CN111613446B - 一种高耐水性低压铝箔的化成处理方法 - Google Patents
一种高耐水性低压铝箔的化成处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111613446B CN111613446B CN202010504840.7A CN202010504840A CN111613446B CN 111613446 B CN111613446 B CN 111613446B CN 202010504840 A CN202010504840 A CN 202010504840A CN 111613446 B CN111613446 B CN 111613446B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- aluminum foil
- formation
- placing
- concentration
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims abstract description 90
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 65
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 65
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 230000036571 hydration Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 40
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 36
- FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-1,2-dimethylbenzimidazole Chemical compound ClC1=CC=C2N(C)C(C)=NC2=C1 FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000001741 Ammonium adipate Substances 0.000 claims description 30
- 235000019293 ammonium adipate Nutrition 0.000 claims description 30
- LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N ammonium dihydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].OP(O)([O-])=O LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910000387 ammonium dihydrogen phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 235000019837 monoammonium phosphate Nutrition 0.000 claims description 18
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 7
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 abstract 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
- C25D11/06—Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
- C25D11/12—Anodising more than once, e.g. in different baths
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
- C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
- C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing
- C25D11/24—Chemical after-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/04—Removal of gases or vapours ; Gas or pressure control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
- H01G9/045—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material based on aluminium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/055—Etched foil electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
Abstract
本发明公开一种高耐水性低压阳极箔的化成处理方法，在电化学氧化过程中加入超声处理步骤，加速反应过程中孔隙内气泡的溶出，减少了氧化膜缺陷的产生，在热处理环节，采用微波加热的方式替代传统的烘箱，选择性地针对高含水量的区域进行加热，进一步提升了氧化膜的均匀性和致密性。与利用常规的化成工艺制备的铝箔相比，利用本发明公开方法制备的铝箔的耐水合性能可提升50~80%，使用寿命延长至20000小时。
Description
技术领域
本发明涉及电解电容器制造技术领域，具体涉及一种高耐水性低压阳极箔的化成处理方法。
背景技术
铝电解电容器阳极箔的耐水合性能对氧化层的介电性能、漏电流和耐压性都具有一定的影响。而化成箔的耐水合性能的高低归根结底是由氧化膜的质量来决定的。高致密性、高结晶度以及低缺陷的氧化膜能够确保化成箔具备良好的耐水合性能以及长的使用寿命。
而氧化膜的质量主要取决于化成工艺，在化成过程中，可通过增加化成级数的方式来提高氧化膜的致密性，但是该方法显著降低了生产效率，提高了生产成本。在进行钝化处理的时候，适量提高磷酸浓度可以提高氧化膜的耐水合性能，但是会降低容量。
因此，需对现有的阳极箔化成工艺进行进一步地有效改进，以期能制备出更均匀、低缺陷的氧化膜，进而能在保证生产效率的同时提升化成箔的耐水合性能和使用寿命。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种高耐水性低压阳极箔的化成处理方法，该方法在常规的化成工艺上进行了简单改进，在保证生产效率的基础上大幅提升了低压铝箔的氧化膜成膜质量。
本发明通过以下技术方案实现：一种高耐水性低压阳极箔的化成处理方法，主要包括如下步骤：
（1）前处理：将腐蚀箔置于己二酸铵溶液中进行预化成；
（2）化成：将经步骤（1）处理过的铝箔置于温度为50~90℃，浓度为50~90 g/L的己二酸铵溶液中，设置直流电源电流密度50~200 mA/cm2，逐级增加电压，进行四级化成，在阳极氧化的过程中，同样置于溶液中的超声振动板以固定频次进行震动处理；
（3）钝化处理：将经步骤（2）处理过的铝箔置于温度为40~70℃，浓度为45~80 g/L的磷酸溶液中进行钝化处理，得到耐水合性的阳极铝箔；
（4）一次再化成：将经步骤（3）处理过的铝箔置于温度为 70~95℃的己二酸铵和磷酸二氢铵的混合溶液中，其中己二酸铵浓度为10~50 g/L，磷酸二氢铵浓度为1~10 g/L，施加5~15 mA/cm2的电流，进行一次再化成；
（5）热处理：将经步骤（4）处理过的铝箔置于微波加热设备中快速退火；
（6）二次再化成：将经步骤（5）处理过的铝箔置于温度为70~95℃，浓度为2~12 g/L的磷酸二氢铵溶液中，施加5~15 mA/cm2的电流，进行二次后化成，最后得到高耐水性的低压阳极铝箔。
作为优选，步骤（1）中，己二酸铵溶液的浓度为5~20%，温度为80~100℃，预化成处理时间为30~120 s。
作为优选，步骤（2）中，四级化成时，电压值逐渐增至60~120 V。
作为优选，步骤（2）中，超声振动板功率为20~100 kHz。
作为优选，步骤（2）中，超声振动板每次超声持续时间为5~60 s，每次超声时间隔为10~60 s。
作为优选，步骤（5）中，使用到的微波加热设备功率为20~60 KW。
作为优选，步骤（5）中，使用微波加热的时间为30~120 s。
本发明的有益效果是：本发明公开的一种高耐水性低压铝箔的化成处理方法，与现有的化成方法相比，在化成过程中加入超声震动处理，可使反应过程产生的气泡能够快速溶出，避免氧化膜形成过程中缺陷的产生；在热处理过程中，采用微波加热的方式取代传统烘箱，可选择性的针对高含水区域进行作用，结晶氧化铝含量明显提升，且微波加热传导的方式相比传统加热方式而言导热更加均匀，效率更高，因而氧化膜的结晶性以及均匀性均有所提升，化成箔的耐水合性能和使用寿命都得到有效保证。
附图说明
图1为实施例1-4和对比例1-4制备出的低压阳极铝箔的性能参数统计表。
具体实施方式
下面将对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
实施例1：一种高耐水性低压阳极箔的化成处理方法
（1）前处理：将腐蚀箔置于温度为95℃，浓度为5%己二酸铵溶液中60 s，进行预化成；
（2）化成：将经步骤（1）处理过的铝箔放在温度为65℃，浓度为70 g/L的己二酸铵溶液中，设置直流电源电流密度为50 mA/cm2，逐级增加电压至60 v，进行四级化成，在阳极氧化的过程中，同样置于溶液中的超声振动板设置功率为30 KHz，每次超声时间为15 s，间隔时间为30 s，进行超声震动；
（3）钝化处理：将经步骤（2）处理过的铝箔置于温度为50℃，浓度为70 g/L的磷酸溶液中进行钝化处理，得到耐水合性的阳极铝箔；
（4）一次再化成：将经步骤（3）处理过的铝箔置于温度为 85℃的己二酸铵和磷酸二氢铵的混合溶液中，其中己二酸铵浓度为20 g/L，磷酸二氢铵浓度为2 g/L，施加8 mA/cm2的电流，进行一次再化成；
（5）热处理：将经步骤（4）处理过的铝箔置于微波加热设备中进行热处理，微波加热设备的功率设置为20 KW，加热时间为100 s；
（6）二次再化成：将经步骤（5）处理过的铝箔置于温度为75℃，浓度为4g/L的磷酸二氢铵溶液中，施加5 mA/cm2的电流，进行二次后化成，最后得到高耐水性的低压阳极铝箔。
对比例1：一种常规低压阳极箔的化成方法
化成过程中，除步骤（2）（5），其他步骤条件均与实施例1相同；
步骤（2）（5）改为：
（2）化成：将经步骤（1）处理过的铝箔放在温度为65℃，浓度为70 g/L的己二酸铵溶液中，设置直流电源电流密度为50 mA/cm2，逐级增加电压至60 v，进行四级化成；
（5）热处理：将经步骤（4）处理过的铝箔置于马弗炉中进行热处理，温度45℃，加热时间为120 s；
实施例2：一种高耐水性低压阳极箔的化成处理方法
（1）前处理：将腐蚀箔置于温度为85℃，浓度为10%己二酸铵溶液中45 s，进行预化成；
（2）化成：将经步骤（1）处理过的铝箔放在温度为70℃，浓度为75 g/L的己二酸铵溶液中，设置直流电源电流密度为60 mA/cm2，逐级增加电压至80 v，进行四级化成，在阳极氧化的过程中，同样置于溶液中的超声振动板设置功率为40 KHz，每次超声时间为15 s，间隔时间为30 s，进行超声震动；
（3）钝化处理：将经步骤（2）处理过的铝箔置于温度为60℃，浓度为60 g/L的磷酸溶液中进行钝化处理，得到耐水合性的阳极铝箔；
（4）一次再化成：将经步骤（3）处理过的铝箔置于温度为 75℃的己二酸铵和磷酸二氢铵的混合溶液中，其中己二酸铵浓度为30 g/L，磷酸二氢铵浓度为2 g/L，施加10 mA/cm2的电流，进行一次再化成；
（5）热处理：将经步骤（4）处理过的铝箔置于微波加热设备中进行热处理，微波加热设备的功率设置为30 KW，加热时间为80 s；
（6）二次再化成：将经步骤（5）处理过的铝箔置于温度为75℃，浓度为5g/L的磷酸二氢铵溶液中，施加6 mA/cm2的电流，进行二次后化成，最后得到高耐水性的低压阳极铝箔。
对比例2：一种常规低压阳极箔的化成方法
化成过程中，除步骤（2）（5），其他步骤条件均与实施例2相同。
步骤（2）（5）改为：
（2）将经步骤（1）处理过的铝箔放在温度为70℃，浓度为75 g/L的己二酸铵溶液中，设置直流电源电流密度为60 mA/cm2，逐级增加电压至80 v，进行四级化成；
（5）热处理：将经步骤（4）处理过的铝箔置于马弗炉中进行热处理，温度45℃，加热时间为120 s。
实施例3：一种高耐水性低压阳极箔的化成处理方法
（1）前处理：将腐蚀箔置于温度为90℃，浓度为5%己二酸铵溶液中100 s，进行预化成；
（2）化成：将经步骤（1）处理过的铝箔放在温度为85℃，浓度为60 g/L的己二酸铵溶液中，设置直流电源电流密度为100 mA/cm2，逐级增加电压至100v，进行四级化成，在阳极氧化的过程中，同样置于溶液中的超声振动板设置功率为60 KHz，每次超声时间为10 s，间隔时间为40 s，进行超声震动；
（3）钝化处理：将经步骤（2）处理过的铝箔置于温度为60℃，浓度为70 g/L的磷酸溶液中进行钝化处理，得到耐水合性的阳极铝箔；
（4）一次再化成：将经步骤（3）处理过的铝箔置于温度为 70℃的己二酸铵和磷酸二氢铵的混合溶液中，其中己二酸铵浓度为40 g/L，磷酸二氢铵浓度为1 g/L，施加12 mA/cm2的电流，进行一次再化成；
（5）热处理：将经步骤（4）处理过的铝箔置于微波加热设备中进行热处理，微波加热设备的功率设置为40 KW，加热时间为60 s；
（6）二次再化成：将经步骤（5）处理过的铝箔置于温度为85℃，浓度为6g/L的磷酸二氢铵溶液中，施加10 mA/cm2的电流，进行二次后化成，最后得到高耐水性的低压阳极铝箔。
对比例3：一种常规低压阳极箔的化成方法
化成过程中，除步骤（2）（5），其他步骤条件均与实施例3相同。
步骤（2）（5）改为：
（2）化成：将经步骤（1）处理过的铝箔放在温度为85℃，浓度为60 g/L的己二酸铵溶液中，设置直流电源电流密度为100 mA/cm2，逐级增加电压至100v，进行四级化成；
（5）热处理：将经步骤（4）处理过的铝箔置于马弗炉中进行热处理，温度45℃，加热时间为120 s。
实施例4：一种高耐水性低压阳极箔的化成处理方法
（1）前处理：将腐蚀箔置于温度为80℃，浓度为10%己二酸铵溶液中60 s，进行预化成；
（2）化成：将经步骤（1）处理过的铝箔放在温度为80℃，浓度为80 g/L的己二酸铵溶液中，设置直流电源电流密度为100 mA/cm2，逐级增加电压至120v，进行四级化成，在阳极氧化的过程中，同样置于溶液中的超声振动板设置功率为60 KHz，每次超声时间为20 s，间隔时间为45 s，进行超声震动；
（3）钝化处理：将经步骤（2）处理过的铝箔置于温度为70℃，浓度为80 g/L的磷酸溶液中进行钝化处理，得到耐水合性的阳极铝箔；
（4）一次再化成：将经步骤（3）处理过的铝箔置于温度为 70℃的己二酸铵和磷酸二氢铵的混合溶液中，其中己二酸铵浓度为30 g/L，磷酸二氢铵浓度为2 g/L，施加10 mA/cm2的电流，进行一次再化成；
（5）热处理：将经步骤（4）处理过的铝箔置于微波加热设备中进行热处理，微波加热设备的功率设置为50 KW，加热时间为90 s；
（6）二次再化成：将经步骤（5）处理过的铝箔置于温度为85℃，浓度为6g/L的磷酸二氢铵溶液中，施加9 mA/cm2的电流，进行二次后化成，最后得到高耐水性的低压阳极铝箔。
对比例4：一种常规低压阳极箔的化成方法
化成过程中，除步骤（2）（5），其他步骤条件均与实施例4相同。
步骤（2）（5）改为：
（2）化成：将经步骤（1）处理过的铝箔放在温度为80℃，浓度为80 g/L的己二酸铵溶液中，设置直流电源电流密度为100 mA/cm2，逐级增加电压至120v，进行四级化成；
（5）热处理：将经步骤（4）处理过的铝箔置于马弗炉中进行热处理，温度45℃，加热时间为120 s。
对实施例1-4和对比例1-4制备出的低压阳极铝箔的性能参数进行比较，结果如图1所示。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (3)
1.一种高耐水性低压阳极箔的化成处理方法，其特征在于，主要包括如下步骤：
（1）前处理：将腐蚀箔置于己二酸铵溶液中进行预化成；
（2）化成：将经步骤（1）处理过的铝箔置于温度为50~90℃，浓度为50~90 g/L的己二酸铵溶液中，设置直流电源电流密度50~200 mA/cm2，逐级增加电压，进行四级化成，在阳极氧化的过程中，同样置于溶液中的超声振动板以固定频次进行震动处理，超声振动板频率为20~100 kHz，超声振动板每次超声持续时间为5~60 s，每次超声时间隔为10~60 s；
（3）钝化处理：将经步骤（2）处理过的铝箔置于温度为40~70℃，浓度为45~80 g/L的磷酸溶液中进行钝化处理，得到耐水合性的阳极铝箔；
（4）一次再化成：将经步骤（3）处理过的铝箔置于温度为 70~95℃的己二酸铵和磷酸二氢铵的混合溶液中，其中己二酸铵浓度为10~50 g/L，磷酸二氢铵浓度为1~10 g/L，施加5~15 mA/cm2的电流，进行一次再化成；
（5）热处理：将经步骤（4）处理过的铝箔置于微波加热设备中快速退火，微波加热设备功率为20~60 KW，使用微波加热的时间为30~120 s；
（6）二次再化成：将经步骤（5）处理过的铝箔置于温度为70~95℃，浓度为2~12 g/L的磷酸二氢铵溶液中，施加5~15 mA/cm2的电流，进行二次再化成，最后得到高耐水性的低压阳极铝箔。
2.如权利要求1所述的一种高耐水性低压阳极箔的化成处理方法，其特征在于，步骤（1）中，己二酸铵溶液的浓度为5~20%，温度为80~100℃，预化成处理时间为30~120 s。
3.如权利要求1所述的一种高耐水性低压阳极箔的化成处理方法，其特征在于，步骤（2）中，四级化成时，电压值逐渐增至60~120 V。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010504840.7A CN111613446B (zh) | 2020-06-05 | 2020-06-05 | 一种高耐水性低压铝箔的化成处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010504840.7A CN111613446B (zh) | 2020-06-05 | 2020-06-05 | 一种高耐水性低压铝箔的化成处理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111613446A CN111613446A (zh) | 2020-09-01 |
| CN111613446B true CN111613446B (zh) | 2022-03-08 |
Family
ID=72204802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010504840.7A Active CN111613446B (zh) | 2020-06-05 | 2020-06-05 | 一种高耐水性低压铝箔的化成处理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111613446B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113106518B (zh) * | 2021-04-19 | 2022-05-17 | 南通海星电子股份有限公司 | 一种固态铝电解电容器用低压化成箔制造方法 |
| CN113026087B (zh) * | 2021-04-29 | 2021-08-10 | 南通海星电子股份有限公司 | 一种汽车电子用纳微孔结构铝电极箔制备方法 |
| CN113921282B (zh) * | 2021-09-26 | 2023-11-17 | 内蒙古乌兰察布东阳光化成箔有限公司 | 一种铝电解电容器用中高压化成箔低损耗化成工艺 |
| CN114540908B (zh) * | 2022-03-03 | 2024-02-02 | 南通海星电子股份有限公司 | 一种高质量低压阳极箔的化成处理方法 |
| CN116426850B (zh) * | 2023-03-17 | 2023-10-27 | 广西广投正润新材料科技有限公司 | 一种基于微波等离子体烧结制备高立方织构占有率电子铝箔的方法 |
| CN117904690A (zh) * | 2024-03-20 | 2024-04-19 | 南通江海电容器股份有限公司 | 一种化成箔的制备方法及其应用 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS619582A (ja) * | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Kawasaki Steel Corp | 非晶質合金薄帯の絶縁被膜形成方法 |
| CN1094112C (zh) * | 1998-07-29 | 2002-11-13 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种结晶型三氧化二铝的合成方法 |
| CN101425386A (zh) * | 2008-07-29 | 2009-05-06 | 东莞市东阳光电容器有限公司 | 一种采用超声波制造铝电解电容器阳极箔的制备方法 |
| CN102134085A (zh) * | 2010-10-25 | 2011-07-27 | 湘潭大学 | 一种纳米α-氧化铝的制备方法 |
| CN102544471A (zh) * | 2011-12-27 | 2012-07-04 | 彩虹集团公司 | 一种锰酸锂正极材料的制备方法 |
| CN105513803A (zh) * | 2015-12-24 | 2016-04-20 | 南通海星电子股份有限公司 | 一种高温电容器用低压电极箔制造方法 |
-
2020
- 2020-06-05 CN CN202010504840.7A patent/CN111613446B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111613446A (zh) | 2020-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111613446B (zh) | 一种高耐水性低压铝箔的化成处理方法 | |
| CN110828183B (zh) | 基于烧结铝的铝电解电容器阳极箔的制作方法及电容器 | |
| CN113026087B (zh) | 一种汽车电子用纳微孔结构铝电极箔制备方法 | |
| US20140161970A2 (en) | A method of manufacturing an anode foil for aluminum electrolytic capacitor | |
| CN104078240B (zh) | 一种用于交流马达电容器的阳极箔制造方法 | |
| CN104499028B (zh) | 一种超低电压阳极氧化铝箔制造方法 | |
| CN101777432A (zh) | 特高压铝电解电容器用阳极箔的化成工艺 | |
| WO2023056725A1 (zh) | 一种孔长高一致性的腐蚀铝箔的制备方法 | |
| CN112080787B (zh) | 一种铝电解电容器用腐蚀箔及其制备方法 | |
| CN114724859B (zh) | 一种聚酰亚胺-铝复合箔制备工艺 | |
| CN107254707B (zh) | 一种多级发孔快速中高压电极箔的制造方法 | |
| CN110670105A (zh) | 一种铝电解电容器用阳极箔的脉冲-直流交替混合阳极氧化方法 | |
| CN113192754A (zh) | 一种铝电解电容器用铝化成箔耐压值的控制方法 | |
| CN115172054B (zh) | 一种中高压阳极氧化前处理方法、铝箔及铝电解电容器 | |
| CN105742067A (zh) | 提高固态电容器容量引出率及改善漏电电流铝箔生产方法 | |
| CN112530708B (zh) | 一种使用非对称间歇式正负组合脉冲制备化成箔的方法 | |
| CN114540908B (zh) | 一种高质量低压阳极箔的化成处理方法 | |
| CN103779098B (zh) | 一种交流马达启动电容用储能材料的化成方法 | |
| CN112863879A (zh) | 一种中高压阳极铝箔中处理减薄的工艺方法 | |
| CN112080775A (zh) | 一种快速制备高度规整的多孔阳极氧化铝模板的方法 | |
| CN112117130B (zh) | 一种高稳定性高压阳极箔的六级化成工艺 | |
| CN110718392B (zh) | 耐大压降和大纹波电流电容 | |
| CN114164473B (zh) | 用于铝电解电容器的高压化成箔化成方法 | |
| CN114197004B (zh) | 用于铝电解电容器的中高压化成箔化成方法 | |
| JP2007067172A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |