CN111599598B - 一种缩体牛角型铝电解电容器用高压阳极箔的制备工艺 - Google Patents
一种缩体牛角型铝电解电容器用高压阳极箔的制备工艺 Download PDFInfo
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Abstract
本发明为一种缩体牛角型铝电解电容器用高压阳极箔的制备工艺。一种缩体牛角型铝电解电容器用高压阳极箔的制备工艺，包括以下步骤：(1)一级馈电；(2)高温水煮铝箔片；(3)一级化成；(4)二级化成；(5)二级馈电；(6)三级化成；(7)四级化成；(8)三级馈电；(9)五级化成；(10)六级化成；(11)第一次磷酸处理；(12)第一次后端修复；(13)第二次磷酸处理；(14)第二次后端修复；(15)烧片；(16)第三次后端修复；(17)后处理；(18)干燥处理。本发明所述的一种缩体牛角型铝电解电容器用高压阳极箔的制备工艺，可以制备出具备高容量、高强度、低漏电及耐水合能力强的铝箔。
Description
技术领域
本发明属于电解电容器的技术领域，具体涉及一种缩体牛角型铝电解电容器用高压阳极箔的制备工艺。
背景技术
电极箔是铝电解电容器制造的必不可少的原材料。由于铝电解电容器朝小型化、高性能化、片式化发展，电极箔的制造业对容量、机械性能及氧化膜的稳定性有着更高的要求。
目前，腐蚀箔大多采用硼酸体系或有机酸体系在箔表面生成Al2O3氧化薄膜作为介电质，制成化成箔。比较常见的技术方案如下：
现阶段电解电容器用高压阳极箔的化成工艺主要采用硼酸工艺化成，所制备的阳极箔氧化膜性能稳定强，可制备大型牛角类产品。采用硼酸和带有铵根的无机盐多级化成法，将纯度大于等于99.99％铝箔经过水煮，形成一层水合氧化膜后，使用硼酸系进行化成，经多段阳极氧化，热处理暴露缺陷后，用磷酸系进行抗水合处理，再通过硼酸系修补，经过磷酸处理后形成一层磷酸铝膜，烘干收卷。但是，采用硼酸工艺制得的氧化铝膜，容量损失较大，机械性能较差，即容量低,折弯不高，不适用于缩体牛角型铝电解电容器产品，无法满足现市场对容量及折弯的需求。
其次采用有机酸多级化成法，将纯度大于等于99.99％铝箔经过水煮，形成一层水合氧化膜后，使用有机酸进行化成，经多段阳极氧化，热处理暴露缺陷后，用磷酸系进行抗水合处理，再通过硼酸系修补，经过磷酸处理后形成一层磷酸铝膜，烘干收卷。虽然采用有机酸化成工艺所制备的阳极箔具有容量高、折弯高的优点，但氧化膜不稳定，漏电流较大，影响产品使用寿命，往往使用寿命较短，可做普通引线类产品，不适用于缩体牛角型铝电解电容器产品。
本公司2019年申报一项发明专利《一种超高电压铝电解电容器阳极箔的化成方法》，此项发明生产的超高压铝电解电容器阳极箔，虽具有升压时间短、容量高、漏电流低、损耗小、寿命长、折弯高等特点，但仅适用于超高压工业批量化生产，不适用与高压化成箔的制备。
有鉴于此，本发明提出一种新工艺，所制备阳极箔具备多种优良的电性能，可满足缩体牛角型铝电解电容器用高压阳极箔的要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种缩体牛角型铝电解电容器用高压阳极箔的制备工艺，主要针对阳极箔容量低，机械强度差，漏电流大等问题，可生产高性能阳极箔供给市场，具备高比容、高折弯、低漏电的多重优势，可满足缩体牛角型铝电解电容器产品的使用要求。且过程简单，易操作，所需原料常见易得，可行性强，适用于工业批量化生产。
为了实现上述目的，所采用的技术方案为：
一种缩体牛角型铝电解电容器用高压阳极箔的制备工艺，包括以下步骤：
(1)一级馈电：采用导电银辊对一级、二级化成馈供电；
(2)高温水煮：将铝箔片放入95℃以上水中浸泡10-14min；
(3)一级化成：将步骤(2)处理后的铝箔在含有1-3g/L磷酸二氢铵、0.5-1.5g/L柠檬酸和0.5-1.5g/L柠檬酸三铵的水溶液中进行一级化成处理，电流密度80mA/cm2,电压170V，化成时间9min，处理温度90℃；
(4)二级化成：将一级化成处理后的铝箔在含有0.1-1g/L磷酸二氢铵、0.3-1.4g/L柠檬酸和0.3-1.2g/L柠檬酸三铵的水溶液中进行二级化成处理，电流密度80mA/cm2,电压340V，化成时间9min，处理温度90℃；
(5)二级馈电：采用35g/L的磷酸水溶液对三级化成、四级化成和第一次前段修复进行液体馈供电；
(6)三级化成：将二级化成处理后的铝箔在含有0.4-1.2g/L柠檬酸、0.1-1.0g/L柠檬酸三铵的水溶液中进行三级化成处理，电流密度80mA/cm2,电压500V，化成时间9min，处理温度90℃；
(7)第一次前段修复：在含有0.8g/L五硼酸铵、50g/L硼酸的修复液中，对三级化成处理后的铝箔进行氧化膜的修复处理，电流密度80mA/cm2,电压500V，修复时间3min，处理温度90℃；
(8)第一次烧片：对第一次前段修复处理后的铝箔在450℃下焙烧1min；
(9)四级化成：将步骤(6)处理后的铝箔在含有0.65g/L壬二酸铵和1g/L壬二酸的水溶液中进行四级化成处理，电流密度80mA/cm2,电压600V，化成时间9min，处理温度90℃；
(10)三级馈电：采用35g/L的磷酸溶液，对第二次前段修复、五级化成、六级化成和后端修复进行液体馈供电；
(11)五级化成：将四级化成处理后的铝箔在含有0.3g/L壬二酸铵和1g/L壬二酸的水溶液中进行三级化成处理，电流密度80mA/cm2,电压650V，化成时间9min，处理温度90℃；
(12)第二次前段修复：在含有0.8g/L五硼酸铵、50g/L硼酸的修复液中，对五级化成处理后的铝箔进行氧化膜的修复处理，电流密度80mA/cm2,电压650V，修复时间3min，处理温度90℃；
(13)第二次烧片：对第二次前段修复处理后的铝箔在450℃下焙烧1min；
