但3个LED的配置不限于图示的情况。例如，可以改变3个LED的配置顺序，按照绿色系LED21G、蓝色系LED21B、红色系LED21R的顺序进行配置等。另外，可以改变3个LED的配置方向，沿y方向排列。或者，不是将3个LED21R、21G、21B配置成一列，而是将各LED配置成位于三角形的顶点。
另外，各发光部20具备多个LED时，各像素的(各发光部20的)LED彼此的间隔优选为100μm以下，更优选为10μm以下。另外，各发光部20中，多个LED可以彼此相互接触地配置。由此，能够容易地使电源配线共用化，提高开口率。
应予说明，各发光部20包含多个LED时，各像素中的多个LED的配置顺序、配置方向等彼此可以相同也可以不同。另外，各发光部20包含发出波长不同的光的3个LED时，在一部分的发光部20中，LED在x方向或者y方向并列配置，在另一部分的发光部20中，各色的LED可以配置为分别位于三角形的顶点。
如图2所示，显示装置1A中在透明基材10的主面上设有配线部30A。配线部30A可以由多个线状体的配线构成。图示的例子中，配线部30A包含在y方向延伸的数据线(数据信号线)31a、电源线31b和接地线31c(分别简称为配线31)。这些各配线与各发光部20连接，各发光部20可以分别独立地控制。显示装置1A具备后述的IC芯片50时，各配线与发光部20和IC芯片50中的至少一方连接即可。与配线31的发光部20和IC芯片50中的至少一方连接时，如图所示，配线31可以在发光部20或者IC芯片50的附近分支。如图示的例子那样，分支的配线可以在x方向延伸。
作为配线部30A的线的材料，可举出铜、铝、银、金等金属、碳纳米管等。这些材料中，从低电阻率考虑，优选铜。另外，配线部30A的线的表面可以为黑色、褐色等暗色。配线30A的线的暗色化可以被覆表面，例如，可以用钛、钼、铬、钨、氧化铜、氧化钼、氮化钛、碳等被覆。为了抑制反射、能够吸收杂散光，优选此时被覆配线部30A的表面的材料的折射率与透明基材等接近的其他透明的部件的折射率相近。例如，暗色材料的折射率的实部优选为3.0以下，更优选为2.0以下，进一步优选为1.3～1.7。
另外，可以在配线部30A的线的材料的表面形成暗色化合物，例如，可以通过氧化处理、氢氧化处理、氯化处理、硫化处理等形成氧化铜、氢氧化铝、氯化银、硫化银、氧化铜(II)、硫化铜(II)等而进行暗色化。
另外，优选对暗色化的表面进行消光(亚光)处理。亚光处理的Ra优选为0.05μm～5μm，进一步优选为0.1μm～2μm。
通过使配线30A的表面为暗色，抑制反射光的衍射光的产生。由此，具有改善图像的对比度、提高背景识别性的效果。另外，能够实现与不透明的显示装置相比透明显示装置1A中很难应对的来自光源的光的衍射光、来自透明基材的反射光、在透明基材内部传播的光等的减少，提高透明性和抗杂散光性能。
配线部30A中含有的各配线的宽度均优选为100μm以下，更优选为50μ以下，进一步优选为15μm以下。如上述那样，视力1.5的人在距离1m的图像中能够识别粗度的极限为50μm，如果为15μm以下，则可以说难以直接识别。因而，通过使线的宽度为100μm以下，优选为50μm以下，即便观察者比较接近地例如在几十cm～2m左右的距离观察显示装置时，也不能识别配线部，或者即便识别也不显眼。因此，可以提高显示装置的背面侧的图像的识别性。
从外部照射光时，透明显示装置1A发生漫反射，根据情况可产生衍射等，因此有时显示装置1A的另一侧的图像的识别性降低。特别是如图示的例子那样，配线主要在x方向和y方向延伸时，有容易出现在x方向和y方向延伸的十字型的衍射图像(称为十字衍射图像)的趋势。与此相对，通过减小各配线的宽度，能够减少或者防止由来自透明显示装置的背面侧的光可产生的衍射现象，由此，能够进一步提高背面侧的图像的识别性。从减少衍射的观点考虑，可以使各配线的宽度优选为50μm以下，更优选为10μm以下，进一步优选为5μm以下。应予说明，来自上述的透明显示装置的背面侧的光是从与透明显示装置中包含的发光部不同的光源发出的光。
另外，配线部30A中包含的配线的宽度优选为0.5μm以上。通过使线的宽度为0.5μm以上，能够防止配线电阻过度上升，由此，能够防止电源的电压下降、信号强度的降低。
构成配线部30A的线的电阻率优选1.0×10－6Ωm以下，更优选2.0×10－8Ωm以下。另外，构成配线部30A的线的热传导率优选为150～250W/(m·K)，更优选为350～450W/(m·K)。
配线部30A中，相邻的配线彼此的间隔(包括具有不同功能的配线彼此的间隔)可以为5～3000μm，可以优选为10～2000μm，更优选为100～1000μm。另外，在x方向和y方向中的至少一方，可以使相邻的配线彼此的间隔为5～3000μm，可以优选为10～2000μm，更优选为100～1000μm。具有相同功能的配线彼此的间隔(例如电源线彼此的间隔)可以优选为150～3000μm，更优选为300～1000μm。
如果线密集，或者如果存在线密集的区域，则有时妨碍识别背面侧的图像。因此，通过使相邻的线彼此的间隔为5μm以上，能够减少这样的识别妨碍。但是，配线的宽度小到5μm以下时，另外，只要可以确保显示装置的透明性，则配线间可以被黑矩阵等遮光以成为光的波长以下的尺寸。另外，通过使相邻的线彼此的间隔为3000μm以下，能够构成用于确保充分的显示能力的配线。
另外，通过使配线部30A的线彼此的间隔在x方向和y方向中的至少一方为100μm以上，能够防止因漫反射、衍射等所致的识别性的降低。
应予说明，上述的相邻的配线彼此的间隔在配线弯曲或者配线彼此不平行配置等配线彼此的间隔不是恒定的情况下，可以为相邻的配线彼此的间隔的最大值。这时，作为配线，优选着眼于跨越多个像素延伸的配线。
图示的方式中，配线部30A成为包括主视(俯视)中以几乎等间隔主要沿y方向延伸的配线的构成，配线部30A的构成不限于图示。例如，也可以将配线部30A中电源线31b设为沿x方向和y方向的各方向跨越多个像素延伸的网状的配线。由此，电源线低电阻化，能够实现可制作的面积的大面积化。另外，构成网的大致平行的配线的根数为3根以上时，能够兼得低电阻化和透射率的提高，因而优选。
另外，图示的方式中，跨越多个像素延伸的数据线31a仅沿y方向进行配置，但也可以将跨越多个像素延伸的数据线配置在x方向和y方向的各方向。这样的构成从面板的大面积化的观点考虑是优选的。
并且，配线30A中，数据线31a、电源线31b以及接地线31c中的至少2个可以在厚度方向重叠地配置。例如，如图3中以示意性截面图所示，可以在数据线31a之下层叠电源线31b和接地线31c。这时，将一部分配线埋入透明基材10内或者在配线之间夹入绝缘层15，以使数据线31a、电源线31b以及接地线31c不相互接触。
在一个像素区域中配线部所占的面积相对于一个像素的面积可以为30％以下，优选为10％以下，更优选为5％以下，进一步优选为3％以下。另外，在整个显示区域中配线部所占的面积相对于显示区域的面积也可以为30％以下，优选为10％以下，更优选为5％以下，进一步优选为3％以下。
作为线状体的集合体的配线部30A的透光性较低，其透射率例如可以为20％以下或10％以下。因此，通过使在一个像素区域中配线部所占的面积为30％以下，另外，通过使在显示区域中配线部所占的面积为30％以下，能够减少配线部30A妨碍光透过的区域，能够减少在显示区域中透射率低的区域(例如，透射率为20％以下的区域)。另外，通过使在显示区域中配线部30A所占的面积为20％以下，透射率高的区域增加，因此显示装置的透明性提高，能够提高背面侧的图像的识别性。
并且，各像素中(一个像素区域中)发光部20和配线部30A所占的面积相对于一个像素的面积优选为30％以下，更优选为20％以下，进一步优选为10％以下。另外，发光部20和配线部30A所占的面积相对于显示区域的面积优选为30％以下，更优选为20％以下，进一步优选为10％以下。
透明基材10只要具有绝缘性且为透明，就没有特别限定，优选含有树脂，优选主要由树脂构成。作为透明基材中使用的树脂，可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯系树脂，环烯烃聚合物(COP)，环烯烃共聚物(COC)等烯烃系树脂，纤维素、乙酰纤维素、三乙酰纤维素(TAC)等纤维素系树脂，聚酰亚胺(PI)等酰亚胺系树脂等。另外，作为透明基材10，也可以使用薄玻璃，例如200μm以下、优选为100μm以下的玻璃等。
