CN111627350A - 一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置，所述制作方法包括：在衬底基板上依次形成第一电极层、第一绝缘层和第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层整层铺设；在所述第二电极层上形成或放置发光器件组，并形成位于所述发光器件组上方的平坦层，所述发光器件组的第二电极与所述第二电极层连接；形成驱动电路层，所述驱动电路层包括扫描信号线、第一开关管、第二开关管、数据信号线、存储电容和公共电极层。根据本发明实施例的制作方法，利用有源矩阵控制发光器件的开启和关闭，能够减少控制芯片的数量，采用大面积的阴、阳极分层铺设，可以最大程度降低信号的电压失真，降低布线难度，同时消除了线损带来的功耗上升的问题。

Description

一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置。
背景技术
自发光显示器采用阵列式的微小可发光灯组，通过芯片动态控制亮暗，实现显示功能。由于自发光可以有绝对的黑态，理论上对比度可实现无穷大，无背光带来的产品厚度降低等优势都是传统透射式显示器无法比拟的。
但是，由于自发光显示器的发光组件基本都是以电流驱动的功率部件，一般的单一有源矩阵开关无法实现驱动功能。如果使用无源驱动方式，需要为每一个灯(组)至少配备一条驱动线，需要等比例的驱动芯片，并且大大增加了布线难度。
另外，电流驱动带来很大的引线损耗，即常说的IR Drop，此问题会影响发光灯(组)的正常工作，也会带来产品功耗的上升，以目前常见的玻璃基自发光产品为例，线损的占比可以达到整个产品总功耗的10％～25％。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置，能够解决现有技术中驱动灯组所需的控制芯片数量多、产品引线损耗大而导致的功耗上升等问题。
为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：
本发明一方面实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：
在衬底基板上依次形成第一电极层、第一绝缘层和第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层整层铺设；
在所述第二电极层上形成或放置发光器件组，并形成位于所述发光器件组上方的平坦层，所述发光器件组的第二电极与所述第二电极层连接；
形成驱动电路层，所述驱动电路层包括扫描信号线、第一开关管、第二开关管、数据信号线、存储电容和公共电极层，所述第一开关管的源极通过过孔与第一电极层连接，所述第一开关管的漏极与所述发光器件组的第一电极连接，所述第一开关管的栅极通过过孔与所述第二开关管的源极连接，所述第二开关管的源极与所述存储电容的第一极板连接，所述数据信号线与所述第二开关管的漏极连接，所述扫描信号线与所述第二开关管的栅极连接。
可选的，所述形成驱动电路层的步骤，包括：
形成位于所述平坦层上的扫描信号线、第一开关管和第二开关管的栅极，所述扫描信号线与所述第二开关管的栅极连接；
形成位于所述栅极上方的有源层；
形成数据信号线、所述第一开关管和所述第二开关管的源极和漏极以及存储电容的第一极板，所述第一开关管的源极通过过孔与第一电极层连接，所述第一开关管的漏极通过过孔与所述发光器件组的第一电极连接，所述第一开关管的栅极通过过孔与所述第二开关管的源极连接，所述第二开关管的漏极与所述存储电容的第一极板同层连接，所述数据信号线与所述第二开关管的漏极同层连接；
依次形成第二绝缘层和公共电极层，所述公共电极层构成所述存储电容的第二极板，所述公共电极层和所述存储电容的第一极板在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
可选的，形成所述第二电极层的同时，形成发光器件组引脚垫层，所述发光器件组的第一电极抵设在所述发光器件组引脚垫层上。
可选的，所述发光器件组为单个发光器件或多个发光器件，在所述发光器件组为多个发光器件的情况下，所述多个发光器件并联或串联设置。
可选的，所述发光器件为发光二极管。
可选的，所述平坦层采用绝缘树脂材料。
本发明另一方面实施例提供了一种阵列基板，包括：
衬底基板；
依次设置于所述衬底基板上的第一电极层、第一绝缘层和第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层整层铺设；
位于在所述第二电极层上的发光器件组，以及位于所述发光器件组上方的平坦层，所述发光器件组的第二电极与所述第二电极层连接；
位于所述平坦层上的驱动电路层，所述驱动电路层包括扫描信号线、第一开关管、第二开关管、数据信号线、存储电容和公共电极层，所述第一开关管的源极通过过孔与第一电极层连接，所述第一开关管的漏极与所述发光器件组的第一电极连接，所述第一开关管的栅极通过过孔与所述第二开关管的源极连接，所述第二开关管的源极与所述存储电容的第一极板连接，所述数据信号线与所述第二开关管的漏极连接，所述扫描信号线与所述第二开关管的栅极连接。
