具体实施方式
[实施方式1]
为了明确元件之间的关系并防止元件之间的混淆,在说明书和权利要求书中,给出“第一”、“第二”、“第三”等序数词。因此,序数词不用于限制元件的数量。
图1是显示装置10的外观图。图1是从显示装置10的前侧、即显示装置10的显示面侧观察到的图。显示装置10是显示静止图像和活动图像的装置。显示装置10被组入电子设备。电子设备的例子包括智能电话、移动电话、平板终端、个人计算机(PC)、电视机等。在以下示出的说明中,将使用在各图中用箭头表示的前、后、左、右、上和下方向。根据本实施方式的显示装置10是OLED显示面板。根据本实施方式的显示装置10具有纵长矩形形状,通过沿竖直方向扫描设于水平方向的扫描线来显示图像。
显示装置10包括矩形薄膜晶体管(TFT)基板11和柔性印刷电路(FPC)12。TFT基板11是由玻璃制成的基板。在基板的一个面上,通过半导体的制造工序形成有各种电路和连接端子。
在此,将对半导体的制造工序的特征进行说明。集成电路(IC)等半导体集成电路通过对玻璃基板或硅基板等平板的表面重复制膜、显影、微量元素注入等的处理来制造。适于各处理的制造装置可在市场获得,并且能够通过纳米级的定位精度和纳米级的尺寸精度执行各工序。制造装置重复用于控制膜质和装置性能的改善的热退火工序、利用向氢氟酸等反应性高的液体或腐蚀性气体的浸渍的加工工序。在下文中,将具有这种特征的半导体的制造工序称作半导体工艺。
FPC 12是与形成于TFT基板11中的连接端子连接的柔性基板。在FPC 12中,安装有与电子设备的控制装置连接的未图示的连接器。显示装置10从电子设备的控制装置经由安装于FPC 12的连接器获得图像信号。
在TFT基板11的中央部设有矩形的显示单元30。在显示单元30中,规则地排列有多个有机发光元件31(参照图4)。后面将对显示单元30的结构进行详细说明。公共阴极电极19设置为覆盖显示单元30的顶面。阴极电极19是例如氧化铟锡(ITO)、透明导电性墨水或者石墨烯制成的透明电极。
沿着TFT基板11的四边,通过半导体工艺,形成有发射控制驱动器14、施加单元15、扫描驱动器16以及保护电路17。以下,将对这种半导体电路进行概略说明。
发射控制驱动器14沿着TFT基板11的右边形成。发射控制驱动器14是基于经由FPC12获得的图像信号来控制显示单元30内设置的各有机发光元件31的发光时间的电路。
施加单元15沿着TFT基板11的下边形成。下面将详细描述施加单元15。
扫描驱动器16沿TFT基板11的左边形成。扫描驱动器16是基于经由FPC 12获得的图像信号来选择并驱动显示单元30的扫描线的电路。保护电路17是防止由于静电放电等引起的显示面板的损坏的电路。
显示单元30、发射控制驱动器14、扫描驱动器16以及保护电路17的前侧被密封板21覆盖。密封板21是具有矩形形状的透明的玻璃板。沿密封板21的四边设置密闭部25。密闭部25是以气密方式将TFT基板11和密封板21连接在一起的部件。密闭部25例如通过使用将低融点玻璃粉等熔融得到的玻璃熔块进行玻璃熔块粘接等来形成。
在施加单元15的下侧安装有驱动IC 18。驱动IC 18是对经由FPC 12获得的图像信号进行处理并控制发射控制驱动器14、施加单元15以及扫描驱动器16的集成电路。驱动IC18的各端子例如经由未图示的各向异性导电膜与设于TFT基板11上的连接端子连接。驱动IC 18是控制有机发光元件31的发光亮度的根据本实施方式的控制单元的一例。
图1的竖直方向所示的粗线箭头表示扫描方向。图1的水平方向所示的粗线箭头表示扫描线方向。扫描线方向表示扫描信号线(参照图18)的配置方向。作为扫描像素33(参照图4)的顺序,可从设置在图1的上侧的像素33向下侧依次扫描像素。
图2是示出显示装置10的硬件结构的图。除上述的FPC 12和TFT基板11以外,显示装置10还包括存储单元56。存储单元56是静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、或闪存等存储装置。
在FPC 12和TFT基板11之间连接有驱动IC 18。存储单元56连接到驱动IC 18。此外,存储单元56可以设置在驱动IC 18的内部。
驱动IC 18处理经由FPC 12获得的图像信号,并将处理后的图像信号输出到TFT基板11的发射控制驱动器14、施加单元15以及扫描驱动器16。发射控制驱动器14、施加单元15以及扫描驱动器16控制显示单元30。下面,将对从驱动IC 18输出的信号与输入到发射控制驱动器14、施加单元15以及扫描驱动器16的信号之间的对应性进行叙述。
图3是示出驱动IC 18的结构的图。驱动IC 18包括:调整单元51;接收单元60;高电压逻辑单元55;模拟控制单元58;模拟输出单元59;以及DC/DC转换器50。调整单元51是能够高速运作的低电压逻辑电路。调整单元51包括:亮度调整单元52;色调调整单元53以及伽玛调整单元54。亮度调整单元52、色调调整单元53以及伽玛调整单元54分别由亮度调整电路、色调调整电路以及伽玛调整电路实现。
调整单元51可以是安装于驱动IC 18内的处理器。在这种情况下,调整单元51从存储单元56或设置于驱动IC 18内的未图示的非易失性存储器读出控制程序,并将读出的控制程序在安装于驱动IC 18内的未图示的DRAM中展开并执行。以上述的该方式,实现亮度调整单元52、色调调整单元53以及伽玛调整单元54。
经由FPC 12将控制信号、图像信号以及输入电源供给到驱动IC 18。图像信号例如是按照由移动产业处理器接口(MIPI)联盟设定的标准的信号。
接收单元60接收图像信号并将接收到的图像信号输出到调整单元51。亮度调整单元52、色调调整单元53以及伽玛调整单元54基于控制信号对图像信号依次进行处理,由此将图像信号调整为根据显示装置10的特性的信号。
基于由调整单元51处理后的图像信号,高电压逻辑单元55生成显示面板控制信号。显示面板控制信号是高电压数字信号。高电压逻辑单元55经由TFT基板11上的配线将显示面板控制信号输出到发射控制驱动器14、施加单元15以及扫描驱动器16。发送到发射控制驱动器14和扫描驱动器16的信号用作两个驱动器的输入信号。发送到施加单元15的信号用作施加单元15的时序控制信号。
调整单元51中的生成用于控制扫描驱动器16的信号的部分是根据本实施方式的第一切换单元的一例。此外,调整单元51中的生成用于控制施加单元15的信号的部分是根据本实施方式的第二切换单元的一例。
模拟控制单元58和模拟输出单元59处理被调整单元51处理后的图像信号,并将输出端子信号输出。输出端子信号是模拟信号。模拟输出单元59将输出端子信号经由设置于TFT基板11上的配线和施加单元15输出到显示单元30。输出端子信号用作显示单元30的模拟输入信号。
DC/DC转换器50基于被调整单元51处理后的图像信号以及输入电源生成显示面板驱动电源,并将生成的显示面板驱动电源供给到设置在TFT基板11上的各电路。各电路通过所供给的显示面板驱动电源而运作。
发射控制驱动器14、施加单元15以及扫描驱动器16控制各有机发光元件31的亮度。显示单元30按照这种控制过程显示图像。
图4是示出有机发光元件31的配置的说明图。图4示出从前侧观察到的显示单元30的局部放大图。在显示单元30中,规则地排列有三种有机发光元件31。在以下给出的说明中,实线所示的具有多边形形状的各图案示意性表示有机发光元件31的发光部分。
在此,第一色有机发光元件311是以第一色发光的有机发光元件31。另外,第二色有机发光元件312是以第二色发光的有机发光元件31。第三色有机发光元件313是以第三色发光的有机发光元件31。在根据本实施方式的显示装置10中,例如,第一色是蓝色,第二色是绿色,第三色是红色。
第一色有机发光元件311在竖直方向上配置成列状。两个第一色有机发光元件311在竖直方向上相互接近而形成一组。各第一色有机发光元件311的形状是在左长边具有凹部的大致“U”形状。该凹部具有大致正方形。该凹部向第一色有机发光元件311的内部凹陷。
第二色有机发光元件312和第三色有机发光元件313中的每一者是具有沿水平方向的长边、具有沿竖直方向的短边、长边和短边的尺寸彼此接近的长方形。第二色有机发光元件312和第三色有机发光元件313具有相同的尺寸。第二色有机发光元件312和第三色有机发光元件313在竖直方向上交替配置。
配置有第一色有机发光元件311的列和配置有第二色有机发光元件312和第三色有机发光元件313的列在水平方向上交替排列。当仅观察配置有第二色有机发光元件312和第三色有机发光元件313的列时,第二色有机发光元件312和第三色有机发光元件313沿各有机发光元件31的长边方向排列。
彼此相邻的第一色有机发光元件311、第二色有机发光元件312以及第三色有机发光元件313这三个有机发光元件31的组形成一个像素33。像素33的边界由双点画线表示。像素33具有矩阵图案的配置。因此,各像素33内各存在有一个的第一色有机发光元件311、第二色有机发光元件312以及第三色有机发光元件313分别具有矩阵图案的配置。在各有机发光元件31之间形成预定的间隔。在此,该预定的间隔例如是比有机发光元件31的一边的长度短的间隔。
根据第一色有机发光元件311、第二色有机发光元件312以及第三色有机发光元件313的亮度值的组合,确定像素33的颜色和亮度。例如,在所有的有机发光元件31的亮度值具有最大值的情况下,像素33的颜色是白色。另一方面,在所有的有机发光元件31是非发光状态的情况下,像素33的颜色是黑色。
图4中由双点画线表示的像素33的边界线是通过彼此相邻的像素33之间的中央的线。像素33的边界线是用于说明的假想线,在显示单元30中不存在表示像素33之间的边界的部件。一个像素33中包含的有机发光元件31的组合通过驱动IC 18的控制来确定。
在此,将对如图4所示配置有机发光元件31的理由进行说明。首先,将对有机发光元件31的结构进行概略说明。图5是显示装置10的剖视示意图。
图5示出沿与显示图像的面垂直的面截取的显示装置10的包括一个有机发光元件31的部分的剖视示意图。如上所述,显示装置10包括TFT基板11和密封板21。在TFT基板11和密封板21之间密封干燥空气24。在密封板21的前侧,设有1/4波长相位差板22和偏光板23。
TFT基板11包括配线部41和像素配置部49。在配线部41中,通过半导体工艺形成发射控制驱动器14、施加单元15、扫描驱动器16、保护电路17以及电气电路。电气电路包括TFT电路输出连接部42。电气电路连接发射控制驱动器14、施加单元15、扫描驱动器16以及保护电路17,并将电荷存储预定的时间段。TFT电路输出连接部42连接该电气电路和各有机发光元件31。