上述的透明基材所使用的材料中，从提高耐热性的观点考虑，优选聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)。另外，从双折射率低、能够减少透过透明基材看到的图像的形变、渗色方面考虑，优选环烯烃聚合物(COP)、环烯烃共聚物(COC)等。
上述材料可以单独使用，或者组合2种以上使用，即以不同材料混合的形态或者层叠由不同材料构成的平面状的基材使用。透明基材10整体的厚度优选为3μm～1000μm，更优选为5μm～200μm。透明基材10的可见光的内部透射率优选为50％以上，更优选为70％以上，进一步优选为90％以上。
另外，透明基材10优选具有挠性。由此，例如将透明显示装置1A安装于弯曲的板状体或者被弯曲的2个板状体夹着使用的情况下，透明显示装置1A能够容易地追随板状体的弯曲。另外，更优选加热到100℃以上时显示收缩行为的原材料。
如图2所示，透明显示装置1A可以进一步具备与发光部20连接的驱动用的IC芯片50。图4中示意性示出具备驱动用IC芯片50的方式的基本构成。如图2所示，各IC芯片50与各像素对应地，即对应于像素(对应于发光部20)地配置而驱动各像素。另外，各IC芯片50也可以与多个像素对应地即对应于多个像素地配置而驱动多个像素。对应于多个像素配置IC芯片的方式的示意性俯视图示于图5。图5的例子中，一个IC芯片以驱动4个像素的发光部的方式构成。
应予说明，IC芯片50可以配置在透明基材10上，但也可以在透明基材10上配置铜、银制的焊盘，在其上配置IC芯片。另外，上述的LED21也同样也可以配置在焊盘上。另外，焊盘所占的面积可以为300～2000μm2左右。
作为IC芯片50，可以使用具备模拟部分和逻辑部分的混合IC等。另外，IC芯片的面积可以为100000μm2以下，优选为10000μm2以下，更优选为5000μm2以下。IC芯片的模拟部分除了控制电流量的电路以外，还可以包含升压电路等。IC芯片本身的透明性低，例如其透射率为20％以下左右，因此通过使用上述尺寸的IC芯片，能够减少IC芯片妨碍光透过的区域，能够有助于减少显示区域中透射率低的区域(例如，透射率为20％以下的区域)。另外，通过使用面积为20000μm2以下的IC芯片50，透射率高的区域增加，因此显示装置的透明性提高，能够提高背面侧的图像的识别性。
另外，如上述那样，相对于多个像素配置一个IC芯片的构成(图5)中，在显示区域中配置的IC芯片的个数少，IC芯片所占的面积的合计变小，因此能够进一步提高显示装置的透过性。
应予说明，本方式中，也可以使用LED和IC芯片被封装在一起的带IC芯片的LED。另外，可以将IC芯片替换为在包含薄膜晶体管(TFT)的电路。
透明显示装置1A具备IC芯片50时，各像素中(一个像素区域中)发光部20、配线部30A和IC芯片50所占的面积相对于一个像素的面积优选为30％以下，更优选为20％以下，进一步优选为10％以下。另外，发光部20、配线部30A和IC芯片50所占的面积相对于整个显示区域的面积优选为30％以下，更优选为20％以下，进一步优选为10％以下。
进而在本方式中，可以使透射率低的区域不均匀地分布在一个像素区域中。例如，在一个像素区域中，使配线部的配线彼此接近，另外，也可以使发光部和IC芯片与配线接近。由此，能够形成在x方向和y方向具有恒定的拓宽的高透射率的区域。例如，可以形成为在一个像素区域内不包含低透射率区域，例如透射率20％以下的区域。通过使低透射率的区域不均匀地分布在一个像素区域中，能够进一步抑制来自背面侧的光的衍射。
本方式中，通过上述的构成，能够将各像素中的透射率低的区域、例如透射率20％以下的区域抑制为30％以下，优选为20％以下，更优选为10％以下。另外，能够将整个显示区域中的透射率20％以下的区域抑制为30％以下，优选为20％以下，更优选为10％以下。由此，在各像素中能够容易地得到70％以上的可见光透射率，能够容易地得到优选为80％以上、更优选为90％以上的透射率。而且，在整个显示区域中，能够得到70％以上的可见光透射率，能够容易地得到优选为80％以上、更优选为90％以上的透射率。
图6～图8中示出本方式的另一例。图6和图7所示的例子，具有与图2所示的透明显示装置1A相同的构成，但在配置成配线部30A的配线(数据线31a、电源线31b以及接地线31c)以俯视时其切线方向发生变化这点上不同。本说明书中，配线的切线方向可以为相对于配线的在延伸方向延伸的中心线的切线方向。如图6～图7所示，配线可以配置成屈曲部或弯曲部或者具有这两方。另外，配线可以为俯视时在规定方向重复凹凸的波形。
图6的例子中，数据线31a和电源线31b具有多个屈曲部，为在x方向重复凹凸的形状，在y方向延伸。换言之，两配线配置成之字状(三角波状)。图示的例子中，上述配线具有以规定的波长λ重复具有规定的振幅A的x方向的凹凸的配置。应予说明，本说明书中，波长λ表示一个波形的长度(单位μm等)，有时也称为周期、周期长度、间距等。
另一方面，图7的例子中，数据线31a和电源线31b包含曲线状的部分，接地线31c也包含平缓的曲线状的部分。换言之，这些配线成为曲线波状，更具体而言为正弦波状。图7的例子中，配线如图6的例子那样没有角，配置成俯视时包含可微分的曲线状的部分。即，配置成配线的切线方向连续地变化。这样的曲线的形状例如可以为正弦曲线等。图7的例子中，配线具有以规定的波长λ重复具有规定的振幅A的x方向的凹凸的配置。
这样，通过配线成为之字状或者曲线波状(图6～图8)，能够有效地抑制来自位于背面侧的光源的光在显示装置中衍射。认为这是因为能够缩短或者能够消除配线的直线状的部分，所以避免衍射现象在规定的一个方向连续产生，衍射现象的产生位置被分散。
配线在俯视中为波形时，除了图6和图7中示出的形状以外，还可以为正弦波以外的曲线波状或者矩形波、锯齿状波等形状。
应予说明，曲线状的配线与直线状的配线相比，存在人眼模糊、很难识别的趋势。因此，配线的直线部分越少，曲线部分越多，越能够在感官上提高透明性。因此，具有配置成如图7所示的曲线波状的配线的构成中，能够在抑制衍射的同时提高透明性，作为结果，能够有效地提高背面侧的图像的识别性。
并且，通过配线部配置成屈曲部或弯曲部或者具有这两方，与切线方向不变化的直线状的配线相比，也能够减少显示区域的雾度。认为这是因为尽管配线本身的长度变长，衍射光的角度也变小，另外，衍射光强度也变小。显示区域的雾度值例如可以为10％以下，优选为3％以下，更优选为1.0％以下。
应予说明，配线在俯视中为波形时，振幅A可以为1～500μm，优选为2.5～180μm，进一步优选为5～60μm。另外，波长λ可以为1000μm以下，优选为50～600μm，进一步优选为100～400μm。通过使振幅A和波长λ为上述范围，能够抑制来自背面侧的光的衍射现象，减少雾度，另外，能够防止配线过长而配线的电阻上升。
并且，振幅A与波长λ的比值(A/λ)可以为0.005～0.5，优选为0.05～0.3，更优选为0.05～0.15。通过使振幅A与波长λ的比值为0.005以上，能够有效地抑制光的衍射现象，另外，通过设为1以下，能够防止配线过长。
图6和图7的例子中，配线的振幅A和波长λ为恒定，但在一根配线内振幅A和波长λ中的至少一方可以变动。应予说明，振幅A和波长λ中的至少一方变动时，规定的配线中的振幅A或者波长λ可以为在一个像素内的该规定的配线的振幅A或波长λ的平均值。
在相同方向延伸的相邻的配线彼此，振幅A、波长λ以及相位中的至少一个可以相同，振幅A、波长λ以及相位可以全部不同。例如，图7中，数据线31a和电源线31b是不包括用于与发光部20和IC芯片50连接的分支部分，在相同的y方向延伸的彼此相邻的配线。而且，彼此振幅A和波长λ几乎相同，但凹凸(波形)的相位不同。
这里，在相同方向延伸的相邻的配线彼此，通过使配线的振幅A和波长λ中的至少一方不同，特别是使波长λ不同，能够进一步提高抑制来自背面侧的光的衍射现象和减少雾度的效果。另外，在相同方向延伸的相邻的配线彼此，通过彼此相位差异，也可得到抑制串扰的效果。
另外，在一个像素中，通过像素内的一个配线具有至少一个屈曲部或者弯曲部，能够得到上述的抑制衍射和减少雾度值的效果。但是，一个像素中的至少一个配线具有的屈曲部和弯曲部的个数(合计数)不包括用于与发光部20、IC芯片50连接的分支部分，优选为3个以上，更优选为10个以上，进一步优选为30个以上。
图8的例子虽然具有与图5所示的透明显示装置1A相同的构成，但配线部30A中电源线31b配置成曲线波状，数据线31a和接地线31c以具有角的方式屈曲地配置。另外，连接发光部20与IC芯片50的配线32也在2处以上屈曲地配置。与图6和图7所示的例子相同，图8的例子中，也因为缩短配线部30A的直线状的部分(沿一个方向以直线状延伸的部分)，所以得到更高的抑制来自背面侧的光的衍射现象和雾度减少的效果。
像以上的例子那样，配线部30A具有以俯视时切线方向变化的方式配置的配线时，配线的直线部分的长度优选为500μm以下，更优选为100μm以下。通过使配线的直线部分的长度为300μm以下，人眼观看时，配线变得模糊，很难识别。因此，感官上能够提高透明性。另外，如果考虑制造条件等，配线的直线部分的长度优选为2μm以上。另外，优选配线没有直线部分，即，配线整体上为曲线状。
另外，通过配线以其切线方向变化的方式进行配置，将本方式的显示装置1A安装在具有曲面的板状体，例如在相互正交的2个方向弯曲的板状体(玻璃板等)而使用时，或者封入2个这样的板状体之间而使用时，能够减少施加于配线的应力，因此能够防止配线的损伤。
进而，配线31可以俯视时直线地配置或者以切线方向变化的方式进行配置，在配线31中的至少一个侧边缘的整体或者一部分具备配线主体311和沿配线主体形成的侧边缘部。图18(a)中，具备具有与配线主体311的透射率相比更高的透射率的高透射率边缘部312。另外，高透射率边缘部可以成为透射率随着朝向外侧而逐渐或者阶段性地增大的透射率变化部。高透射率边缘部的透射率随着朝向外侧而阶段性地增大时，优选在高透射率边缘部内设置透射率不同的2～5个区域。例如，配线31以透射率0％形成时，高透射率边缘部可以构成为具有透射率50％的区域和透射率75％的区域。高透射率边缘部的宽度可以为0.1～5μm左右，可以为配线主体的宽度的5～30％左右。
这样，通过配线31在至少一个侧边缘部的整体或者一部分具有高透射率边缘部，光的衍射角度改变。因此，能够减少来自光源的光的衍射光，来自透明基材的反射光、在透明基材内部传播的光等，能够提高透明性和抗杂散光性能，能够得到减少衍射现象的透明显示装置。
上述的高透射率边缘部可以通过在配线31的侧边缘包边由高透射率材料构成的边缘部的方式进行配置而形成。另外，也可以在配线31下重叠比配线宽度更宽的高透射率材料或者将配线31用透射率较高的被覆材被覆而形成。另外，形成配线31时，可以在整体或者一部分减小侧边缘的厚度而制成高透射率边缘部，也可以以均匀的材料和厚度形成配线31后，在要成为高透射率边缘部的部分设置微小的孔。另外，可以将高透射率边缘部的边缘部进行暗色化处理，也可以使暗色随着向外侧而变浅。另外，上述的高透射率边缘部的构成可以包含配线主体311的一部分而阶段性地形成。
另外，无论配线31俯视时直线地配置或者以切线方向变化的方式配置，都可以在配线31中的至少一个侧边缘部的整体或者一部分具有凹凸。配线的从侧边缘部突出的凸部的大小根据配线的宽度等的构成而不同，但凸部可以以俯视时配线宽度的5～30％左右的宽度突出。另外，凸部的俯视形状的顶点可以是尖锐的，也可以是圆形的，或者可以是平坦的。即，凸部的俯视形状没有特别限定，可以为三角形、四角形等多角形、圆形、以及椭圆形中的1种以上或者其一部分。例如，可以在配线的边缘部设置大致半圆形的凸部。这时，通过设置2个以上的具有不同半径的大致半圆形的凸部，可以不规则地形成凹凸。
这样的凹凸是微小的，可以通过将配线的周围或者俯视时的边缘部利用蚀刻处理等进行粗化而形成。或者，可以通过在配线的周围或者俯视时的边缘部附着微粒等而形成。
这样，通过设置配线的侧边缘部的微小的凹凸，即便配线的占有面积和透射率相同，也能够减少衍射现象。因此，能够在确保显示装置整体的透射率的同时，减少衍射现象。凹凸可以规则地，例如以侧边缘的轮廓线为波形的方式进行设置，但不规则设置的情况能够进一步减少衍射现象。
以上说明的配线30A的各构成可以组合使用。例如，在上述的高透射率边缘部设置凹凸，也可以在配线31的侧边缘交替设置高透射率边缘部和凹凸。另外，高透射率边缘部和/或凹凸可以设置于配线以外的构成要素，例如载置LED、IC芯片的焊盘的边缘部。
并且，为了减少衍射光，配线30A优选在一个像素内以在一个方向大致平行延伸的配线的根数与在与该一个方向正交的方向大致平行地延伸的配线的根数接近1：1的方式配置配线。这里，与一个方向大致平行地延伸不是与一个方向完全平行地延伸，而是可以包含相对于一个方向在±10°的范围内，优选为±5°的范围内延伸的状态。
例如，本方式中，可以在像素内以在行方向(x方向)延伸的配线的数量(Nx)与在列方向(y方向)延伸的配线的数量(Ny)的比值(Nx/Ny)接近1：1的方式配置配线。而且，在行方向(x方向)延伸的配线的数量(Nx)与在列方向(y方向)延伸的配线的数(Ny)的比值(Nx/Ny)优选为0.25～4，更优选为0.33～3，进一步优选为0.5～2，更进一步优选为1。应予说明，像素内的配线的配置因位置而不同时，上述的比值可以为平均值。由这样的像素内的配线的根数比的调整得到的衍射光减少作用在配线以波形配置的情况下特别高。
透明显示装置1A具有在透明基材10上配置发光部20和配线部30A等构成要素的构成，但透明显示装置1A也可以为将发光部20和配线部30A等构成要素用2个透明基材夹着的构成。即，如图9示意性所示，可以为在第1透明基材10上配置发光部20和配线部30A，并在其上进一步配置第2透明基材12的构成。换句话说，透明显示装置1A可以为在第1透明基材10与第2透明基材12之间夹着至少发光部20的构成。由此，可以将LED、IC芯片以及配线之类的各构成要素封入2个透明基材10、12间进行保护。
第2透明基材12的材质和厚度等与第1透明基材10的上述情况相同。另外，第1透明基材10和第2透明基材12在材质、厚度等方面可以相同，也可以不同。
透明显示装置1A的显示区域的面积可以为1×104～2×106mm2，可以为3×104～1×106mm2。另外，相对于透明显示装置1A的正面的面积，可以1～90％为显示区域，也可以5％～75％为显示区域。另外，显示区域的形状可以为长方形、四方形、与显示装置1A的外形大致相似的形状、与显示装置1A的外形的相似形状相比横向较纵向更长的形状。而且，本方式可以适用于可视距离(从观察者到显示画面为止的距离)比较短的用途，例如可视距离为0.2～3.0m的用途。这样即便在可视距离比较短的用途中，通过使用微小尺寸的LED，并且透射率低的区域在规定的比例，也能够提高透明性，另外，能够提高越过显示装置看到的图像的识别性。
应予说明，图示的方式中，配线部30A配置在透明基材10上，但配线部30可以埋入透明基材10内或者埋入其一部分。另外，图示的方式中，配线部30A二维规则地即以各像素具有相同构成的方式进行配置，也可以不规则地配置。例如，可以部分地改变线的宽度、间隔、配置顺序、材料等，使各像素的配线部30A的构成不同。
第1实施方式的透明显示装置1A可以通过准备透明基材10，在透明基材10上形成配线部30A，配置发光部20而制造。制造具备IC芯片50的透明显示装置1A的情况下，在配置发光部20(LED21)的工序中，也可以同时配置IC芯片50。配线部30A的形成、发光部20的配置、IC芯片50的配置可以利用公知的安装技术进行。例如，可以利用使用焊锡球的方法、转移印刷等。
＜第2实施方式＞
图10中示出用于对本发明的第2实施方式的透明显示装置1B的基本结构进行说明的图。图10是透明显示装置1B的示意性截面图。如图10所示，透明显示装置1B可以具有透明基材10、配置在透明基材10的主面上的发光部20和同样配置在透明基材10的主面上的配线部30B。
第2实施方式的基本构成可以与第1实施方式相同。但是，在配线部的至少一部分使用由带状的透明导电膜35构成的配线部30B这点上与第1实施方式不同。第2实施方式中，通过在配线部30B包含透明导电膜35，能够提高显示区域的透明性。
透明导电膜35本身透明性高，所以不显眼。但是，透明导电膜35的边缘部与其中央部相比更容易被识别，所以透明导电膜35的宽度窄或者透明导电膜35并列配置的情况下，透明导电膜35的边缘部彼此接近，则容易识别边缘部而可能妨碍透明性。
另外，从外部照射光的情况下，在透明导电膜35的边缘部发生漫反射，根据情况而可能产生衍射等，显示装置的另一侧的图像的识别性可能降低。进而，透明导电膜35的边缘部彼此过于接近时，可能发生迁移。因此，优选透明导电膜35的两边缘和多个邻接的透明导电膜35的边缘部彼此不接近。