可选的，还包括：
与所述第二电极层同层设置的发光器件组引脚垫层，所述发光器件组的第一电极抵设在所述发光器件组引脚垫层上。
本发明再一方面实施例提供了一种显示面板，包括：如上所述的阵列基板。
本发明又一方面实施例提供了一种显示装置，包括：如上所述的显示面板。
本发明上述技术方案的有益效果如下：
根据本发明实施例的制作方法，利用有源矩阵控制发光器件的开启和关闭，能够减少控制芯片的数量，采用大面积的阴、阳极分层铺设，可以最大程度降低信号的电压失真，降低布线难度，同时消除了线损带来的功耗上升的问题。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的形成第一电极层和第二电极层的示意图；
图3为本发明实施例提供的在第二电极层上形成或放置发光器件组的示意图；
图4为本发明实施例提供的像素电路的示意图；
图5为本发明实施例提供的形成驱动电路层的示意图之一；
图6为本发明实施例提供的形成驱动电路层的示意图之二；
图7为本发明实施例提供的形成驱动电路层的示意图之三；
图8为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图9为图8中沿A-A的剖面示意图；
图10为图8中沿B-B的剖面示意图；
图11为本发明实施例提供的发光器件组的电流-亮度特性的示意图；
图12为本发明实施例提供的发光器件组的电流-电压特性的示意图；
图13为本发明实施例提供的电流-亮度与电流-电压的对应关系示意图；
图14为本发明实施例提供的的像素电路的时序图；
图15为本发明实施例提供的OE与G1、S1的时序关系示意图；
图16为本发明实施例提供的发光器件组的不同亮度的时序控制图；
图17为本发明实施例提供的亮度设定和显示数据输出的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1，为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图。如图1所示，本发明实施例提供一种阵列基板的制作方法，所述制作方法可以包括以下步骤：
步骤11：在衬底基板上依次形成第一电极层、第一绝缘层和第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层整层铺设。
请参考图2，为本发明实施例提供的形成第一电极层和第二电极层的示意图。如图2所示，本步骤中，在衬底基板上铺设第一电极层101，第一电极层101可以为整层铺设，然后通过湿刻工艺制作出显示区域、柔性电路板/驱动芯片连接引脚以及后续工艺的对位标识等；然后，在第一电极层101上铺设绝缘保护层，绝缘保护层可以采用树脂或氮硅化合物，其中，如果使用感光树脂，需要在之后进行曝光显影，形成连接孔，如果使用氮硅化合物，则可以通过后期一次干法刻蚀将若干绝缘保护层在同一位置形成一个连接孔；接着，继续铺设第二电极层103，第二电极层103同样可以整层铺设，通过湿法刻蚀的方法，制作出显示区域、柔性电路板/驱动芯片连接引脚、上层电路连接孔等。本发明实施例中，第一电极层101作为阳极，而第二电极层103作为阴极，通过采用大面积阴阳极分层铺设，可以最大程度降低产品信号的电压失真(IP drop)，降低布线难度，同时消除了线损带来的功耗上升问题。
步骤12：在所述第二电极层上形成或放置发光器件组，并形成位于所述发光器件组上方的平坦层，所述发光器件组的第二电极与所述第二电极层连接。
请参考图3，为本发明实施例提供的在第二电极层上形成或放置发光器件组的示意图。如图3所示，本发明实施例中，可以通过蒸镀、印刷等方式直接在第二电极层103上形成发光器件组105，也可以将在硅基等其他基材上形成的发光器件组105通过(巨量)转移等方式放置在第二电极层103上；发光器件组105包括第一电极1051和第二电极1052，其中，发光器件组105的第二电极1052直接与第二电极层103连接。而后，形成位于发光器件组105上的平坦层，平坦层用于将发光器件组105进行覆盖保护，并形成相对平坦的表面，便于后续工序的进行。
本发明实施例中，发光器件组105可以是单个发光器件也可以是多个发光器件，在发光器件组105为多个发光器件的情况下，所述多个发光器件可以并联或者串联设置，通过将多个发光器件并联或串联设置，可以实现利用单个控制开关控制多个发光器件的开启和关闭。所述发光器件可以为发光二极管，所述的发光二极管可以是LED、Mini-LED或者Micro-LED。
通常，自发光灯(组)，占整个显示区域的面积只有10％～40％，即发光源是比较分散和稀疏的，与传统透射式显示器相比，亮度的连续性并不好，需要涂覆保护胶，起到柔化光线和保护灯(组)的目的。本发明实施例中，所述平坦层可以采用树脂材料形成，通过具有散光功能的绝缘树脂代替原有的灯(组)保护胶，可以起到柔光作用，提高工艺精度，减少工艺流程。其中，根据发光器件组105的柔光需要，可以对树脂材料的成分进行调配，例如混入一些不同折射率的成分，可以达到散光的目的，还可以通过加入一些色组，对产品的整体色度进行调整，甚至，还可以通过加入一定量的荧光剂，实现相同灯(组)产生不同颜色的光。
