CN111584746A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置。所述显示面板包括发光层和薄膜封装层，所述发光层包括多个子像素单元，所述薄膜封装层包括纵向上依次堆叠在所述发光层上的第一无机层、有基层和第二无机层，所述第一无机层在远离发光层的一面具有多个纳米凸起，通过在第一无机层在远离发光层的一面具有多个纳米凸起，所述纳米凸起会使发光层的发散光的入射角变小，从而减小了发生全反射的几率，帮助了更多的光通过第一无机层和有机层的界面，提高了发光层的出光效率，从而改善了显示面板的显示效果。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

OLED显示面板因其较传统LCD相比具有重量轻巧，广视角，响应时间快，耐低温，发光效率高等优点，因此在显示行业一直被视其为下一代新型显示技术，特别是OLED可以在柔性基板上做成能弯曲的柔性显示屏，这更是OLED显示面板的巨大优势。

OLED显示面板与传统的液晶显示器的最大差异在于OLED无需采用背光灯，而是通过电子和空穴这两种载流子注入发光层并在发光层内复合发光。具体来讲，参阅图1所示，现有的OLED显示面板的结构由上至下排布大体为：基板10、阵列层20、发光层30、薄膜封装层40。其中发光层对大气中的水汽以及氧气都非常敏感，在含有水汽、氧气的环境中容易发生电化学腐蚀，对OLED显示面板造成损害，所以水/氧渗透会大大缩减OLED显示面板的寿命。对此，业界采用封装结构对OLED显示面板进行封装以隔绝外界的水、氧，保护内部的OLED器件。其中目前业界主流的OLED封装方式为TFE(Thin Film Encapsulation，薄膜封装)，以阻止水汽、氧气进入到OLED内部。但是中大尺寸的面板TFE可靠性差，容易导致水、氧进入，进而使得其内的发光层失效。目前，最常见的薄膜封装采用第一无机层41/有机层42/第二无机层43交替的方式，无机材料用于阻隔水氧，有机材料用于有效的覆盖颗粒物以及缓冲弯曲、折叠过程中的应力。

但是这种模式存在以下缺点：第一无机层41材料的折射率一般约为1.9，而有机缓冲层材料的折射率则只有1.4左右，参阅图2，根据折射定律，光由光密材料(第一无机层41)射向光疏材料(有机层42)时，当光的入射角大于临界角时，光将在两者界面处发生全反射。因此OLED显示面板的发光层30发出的部分大于临界角的光无法通过第一无机层41和有机层42的界面，降低了发光层的出光效率，从而影响了显示面板的显示效果。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，旨在解决由于光的全反射原理，OLED显示面板的发光层发出的部分大于临界角的光无法通过第一无机层和有机层的界面，降低了发光层的出光效率，从而影响了显示面板的显示效果。

为解决上述问题，第一方面，本申请提供一种显示面板，所述显示面板包括发光层和薄膜封装层，所述发光层包括多个子像素单元，所述薄膜封装层包括纵向上依次堆叠在所述发光层上的第一无机层、有基层和第二无机层，所述第一无机层在远离发光层的一面具有多个纳米凸起。

进一步的，所述纳米凸起的形状为半圆形、半椭圆形、锥形、多棱锥形、抛物面或双曲面中的任意一种或几种。

进一步的，所述纳米凸起的底面宽度大于或等于一个子像素单元的宽度，小于或等于两个子像素单元的宽度和。

进一步的，所述纳米凸起高度为4-7μm。

进一步的，所述纳米凸起在平面方向上的分布为阵列排布，每个所述的纳米凸起至少覆盖一个子像素单元。

进一步的，所述阵列排布可为圆形阵列、菱形阵列或方形阵列中的任意一种或几种。

第二方面，本申请提供一种显示面板的制备方法，包括：

制备发光层；

在所述发光层上制备第一无机层；

将所述第一无机层远离所述发光层的一面制备多个纳米凸起；

在所述第一无机层上制备有机层和第二无机层。

进一步的，所述纳米凸起是通过对所述第一无机层远离所述发光层的一面进行蚀刻法或纳米压印法所制备而成。

进一步的，所述纳米凸起的形状为半圆形、半椭圆形、锥形、多棱锥形、抛物面或双曲面中的任意一种。

进一步的，所述纳米凸起的底面宽度大于或等于一个子像素单元的宽度，小于或等于两个子像素单元的宽度和。

进一步的，所述纳米凸起高度为4-7μm。

进一步的，所述纳米凸起在平面方向上的分布为阵列排布，每个所述的纳米凸起至少覆盖一个子像素单元。

进一步的，所述阵列排布可为圆形阵列、菱形阵列或方形阵列中的任意一种或几种。

第三方面，本申请提供一种显示装置，包括了第一方面任一所述的显示面板。

本发明实施例中提供一种显示面板及其制备方法、显示装置。由于显示面板的显示效果与出光效率有关，而TFE层因为传播介质的不同，对光有全反射作用，影响了出光效率。本发明实施例通过在第一无机层在远离发光层的一面具有多个纳米凸起，由于子像素发光是由发光点向四周发散，纳米凸起会使发散光的入射角变小，从而减小了发生全反射的几率，帮助了更多的光通过第一无机层和有机层的界面，提高了发光层的出光效率，从而改善了显示面板的显示效果。

影响TFE层的出光效率的因素还有纳米凸起的宽度，本发明另一实施例中，所述纳米凸起的底面宽度大于或等于一个子像素单元的宽度，小于或等于两个子像素单元的宽度和，这种条件下，光源的出光效率最为显著，显示面板的显示效果最好。

本发明实施例中通过提供了显示面板的制备方法，通过蚀刻法或纳米压印法，在所述第一无机层远离所述发光层的一面制备多个纳米凸起，操作简便，能提高面板的出光效率，为显示面板的制备提供了一种新的思路。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有的OLED显示面板的结构示意图；

图2是现有的OLED显示面板内TFE层发生全反射的示意图；

图3是本发明实施例提供一种显示面板内的纳米凸起结构示意图；

图4是本发明实施例中的纳米凸起排列示意图；

图5是本发明实施例提供一种显示面板的制备方法流程示意图；

图6是本发明实施例中提供的一种完成步骤S20后的OLED显示面板的中间件结构示意图；

图7是本发明实施例中提供的一种完成步骤S30后的OLED显示面板的中间件结构示意图；

图8是本发明实施例中提供的一种完成步骤S40后的OLED显示面板的结构示意图；

图9是本发明实施例中提供的一种完成步骤S40后的又一OLED显示面板的结构示意图；

图10是本发明实施例中提供的一种显示面板内的纳米凸起结构的大小同光通量的关系示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

第一无机层41材料的折射率一般约为1.9，而有机缓冲层材料的折射率则只有1.4左右，根据折射定律，参阅图2，表示现有的OLED显示面板光内TFE层40发生全反射的示意图。光由光密材料(第一无机层41)射向光疏材料(有机层42)时，当光的入射角大于临界角θ3时，光将在两者界面处发生全反射，因此OLED显示面板的发光层30发出的部分大于临界角的光无法通过第一无机层41和有机层42的界面，降低了发光层的出光效率，从而影响了显示面板的显示效果。

在现有发光层30中，大部分入射角为零的竖直方向的光位子像素中心，发散的光位于发光点的四周。

基于此，本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，以下分别进行详细说明。

首先，本发明实施例中提供一种显示面板，所述所述显示面板包括发光层30和薄膜封装层40，所述发光层30包括多个子像素单元，所述薄膜封装层包括纵向上依次堆叠在所述发光层上的第一无机层41、有基层42和第二无机层43，所述第一无机层41在远离发光层的一面具有多个纳米凸起44。

具体的，所述子像素单元主要包括为：红色R、绿色G、蓝色B子像素单元。

具体的，所述有机层的材料为聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚四氟乙烯和聚对二甲苯中的任意一种；所述第一无机层和第二无机层的材料为氧化铝、二氧化硅、氮氧化硅中的任意一种。

具体的，所述发光层30为EL(电致发光)层。

请参阅图3，本发明实施例提供一种显示面板内的纳米凸起结构示意图，其中包括：纳米凸起44、第一无机层41、有基层42。

在上述实施例的基础上，在本申请的另一个具体实施例中，所述纳米凸起44的形状为半圆形、半椭圆形、锥形、多棱锥形、抛物面或双曲面中的任意一种或几种。

可以理解的是，除上述形状外，还可以包括其他形状，只要具有能使发散光的入射角变小的曲面或者倾斜平面，具体此处不作限定。

具体的，双曲面的曲面系数可以通过制程工艺调节。

具体的，所述纳米凸起44的底面宽度大于或等于一个子像素单元的宽度，小于或等于两个子像素单元的宽度和。

具体的，将纳米凸起44的底面宽度表示为a，子像素单元的宽度表示为b，可以表示为：a≤b≤a。

在本申请的另一个具体实施例中，所述纳米凸起44在平面方向上的分布为阵列排布，每个所述的纳米凸起至少覆盖一个子像素单元。

在上述实施例的基础上，在本申请的一个具体实施例中，所述阵列排布可为圆形阵列、菱形阵列或方形阵列中的任意一种或几种。

请参阅图4，图4为本发明实施例中纳米凸起44排列示意图，其中分别为圆形阵列、菱形阵列和方形阵列。

需要说明的是，上述显示面板实施例中仅描述了上述结构，可以理解的是，除了上述结构之外，本发明实施例显示面板中，还可以根据需要包括任何其他的必要结构，例如柔性基板层、Array层(阵列层)、PLN层(平坦化层)、PDL层(像素定义层)、ILD层(层间介质层)等，具体此处不作限定。

本发明实施例中提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，由于显示面板的显示效果与出光效率有关，而TFE层40因为传播介质的不同，对光有全反射作用，从而影响了出光效率。在现有发光层30中，大部分入射角为零的竖直方向的光位子像素中心，发散的光位于发光点的四周。本发明实施例通过在第一无机层41在远离发光层的一面具有多个纳米凸起44，由于子像素发光是由发光点向四周发散，纳米凸起44会使发光点四周的发散光的入射角变小，变为θ4，减小了发生全反射的几率，而位于像素点中心的原本竖直方向的光不受影响，从而帮助了更多的光通过第一无机层41和有机层42的界面，提高了发光层30的出光效率，从而改善了显示面板的显示效果。

影响TFE层40的出光效率的因素还有纳米凸起44的宽度，本发明另一实施例中，纳米凸起44的宽度大于或等于一个子像素单元的宽度，小于或等于两个子像素单元的宽度和。在这种条件下，光源的出光效率最为显著，显示面板的显示效果最好。

在上述实施例的基础之上，本发明实施例中还提供一种显示面板的制备方法。

请参阅图5，为本发明实施例提供一种显示面板的制备方法的一个实施例流程示意图，所述显示面板的制备方法包括：

S10制备发光层30；

S20在所述发光层30上制备第一无机层41；

请参阅图6，为本实施例中提供的一种完成步骤S20后的OLED显示面板的中间件结构示意图。

S30将所述第一无机层41远离所述发光层30的一面制备多个纳米凸起44；

请参阅图7，为本实施例中提供的一种完成步骤S30后的OLED显示面板的中间件结构示意图。

S40在所述第一无机层41上制备有机层42和第二无机层43。

请参阅图8，为本实施例中提供的一种完成步骤S40后的OLED显示面板结构示意图。

图9是本发明实施例中提供的一种完成步骤S40后的又一OLED显示面板的结构示意图，与图8的OLED显示面板区别在于本实施例的纳米凸起的大小不一。

具体的，发光层30、第一无机41、有机层42和第二无机层43按照现有技术制备即可，本发明对此不再赘述。

在上述实施例的基础上，在本申请的另一个具体实施例中，所述纳米凸起44是通过对所述第一无机层41远离所述发光层30的一面进行蚀刻法或纳米压印法所制备而成的。

蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。本发明实施例中，蚀刻过程包括曝光、显影。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dryetching)两类，本发明实施例不做具体限定，只要能使材料通过蚀刻技术得到多个纳米凸起即可。

纳米压印技术，是通过光刻胶辅助，将模板上的微纳结构转移到待加工材料上的技术。本发明实施例主要过程包括：模板加工、图样的转移以及加工衬底等步骤。

在上述实施例的基础上，在本申请的另一个具体实施例中，所述纳米凸起44的形状为半圆形、半椭圆形、锥形、多棱锥形、抛物面或双曲面中的任意一种。

进一步的，所述纳米凸起的底面大于或等于一个子像素单元的宽度，小于或等于两个子像素单元的宽度和。

请参阅图10，为本发明实施例提供一种显示面板内的纳米凸起结构的大小同光通量的关系示意图。其中横坐标为纳米凸起结构的底面宽度和最大高度，单位为μm；纵坐标为光通量，单位为lm，使用的为模拟软件lighttools。

优选的，当纳米凸起的底面宽度等于两个子像素单元的宽度，并且凸起高度为4-7μm之间时，光通量最大。

在本申请的另一个具体实施例中，所述纳米凸起44在平面方向上的分布为阵列排布，每个所述的纳米凸起44至少覆盖一个子像素单元。

进一步的，所述阵列排布可为圆形阵列、菱形阵列或方形阵列中的任意一种或几种。

本申请还提供一种显示装置，包括了以上实施例中的任一所述的显示面板。

本发明实施例中通过提供了显示面板的制备方法，通过蚀刻法或纳米压印法，在所述第一无机层远离所述发光层的一面制备多个纳米凸起，操作简便，能提高面板的出光效率，为显示面板的制备提供了一种新的思路。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见上文其他实施例中的详细描述，此处不再赘述。

具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法实施例，在此不再赘述。

以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及其制备方法、显示面板装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括发光层和薄膜封装层，所述发光层包括多个子像素单元，所述薄膜封装层包括纵向上依次堆叠在所述发光层上的第一无机层、有基层和第二无机层，所述第一无机层在远离发光层的一面具有多个纳米凸起。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述纳米凸起的形状为半圆形、半椭圆形、锥形、多棱锥形、抛物面或双曲面中的任意一种或几种。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述纳米凸起的底面宽度大于或等于一个子像素单元的宽度，小于或等于两个子像素单元的宽度和。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述纳米凸起在平面方向上的分布为阵列排布，每个所述的纳米凸起至少覆盖一个子像素单元。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述阵列排布为圆形阵列、菱形阵列或方形阵列中的任意一种或几种。

6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

制备发光层；

在所述发光层上制备第一无机层；

将所述第一无机层远离所述发光层的一面制备多个纳米凸起；

在所述第一无机层上依序制备有机层和第二无机层。

7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述纳米凸起是通过对所述第一无机层远离所述发光层的一面进行蚀刻法或纳米压印法所制备而成。

8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述纳米凸起的形状为半圆形、半椭圆形、锥形、多棱锥形、抛物面或双曲面中的任意一种。

9.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述纳米凸起的底面宽度大于或等于一个子像素单元的宽度，小于或等于两个子像素单元的宽度和。

10.一种显示装置，其特征在于，包括了如权利要求1-5任一项所述的显示面板。

Images