透明导电膜35的宽度优选在主视图中为100μm～60000μm，更优选为300～5000μm以下。通过使宽度为100μm以上，能够防止配线电阻过度上升。另外，通过使透明导电膜35的宽度为300μm以上，不容易识别边缘部而透明性提高，并且，能够防止电源的电压下降、信号强度的降低。另外，配置多个透明导电膜35时，相邻的透明导电膜35的边缘部彼此的间隔优选为100μm以上，更优选为300μm以上。
使用透明导电膜35作为配线部30B的至少一部分时，可以将透明导电膜25成膜在透明基材10上。另外，也可以在透明基材10上的其他构成、例如绝缘层、导电层上成膜。任一情况下，透明导电膜35的厚度都可以为20～300nm左右。通过使透明导电膜35的膜厚为10～30nm左右或者追加反射抑制层，能够抑制识别透明导电膜35的形状的骨见现象。作为反射抑制层，可以使用SiON、氧化铝等取得ITO与树脂的中间折射率的物质，氧化锆、二氧化钛、氧化钽、氧化铝、SiON、Si3N4、二氧化硅等多层膜用的高折射率和低折射率的材料等。
图11A～11C中示意性地示出使用透明导电膜35作为透明显示装置1B的配线部时的构成。图11A～11C均为透明显示装置1B的示意性截面图。
图11A的例子中，在透明基材10整面形成透明导电膜35。而且，在透明导电膜35上介由绝缘层15形成其它配线34。透明导电膜35和配线34可以经由导电层36连接。在透明基材10整面形成透明导电膜35时，显示区域中不易识别透明导电膜35的边缘部。因此，透明显示装置1B能够具有高透明性。
透明导电膜35也可以作为多个带状体形成在透明基材10上。例如，如图11B示意性所示，透明导电膜35和35’可以隔开规定间隔地进行配置。在透明导电膜35和35’上形成其它配线34时，可以与图11A的例子同样地经由绝缘层配置配线34。
另外，透明导电膜35可以不是单层，而是在透明显示装置1B的厚度方向分多个层地配置。例如，如图11C示意性所示，在透明基材10的整面形成透明导电膜35a，在其上经由绝缘层15a形成透明导电膜35b和35b’。通过分多个层地配置透明导电膜，能够实现更复杂的配线。
透明导电膜35的可见光内部透射率优选为70％以上，更优选为85％以上。作为透明导电膜35的材料，可举出掺锡氧化铟(氧化铟锡、ITO)、掺氟氧化铟(FTO)、石墨烯、银纳米线等。
透明导电膜35的电阻率优选1.0×10－3Ωm以下，更优选1.0×10－4Ωm以下。另外，透明导电膜35的热传导率优选为5～100W/(m·K)，更优选为100～3000W/(m·K)。
另外，相对于整个显示区域的面积的透明导电膜35的面积的比例(％)和透明导电膜35的透射率(％)的积优选为50以上，更优选为70以上。通过上述比例为50以上，优选为70以上，能够确保充分的透明性。
与第1实施方式同样，在第2实施方式中，透明显示装置1B也可以与各像素对应地具备LED驱动用的IC芯片。这时，各像素中(一个像素区域中)发光部20和IC芯片50所占的面积相对于一个像素的面积优选为30％以下，更优选为20％以下，进一步优选为10％以下。另外，发光部20和IC芯片50所占的面积相对于整个显示区域的面积优选为30％以下，更优选为20％以下，进一步优选为10％以下。
应予说明，图示的方式中，配线部30B(透明导电膜35)配置于透明基材10，但配线部30B可以埋入透明基材10内或者埋入其一部分。另外，图示的方式中，二维规则地配置配线部30B(透明导电膜35)，但也可以不规则地配置。例如，可以部分地改变透明导电膜35的宽度、间隔、配置位置、材料等。另外，第2实施方式中，也可以将配线部30B的一部分改变为作为上述的第1实施方式的配线部30A所示的线状体。并且，第2实施方式中，与第1实施方式同样，也可以为进一步配置第2透明基材12、使发光部20和配线部30B等构成要素被2个透明基材夹着的构成。
＜第3实施方式(具备透明显示装置的夹层玻璃)＞
上述的第1实施方式和第2实施方式的透明显示装置可以安装于板状体而使用，另外，也可以封入2个板状体间而使用。这样的板状体优选是透明的。板状体例如可以为平板玻璃等无机材料、聚碳酸酯、丙烯酸树脂等有机材料。
图12中示意性示出第1实施方式的透明显示装置1A被夹持在2个板状体间的构成。图12中示出使用平板玻璃71、72作为两板状体而得到的夹层玻璃100的示意图。这样的夹层玻璃100可以通过如下方式制造：将如上述那样得到的透明显示装置1A载置在第1平板玻璃71上，进一步重叠第2平板玻璃72，进行粘接。
作为第1和第2平板玻璃，无机玻璃和有机玻璃均可。作为无机玻璃，例如可举出钠钙玻璃等。另外，无机玻璃可以是未强化玻璃、强化玻璃中的任一种。未强化玻璃是将熔融玻璃成型为板状，缓慢冷却而得的。强化玻璃是在未强化玻璃的表面形成压缩应力层而得的。强化玻璃可以是物理强化玻璃(例如风冷强化玻璃)、化学强化玻璃中的任一种。另一方面，作为有机玻璃，可举出聚碳酸酯等透明树脂。另外，第1平板玻璃71和第2平板玻璃72中的至少一方也可以为使用2张以上的玻璃得到的夹层玻璃或者双层玻璃。第1平板玻璃71和第2平板玻璃72中的任意一个的厚度优选为0.5～5mm，更优选为1.5～2.5mm。应予说明，第1平板玻璃71和第2平板玻璃72的材质、构成以及厚度各自可以相同，也可以不同。
上述制造中，显示装置1A的两个表面中的至少一方，可以在显示装置1A与平板玻璃之间配置粘接剂或者作为粘接剂发挥功能的粘接层80。由此，能够使透明显示装置1A在夹层玻璃内稳定。粘接层80的材料可举出以环烯烃共聚物(COP)、乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)等为主成分的中间膜。粘接层80可以设置在透明显示装置1A的整面或者一部分。
另外，具备透明显示装置的夹层玻璃100不限于平面状，可以具有曲面。即，具备透明显示装置的夹层玻璃100可以弯曲。该弯曲可以在一个方向，也可以在第1方向和与其正交的第2方向这2个方向上弯曲。
得到弯曲的夹层玻璃100的情况下，可以将如上述那样得到的透明显示装置1A载置在预先进行了热处理、弯曲处理的第1平板玻璃71上，再重叠与第1平板玻璃71同样地预先进行了热处理、弯曲处理的第2平板玻璃72，然后进行加热、加压处理。应予说明，第2平板玻璃72的板厚相对于第1平板玻璃71足够薄时，第2平板玻璃72可以不预先进行弯曲处理。
应予说明，使用透明显示装置1B代替透明显示装置1A时，可以用相同的制造方法得到相同构成的夹层玻璃100。
第3实施方式的具备透明显示装置的夹层玻璃100可以适用于可视距离(从观察者到显示画面为止的距离)例如为0.25～4.0m的用途。作为具体的用途，可举出在汽车、铁道车辆等车辆、建筑物、透明的壳体等中的使用。更具体而言，夹层玻璃100可以组装于汽车中的前窗、后窗、侧窗、天窗等窗玻璃、电车等其他交通系统的窗玻璃、中型印刷广告等、商店展示窗、陈列柜、带门陈列架的窗等的至少一部分而使用。
这样，夹层玻璃100即便在可视距离比较近的用途中使用，也因为使用如上述那样微小尺寸的LED，将透射率低的区域设为规定的比例，所以能够在维持显示能力的同时确保能够识别背面侧的图像的透明性。
图13中示意性地示出使用具备透明显示装置1的夹层玻璃100作为汽车的挡风玻璃的例子。图13是汽车的前方部分的示意性截面图。图示的夹层玻璃100的透明显示装置1可以是第1实施方式的透明显示装置1A或者第2实施方式的透明显示装置1B。
汽车5中使用的夹层玻璃100弯曲。更具体而言，在夹层玻璃100中的至少2个方向弯曲，例如在夹层玻璃100中的水平方向延伸的轴和在与水平方向正交的方向延伸的轴弯曲。另外，图示的方式中，在夹层玻璃100的几乎整面封入了透明显示装置1，但设置有透明显示装置1的范围可以为夹层玻璃100的一部分，例如夹层玻璃100的面积的50％以下，30％以下。
实施例
[1.以双重图像试验进行的评价]
在改变透明显示装置中的配线的宽度、像素间距等的情况下，对能够何种程度地抑制从背面侧照射过来的光的衍射进行了研究。假定LED和IC芯片配置在焊盘上的透明显示装置，制成以下的例1～8所示的光掩模图案，对各例进行双重图像试验。
(例1)
将图14(a)所示的图案作为一个像素图案，通过在透明的钠钙玻璃基材上印刷铬来制作将该一个像素图案以矩阵状配置多个而成的光掩模图案。光掩模图案的面积为50mm×50mm左右。
上述光掩模图案中，焊盘和配线部所占的区域(图的黑色区域)为非透过部(透射率约为0％)，其以外的区域的透射率约为100％。
例1的光掩模图案中，使配线宽度为6μm，使像素间距为360μm。另外，焊盘面积为10000μm2，一个像素的非透过部的面积的比例为16％。
