CN112530708B - 一种使用非对称间歇式正负组合脉冲制备化成箔的方法 - Google Patents

Abstract

本发明属于电容器技术领域，公开一种使用非对称间歇式正负组合脉冲重复加电方式制备化成箔的方法，所述非对称间歇式正负组合脉冲的波形依次包括正向大脉冲、负向脉冲、正向小脉冲，其中，所述正向大脉冲的电压大于所述负向脉冲电压的绝对值，所述正向大脉冲的时间大于所述负向脉冲电压的时间。本发明的制备方法中，在化成过程中增加负向脉冲阶段，同时负向脉冲的电压和时间小于正向脉冲的电压和时间，减少化成箔中氧化铝和铝基体间界面产生大量析氢和氢爆等现象，避免氧化膜层局部脱落、撕裂形成缺陷。

Description

一种使用非对称间歇式正负组合脉冲制备化成箔的方法

技术领域

本发明涉及电容器技术领域，特别涉及一种使用非对称间歇式正负组合脉冲制备化成箔的方法。

背景技术

随着电子技术的快速发展，进一步提高铝电解电容器的耐纹波能力才能满足现有电子市场发展的需要。尤其在电焊机、闪光灯、高储能快速充放电等领域用的电容器中，对于电容器耐纹波性能的需求更加苛刻。化成箔作为制备铝电解电容器的核心材料，是提升电容器性能的关键所在。

现有铝电解电容器阳极箔的化成中常见氧化方法为直流阳极氧化为主，其氧化过程中产生大量的焦耳热，易造成氧化膜的溶解、表面生成水合氧化膜等不利反应，使得化成箔的容量衰减、氧化膜存在较多缺陷等不良影响。同时，由于需要冷凝设备的不断运行，增加了化成箔生产成本。

专利CN110670105A、CN106065488B、CN105803505B、CN108155017A分别通过脉冲-直流交替混合阳极氧化法、对称正负脉冲阳极氧化法、变频交流阳极氧化法、非对称间歇式正负组合脉冲阳极氧化法来解决化成过程中产生焦耳热对氧化膜的溶解问题，同时通过正负向电压的交替进行，提高氧化膜质量。但在这些方法中，负向电压的数值和施加的正向电压数值一样，最高达到630V，且负向电压施加时间较长，在如此大且时间长的负向电压下使化成箔中氧化膜和铝基体间的界面产生大量析氢和氢爆等现象，易导致氧化膜层局部脱落、撕裂，进而产生新的大缺陷，这些大缺陷又会使在施加正向电压作用过程中出现集中放电导致氧化膜击穿等造成氧化膜中存在较多缺陷，且影响氧化膜的致密性和均匀性。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一：

1.化成过程中易产生大量的焦耳热，导致氧化膜溶解，影响化成箔容量；

2.持续的正向电压作用过程会产生集中放电现象，生成的氧化膜缺陷多且不均匀；

3.反向加电中，化成箔中氧化膜和铝基体间的界面产生大量析氢和氢爆等现象，易导致氧化膜层局部脱落、撕裂，进而产生新的大缺陷。

为达上述目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供一种使用非对称间歇式正负组合脉冲制备化成箔的方法，所述制备化成箔的方法包括使用非对称间歇式正负组合脉冲方式进行重复加电，其中，所述非对称间歇式正负组合脉冲的波形依次包括正向大脉冲、负向脉冲和正向小脉冲，所述正向大脉冲的电压大于所述负向脉冲电压的绝对值，所述正向大脉冲的时间大于所述负向脉冲电压的时间。

本发明中使用正负组合脉冲的加电方式，避免了制备化成箔的过程中持续施加直流电压产生过多的焦耳热，减少了溶解等副反应；其中负向脉冲阶段的负向电压主要通过电子电流导电，载荷能力比离子电流强很多，能够强烈引发电击穿，产生更多的放电通道，形成物质输送通道，使电解质中的离子进入氧化膜内部，促进电解质离子与基体反应，减少了初始氧化膜内的缺陷，使膜层的放电阻抗趋于均匀，从而减少了正向电压作用过程的集中放电现象，使生长的氧化膜均匀、致密，并且提高了膜层生长速率；同时通过控制所述正向大脉冲的电压大于所述负向脉冲电压的绝对值，所述正向大脉冲的时间大于所述负向脉冲电压的时间，确保负向脉冲电压不能过大，时间不能过长，以减少化成箔中氧化铝和铝基体间界面产生大量析氢和氢爆等现象，避免氧化膜层局部脱落、撕裂形成缺陷。

