TW202005139A - 光提取設備及可撓性oled顯示器 - Google Patents

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狄米崔費拉迪斯拉佛維奇 庫克森寇夫
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Abstract

光提取設備包含可撓性基板、由可撓性基板支撐的OLED、可撓性阻障膜、錐形反射器及折射率匹配層。錐形反射器包含至少一個側表面、耦接至可撓性阻障膜的頂表面，及底表面。頂表面的表面積大於底表面的表面積。折射率匹配層耦接在OLED之頂表面與錐形反射器之底表面之間。從OLED之頂表面發射的光穿過折射率匹配層並且進入錐形反射器中。錐形反射器之該至少一個側表面包含斜面，以藉由反射將光重定向至散逸錐中並且離開錐形反射器之頂表面。

Description

光提取設備及可撓性OLED顯示器
本申請案根據專利法主張於2018年5月18日申請之美國臨時申請案序號第62/673,281號之優先權之權益，依據該案之內容並且將該案之內容以其全文引用方式併入本文。
本揭示案一般而言關於有機發光二極體(OLED)顯示器。更具體而言，本案關於可撓性OLED顯示器及用於從可撓性OLED顯示器提取光的設備及方法。
OLED通常包含基板、第一電極、一或更多個OLED發光層及第二電極。OLED可為頂部發光或底部發光。頂部發光OLED可包含基板、第一電極、具有一或更多個OLED層的OLED結構以及第二透光電極。OLED結構之一或更多個OLED層可包含發光層(emission layer)，並且還可包含電子及電洞注入層(injection layer)以及電子及電洞傳輸層(transport layer)。
由OLED結構發射的光當從具有較高折射率的層傳遞至具有較低折射率的層時藉由全內反射(TIR)被捕捉，例如來自通常具有範圍在1.7~1.8的折射率的OLED結構至通常具有大約1.5的折射率的玻璃基板，或從玻璃基板至具有1.0的折射率的空氣。
為了形成顯示器，OLED可佈置在顯示基板上並且由封裝層覆蓋。然而，即使封裝層與OLED之間的空間由固態材料填充，從OLED之頂部發射的光仍將再次從封裝層之上表面經受TIR。此進一步減少可用於OLED顯示器中的OLED產生的光量。
本揭示案之一些實施例關於用於可撓性有機發光二極體(OLED)顯示器的光提取設備。光提取設備包含可撓性基板、由可撓性基板支撐的OLED、可撓性阻障膜、錐形(tapered)反射器及折射率匹配層。錐形反射器包含至少一個側表面、耦接至可撓性阻障膜的頂表面，及底表面。頂表面的表面積大於底表面的表面積。折射率匹配層耦接在OLED之頂表面與錐形反射器之底表面之間。從OLED之頂表面發射的光穿過折射率匹配層並且進入錐形反射器中。錐形反射器之至少一個側表面包含斜面，以藉由反射將光重定向至散逸錐(escape cone)中並且離開錐形反射器之頂表面。
本揭示案之其他實施例關於可撓性OLED顯示器。OLED顯示器包含支撐OLED之陣列的可撓性基板、錐形反射器之陣列及可撓性阻障膜。OLED之陣列之每個OLED具有頂表面，光經由頂表面發射。錐形反射器之陣列之每個錐形反射器與OLED之陣列之OLED對準。錐形反射器之陣列之每個錐形反射器包含至少一個側表面、頂表面及底表面，底表面耦接至OLED之陣列之相應OLED之頂表面。每個錐形反射器之頂表面之表面積大於每個錐形反射器之底表面之表面積。可撓性阻障膜耦接至錐形反射器之陣列之每個錐形反射器之頂表面。
本揭示案之又其他實施例關於用於製造可撓性OLED顯示器的方法。方法包含在第一玻璃基板上施加第一釋放(release)層、在第一釋放層上施加可撓性基板，及在可撓性基板上形成OLED之陣列。方法包含在第二玻璃基板上施加第二釋放層，在第二釋放層上施加可撓性阻障膜，及在可撓性阻障膜上形成錐形反射器之陣列。錐形反射器之陣列之每個錐形反射器包含至少一個側表面、耦接至可撓性阻障膜的頂表面，及底表面。頂表面大於底表面。方法包含將第二基板、第二釋放層、可撓性阻障膜及錐形反射器之陣列施加至OLED之陣列，使得錐形反射器之陣列之每個錐形反射器之底表面耦接至OLED之陣列之OLED。
本文揭示的包含光提取設備的OLED顯示器顯著地改善來自顯示器的光之外部耦合，並且提高顯示器之效率及峰值亮度。與不包含光提取設備的顯示器相比，可撓性OLED顯示器之外部效率可增加100%的倍數。由於增加的外部效率，針對相同亮度顯示器之畫素可以較小電流來驅動，此增加顯示器之使用壽命並且減少「老化(burn-in)」效應。替代地或另外地，顯示器之畫素可產生更高的峰值亮度，此使得能夠實現高動態範圍(high dynamic range; HDR)。實現此等能力而同時顯示器之總厚度增加幾十微米，仍使得顯示器具有可撓性。此外，光提取設備不會引入可能減少銳利度(sharpness)及對比度的光學散射（亦即，霧度(haze)）。此外，光提取設備不會擾亂光之偏振狀態，因此與使用圓偏振器以減少環境光反射的方式相容。
另外的特徵及優點將於以下的實施方式中記載，並且部分地對於本領域熟知技術者而言從該實施方式將為顯而易見的，或藉由實踐本文所述的實施例而認知，本文包含以下的實施方式、申請專利範圍以及附圖。
應理解，前述一般性描述及以下實施方式兩者僅為示例性的，並且欲提供用於理解申請專利範圍之本質及特性的概要或架構。本文包含附圖以提供進一步理解，且附圖併入此說明書中且構成此說明書之部分。圖式繪示一或更多個實施例，且圖式與說明一起用以解釋各種實施例之原理及操作。
現將詳細參照本揭示案之實施例，該等實施例之實例繪示於附圖中。在圖式各處將儘可能使用相同的元件符號來指稱相同或相似的部件。然而，此揭示案可以許多不同的形式來實現，並且不應被解釋為限於本文記載的實施例。
在本文中可將範圍表示為從「約」一個特定值，及/或至「約」另一個特定值。當表示上述範圍時，另一個實施例包含從該個特定值及/或至該另一個特定值。類似地，當將數值表示為近似值時，例如藉由使用先行詞「約」，將理解該特定值形成另一個實施例。將進一步理解，每個範圍之端點關於另一個端點皆為有意義的並且獨立於該另一個端點。
本文使用的方向性用語──例如，上、下、右、左、前、後、頂部、底部、垂直、水平──僅為參照所繪製的圖式而作出，而不欲暗示絕對定向。
除非另外明確說明，否則本文記載的任何方法決不欲解釋為要求以特定順序實行該方法的步驟，亦無要求以任何設備、特定的定向來實行。因此，當方法請求項實際上並未敘述該方法的步驟所要遵循的順序時，或當任何設備請求項實際上並未敘述對個別部件的順序或定向時，或當在申請專利範圍或說明中並未另外特定說明步驟將限於特定的順序時，或當並未敘述對設備之部件的特定順序或定向時，決不欲在任何態樣中推斷順序或定向。此適用於用於解釋的任何可能的非明白表示依據，包含：關於步驟之安排、操作流程、部件之順序或部件之定向之邏輯事項；自語法組織或標點符號得到的簡單含義，以及；說明書中描述的實施例之數量或類型。
如本文使用的，除非上下文另有明確指示，否則單數形式「一」、「一個」及「該」包含複數指示物。因此，例如，除非上下文另有明確指示，否則對「一」部件的參照包含具有兩個或多於兩個上述部件的態樣。
在圖式中使用笛卡爾座標以便參照及易於討論，並且不欲限制定向或方向。
與OLED有關的用語「光提取」指使用不存在於實際OLED分層結構內的特徵來增加從OLED發射的光量的設備及方法。
本文使用的單位縮寫MPa代表「兆帕(megapascal)」。
OLED之折射率nO 為等效折射率，其包含來自構成OLED結構的各個層的貢獻，並且在實例中在從約1.6至1.85的範圍中，而在另一個實例中在從約1.7至1.85的範圍中，且在另一個實例中，等效折射率在從約1.76至1.78的範圍中。
現參照第1A圖，描繪示例性頂部發光OLED顯示器（稱為OLED顯示器）10之俯視圖。第1B圖為OLED顯示器10之部分之俯視特寫圖，而第1C圖為OLED顯示器之部分之特寫x-z剖面圖。第1D圖為第1C圖所示的OLED顯示器10之部分之進一步特寫視圖。
參照第1A圖至第1D圖，OLED顯示器10包含可撓性基板19、緩衝層20及具有上表面22的薄膜電晶體(TFT)層21。在某些示例性實施例中，可撓性基板19可由聚醯亞胺(polyimide)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate; PET)、聚碳酸酯(polycarbonate)或另一種適合的材料製成。OLED顯示器10亦包含頂部發光OLED 32之陣列30，陣列30位於TFT層21之上表面22上。每個OLED 32皆電耦合至TFT層21之電晶體。每個OLED 32皆具有上表面或頂表面34及側面36。如第1D圖之特寫插圖所示，OLED 32包含位於電極層33EL之間的發光層33EX。在實例中，上電極層33EL為實質上透光的陽極，而下電極層為金屬陰極。為了便於說明，未圖示其他層，如電子及電洞注入層及傳輸層以及基板層。
OLED 32在x方向上具有長度Lx，在y方向上具有長度Ly。在一個實施例中，Lx等於Ly。OLED陣列30中的OLED 32在x方向及y方向上藉由並排(side-to-side)間隔Sx與Sy彼此間隔開，如第1B圖之特寫插圖中最佳所示。在一個實施例中，Sx等於Sy。OLED 32從頂表面34發射光37。以下圖示且討論兩個光線37A及37B。在一個實施例中，OLED 32皆具有相同的尺寸並且等距間隔開。在其他實施例中，OLED並非皆具有相同的尺寸Lx、Ly，並且間距Sx、Sy並非皆相同。
OLED顯示器30進一步包含錐形反射器52之陣列50，錐形反射器52相對於OLED 32可操作地設置，亦即，一個錐形反射器與一個OLED對準並且可操作地設置（亦即，光學耦合或光學介接）。每個錐形反射器52皆包含主體51、頂表面54、至少一個側表面56及底表面58。頂表面54包含至少一個外邊緣54E，底表面58包含至少一個外邊緣58E。錐形反射器主體51由具有折射率nP 的材料製成。
第2圖為由錐形反射器52、折射率匹配材料70及OLED 32形成的示例性發光設備60之立面分解圖。錐形反射器52之頂表面54比底表面58大（亦即，具有更大的表面積），亦即，頂表面為錐形反射器之「基底(base)」。在一個實施例中，頂表面54與底表面58為矩形（例如，正方形），使得總共有四個側表面56。在錐形反射器52為旋轉對稱的實例中，可稱錐形反射器52具有一個側表面56。每個側表面56可為單一平面表面或由多個分段平面表面製成，或為連續彎曲表面。
因此，在一個實例中，錐形反射器52具有截頭角錐(truncated pyramid)之形式，該截頭角錐包括梯形剖面，亦稱為不完整或截頭的基於矩形的角錐。如以下所論述，亦可有效地採用錐形反射器52的其他形狀。錐形反射器52具有沿z方向延伸的中心軸AC。在頂表面54及底表面58具有正方形形狀的實例中，頂表面具有寬度尺寸WT並且底表面具有寬度尺寸WB。更一般而言，頂表面54具有(x, y)寬度尺寸WTx與WTy，底表面58具有(x, y)寬度尺寸WBx與WBy（第2圖）。錐形反射器52亦具有高度HP，其界定為頂表面54與底表面58之間的軸向距離（第1D圖）。
如由第1D圖最佳所示，錐形反射器52之底表面58佈置在OLED 32上，其底表面58位於鄰近OLED之頂表面34處。折射率匹配材料70具有折射率nIM 並且用於將錐形反射器52與OLED 32介接。錐形反射器折射率nP 較佳地例如儘可能接近OLED折射率nO 。在一個實施例中，np 與nO 之間的差不大於約0.3，更較佳地不大於約0.2，更較佳地不大於約0.1，最佳地不大於約0.01。在另一個實施例中，折射率匹配材料折射率nIM 不低於錐形反射器折射率nP ，並且較佳地具有在np 與nO 之間的值。在實例中，錐形反射器折射率nP 在約1.6與1.8之間。
在一個實施例中，折射率匹配材料70具有黏合性質並且用於將錐形反射器52黏接至OLED 32。折射率匹配材料70包括例如膠、黏合劑、接合劑等。如上所述，OLED 32、錐形反射器52及折射率匹配材料70之組合界定發光設備60。錐形反射器52與折射率匹配材料70界定光提取設備64。在某些示例性實施例中，藉由將錐形反射器52之底表面58佈置成與OLED 32之頂表面34緊密接觸（例如，光學接觸）可省略折射率匹配材料70。