(14)六级化成：将步骤(6)处理后的铝箔在含有0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸的水溶液中进行六级化成处理，电流密度80mA/cm2,电压670V，化成时间6min，处理温度90℃；
(15)第一次磷酸处理：将六级化成处理后的铝箔在65g/L的磷酸水溶液中处理5min，温度为65-75℃；
(16)第一次后端修复：在含有0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸的修复液中，对第一次磷酸处理后的铝箔进行氧化膜的修复处理，电流密度80mA/cm2,电压670V，修复时间3min，处理温度90℃；
(17)第二次磷酸处理：将第一次后端修复处理后的铝箔在65g/L的磷酸水溶液中处理5min，温度为65-75℃；
(18)第二次后端修复：在含有0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸的修复液中，对第二次磷酸处理后的铝箔进行氧化膜的修复处理，电流密度80mA/cm2,电压670V，修复时间3min，处理温度90℃；
(19)第三次烧片：对第二次后端修复处理后的铝箔在350℃下焙烧1.5min；
(20)第三次后端修复：在含有0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸的修复液，对第三次烧片处理后的铝箔进行氧化膜的修复处理，电流密度80mA/cm2,电压670V，修复时间3min，处理温度90℃；
(21)后处理：将第三次后端修复处理后的铝箔在1g/L磷酸水溶液中浸泡3min，处理温度30℃；
(22)干燥：将后处理后的铝箔在150℃下干燥3min。
进一步的，所述的步骤(2)中，浸泡时间为12min。
进一步的，所述的步骤(3)中，进行一级化成处理的溶液中，含有2g/L磷酸二氢铵、1g/L柠檬酸和0.9g/L柠檬酸三铵。
进一步的，所述的步骤(4)中，进行二级化成处理的溶液中，含有0.5g/L磷酸二氢铵、0.7g/L柠檬酸和0.7g/L柠檬酸三铵。
进一步的，所述的步骤(6)中，进行三级化成处理的溶液中，含有0.8g/L柠檬酸和0.5g/L柠檬酸三铵。
进一步的，所述的步骤(3)中，进行一级化成处理的溶液中，还含有不超过0.1g/L的次亚磷酸钠。
进一步的，所述的步骤(15)、(17)中，处理温度为70℃。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
1、本发明形成液配置过程简单，可操作性强，所需原料常见易得，使用590V，0.70μF/cm2的腐蚀箔，采用本发明的制备工艺化成后，高压规格阳极箔容量较硼酸工艺提升8-10％；折弯为硼酸工艺的两倍；在4mA检测电流下1h的漏电流(以下简称为1h漏电流)较有机酸体系降低3倍；耐水合能力与硼酸及有机酸工艺相差不大，均在30s以内；表面氧化膜缺陷较硼酸工艺少，表面性能较优。
2、本发明所述工艺中的六级形成液通过不同化工原料的搭配方式，和所述工艺特有的工艺流程结合，有利于化成形成一层具有高静电容量，高强度的氧化膜。
3、本发明为全新的工艺流程，优选的在前段引入450℃烧片炉处理，使贴近铝芯层一侧形成结晶度较高的氧化膜，进一步提升容量，并在高温烘片前，先通过硼酸液修复，降低漏电流。在后端降低烧片炉的温度至350℃，同时提高磷酸处理强度，既能保证内部缺陷得到修复，又能降低氧化膜表面的结晶度，减少表面缺陷，提高氧化膜表面的修复能力，使氧化膜具有低漏电和较强耐水合能力的优点。
4、本发明的化成工艺操作过程简单，形成液易于控制，产品性能稳定，适用于电极箔工业批量化生产。
附图说明
图1为对比例1与实施例35的极差电压对比图。
具体实施方式
为了进一步阐述本发明一种缩体牛角型铝电解电容器用高压阳极箔的制备工艺，达到预期发明目的，以下结合较佳实施例，对依据本发明提出的一种缩体牛角型铝电解电容器用高压阳极箔的制备工艺，其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。在下述说明中，不同的“一实施例”或“实施例”指的不一定是同一实施例。此外，一或多个实施例中的特定特征、结构或特点可由任何合适形式组合。
在详细阐述本发明一种缩体牛角型铝电解电容器用高压阳极箔的制备工艺之前，有必要对本发明中提及的方法做进一步说明，以达到更好的效果。
本发明是提供一种高性能缩体牛角型铝电解电容器用高压阳极箔的制备工艺，其具备高容量、高强度、低漏电及耐水合能力强的优点。所述工艺流程包含以下步骤：A)六级化成；B)修复处理；C)烧片炉热处理；D)磷酸处理；E)后处理；F)三级馈电；G)干燥。
步骤A)中，一级形成液为含有浓度为1-3g/L磷酸二氢铵、0.5-1.5g/L柠檬酸、0.5-1.5g/L柠檬酸三铵、0.05-0.2g/L次亚磷酸钠的水溶液；二级形成液为含有浓度为0.1-1g/L磷酸二氢铵、0.3-1.4g/L柠檬酸和0.3-1.2g/L柠檬酸三铵的水溶液；三级形成液为含有浓度为0.4-1.2g/L柠檬酸、0.1-1.0g/L柠檬酸三铵的水溶液；四级形成液为含有浓度为0.65g/L壬二酸铵和1g/L壬二酸的水溶液；五级形成液为含有浓度为0.3g/L壬二酸铵和1g/L壬二酸的水溶液；六级形成液为含有浓度为0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸的水溶液。
步骤B)修复处理分为前段和后段修复处理，其中前段修复处理分别位于二级馈电和三级馈电之后(或者说是三级化成和五级化成之后)；后端修复处理分别位于第一次、第二次磷酸处理和第三次烧片之后。
本发明修复液为含有浓度为0.8g/L五硼酸铵和50g/L硼酸或0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸的水溶液
步骤C)烧片炉热处理,位置分别在第一次前段修复、第二次前段修复和第二次后端修复之后。第一次烧片炉和第二次烧片炉温度均为450℃，第三次烧片炉温度为350℃。
步骤D)磷酸处理液采用浓度为65g/L的磷酸水溶液，温度为65-75℃。
步骤E)后处理液采用浓度为1g/L磷酸水溶液。
步骤F)三级馈电中，一级馈电处于水合处理前，为导电辊供电；二级三级馈电槽分别处于三级和五级化成之后，馈电液为35g/L的磷酸水溶液。
在了解了本发明的方法之后，下面将结合具体的实施例，对本发明一种缩体牛角型铝电解电容器用高压阳极箔的制备工艺做进一步的详细介绍：
本发明的技术方案为：
采用六级化成的方式，590V，0.70μF/cm2的腐蚀箔进行化成，选取制备660V规格阳极箔的实验条件，具体操作为：
(1)一级馈电：采用导电银辊对一级、二级化成馈供电；
(2)高温水煮：将铝箔片放入95℃以上水中浸泡10-14min；
(3)一级化成：将步骤(2)处理后的铝箔在含有1-3g/L磷酸二氢铵、0.5-1.5g/L柠檬酸和0.5-1.5g/L柠檬酸三铵的水溶液中进行一级化成处理，电流密度80mA/cm2,电压170V，化成时间9min，处理温度90℃；
(4)二级化成：将一级化成处理后的铝箔在含有0.1-1g/L磷酸二氢铵、0.3-1.4g/L柠檬酸和0.3-1.2g/L柠檬酸三铵的水溶液中进行二级化成处理，电流密度80mA/cm2,电压340V，化成时间9min，处理温度90℃；
(5)二级馈电：采用35g/L的磷酸水溶液对三级化成、四级化成和第一次前段修复进行液体馈供电；(馈电槽可置于三级化成槽后，在生成运行过程中，可降低电成本)
(6)三级化成：将二级化成处理后的铝箔在含有0.4-1.2g/L柠檬酸、0.1-1.0g/L柠檬酸三铵的水溶液中进行三级化成处理，电流密度80mA/cm2,电压500V，化成时间9min，处理温度90℃；
(7)第一次前段修复：在含有0.8g/L五硼酸铵、50g/L硼酸的修复液中，对三级化成处理后的铝箔进行氧化膜的修复处理，电流密度80mA/cm2,电压500V，修复时间3min，处理温度90℃；
(8)第一次烧片：对第一次前段修复处理后的铝箔在450℃下焙烧1min；
(9)四级化成：将步骤(6)处理后的铝箔在含有0.65g/L壬二酸铵和1g/L壬二酸的水溶液中进行四级化成处理，电流密度80mA/cm2,电压600V，化成时间9min，处理温度90℃；
(10)三级馈电：采用35g/L的磷酸溶液，对第二次前段修复、五级化成、六级化成和后端修复进行液体馈供电；(馈电槽可置于五级化成槽后，在生成运行过程中，可降低电成本)
(11)五级化成：将四级化成处理后的铝箔在含有0.3g/L壬二酸铵和1g/L壬二酸的水溶液中进行三级化成处理，电流密度80mA/cm2,电压650V，化成时间9min，处理温度90℃；
(12)第二次前段修复：在含有0.8g/L五硼酸铵、50g/L硼酸的修复液中，对五级化成处理后的铝箔进行氧化膜的修复处理，电流密度80mA/cm2,电压650V，修复时间3min，处理温度90℃；
(13)第二次烧片：对第二次前段修复处理后的铝箔在450℃下焙烧1min；
(14)六级化成：将步骤(6)处理后的铝箔在含有0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸的水溶液中进行六级化成处理，电流密度80mA/cm2,电压670V，化成时间6min，处理温度90℃；
(15)第一次磷酸处理：将六级化成处理后的铝箔在65g/L的磷酸水溶液中处理5min，温度为65-75℃；
(16)第一次后端修复：在含有0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸的修复液中，对第一次磷酸处理后的铝箔进行氧化膜的修复处理，电流密度80mA/cm2,电压670V，修复时间3min，处理温度90℃；
(17)第二次磷酸处理：将第一次后端修复处理后的铝箔在65g/L的磷酸水溶液中处理5min，温度为65-75℃；
(18)第二次后端修复：在含有0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸的修复液中，对第二次磷酸处理后的铝箔进行氧化膜的修复处理，电流密度80mA/cm2,电压670V，修复时间3min，处理温度90℃；
(19)第三次烧片：对第二次后端修复处理后的铝箔在350℃下焙烧1.5min；
(20)第三次后端修复：在含有0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸的修复液，对第三次烧片处理后的铝箔进行氧化膜的修复处理，电流密度80mA/cm2,电压670V，修复时间3min，处理温度90℃；
(21)后处理：将第三次后端修复处理后的铝箔在1g/L磷酸水溶液中浸泡3min，处理温度30℃；
(22)干燥：将后处理后的铝箔在150℃下干燥3min。
优选的，浸泡时间为12min。
优选的，所述的步骤(3)中，进行一级化成处理的溶液中，含有2g/L磷酸二氢铵、1g/L柠檬酸和0.9g/L柠檬酸三铵。
优选的，所述的步骤(4)中，进行二级化成处理的溶液中，含有0.5g/L磷酸二氢铵、0.7g/L柠檬酸和0.7g/L柠檬酸三铵。
优选的，所述的步骤(6)中，进行三级化成处理的溶液中，含有0.8g/L柠檬酸和0.5g/L柠檬酸三铵。
优选的，所述的步骤(3)中，进行一级化成处理的溶液中，还含有不超过0.1g/L的次亚磷酸钠。次亚磷酸根比磷酸根的离子半径小，更易进入氧化膜，对铝箔的水化性能有利。但次亚磷酸钠的浓度过高时，会影响产品的容量。
优选的，所述的步骤(15)、(17)中，处理温度为70℃。
通过以上步骤可制备出规格为660V的阳极箔。
实施例1.