进一步的，所述负向脉冲和正向小脉冲交替重复2-5次。利用正负脉冲的交替进行，一方面有利于提高副反应产生的氧气、氢气从氧化膜中的释放，减小氧化膜的内应力，另一方面可以通过反复的极化，提高氧化膜的致密性，进而提升氧化膜的质量。

进一步的，所述正向大脉冲的电压为100-700V，例如：100V、200V、300V、400V、500V、600V、700V，等等。

进一步的，所述负向脉冲的电压为-(5-50)V，例如：-5V、-10V、-15V、-20V、-25V、-30V、-35V、-40V、-45V、-50V，等等。负向脉冲的电压不能过大，过大会造成氧化膜脱落。

进一步的，所述正向大脉冲的时间为0.5-1ms，例如：0.5ms、0.6ms、0.7ms、0.8ms、0.9ms、1.0ms，等等。

进一步的，所述负向脉冲的时间为0.1-0.4ms，例如：0.1ms、0.2ms、0.3ms、0.4ms，等等。负向脉冲的时间不能过长，过长会造成氧化膜脱落。

进一步的，所述正向小脉冲的电压等于所述负向脉冲电压的绝对值。

进一步的，所述正向小脉冲的电压为5-50V，例如：5V、10V、15V、20V、25V、30V、35V、40V、45V、50V，等等。

进一步的，所述正向小脉冲的时间等于所述负向脉冲电压的时间。

进一步的，所述正向小脉冲的时间为0.1-0.4ms，例如：0.1ms、0.2ms、0.3ms、0.4ms，等等。

进一步的，相邻的所述非对称间歇式正负组合脉冲波形之间还包括不加电阶段。通过结合负向脉冲和不加电阶段，可以加速阳极氧化时所产生的焦耳热的释放，减少氧化铝的热溶解。

进一步的，所述不加电阶段时间为0.4-1ms，例如：0.4ms、0.5ms、0.6ms、0.7ms、0.8ms、0.9ms、1.0ms，等等。

进一步的，所述使用非对称间歇式正负组合脉冲制备化成箔的方法的步骤包括：将电极箔依次进行预处理、一级化成、二级化成、三级化成、中处理、一次补形成、热处理、二次补形成、后处理操作，其中，一级化成、二级化成和三级化成使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式化成，一次补形成和二次补形成使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式进行补形成。

更进一步的，一次化成是将经过预处理的电极箔置于化成液中，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式进行化成5-8min；

二级化成是将经过一级化成处理的电极箔置于化成液中，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式进行化成8-10min；

三级化成是将经过二级化成处理的电极箔置于化成液中，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式进行化成10-15min；

一次补形成是将经过中处理的电极箔置于化成液中，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式进行一次补形成8-10min；

二次补形成是将经过热处理的电极箔置于化成液中，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式进行二次补形成8-10min。

进一步的，所述一级化成、二级化成和三级化成使用的非对称间歇式正负组合脉冲波形中的所述正向大脉冲的电压不同，其余参数均相同。具体的，所述正向大脉冲的电压V1+是根据不同处理步骤进行设定，在制备化成箔的过程中呈增加趋势，以确保电极箔能够达到所需的电压值，而其他电压值如正向小脉冲的电压V2+和负向脉冲的电压V-的设置目的是为了让氧化膜更致密，故不需要改变。

更进一步的，所述一级化成、二级化成、三级化成使用的非对称间歇式正负组合脉冲波形中的所述正向大脉冲的电压依次递增。

更进一步的，所述三级化成、一次补形成和二次补形成使用的非对称间歇式正负组合脉冲波形相同。

进一步的，所述一级化成、二级化成、三级化成、一次补形成和二次补形成使用非对称间歇式正负组合脉冲方式加电时，所使用的非对称间歇式正负组合脉冲波形中的所述正向大脉冲的电压为各步骤的预设电压，当电压到达预设电压后再进行加电化成或补成一段时间。具体的，所述当电压到达预设电压是指当电极箔的耐压或输出电压到达预设电压，在化成箔的制备过程中，电极箔的耐压基本等于电源的输出电压，而在开始升压的时期，电极箔上的氧化膜不够厚，故电极箔的耐压达不到预设电压，同时，由于升压期电压不足以及电源的功率限制，实际输出电流达不到预设电流，因而升压过程中实际输出波形并不能达到预设的非对称间歇式正负组合脉冲的波形。因此，在本发明中，当电极箔的耐压到达预设电压后再进行加电化成或补成一段时间，是使电极箔能按照预设的非对称间歇式正负组合脉冲的波形进行加电化成或补成一段时间。

进一步的，一级化成是将经过预处理的电极箔置于化成液中进行化成，当电压到达预设电压180V后，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式化成5-8min；

二级化成是将经过一级化成处理的电极箔置于化成液中进行化成，当电压到达预设电压360V后，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式化成8-10min；

三级化成是将经过二级化成处理的电极箔置于化成液中进行化成，当电压到达预设电压520V后，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式化成10-15min；

一次补形成是将经过中处理电极箔置于化成液中，当电压达到预设电压520V的后，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式进行一次补形成8-10min；

二次补形成是将经过热处理电极箔置于化成液中当电压达到预设电压520V的后，，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式进行二次补形成8-10min。

进一步的，所述化成液包括质量分数3％-8％的硼酸以及0.1％-1％五硼酸铵。所述硼酸的质量分数可列举的为：3％、4％、5％、6％、7％、8％，等等；所述五硼酸铵的质量分数可列举的为：0.1％、0.2％、0.3％、0.4％、0.5％、0.6％、0.7％、0.8％、0.9％、1％，等等。

进一步的，所述化成液的温度为75-90℃，例如：75℃、78℃、80℃、85℃、88℃、90℃，等等。

进一步的，所述中处理的中处理液为质量分数5-10％的磷酸；处理温度为50-80℃；处理时间为2-6min。

进一步的，所述热处理的温度为450-600℃；处理时间为1-2min。

进一步的，所述后处理的后处理液为质量分数0.5-3％的磷酸二氢铵；处理温度为50-70℃，处理时间为1-3min。

与现有技术相比，本发明具有以下技术效果：

本发明的制备方法中，在化成过程中增加负向脉冲阶段，同时负向脉冲的电压和时间小于正向大脉冲的电压和时间，减少化成箔中氧化铝和铝基体间界面产生大量析氢和氢爆等现象，避免氧化膜层局部脱落、撕裂形成缺陷。

本发明的制备方法中，利用正负脉冲的交替进行，一方面有利于提高副反应产生的氧气、氢气从氧化膜中的释放，减小氧化膜的内应力，另一方面反复的极化，提高氧化膜的致密性，进而提升氧化膜的质量。

本发明的制备方法中，在化成过程中增加负电压周期和不加电周期，加速阳极氧化时所产生的焦耳热的释放，减少了溶解等副反应，进而有利于化成箔容量的提高。

本发明提供的使用非对称间歇式正负组合脉冲法制备化成箔的方法，操作简单，化成所需能耗低，同时能够有效提高化成箔的容量，降低化成箔的漏电流。通过该方法制备的化成箔能够满足小型化、高稳定性铝电解电容器的需求。

附图说明

图1是示出了本发明实施例使用的非对称间歇式正负组合脉冲波形的示意图。

具体实施方式

除非另外说明，本发明所使用的所有科技术语具有与本发明所属领域技术人员的通常理解相同的含义。本发明涉及的所有专利和公开出版物通过引用方式整体并入本发明。术语“包含”或“包括”为开放式表达，即包括本发明所指明的内容，但并不排除其他方面的内容。

下面将结合附图和实施例对本发明的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。

一种使用非对称间歇式正负组合脉冲方式进行重复加电制备化成箔的方法，所述非对称间歇式正负组合脉冲的波形如图1所示，单个所述非对称间歇式正负组合脉冲波形依次包括正向大脉冲、负向脉冲和正向小脉冲，相邻的所述非对称间歇式正负组合脉冲波形之间还包括不加电阶段。其中，正向大脉冲的电压为V1+，时间为T1；负向脉冲的电压为V-，时间分别记为T2、T4……T2n；正向小脉冲的电压为V2+，时间分别记为T3、T5……T2n+1；不加电时间记为Toff；其中n＝2-5，n代表了负向脉冲和正向小脉冲交替重复的次数。

当n＝2时，表示负向脉冲和正向小脉冲交替重复2次，非对称间歇式正负组合脉冲波形依次包括正向大脉冲T1、负向脉冲T2、正向小脉冲T3、负向脉冲T4、正向小脉冲T5。

当n＝4时，表示负向脉冲和正向小脉冲交替重复4次，非对称间歇式正负组合脉冲波形依次包括正向大脉冲T1、负向脉冲T2、正向小脉冲T3、负向脉冲T4、正向小脉冲T5、负向脉冲T6、正向小脉冲T7、负向脉冲T8、正向小脉冲T9。

所述正向大脉冲的电压V1+大于所述负向脉冲电压V-的绝对值，所述正向小脉冲的电压V2+等于所述负向脉冲电压V-的绝对值。

所述正向大脉冲的电压为100-700V，所述负向脉冲的电压为-(5-50)V，所述正向小脉冲的电压为5-50V。

所述正向大脉冲的时间T1大于所述负向脉冲电压的时间T2、T4……T2n，所述负向脉冲电压的时间T2、T4……T2n等于所述正向小脉冲的时间T3、T5……T2n+1。

所述正向大脉冲的时间为0.5-1ms，所述负向脉冲的时间为0.1-0.4ms，所述正向小脉冲的时间为0.1-0.4ms。

一种使用非对称间歇式正负组合脉冲方式制备化成箔的方法，包括如下步骤：

A、预处理：将腐蚀箔置于97℃以上的纯水中水煮10-15min；

B、一级化成：将经过预处理的电极箔置于化成液中，当电压到达预设电压180V后，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式进行化成5-8min；

C、二级化成：将经过一级化成处理的电极箔置于化成液中当电压到达预设电压360V后，，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式进行化成8-10min；

D、三级化成：将经过二级化成处理的电极箔置于化成液中，当电压到达预设电压520V后，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式进行化成10-15min；

E、中处理：将经过三级化成后电极箔置于质量分数为5-10％的磷酸溶液中，温度控制在60-80℃，浸渍2-6min；

F、一次补形成：将经过中处理的电极箔置于化成液中，当电压达到预设电压520V的后，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式进行一次补形成8-10min；

G、热处理：将经过一次补形成处理的电极箔进行450-550℃的高温热处理1-2min；

H、二次补形成：将经过热处理的电极箔置于化成液中，当电压达到预设电压520V的后，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式进行二次补形成8-10min；

I、后处理：将经过二次补形成处理电极箔置于0.5-3％的磷酸二氢铵溶液中，50-70℃下浸渍1-3min；

J、烘干处理：将经过后处理的电极箔在200℃下烘干，制备获得相关化成箔。

其中，所述化成液包括质量分数3％-8％的硼酸以及0.1％-1％五硼酸铵，所述化成液的温度为75-90℃。

本发明中，除非特殊说明，否则所述溶液指水溶液。

下面将结合实施例对本发明的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。

以下实施例和对比例中，所述化成液为质量分数5％的硼酸以及0.5％五硼酸铵的混合水溶液，化成液的温度为85℃。

实施例1

A、预处理：将腐蚀箔置于97℃的纯水中水煮10min；

B、一级化成：将经过预处理的电极箔置于化成液中进行化成，当电压到达预设电压180V后，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式化成5min；

C、二级化成：将经过一级化成处理的电极箔置于化成液中进行化成，当电压到达预设电压360V后，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式化成8min；

D、三级化成：将经过二级化成处理的电极箔置于化成液中进行化成，当电压到达预设电压520V后，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式化成10min；

E、中处理：将经过三级化成后电极箔置于质量分数为7％的磷酸溶液中，温度控制在70℃，浸渍5min；

F、一次补形成：将经过中处理电极箔置于化成液中，当电压达到预设电压520V后，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式进行一次补形成8min；

G、热处理：将经过一次补形成处理的电极箔进行550℃的高温热处理2min；

H、二次补形成：将经过热处理电极箔置于化成液中，当电压达到预设电压520V后，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式进行二次补形成8min；

I、后处理：将经过二次补形成处理电极箔置于2％的磷酸二氢铵溶液中，60℃下浸渍2min；

J、烘干处理：将经过后处理的电极箔在200℃下烘干，制备获得相关化成箔。

非对称间歇式正负组合脉冲化成参数：n＝5，正向大脉冲的电压V1+为各步骤的预设电压，正向大脉冲的时间T1＝0.5ms；负向脉冲的电压V-＝-5V，负向脉冲的时间T2、T4、T6、T8、T10＝0.1ms；正向小脉冲的电压V2+＝5V，正向小脉冲的时间T3、T5、T7、T9、T11＝0.1ms；不加电阶段的时间Toff＝0.4ms。

实施例2

本实施例与实施例1的区别在于：

非对称间歇式正负组合脉冲化成参数：n＝3，正向大脉冲的电压V1+为各步骤的预设电压，正向大脉冲的时间T1＝0.7ms；负向脉冲的电压V-＝-25V，负向脉冲的时间T2、T4、T6＝0.2ms；正向小脉冲的电压V2+＝25V，正向小脉冲的时间T3、T5、T7＝0.2ms；不加电阶段的时间Toff＝0.6ms。

实施例3

本实施例与实施例1的区别在于：

非对称间歇式正负组合脉冲化成参数：n＝2正向大脉冲的电压V1+为各步骤的预设电压，正向大脉冲的时间T1＝1ms；负向脉冲的电压V-＝-50V，负向脉冲的时间T2～T4＝0.4ms；正向小脉冲的电压V2+＝50V，正向小脉冲的时间T3～T5＝0.4ms；不加电阶段的时间Toff＝1ms。

对比例1

A、预处理：将腐蚀箔置于97℃以上的纯水中水煮10min；

B、一级化成：将经过预处理的电极箔置于化成液中进行化成，当电压到达预设电压180V后，恒压条件下使用直流加电方式化成8min；

C、二级化成：将经过一级化成处理的电极箔置于化成液中进行化成，当电压到达预设电压360V后，恒压条件下使用直流加电方式化成10min；

D、三级化成：将经过二级化成处理的电极箔置于化成液中进行化成，当电压到达预设电压520V后，恒压条件下使用直流加电方式化成20min；

E、中处理：将经过三级化成后电极箔置于质量分数为7％的磷酸溶液中，温度控制在70℃，浸渍5min；

F、一次补形成：将经过中处理电极箔置于化成液中，当电压到达预设电压520V后，恒压条件下使用直流加电方式化成8min；

G、热处理：将经过一次补形成处理的电极箔进行500℃的高温热处理2min；

H、二次补形成：将经过热处理电极箔置于化成液中，当电压到达预设电压520V后，恒压条件下使用直流加电方式化成8min；

I、后处理：将经过二次补形成处理电极箔置于2％的磷酸二氢铵溶液中，60℃下浸渍2min；

J、烘干处理：将经过后处理的电极箔在200℃下烘干，获得相应化成箔。

对比例2

A、将腐蚀箔置于97℃以上的纯水中水煮10min；

B、恒流升压(10A/cm2)→正向恒压(150V,10S)→停止(1S)→负向恒压(150V,2S)→停止(1S)→……循环10次→正向恒压(300V,10S)→停止(1S)→负向恒压(300V,2S)→停止(1S)→……循环10次→正向恒压(450V,10S)→停止(1S)→负向恒压(450V,2S)→停止(1S)→……循环10次→正向恒压(520V,10S)→停止(1S)→负向恒压(520V,2S)→停止(1S)→……循环10次→烧片(2min)→520V补形成(正向恒压10S，停止1S，负向恒压2S，循环10次)

C、后处理：将经过二次补形成处理电极箔置于2％的磷酸二氢铵溶液中，60℃下浸渍2min；

D、烘干处理：将经过后处理的电极箔在200℃下烘干，获得相应化成箔。

对比例3

A、预处理：将两片腐蚀箔置于97℃以上的纯水中水煮10min；

B、将经过预处理的两片腐蚀铝箔分别连接脉冲电源正负输出端上，并浸入化成液中，在520V，500mA·cm^-2、30Hz的条件下进行脉冲阳极氧化。在两端电压升至520V后，恒定电压数值并持续8min，冲洗烘干后置于600℃空气气氛中处理3min，之后继续在原溶液中进行补形成，每片铝箔施加电压为520V，电流为25mA·cm^-2的直流电补形成4min；