步骤13：形成驱动电路层，所述驱动电路层包括扫描信号线、第一开关管、第二开关管、数据信号线、存储电容和公共电极层，所述第一开关管的源极通过过孔与第一电极层连接，所述第一开关管的漏极与所述发光器件组的第一电极连接，所述第一开关管的栅极通过过孔与所述第二开关管的源极连接，所述第二开关管的源极与所述存储电容的第一极板连接，所述数据信号线与所述第二开关管的漏极连接，所述扫描信号线与所述第二开关管的栅极连接。
请参考图4，为本发明实施例提供的像素电路的示意图。如图4所示，本发明实施例中，像素电路包括一组用于提供电流的阳极和阴极，对应于上述的第一电极层101和第二电极层103，还包括第一开关管T1、第二开关管T2和存储电容C，其中，第一开关管T1的源极与阳极连接，第一开关管T1的漏极与发光器件组105的第一电极1051连接，发光器件组105的第二电极1052与阴极连接，第一开关管T1的栅极与存储电容C的第一极板连接，存储电容C的第二极板与公共电极110连接，第二开关管T2的源极分别于第一开关管T1的栅极和存储电容C的第一极板连接，第二开关管T2的漏极与数据信号线连接，第二开关管T2的栅极与扫描信号线连接，第一开关管T1用于控制发光器件组105的开启和关闭，而存储电容C则用于保持第一开关管T1的栅极电压，继而使发光器件组105保持开启/关闭，第二开关管T2用于控制第一开关管T1的导通或关闭，具体来说，第二开关管T2的栅极接收扫描信号线传来的的扫描信号，而第二开关T2的漏极接收数据信号线传来的数据信号，用于在扫描信号和数据信号的控制下实现第一开关管T1的导通或关闭。
本发明实施例中，所述形成驱动电路层的步骤，具体可以包括：
形成位于所述平坦层上的扫描信号线、第一开关管和第二开关管的栅极，所述扫描信号线与所述第二开关管的栅极连接。
请参考图5，为本发明实施例提供的形成驱动电路层的示意图之一。如图5所示，在覆盖发光器件组105的平坦层上铺设一层金属，并通过湿法刻蚀工艺形成扫描信号线111、第一开关管T1的栅极1124和第二开关管T2的栅极1134。进一步的，还可以在扫描信号线111上铺设保护层，所述保护层可以采用氮硅化合物。
形成位于所述栅极上方的有源层。
请参考图6，为本发明实施例提供的形成驱动电路层的示意图之二。如图6所示，继续在第一开关管T1的栅极1124上形成第一开关管T1的有源层1123和在第二开关管T2的栅极1134上形成第二开关管T2的有源层1133；考虑到本实施例中为电流驱动的自发光器件，需要较大的开启电流，举例来说，假定本发明实施例中的发光器件组105包括9颗串联设置的LED灯，则预估导通电流约为20mA，则采用多晶硅形成第一开关管T1有源层时，需要的宽长比大约为1000，而考虑到发光器件组105所占面积比例不高，这样的宽长比的有源层有足够的空间布置开来，而对于第二开关管T2而言，常规的宽长比设置即可满足要求(通常宽长比小于10即可)；当然，上述描述仅为示例性的，发光器件组105中的LED等的数量可以增加或减少，相对应的，有源层的宽长比也将对应改变。
形成数据信号线、所述第一开关管和所述第二开关管的源极和漏极以及存储电容的第一极板，所述第一开关管的源极通过过孔与第一电极层连接，所述第一开关管的漏极通过过孔与所述发光器件组的第一电极连接，所述第一开关管的栅极通过过孔与所述第二开关管的源极连接，所述第二开关管的漏极与所述存储电容的第一极板同层连接，所述数据信号线与所述第二开关管的漏极同层连接。
请参考图7，为本发明实施例提供的形成驱动电路层的示意图之三。如图7所示，进一步铺设一层金属层，并通过湿法刻蚀工艺形成数据信号线114、第一开关管T1的源极1121和漏极1122、第二开关管T2的源极1131和漏极1132以及存储电容C的第一极板C1，其中，数据信号线114与第二开关管T2的漏极1132连接，而第二开关管T2的源极1131则直接与存储电容C的第一极板C1连接，第一开关管T1的源极1121通过第二过孔1092与第一电极层101连接，而第一开关管T1的漏极1122则通过第一过孔1091与发光器件组105的第一电极1051连接，第一开关管T1的栅极1124则通过过孔与存储电容C的第一极板C1连接。
依次形成第二绝缘层和公共电极层，所述公共电极层构成所述存储电容的第二极板，所述公共电极层和所述存储电容的第一极板在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
请参考图8，为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图。如图8所示，继续形成第二绝缘，用于覆盖保护数据信号线114等，所述第二绝缘层可以采用树脂材料，也可以采用氮硅化合物；然后铺设公共电极层110，公共电极层110在存储电容C的第一极板C1的正上方的部分形成为存储电容C的第二极板C2，第二极板C2直接与公共电极层110同层连接；存储电容C的大小主要由扫描周期、第二开关管T2的关态电流，以及第一开关管T1的电流-电压特性共同决定，也即根据上述因素调整存储电容C的极板大小以得到合适的电容量。