(例2)
使配线宽度为3μm，除此以外，与例1同样地进行，制成光掩模图案。将例2的一个像素图案示于图14(b)。
(例3)
使像素间距为720μm，除此以外，与例1同样地进行，制成光掩模图案。将例2的一个像素图案示于图14(c)。
(例4)
像图14(d)所示那样使配线部和焊盘的图案接近，除此以外，与例1同样地进行，制成光掩模图案。
(例5)
不形成焊盘部分的图案，除此以外，与例1同样地进行，制成光掩模图案。将例5的一个像素图案示于图14(e)。
(例6)
使焊盘面积为例1的约3分之1即3200μm2，使配线宽度为3μm，除此以外，与例1同样地进行，制成光掩模图案。将例6的一个像素图案示于图14(f)。
(例7)
使配线宽度为3μm，使像素间距为720μm，除此以外，与例1同样地进行，制成光掩模图案。将例7的一个像素图案示于图14(g)。
(例8)
使配线宽度为3μm，使像素间距为720μm，而且如图14(h)所示地使配线部和焊盘的图案接近，除此以外，与例1同样地进行，制成光掩模图案。
＜双重图像试验＞
使用例1～8的各光掩模图案，如下地进行根据JIS R3212的双重图像试验。
首先，准备在内部配置有光源的照明箱2。图15(a)中示出照明箱2的主视图，图15(b)中示出其I－I线剖视图。照明箱2是高度300mm×宽度300mm×深度150mm的正面用黑色哑光漆涂覆而得的箱体，在其正面形成直径12.7mm的斑点3和其周围的宽度约2mm的环状的狭缝。照明箱的正面的内侧安装有橙色的滤光片5。
在距离照明箱2的正面7m的位置，配置光掩模图案作为试验体1(图15(c))。而且，在照明箱2的相反的一侧拍摄光掩模图案，对衍射的抑制进行评价。本评价中，评价斑点光是否在环上。评价基准如下，以例1作为参考(评价：D)按A～E进行评价。
A：未观察到斑点光的衍射或者比例1弱得多，也未观察到十字衍射或者比例1弱得多。
B：斑点光的衍射比例1弱，十字衍射也比例1弱。
C：斑点光的衍射与例1为同等程度或者更高，十字衍射比例1弱。
D：斑点光的衍射的强度和十字衍射的强度都与例1为同等程度。
E：与例1相比，斑点光的衍射、十字衍射都强。
Figure BDA0002591920170000241
由表1可知：配线宽度更小(例3和例6～8)，像素间距更大(例3和例7)，焊盘面积更小(例5和例6)的情况下，抑制衍射光的效果提高。
[2.以模拟进行的评价I]
在改变透明显示装置的配线的宽度、配线的直线性等的情况下，对能够何种程度地抑制来自背面侧的光的衍射现象进行研究。假定与各像素对应地具备3个LED、1个IC芯片和配线部的透明显示装置，像例9～14那样生成模式图像，用个人计算机进行对该图像照射光时的模拟，求出衍射光。
(例9)
生成如图16(a)所示的一个像素图案。假定例9的模式图像不具有焊盘，配线的宽度为5μm，像素间距为360μm。该图像中，LED、IC芯片以及配线部所占的区域(图的黑色区域)为非透过部(透射率为0％)，使其以外的区域的透射率为100％。对这样的一个像素图案集合而成的模式图像，如后所述地评价衍射光抑制的效果。
(例10)
使配线宽度为3μm，除此以外，生成与例9相同的一个像素图案。将例10中使用的一个像素图案示于图16(b)。
(例11)
使上下配线宽度为25μm，除此以外，生成与例9相同的一个像素图案。将例11中使用的一个像素图案示于图16(c)。
(例12)
生成在各配线如图16(d)所示那样成为之字形状这点上与例9不相同的一个像素图案。例12的图案中，配线由直线构成，但具有以具有角的方式重复屈曲的构成。例12的配线的重复的波长λ为20μm，振幅A为12.5μm(图16(d)的放大图)。
(例13)
生成在各配线如图16(e)所示那样成为曲线波状这点上与例9不相同的一个像素图案。即，例13中，配线以重复不具有角的凹凸的方式弯曲。例13的配线的重复的波长λ为20μm，振幅A为12.5μm(图16(e)的放大图)。
(例14)
生成在各配线如图16(f)所示那样成为曲线波状这点上与例13不相同的一个像素图案。例14的图案在具有重复不具有角的凹凸的曲线状配线这点上与例13相同，但一部分配线的曲线波状的波长与例13中使用的相比变大，在这点上与例13的图案不同。具体而言，例14中，改变与LED和IC芯片最近的2个配线的图案的曲线波状的波长，变大。例14中改变的大的波长λ为80μm。
＜衍射光抑制的评价＞
对在x方向、y方向都无限地配置像例9～14中说明的一个像素图案而成的图案(模型图像)照射波长533nm的光，计算此时得到的衍射光，生成衍射光图像。由得到的衍射光图像进行衍射光抑制的评价。计算使用“Introduction to Fourier Optics”(JosephW.Goodman著，ISBN：0－9747077－2－4)中记载的下述式(1)。
[数1]
Figure BDA0002591920170000261
式(1)中，A是与衍射阶数fX和fY的衍射效率的复振幅成比例的值。U(x，y，0)是透明显示装置上的透射率分布、相位分布。x、y表示透明显示装置上的坐标，假定1个像素为1个波长，在像素内有原点。
人看到背景(环境光)中的光斑时，一般人的脑(眼)无法识别小于背景的亮度的10－1％的亮度的光斑。另一方面，在夜间照亮周围的光源等大多是光源等自身具有比照亮的区域明亮1000倍左右的光量。因此，在夜间，人透过可能产生衍射光的部件看到包含光源等的背景时，如果衍射光的各阶数的强度为光源等的10－4％以上，则脑(眼)能够识别该衍射光。即，人的脑(眼)不能识别0阶光以外的散射光所包含的光斑中相对于光源等的光量小于10－4％的光量的光斑。因此，在抑制衍射光的评价中，例9～例14中，计算不包括0阶光的散射光的光斑中具有相对于光源等为10－4％以上的光量(lm)的光斑的总数。并且，将例9的计算值作为1，将例9和例10～例14进行比较。将结果示于表2。
Figure BDA0002591920170000271
如表2所记载，可知即便配线图案为直线但线宽度细时(例10)，或者即便配线宽度与例9相同，但配线图案为之字形状或三角波状(例12)、曲线波状(例13)、包含波长不同的配线的曲线波状(例14)时，与例9相比也具有衍射光抑制效果。另一方面，可知如果配线图案为直线、配线宽度粗时(例11)，与例9相比衍射光抑制效果差。
[3.以模拟进行的评价II]
对改变透明显示装置的配线的构成时的光的衍射现象的抑制进行进一步的研究。生成具有规定的像素图案的模型图像，进行对该模型图像照射光时的模拟。更具体而言，通过用个人计算机的计算由模型图像生成衍射光图像，基于衍射光图像评价衍射现象的抑制。应予说明，像素图案的模型图像和衍射光图像使用灰阶(0～255的256灰度，灰度值0为黑色，灰度值255为白色)生成。
(例15)
生成具有如图17(a)所示的一个像素图案的光掩模图像。本例的图像中，各配线为直线状，配线的宽度为5μm，像素间距为360μm。另外，假定为LED等要素配置在焊盘上的构成，使焊盘面积(图示的矩形部分PS)为10000μm2。构成要素所占的区域(图的黑色区域)为透射率0％的非透过部，其灰度值为0，其以外的区域(图的白色区域)为透射率100％的透过部，其灰度值为255。
(例16)
本例中，如图17(b)所示地分别使配线形成为正弦曲线的波形，除此以外，生成具有与例15相同的图案的光掩模图像。本例中，配线的波形是弯曲的重复凹凸而得的形状，该重复的波长λ为72μm，振幅A为3.52μm(图17(b)的放大图)。
(例17)
如图17(c)所示，各配线的形状为正弦曲线，但波形的重复的波长λ为72μm，振幅A为14.10，除此以外，生成具有与例16相同的图案的光掩模图像。
(例18)
如图17(d)所示，各配线的形状为正弦曲线，但波形的重复的波长λ为72μm，振幅A为7.05μm，除此以外，生成具有与例16相同的图案的光掩模图像。
＜光量评价＞
在例15～例18中生成的模型图像(图示的一个像素图案在x方向、y方向都无限地配置的图案)的中央，分别生成对中央照射波长533nm的照射光的情况下得到的衍射光图像。本例中，以线性刻度显示衍射光图像。图20示出例15～例18的衍射光图像。
基于得到的衍射光图像进行衍射光抑制的评价。具体而言，将各衍射光图像中的1个像素中的白色部分的面积的比例作为总光量作计算。另外，本评价II中，计算将距图像的中央(照射光的中心，点O(x＝0，y＝0))具有一定程度的宽度的范围，即半径20像素的范围(图21的RZ)中的白色部分的面积的比例作为“0阶光量”，另外，计算将x＝－5～5像素或者y＝－5～5像素的范围(图21的RC)的白色部分的面积的比例作为“十字光量”。