C、后处理：将经过二次补形成处理电极箔置于2％的磷酸二氢铵溶液中，60℃下浸渍2min；

D、烘干处理：将经过后处理的电极箔在200℃下烘干，获得相应化成箔。

性能测试

根据标准检测方法SJ/T 11140-2012铝电解电容器用电极箔国家标准，分别对实施例1-3及对比例1-3所制备的化成箔进行检测及化成能耗监控测试，结果如表1所示：

表1

例别	到达电压(V)	比容(μF/cm<sup>2</sup>)	漏电流(μA/cm<sup>2</sup>)	能耗
					实施例1	531	0.845	20.2	79.5％
实施例2	532	0.838	20.5	77.2％
					实施例3	530	0.842	21.1	78.6％
对比例1	525	0.798	30.2	100％
					对比例2	520	0.820	50.8	76.8％
对比例3	521	0.818	52.3	78.4％

从上表实施例与对比例1(传统直流加电)中化成箔的性能数据可以看出，通过非对称间歇式正负组合脉冲方式得到的化成箔，实际到达电压高出5-7V，比容提升5％左右，漏电流降低30％以上；同时以对比例1能耗为100％计，本发明实施例的能耗节约20％以上。对比例2、3中，由于负向电压大且持续时间较长，严重影响氧化膜的致密性及均匀性，导致化成箔漏电流高达50μA/cm²以上。

尽管对本发明已做出了详细的说明，并列出了一些具体实例，但对本领域技术人员而言，只要不脱离本发明的精神，对本方法所做的各种调整均被视为包含在本发明的范围内。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

Claims (8)

1.一种使用非对称间歇式正负组合脉冲制备化成箔的方法，其特征在于，所述制备化成箔的方法包括使用非对称间歇式正负组合脉冲方式进行重复加电，其中，所述非对称间歇式正负组合脉冲的波形依次包括正向大脉冲、负向脉冲和正向小脉冲，所述正向大脉冲的电压大于所述负向脉冲电压的绝对值，所述正向大脉冲的时间大于所述负向脉冲电压的时间；所述正向大脉冲的电压为100-700V，所述负向脉冲的电压为-(5-50)V；所述正向大脉冲的时间为0.5-1ms，所述负向脉冲的时间为0.1-0.4ms。

2.根据权利要求1所述的使用非对称间歇式正负组合脉冲制备化成箔的方法，其特征在于，所述负向脉冲和正向小脉冲交替重复2-5次。

3.根据权利要求1所述的使用非对称间歇式正负组合脉冲制备化成箔的方法，其特征在于，所述正向小脉冲的电压等于所述负向脉冲电压的绝对值，所述正向小脉冲的时间等于所述负向脉冲电压的时间。

4.根据权利要求1所述的使用非对称间歇式正负组合脉冲制备化成箔的方法，其特征在于，相邻的所述非对称间歇式正负组合脉冲波形之间还包括不加电阶段。

5.根据权利要求4所述的使用非对称间歇式正负组合脉冲制备化成箔的方法，其特征在于，所述不加电阶段时间为0.4-1ms。

6.根据权利要求1-5任一项所述的使用非对称间歇式正负组合脉冲制备化成箔的方法，其特征在于，所述使用非对称间歇式正负组合脉冲方式制备化成箔的方法的步骤包括：将电极箔依次进行预处理、一级化成、二级化成、三级化成、中处理、一次补形成、热处理、二次补形成、后处理操作，其中，一级化成、二级化成和三级化成使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式化成，一次补形成和二次补形成使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式进行补形成。

7.根据权利要求6所述的使用非对称间歇式正负组合脉冲制备化成箔的方法，其特征在于，所述一级化成、二级化成、三级化成的非对称间歇式正负组合脉冲波形中的所述正向大脉冲的电压依次递增。

8.根据权利要求7所述的使用非对称间歇式正负组合脉冲制备化成箔的方法，其特征在于，一次化成是将经过预处理的电极箔置于化成液中，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式进行化成5-8min；

二级化成是将经过一级化成处理的电极箔置于化成液中，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式进行化成8-10min；

三级化成是将经过二级化成处理的电极箔置于化成液中，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式进行化成10-15min；

一次补形成是将经过中处理的电极箔置于化成液中，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式进行一次补形成8-10min；

二次补形成是将经过热处理的电极箔置于化成液中，使用非对称间歇式正负组合脉冲的加电方式进行二次补形成8-10min。

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