为更清楚的了解本发明实施例中各层的层叠设置关系，请参考图9和图10，图9为图8中沿A-A的剖面示意图，图10为图8中沿B-B的剖面示意图。如图9所示，第一开关管T1的栅极1124则通过绝缘层114上开设的过孔与第二开关管T2的源极1131(同时也是存储电容C的第一极板C1)连接，第二开关管T2的源极1131(同时也是存储电容C的第一极板C1)与第二绝缘层115上方的公共电极层110共同构成存储电容C，也即位于存储电容C的第一极板C1上方的公共电极层110同时也是存储电容C的第二极板C2。如图10所示，阵列基板包括位于衬底基板上的第一电极层101(本实施例中作为阳极)、位于第一电极层101上的第一绝缘层102，位于第一绝缘层102上的第二电极层103(本实施例中作为阴极)，位于第二电极层103上的发光器件组105，其中发光器件组105的第二电极1052直接与第二电极层103连接，而后是覆盖在发光器件组105上的平坦层106(采用树脂材料)，然后是第二绝缘层107,以及位于第二绝缘层107上的公共电极层110，其中，第一开关管T1的漏极1122通过第一过孔1091与发光器件组105的第一电极1051连接，而第一开关管T1的源极1021通过第二过孔1092与第一电极层101连接。
本发明实施例中，形成所述第二电极层的同时，形成发光器件组引脚垫层，所述发光器件组的第一电极抵设在所述发光器件组引脚垫层上。如图10所示，在整层铺设第二电极层103时，通过湿法刻蚀的方法，形成发光器件组引脚垫层104，也即发光器件组引脚垫层104与第二电极层103为同层同材料设置，但是两者之间相互隔断开，利用发光器件组引脚垫层104可以对发光器件组105的第一电极1051起到支撑垫高作用，从而使得发光器件组105转移固定时保持平整，提高阵列基板的平坦度。
由于本发明实施例中为自发光器件，并不需要使用透明电极，而可以使用导电性更好的金属材质，以达到更低的电阻率，需要注意的是，如果采用的金属容易在环境中氧化变质，还需要在产品最终完成前，铺设一层保护物质隔绝环境中的水汽氧气等，通常可以使用环氧树脂进行保护。
阵列基板完成后，需要连接驱动芯片，可以使用柔性电路板与产品预留的连接位置相连，也可以直接将驱动芯片安置在产品预留位置，节省掉电路板的费用和相关工艺；更进一步的，扫描驱动芯片由于设计相对简单，且不再需要考虑功率因素(电压驱动)，可以直接在上述阵列基板上制作电路实现芯片功能，以达到减小边框、降低成本的目的。
下面，通过校正工作，增加产品显示的色深度。
a)通过简单地开启和关闭，验证产品可以实现独立控制每个灯(组)的开启、关闭；
b)接下来，在一帧内进行多次扫描，通过每次扫描数据信号电压的高低，控制灯(组)在一帧内开启和关闭的时间占比。假设一帧内可以进行64次扫描(不难实现)，原理上可以实现每个发光灯(组)的64级亮度可调，即实现了6bit亮度深度；
c)请参考图11、图12以及图13，图11为本发明实施例提供的发光器件组的电流-亮度特性的示意图，图12为本发明实施例提供的发光器件组的电流-电压特性的示意图，图13为本发明实施例提供的电流-亮度与电流-电压的对应关系示意图；接下来，通过给入不同数据信号电压，帧内所有灯(组)保持点亮，利用光学仪器测量出产品的亮度，最终形成数据信号电压与产品亮度的对应关系，从而通过给入不同电压得到不同发光强度；选取容易控制(通常，数据驱动芯片输出的电压分辨率可以达到5mV以内)的电压，例如可以选取出16个亮度等级的控制电压，即又实现了4bit的亮度深度；
d)结合b&c，可以将产品能够实现的亮度深度达到10bit，由三基色混色形成颜色可以达到10亿色以上；
e)将步骤b的帧内数据信号占空比以及步骤c的控制电压写入数据驱动芯片，可以把示画面亮度转化为该灯(组)每帧数据信号的电压以及开启的次数。
请参考图14，为本发明实施例提供的的像素电路的时序图。如图14所示，使能端(OE)通过上升沿信号和下降沿信号控制每一行扫描信号的开启和关闭，同时也控制数据信号的传输周期，其中，每一行扫描信号先于数据信号开启，也先于数据信号关闭。
请参考图15，为本发明实施例提供的OE与G1、S1的时序关系示意图。如图15所示，使能端(OE)可以分为三个独立可调的次级时序，分别用来控制G1的开启时间(OE1的上升沿)、S1的开启时间(OE-2的上升沿)、G1的关闭时间(OE-2的下降沿)、S1的关闭时间(OE-3的下降沿)；也就是说，在使能端(OE)的第一个上升沿时刻，使扫描信号线传输扫描信号至第二开关管的栅极，控制第二开关管导通，而后，在使能端(OE)的第二个上升沿时刻，使数据信号线传输数据信号至第二开关管的漏极，并经由第二开关管传输至第一开关管的栅极，控制第一开关管导通，从而发光器件组导通发光；在使能端(OE2)的下降沿时刻，使扫描信号线停止传输扫描信号至第二开关管的栅极，控制第二开关管关闭，在使能端(OE3)的下降沿时刻，使数据信号线停止传输数据。
请参考图16，为本发明实施例提供的发光器件组的不同亮度的时序控制图。如图16所示，通过改变一帧之内每次扫描时第一开关管开启的次数(数据信号在第二开关管开启时给入正电压表明开启，负电压表明关闭)，从而实现对发光器件组的不同亮度的控制。