配线部41包括:玻璃基板等透光性基板91;基底绝缘膜92;多晶硅层93;栅极绝缘膜94;第一金属层95;层间绝缘膜96;第二金属层97;以及平坦化层75。下面将详细说明配线部41的结构。
配线部41和像素配置部49通过TFT电路输出连接部42连接在一起。针对一个有机发光元件31设置一个TFT电路输出连接部42。
像素配置部49包括:阳极电极43;公共层47;发光层44;阴极下层48;阴极电极19;罩层45;以及隔离部46。一个阳极电极43连接到一个TFT电路输出连接部42。
阳极电极43是针对每个有机发光元件31分离设置的电极层。在阳极电极43的前侧设有隔离部46。隔离部46是具有矩形孔的绝缘层。隔离部46覆盖TFT电路输出连接部42和阳极电极43的边缘,但不覆盖阳极电极43的中央部。有机发光元件31由阳极电极43的未被隔离部46覆盖的部分以及一部分层叠在阳极电极43的前侧的公共层47、发光层44、阴极下层48、阴极电极19以及罩层45构成。
从形成于隔离部46的孔露出的阳极电极43以及隔离部46被公共层47覆盖。公共层47是有机化合物的层,例如,具有空穴注入层和空穴传输层的双层结构。公共层47在彼此相邻的有机发光元件31之间连续。换言之,公共层47是对彼此相邻的有机发光元件31共同设置的层。
阳极电极43的中央部以及隔离部46中形成的孔的边缘的前侧被发光层44覆盖。发光层44是当被施加电压时以第一色、第二色以及第三色中的一种颜色发光的有机化合物的层、换言之是OLED层。
OLED层和公共层47的前侧被阴极下层48覆盖。阴极下层48是有机化合物的层,例如,是电子传输层。
在阴极下层48的前侧设有阴极电极19。如上所述,阴极电极19是连续地覆盖显示单元30中包含的有机发光元件31的透明电极。换言之,阴极电极19是对彼此相邻的有机发光元件31共同设置的电极。
在阴极电极19的前侧设有罩层45。罩层45与阴极电极19同样地,是连续地覆盖有机发光元件31的层。罩层45是折射率高的透明材质的层。
将对有机发光元件31的操作进行说明。根据施加单元15和扫描驱动器16的操作,经由与有机发光元件31连接的TFT电路输出连接部42对阳极电极43施加电压。根据阳极电极43和阴极电极19之间的电位差,空穴从公共层47注入到发光层44,电子从阴极下层48注入到发光层44。
在发光层44的内部,当根据空穴和电子的再结合产生的激子返回到基态时产生光。换言之,发光层44基于流经阳极电极和阴极电极之间的电流而发光。该光被阳极电极43反射,并通过事阴极电极19,输出到显示装置10的前侧。排列在显示单元30中的有机发光元件31基于从外部输入的图像信号发出光,由此显示装置10显示图像。
在隔离部46的孔的侧面和设置在隔离部46的前侧的发光层44中,由于距离阳极电极43的距离远,空穴和电子难以再结合,由此难以发光。因此,以与形成于隔离部46中的孔的一部分一致的形状进行发光。
罩层45、干燥空气24以及密封板21发挥防止发光层44、公共层47以及阴极下层48由于湿气等劣化以及由于外力被损坏的保护层的作用。
图6是示出OLED显示面板的制造工序的流程图。图7至图17是示出OLED显示面板的制造工序的说明图。将参照图6至图17,对根据本实施方式的显示装置10的制造方法进行概略说明。在此,用于显示装置10的制造的沉积装置、溅射装置、旋转涂布装置、曝光装置、显影装置、蚀刻装置、密封装置、切割装置以及连接这些装置的运送设备等制造装置在图中未示出。这些装置按照预定程序进行运作。
显示装置10的制造者在玻璃基板等透光性基板91的前侧利用半导体工艺制造配线部41(步骤S501)。此时,显示装置10的制造者也制造发射控制驱动器14、施加单元15、扫描驱动器16以及保护电路17。
将对步骤S501的工序进行概要说明。以下,将一个有机发光元件31描述为一例。发射控制驱动器14、施加单元15、扫描驱动器16以及保护电路17的制造工序与以往使用的集成电路的制造工序相同,因此不再示出其说明。
首先,将参照图7和图8示出说明。图7是处于制造工序的途中的显示装置10的剖视示意图。图8是从前侧观察到的图7所示的阶段的显示装置10的图。在根据本实施方式的显示装置10中,虽然针对一个有机发光元件31包括三个场效应晶体管(FET),但是在示意剖视图中对一个有机发光元件31示出一个FET。
制造装置在透光性基板91的一面使用化学气相沉积(CVD)法等例如沉积氮化硅膜等,由此形成基底绝缘膜92。接下来,制造装置在基底绝缘膜92上利用CVD法等沉积非晶硅,并利用准分子激光退火(ELA)进行结晶化以形成具有预定形状的多晶硅层93。
图8所示的双点画线表示与一个有机发光元件31相对应的配线部41的边界。这些双点画线是用于说明的假想线,在配线部41不存在表示边界的部件。在以下示出的说明中,将与一个有机发光元件31相对应的配线部41的一个区域称作配线区域32。
参照图9和图10继续进行说明。图9是处于制造工序的途中的显示装置10的剖视示意图。图10是从前侧观察图9所示的阶段的显示装置10的图。制造装置在多晶硅层93上利用CVD法等例如沉积氧化硅膜等,由此形成栅极绝缘膜94。制造装置通过使用从栅极绝缘膜94的上侧向多晶硅层93添加杂质的掺杂处理,形成具有预定形状的高浓度杂质层931。制造装置利用溅射法等层叠具有预定形状的第一金属层95。第一金属层95包括TFT栅极电极951和存储电容电极952。
在水平方向彼此相邻的配线区域32使用两个TFT栅极电极951连接,两个TFT栅极电极951分别具有在水平方向延伸的直线状。两个TFT栅极电极951连接到扫描驱动器16。
制造装置进行使用第一金属层95作为掩膜向多晶硅层93添加另外的杂质的附加掺杂处理,由此形成具有预定形状的低浓度杂质层932。未被添加杂质的部位是非掺杂层933。
将参照图11和图12继续进行说明。图11是处于制造工序的途中的显示装置10的剖视示意图。图12是从前侧观察图11所示的阶段的显示装置10的图。制造装置利用CVD法等例如沉积氧化硅膜等,由此形成层间绝缘膜96。制造装置对层间绝缘膜96和栅极绝缘膜94进行各向异性刻蚀,由此产生贯穿至多晶硅层93的孔。制造装置利用溅射法等层叠具有预定形状的第二金属层97。此时,在贯穿至多晶硅层93的孔的一部分中形成有连接多晶硅层93和第二金属层97的层间连接部971。
在竖直方向相邻的配线区域32通过两个第二金属层97连接,两个第二金属层97分别具有在竖直方向延伸的直线状。两个第二金属层97中,左侧的一个第二金属层与施加单元15连接,右侧的一个第二金属层与正电源VDD连接。
如图8、图10和图12所示,在至此的工序中,具有大致相同结构的配线区域32以矩阵图案配置于显示单元30中。
将参照图13和图14继续进行说明。图13是处于制造工序的途中的显示装置10的剖视示意图。图14是从前侧观察图13所示的阶段的显示装置10的图。制造装置利用旋转涂布法等沉积感光性有机材料,由此形成平坦化层75。制造装置利用各向异性刻蚀等产生贯穿至第二金属层97的孔。以上述的该方式,配线部41的制造工序结束,TFT部98和存储电容器99完成。
将利用图6所示的流程图、图13和图14继续说明。制造装置制造TFT电路输出连接部42和阳极电极43(步骤S502)。具体而言,例如,气相沉积装置将金属薄膜沉积在贯穿至平坦化层75的前表面以及第二金属层97的孔的内表面。旋转涂布装置、曝光装置、显影装置以及蚀刻装置以预定的形状移除金属薄膜,由此制作阳极电极43以及连接阳极电极43和第二金属层97的TFT电路输出连接部42。
将对阳极电极43的形状进行说明。阳极电极43包括第一色阳极电极431、第二色阳极电极432、第三色阳极电极433。第一色阳极电极431是第一色有机发光元件311的阳极电极43。第一色阳极电极431具有长方形。第一色阳极电极431在从中心向左上方倾斜的位置处经由TFT电路输出连接部42连接到第二金属层97。第二色阳极电极432是第二色有机发光元件312的阳极电极43。第二色阳极电极432具有小矩形从矩形的上边缘处连续的形状。第二色阳极电极432在该小矩形的一部分处经由TFT电路输出连接部42连接到第二金属层97。第三色阳极电极433是第三色有机发光元件313的阳极电极43。第三色阳极电极433具有小矩形从矩形的左下角处连续的形状。第三色阳极电极433在该小矩形的一部分处经由TFT电路输出连接部42连接到第二金属层97。
将参照图15、图16以及图6继续说明。图15是处于制造工序的途中的显示装置10的剖视示意图。图16是从前侧观察图15所示的阶段的显示装置10的图。
制造装置制作隔离部46(步骤S503)。具体而言,例如,在旋转涂布装置沉积感光性的有机树脂膜之后,曝光装置曝光预定的图案,显影装置以及蚀刻装置移除不需要的部分,由此制作隔离部46。
现将对隔离部46中形成的孔的形状进行说明。第一色阳极电极431的前侧形成的隔离部46的孔具有包围TFT电路输出连接部42的大致“U”形状。第二色阳极电极432和第三色阳极电极433的前侧设置的隔离部46的孔具有矩形。
如上所述,阳极电极43的未被隔离部46覆盖的部分的形状与参照图4说明的有机发光元件31的形状一致。
制造装置制作公共层47(步骤S504)。具体而言,例如,气相沉积装置将包括空穴注入层和空穴输送层这两层的有机材料层沉积在阳极电极43和隔离部46的前侧。此外,公共层47被制作为根据在公共层47的前侧制作的发光层44的发光色而具有不同的厚度。具体而言,位于形成有红色的发光层44的位置处的公共层47较厚,位于形成有蓝色的发光层44的位置处的公共层47较薄。通过如此设置,使用在发光层44中产生并进入到公共层47的光,可以高效地辐照前侧。
将参照图17和图6继续进行说明。图16是从前侧观察处于制造工序的途中的显示装置10的图。图17具有与图16不同的比例尺,示出比图16更广的范围。
制造装置制作发光层44(步骤S505)。发光层44包括第一色发光层441、第二色发光层442以及第三色发光层443这三种。第一色发光层441是以第一色发光的发光层44。第二色发光层442是以第二色发光的发光层44。第三色发光层443是以第三色发光的发光层44。
由于发光层44的材料的耐久性低,因此难以通过包括热退火工序、向反应性高的液体的浸渍、以及使用腐蚀性气体的加工等的半导体工艺形成发光层44。因此,制造装置使用金属掩膜仅在预定位置选择性地沉积发光层44。
现在将对发光层44的制造方法进行说明。使用包括具有图17所示的第一色发光层441的形状的孔的金属掩膜,气相沉积装置进行具有预定形状的第一色发光层441的气相沉积。之后,使用包括具有第二色发光层442的形状的孔的金属掩膜,气相沉积装置进行具有预定形状的第二色发光层442的气相沉积。另外,通过使用包括具有第三色发光层443的形状的孔的金属掩膜,气相沉积装置进行具有预定形状的第三色发光层443的气相沉积。
另外,第一色发光层441形成于在竖直方向上彼此相邻的两个第一色有机发光元件311上。针对一个第二色有机发光元件312形成一个第二色发光层442。同样地,针对一个第三色有机发光元件313形成一个第三色发光层443。
在此,第一色发光层441、第二色发光层442以及第三色发光层443的制作顺序可改变。
气相沉积装置制作阴极下层48(步骤S506)。气相沉积装置依次制作阴极电极19和罩层45(步骤S507)。阴极下层48、阴极电极19以及罩层45是在整个显示单元30上延伸的层,因此不需要以高精度制作。
密封装置以气密方式将密封板21的边缘密封(步骤S508)。之后,制造装置将1/4波长相位差板22和偏光板23附接到密封板21的前侧。根据以上所述的工序,OLED显示面板完成。
另外,显示装置10的制造者可使用自动制造设备,该自动制造设备自动控制各制造工序使用的设备以及连接设备的运送设备,进行一系列的制造工序。在这种情况下,上述的各步骤的判断和执行由自动制造设备的控制装置进行。
1/4波长相位差板22和偏光板23可在步骤S506之后附接到密封板21的表面。另外,可将在一个大的玻璃基板上形成的多个TFT基板11在步骤S507和步骤S508之间或者步骤S508之后通过切割设备切割为预定尺寸。
将对在步骤S505中产生发光层44时使用的金属掩膜的形状进行说明。如上所述,在步骤S505的工序中,难以使用半导体工艺,因此,金属掩膜的尺寸精度和定位精度比步骤S501至S503低很多。为了使用发光层44可靠地覆盖形成于隔离部46中的孔,需要在本工序中使用的掩膜中形成具有充分大的尺寸的孔。另一方面,为了避免与相邻的发光层44混合,需要隔离部46中形成的孔相互充分分离。
为了获得明亮的显示装置10,优选各有机发光元件31较大。另外,为了延长OLED显示面板的寿命,优选各有机发光元件31较大。另一方面,为了将显示装置10高精密化,需要紧密地配置大量小的有机发光元件31。
在此,返回到图4,将对根据本实施方式的有机发光元件31的配置进行说明。图4所示的有机发光元件31的配置是在配置有小的有机发光元件31的显示装置10中能够增大有机发光元件31的面积的配置。参照图17对此更详细地进行说明。通过使用金属掩膜的一个孔产生与彼此相邻的两个第一色有机发光元件311相对应的隔离部46的孔,能够减小这两个隔离部46的宽度。随着隔离部46的宽度减小,能够增大第一色有机发光元件311的尺寸。
对使有机发光元件31发光的电路的例子进行说明。图18是示出使一个有机发光元件31发光的电路的电路图。在图18中,使用表示有机发光二极管的OLED的图形符号说明一个有机发光元件31。
图18所示的电路包括像素电路13和施加单元15。像素电路13由有机发光元件31以及与有机发光元件31连接的外围电路构成。图18示出与像素电路13中包括的一个有机发光元件31相对应的模块。在像素电路13中,与有机发光元件31的数量相对应的模块以矩形图案配置。显示装置10的显示单元30包括多个像素电路13。
施加单元15是防止由于来自相邻的有机发光元件31的漏电流导致有机发光元件31发光的串扰的电路。图18示出施加单元15中包括的与扫描方向上的两列有机发光元件31相对应的模块。在施加单元15中,与显示单元30的沿扫描线方向配置的有机发光元件31的数量相对应的模块配置成一列。
除有机发光元件31以外,像素电路13还包括开关TFT 26、驱动TFT 27、施加TFT 28以及存储电容器99。驱动TFT 27是控制阳极电极43和阴极电极19之间流经的电流的根据本实施方式的控制元件的一例。在本说明书和附图中,虽然P沟道型TFT被示作TFT的一例,但是可使用能够实现本文所述的显示装置10的结构的N沟道型TFT。
正电源VDD、负电源VSS、第n个扫描信号线Yn、第n个施加信号线Yn_r以及第m个施加输出线Xm连接到像素电路13。在此,n是等于或大于1且小于或等于扫描信号线的数量的整数。另外,m是等于或大于1且小于或等于下述的图像信号线Vdata_m的数量的整数。数字信号从扫描驱动器16被供给到扫描信号线Yn和施加信号线Yn_r。在下面给出的说明中,将从扫描信号线Yn供给到像素电路13的数字信号记载为扫描信号Yn。同样地,将从施加信号线Yn_r向像素电路13供给的数字信号记载为施加信号Yn_r。施加单元15的模拟输出被供给到施加输出线Xm。在下述的说明中,将从施加单元15经由施加输出线Xm供给到像素电路13的模拟信号记载为施加输出Xm。
扫描信号线Yn和施加信号线Yn_r连接到沿扫描线方向配置的多个像素33中包括的有机发光元件31的像素电路13。施加输出线Xm连接到沿显示单元30的扫描方向配置的多个像素33中包括的有机发光元件31的像素电路13。
正电源VDD连接到存储电容器99的第一电极以及驱动TFT 27的源电极。负电源VSS连接到有机发光元件31的阴极电极19。扫描信号线Yn连接到开关TFT 26的栅极电极。施加信号线Yn_r连接到施加TFT 28的栅极电极。施加输出线Xm连接到开关TFT 26和施加TFT28的源极电极。
开关TFT 26的漏极电极连接到存储电容器C1的第二电极以及驱动TFT 27的栅极电极。驱动TFT 27的漏极电极经由TFT电路输出连接部42连接到有机发光元件31的阳极电极43以及施加TFT 28的漏极电极。换言之,阳极电极43连接到根据本实施方式的控制元件的一例。
施加单元15针对一个施加输出线Xm具有第一开关291和第二开关292这两个开关29。在第一开关291和第二开关292之间连接施加输出线Xm。第二开关292的另一端与施加电源线Vref连接。
第一开关291对施加输出线Xm和第m个图像信号线Vdata_m之间的连接的存在/不存在进行切换。根据从驱动IC 18经由图像选择信号线Vsel供给的数字信号来控制第一开关291。在以下给出的说明中,将从图像选择信号线Vsel供给到像素电路13的数字信号记载为图像选择信号Vsel。
模拟图像信号从驱动IC 18被供给到图像信号线Vdata_m。在以下给出的说明中,将从图像信号线Vdata_m供给到像素电路13的模拟信号记载为图像信号Vdata_m。图像信号Vdata_m是用于控制各有机发光元件31的亮度的信号。
第二开关292对施加输出线Xm和施加电源线Vref之间的连接的存在/不存在进行切换。根据从驱动IC 18经由施加选择信号线Vrst供给的数字信号来控制第二开关292。在以下给出的说明中,将从施加选择信号线Vrst供给到像素电路13的数字信号记载为施加选择信号Vrst。
施加单元15将预定电位的模拟DC电源经由施加电源线Vref供给到像素电路13。该预定电位例如是通过向阴极电极19的电位添加有机发光元件31的阈值电压得到的电位或者更小的电位。
在此,有机发光元件31的阈值电压是与有机发光元件31的发光/非发光有关的电压。有机发光元件31的阈值电压表示即使当阳极电极43的电位设定为比阴极电极19的电位高该阈值电压时有机发光元件31也不发光的最大电压。换言之,当阳极电极43和阴极电极19之间的电位差超过有机发光元件31的阈值电压时,有机发光元件31开始发光。预定的电位例如可以是比阴极电极19的电位低的电位(例如,负电源VSS)。
在下面给出的说明中,将从施加电源线Vref向像素电路13供给的模拟电源记载为施加电源Vref。
图19是示出驱动TFT 27的输出特性的说明图。将参照图18和图19说明像素电路13的操作。
图19中,横轴表示驱动TFT 27的输出电压Vds。在图19中,纵轴表示驱动TFT 27的输出电流Ids。在图19中,实线表示驱动TFT 27的栅极电极和源极电极之间的电位差Vgs是-1.5V、-2.0V、-2.5V、-3.0V以及-3.5V的情况下的驱动TFT 27的输出电压Vds和输出电流Ids之间的关系。在图19中,虚线表示OLED的阳极电极43和阴极电极19之间的电流和电压之间的关系的I-V特性。
图20是示出像素电路13和施加单元15的操作的时序图。图20中,横轴表示时间。图20所示的上面的时序图表示第n个扫描信号Yn、第n个施加信号Yn_r、第(n+1)个扫描信号Yn+1、第(n+1)个施加信号Yn+1_r、施加选择信号Vrst以及图像选择信号Vsel的状态。在图20所示的上面的时序图中,纵轴表示,上边沿处于断开状态、下边沿表示接通状态。断开状态的信号是所谓的高电平信号。接通状态的信号是所谓的低电平信号。
图20所示的下面的时序图示出第k个有机发光元件31的阳极电极43的电位Vk以及第(k+1)个有机发光元件31的阳极电极43的电位(Vk+1)。在此,第k个有机发光元件31是任意的有机发光元件31。另外,k是大于或等于2且小于或等于有机发光元件31的总数的整数。另外,第(k+1)个有机发光元件31是与第k个有机发光元件31相邻的另一有机发光元件31。第k个有机发光元件31和第(k+1)个有机发光元件31连接到同一施加输出线Xm。第k个有机发光元件31连接到第n个扫描信号线Yn和第n个施加信号线Yn_r。第(k+1)个有机发光元件31连接到第(n+1)个扫描信号线Yn+1以及第(n+1)个施加信号线Yn+1_r。在图20所示的下面的时序图中,纵轴表示电位。在图20所示的下面的时序图中,使用虚线表示施加电源Vref和负电源VSS。
将从第n个扫描信号Yn、第n个施加信号Yn_r、第(n+1)个扫描信号(Yn+1)、第(n+1)个施加信号(Yn+1_r)、施加选择信号Vrst以及图像选择信号Vsel全部断开、第k个和第(k+1)个有机发光元件31不发光的状态开始说明。另外,以输入表示第k个有机发光元件31的非发光状态、第(k+1)个有机发光元件31的发光状态的图像信号Vdata_m的情况为例进行说明。
在时刻t1,驱动IC 18将第n个施加信号Yn_r和施加选择信号Vrst设为接通状态。在施加选择信号Vrst处于接通状态的情况下,第二开关292将施加输出线Xm和施加电源线Vref连接在一起。在施加信号线Yn_r处于接通状态的情况下,施加TFT 28将施加输出线Xm经由TFT电路输出连接部42连接到第k个有机发光元件31的阳极电极43。因此,第k个有机发光元件31的阳极电极43的电位Vk具有与施加电源Vref相同的电位。
如此,将经由施加输出线Xm将阳极电极43的电位Vk设定为与施加电源Vref相同的电位称作对阳极电极43施加与施加电源Vref相同的电位。如上所述,施加电源Vref是供给小于或等于有机发光元件31的阈值电压的电位、或者比负电源VSS的电位小的电位的模拟DC电源。有机发光元件31的阴极电极19具有与负电源VSS的电位相同的电位。因此,在时刻t1,对第k个有机发光元件31的阳极电极43施加小于或等于有机发光元件31的阈值电压的电位、以及比阴极电极19的电位低的电位。
在时刻t2,驱动IC 18将第n个施加信号Yn_r和施加选择信号Vrst设定为断开状态。在施加选择信号Vrst处于断开状态的情况下,第二开关292从施加电源线Vref阻断施加输出线Xm。在施加信号线Yn_r处于接通状态的情况下,施加TFT 28从TFT电路输出连接部42阻断施加输出线Xm。
在时刻t3,驱动IC 18将第n个扫描信号Yn和图像选择信号Vsel设定为接通状态。在时刻t2和时刻t3之间,优选设置大约0.5微秒的间隔。其原因是,当对驱动IC 18的输出端子施加了施加电源Vref的情况下,存在驱动IC 18损坏的可能性。
在图像选择信号Vsel处于接通状态的情况下,第一开关291将施加输出线Xm连接到第m个图像信号线Vdata_m。在扫描信号Yn处于接通状态的情况下,开关TFT 26将施加输出线Xm连接到驱动TFT 27的栅极电极和存储电容器99。
如上所述,在图20所示的时序图中,表示非发光状态的图像信号Vdata_m被输入到第k个有机发光元件31。驱动TFT 27的栅极电极和源极电极之间的电位差Vgs较小,驱动TFT 27的源极电极和漏极电极之间的输出电流Ids不流动。因此,第k个有机发光元件31不发光。
在时刻t4,驱动IC 18将第n个扫描信号Yn设定为断开状态。在扫描信号Yn处于断开状态的情况下,开关TFT 26从驱动TFT 27的栅极电极和存储电容器99阻断施加输出线Xm。
时刻t3和时刻t4之间的时间段是根据该实施方式的第一时间段的一例。根据本实施方式的控制单元在第一时间段内对第k个有机发光元件31的像素电路13施加根据图像信号的电位。
在时刻t5,驱动IC 18将图像选择信号Vsel设定为断开状态。在图像选择信号Vsel处于断开状态的情况下,第一开关291从第m个图像信号线Vdata_m阻断施加输出线Xm。
从时刻t1至时刻t5,驱动IC 18完成图像信号向第n个扫描线中包含的多个有机发光元件31的输入。
在时刻t6,驱动IC 18将第(n+1)个施加信号Yn+1_r和施加选择信号Vrst设定为接通状态。在施加选择信号Vrst处于接通状态的情况下,第二开关292将施加输出线Xm连接到施加电源线Vref。在施加信号线Yn+1_r处于接通状态的情况下,第(n+1)个施加TFT 28将施加输出线Xm经由TFT电路输出连接部42连接到第(k+1)个有机发光元件31的阳极电极43。因此,第(k+1)个有机发光元件31的阳极电极43的电位Vk+1成为施加电源Vref。
在时刻t7,驱动IC 18将第(n+1)个施加信号Yn+1_r和施加选择信号Vrst设定为断开状态。在施加选择信号Vrst处于断开状态的情况下,第二开关292从施加电源线Vref阻断施加输出线Xm。在施加信号线Yn+1_r处于断开状态的情况下,施加TFT 28从TFT电路输出连接部42阻断施加输出线Xm。
在时刻t8,驱动IC 18将第(n+1)个扫描信号Yn+1和图像选择信号Vsel设定为接通状态。在图像选择信号Vsel处于接通状态的情况下,第一开关291将施加输出线Xm连接到第m个图像信号线Vdata_m。在扫描信号Yn+1处于接通状态的情况下,开关TFT 26将施加输出线Xm连接到驱动TFT 27的栅极电极以及存储电容器99。
如参照图18所说明的,根据驱动TFT 27的栅极电极和源极电极之间的电位差Vgs,输出电流Ids流经驱动TFT 27的源极电极和漏极电极之间。根据输出电流Ids,有机发光元件31发光。在以下给出的说明中,将对第(k+1)个有机发光元件31的阳极电极43施加的电位记载为“α”。电位α是正电源VDD和负电源VSS之间的电位,并根据施加输出线Xm的电位来确定。根据施加输出线Xm的电位,在存储电容器99中积蓄电荷。
在时刻t9,驱动IC 18将第(n+1)个扫描信号Yn+1设定为断开状态。在时刻t8和时刻t9之间,将在存储电容器99中储存充分的电荷的时间设定为间隔。在第(n+1)个扫描信号Yn+1被设定为断开状态的情况下,开关TFT 26从驱动TFT 27的栅极电极和存储电容器99阻断施加输出线Xm。
时刻t8到时刻t9的时间段是根据本实施方式的第一时间段的一例。根据本实施方式的控制单元在该第一时间段内对第(k+1)个有机发光元件31的像素电路13施加根据图像信号的电位。
在时刻t10,驱动IC 18将图像选择信号Vsel设定为断开状态。在图像选择信号Vsel为断开状态的情况下,第一开关291从第m个图像信号线Vdata_m阻断施加输出线Xm。
在时刻t10以后,第(k+1)个有机发光元件31的阳极电极43的电位根据储存在存储电容器99中的电荷来维持。以这种方式,第(k+1)个有机发光元件31继续发光。
从时刻t6至时刻t10,驱动IC 18完成图像信号向第(n+1)个扫描线中包含的多个有机发光元件31的输入。以后,驱动IC 18对与一个画面相对应的扫描线重复相同的操作,由此在显示单元30上显示与一个画面相对应的图像。
在时刻t21,驱动IC 18将第n个施加信号Yn_r和施加选择信号Vrst设定为接通状态。在施加选择信号Vrst为接通状态的情况下,第二开关292将施加输出线Xm连接到施加电源线Vref。在施加信号Yn_r处于接通状态的情况下,施加TFT 28将施加输出线Xm经由TFT电路输出连接部42连接到第k个有机发光元件31的阳极电极43。因此,第k个有机发光元件31的阳极电极43的电位Vk具有与施加电源Vref的电位相同的电位。
时刻t4到时刻t21的时间段是根据本实施方式的第二时间段的一例。根据本实施方式的控制单元在第二时间段内,基于在第一时间段对像素电路13施加的电位,经由本发明的根据本实施方式的控制元件控制第k个有机发光元件31的发光亮度。换言之,驱动IC18将第k个有机发光元件31在从时刻t4开始且在时刻t21结束的第二时间段控制为非发光状态。
如上所述,施加单元15在第二时间段开始之前的时刻t1到时刻t2的时间段,将比作为阴极电极19的电位的负电源VSS低的施加电源Vref施加于第k个有机发光元件31的阳极电极43。
以后,驱动IC 18重复与时刻t2以后相同的操作,由此在显示单元30上显示与下一个画面相对应的图像。
图21是说明施加单元15的操作的剖视示意图。图21是包括三个有机发光元件31的显示装置10的一部分的剖视示意图。在图21中,以简化方式图示有机发光元件31的一部分的剖面结构,并以更简单的方式图示TFT部分的剖面结构。参照图20和图21对根据本实施方式的施加单元15的操作进行说明。
如图21所示,第k个有机发光元件31和第(k+1)个有机发光元件31之间的距离D是隔离部46和阳极电极43之间的界面上的隔离部46的长度D。
第(k-1)个、第k个以及第(k+1)个有机发光元件31是在扫描方向上彼此相邻的三个有机发光元件31。第k个有机发光元件31是任意的有机发光元件31。第k个有机发光元件31连接到第n个扫描信号线Yn和施加信号线Yn_r。第(k+1)个有机发光元件31连接到第(n+1)个扫描信号线Yn+1和施加信号线Yn+1_r。
第k个有机发光元件31的阳极电极43在时刻t4至时刻t20被从其他的电路阻断。然而,彼此相邻的有机发光元件31通过公共层47连接。在时序图中未示出,但是与相反侧相邻的第(k-1)个有机发光元件31处于非发光状态,并且除当第(k-1)个有机发光元件31连接到施加输出线Xm的时间以外,被从其他的电路阻断。
黑圈表示第k个有机发光元件31的阳极电极43侧储存的负的电荷、即电子。如上所述,电子通过由阳极电极43、阴极电极19以及介于它们之间的有机膜的层构成的电容器储存。
在第(k+1)个有机发光元件31的发光时间段期间中,从存储电容器99经由阳极电极43供给到公共层47的空穴的一部分形成漏电流A,并流入到第k个有机发光元件31的公共层47。但是,漏电流A与流经有机发光元件31的电流相比小得多。因此,漏电流A对有机发光元件31的发光状态的影响几乎可以忽略。
如上所述,在施加电源Vref的电位在时刻t1至时刻t2之间施加于第k个有机发光元件31的阳极电极43之后,该阳极电极被从其他的电路阻断。如参照图5所说明的,有机发光元件31具有多个有机膜的层介于阳极电极43和阴极电极19之间的结构。因此,在有机发光元件被从其他的电路阻断的情况下,与电容器同样地,有机发光元件具有维持电荷和电位差的性质。在以下给出的说明中,将有机发光元件31视作电容器的情况下的静电电容被记载为内部电容。
如图20所示,在时刻t2,第k个有机发光元件31的阳极电极43的电位Vk例如比作为阴极电极19的电位的负电源VSS的电位低。因此,第k个有机发光元件31的阳极电极43维持电子。阳极电极43所保持的电子的量与阳极电极43和阴极电极19之间的电位差以及有机发光元件31的内部电容成比例。
由于漏电流A而流入到公共层47的空穴与阳极电极43中维持的电子再结合,并消失。因此,由于漏电流A而流入到公共层47的空穴不到达发光层44。换言之,阳极电极43中维持的反向偏压将漏电流取消。因此,不会发生第k个有机发光元件31由于漏电流而发光的串扰。
在第k个有机发光元件31中,在时刻t2至时刻t21,由于漏电流A而流入到阳极电极43的空穴消失。由于空穴的消失,如图20所示,第k个有机发光元件31的阳极电极43的电位Vk逐渐升高。但是,由于第k个有机发光元件31的阳极电极43的电位Vk维持为比负电压VSS的电位低,因此不会发生由于空穴流入发光层44引起的发光。
如上所述,第k个有机发光元件31具有在显示单元显示一个画面的时间段,将阳极电极43和阴极电极19之间的电位差维持在不会引起有机发光元件31发光的值的内部电容。换言之,该时间段等同于显示图像要被更新的竖向扫描时间段。
即,有机发光元件31的内部电容在有机发光元件31不发光的竖向扫描时间段中维持电位以满足式(1)。
[数值表达式1]
Vanode-Vcathode≤Voledth …(1)
Vanode是阳极电极的电位。
Vcathode是阴极电极的电位。
Voledth是有机发光元件的阈值电压。
为了抑制公共层的漏电流的影响,施加电源Vref的电位优选小于或等于阴极电极的电位,但是,在满足条件的情况下,不一定必须小于或等于阴极电极的电位,而可以是至少小于或等于有机发光元件的阈值的电压。
根据本实施方式的显示装置10包括显示单元30、控制单元以及施加单元15。在此,控制单元例如是驱动IC 18。
显示单元30包括多个像素电路13,每个像素电路13包括有机发光元件31和控制元件二者。有机发光元件31包括通过在阴极电极19和阳极电极43之间流经的电流而发光的发光层44。控制元件控制该电流。控制元件例如是驱动TFT 27。
驱动IC 18在第一时间段将根据图像信号的电位施加于像素电路13,在第一时间段之后的第二时间段基于施加的电位经由驱动TFT 27控制有机发光元件31的发光亮度。有机发光元件31在第二时间段期间根据如上所述所施加的电位,向发光状态或非发光状态转变。通常,将第二时间段称作发光时间段。
第一时间段是发光时间段之前的时间段。第一时间段称作数据电压写入时间段。数据电压是基于图像信号的电位(换言之,电压)。例如,驱动IC 18确定数据电压。
施加单元15在第二时间段开始之前,将小于或等于有机发光元件31的阈值电压的电压施加于阳极电极43。根据该施加的电压(也称作偏置电压),防止基于漏电流的有机发光元件31的发光(也称作串扰)。
有机发光元件31具有内部电容,在所述控制单元控制有机发光元件不发光时要更新显示图像的竖向扫描时间段,所述内部电容将阳极电极43和阴极电极19之间的电位差维持在小于或等于阈值的电压,所述阳极电极的电位由所述施加单元施加。更具体而言,在有机发光元件31在驱动IC 18的控制下处于非发光状态的情况下,有机发光元件31的内部电容使电位差为预定值或更大。在此,电位差是通过施加单元15施加的电位差。
显示一个画面的时间段例如是1/30秒或1/60秒,但不限于此。内部电容例如是在以下实施方式中说明的Coled。
根据本实施方式,能够提供使用简单结构防止串扰发生的OLED显示装置10。
在本实施方式中,以对显示装置10使用向设置在配线部41的相反侧的面发射光的顶部发光型OLED显示面板的情况为例进行了说明。但是,也可以对显示装置10使用向配线部41侧发射光的底部发光型OLED显示面板。
有机发光元件31的形状不限于图4所示的形状。例如,第一色有机发光元件311的形状可以是长方形。在第一色有机发光元件311是长方形的情况下,优选地,通过改变配线部41的配线,将TFT电路输出连接部42和第一色有机发光元件311设置为不相互重叠。作为第一色有机发光元件311的形状,可采用各种形状中的一种。例如,第一色有机发光元件311的形状是具有至少四边的形状。在此,具有至少四边的形状例如是四边形。另外,具有至少四边的形状例如是将四边形的角部倒角得到的形状。另外,第一色有机发光元件311的形状也可以是椭圆形或卵形。另外,第一色有机发光元件311的形状可以是在中央配置有TFT电路输出连接部42的圆状。
作为第二色有机发光元件312和第三色有机发光元件313中的每一者的形状,可采用各种形状中的一种形状。例如,第二色有机发光元件312和第三色有机发光元件313中每一者的形状是具有至少四边的形状。在此,具有至少四边的形状例如是四边形。另外,具有至少四边的形状例如是将四边形的角部倒角得到的形状。另外,第二色有机发光元件312和第三色有机发光元件313的每一者的形状可以是椭圆形或卵形。另外,第二色有机发光元件312的尺寸和形状可以与第三色有机发光元件313的尺寸和形状不同。
显示单元30可具有在水平方向比竖直方向上更长的横长的长方形形状。显示单元30可以具有正方形。
在显示单元30中,可仅设置仅一种颜色的有机发光元件31。例如,通过仅将白色的有机发光元件31设置在显示单元30,可实现单色的显示装置10。另外,在显示单元30中,可设置四种颜色或更多颜色的有机发光元件31。
通过使整个显示单元30以白色或其他任意的颜色发光,能够将显示装置10用作照明用的有机发光装置。
[实施方式2]
本实施方式涉及规定了彼此相邻的两个有机发光元件31之间的尺寸的显示装置10。图22是示出根据实施方式2的有机发光元件31的配置的说明图。参照图22对根据本实施方式的显示装置10进行说明。不再示出与实施方式1共同的部分的描述。
第二色有机发光元件312的上边与第三色有机发光元件313的下边相对的部分的长度是W。第二色有机发光元件312的上边与第三色有机发光元件313的下边之间的距离是D。在此,W也称作开口宽度、开口长度或发光宽度。另外,D也称作彼此相邻的像素之间的间隔或彼此相邻的像素之间的距离。
根据制造隔离部46时的装置的特性和制造条件,隔离部46的孔的边缘具有相对于前侧倾斜地敞开的形状。在这种形状的情况下,在隔离部46和阳极电极43之间的边界面,第二色有机发光元件312的上边与第三色有机发光元件313的下边相对的部分的长度是W。另外,在隔离部46和阳极电极43之间的边界面,第二色有机发光元件312的上边与第三色有机发光元件313的下边之间的距离是D。
虽然未图示,但是公共层47的厚度为T。在公共层47的厚度不均等的情况下,厚度T由设置在第二色有机发光元件312的上边和第三色有机发光元件313的下边之间的公共层47的平均厚度定义。
根据本实施方式的显示单元30满足式(2)。
[数值表达式2]
其中,ρ是公共层47的电阻率。“电阻率”在此表示“电阻系数”并也称作“比电阻”。在本实施例中,ρ是横向方向的电阻率,也可以称作“横向电阻率”。
T是第二色有机发光元件312和与其相邻的第三色有机发光元件313之间的公共层47的厚度。
D是第二色有机发光元件312的上边与第三色有机发光元件313的下边之间的距离。
W是第二色有机发光元件312的上边与第三色有机发光元件313的下边彼此相对的部分的长度。
Coled是第二色有机发光元件312的内部电容。
Fr是显示图像要被更新的竖向扫描时间段。
在以下给出的说明中,将显示单元30显示一个画面的时间段Fr称作一帧。根据式(2),作为公共层47的位于第二色有机发光元件312的上边与第三色有机发光元件313的下边之间的区域内的部分的电阻值的漏电阻值与第二色有机发光元件312的内部电容之积比一帧小。换言之,第二色有机发光元件312的内部电容比通过将时间段Fr除以第二色有机发光元件312和与第二色有机发光元件312相邻的第三色有机发光元件313之间的公共层47的电阻值得到的值大。
因此,在第二色有机发光元件312处于非发光状态的1帧期间,由于两个有机发光元件31之间的漏电流而上升的第二色有机发光元件312的阳极电极43的电位被维持为小于或等于负电源VSS的电位。因此,能够防止串扰的发生。
根据本实施方式,通过将有机发光元件31设计为满足式(2),可提供防止串扰的显示装置10。
在本实施方式中,第二色有机发光元件312优选为绿色的有机发光元件31。对其理由进行说明。在将包括红色、绿色、蓝色三色的有机发光元件31相互比较的情况下,绿色的有机发光元件31以比其他色的有机发光元件31低的电位差Vgs发光。另外,由于绿色具有高视觉灵敏度,以及对于由较弱的串扰引起的发光,使用者在画质低的情况下也能够感知。因此,通过仅防止绿色的有机发光元件31的串扰的发生,能够防止由串扰引起的显示装置10的画质的下降。
在本实施方式中,对由从第三色有机发光元件313流动的漏电流引起的第二色有机发光元件312的串扰的防止进行说明。对于防止由从第二色有机发光元件312流动的漏电流引起的第三色有机发光元件313的串扰的情况,也可使用同样的公式。
在式(2)中示出的ρ、D、T、W针对有机发光元件31的各边不同的情况下,根据本实施方式的显示单元30优选满足式(3)。
[数值表达式3]
其中,n是1至4的整数。
ρn是有机发光元件31的第n边和与第n边相邻的有机发光元件31之间的公共层47的电阻率。
Tn是有机发光元件31的第n边和与第n边相邻的有机发光元件31之间的公共层47的厚度。
Dn是有机发光元件31的第n边和与第n边相邻的有机发光元件31之间的距离。
Wn是有机发光元件31的第n边和与第n边相邻的有机发光元件31的边彼此相对的部分的长度。
Coled是有机发光元件31的内部电容。
Fr是显示图像要被更新的竖向扫描时间段。
[实施方式3]
本实施方式涉及规定一个像素33内包含的3个有机发光元件31之间的尺寸的显示装置10。图23是示出根据实施方式3的有机发光元件31的配置的说明图。参照图23对根据本实施方式的显示装置10进行说明。不再示出与实施方式2共同的部分的说明。
图23示出4个像素33。在像素33中,具有第一像素331和第二像素332这两种像素,在第一像素331中,第一色有机发光元件311靠近下侧,以及在第二像素332中,第一色有机发光元件311靠近上侧。第一色有机发光元件311的右边和第二色有机发光元件312的左边彼此相对的部分的长度在第一像素331中较长。在本实施方式中,规定第一像素331中包含的3个有机发光元件31之间的尺寸。
第二色有机发光元件312的上边与第三色有机发光元件313的下边相对的部分的长度为W1。第二色有机发光元件312的上边与第三色有机发光元件313的下边之间的距离为D1。虽然未图示,但是夹在第二色有机发光元件312的上边和第三色有机发光元件313的下边之间的区域内的公共层47的厚度为T1,该部分的公共层47的电阻率为ρ1。
第二色有机发光元件312的右边与第一色有机发光元件311的左边相对的部分的长度为W2。第二色有机发光元件312的右边与第一色有机发光元件311的左边之间的距离为D2。虽然图未示,但是夹在第二色有机发光元件312的右边和第一色有机发光元件311的左边之间的区域内的公共层47的厚度为T2,该部分的公共层47的电阻率为ρ2。
根据本实施方式的显示单元30满足式(4)。
[数值表达式4]
ρ1是第二色有机发光元件312的上边与第三色有机发光元件313的下边之间的公共层47的电阻率。
T1是第二色有机发光元件312的上边与第三色有机发光元件313的下边之间的公共层47的厚度。
D1是第二色有机发光元件312的上边与第三色有机发光元件313的下边之间的距离。
W1是第二色有机发光元件312的上边与第三色有机发光元件313的下边彼此相对的部分的长度。
Coled是第二色有机发光元件312的内部电容。
ρ2是第二色有机发光元件312的右边与第一色有机发光元件311之间的公共层47的电阻率。
T2是第二色有机发光元件312的右边与第一色有机发光元件311之间的公共层47的厚度。
D2是第二色有机发光元件312的右边和第一色有机发光元件311的左边之间的距离。
W2是第二色有机发光元件312的右边和第一色有机发光元件311的左边彼此相对的部分的长度。
Fr是显示图像要被更新的竖向扫描时间段。
根据式(4),将公共层47的夹在第二色有机发光元件312的上边和第三色有机发光元件313的下边之间的区域内的部分的电阻值与夹在第二色有机发光元件312的右边和第一色有机发光元件311的左边之间的区域内的部分的电阻值并联连接而合成得到的漏电阻值、与第二色有机发光元件312的内部电容之积比1帧小。因此,在第二色有机发光元件312处于非发光状态的1帧的期间,由于来自第一色有机发光元件311和第三色有机发光元件313的漏电流而上升的第二色有机发光元件312的阳极电极43的电位被维持在小于或等于负电源VSS的电位。因此,能够防止串扰的发生。
根据本实施方式,通过将有机发光元件31设计为满足式(4),能够提供防止由彼此相邻的两个有机发光元件31引起的串扰的显示装置10。
在本实施方式中,说明了对由于从同一像素33内的两个不同的有机发光元件31流动的漏电流引起的第二色有机发光元件312的串扰的防止。对于第一色有机发光元件311的串扰的防止、以及第三色有机发光元件313的串扰的防止,也可使用相同的公式。
[实施方式4]
本实施方式涉及规定在四边与一个有机发光元件31相邻的有机发光元件3之间的尺寸的显示装置10。图24是示出根据实施方式4的有机发光元件31的配置的说明图。参照图24对根据本实施方式的显示装置10进行说明。不再示出与实施方式2共同的部分的说明。
第二色有机发光元件312的上边与第三色有机发光元件313的下边相对的部分的长度为W1。第二色有机发光元件312的上边与第三色有机发光元件313的下边之间的距离为D1。虽然图未示,但是夹在第二色有机发光元件312的上边和第三色有机发光元件313的下边之间的区域内的公共层47的厚度为T1,该部分的公共层47的电阻率为ρ1。
第二色有机发光元件312的右边与第一色有机发光元件311的左边相对的部分的长度为W2。第二色有机发光元件312的右边与第一色有机发光元件311的左边之间的距离为D2。虽然图未示,但是夹在第二色有机发光元件312的右边和第一色有机发光元件311的左边之间的区域内的公共层47的厚度为T2,该部分的公共层47的电阻率为ρ2。
第二色有机发光元件312的下边与第三色有机发光元件313的上边相对的部分的长度为W3。第二色有机发光元件312的下边与第三色有机发光元件313的上边之间的距离为D3。虽然图未示,但是夹在第二色有机发光元件312的下边和第三色有机发光元件313的上边之间的区域内的公共层47的厚度为T3,该部分的公共层47的电阻率为ρ3。
第二色有机发光元件312的左边与第一色有机发光元件311的右边相对的部分的长度为W4。第二色有机发光元件312的左边与第一色有机发光元件311的右边之间的距离为D4。虽然图未示,但是夹在第二色有机发光元件312的左边和第一色有机发光元件311的右边之间的区域内的公共层47的厚度为T4,该部分的公共层47的电阻率为ρ4。
将上述的关系一般化,对防止任意的有机发光元件31的串扰的配置进行说明。在以下示出的说明中,将防止串扰的有机发光元件31记载为对象有机发光元件31t。将对象有机发光元件31t的第n边与相邻的有机发光元件31的边相对的部分的长度记载为Wn。同样地,将对象有机发光元件31t的第n边和相邻的有机发光元件31之间的距离记载为Dn。将夹在对象有机发光元件31t的第n边和相邻的有机发光元件31之间的区域内的公共层47的厚度记载为Tn,将该部分的公共层47的电阻率记载为ρn。
根据本实施方式的显示单元30满足式(5)。
[数值表达式5]
在此,M是对象有机发光元件31t的边的数量。
ρn是对象有机发光元件31t和与对象有机发光元件31t的第n边相邻的另一有机发光元件31之间的公共层47的电阻率。
Tn是对象有机发光元件31t和与对象有机发光元件31t的第n边相邻的另一有机发光元件31之间的公共层47的厚度。
Dn是对象有机发光元件31t和与对象有机发光元件31t的第n边相邻的另一有机发光元件31之间的距离。
Wn是对象有机发光元件31t的第n边和与对象有机发光元件31t的第n边相邻的另一有机发光元件31的边彼此相对的部分的长度。
Coled是对象有机发光元件31t的内部电容。
Fr是显示图像要被更新的竖向扫描时间段。
根据本实施方式,通过将有机发光元件31设计为满足式(5),能够提供在所有的相邻的有机发光元件31发光的情况下也能够防止串扰的显示装置10。
[实施方式5]
本实施方式涉及矩形的有机发光元件31配置成矩阵状的显示装置10。图25是示出根据实施方式5的有机发光元件31的配置的说明图。参照图25对根据本实施方式的显示装置10进行说明。不再示出与实施方式2共同的部分的说明。
第一色有机发光元件311、第二色有机发光元件312以及第三色有机发光元件313是在竖直方向上具有长边、在水平方向具有短边的同一尺寸的长方形。3个有机发光元件31的组形成由双点画线表示的像素33。在竖直方向配置有同一色的有机发光元件31。
第二色有机发光元件312的第一长边即右边与第三色有机发光元件313的左边相对的部分的长度为W1。第二色有机发光元件312的第一长边即右边与第三色有机发光元件313的左边之间的距离为D1。虽然图未示,但是夹在第二色有机发光元件312的第一长边即右边与第三色有机发光元件313的左边之间的区域内的公共层47的厚度为T1,该部分的公共层47的电阻率为ρ1。
第二色有机发光元件312的第二长边即左边与第一色有机发光元件311的右边相对的部分的长度是W2。第二色有机发光元件312的第二长边即左边与第一色有机发光元件311的右边之间的距离是D2。虽然图未示,但是夹在第二色有机发光元件312的第二长边即左边与第一色有机发光元件311的右边之间的区域内的公共层47的厚度是T2,该部分的公共层47的电阻率是ρ2。
根据本实施方式的显示单元30满足式(6)。
[数值表达式6]
ρn是有机发光元件31和与有机发光元件31的第n个长边相邻的另一有机发光元件31之间的公共层47的电阻率。
Tn是有机发光元件31和与对象有机发光元件31的第n个长边相邻的另一有机发光元件31之间的公共层47的厚度。
Dn是有机发光元件31和与有机发光元件31的第n个长边相邻的另一有机发光元件31之间的距离。
Wn是有机发光元件31的第n个长边和与该对象有机发光元件31的第n个长边相邻的另一有机发光元件31的边彼此相对的部分的长度。
Coled是有机发光元件31的内部电容。
Fr是显示图像要被更新的竖向扫描时间段。
在图25中,虽然长度W1和长度W2相同,但是为了在式(6)中明确区别长度W1和W2,示出为对相同的长度指定不同的附图标记。
在本实施方式中,着眼于在水平方向泄漏的电流的影响,但是不考虑在竖直方向泄漏的电流的影响。在水平方向泄漏的电流在着眼于第二色有机发光元件312的情况下,包括从第一色有机发光元件311流入第二色有机发光元件312的漏电流以及从第三色有机发光元件313流入第二色有机发光元件312的漏电流。另外,在竖直方向泄漏的电流在着眼于第二色有机发光元件312的情况下,包括从位于竖直方向的两个第二色有机发光元件312泄漏的电流。
以这种方式,不考虑在竖直方向泄漏的电流的原因是,位于竖直方向的两个第二色有机发光元件312之间的距离X比距离D1和D2长。换言之,距离X是位于竖直方向的一个第二色有机发光元件312和另一第二色有机发光元件312的公共层47之间的距离。
根据本实施方式,能够防止将有机发光元件31配置成矩形状的简单的结构的显示装置10的串扰。
[实施方式6]
本实施方式涉及对开关TFT 26和施加TFT 28使用双栅极FET的显示装置10。图26是示出使实施方式6的一个有机发光元件31发光的电路的电路图。参照图26对根据本实施方式的显示装置10进行说明。不再给出与实施方式1共同的部分的说明。
开关TFT 26和施加TFT 28是分别具有两个栅极电极的双栅极FET。正电源VDD、负电源VSS、第n个扫描信号线Yn、第n个施加信号线Yn_r以及施加输出线Xm连接到像素电路13。
正电源VDD连接到存储电容器99的第一电极和驱动TFT 27的源极电极。负电源VSS连接到有机发光元件31的阴极电极19。扫描信号线Yn连接到开关TFT 26的两个栅极电极。施加信号线Yn_r连接到施加TFT 28的两个栅极电极。施加输出线Xm连接到开关TFT 26和施加TFT 28的源极电极。
开关TFT 26的漏极电极连接到存储电容器C1的第二电极和驱动TFT 27的栅极电极。驱动TFT 27的漏极电极经由TFT电路输出连接部42连接到有机发光元件31的阳极电极43和施加TFT 28的漏极电极。
根据上述的结构,开关TFT 26和施加TFT 28与根据实施方式1的开关TFT 26和施加TFT 28同样地动作。通过对开关TFT 26和施加TFT 28使用双栅极FET,与实施方式1相比,能够更准确地将高频输入信号反映于有机发光元件31的亮度。
根据本实施方式,能够提供适于显示高视野、4K、8K等高精密的图像信号的显示装置10。
[实施方式7]
本实施方式涉及使用内部电容和可变电阻值表现各个有机发光元件31的显示装置10。图27是示出使实施方式7的一个有机发光元件31发光的电路的电路图。不再示出与实施方式1共同的部分的说明。
在图27中,有机发光元件31表示为并联连接的内部电容Coled和Roled。连接到有机发光元件31的开关FET 26、施加FET 28、施加单元15以及各信号线在图27中未示出。
将防止第二色有机发光元件312的串扰的结构示作一例。R1是第二色有机发光元件312的TFT电路输出连接部42和在上侧与其相邻的第三色有机发光元件313的TFT电路输出连接部42之间的电阻值。R2是第二色有机发光元件312的TFT电路输出连接部42和在右侧与其相邻的第一色有机发光元件311的TFT电路输出连接部42之间的电阻值。R3是第二色有机发光元件312的TFT电路输出连接部42和在下侧与其相邻的第三色有机发光元件313的TFT电路输出连接部42之间的电阻值。R4是第二色有机发光元件312的TFT电路输出连接部42和在左侧与其相邻的第一色有机发光元件311的TFT电路输出连接部42之间的电阻值。
根据本实施方式的显示单元30满足式(7)。在以下所述的说明中,将防止其串扰的有机发光元件31记载为对象有机发光元件31t。
[数值表达式7]
R×Coled>Fr ......(7)
在此,M是与对象有机发光元件31t相邻的其它有机发光元件31的数量。