OLED顯示器10亦包含可撓性阻障膜100，可撓性阻障膜100具有上表面104及下表面108（第1C圖）。在某些示例性實施例中，可撓性阻障膜100為多層膜，如Vitex膜。多層膜可由有機及無機材料之交替層組成。多層膜之操作原理為非常薄的無機層中的微小針孔被有機間隔層解耦合(decouple)。例如，多層可一起以儘可能小的總厚度來提供最佳的氣密性。用於製作可撓性阻障膜100的具體材料可變化。例如，無機層可為如SiO2 及Al2 O3 的氧化物、如SiNx的氮化物、如SiOxNy的氮氧化物，或如SiCNx的碳氮化物。有機層可為例如丙烯酸酯(acrylates)、環氧樹脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯(polystyrene)、環烯烴(cyclic olefins)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate; PEN)或其他適合的材料。在某些示例性實施例中，相同的材料可用於所有層，如六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane; HMDSO)，其取決於製程調諧而擁有無機或有機性質。然後可使用相同的電漿增強化學氣相沉積(PECVD)製程製作整個阻障膜。其他類型的阻障膜亦可基於例如單層混合有機-無機複合材料而使用。
錐形反射器52之頂表面54緊鄰可撓性阻障膜100之下表面108並與其接觸。在第1C中最佳繪示的實例中，錐形反射器52之頂表面54鋪設可撓性阻障膜100之下表面108，而在頂邊緣54E之間沒有任何實質空間。
在某些示例性實施例中，錐形反射器52形成為由單一材料製成的單式整體結構。此可使用鑄模製程、壓印(imprinting)製程（例如，紫外線或熱壓印）或類似製程完成，如使用基於樹脂的材料的微複製(microreplication)製程。
外部環境120緊鄰可撓性阻障膜100之上表面104存在。外部環境120通常為空氣，儘管外部環境120可為其中可使用顯示器的另一種環境，如真空、惰性氣體等。第3圖類似於第1B圖，第3圖為圖示四個OLED 32及其相應的具有頂表面54的四個錐形反射器52的俯視圖。注意相鄰錐形反射器52之頂表面54之外邊緣54E彼此緊鄰。在某些示例性實施例中，外邊緣54E彼此接觸。底表面58圖示為在相鄰底表面邊緣58E之間分別具有(x, y)邊緣間距SBx及SBy。在某些示例性實施例中，底表面58不大於OLED 32之頂表面34之尺寸的90%。
再次參照第1C圖，錐形反射器52之陣列在相鄰的錐形反射器、TFT層21之上表面22及可撓性阻障膜100之下表面108之間界定受限空間130。在某些示例性實施例中，空間130填充有如空氣的介質，而在其他實施例中，空間填充有介電質材料形式的介質。以下更詳細論述由給定的折射率nS 之介質來填充空間130。
錐形反射器52通常由具有相對高折射率的材料製成，亦即，較佳地與OLED發光層33EL之折射率一樣高。錐形反射器52使用上述折射率匹配材料70以倒置配置可操作地佈置在相應的OLED 32上。每個OLED 32可視為OLED陣列30中的畫素，並且OLED 32、折射率匹配材料70及截頭角錐52之每個組合為發光設備60，發光設備之組合界定用於OLED顯示器10的發光設備之陣列。
因為相對高的錐形反射器52之折射率nP 及折射率匹配材料70之折射率nIM ，在OLED 32之OLED發光層33EL中產生的光線37可直接或被下電極33EL反射而從OLED頂表面34散逸而不被TIR捕捉（第1D圖）。在傳播穿過錐形反射器52直接至頂表面54之後（光線37A）或在被至少一個側表面56反射及重定向之後（光線37B），光散逸至可撓性阻障膜100中並且穿過可撓性阻障膜100到達外部環境120。
在某些示例性實施例中，側表面56具有由相對於垂直（例如，相對於垂直參考線RL，垂直參考線RL平行於中心軸AC延伸，如圖所示）的傾斜角θ界定的斜率。若側面56之斜率不太陡（亦即，若傾斜角θ足夠大），則對於從OLED頂表面34發出的光線37之任何原點而言都將滿足TIR條件，並且沒有光線將藉由穿過側面56並且進入緊鄰錐形反射器52之側面的空間130中而損失。
再者，若錐形反射器52之高度HP足夠大，則入射在頂表面54上的所有光線37將在由錐形反射器52之折射率nP 及可撓性阻障膜100之折射率nE 界定的TIR散逸錐59（第4D圖）內，因此散逸進入可撓性阻障膜100中。此外，光線37亦將位於由可撓性阻障膜100之材料之折射率nE 及緊鄰可撓性阻障膜100之上表面104的外部環境之折射率ne 界定的TIR散逸錐內。
因此，若忽略OLED 32之OLED結構中的實為透光的上電極33EL之光吸收，則由OLED產生的100%的光37原則上可傳遞至位於可撓性阻障膜100上方的外部環境120中。本質上，構成錐形反射器52之主體51的折射率匹配材料允許錐形反射器52作為完美（或接近完美）的內部光提取器，而側面56之反射性質允許錐形反射器成為完美（或接近完美）的外部光提取器。TIR 條件之解釋
在任何兩種不同的透光材料（如分別具有折射率n1及n2的空氣及玻璃）之邊界處，從高折射率材料之方向入射至邊界上的光線若以與表面法線呈一角度（該角度高於臨界角θc ）入射在邊界處，則光線將在邊界處經歷100%的反射並且將不能離開進入較低折射率材料中。臨界角由sin(θc ) = n1/n2界定。
能夠散逸出較高折射率材料並且不在其中經受TIR的所有光線將位於錐角為2θc 的錐體內。該錐體稱為散逸錐並且在以下結合第4D圖進行論述。
可看出，對於具有任意折射率的任何層順序，臨界角θc 及散逸錐59由光線起源的層之折射率以及光線散逸進入的層或介質之折射率來界定。因此，抗反射塗層不能用於修改TIR條件並且不能藉由克服TIR條件來協助光提取。
對於具有等向性發射至半球並且對於任何角度相同強度的點光源，能夠從源材料散逸出的光量等於散逸錐59之立體角（給定為2π(1-cos(θc ))）與半球之全立體角（2π）之比率，等於1-cos(θc )。以折射率n2 = 1.76的OLED材料及折射率n1 = 1.0的空氣為例，臨界角θc = arcsin(1/1.76) = 34.62°。
對於OLED材料之頂部上的任何不同材料層順序將散逸進入空氣的光量（亦即，與光輸入相比的光輸出）等於1-cos(34.62°) = 17.7%。此稱為外部光提取效率LE。此結果假設OLED為等向性發射體，但基於此假設的光提取效率之估計非常接近由更嚴格的分析獲得的實際結果以及在實踐中觀察到的結果。錐形反射器形狀考慮因素
第4A圖為包含至少一個彎曲側表面56的示例性錐形反射器52之側視圖。第4B圖為包含至少一個分段平面側表面56的另一個錐形反射器52之實施例之側視圖。在某些示例性實施例中，一或更多個側表面56可由單一彎曲表面界定，例如，圓柱形、拋物線、雙曲線或除平面之外的任何其他形狀，只要錐形反射器52在頂表面54處比在底表面58處寬。在一個實施例中，錐形反射器52為旋轉對稱的並且因此包含單一側56。
儘管並未嚴格要求，但若在錐形反射器52之側表面56上的任何點處針對OLED 32之OLED發光層33EL內的任何可能的光37之起源皆觀察到TIR條件，則發光設備60之效能為最佳化。第4C圖為使用簡單數值模型計算的側表面56的示例性複雜表面形狀的z坐標與x坐標（相對單位）的關係圖。z軸及x軸表示個別方向上的正規化長度。假設OLED 32在x方向上從[-1, 0]延伸至[1, 0]，並且存在從[-1, 0]位置開始的另一側56但在第4C圖之圖形中未圖示。計算了側面56之形狀，使得源自[-1, 0]的光線總是以與表面法線呈正好45°入射至表面上。源自z = 0且x介於-1與1之間的任何其他光線將在側面56上比源自[-1, 0]的光線具有更高的入射角。
若錐形反射器52之高度HP使得由OLED 32發射的直接進入可撓性阻障膜100內的所有光線37都在散逸錐59內，則可進一步改善發光設備60之效能，如第4D圖之示意圖所繪示。第4D圖包含由錐形反射器52之頂表面54界定的平面TP。當錐形反射器52之頂表面54完全在界定散逸錐59之限度的線59L內（亦即，不相交）時，滿足此條件。散逸錐線59L起源於底表面58之邊緣58E並且相對於頂表面54以臨界角θ­c 與平面TP相交，其中θ­c 之值由錐形反射器材料之折射率np 及空氣之折射率na 界定為sin(θ­c ) = na /np 。
在一般情況下，錐形反射器52存在最佳高度HP，最佳高度HP取決於OLED 32的幾何形狀（尺寸及間隔）及錐形反射器52之折射率np 。若高度HP太小，則從OLED 32發射的所有光線37將在錐形反射器52之側表面56處經歷TIR，但一些光線將直接到達頂表面54並且以大於臨界角的角度入射在頂表面54上，因此將在顯示器中與空氣的第一邊界處被捕捉。若高度HP太大，則直接到達頂表面54的所有光線37將在散逸錐59內，但落在側表面56上的一些光線將在側表面的散逸錐內並且因此離開側表面。在某些示例性實施例中，錐形反射器之最佳高度HP通常在(0.5)WB與2WT之間，更通常在WB與WT之間。此外，在一個實施例中，側壁56之局部斜率可在約2°與50°之間，或甚至在約10°與45°之間。錐形反射器陣列
如上所述，複數個錐形反射器52界定錐形反射器陣列50。錐形反射器52之底表面58分別與OLED 32之頂表面34對準並且光耦合。由於錐形反射器52之頂表面54大於底表面58，在一個實例中（參見第1C圖），頂表面的尺寸設計成實質上覆蓋可撓性阻障膜100之整個下表面108，或由所採用的特定製造技術所允許的儘可能接近。
第5A圖為基於顯微照片的示意圖，其繪示用於行動電話的OLED顯示器10之示例性紅-綠-藍(RGB)畫素幾何形狀。第5B圖為OLED顯示器10之部分之剖面圖，其圖示綠色OLED 32G及藍色OLED 32B。畫素由以菱形圖案佈置的OLED 32界定，使得OLED亦稱為OLED畫素。可將x軸及y軸視為順時鐘旋轉45°，如第5A圖所示。
OLED 32發射彩色光，並且分別表示為紅光發射的OLED 32R、綠光發射的OLED 32G及藍光發射的OLED 32B。實線描繪與所示的八個彩色OLED 32相關聯的八個錐形反射器52之輪廓。錐形反射器52之頂表面54彼此接觸，而底表面58完全覆蓋他們各自的OLED 32R、32G及32B。由於綠色OLED 32G小於藍色OLED 32B並且完美的週期性陣列為較佳的，因此各個錐形反射器52之底表面58的尺寸適於藍色OLED並且相對於綠色OLED尺寸稍微過大。
在另一個實施例中，錐形反射器52之陣列50之配置經配置為匹配OLED之陣列30之配置。因此，錐形反射器52可能並非都具有相同的尺寸WBx、WBy，並且可能並非都具有相同的底邊緣間距SBx、SBy。
示例性OLED顯示器10可視為具有位於OLED 32正上方的固態材料層，該層的厚度等於錐形反射器52之高度HP並且具有切入固態材料層中的交叉V形槽空間130之矩形網格。上述結構可在適合的樹脂或可光固化或可熱固化的材料之層中微複製，其中原件(master)複製工具經配置成界定三角形剖面脊之矩形網格。例如，上述工具可藉由以下方式製造：首先進行鑽石加工圖案，該圖案看起來與錐形反射器陣列完全相同，然後藉由複製反向圖案來製作原件。為了耐用性，原件可經金屬化。
如第5A圖及第5B圖所示，在實例中，彩色OLED 32R、32G及32B之間的間隔Sx及Sy大約等於最大OLED（亦即，藍色OLED 32B）之尺寸Lx、Ly。若錐形反射器頂表面54為底表面58的兩倍，並且錐形反射器之高度HP為底表面寬度的1.5倍高，並且側壁為平坦的，則側表面56之傾斜角θ為arctan(1/3) = 18.4°。製造具有該傾斜角的錐形反射器52或錐形反射器52之陣列50在鑽石加工技術的能力範圍內。
若V形槽之底部更圓(rounded)，則對於相同的傾斜角θ，錐形反射器52之高度HP可小於底表面58之尺寸（尺度）的1.5倍。對於OLED顯示器10之不同配置或用於製作複製原件的不同技術，可應用對錐形反射器之幾何形狀的不同限制。
如以上所解釋，為了形成錐形反射器52之週期性陣列50，複製工具或模具為結構之複製陰模(negative replica)，其可視為截頭凹陷或「碗」之陣列。當使用此種工具形成錐形反射器陣列50時，當工具被壓入液體或可模製的複製材料之層時，避免將空氣捕捉在碗中可能為較佳的。避免上述空氣捕捉的一種技術為將複製工具或模具製造成完整的而非截頭的角錐形碗之陣列。在此種情況下，錐形反射器之高度可藉由複製材料層之厚度來控制。將工具壓入複製材料中，直到與可撓性阻障膜100接觸為止。氣穴(air pocket)將故意留在每個複製的錐形反射器上方。可注意避免錐形反射器頂部由於表面張力而變圓。光提取效率
為了估計OLED顯示器10中錐形反射器52之光提取效率，使用用於建模的OLED顯示器的標準光學設計軟體來實行光束追跡。考量了錐形反射器52之5x5陣列50。每個錐形反射器52的底表面尺寸為2x2單位，頂表面尺寸為4x4單位，高度HP為3單位。此等無因次單元有時稱為「透鏡單元(lens unit)」，並且當建模結果線性縮放時使用該等單元。錐形反射器52夾在兩片玻璃之間，每片玻璃的折射率為1.51。在每個錐形反射器52之底表面58的正下方放置非常薄的折射率為1.76的材料層。此薄層扮演OLED的角色，因此稱為OLED層。最上面的玻璃片用作OLED顯示器10之可撓性阻障膜100。
將OLED層之底表面設置為完全反射以代表反射底部電極33EL。將光源放置在OLED層內並且在5x5陣列中的中心錐形反射器52下方。光源為等向性（亦即，均勻強度對於角度）並且具有與錐形反射器52之底表面58相同的橫向尺寸。然後計算從頂部（可撓性阻障膜）輸出的光。在使用及不使用錐形反射器52的情況下執行來自建模的OLED顯示器的光發射之建模，以決定發光效率LE。藉由選擇虛擬偵測器之位置決定光輸出。在沒有錐形反射器52之陣列50的情況下，光輸出約為源輸出之16.8%，此非常接近以上基於散逸錐之尺寸之簡化計算而計算出的值17.7%。
具有錐形反射器52的光提取效率LE(%)示於第6A圖至第6C圖的圖形中。橫軸為錐形反射器之折射率nP 。在第6A圖中，縱軸為光提取效率LE(%)。應注意，具有一些光溢出至相鄰的錐形反射器52。藉由在給定的錐形反射器之頂部表面54處放置小的矩形（虛擬）偵測器，可在模型中容易地估計錐形反射器陣列50中每個錐形反射器52之功率輸出。為了簡單起見，光提取效率LE(%)在此界定為中心錐形反射器輸出之功率除以由光源發射的總功率。
如自第6A圖可見，若錐形反射器之折射率nP 與OLED層之折射率匹配，亦即1.76，則光提取效率LE達到57.2%，或高於17.7%的3.2倍（220%）。然而，即使對於nP = 1.62，光提取效率LE也提高了2.57倍（亦即，157%），亦即，從17.7%提高至45.8%。此沒有考量由於錐形反射器52之錐形形狀引起的「聚焦」效果，因此法線方向上的亮度增益可能甚至稍微更高，此取決於OLED結構之細節及錐形反射器之精確的形狀及高度。在各種實施例中，光提取效率LE大於約15%，或大於約20%，或大於約25%，或大於約30%，或大於約40%，或大於約50%，此取決於發光設備60之部件之各種參數及配置。
再次參照第5A圖及第5B圖，在OLED顯示器10的菱形佈置的情況下，對於綠色OLED 32G，相同色彩的最近鄰居在下一個對角錐形反射器下，並且對於藍色OLED 32B及紅色OLED 32R，相同色彩的最近鄰居在從四個邊中之任何一者數起的第二個錐形反射器下。漏光LL界定為側錐形反射器之光輸出除以中心的錐形反射器之光輸出，在第6B圖中及第6C圖中繪出，漏光LL亦作為錐形反射器折射率nP 之函數。第6B圖為最接近的對角錐形反射器52，而第6C圖為針對中心錐形反射器右側數來第二個相鄰錐形反射器。從第6B圖可明顯看出，對於nP = 1.62的相同的錐形反射器材料，與相同色彩OLED關聯的至下一個錐形反射器的漏光量，對綠色OLED 32G約為0.6%，對藍色OLED 32B及紅色OLED 32R約為0.2%。
如上所述的建模為使用幾何光學之原理實行的，因此沒有考量由波動光學能更好地描述的其他效果。幾何光學模型亦沒有考量OLED 32內部的效應。考量到此等其他因素，預期會稍微增加計算的發光效率並且影響內部光提取，亦即，從OLED結構內提取光，使得更多光離開OLED頂表面34。本文揭示的設備及方法涉及光提取，亦即，使用OLED 32外部的結構提取光。
本文揭示的改善的發光設備及方法完全依賴光反射而非光散射。因此，由反射電極33EL反射的環境光之偏振在反射時不改變，此意指該方法與圓偏振器的使用完全相容。此外，反射中沒有霧度(haze)，因此顯示對比度沒有降低，此是使用散射技術改善光提取的幾乎所有其他方法特有的問題。對準考量
以上引用的所有光提取效率值假設OLED 32源與錐形反射器52之底表面58之間的完美對準。以上使用的相同類型的建模亦用於估計OLED 32與錐形反射器52之間的未對準的靈敏度。第6D圖繪製其中錐形反射器之折射率nP 與OLED 32之折射率相同的情況下，耦合效率CE與x偏移dX (mm)的關係。
結果表示，輸出功率（及因此耦合效率CE）與偏移dX成線性比例，10%的偏移導致光輸出下降約8%。模型中的虛擬偵測器放置在可撓性阻障膜之外表面處（與空氣的邊界）。在第6D圖中，曲線S針對「小偵測器」並且指與錐形反射器之頂部尺寸相同的虛擬偵測器。同樣地，曲線L針對「大偵測器」並且指稍微較大的虛擬偵測器，其經設計為捕捉離開發光OLED之頂部上的錐形反射器的所有光線。
亦對錐形反射器52之10x10陣列50執行建模，以估計由於漏光至相鄰的錐形反射器而導致的OLED顯示器10之銳度或對比度的可能的降低。建模表示，上述漏光對於對比度沒有顯著影響。CTE 不匹配考量
在習知OLED顯示器中，可撓性阻障膜之熱膨脹係數(CTE)與OLED基板之熱膨脹係數相同或非常相似。然而，錐形反射器52之CTE可為實質上不同的，尤其是在使用聚合物或混合（有機與無機填料）樹脂來形成錐形反射器的情況下。
使用W.T. Chen及C.W. Nelson在標題為「Thermal stress in bonded joints」的出版物（IBM Journal of Research and Development，Vol. 23，No. 2，pp. 179-188（1979）（下文稱「IBM出版物」）（以全文引用方式併入本文）中描述的方法，實行當環境溫度改變時將在發光設備60中引起的機械應力之大小之簡單估計。
將第1D圖之發光設備60建模為由樹脂製成的錐形反射器52、呈膠層形式的折射率匹配材料70及由玻璃製成的OLED 32的三層系統。使用來自IBM出版物的以下方程式計算膠層70中的最大剪切應力τmax ：
Figure 02_image002
Figure 02_image005
其中G為膠層之剪切模數，l為從中心至邊緣的最大接合尺寸（在正方形子畫素及錐形反射器底部的情況下為半對角線），t為膠層之厚度，α1 及α2 為接合材料之熱膨脹係數（亦即，對於錐形反射器的樹脂及對於玻璃，單位為ppm/°C），ΔT為溫度(°C)的改變，E1 與E2 分別為接合材料（亦即，樹脂及玻璃）之楊氏模數以及h1 與h2 分別為接合材料（亦即，樹脂及玻璃）之厚度。注意，h1 與錐形反射器高度HP相同。
計算假設錐形反射器52之底表面58具有16x16 μm的尺寸，並且亦假設l = 11.3 μm並且t = 2 μm，錐形反射器之高度HP = h1 = 24 μm，並且取α1 - α2 = 70 ppm/°C，ΔT = 60 °C，膠之柏松比(Poisson ratio)為0.33（環氧樹脂的典型值）。
第7A圖為對於60°C溫度改變，膠層70中計算的剪切應力τmax 作為膠層之彈性模數Eg (MPa)之函數的關係圖，而第7B圖為對於相同60°C溫度改變，膠層70中計算的剪切應力τmax 作為錐形反射器之樹脂材料之彈性模數Ep (MPa)之函數的關係圖。剪切模數G值由彈性模數Ep 及柏松比ν使用G = Ep /(2(1+ν))來計算。膠層70中的剪切應力τmax 之計算值在1至11 MPa的範圍中。有許多市售膠的剪切強度高於11 MPa。此外，60°C溫度擺動為非常極端的，考慮到若零應力點在室溫20°C，此將意指裝置置於-40°C或80°C。
通常認為使可能的溫度引起的應力最小化為有益的，因為溫度循環可能導致裝置逐漸失效。第7A圖及第7B圖所示的結果建議，此可藉由降低用於形成截頭角錐的材料之彈性模數及/或藉由使用較軟的膠（亦即，具有較低彈性模數的膠）來實現。樹脂錐形反射器
如上所述，在一個實施例中，由於樹脂適合於鑄模製程及類似的大量複製(mass-replication)技術，錐形反射器52之陣列50可使用樹脂來形成。當使用樹脂形成陣列50時，較佳地可撓性阻障膜100之邊緣不含樹脂，使得它可被玻璃料(frit)塗佈用於邊緣密封。此外，較佳地樹脂能夠承受製作觸控感應器通常150°C的處理溫度。此外，較佳地樹脂在操作溫度範圍內不展現或具有極低的除氣性，至少為對OLED材料最有害的類型，亦即，氧氣及水。錐形反射器之間的空間的材料
如上所述，錐形反射器52之陣列50、OLED 32及可撓性阻障膜100界定填充有折射率nS 的介質的受限空間130。在某些示例性實施例中，受限空間130填充有空氣，其具有nS = na = 1的折射率。在其他實施例中，空間130可填充有固態材料。通常較佳的為，空間130內的介質具有儘可能低的折射率，使得散逸錐59保持儘可能大。
第8圖為光提取效率LE(%)與填充空間130的材料之折射率nS 的關係圖，假設錐形反射器52的折射率nP = 1.7。該圖圖示光提取效率大於2倍（100%）的改善（與不使用錐形反射器52相比），即使當空間130的填充材料130之折射率nS 高達1.42時（其為聚矽氧(silicone)黏合劑的典型值）。
為了獲得儘可能最佳的光提取利益，填料之折射率nS 較佳為1.2或更小。具有此種低折射率的材料之實例為氣凝膠(aerogel)，其為填充有空氣或另一種適合的乾燥及無氧氣體的多孔有機或無機基質。基於二氧化矽的氣凝膠亦可扮演吸收任何殘留水污染的額外角色，從而延長OLED材料之壽命。若構成錐形反射器52之主體51的材料具有1.7的折射率nP 並且氣凝膠之折射率為1.2，則臨界角θc 將大約為45°，此是可接受的臨界角。錐形反射器修改
可以多種方式修改錐形反射器52，以提升整體光提取效率。例如，參照第9A圖，在一個實施例中，側表面56可包含反射塗層56R。由於錐形反射器52不再使用TIR操作，因此該配置允許本質上任何透光材料填充空間130。
在第9B圖之側視圖中繪示另一種修改，其圖示形成在錐形反射器52之底表面58上並且延伸到錐形反射器之主體51中的微透鏡140。微透鏡140的折射率nM 高於錐形反射器52之主體之折射率nP 。可藉由在底表面58處形成具有凹槽（例如，半球形、非球形等）的錐形反射器52然後由高折射率材料填充凹槽來產生第9B圖所示的結構。利用可撓性 OLED 顯示器的電子裝置
本文揭示的可撓性OLED顯示器可用於各種應用，包含例如採用顯示器的消費者或商業電子裝置。示例性電子裝置包含電腦顯示器、自動櫃員機(ATM)及可攜式電子裝置，包含例如行動電話、個人媒體播放器及平板電腦/膝上型電腦。其他電子裝置包含汽車顯示器、電器顯示器、機械顯示器等。在各種實施例中，電子裝置可包含消費者電子裝置，如智慧型電話、平板電腦/膝上型電腦、個人電腦、計算機顯示器、超輕薄筆電、電視及照相機。
第10A圖為包含如本文揭示的OLED顯示器10的通用電子裝置200之示意圖。通用電子裝置200亦包含電連接至OLED顯示器10的控制電子電路210。控制電子電路210可包含記憶體212、處理器214及晶片組216。控制電子電路210亦可包含為了便於說明而未圖示的其他已知部件。
第10B圖為以膝上型電腦形式的示例性電子裝置200之立面圖。第10C圖為以智慧型電話形式的示例性電子裝置200之前視圖。
第11A圖及第11B圖繪示用於製造可撓性OLED顯示器的示例性方法。如第11A圖之下部分所示，將第一釋放層304（例如，無機材料或聚合物）施加在第一玻璃基板302上。將可撓性基板19施加在第一釋放層304上。緩衝層20可施加在可撓性基板19上。在緩衝層20上施加非晶矽，用於經由例如低溫多晶矽(LTPS-TFT)製程製造薄膜電晶體之主動矩陣(active matrix)，以形成TFT層21。於TFT層21上形成OLED之陣列30，使得每個OLED電耦合至TFT層21之電晶體。
如第11A圖之上部分所示，在第二玻璃基板308上施加第二釋放層306（例如，無機材料或聚合物）。在第二釋放層306上施加可撓性阻障膜100。在可撓性阻障膜100上形成錐形反射器之陣列50。由於錐形反射器之陣列50形成在剛性玻璃基板308上，並且OLED之陣列30形成在剛性玻璃基板302上，因此OLED畫素與陣列中的各個截頭角錐之間的畫素至畫素匹配所需的製造精度變得可能。將第二玻璃基板308、第二釋放層306、可撓性阻障膜100及錐形反射器之陣列50施加至OLED之陣列30，使得錐形反射器之陣列之每個錐形反射器之底表面耦合至OLED之陣列之OLED。折射率匹配層70（如光學透明黏合劑）可施加在OLED之陣列之每個OLED與錐形反射器之陣列之每個錐形反射器之底表面之間。
第11B圖繪示在釋放第一釋放層304以將第一玻璃基板302與可撓性基板19分離並且釋放第二釋放層306以將第二玻璃基板308與可撓性阻障膜100分離之後的可撓性OLED顯示器10。在某些示例性實施例中，藉由使用雷射照射第一釋放層304及第二釋放層306來釋放第一釋放層304及第二釋放層306。在此種情況下，第一釋放層304及第二釋放層306當被特定雷射波長照射時釋放大量氫氣，該特定雷射波長導致第一玻璃基板302及第二玻璃基板308剝離。在其他實施例中，可使用機械解除接合（亦即，剝離）代替雷射剝離來移除第一玻璃基板302及第二玻璃基板308。在使用雷射剝離或機械解除接合來移除第二玻璃基板308之後，留下的可撓性阻障膜100保護OLED材料免受氧氣及水分的影響。在某些示例性實施例中，可撓性基板19可積層至支撐基板，如塑膠（例如，PEN）、金屬、陶瓷、有機-無機混合物或玻璃基板（未圖示）。
對於本領域熟知技術者而言將為顯而易見的是，可在不脫離本揭示案之精神及範疇的情況下對本揭示案之實施例作各種修改及變異。因此，預期本揭示案涵蓋上述修改及變異，只要上述修改及變異在所附申請專利範圍及其均等物之範疇內。
10‧‧‧OLED顯示器 19‧‧‧可撓性基板 20‧‧‧緩衝層 21‧‧‧薄膜電晶體(TFT)層 22‧‧‧上表面 30‧‧‧OLED之陣列 32‧‧‧OLED 32B‧‧‧藍色OLED 32G‧‧‧綠色OLED 32R‧‧‧紅色OLED 33EL‧‧‧電極層/上電極 33EX‧‧‧發光層 34‧‧‧頂表面 36‧‧‧側面 37‧‧‧光/光線 37A‧‧‧光線 37B‧‧‧光線 50‧‧‧錐形反射器之陣列 51‧‧‧主體 52‧‧‧錐形反射器 54‧‧‧頂表面 54E‧‧‧外邊緣 56‧‧‧側表面 56R‧‧‧反射塗層 58‧‧‧底表面 58E‧‧‧外邊緣/邊緣 59‧‧‧散逸錐 59L‧‧‧散逸錐線 60‧‧‧發光設備 64‧‧‧光提取設備 70‧‧‧折射率匹配材料/折射率匹配層/膠層 100‧‧‧可撓性阻障膜 104‧‧‧上表面 108‧‧‧下表面 120‧‧‧外部環境 130‧‧‧受限空間/V形槽空間 200‧‧‧電子裝置 210‧‧‧控制電子電路 212‧‧‧記憶體 214‧‧‧處理器 216‧‧‧晶片組 302‧‧‧第一玻璃基板 304‧‧‧第一釋放層 306‧‧‧第二釋放層 308‧‧‧第二玻璃基板 AC‧‧‧中心軸 HP‧‧‧高度 Lx‧‧‧長度 Ly‧‧‧長度 RL‧‧‧垂直參考線 SBx‧‧‧邊緣間距 SBy‧‧‧邊緣間距 Sx‧‧‧間隔 Sy‧‧‧間隔 TP‧‧‧平面 WB‧‧‧寬度尺寸 WBx‧‧‧寬度尺寸 WBy‧‧‧寬度尺寸 WT‧‧‧寬度尺寸 WTx‧‧‧寬度尺寸 WTy‧‧‧寬度尺寸 θ‧‧‧傾斜角 θ­c‧‧‧臨界角
第1A圖為採用本文揭示的光提取設備及方法的示例性OLED顯示器之俯視圖；
第1B圖為四個OLED之陣列之俯視特寫圖，其繪示OLED及由OLED形成的OLED陣列之示例尺寸；
第1C圖為第1A圖之OLED顯示器之部分之特寫x-z剖面圖；
第1D圖為第1C圖所示的OLED顯示器之部分之進一步特寫視圖，並且包含圖示基本分層OLED結構的特寫插圖；
第2圖為由OLED、折射率匹配材料及錐形反射器形成的示例性發光設備之立面分解圖，其中錐形反射器及折射率匹配材料構成光提取設備；
第3圖為四個OLED及在每個OLED上佈置一個的四個錐形反射器之俯視圖；
第4A圖及第4B圖為錐形反射器的示例性形狀之側視圖；
第4C圖為對於錐形反射器之側面的示例性複雜表面形狀之圖形，其中該形狀確保由OLED發射進入錐形反射器之主體中並且不直接撞擊頂部表面的所有光在錐形反射器之側面處都經受全內反射；
第4D圖為錐形反射器之有利形狀之示意圖，其中該形狀確保由OLED發射的在錐形反射器材料之散逸錐外側的光線中沒有在未先被錐形反射器之側壁反射就可直接撞擊錐形反射器之頂表面的光線；
第5A圖為基於顯微照片的示意圖，其繪示用於行動電話的OLED顯示器之示例性紅-綠-藍(RGB)畫素幾何形狀，並且圖示佈置在OLED畫素上方的錐形反射器之陣列；
第5B圖為第5A圖之OLED顯示器之部分之特寫剖面圖，其圖示具有不同尺寸的藍色及綠色OLED畫素；
第6A圖為光提取效率LE(%)與錐形反射器之陣列中的中心錐形反射器之折射率nP 的關係圖；
第6B圖為來自錐形反射器之陣列中相對於中心錐形反射器的第一對角錐形反射器的光輸出LL與錐形反射器之陣列中的中心錐形反射器之折射率nP 的關係圖；
第6C圖為來自錐形反射器之陣列中相對於中心錐形反射器的相鄰錐形反射器的光輸出與錐形反射器之陣列中的中心錐形反射器之折射率nP 的關係圖；
第6D圖為使用大偵測器（菱形）與小偵測器（正方形）所量測的耦合效率CE(%)與OLED之相對於錐形反射器之底表面的偏移dX (mm)的關係圖；
第7A圖為在60°C溫度改變下，膠層中的計算的剪切應力τmax(τ最大值)作為膠層之彈性模數Eg (MPa)的函數之關係圖；
第7B圖為在與第7A圖相同的60°C溫度改變下，膠層中計算的剪切應力τmax作為錐形反射器材料之彈性模數Ep (MPa)的函數之關係圖；
第8圖為光提取效率LE(%)與填充錐形反射器之陣列中的錐形反射器之間的空間的材料之折射率ns 的關係圖；
第9A圖及第9B圖為OLED顯示器之部分之側視圖，其繪示本文揭示的光提取設備的不同配置；
第10A圖為包含本文揭示的OLED顯示器的通用電子裝置之示意圖；
第10B圖及第10C圖為第10A圖之通用電子裝置之實例；及
第11A圖及第11B圖繪示用於製造可撓性OLED顯示器的示例性方法。
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10‧‧‧OLED顯示器
19‧‧‧可撓性基板
20‧‧‧緩衝層
21‧‧‧薄膜電晶體(TFT)層
22‧‧‧上表面
30‧‧‧OLED之陣列
32‧‧‧OLED
50‧‧‧錐形反射器之陣列
52‧‧‧錐形反射器
100‧‧‧可撓性阻障膜
104‧‧‧上表面
108‧‧‧下表面
120‧‧‧外部環境
130‧‧‧受限空間/V形槽空間

Claims (20)

  1. 一種用於一可撓性有機發光二極體(OLED)顯示器的光提取設備，該設備包括： 一可撓性基板；由該可撓性基板支撐的一OLED；一可撓性阻障膜；一錐形反射器，包括至少一個側表面、耦接至該可撓性阻障膜的一頂表面，及一底表面，該頂表面的表面積大於該底表面的表面積；及一折射率匹配層，耦接在該OLED之一頂表面與該錐形反射器之該底表面之間，其中，從該OLED之該頂表面發射的光穿過該折射率匹配層並且進入該錐形反射器中，以及其中該錐形反射器之該至少一個側表面包括一斜面，以藉由反射將光重定向至一散逸錐中並且離開該錐形反射器之該頂表面。
  2. 如請求項1所述之光提取設備，其中該錐形反射器包括一截頭角錐(truncated pyramid)，該截頭角錐包括一梯形剖面。
  3. 如請求項1所述之光提取設備，其中該可撓性基板包括聚醯亞胺(polyimide)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate; PET)或聚碳酸酯(polycarbonate)。
  4. 如請求項1所述之光提取設備，其中該可撓性阻障膜包括一多層膜。
  5. 如請求項1所述之光提取設備，其中該可撓性OLED顯示器包括大於40%的一外部光提取效率。
  6. 如請求項1所述之光提取設備，其中該錐形反射器包括能藉由壓印形成的一材料。
  7. 如請求項1所述之光提取設備，其中來自該OLED的光包括紅光、綠光或藍光。
  8. 如請求項1所述之光提取設備，進一步包括： 至少一個微透鏡，於該錐形反射器之該底表面處嵌入該錐形反射器中。
  9. 如請求項1所述之光提取設備，其中該折射率匹配層之一折射率大於或等於該錐形反射器之一折射率。
  10. 如請求項1所述之光提取設備，其中該錐形反射器之該底表面之一表面積不大於該OLED之該頂表面之一表面積的90%。
  11. 一種可撓性有機發光二極體(OLED)顯示器，包括： 一可撓性基板，支撐一OLED之陣列，該OLED之陣列之每個OLED具有一頂表面，光經由該頂表面發射； 一錐形反射器之陣列，該錐形反射器之陣列之每個錐形反射器與該OLED之陣列之一OLED對準，該錐形反射器之陣列之每個錐形反射器包括至少一個側表面、一頂表面及一底表面，該底表面耦接至該OLED之陣列之一相應OLED之頂表面，每個錐形反射器之該頂表面之表面積大於每個錐形反射器之該底表面之表面積；及 一可撓性阻障膜，耦接至該錐形反射器之陣列之每個錐形反射器之該頂表面。
  12. 如請求項11所述之可撓性有機發光二極體顯示器，進一步包括： 一折射率匹配層之陣列， 其中該折射率匹配層之陣列之一折射率匹配層耦接在該OLED之陣列之每個OLED之該頂表面與該錐形反射器之陣列之每個錐形反射器之該底表面之間。
  13. 如請求項12所述之可撓性有機發光二極體顯示器，其中從該OLED之陣列之每個OLED之該頂表面發射的光穿過該折射率匹配層之陣列之一對應的折射率匹配層並且進入該錐形反射器之陣列之一對應的錐形反射器中，及 其中該錐形反射器之陣列之每個錐形反射器之該至少一個側表面包括一斜面，以藉由反射將光重定向至一散逸錐中並且離開該對應的錐形反射器之該頂表面。
  14. 如請求項11所述之可撓性有機發光二極體顯示器，其中該錐形反射器之陣列之每個錐形反射器之該頂表面包含一外邊緣，及 其中該錐形反射器之陣列之相鄰錐形反射器之外邊緣彼此緊鄰排列。
  15. 如請求項11所述之可撓性有機發光二極體顯示器，其中該錐形反射器之陣列之每個錐形反射器包括一截頭角錐，該截頭角錐包括一梯形剖面。
  16. 一種用於製造一可撓性有機發光二極體(OLED)顯示器的方法，該方法包括以下步驟： 在一第一玻璃基板上施加一第一釋放層； 在該第一釋放層上施加一可撓性基板； 在該可撓性基板上形成一OLED之陣列； 在一第二玻璃基板上施加一第二釋放層； 在該第二釋放層上施加一可撓性阻障膜； 在該可撓性阻障膜上形成一錐形反射器之陣列，該錐形反射器之陣列之每個錐形反射器包括至少一個側表面、耦接至該可撓性阻障膜的一頂表面，及一底表面，該頂表面大於該底表面；及 將該第二基板、該第二釋放層、該可撓性阻障膜及該錐形反射器之陣列施加至該OLED之陣列，使得該錐形反射器之陣列之每個錐形反射器之該底表面耦接至該OLED之陣列之一OLED。
  17. 如請求項16所述之方法，進一步包括以下步驟： 釋放該第一釋放層，以將該第一玻璃基板與該可撓性基板分離；及 釋放該第二釋放層，以將該第二玻璃基板與該可撓性阻障膜分離。
  18. 如請求項17所述之方法，其中釋放該第一釋放層的步驟包括藉由一雷射照射該第一釋放層的步驟，及 釋放該第二釋放層的步驟包括藉由一雷射照射該第二釋放層的步驟。
  19. 如請求項17所述之方法，進一步包括以下步驟： 將該可撓性基板積層至一支撐基板上。
  20. 如請求項16所述之方法，進一步包括以下步驟： 在該OLED之陣列之每個OLED與該錐形反射器之陣列之每個錐形反射器之該底表面之間施加一折射率匹配層。
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