具体操作步骤如下：
(1)一级馈电：导电银辊对一级、二级化成馈供电。
(2)高温水煮：将箔片放入97℃以上水中浸泡12min。
(3)一级化成：用含有1g/L磷酸二氢铵、0.5g/L柠檬酸和0.5g/L柠檬酸三铵的形成液，进行一级化成。电流密度80mA/cm2,电压170V，化成时间9min，处理温度90℃。
(4)二级化成：用含有0.5g/L磷酸二氢铵、0.7g/L柠檬酸和0.7g/L柠檬酸三铵的形成液，进行二级化成。电流密度80mA/cm2,电压340V，化成时间9min，处理温度90℃。
(5)三级化成：用含有0.4g/L柠檬酸、0.1g/L柠檬酸三铵的形成液，进行三级化成。电流密度80mA/cm2,电压500V，化成时间9min，处理温度90℃。
(6)二级馈电：采用35g/L的磷酸水溶液，对三级化成、四级化成馈供电。(该处馈电槽置于三级化成槽后，可向前和向后进行馈电，在生成运行过程中，可降低电成本)
(7)四级化成：用含有0.65g/L壬二酸铵和1g/L壬二酸的形成液，进行四级化成。电流密度80mA/cm2,电压600V，化成时间9min，处理温度90℃。
(8)五级化成：用含有0.3g/L壬二酸铵和1g/L壬二酸的形成液，进行五级化成。电流密度80mA/cm2,电压650V，化成时间9min，处理温度90℃。
(9)三级馈电：采用35g/L的磷酸水溶液，对五级化成和六级化成馈供电。(该处馈电槽置于五级化成槽后，可向前和向后进行馈电，在生成运行过程中，可降低电成本)
(10)六级化成：用含有0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸的形成液进行六级化成，电流密度80mA/cm2,电压670V，化成时间6min，处理温度90℃。
(11)第一次磷酸处理：用65g/L的磷酸水溶液，处理时间5min，温度为65℃。
(12)第一次后端修复：用含有0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸的修复液，进行氧化膜的修复处理。电流密度80mA/cm2,电压670V，修复时间3min，处理温度90℃。
(13)第二次磷酸处理：用65g/L的磷酸水溶液，处理时间5min，温度为65℃。
(14)第二次后端修复：用含有0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸的修复液，进行氧化膜的修复处理。电流密度80mA/cm2,电压670V，修复时间3min，处理温度90℃。
(15)第三次烧片炉：焙烧温度350℃，时间1min30s。
(16)第三次后端修复：用含有0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸的修复液，进行氧化膜的修复处理。电流密度80mA/cm2,电压670V，修复时间3min，处理温度90℃。
(17)后处理：用含有1g/L磷酸水溶液浸泡3min，处理温度30℃。
(18)干燥：干燥温度150℃，处理时间3min。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.632μF/cm2，耐压值为665V，折弯为63回，1h水煮后升压时间为82s。
实施例2：制备工艺与实施例1相同，区别在于第一级形成液：
一级化成：用含有2g/L磷酸二氢铵、0.5g/L柠檬酸和0.5g/L柠檬酸三铵的形成液，进行一级化成。电流密度80mA/cm2,电压170V，化成时间9min，处理温度90℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.633μF/cm2，耐压值为664V，折弯为62回，1h水煮后升压时间为86s。
实施例3：制备工艺与实施例1相同，区别在于第一级形成液：
一级化成：用含有3g/L磷酸二氢铵、0.5g/L柠檬酸和0.5g/L柠檬酸三铵的形成液，进行一级化成，电流密度80mA/cm2,电压170V，化成时间9min，处理温度90℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.631μF/cm2，耐压值为664V，折弯为64回，1h水煮后升压时间为94s。
实施例4：制备工艺与实施例1相同，区别在于第一级形成液：
一级化成：用含有2g/L磷酸二氢铵、0.5g/L柠檬酸和0.9g/L柠檬酸三铵的形成液，进行一级化成。电流密度80mA/cm2,电压170V，化成时间9min，处理温度90℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.631μF/cm2，耐压值为666V，折弯为64回，1h水煮后升压时间为106s。
实施例5：制备工艺与实施例1相同，区别在于第一级形成液：
一级化成：用含有2g/L磷酸二氢铵、0.5g/L柠檬酸和1.5g/L柠檬酸三铵的形成液，进行一级化成。电流密度80mA/cm2,电压170V，化成时间9min，处理温度90℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.630μF/cm2，耐压值为667V，折弯为63回，1h水煮后升压时间为97s。
实施例6：制备工艺与实施例1相同，区别在于第一级形成液：
一级化成：用含有2g/L磷酸二氢铵、1g/L柠檬酸和0.9g/L柠檬酸三铵的形成液，进行一级化成。电流密度80mA/cm2,电压170V，化成时间9min，处理温度90℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.633μF/cm2，耐压值为665V，折弯为66回，1h水煮后升压时间为94s。
实施例7：制备工艺与实施例1相同，区别在于第一级形成液：
一级化成：用含有2g/L磷酸二氢铵、1.5g/L柠檬酸和0.9g/L柠檬酸三铵的形成液，进行一级化成。电流密度80mA/cm2,电压170V，化成时间9min，处理温度90℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.633μF/cm2，耐压值为665V，折弯为65回，1h水煮后升压时间为80s。
实施例8：制备工艺与实施例1相同，区别在于第一级和第二级形成液：
1.一级化成：用含有2g/L磷酸二氢铵、1g/L柠檬酸和0.9g/L柠檬酸三铵的形成液，进行一级化成。电流密度80mA/cm2,电压170V，化成时间9min，处理温度90℃。
2.二级化成：用含有0.1g/L磷酸二氢铵、0.3g/L柠檬酸和0.3g/L柠檬酸三铵的形成液，进行二级化成。电流密度80mA/cm2,电压340V，化成时间9min，处理温度90℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.637μF/cm2，耐压值为663V，折弯为66回，1h水煮后升压时间为89s。
实施例9：制备工艺与实施例1相同，区别在于第一级和第二级形成液：
1.一级化成：用含有2g/L磷酸二氢铵、1g/L柠檬酸和0.9g/L柠檬酸三铵的形成液，进行一级化成。电流密度80mA/cm2,电压170V，化成时间9min，处理温度90℃。
2.二级化成：用含有1g/L磷酸二氢铵、0.3g/L柠檬酸和0.3g/L柠檬酸三铵的形成液，进行二级化成。电流密度80mA/cm2,电压340V，化成时间9min，处理温度90℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.636μF/cm2，耐压值为664V，折弯为63回，1h水煮后升压时间为84s。
实施例10：制备工艺与实施例1相同，区别在于第一级和第二级形成液：
1.一级化成：用含有2g/L磷酸二氢铵、1g/L柠檬酸和0.9g/L柠檬酸三铵的形成液，进行一级化成。电流密度80mA/cm2,电压170V，化成时间9min，处理温度90℃。
2.二级化成：用含有0.5g/L磷酸二氢铵、0.3g/L柠檬酸和0.3g/L柠檬酸三铵的形成液，进行二级化成。电流密度80mA/cm2,电压340V，化成时间9min，处理温度90℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量0.632μF/cm2，耐压值为665V，折弯为65回，1h水煮后升压时间为97s。
实施例11：制备工艺与实施例1相同，区别在于第一级和第二级形成液：
1.一级化成：用含有2g/L磷酸二氢铵、1g/L柠檬酸和0.9g/L柠檬酸三铵的形成液，进行一级化成。电流密度80mA/cm2,电压170V，化成时间9min，处理温度90℃。
2.二级化成：用含有0.5g/L磷酸二氢铵、0.3g/L柠檬酸和1.2g/L柠檬酸三铵的形成液，进行二级化成。电流密度80mA/cm2,电压340V，化成时间9min，处理温度90℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量0.634μF/cm2，耐压值为665V，折弯为65回，1h水煮后升压时间为88s。
实施例12：制备工艺与实施例1相同，区别在于第一级和第二级形成液：
1.一级化成：用含有2g/L磷酸二氢铵、1g/L柠檬酸和0.9g/L柠檬酸三铵的形成液，进行一级化成。电流密度80mA/cm2,电压170V，化成时间9min，处理温度90℃。
2.二级化成：用含有0.5g/L磷酸二氢铵、0.3g/L柠檬酸和0.7g/L柠檬酸三铵的形成液，进行二级化成。电流密度80mA/cm2,电压340V，化成时间9min，处理温度90℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.633μF/cm2，耐压值为665V，折弯为64回，1h水煮后升压时间为109s。
实施例13：制备工艺与实施例1相同，区别在于第一级和第二级形成液：
1.一级化成：用含有2g/L磷酸二氢铵、1g/L柠檬酸和0.9g/L柠檬酸三铵的形成液，进行一级化成。电流密度80mA/cm2,电压170V，化成时间9min，处理温度90℃。
2.二级化成：用含有0.5g/L磷酸二氢铵、1.4g/L柠檬酸和0.7g/L柠檬酸三铵的形成液，进行二级化成。电流密度80mA/cm2,电压340V，化成时间9min，处理温度90℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.633μF/cm2，耐压值为667V，折弯为63回，1h水煮后升压时间为84s。
实施例14：制备工艺与实施例1相同，区别在于第一级和第二级形成液：
1.一级化成：用含有2g/L磷酸二氢铵、1g/L柠檬酸和0.9g/L柠檬酸三铵的形成液，进行一级化成。电流密度80mA/cm2,电压170V，化成时间9min，处理温度90℃。
2.二级化成：用含有0.5g/L磷酸二氢铵、0.7g/L柠檬酸和0.7g/L柠檬酸三铵的形成液，进行二级化成。电流密度80mA/cm2,电压340V，化成时间9min，处理温度90℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.634μF/cm2，耐压值为667V，折弯为63回，1h水煮后升压时间为98s。
实施例15：制备工艺与实施例14相同，区别在于第三级形成液：
三级化成：用含有0.4g/L柠檬酸、0.5g/L柠檬酸三铵的形成液，进行三级化成。电流密度80mA/cm2,电压500V，化成时间9min，处理温度90℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.636μF/cm2，耐压值为666V，折弯为65回，1h水煮后升压时间为87s。
实施例16：制备工艺与实施例14相同，区别在于第三级形成液：
三级化成：用含有0.4g/L柠檬酸、1g/L柠檬酸三铵的形成液，进行三级化成。电流密度80mA/cm2,电压500V，化成时间9min，处理温度90℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.637μF/cm2，耐压值为665V，折弯为65回，1h水煮后升压时间为101s。
实施例17：制备工艺与实施例14相同，区别在于第三级形成液：
三级化成：用含有0.8g/L柠檬酸、0.5g/L柠檬酸三铵的形成液，进行三级化成。电流密度80mA/cm2,电压500V，化成时间9min，处理温度90℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.640μF/cm2，耐压值为665V，折弯为65回，1h水煮后升压时间为84s。
实施例18：制备工艺与实施例14相同，区别在于第三级形成液：
三级化成：用含有1.2g/L柠檬酸、0.5g/L柠檬酸三铵的形成液，进行三级化成。电流密度80mA/cm2,电压500V，化成时间9min，处理温度90℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.637μF/cm2，耐压值为666V，折弯为65回，1h水煮后升压时间为104s。
表1为实施例1-18制备所得阳极箔的性能参数
表1
根据实施例1-18分析可知：
一级形成液磷酸二氢铵浓度控制在2g/L、柠檬酸控制在1g/L和柠檬酸三铵控制在0.9g/L；
二级形成液磷酸二氢铵浓度控制在0.5g/L、柠檬酸控制在0.7g/L和柠檬酸三铵控制在0.7g/L；
三级形成液柠檬酸控制在0.8g/L和柠檬酸三铵控制在0.5g/L；
上述条件时即实施例17，所制备的阳极箔电性能参数较为理想，在670V电压下阳极氧化的条件下，容量可达0.640μF/cm2，折弯可达65回，升压时间为133s，但实施例1-18，存在耐水合性能较差的问题，1h水煮升压时间均在80s以上。
以下实施例考察工艺流程对耐水合性能的影响：
实施例19:制备工艺与实施例17相同，区别在于第一次/第二次磷酸处理的处理温度：
第一次第二次磷酸处理的温度均为70℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.639μF/cm2，1h水煮后升压时间为37s。
实施例20:制备工艺与实施例17相同，区别在于第一次/第二次磷酸处理的处理温度：
第一次第二次磷酸处理的温度均为75℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.634μF/cm2，1h水煮后升压时间为35s。
实施例21:制备工艺与实施例17相同，区别在于第一级形成液：
在一级形成液中引入添加剂--浓度为0.05g/L次亚磷酸钠。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.640μF/cm2，1h水煮后升压时间为30s。
实施例22:制备工艺与实施例17相同，区别在于第一级形成液，和第一次/第二次磷酸处理的处理温度：
1.在一级形成液中引入添加剂--浓度为0.05g/L次亚磷酸钠。
2.第一次第二次磷酸处理的温度均为70℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.640μF/cm2，1h水煮后升压时间为28s。
实施例23:制备工艺与实施例17相同，区别在于第一级形成液，和第一次/第二次磷酸处理的处理温度：
1.在一级形成液中引入添加剂--浓度为0.05g/L次亚磷酸钠。
2.第一次第二次磷酸处理的温度均为75℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.633μF/cm2，1h水煮后升压时间为23s。
实施例24:制备工艺与实施例17相同，区别在于第一级形成液：
在一级形成液中引入添加剂--浓度为0.1g/L次亚磷酸钠。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.637μF/cm2，1h水煮后升压时间为32s。
实施例25:制备工艺与实施例17相同，区别在于第一级形成液，和第一次/第二次磷酸处理的处理温度：
1.在一级形成液中引入添加剂--浓度为0.1g/L次亚磷酸钠。
2.第一次第二次磷酸处理的温度均为70℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.641μF/cm2，1h水煮后升压时间为25s。
实施例26:制备工艺与实施例17相同，区别在于第一级形成液，和第一次/第二次磷酸处理的处理温度：
1.在一级形成液中引入添加剂--浓度为0.1g/L次亚磷酸钠。
2.第一次第二次磷酸处理的温度均为75℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.638μF/cm2，1h水煮后升压时间为22s。
实施例27:制备工艺与实施例17相同，区别在于第一级形成液：
在一级形成液中引入添加剂--浓度为0.2g/L次亚磷酸钠。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.637μF/cm2，1h水煮后升压时间为26s。
实施例28:制备工艺与实施例17相同，区别在于第一级形成液，和第一次/第二次磷酸处理的处理温度：
1.在一级形成液中引入添加剂--浓度为0.2g/L次亚磷酸钠。
2.第一次第二次磷酸处理的温度均为70℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.637μF/cm2，1h水煮后升压时间为23s。
实施例29:制备工艺与实施例17相同，区别在于第一级形成液，和第一次/第二次磷酸处理的处理温度：
1.在一级形成液中引入添加剂--浓度为0.2g/L次亚磷酸钠。
2.第一次第二次磷酸处理的温度均为75℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.630μF/cm2，1h水煮后升压时间为21s。
表2为实施例19-29制备所得阳极箔的性能参数
表2
根据实施例19-29分析可知：
通过改变一级形成液的配方--引入添加剂次亚磷酸钠，对耐水合性能存在显著影响，磷酸处理温度一致时，随着次亚磷酸钠的加入水煮1h后，升压时间均在30s以内。次亚磷酸钠浓度在0.1g/L以内对容量无影响，其浓度提升至0.2g/L，阳极箔容量下降0.6-0.7％。
一级形成液中次亚磷酸钠浓度一致时，改变磷酸处理的温度，随着温度的升高，水煮1h后升压时间呈明显的下降趋势，最低为21s；磷酸处理温度在65℃与70℃时，容量相差不大，但当温度由70℃提升至75℃，容量可降低0.6-0.7％。
综上所述，在一级形成液中含有不超过0.1g/L的次亚磷酸钠和磷酸处理温度为70℃，阳极箔电性能最为理想，即实施例25，容量为0.641μF/cm2,水煮1h后升压时间为25s。
以下实施例考察工艺流程对容量和其他电性能参数的影响：
实施例30:制备工艺与实施例25相同，区别在于在二级馈电之后增加一道烧片炉(第一次烧片炉)：
第一次烧片炉：焙烧温度450℃，处理时间1min
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.641μF/cm2，1h漏电流为0.57mA。
实施例31:制备工艺与实施例25相同，区别在于在三级馈电之后增加一道烧片炉(第二次烧片炉)：
第二次烧片炉：焙烧温度450℃，处理时间1min。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.648μF/cm2，1h漏电流为0.56mA。
实施例32:制备工艺与实施例25相同，区别在于在二级和三级馈电之后分别增加第一次烧片炉和第二次烧片炉：
1.第一次烧片炉：焙烧温度450℃，处理时间1min。
2.第二次烧片炉：焙烧温度450℃，处理时间1min。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.653μF/cm2，1h漏电流为0.43mA。
实施例33:制备工艺与实施例25相同，区别在于在二级馈电之后依次增加第一次前段修复和第一次烧片炉：
1.第一次前段修复：用浓度为0.8g/L五硼酸铵和50g/L硼酸修复液，进行氧化膜的修复处理。电流密度80mA/cm2,电压500V，修复时间3min，处理温度90℃。
2.第一次烧片炉：焙烧温度450℃，处理时间1min。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.643μF/cm2，1h漏电流为0.53mA。
实施例34:制备工艺与实施例25相同，区别在于在三级馈电之后依次增加第二次前段修复和第二次烧片炉：
1.第二次前段修复：用浓度为0.8g/L五硼酸铵和50g/L硼酸修复液，进行氧化膜的修复处理。电流密度80mA/cm2,电压650V，修复时间3min，处理温度90℃。
2.第二次烧片炉：焙烧温度450℃，处理时间1min。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.647μF/cm2，1h漏电流为0.51mA。
实施例35:制备工艺与实施例25相同，区别在于在二级馈电之后依次增加第一次前段修复和第一次烧片炉，在三级馈电之后依次增加第二次前段修复和第二次烧片炉：
1.第一次前段修复：用浓度为0.8g/L五硼酸铵和50g/L硼酸修复液，进行氧化膜的修复处理。电流密度80mA/cm2,电压500V，修复时间3min，处理温度90℃。
2.第一次烧片炉：焙烧温度450℃，处理时间1min。
3.第二次前段修复：用浓度为0.8g/L五硼酸铵和50g/L硼酸修复液中，进行氧化膜的修复处理。电流密度80mA/cm2,电压650V，修复时间3min，处理温度90℃。
4.第二次烧片炉：焙烧温度450℃，处理时间1min。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.658μF/cm2，1h漏电流为0.42mA。
对比例1：
1.对比例化成方法的一级馈电至六级化成与实施例1相同，区别在于一级-六级形成液是浓度为2-15g/L五硼酸铵和50g/L硼酸的水溶液。
2.第一次烧片炉：焙烧温度550℃，时间1min30s。
3.第一次后端修复：用浓度为0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸修复液，进行氧化膜的修复处理。电流密度80mA/cm2,电压670V，修复时间3min，处理温度90℃。
4.第一次磷酸处理：45g/L磷酸液，处理时间5min，温度为65℃。
5.第二次后端修复：用浓度为0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸修复液，进行氧化膜的修复处理。电流密度80mA/cm2,电压670V，修复时间3min，处理温度90℃。
6.第二次烧片炉：焙烧温度550℃，时间1min30s。
7.第三次后端修复：用浓度为0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸修复液.进行氧化膜的修复处理。电流密度80mA/cm2,电压670V，修复时间3min，处理温度90℃。
8.后处理：用浓度为1g/L磷酸水溶液浸泡3min，处理温度30℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.605μF/cm2，折弯为32回，1h水煮后升压时间为28s，1h漏电流为0.31mA。
对比例2：
1.对比例化成方法的一级馈电至六级化成与实施例1相同，区别在于一级-六级形成液是浓度为2-8g/L柠檬酸、1-5g/L柠檬酸三铵和少量有机酸添加剂的水溶液。
2.第一次烧片炉：焙烧温度500℃，时间1min30s。
3.第一次后端修复：用浓度为0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸修复液，进行氧化膜的修复处理。电流密度80mA/cm2,电压670V，修复时间3min，处理温度90℃。
4.第一次磷酸处理：45g/L磷酸液，处理时间5min，温度为65℃。
5.第二次后端修复：用浓度为0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸修复液，进行氧化膜的修复处理。电流密度80mA/cm2,电压670V，修复时间3min，处理温度90℃。
6.第二次烧片炉：焙烧温度350℃，时间1min30s。
7.第三次后端修复：用浓度为0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸修复液.进行氧化膜的修复处理。电流密度80mA/cm2,电压670V，修复时间3min，处理温度90℃。
8.后处理：用浓度为1g/L磷酸水溶液浸泡3min，处理温度30℃。
在670V电压下阳极氧化的条件下，箔片容量为0.664μF/cm2，折弯为66回，1h水煮后升压时间为25s，1h漏电流为1.23mA。
表3为实施例29-35、对比例1和对比例2制备所得阳极箔的性能参数表3
根据实施例25、实施例30-35、对比例1和对比例2分析可知：
对比例1为硼酸化成，其优点在于氧化膜较稳定，1h漏电流低至0.31mA，其缺点在于容量较低，折弯较低；对比例2为有机酸化成，其优点在于容量高达0.664μF/cm2，其缺点1h漏电流过大，为1.23mA。
根据实施例25和实施例30-35，通过使用同一种形成液，在四级与六级化成前段分别引入450℃的烧片炉，可提升贴近滤芯层一侧的氧化膜致密度，从而提升阳极箔容量。但在做实验过程中发现在四级化成和六级化成之前引入烧片炉，则烧片炉后端的四级化成和六级化成恒压降流后最终电流是原来工艺的2倍多，使后端形成电压下氧化膜的缺陷增加，导致在1h漏电流增大，影响产品寿命。故在四级与六级化成前段引入烧片炉的同时，在烧片炉前加一道修复工序，可制备出容量为0.658μF/cm2，1h漏电流为0.42mA性能较优的阳极箔。
以下考察工艺流程对氧化膜表面缺陷的影响：
通过图1极差电压对比图分析可知：
耐压值检测方法采用耐压值达到额定电压90％所需时间+180s，检测液浓度70g/L硼酸水溶液，检测温度90℃，检测电流8mA。
对比例1即硼酸体系与本发明实施例35对比分析，对比例1前段形成氧化膜较为疏松，后段需用550℃的烧片炉烘片，但随着烧片炉温度的升高，阳极箔γ′-Al2O3氧化膜结晶度提高，表面缺陷增加，检测电解液浸蚀缺陷处，导致电压下降更快，致使极差电压增大。(注：极差电压为图一最高耐压值与最低耐压值之差)
本发明实施例35在前段化成中采用修复工序和450℃烧片炉的工艺流程，提高了贴近滤芯层一侧的氧化膜结晶度；后段烧片炉处理温度仅为350℃，烧片炉温度较低，降低了氧化膜表面的结晶度，降低表面缺陷，使极差电压低于对比例1。同样在8mA恒流状态下，实施例35较对比例1的电压上升更快、更多，表明其表面氧化膜修复能力更强。
实施例35较对比例1表面缺陷更少，表面氧化膜性能较优。