请参考图17，为本发明实施例提供的亮度设定和显示数据输出的流程示意图。如图17所示，首先，数据驱动芯片输出电压Vi，然后利用光学测试设备捕捉产品发光强度Li，记录每一组对应的输出电压和发光强度数据(Vi，Li)，多次循环测试记录，继而可以得到输出电压(V)与发光强度(L)之间的曲线关系，然后输出V-L曲线；而后，根据亮度深度，选取需要的亮度档，并将电压值存入数据驱动芯片，形成电压值表Utable，电压值表中的电压根据其存贮位置对应于相应的亮度档；然后数据驱动芯片接收到系统输出的显示数据，并将显示数据分为高位和低位，接着根据高位数据生成帧内扫描占空比，而根据低位数据生成Utable查值索引，取出该电压值；数据驱动芯片进一步根据占空比决定每帧内有多少个扫描周期输出正数据信号，而其余周期内则输出负压信号，并且数据驱动芯片根据电压值表Utable中取出的电压值，决定每次正数据信号的电压，最终输出数据信号，发光器件组中的灯(组)点亮，发出显示数据需要的亮度。
根据本发明实施例的阵列基板的制作方法，利用有源矩阵控制发光器件的开启和关闭，能够减少控制芯片的数量，采用大面积的阴、阳极分层铺设，可以最大程度降低信号的电压失真，降低布线难度，同时消除了线损带来的功耗上升的问题。
本发明另一方面实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板可以通过上述实施例中的阵列基板的制作方法制备得到，所述阵列基板可以包括：
衬底基板；
依次设置于所述衬底基板上的第一电极层、第一绝缘层和第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层整层铺设；
位于在所述第二电极层上的发光器件组，以及位于所述发光器件组上方的平坦层，所述发光器件组的第二电极与所述第二电极层连接；
位于所述平坦层上的驱动电路层，所述驱动电路层包括扫描信号线、第一开关管、第二开关管、数据信号线、存储电容和公共电极层，所述第一开关管的源极通过过孔与第一电极层连接，所述第一开关管的漏极与所述发光器件组的第一电极连接，所述第一开关管的栅极通过过孔与所述第二开关管的源极连接，所述第二开关管的源极与所述存储电容的第一极板连接，所述数据信号线与所述第二开关管的漏极连接，所述扫描信号线与所述第二开关管的栅极连接。
在本发明的一些实施例中，所述阵列基板还可以包括：
与所述第二电极层同层设置的发光器件组引脚垫层，所述发光器件组的第一电极抵设在所述发光器件组引脚垫层上。通过增设发光器件组引脚垫层，可以对发光器件组的第一电极起到支撑垫高作用，从而使得发光器件组转移固定时保持平整，提高阵列基板的平坦度。
本发明实施例中，所述发光器件组可以为单个发光器件或多个发光器件，在所述发光器件组为多个发光器件的情况下，所述多个发光器件并联或串联设置。通过将多个发光器件并联或串联设置，可以实现利用单个控制开关控制多个发光器件的开启和关闭。所述发光器件可以为发光二极管，所述的发光二极管可以是LED、Mini-LED或者Micro-LED
本发明实施例中，所述平坦层可以采用绝缘树脂材料，通过采用具有散光功能的绝缘树脂代替原有的灯(组)保护胶，可以起到柔光作用，提高工艺精度，减少工艺流程。根据发光器件组的柔光需要，可以对树脂材料的成分进行调配，例如混入一些不同折射率的成分，可以达到散光的目的，还可以通过加入一些色组，对产品的整体色度进行调整，甚至，还可以通过加入一定量的荧光剂，实现相同灯(组)产生不同颜色的光。
根据本发明实施例的阵列基板，利用有源矩阵控制发光器件的开启和关闭，能够减少控制芯片的数量，采用大面积的阴、阳极分层铺设，可以最大程度降低信号的电压失真，降低布线难度，同时消除了线损带来的功耗上升的问题。
本发明再一方面实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述实施例中所述的阵列基板，本发明实施例中的显示面板利用有源矩阵控制发光器件的开启和关闭，能够减少控制芯片的数量，采用大面积的阴、阳极分层铺设，可以最大程度降低信号的电压失真，降低布线难度，同时消除了线损带来的功耗上升的问题。
本发明又一方面实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述实施例中所述的显示面板，本发明实施例中的显示装置利用有源矩阵控制发光器件的开启和关闭，能够减少控制芯片的数量，采用大面积的阴、阳极分层铺设，可以最大程度降低信号的电压失真，降低布线难度，同时消除了线损带来的功耗上升的问题。
以上所述是本发明的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上依次形成第一电极层、第一绝缘层和第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层整层铺设；
在所述第二电极层上形成或放置发光器件组，并形成位于所述发光器件组上方的平坦层，所述发光器件组的第二电极与所述第二电极层连接；
形成驱动电路层，所述驱动电路层包括扫描信号线、第一开关管、第二开关管、数据信号线、存储电容和公共电极层，所述第一开关管的源极通过过孔与第一电极层连接，所述第一开关管的漏极与所述发光器件组的第一电极连接，所述第一开关管的栅极通过过孔与所述第二开关管的源极连接，所述第二开关管的源极与所述存储电容的第一极板连接，所述数据信号线与所述第二开关管的漏极连接，所述扫描信号线与所述第二开关管的栅极连接。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成驱动电路层的步骤，包括：
形成位于所述平坦层上的扫描信号线、第一开关管和第二开关管的栅极，所述扫描信号线与所述第二开关管的栅极连接；
形成位于所述栅极上方的有源层；
形成数据信号线、所述第一开关管和所述第二开关管的源极和漏极以及存储电容的第一极板，所述第一开关管的源极通过过孔与第一电极层连接，所述第一开关管的漏极通过过孔与所述发光器件组的第一电极连接，所述第一开关管的栅极通过过孔与所述第二开关管的源极连接，所述第二开关管的漏极与所述存储电容的第一极板同层连接，所述数据信号线与所述第二开关管的漏极同层连接；
依次形成第二绝缘层和公共电极层，所述公共电极层构成所述存储电容的第二极板，所述公共电极层和所述存储电容的第一极板在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述第二电极层的同时，形成发光器件组引脚垫层，所述发光器件组的第一电极抵设在所述发光器件组引脚垫层上。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述发光器件组为单个发光器件或多个发光器件，在所述发光器件组为多个发光器件的情况下，所述多个发光器件并联或串联设置。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述发光器件为发光二极管。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述平坦层采用绝缘树脂材料。
7.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
依次设置于所述衬底基板上的第一电极层、第一绝缘层和第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层整层铺设；
位于在所述第二电极层上的发光器件组，以及位于所述发光器件组上方的平坦层，所述发光器件组的第二电极与所述第二电极层连接；
位于所述平坦层上的驱动电路层，所述驱动电路层包括扫描信号线、第一开关管、第二开关管、数据信号线、存储电容和公共电极层，所述第一开关管的源极通过过孔与第一电极层连接，所述第一开关管的漏极与所述发光器件组的第一电极连接，所述第一开关管的栅极通过过孔与所述第二开关管的源极连接，所述第二开关管的源极与所述存储电容的第一极板连接，所述数据信号线与所述第二开关管的漏极连接，所述扫描信号线与所述第二开关管的栅极连接。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
与所述第二电极层同层设置的发光器件组引脚垫层，所述发光器件组的第一电极抵设在所述发光器件组引脚垫层上。
9.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求7～8中任一项所述的阵列基板。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求9所述的显示面板。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021259311A1 (zh) * 2020-06-23 2021-12-30 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置
WO2022160216A1 (zh) * 2021-01-28 2022-08-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001282139A (ja) * 2000-01-27 2001-10-12 Sharp Corp アクティブマトリックス基板およびその製造方法、並びに、液晶表示装置
US8441420B2 (en) * 2004-09-21 2013-05-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescent display device having plurality of driving transistors and plurality of anodes or cathodes per pixel
CN104049428A (zh) * 2014-06-16 2014-09-17 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法和显示装置
US20150170563A1 (en) * 2013-12-18 2015-06-18 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
CN104835454A (zh) * 2015-06-01 2015-08-12 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光触控面板、其驱动方法显示装置
CN107221291A (zh) * 2017-07-31 2017-09-29 上海天马微电子有限公司 一种显示基板、显示面板及其驱动方法、显示装置