＜感官评价＞
对例15～例18中得到的衍射光图像也进行感官的评价。在该感官评价中，对各衍射光图像进行高通滤波处理，将灰度值128以下的灰色部分转换为非透过部(灰度值0)。通过利用这样的滤波处理将实际上观察者难以识别的接近黑色的灰色部分作为非透过部处理，能够生成实际上由观察者观察到的衍射光图像。图22中示出例15～例18的滤波处理后的衍射光图像。
并且，对处理后的衍射光图像通过目视观察来进行评价。本评价是评价衍射光的抑制，具体而言，对于作为整体的印象是否感觉到光均匀，进行了以例15为参照的评价。评价基准如下。
A：与例15相比感觉到光显著均匀化
B：与例15相比感觉到光均匀化
C：与例15相比在某方面感觉到光均匀化
D：光的均匀化与例15同等。
表3中示出例15～例18的上述的光量评价和感官评价的结果。
Figure BDA0002591920170000301
由表3可知与直线状的配线(例15)相比，具有正弦曲线的形状的配线(例16～例18)抑制了衍射光。另外，在例16～例18的范围，振幅/波长的值越大，越发挥抑制衍射光的效果。
(例19)
透射率随着从配线的边缘部向外侧阶段性地降低(设置透射率梯度)，除此以外，生成与例15相同的图案的光掩模图像。具体而言，如图18(a)所示，配线31A在配线主体311的侧边缘部具有高透射率边缘部312，该高透射率边缘部312由第1高透射率区域312a(灰度值194)和第2高透射率区域312b(灰度值128)构成，该第1高透射率区域距离5μm宽的配线的边缘部为0.5μm宽且透射率更高，该第2高透射率区域距离该第1高透射率区域312a的边缘部为0.5μm宽且透射率更低。应予说明，第1高透射率区域312a的灰度值194是相对于白色的灰度值255为50％的值，第2透射率区域312b的灰度值128是相对于白色的灰度值255为25％的值。
(例20)
在配线的边缘部形成有微小凹凸，除此以外，生成具有与例15相同的直线状的图案的光掩模图像。具体而言，如图18(b)所示，以线宽度1μm的直线状的配线部的边缘部和焊盘的边缘部重叠的方式，随机设置半径1.0μm的圆形的非透过部和半径2.5μm的圆形的非透过部，从而使配线的轮廓具有微小凹凸。应予说明，本例中的非透过部的面积与例15的非透过部的面积相同。另外，配线的线宽度因位置而不同，但为不超过8.0μm的构成。
对例19和例20也进行上述的光量评价和感官评价。将结果示于表4(例15再次记载)。
Figure BDA0002591920170000321
由表4可知通过对配线的边缘部的轮廓实施微小凹凸加工(例19和例20)，从而起到抑制衍射光的效果。应予说明，尽管例19的配线的整体宽度和例20的配线的最大宽度都大于例15的配线宽度，但例19和例20抑制衍射光的效果比例15高。
(例21)
如图19(a)所示，各配线的形状为正弦曲线，但波形的重复的波长λ为180μm，振幅A为17.6μm，除此以外，生成具有与例16相同的图案的光掩模图像。
(例22)
本例的图案的配线的形状是具有与例21相同的波长λ和振幅A的正弦曲线，如图19(b)所示，在像素内，在行方向(x方向)延伸的配线的数量(Nx)与在列方向(y方向)延伸的配线的数量(Ny)的比值(Nx/Ny)与例21不同。例21中上述的比值(Nx/Ny)约为0.33，与此相对，本例22中上述的比值(Nx/Ny)为1.0。
对例21和例22也同样地进行上述的光量评价。另外，也进行关于衍射光的抑制的感官评价，但通过例21与例22之间的比较进行评价，即，观察例20的衍射光图像时，评价与例21相比是否光均匀化。将结果示于
表5。
Figure BDA0002591920170000341
由表5可知在行方向延伸的配线的个数与在列方向延伸的配线的个数的比的值(Nx/Ny)接近1的例22与例21相比，衍射光抑制的效果高。
本申请主张基于2018年1月25日在日本专利局申请的特愿2018－010774号的优先权，将其全部内容作为参照援引于此。
符号说明
1，1A，1B 透明显示装置
10，12 透明基材
15 绝缘层
20 发光部
21，21R，21G，21B 发光二极管(LED)
30A，30B配线部
31a 数据线
31b 电源线
31c 接地线
311 配线主体
312 高透射率边缘部
312a 第1高透射率边缘部
312b 第1高透射率边缘部
32，34 配线
35 透明导电膜
36 导电层
50 半导体芯片
71，72 玻璃板
80 粘接层
100 具备透明显示装置的夹层玻璃

Claims (19)

1.一种透明显示装置，具备：第1透明基材、与各个像素对应地配置于所述第1透明基材上的发光部、和连接于各所述发光部的配线部，
各所述发光部包含具有10000μm2以下的面积的至少一个发光二极管，
显示区域中，透射率为20％以下的区域的面积在30％以下。
2.根据权利要求1所述的透明显示装置，其中，所述配线部包含宽度为100μm以下的线状体的配线。
3.根据权利要求2所述的透明显示装置，其中，所述配线以俯视时切线方向变化的方式进行配置。
4.根据权利要求3所述的透明显示装置，其中，所述配线配置成俯视时为波纹形状，振幅与波长的比值为0.005～1。
5.根据权利要求3或4所述的透明显示装置，其中，所述配线包含俯视时可微分的曲线状的部分。
6.根据权利要求3～5中任一项所述的透明显示装置，其中，所述配线的直线部分的长度为500μm以下。
7.根据权利要求2～6中任一项所述的透明显示装置，其中，所述配线具备配线主体和沿该配线主体形成的侧边缘部，在该侧边缘部的至少一部分具备透射率高于所述配线主体的高透射率边缘部。
8.根据权利要求2～7中任一项所述的透明显示装置，其中，所述配线在侧边缘部具有凹凸。
9.根据权利要求2～8中任一项所述的透明显示装置，其中，所述像素内，在与一个方向正交的方向延伸的配线的根数与在所述一个方向延伸的配线的根数的比值为0.2～5。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的透明显示装置，其中，所述配线部包含透明导电膜。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的透明显示装置，其中，与一个像素或者多个像素分别对应地设置有与所述发光部连接的至少一个驱动用半导体芯片。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的透明显示装置，其中，所述发光部各自包含发光波长彼此不同的3个发光二极管。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的透明显示装置，其中，至少所述发光部被夹在所述第1透明基材与第2透明基材之间。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的透明显示装置，其中，所述发光二极管的发光效率为1％以上。
15.根据权利要求1～14中任一项所述的透明显示装置，其中，所述发光二极管由无机材料构成。
16.根据权利要求1～15中任一项所述的透明显示装置，其中，所述像素的间距为100～3000μm。
17.根据权利要求1～16中任一项所述的透明显示装置，其中，所述各像素的透射率为70％以上。
18.一种具备透明显示装置的夹层玻璃，是在第1玻璃板与第2玻璃板之间夹持权利要求1～17中任一项所述的透明显示装置而成的。
19.根据权利要求18所述的具备透明显示装置的夹层玻璃，其中，所述夹层玻璃弯曲。
CN201980009262.5A 2018-01-25 2019-01-23 透明显示装置和具备透明显示装置的夹层玻璃 Active CN111630584B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-010774 2018-01-25
JP2018010774 2018-01-25
PCT/JP2019/002063 WO2019146634A1 (ja) 2018-01-25 2019-01-23 透明表示装置、及び透明表示装置を備えた合わせガラス

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111630584A true CN111630584A (zh) 2020-09-04