以下实施例是考察本发明工艺制备不同规格的化成箔对产品性能的影响。采用本发明化成方法分别制备530VF/560VF/590VF/630VF/660VF不同规格的产品，与对比例1和对比例2化成方法所得产品进行对比如下(仅根据规格要求调整电压、电流、反应时间等条件)：
表4
表5
表6
由表4、表5和表6可以看出，不同电压段的化成箔产品，采用本发明化成工艺后所得阳极箔产品的静电容量较硼酸工艺提升8-10％，折弯提升2倍以上；比有机酸工艺1h漏电流低30％左右，容量低1％以内。
综上所述，使用本发明化成工艺所制备的高压阳极箔产品、较硼酸工艺产品提升8-10％；折弯为硼酸工艺产品的2倍；1h的漏电流较有机酸体系降低3倍；耐水合能力与硼酸及有机酸工艺相差不大，均在30s以内；表面氧化膜缺陷较硼酸少，表面性能较优。使用本发明阳极箔产品比常规化成产品电性能和力学性能参数显著提高，可制备出缩体牛角型铝电解电容器用高压阳极箔。
以上所述，仅是本发明实施例的较佳实施例而已，并非对本发明实施例作任何形式上的限制，依据本发明实施例的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明实施例技术方案的范围内。
Claims (7)
1.一种缩体牛角型铝电解电容器用高压阳极箔的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(1)一级馈电：采用导电银辊对一级、二级化成馈供电；
(2)高温水煮：将铝箔片放入95℃以上水中浸泡10-14min；
(3)一级化成：将步骤(2)处理后的铝箔在含有1-3g/L磷酸二氢铵、0.5-1.5g/L柠檬酸和0.5-1.5g/L柠檬酸三铵的水溶液中进行一级化成处理，电流密度80mA/cm2,电压170V，化成时间9min，处理温度90℃；
(4)二级化成：将一级化成处理后的铝箔在含有0.1-1g/L磷酸二氢铵、0.3-1.4g/L柠檬酸和0.3-1.2g/L柠檬酸三铵的水溶液中进行二级化成处理，电流密度80mA/cm2,电压340V，化成时间9min，处理温度90℃；
(5)二级馈电：采用35g/L的磷酸水溶液对三级化成、四级化成和第一次前段修复进行液体馈供电；
(6)三级化成：将二级化成处理后的铝箔在含有0.4-1.2g/L柠檬酸、0.1-1.0g/L柠檬酸三铵的水溶液中进行三级化成处理，电流密度80mA/cm2,电压500V，化成时间9min，处理温度90℃；
(7)第一次前段修复：在含有0.8g/L五硼酸铵、50g/L硼酸的修复液中，对三级化成处理后的铝箔进行氧化膜的修复处理，电流密度80mA/cm2,电压500V，修复时间3min，处理温度90℃；
(8)第一次烧片：对第一次前段修复处理后的铝箔在450℃下焙烧1min；
(9)四级化成：将步骤(8)处理后的铝箔在含有0.65g/L壬二酸铵和1g/L壬二酸的水溶液中进行四级化成处理，电流密度80mA/cm2,电压600V，化成时间9min，处理温度90℃；
(10)三级馈电：采用35g/L的磷酸溶液，对第二次前段修复、五级化成、六级化成和后端修复进行液体馈供电；
(11)五级化成：将四级化成处理后的铝箔在含有0.3g/L壬二酸铵和1g/L壬二酸的水溶液中进行五级化成处理，电流密度80mA/cm2,电压650V，化成时间9min，处理温度90℃；
(12)第二次前段修复：在含有0.8g/L五硼酸铵、50g/L硼酸的修复液中，对五级化成处理后的铝箔进行氧化膜的修复处理，电流密度80mA/cm2,电压650V，修复时间3min，处理温度90℃；
(13)第二次烧片：对第二次前段修复处理后的铝箔在450℃下焙烧1min；
(14)六级化成：将步骤(13)处理后的铝箔在含有0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸的水溶液中进行六级化成处理，电流密度80mA/cm2,电压670V，化成时间6min，处理温度90℃；
(15)第一次磷酸处理：将六级化成处理后的铝箔在65g/L的磷酸水溶液中处理5min，温度为65-75℃；
(16)第一次后端修复：在含有0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸的修复液中，对第一次磷酸处理后的铝箔进行氧化膜的修复处理，电流密度80mA/cm2,电压670V，修复时间3min，处理温度90℃；
(17)第二次磷酸处理：将第一次后端修复处理后的铝箔在65g/L的磷酸水溶液中处理5min，温度为65-75℃；
(18)第二次后端修复：在含有0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸的修复液中，对第二次磷酸处理后的铝箔进行氧化膜的修复处理，电流密度80mA/cm2,电压670V，修复时间3min，处理温度90℃；
(19)第三次烧片：对第二次后端修复处理后的铝箔在350℃下焙烧1.5min；
(20)第三次后端修复：在含有0.5g/L五硼酸铵和50g/L硼酸的修复液，对第三次烧片处理后的铝箔进行氧化膜的修复处理，电流密度80mA/cm2,电压670V，修复时间3min，处理温度90℃；
(21)后处理：将第三次后端修复处理后的铝箔在1g/L磷酸水溶液中浸泡3min，处理温度30℃；
(22)干燥：将后处理后的铝箔在150℃下干燥3min。
2.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，
所述的步骤(2)中，浸泡时间为12min。
3.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，
所述的步骤(3)中，进行一级化成处理的溶液中，含有2g/L磷酸二氢铵、1g/L柠檬酸和0.9g/L柠檬酸三铵。
4.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，
所述的步骤(4)中，进行二级化成处理的溶液中，含有0.5g/L磷酸二氢铵、0.7g/L柠檬酸和0.7g/L柠檬酸三铵。
5.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，
所述的步骤(6)中，进行三级化成处理的溶液中，含有0.8g/L柠檬酸和0.5g/L柠檬酸三铵。
6.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，
所述的步骤(3)中，进行一级化成处理的溶液中，还含有不超过0.1g/L的次亚磷酸钠。
7.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，
所述的步骤(15)、(17)中，处理温度为70℃。
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