CN109166886A (zh) * 2018-08-20 2019-01-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及oled显示设备
CN109524443A (zh) * 2018-12-17 2019-03-26 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种oled基板及oled显示装置
CN109728000A (zh) * 2019-01-02 2019-05-07 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示基板和显示面板
CN110416226A (zh) * 2019-07-29 2019-11-05 云谷（固安）科技有限公司 一种显示面板及其制作方法和显示装置
CN110429116A (zh) * 2019-07-24 2019-11-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法
CN110491881A (zh) * 2018-05-14 2019-11-22 上海和辉光电有限公司 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法
US20200043949A1 (en) * 2018-07-31 2020-02-06 Lg Display Co., Ltd. Light emitting display apparatus
CN110797384A (zh) * 2019-11-22 2020-02-14 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法
CN110867525A (zh) * 2019-11-21 2020-03-06 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及显示装置
CN110867454A (zh) * 2018-08-28 2020-03-06 三星显示有限公司 有机发光显示装置
CN210349841U (zh) * 2019-09-19 2020-04-17 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种显示面板和显示装置
KR20200049738A (ko) * 2020-04-28 2020-05-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202796009U (zh) * 2012-08-24 2013-03-13 北京京东方光电科技有限公司 一种数模转换器、驱动电路和显示装置
KR101971197B1 (ko) * 2012-11-13 2019-08-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN103021349B (zh) * 2013-01-05 2015-07-01 中山火炬职业技术学院 一种场发射平板显示器的灰度调制方法
CN107742636B (zh) * 2017-10-25 2020-04-03 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN107845739B (zh) * 2017-11-07 2023-10-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled器件、oled显示面板及制备方法
CN108231847B (zh) * 2018-01-02 2020-07-10 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN110264963A (zh) * 2019-05-31 2019-09-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种发光元件的驱动方法及装置
CN111211243B (zh) * 2020-01-09 2022-11-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN111627350B (zh) * 2020-06-23 2022-06-10 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置
CN112736096A (zh) * 2021-01-15 2021-04-30 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001282139A (ja) * 2000-01-27 2001-10-12 Sharp Corp アクティブマトリックス基板およびその製造方法、並びに、液晶表示装置