CN111630584B CN111630584B (zh) 2022-09-27

Family

ID=67394741

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980009262.5A Active CN111630584B (zh) 2018-01-25 2019-01-23 透明显示装置和具备透明显示装置的夹层玻璃

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11837626B2 (zh)
EP (1) EP3745386A4 (zh)
JP (2) JP7200949B2 (zh)
CN (1) CN111630584B (zh)
WO (1) WO2019146634A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI790565B (zh) * 2020-10-12 2023-01-21 友達光電股份有限公司 透明顯示器

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020050062A1 (ja) * 2018-09-04 2020-03-12 Ａｇｃ株式会社 透明表示装置、透明表示装置付きガラス板、透明表示装置付き合わせガラス、および、移動体
WO2020196134A1 (ja) * 2019-03-22 2020-10-01 Ａｇｃ株式会社 透明表示装置、透明表示装置付きガラス板、透明表示装置付き合わせガラス、及び移動体
JP2021026108A (ja) * 2019-08-05 2021-02-22 株式会社豊田自動織機 表示装置
WO2021110332A1 (en) * 2019-12-06 2021-06-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Window or surface of a vehicle comprising at least one optoelectronic component
WO2021132106A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01 Ａｇｃ株式会社 フレキシブル透明電子デバイスの製造方法及び物品
JP7479164B2 (ja) * 2020-02-27 2024-05-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN112634826B (zh) * 2021-01-07 2022-02-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 micro-LED显示面板、micro-LED像素电路及显示装置
WO2022229885A1 (en) * 2021-04-27 2022-11-03 Oti Lumionics Inc. Opto-electronic device including em radiation transmissive regions between emissive regions
WO2023204015A1 (ja) * 2022-04-21 2023-10-26 Ａｇｃ株式会社 車両用窓ガラスシステム

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000310963A (ja) * 1999-02-23 2000-11-07 Seiko Epson Corp 電気光学装置の駆動回路及び電気光学装置並びに電子機器
US20150249069A1 (en) * 2012-09-25 2015-09-03 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for manufacturing display device
US20150279324A1 (en) * 2012-10-31 2015-10-01 Sharp Kabushiki Kaisha Data processing device for display device, display device equipped with same and data processing method for display device
JP2016057613A (ja) * 2014-09-08 2016-04-21 三菱電機エンジニアリング株式会社 フレキシブルｌｅｄ表示器とフレキシブルｌｅｄ表示器の製造方法
WO2017051495A1 (ja) * 2015-09-25 2017-03-30 ウシオ電機株式会社 配線基板の製造方法、配線基板及び配線基板製造装置
JP2017151339A (ja) * 2016-02-26 2017-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107155373A (zh) * 2014-06-18 2017-09-12 艾克斯瑟乐普林特有限公司 微组装led显示器
CN107210010A (zh) * 2015-01-26 2017-09-26 旭硝子株式会社 具有显示装置的建材玻璃板和建材玻璃结构
CN107425016A (zh) * 2016-05-23 2017-12-01 株式会社日本显示器 有机el显示装置及液晶显示装置
CN107533398A (zh) * 2015-04-20 2018-01-02 富士胶片株式会社 导电性膜、配线以及触控面板传感器

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020149547A1 (en) * 2001-01-29 2002-10-17 Robertson John A. Transparent programmable LED display panel and method
JP2004227978A (ja) * 2003-01-24 2004-08-12 Pioneer Electronic Corp 立体画像表示装置
US20050231447A1 (en) * 2004-04-14 2005-10-20 Shuo-Hsiu Hu Pixel arrangement in a display system
US7799699B2 (en) 2004-06-04 2010-09-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Printable semiconductor structures and related methods of making and assembling
ATE458276T1 (de) 2005-04-21 2010-03-15 Fiat Ricerche Durchsichtige led-anzeigevorrichtung
JP4845531B2 (ja) * 2006-02-28 2011-12-28 三菱電機株式会社 画像表示装置
KR20120139383A (ko) * 2011-06-17 2012-12-27 삼성전자주식회사 전계방출패널 및 그를 구비한 액정 디스플레이와 전계방출 디스플레이
KR102142855B1 (ko) * 2013-08-29 2020-08-31 미래나노텍(주) 터치스크린 패널용 배선 전극, 이를 이용한 터치스크린 패널 및 그 제조방법
JP2015166756A (ja) * 2014-03-03 2015-09-24 株式会社ラパンクリエイト 表示ユニットおよび表示装置
WO2016047283A1 (ja) * 2014-09-24 2016-03-31 富士フイルム株式会社 画像形成媒体および画像形成媒体の製造方法ならびに画像形成方法
CN107004767B (zh) * 2014-09-29 2019-06-25 乐金显示有限公司 具有弯曲应力减小的配线的柔性显示装置
US9600112B2 (en) * 2014-10-10 2017-03-21 Apple Inc. Signal trace patterns for flexible substrates