Coled是对象有机发光元件31t的内部电容。
Fr是显示图像要被更新的竖向扫描时间段。
在式(7)中,R表示将彼此相邻的有机发光元件31的TFT电路输出连接部42之间的电阻值并联连接的情况的合成电阻值。
换言之,对象有机发光元件31t的内部电容比将时间段Fr除以合成电阻值得到的值大,该合成电阻值是通过将对象有机发光元件31t和与对象有机发光元件31t相邻的多个有机发光元件31之间的公共层47的电阻值组合而获得。
根据本实施方式,在使用具有圆形或椭圆形等矩形以外的形状的有机发光元件31的情况下,也能够提供防止串扰的显示装置10。
例如,在有机发光元件31配置成蜂窝形状的情况下,与一个有机发光元件31相邻的有机发光元件31的数目是6个。因此,优选将6个电阻值组合得到的电阻值用作式(7)中所示的R。
[实施方式8]
本实施方式涉及施加单元15具有多路复用器的功能的显示装置10。图28是示出使实施方式8的一个有机发光元件31发光的电路的电路图。参照图28对根据本实施方式的显示装置10进行说明。不再示出与实施方式1共同的部分的说明。与实施方式1同样地,对信号线和流经该信号线的信号使用同一附图标记。
在图28中,使用表示有机发光二极管的OLED的符号说明一个有机发光元件31。图28所示的电路包括像素电路13和施加单元15。在图28中,示出了像素电路13中包括的与两个有机发光元件31相对应的模块。
施加单元15包括开关单元151和解复用器单元152。开关单元151是防止由于从相邻的有机发光元件31泄漏的漏电流导致有机发光元件31发光的串扰的电路。解复用器单元152是将表示从驱动IC18输出的一个像素33的亮度的信号分割为表示第一色有机发光元件311、第二色有机发光元件312以及第三色有机发光元件313的亮度的信号并将分割后的信号分配给有机发光元件31的分配器的一例。
解复用器单元152连接到第一色选择信号线Vsel_B、第二色选择信号线Vsel_G以及第三色选择信号线Vsel_R。
开关单元151包括具有第一色开关29B、第二色开关29G以及第三色开关29R的三组开关29。第一色开关29B包括具有第一开关291B和第二开关292B的两个开关29B。第二色开关29G包括具有第一开关291G和第二开关292G的两个开关29G。第三色开关29R包括具有第一开关291R和第二开关292R的两个开关29R。在以下的说明中,可能将第一开关291B、第一开关291G以及第一开关291R统一记载为第一开关291。同样地,可能将第二开关292B、第二开关292G以及第二开关292R统一记载为第二开关292。
三个第一开关291的每一者的一端连接到驱动IC 18的一个图像信号线Vdata。在以下给出的说明中,以第m个图像信号线Vdata_m为例进行说明。在此,m是大于或等于1且小于或等于图像信号线Vdata_m的数量的整数。从驱动IC 18向图像信号线Vdata_m供给模拟图像信号Vdata_m。在图像信号Vdata_m中,依次包括第一色、第二色以及第三色的图像信号。
在第一开关291和第二开关292之间,连接施加输出线XmB、施加输出线XmG以及施加输出线XmR中的一者。施加输出线XmB连接到第一色有机发光元件311。施加输出线XmG连接到第二色有机发光元件312。施加输出线XmR连接到第三色有机发光元件313。第二开关292的另一端连接到施加电源线Vref。在以下的说明中,可能将施加输出线XmB、施加输出线XmG以及施加输出线XmR统一记载为施加输出线Xm。
第一开关291B切换施加输出线XmB和第m个图像信号线Vdata_m之间的连接的存在/不存在。第一开关291B根据从驱动IC 18经由颜色选择信号线Vsel_B供给的颜色选择信号Vsel_B被控制。
第一开关291G切换施加输出线XmG和第m个图像信号线Vdata_m之间的连接的存在/不存在。第一开关291G根据从驱动IC 18经由颜色选择信号线Vsel_G供给的颜色选择信号Vsel_G被控制。
第一开关291R切换施加输出线XmR和第m个图像信号线Vdata_m之间的连接的存在/不存在。第一开关291R根据从驱动IC18经由颜色选择信号线Vsel_R供给的颜色选择信号Vsel_R被控制。
第二开关292切换施加输出线XmB、施加输出线XmG或施加输出线XmR和施加电源线Vref之间的连接的存在/不存在。第二开关292根据从驱动IC 18经由施加选择信号线Vrst供给的施加选择信号Vrst被控制。
图29是示出根据实施方式8的像素电路13和施加单元15的操作的时序图。在图29中,横轴表示时间。在图29中,上侧的时序图表示第n个扫描信号Yn、第n个施加信号Yn_r、施加选择信号Vrst、第一色选择信号Vsel_B、第二色选择信号Vsel_G以及第三色选择信号Vsel_R的状态。在此,n是大于或等于1且小于或等于扫描信号线的数量的整数。在图29所示的上侧的时序图的纵轴中,上边沿表示断开状态,下边沿表示接通状态。
图29所示的下侧的时序图示出第k个第一色有机发光元件311的阳极电极43的电位VkR和第k个第二色有机发光元件312的阳极电极43的电位VkG。在此,k是大于或等于1且小于或等于像素33的总数的整数。第k个第一色有机发光元件311和第k个第二色有机发光元件312是同一像素33中包括的有机发光元件31,并连接到同一施加输出线Xm和同一施加选择信号线Vrst。图29所示的下侧的时序图的纵轴表示电位。在图29所示的下侧的时序图中,施加电源Vref和负电源VSS由虚线表示。
从第n个扫描信号Yn、第n个施加信号Yn_r、施加选择信号Vrst以及图像选择信号Vsel全部断开、并且第k个像素33中包含的有机发光元件31不发光的状态开始进行说明。另外,将以下情况描述为示例:其中,输入表示第k个第一色有机发光元件311的发光状态以及第k个第二色有机发光元件312的非发光状态的图像信号Vdata_m。
在时刻t1,驱动IC 18将第n个施加信号Yn_r和施加选择信号Vrst设定为接通状态。在施加选择信号Vrst处于接通状态的情况下,第二开关292将施加输出线Xm连接到施加电源线Vref。在施加信号Yn_r处于接通状态的情况下,连接到一个施加信号线Yn_r的像素电路13的施加TFT 28将施加输出线Xm经由TFT电路输出连接部42连接到第k个有机发光元件31的阳极电极43。因此,第k个第一色有机发光元件311的阳极电极43的电位VkB和第k个第二色有机发光元件312的阳极电极43的电位VkG成为施加电源Vref。
在时刻t2,驱动IC 18将第n个施加信号Yn_r和施加选择信号Vrst设定为断开状态。在施加选择信号Vrst处于断开状态的情况下,第二开关292从施加电源线Vref阻断施加输出线Xm。在施加信号线Yn_r处于接通状态的情况下,施加TFT 28从TFT电路输出连接部42阻断施加输出线Xm。
在时刻t3,驱动IC 18将第n个扫描信号Yn和第一色选择信号Vsel_B设定为接通状态。在时刻t2和时刻t3之间,优选设置大约0.5微秒的间隔。其原因是,在对驱动IC 18的输出端子施加了施加电源Vref的情况下,有可能损害驱动IC 18。
在第一色选择信号Vsel_B处于接通状态的情况下,第一开关291B将施加输出线XmB连接到第m个图像信号线Vdata_m。在扫描信号Yn处于接通状态的情况下,连接到一个扫描信号线Yn的像素电路13的开关TFT 26将施加输出线XmB连接到设置在第k个第一色有机发光元件311的像素电路13内的驱动TFT 27的栅极电极以及存储电容器99。
如上所述,在图29所示的时序图中,表示发光状态的图像信号Vdata_m被输入到第k个第一色有机发光元件311。根据驱动TFT 27的栅极电极和源极电极之间的电位差Vgs,输出电流Ids流经驱动TFT 27的源极电极和漏极电极之间。根据输出电流Ids,第k个第一色有机发光元件311发光。在以下示出的说明中,将施加于第k个第一色有机发光元件311的阳极电极43的电位记载为α。电位α是正电源VDD和负电源VSS之间的电位,根据施加输出线Xm的电位来确定。另外,根据施加输出线XmB的电位,在存储电容器99中储存电荷。
在时刻t4,驱动IC 18将第一色选择信号Vsel_B设定为断开状态。在第一色选择信号Vsel_B处于断开状态的情况下,第一开关291B阻断施加输出线XmB和第m个图像信号线Vdata_m。
在时刻t5,驱动IC 18将第二色选择信号Vsel_G设定为接通状态。在时刻t4和时刻t5之间,优选设置大约0.5微秒的间隔。其原因是为了避免第一色有机发光元件311和第二色有机发光元件312之间混色。
在第二色选择信号Vsel_G处于接通状态的情况下,第一开关291G将施加输出线XmG连接到第m个图像信号线Vdata_m。如上所述,在图29所示的时序图中,表示非发光状态的图像信号Vdata_m被输入到第k个第二色有机发光元件312。驱动TFT 27的栅极电极和源极电极之间的电位差Vgs较小、并且驱动TFT 27的源极电极和漏极电极之间的输出电流Ids不流动。因此,第k个第二色有机发光元件312不发光。
在时刻t6,驱动IC 18将第二色选择信号Vsel_G设定为断开状态。在第二色选择信号Vsel_G处于断开状态的情况下,第一开关291G阻断施加输出线XmG和第m个图像信号线Vdata_m。
在时刻t7,驱动IC 18将第三色选择信号Vsel_R设定为接通状态。在时刻t6和时刻t7之间,优选设置大约0.5微秒的间隔。其原因是为了避免第二色有机发光元件312和第三色有机发光元件313之间混色。
在第三色选择信号Vsel_R处于接通状态的情况下,第一开关291R将施加输出线XmR连接到第m个图像信号线Vdata_m。根据图像信号Vdata_m,第k个第三色有机发光元件313成为发光状态或非发光状态。
在时刻t8,驱动IC 18将第三色选择信号Vsel_R设定为断开状态。在第三色选择信号Vsel_R处于断开状态的情况下,第一开关291R阻断施加输出线XmR和第m个图像信号线Vdata_m。
时刻t3至时刻t4的时间段是对第k个第一色有机发光元件311的像素电路13施加基于图像信号的电位的根据本实施方式的第一时间段的示例。另外,时刻t5至时刻t6的时间段是对第k个第二色有机发光元件312的像素电路13施加基于图像信号的电位的根据本实施方式的第一时间段的示例。另外,时刻t7至时刻t8的时间段是对第k个第三色有机发光元件313的像素电路13施加基于图像信号的电位的根据本实施方式的第一时间段的示例。
在时刻t9,驱动IC 18将扫描信号Yn设定为断开状态。在时刻t8和时刻t9之间,优选设置大约1.6微秒的间隔。其原因是等待解复用器单元152的输出稳定。
在扫描信号Yn处于断开状态的情况下,连接到一个扫描信号线Yn的像素电路13的开关TFT 26操作。由于开关TFT 26操作,因此施加输出线XmB和设于第k个第一色有机发光元件311的像素电路13内的驱动TFT 27的栅极电极以及存储电容器99被阻断。同样地,由于开关TFT 26操作,因此施加输出线XmG和设于第k个第二色有机发光元件312的像素电路13内的驱动TFT 27的栅极电极以及存储电容器99被阻断。虽然未图示电路图和时序图,但是同样地,由于开关TFT 26操作,阻断施加输出线XmR和设于第k个第三色有机发光元件313的像素电路13内的驱动TFT 27的栅极电极和存储电容器99。
驱动IC 18在时刻t1至时刻t9,完成图像信号向第n个扫描线中包含的多个有机发光元件31的输入。之后,驱动IC 18对与一个画面相对应的扫描线重复同样的操作,由此在显示单元30上显示与一个画面相对应的图像。
在时刻t21,驱动IC 18将第n个施加信号Yn_r和施加选择信号Vrst设定为接通状态。在施加选择信号Vrst处于接通状态的情况下,第二开关292将施加输出线Xm连接到施加电源线Vref。连接到一个施加信号线Yn_r的像素电路13的施加TFT 28将施加输出线Xm经由TFT电路输出连接部42连接到第k个有机发光元件31的阳极电极43。因此,第k个第一色有机发光元件311的阳极电极43的电位VkR以及第k个第二色有机发光元件312的阳极电极43的电位VkG具有与施加电源Vref的电位相同的电位。
时刻t4至时刻t21的时间段是根据本实施方式的第二时间段的一例。根据本实施方式的控制单元在第二时间段内基于在第一时间段对像素电路13施加的电位,经由根据本发明的实施方式的控制元件控制第k个第一色有机发光元件311的发光亮度。
换言之,驱动IC 18在从时刻t4开始且在时刻t21结束的第二时间段将第k个第一色有机发光元件311控制为发光状态。
另外,时刻t6至时刻t21的时间段是根据本实施方式的第二时间段的一例。根据本实施方式的控制单元在第二时间段内基于在第一时间段对像素电路13施加的电位,通过根据本发明的实施方式的控制元件,控制第k个第二色有机发光元件312的发光亮度。
另外,时刻t9至时刻t21的时间段是根据本实施方式的第二时间段的一例。根据本实施方式的控制单元在第二时间段内基于在第一时间段对像素电路13施加的电位,通过根据本发明的实施方式的控制元件,控制第k个第三色有机发光元件313的发光亮度。
施加单元15在第二时间段的开始前的时刻t1至时刻t2的时间段将比作为阴极电极19的电位的负电源VSS小的施加电源Vref施加于阳极电极43。
以下,在时刻t2以后,驱动IC 18重复相同的操作,由此在显示单元30上显示与下一画面相对应的图像。
在时刻t2至时刻t21的时间段,第k个第一色有机发光元件311的阳极电极43的电位通过储存在存储电容器99中的电荷来维持。以这种方式,第k个第一色有机发光元件311继续发光。在发光时间段期间,从存储电容器99经由阳极电极43供给到公共层47的空穴的一部分形成漏电流A,并流入到第k个第二色有机发光元件312的公共层47。但是,漏电流A比流经第k个第一色有机发光元件311的电流小很多。因此,漏电流A对第k个第一色有机发光元件311的发光状态的影响几乎可忽略。
在施加电源Vref的电位在时刻t1到时刻t2之间施加于第k个第二色有机发光元件312的阳极电极43之后,在直至时刻t21的时间段,阳极电极被从其他的电路阻断。由于漏电流A而流入公共层47的空穴与保持在阳极电极43中的电子再结合并消失。因此,由于漏电流A而流入公共层47的空穴不到达发光层44。因此,不会发生第k个第二色有机发光元件312由于漏电流而发光的串扰。
如图29的VkG所示,在时刻t2至时刻t21,由于因漏电流A而流动的空穴消失,因此处于非发光状态的第k个第二色有机发光元件312的阳极电极43的电位VkG逐渐上升。但是,由于电位VkG维持比负电压VSS低的电位,因此空穴不会流入发光层44而发光。
对接近黑色的低亮度的显示数据被输入到第k个第二色有机发光元件312的情况进行说明。与参照图21所说明的情况相同,以漏电流A从相邻的有机发光元件流入第k个第二色有机发光元件312的情况为例进行说明。在与为了进行发光而流入第k个第二色有机发光元件312的阳极电极43中的电流相比,漏电流A较大而不能忽略的情况下,产生以与原本要显示的亮度值相比更大的亮度值发光的串扰。但是,在本实施方式的情况下,至少在开始发光的时间点,第k个第二色有机发光元件312不受漏电流A影响而以正确的亮度发光。以这种方式,根据本实施方式的显示装置10,对黑色以外的低亮度显示数据也具有抑制串扰的效果。
根据本实施方式,可将从驱动IC18输出的输出线的数量减小至1/3。
[实施方式9]
本实施方式涉及具有外部补偿功能的显示装置10。外部补偿功能是使用用于补偿显示不均、有机发光元件31的劣化等的信号来补偿显示在显示单元30上的图像的功能。
图30是示出根据实施方式9的显示装置10的结构的图。参照图30对根据本实施方式的显示装置10进行说明。不再示出与实施方式1共同的部分的说明。
显示装置10包括FPC 12、TFT基板11、驱动IC 18以及存储单元56。驱动IC 18包括外部补偿单元57。在FPC 12和TFT基板11之间连接有驱动IC 18。驱动IC 18与存储单元56连接。
驱动IC 18经由配线部41获得TFT基板11的状态。TFT基板11的状态例如是通过施加TFT 28获得的像素电路13的特性。像素电路13的特性例如反映有机发光元件31的特性的波动、有机发光元件31的劣化状态等。
驱动IC 18经由FPC 12获得图像信号。驱动IC 18对所获得的图像信号进行处理,并将处理后的图像信号输出到TFT基板11的发射控制驱动器14、施加单元15以及扫描驱动器16。此时,根据TFT基板11的状态,驱动IC 18调整输出到TFT基板11的信号。发射控制驱动器14、施加单元15以及扫描驱动器16控制显示单元30。
图31是示出根据实施方式9的驱动IC 18的结构的图。参照图31更详细说明驱动IC18的结构。驱动IC 18包括调整单元51、接收单元60、高电压逻辑单元55、模拟控制单元58、模拟输出单元59以及DC/DC转换器50。调整单元51是能够以高速运作的低电压逻辑电路。调整单元51包括亮度调整单元52、色调调整单元53、伽玛调整单元54以及外部补偿单元57。亮度调整单元52、色调调整单元53、伽玛调整单元54以及外部补偿单元57分别由亮度调整电路、色调调整电路、伽玛调整电路以及外部补偿电路实现。
更详细说明驱动IC 18的操作。接收单元60接收图像信号并将接收到的图像信号输出到调整单元51。亮度调整单元52、色调调整单元53以及伽玛调整单元54通过基于控制信号依次处理图像信号,而将图像信号调整为与显示装置10的特性相符的信号。
外部补偿单元57基于TFT基板11的状态、未图示的表等,调整由伽玛调整单元54输出的信号。表存储在存储单元56或设于驱动IC 18内的未图示的存储器中。外部补偿单元57例如以补偿驱动TFT 27的阈值电压Vth的方式对信号进行调整。
调整单元51将外部补偿单元57调整后的图像信号输出到高电压逻辑单元55、模拟控制单元58以及模拟输出单元59。
根据本实施方式,能够提供如下的显示装置10,该显示装置10通过使用利用施加TFT 28获得的像素电路13的特性能够补偿图像不均、有机发光元件31的劣化等。
[实施方式10]
本实施方式涉及能够弯曲的显示装置10。图32是根据实施方式10的显示装置10的剖视示意图。参照图32对根据本实施方式的显示装置10进行说明。不再示出与实施方式1共同的部分的说明。
图32示意性示出将制造过程中的显示装置10的包括一个有机发光元件31的部分沿与显示图像的面垂直的面剖开的剖面图。显示装置10包括支撑部35、配线部41、发光部36以及保护部37。在支撑部35的后侧经由剥离层72固定玻璃制的支撑基板73。剥离层72和支撑基板73在显示装置10完成之前从支撑部35卸下。
支撑部35包括柔性基板71、有机膜77以及无机薄膜76。在支撑部35的最后侧具有柔性基板71,在其前侧依次层叠有有机膜77、无机薄膜76、有机膜77、无机薄膜76、有机膜77以及无机薄膜76。柔性基板71是层叠有聚酰亚胺等绝缘膜以及铜制的电路图案的柔性的配线部件。柔性基板71可以与FPC 12集成。无机薄膜76例如是硅薄膜。有机膜77例如使用聚酰亚胺形成。
配线部41包括基底绝缘膜92、多晶硅层93、栅极绝缘膜94、第一金属层95、层间绝缘膜96、第二金属层97以及平坦化层75。发光部36包括阳极电极43、隔离部46、公共层47、发光层44、阴极下层48以及阴极电极19。
保护部37包括有机膜77、无机薄膜76、1/4波长相位差板22以及偏光板23。在保护部37中,在阴极电极19的前侧,依次层叠有有机膜77、无机薄膜76、有机膜77、无机薄膜76、有机膜77、无机薄膜76以及有机膜77,并且在其前侧层叠有1/4波长相位差板22和偏光板23。
层叠在前侧和后侧的有机膜77和无机薄膜76防止由于水分和氧的渗透引起的发光层44的劣化。
根据本实施方式,能够提供能够将显示单元30弯曲成曲面的显示装置10。
[实施方式11]
本实施方式涉及内置有显示装置10的电子设备。图33是根据实施方式11的电子设备的外观图。参照图33对本实施方式的结构进行说明。不再示出与实施方式1共同的部分的说明。
根据本实施方式的电子设备是智能电话81。智能电话81具有矩形平板状的形状,并且在一个面上包括显示单元30。在显示单元30的周围设有输入按钮85。另外,在显示单元30设有接收使用者的扫描的触摸面板。智能电话81具有各种信息处理功能。例如,智能电话81将经由无线通信或有线通信连接的未图示的网络获得的信息以及基于使用者的输入所处理的信息显示在显示单元30上。
图33所示的智能电话是内置有显示装置10的电子设备的一例。显示装置10可内置于具有图像显示功能的任意的电子设备中。
另外,各实施方式中描述的技术特征(结构需要)可相互组合,可通过将这些技术特征组合来形成新的技术特征。
要注意,如本文和所附权利要求中使用的,单数形式的“一”和“该”包括复数指代,除非文中明确表示并非如此。
要注意,所公开的实施方式是示例性的,而绝不旨在限制。本发明的范围由所附的权利要求而不是说明书限定,因此落在权利要求的边界和界限或者该边界和界限的等效物内的所有变更旨在被权利要求涵盖。