US8441420B2 (en) * 2004-09-21 2013-05-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescent display device having plurality of driving transistors and plurality of anodes or cathodes per pixel
US20150170563A1 (en) * 2013-12-18 2015-06-18 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
CN104049428A (zh) * 2014-06-16 2014-09-17 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法和显示装置
CN104835454A (zh) * 2015-06-01 2015-08-12 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光触控面板、其驱动方法显示装置
CN107221291A (zh) * 2017-07-31 2017-09-29 上海天马微电子有限公司 一种显示基板、显示面板及其驱动方法、显示装置
CN110491881A (zh) * 2018-05-14 2019-11-22 上海和辉光电有限公司 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法
US20200043949A1 (en) * 2018-07-31 2020-02-06 Lg Display Co., Ltd. Light emitting display apparatus
CN109166886A (zh) * 2018-08-20 2019-01-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及oled显示设备
CN110867454A (zh) * 2018-08-28 2020-03-06 三星显示有限公司 有机发光显示装置
CN109524443A (zh) * 2018-12-17 2019-03-26 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种oled基板及oled显示装置
CN109728000A (zh) * 2019-01-02 2019-05-07 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示基板和显示面板
CN110429116A (zh) * 2019-07-24 2019-11-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法
CN110416226A (zh) * 2019-07-29 2019-11-05 云谷（固安）科技有限公司 一种显示面板及其制作方法和显示装置
CN210349841U (zh) * 2019-09-19 2020-04-17 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110867525A (zh) * 2019-11-21 2020-03-06 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及显示装置
CN110797384A (zh) * 2019-11-22 2020-02-14 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法
KR20200049738A (ko) * 2020-04-28 2020-05-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
司玉娟等: "一种有源有机发光显示屏(AM-OLED)驱动电路的设计", 《发光学报》 *
李玉魁等: "三极FED分段复合衬底电极的特性和制作", 《微纳电子技术》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021259311A1 (zh) * 2020-06-23 2021-12-30 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置
WO2022160216A1 (zh) * 2021-01-28 2022-08-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置
CN115362556A (zh) * 2021-01-28 2022-11-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置
TWI806179B (zh) * 2021-01-28 2023-06-21 中國商京東方科技集團股份有限公司 陣列基板和顯示裝置

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