US9947280B2 (en) * 2015-02-25 2018-04-17 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. TFT array substrate
US9930277B2 (en) 2015-12-23 2018-03-27 X-Celeprint Limited Serial row-select matrix-addressed system
US10256277B2 (en) * 2016-04-11 2019-04-09 Abl Ip Holding Llc Luminaire utilizing a transparent organic light emitting device display
JP2018010169A (ja) * 2016-07-13 2018-01-18 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ表示装置
JP6748886B2 (ja) 2016-07-13 2020-09-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 電磁リレー
US10984703B2 (en) * 2017-03-24 2021-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display system which corrects image data, and electronic device
TWI639230B (zh) * 2017-08-03 2018-10-21 錼創科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
KR102530926B1 (ko) * 2017-12-27 2023-05-09 엘지디스플레이 주식회사 지문 인식이 가능한 표시 장치
KR102463737B1 (ko) * 2017-12-04 2022-11-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000310963A (ja) * 1999-02-23 2000-11-07 Seiko Epson Corp 電気光学装置の駆動回路及び電気光学装置並びに電子機器
US20150249069A1 (en) * 2012-09-25 2015-09-03 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for manufacturing display device
US20150279324A1 (en) * 2012-10-31 2015-10-01 Sharp Kabushiki Kaisha Data processing device for display device, display device equipped with same and data processing method for display device
CN107155373A (zh) * 2014-06-18 2017-09-12 艾克斯瑟乐普林特有限公司 微组装led显示器
JP2016057613A (ja) * 2014-09-08 2016-04-21 三菱電機エンジニアリング株式会社 フレキシブルｌｅｄ表示器とフレキシブルｌｅｄ表示器の製造方法
CN107210010A (zh) * 2015-01-26 2017-09-26 旭硝子株式会社 具有显示装置的建材玻璃板和建材玻璃结构
CN107533398A (zh) * 2015-04-20 2018-01-02 富士胶片株式会社 导电性膜、配线以及触控面板传感器
WO2017051495A1 (ja) * 2015-09-25 2017-03-30 ウシオ電機株式会社 配線基板の製造方法、配線基板及び配線基板製造装置
JP2017151339A (ja) * 2016-02-26 2017-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107425016A (zh) * 2016-05-23 2017-12-01 株式会社日本显示器 有机el显示装置及液晶显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI790565B (zh) * 2020-10-12 2023-01-21 友達光電股份有限公司 透明顯示器

Also Published As

Publication number Publication date
US20200350361A1 (en) 2020-11-05
EP3745386A1 (en) 2020-12-02
US11837626B2 (en) 2023-12-05
JPWO2019146634A1 (ja) 2021-01-28
JP2023011715A (ja) 2023-01-24
JP7200949B2 (ja) 2023-01-10
EP3745386A4 (en) 2021-10-27
CN111630584B (zh) 2022-09-27
WO2019146634A1 (ja) 2019-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111630584B (zh) 透明显示装置和具备透明显示装置的夹层玻璃
US20210183943A1 (en) Transparent display device, glass plate with transparent display device, laminated glass with transparent display device, and vehicle
TW201719248A (zh) 具有微發光二極體前光之顯示器
US10809586B2 (en) Mirror display module
CN1277143C (zh) 液晶显示装置及其制造方法和电子设备
US20210316535A1 (en) Transparent display device and vehicle
CN109254450A (zh) 显示装置
KR20200068940A (ko) 백라이트 유닛 및 이를 이용한 표시 장치
JP3815221B2 (ja) 照明装置、表示装置、並びに電子機器
JP7420136B2 (ja) 透明表示装置、透明表示装置付きガラス板、透明表示装置付き合わせガラス、及び移動体
KR102095595B1 (ko) 확산시트, 백라이트 유닛 및 액정 표시 장치
JP2020112738A (ja) 液晶表示装置
TWI596379B (zh) 顯示模組與應用其之頭戴式顯示裝置
JP2018132589A (ja) 表示装置
CN114690482A (zh) 背光单元及包含该背光单元的显示装置
JP2018146633A (ja) 表示デバイス、および、視線誘導シート
WO2020137856A1 (ja) 照明装置および反射型表示装置
KR20150125120A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
US11966133B2 (en) Electronic device and method of forming the same
US11644607B2 (en) Lighting device and display device
US20220261106A1 (en) Display device
US20160104426A1 (en) Display apparatus having a voltage connecting line
JP2022012192A (ja) 表示装置
CN116529804A (zh) 透明显示设备、夹层玻璃和透明显示设备的制造方法
CN105573569A (zh) 光学膜片及使用此光学膜片的触控式显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant