CN111584537A - 一种可拉伸显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
一种可拉伸显示面板及其制备方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111584537A CN111584537A CN202010467790.XA CN202010467790A CN111584537A CN 111584537 A CN111584537 A CN 111584537A CN 202010467790 A CN202010467790 A CN 202010467790A CN 111584537 A CN111584537 A CN 111584537A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- etching
- layer
- slope
- buffer layer
- flexible substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 94
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 99
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 64
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 52
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 12
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 9
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 20
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 16
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5387—Flexible insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种可拉伸显示面板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域。其中,可拉伸显示面板包括设置有显示器件的岛区、设置有走线的桥区,以及孔区,所述岛区和/或所述桥区的边缘设置有隔离区域,所述隔离区域包括斜坡层以及沿所述斜坡层的斜面设置的多个隔离柱。在本发明实施例中,可以将面板边缘的隔离区域设置为具有斜面的斜坡层,并在斜坡层的斜面上设置多个隔离柱,斜面可以增大面板边缘的隔离柱放置空间,从而可以在隔离柱放置空间放置更多的隔离柱,增强了面板的裂纹隔离效果。另外,由于面板的隔离区域宽度增大,也即是延长了面板边缘的封装距离,因此,增强了面板的封装效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种可拉伸显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
如今,随着人们对于显示装置的空间扩展性的要求越来越高,关于可拉伸显示面板的研究也越来越多,可拉伸显示面板正逐渐成为显示技术领域中一个重要的发展方向。
图1示出了一种可拉伸显示面板的俯视图,图2示出了一种可拉伸显示面板的截面图,参照图1,可拉伸显示面板包括设置有显示器件A的岛区01、设置有走线B的桥区02,以及用于提供变形的孔区03。在实际应用中,对于具有类似结构的可拉伸显示面板,通常在其岛区01或桥区02的边缘会设置隔离柱12,如图2所示,用来防止因拉伸过度所产生的裂纹(crack)延伸至显示器件区,从而造成显示器件的损坏。
但是,对于上述可拉伸显示面板,面板边缘的隔离柱放置空间有些不足,因此,面板的裂纹隔离效果较差。另外,面板边缘的封装距离较短,使得面板的封装效果较差。
发明内容
本发明提供一种可拉伸显示面板及其制备方法、显示装置,以解决现有的可拉伸显示面板因边缘的隔离柱放置空间不足,导致裂纹隔离效果较差,以及因边缘的封装距离较短,导致封装效果较差的问题。
为了解决上述问题,本发明公开了一种可拉伸显示面板,包括设置有显示器件的岛区、设置有走线的桥区,以及孔区,所述岛区和/或所述桥区的边缘设置有隔离区域,所述隔离区域包括斜坡层以及沿所述斜坡层的斜面设置的多个隔离柱。
可选地,所述斜坡层包括柔性衬底以及设置在所述柔性衬底上的第一缓冲层,所述多个隔离柱设置在所述第一缓冲层上。
可选地,所述柔性衬底的斜面坡度角大于0度,且小于或等于30度。
为了解决上述问题,本发明还公开了一种可拉伸显示面板的制备方法,所述方法包括:
提供柔性衬底;
在所述柔性衬底上形成第二缓冲层;
在所述第二缓冲层上形成孔区图案;
对所述柔性衬底露出所述孔区图案的部分进行半刻蚀;
执行至少一次预设工艺,直至在所述柔性衬底形成孔区,以及在用于设置显示器件的岛区的边缘和/或在用于设置走线的桥区的边缘形成衬底斜坡;
形成覆盖所述衬底斜坡的第一缓冲层,得到斜坡层;
沿所述斜坡层的斜面形成多个隔离柱;
其中,所述预设工艺包括:扩大所述第二缓冲层上的孔区图案;对所述柔性衬底露出扩大后的所述孔区图案的部分进行半刻蚀。
可选地,所述在所述第二缓冲层上形成孔区图案,包括:
在所述第二缓冲层上形成图案化的光刻胶层;
对所述第二缓冲层露出所述图案化的光刻胶层的部分进行刻蚀,形成孔区图案。
可选地,所述对所述柔性衬底露出所述孔区图案的部分进行半刻蚀之前或之后,还包括:
通过灰化工艺,将所述光刻胶层沿远离所述孔区图案的方向进行刻蚀,以露出部分所述第二缓冲层。
可选地,所述对所述柔性衬底露出扩大后的所述孔区图案的部分进行半刻蚀之前或之后,还包括:
通过灰化工艺,将所述光刻胶层沿远离扩大后的所述孔区图案的方向进行刻蚀,以露出部分所述第二缓冲层。
可选地,所述扩大所述第二缓冲层上的孔区图案,包括:
对所述第二缓冲层露出所述光刻胶层的部分进行刻蚀。
可选地,所述对所述第二缓冲层露出所述光刻胶层的部分进行刻蚀,包括:
通过四氟甲烷气体对所述第二缓冲层露出所述光刻胶层的部分进行刻蚀。
可选地,所述对所述柔性衬底露出所述孔区图案的部分进行半刻蚀,包括:
通过氧气气体对所述柔性衬底露出所述孔区图案的部分进行半刻蚀。
可选地,所述对所述柔性衬底露出扩大后的所述孔区图案的部分进行半刻蚀,包括:
通过氧气气体对所述柔性衬底露出扩大后的所述孔区图案的部分进行半刻蚀。
可选地,所述对所述第二缓冲层露出所述图案化的光刻胶层的部分进行刻蚀,形成孔区图案,包括:
通过四氟甲烷气体对所述第二缓冲层露出所述图案化的光刻胶层的部分进行刻蚀,形成孔区图案。
可选地,所述斜坡层的斜面坡度角与所述预设工艺的执行次数呈正相关。
可选地,所述斜坡层的斜面坡度角与所述对所述柔性衬底露出扩大后的所述孔区图案的部分进行半刻蚀的刻蚀时长呈正相关。
为了解决上述问题,本发明还公开了一种显示装置,包括上述可拉伸显示面板。
与现有技术相比,本发明包括以下优点:
在本发明实施例中,可拉伸显示面板包括设置有显示器件的岛区、设置有走线的桥区,以及孔区,岛区和/或桥区的边缘设置有隔离区域,隔离区域包括斜坡层以及沿斜坡层的斜面设置的多个隔离柱。在本发明实施例中,可以将面板边缘的隔离区域设置为具有斜面的斜坡层,并在斜坡层的斜面上设置多个隔离柱,斜面可以增大面板边缘的隔离柱放置空间,从而可以在隔离柱放置空间放置更多的隔离柱,增强了面板的裂纹隔离效果。另外,由于面板的隔离区域宽度增大,也即是延长了面板边缘的封装距离,因此,增强了面板的封装效果。
附图说明
图1示出了现有的一种可拉伸显示面板的俯视图;
图2示出了现有的一种可拉伸显示面板的截面图;
图3示出了本发明实施例一的可拉伸显示面板的一种截面图;
图4示出了本发明实施例一的一种可拉伸显示面板的另一种截面图;
图5示出了本发明实施例二的一种可拉伸显示面板的制备方法的步骤流程图;
图6示出了本发明实施例二的一种在第二缓冲层上形成图案化的光刻胶层后的面板示意图;
图7示出了本发明实施例二的一种对第二缓冲层露出图案化的光刻胶层的部分进行刻蚀,形成孔区图案后的面板示意图;
图8示出了本发明实施例二的一种将光刻胶层沿远离孔区图案的方向进行刻蚀,以露出部分第二缓冲层,以及对柔性衬底露出孔区图案的部分进行半刻蚀后的面板示意图;
图9示出了本发明实施例二的一种扩大第二缓冲层上的孔区图案后的面板示意图;
图10示出了本发明实施例二的一种将光刻胶层沿远离扩大后的孔区图案的方向进行刻蚀,以露出部分第二缓冲层后的面板示意图;
图11示出了本发明实施例二的一种继续扩大第二缓冲层上的孔区图案后的面板示意图;
图12示出了本发明实施例二的一种继续将光刻胶层沿远离扩大后的孔区图案的方向进行刻蚀,以露出部分第二缓冲层,以及对柔性衬底露出孔区图案的部分进行半刻蚀后的面板示意图;
图13示出了本发明实施例二的一种在柔性衬底形成孔区,以及在用于设置显示器件的岛区的边缘和/或在用于设置走线的桥区的边缘形成衬底斜坡后的面板示意图;
图14示出了本发明实施例二的一种剥离光刻胶层后的面板示意图;
图15示出了本发明实施例二的一种形成覆盖衬底斜坡的第一缓冲层,得到斜坡层后的面板示意图;
图16示出了本发明实施例二的一种沿斜坡层的斜面形成多个隔离柱后的面板示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
图3示出了本发明实施例一的可拉伸显示面板的一种截面图,参照图3,可拉伸显示面板包括设置有显示器件A的岛区01、设置有走线B的桥区02,以及孔区03,所述岛区01和/或所述桥区02的边缘设置有隔离区域10,所述隔离区域10包括斜坡层11以及沿所述斜坡层11的斜面设置的多个隔离柱12。
在本发明实施例中,可以将岛区01和/或桥区02边缘的隔离区域10设置为具有斜面的斜坡层11,从而隔离柱12可以沿斜坡层11的斜面设置。图4示出了本发明实施例一的可拉伸显示面板的另一种截面图,基于图4的视角,斜坡层11的底边距离可以为a2,斜坡层11的最大高度可以为b,斜坡层11的斜面长度可以为c,同时参照图2,现有的可拉伸显示面板的隔离区域宽度为a1,在a1=a2的情况下,本发明实施例提供的可拉伸显示面板的隔离区域宽度可以达到(大于a1)。而在a1<a2的情况下,本发明实施例提供的可拉伸显示面板的隔离区域宽度则可以更大,达到(大于)。因此,在本发明实施例中,斜面可以增大面板边缘的隔离柱放置空间,从而可以在隔离柱放置空间放置更多的隔离柱,增强了面板的裂纹隔离效果。另外,由于面板的隔离区域宽度增大,也即是延长了面板边缘的封装距离,因此,增强了面板的封装效果。
可选地,参照图3,所述斜坡层11包括柔性衬底111以及设置在所述柔性衬底111上的第一缓冲层112,所述多个隔离柱12设置在所述第一缓冲层112上。
其中,柔性衬底111可保证面板的可拉伸性,第一缓冲层112可以在柔性衬底111与隔离柱12之间起缓冲作用。
可选地,参照图3,所述柔性衬底111的斜面坡度角α大于0度,且小于或等于30度。
其中,斜面坡度角也即斜面与水平面之间的角度。可以将柔性衬底111的斜面坡度角α控制在大于0度,且小于或等于30度的范围内,也即是可以将斜坡层11的坡度设置的较缓,较缓的斜面上便可以设置更多的隔离柱12,从而进一步增强面板的裂纹隔离效果,并且,面板边缘的封装距离进一步延长,因此,还可以进一步增强面板的封装效果。
可选地,在具体应用中,隔离柱12可以采用金属材料和/或有机物材料,本发明实施例对此不作具体限定。
此外,隔离区域10还可以包括覆盖隔离柱12的发光材料层,以及覆盖发光材料层的封装层等常规膜层结构,本发明实施例对此不作具体限定。其中,覆盖隔离柱12的发光材料层也即显示器件部分的发光材料层延伸至隔离区域10的部分。
在本发明实施例中,可拉伸显示面板包括设置有显示器件的岛区、设置有走线的桥区,以及孔区,岛区和/或桥区的边缘设置有隔离区域,隔离区域包括斜坡层以及沿斜坡层的斜面设置的多个隔离柱。在本发明实施例中,可以将面板边缘的隔离区域设置为具有斜面的斜坡层,并在斜坡层的斜面上设置多个隔离柱,斜面可以增大面板边缘的隔离柱放置空间,从而可以在隔离柱放置空间放置更多的隔离柱,增强了面板的裂纹隔离效果。另外,由于面板的隔离区域宽度增大,也即是延长了面板边缘的封装距离,因此,增强了面板的封装效果。
实施例二
参照图5,示出了本发明实施例二的一种可拉伸显示面板的制备方法的步骤流程图,该制备方法包括以下步骤:
步骤501:提供柔性衬底。
在实际应用中,柔性衬底111可以选用PI(Polyimide,聚酰亚胺)等柔性材料,本发明实施例对此不作具体限定。
步骤502:在所述柔性衬底上形成第二缓冲层。
在本步骤中,可以在柔性衬底111上形成起缓冲作用的第二缓冲层013。在实际应用中,第二缓冲层013可以选用SiNx、SiOx等材料,本发明实施例对此不作具体限定。
步骤503:在所述第二缓冲层上形成孔区图案。
可选地,本步骤具体可以通过下述方式实现,包括:在所述第二缓冲层上形成图案化的光刻胶层;对所述第二缓冲层露出所述图案化的光刻胶层的部分进行刻蚀,形成孔区图案。
首先,可以在第二缓冲层013上涂覆光刻胶,然后可以通过曝光、显影、刻蚀等工艺流程,在第二缓冲层013上形成图案化的光刻胶层00,如图6所示。之后,可以对第二缓冲层013露出图案化的光刻胶层00的部分进行刻蚀,从而可以在第二缓冲层013上形成孔区图案,如图7所示。参照图7,在第二缓冲层013上刻蚀出孔区图案之后,第二缓冲层013靠近孔区图案的边缘可以自然地形成一定的坡度。
在本发明实施例中,可选地,所述对所述第二缓冲层露出所述图案化的光刻胶层的部分进行刻蚀,形成孔区图案的步骤,具体可以包括:通过四氟甲烷气体对所述第二缓冲层露出所述图案化的光刻胶层的部分进行刻蚀,形成孔区图案。
在实际应用中,可以通过四氟甲烷(CF4)气体,对第二缓冲层013露出光刻胶层00的部分进行ICP(inductively coupled plasma,感应耦合等离子体)刻蚀。通过四氟甲烷气体对第二缓冲层013进行刻蚀,可以避免对光刻胶层00和柔性衬底111的损伤。
步骤504:对所述柔性衬底露出所述孔区图案的部分进行半刻蚀。
在本发明实施例中,可选地,在本步骤之前或之后,还可以包括以下步骤:通过灰化工艺,将所述光刻胶层沿远离所述孔区图案的方向进行刻蚀,以露出部分所述第二缓冲层。
其中,可以通过灰化工艺,将光刻胶层00沿远离孔区图案的方向进行刻蚀,以露出部分第二缓冲层013,也即是可以对光刻胶层00进行内缩,如图8所示。内缩光刻胶层00是为了后续对第二缓冲层013进行刻蚀,在本步骤之后内缩光刻胶层00,柔性衬底111也会存在一定的内缩风险,也即是存在半刻蚀后的柔性衬底111图案被破坏的风险,而在本步骤之前内缩光刻胶层00,则可以避免柔性衬底111的内缩风险。
可选地,本步骤具体可以通过下述方式实现,包括:通过氧气气体对所述柔性衬底露出所述孔区图案的部分进行半刻蚀。
在实际应用中,可以采用Plasma RIE(Plasma Reactive Ion Etching,等离子体反应离子刻蚀)工艺,通过氧气(O2)气体,对柔性衬底111露出孔区图案的部分沿垂直于面板的方向进行半刻蚀,如图8所示。通过氧气气体对柔性衬底111进行刻蚀,可以避免对第二缓冲层013的损伤。
步骤505:执行至少一次预设工艺,直至在所述柔性衬底形成孔区,以及在用于设置显示器件的岛区的边缘和/或在用于设置走线的桥区的边缘形成衬底斜坡;其中,所述预设工艺包括:扩大所述第二缓冲层上的孔区图案;对所述柔性衬底露出扩大后的所述孔区图案的部分进行半刻蚀。
在本发明实施例中,可选地,所述扩大所述第二缓冲层上的孔区图案的步骤,具体可以包括:对所述第二缓冲层露出所述光刻胶层的部分进行刻蚀。
在经过灰化工艺后,第二缓冲层013靠近孔区的部分露出光刻胶层00,之后,便可以将第二缓冲层013露出光刻胶层00的部分刻蚀掉,从而使得第二缓冲层013上的孔区图案得到扩大,如图9所示。
可选地,所述对所述第二缓冲层露出所述光刻胶层的部分进行刻蚀步骤,具体又可以包括:通过四氟甲烷气体对所述第二缓冲层露出所述光刻胶层的部分进行刻蚀。
在实际应用中,可以通过四氟甲烷气体,对第二缓冲层013露出光刻胶层00的部分进行ICP(inductively coupled plasma,感应耦合等离子体)刻蚀。通过四氟甲烷气体对第二缓冲层013进行刻蚀,可以避免对光刻胶层00和柔性衬底111的损伤。
可选地,所述对所述柔性衬底露出扩大后的所述孔区图案的部分进行半刻蚀的步骤之前或之后,还可以包括以下步骤:通过灰化工艺,将所述光刻胶层沿远离扩大后的所述孔区图案的方向进行刻蚀,以露出部分所述第二缓冲层。
其中,可以通过灰化工艺,将光刻胶层00沿远离孔区图案的方向进行刻蚀,以露出部分第二缓冲层013,也即是可以对光刻胶层00进行内缩,如图10所示。内缩光刻胶层00是为了后续再次对第二缓冲层013进行刻蚀,在本步骤之前内缩光刻胶层00,可以避免柔性衬底111的内缩风险。
可选地,所述对所述柔性衬底露出扩大后的所述孔区图案的部分进行半刻蚀的步骤,具体可以包括:通过氧气气体对所述柔性衬底露出扩大后的所述孔区图案的部分进行半刻蚀。
在实际应用中,可以采用Plasma RIE工艺,通过氧气气体,对柔性衬底111露出扩大后的孔区图案的部分沿垂直于面板的方向进行半刻蚀,如图10所示。通过氧气气体对柔性衬底111进行刻蚀,可以避免对第二缓冲层013的损伤。
然后,可以再次重复执行预设工艺,扩大第二缓冲层013上的孔区图案,如图11所示,并对柔性衬底111露出扩大后的孔区图案的部分进行半刻蚀,如图12所示。
在本发明实施例中,每经过一次预设工艺,柔性衬底111的坡度会变得越缓。在具体应用时,可以执行至少一次预设工艺,直至在柔性衬底111形成孔区,以及在用于设置显示器件的岛区的边缘和/或在用于设置走线的桥区的边缘形成衬底斜坡A,如图13所示。其中,衬底斜坡A的斜面坡度角与预设工艺的执行次数呈正相关,也即是预设工艺的执行次数越多,衬底斜坡A的斜面坡度角越大。衬底斜坡A的斜面坡度角与对柔性衬底111露出扩大后的孔区图案的部分进行半刻蚀的刻蚀时长呈正相关,也即是对柔性衬底111露出扩大后的孔区图案的部分进行半刻蚀的刻蚀时长越长,衬底斜坡A的斜面坡度角越大。
在实际应用中,可以执行至少一次预设工艺,直至在形成孔区的同时,达到想要的衬底斜坡的斜面坡度角。需要说明的是,由于孔区需要贯通面板,因此,可以在最后一次执行预设工艺时,在柔性衬底111对应孔区的部分剩余很薄的情况下,对柔性衬底111露出扩大后的孔区图案的部分进行全刻蚀,从而形成孔区。当然,也可以是在最后一次执行预设工艺执行完毕之后,再对柔性衬底111对应孔区的部分进行全刻蚀,从而形成孔区,本发明实施例对此不作具体限定。
至少一次预设工艺执行完毕,并在柔性衬底111形成孔区03,以及在用于设置显示器件的岛区的边缘和/或在用于设置走线的桥区的边缘形成衬底斜坡A之后,可以剥离光刻胶层00,如图14所示。
步骤506:形成覆盖所述衬底斜坡的第一缓冲层,得到斜坡层。
在本步骤中,由于第二缓冲层013在预设工艺等阶段被多次刻蚀,因此,柔性衬底111的衬底斜坡上只有极少的第二缓冲层013覆盖。因此,可以在衬底斜坡上形成覆盖衬底斜坡的第一缓冲层112,如图15所示,从而得到斜坡层,其中,第一缓冲层112可以在衬底斜坡与后续设置的隔离柱12之间起到缓冲作用。
步骤507:沿所述斜坡层的斜面形成多个隔离柱。
在本步骤中,可以在斜坡层的斜面上形成多个隔离柱12,如图16所示。具体地,首先可以在斜坡层的斜面上形成隔离柱膜材014,然后再通过构图工艺,形成位于隔离区域的多个隔离柱12。
在实际应用中,斜坡层斜面上的隔离柱膜材014,可以是显示器件部分的PS(垫隔物)层、PLN(平坦化)层,以及薄膜晶体管的SD(源漏极)层中的至少一者延伸至斜坡层斜面上的部分,也即是隔离柱12具体可以包括PS层、PLN层和SD层中的至少一种。
例如,将显示器件部分的PLN层延伸至斜坡层斜面上的部分作为隔离柱膜材014,则隔离柱12即为PLN隔离柱12。再例如,将显示器件部分的SD层和PLN层延伸至斜坡层斜面上的部分作为隔离柱膜材014,则隔离柱12即为SD+PLN隔离柱12,其中,SD+PLN隔离柱12中的SD层可以靠近斜坡层设置,SD+PLN隔离柱12中的PLN层可以位于SD层远离斜坡层的一侧。
在本发明实施例中,由于斜坡层的斜面坡度角在极大程度上决定于衬底斜坡的斜面坡度角,因此,可选地,所述斜坡层的斜面坡度角与所述预设工艺的执行次数呈正相关。可选地,所述斜坡层的斜面坡度角与所述对所述柔性衬底露出扩大后的所述孔区图案的部分进行半刻蚀的刻蚀时长呈正相关。因此,在实际应用中,可以通过在合理范围内增加预设工艺的执行次数,和/或对柔性衬底露出扩大后的孔区图案的部分进行半刻蚀的刻蚀时长,从而获得较缓的斜坡层斜面,较缓的斜面上便可以设置更多的隔离柱,从而进一步增强面板的裂纹隔离效果,并且,面板边缘的封装距离进一步延长,因此,还可以进一步增强面板的封装效果。
此外,该制备方法还可以包括形成封装层等常规步骤,本发明实施例对此不作具体限定。
在本发明实施例中,可拉伸显示面板的制备方法可以包括:提供柔性衬底;在所述柔性衬底上形成第二缓冲层;在所述第二缓冲层上形成孔区图案;对所述柔性衬底露出所述孔区图案的部分进行半刻蚀;执行至少一次预设工艺,直至在所述柔性衬底形成孔区,以及在用于设置显示器件的岛区的边缘和/或在用于设置走线的桥区的边缘形成衬底斜坡;形成覆盖所述衬底斜坡的第一缓冲层,得到斜坡层;沿所述斜坡层的斜面形成多个隔离柱。其中,所述预设工艺包括:扩大所述第二缓冲层上的孔区图案;对所述柔性衬底露出扩大后的所述孔区图案的部分进行半刻蚀。在本发明实施例中,通过上述方法,可以在可拉伸显示面板的岛区和/或桥区边缘的隔离区域形成斜坡层,以及沿斜坡层的斜面形成多个隔离柱。斜面可以增大面板边缘的隔离柱放置空间,从而可以在隔离柱放置空间放置更多的隔离柱,增强了面板的裂纹隔离效果。另外,由于面板的隔离区域宽度增大,也即是延长了面板边缘的封装距离,因此,增强了面板的封装效果。
实施例三
本发明实施例还公开了一种显示装置,包括上述可拉伸显示面板。
在本发明实施例中,可拉伸显示面板包括设置有显示器件的岛区、设置有走线的桥区,以及孔区,岛区和/或桥区的边缘设置有隔离区域,隔离区域包括斜坡层以及沿斜坡层的斜面设置的多个隔离柱。在本发明实施例中,可以将面板边缘的隔离区域设置为具有斜面的斜坡层,并在斜坡层的斜面上设置多个隔离柱,斜面可以增大面板边缘的隔离柱放置空间,从而可以在隔离柱放置空间放置更多的隔离柱,增强了面板的裂纹隔离效果。另外,由于面板的隔离区域宽度增大,也即是延长了面板边缘的封装距离,因此,增强了面板的封装效果。
对于前述的各方法实施例,为了简单描述,故将其都表述为一系列的动作组合,但是本领域技术人员应该知悉,本发明并不受所描述的动作顺序的限制,因为依据本发明,某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次,本领域技术人员也应该知悉,说明书中所描述的实施例均属于优选实施例,所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
最后,还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种可拉伸显示面板及其制备方法、显示装置,进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (15)
1.一种可拉伸显示面板,其特征在于,包括设置有显示器件的岛区、设置有走线的桥区,以及孔区,所述岛区和/或所述桥区的边缘设置有隔离区域,所述隔离区域包括斜坡层以及沿所述斜坡层的斜面设置的多个隔离柱。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述斜坡层包括柔性衬底以及设置在所述柔性衬底上的第一缓冲层,所述多个隔离柱设置在所述第一缓冲层上。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述柔性衬底的斜面坡度角大于0度,且小于或等于30度。
4.一种可拉伸显示面板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
提供柔性衬底;
在所述柔性衬底上形成第二缓冲层;
在所述第二缓冲层上形成孔区图案;
对所述柔性衬底露出所述孔区图案的部分进行半刻蚀;
执行至少一次预设工艺,直至在所述柔性衬底形成孔区,以及在用于设置显示器件的岛区的边缘和/或在用于设置走线的桥区的边缘形成衬底斜坡;
形成覆盖所述衬底斜坡的第一缓冲层,得到斜坡层;
沿所述斜坡层的斜面形成多个隔离柱;
其中,所述预设工艺包括:扩大所述第二缓冲层上的孔区图案;对所述柔性衬底露出扩大后的所述孔区图案的部分进行半刻蚀。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述在所述第二缓冲层上形成孔区图案,包括:
在所述第二缓冲层上形成图案化的光刻胶层;
对所述第二缓冲层露出所述图案化的光刻胶层的部分进行刻蚀,形成孔区图案。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述对所述柔性衬底露出所述孔区图案的部分进行半刻蚀之前或之后,还包括:
通过灰化工艺,将所述光刻胶层沿远离所述孔区图案的方向进行刻蚀,以露出部分所述第二缓冲层。
7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述对所述柔性衬底露出扩大后的所述孔区图案的部分进行半刻蚀之前或之后,还包括:
通过灰化工艺,将所述光刻胶层沿远离扩大后的所述孔区图案的方向进行刻蚀,以露出部分所述第二缓冲层。
8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述扩大所述第二缓冲层上的孔区图案,包括:
对所述第二缓冲层露出所述光刻胶层的部分进行刻蚀。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述对所述第二缓冲层露出所述光刻胶层的部分进行刻蚀,包括:
通过四氟甲烷气体对所述第二缓冲层露出所述光刻胶层的部分进行刻蚀。
10.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述对所述柔性衬底露出所述孔区图案的部分进行半刻蚀,包括:
通过氧气气体对所述柔性衬底露出所述孔区图案的部分进行半刻蚀。
11.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述对所述柔性衬底露出扩大后的所述孔区图案的部分进行半刻蚀,包括:
通过氧气气体对所述柔性衬底露出扩大后的所述孔区图案的部分进行半刻蚀。
12.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述对所述第二缓冲层露出所述图案化的光刻胶层的部分进行刻蚀,形成孔区图案,包括:
通过四氟甲烷气体对所述第二缓冲层露出所述图案化的光刻胶层的部分进行刻蚀,形成孔区图案。
13.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述斜坡层的斜面坡度角与所述预设工艺的执行次数呈正相关。
14.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述斜坡层的斜面坡度角与所述对所述柔性衬底露出扩大后的所述孔区图案的部分进行半刻蚀的刻蚀时长呈正相关。
15.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-3任一项所述的可拉伸显示面板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010467790.XA CN111584537B (zh) | 2020-05-28 | 2020-05-28 | 一种可拉伸显示面板及其制备方法、显示装置 |
US17/761,523 US20220367426A1 (en) | 2020-05-28 | 2021-05-18 | Stretchable display panel, preparation method therefor, and display apparatus |
PCT/CN2021/094412 WO2021238726A1 (zh) | 2020-05-28 | 2021-05-18 | 可拉伸显示面板及其制备方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010467790.XA CN111584537B (zh) | 2020-05-28 | 2020-05-28 | 一种可拉伸显示面板及其制备方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111584537A true CN111584537A (zh) | 2020-08-25 |
CN111584537B CN111584537B (zh) | 2023-10-27 |
Family
ID=72117911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010467790.XA Active CN111584537B (zh) | 2020-05-28 | 2020-05-28 | 一种可拉伸显示面板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220367426A1 (zh) |
CN (1) | CN111584537B (zh) |
WO (1) | WO2021238726A1 (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113345326A (zh) * | 2021-05-17 | 2021-09-03 | 武汉天马微电子有限公司 | 可拉伸显示面板及可拉伸显示装置 |
CN113593418A (zh) * | 2021-08-11 | 2021-11-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、移动终端 |
WO2021238726A1 (zh) * | 2020-05-28 | 2021-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 可拉伸显示面板及其制备方法、显示装置 |
US12034106B2 (en) | 2021-06-11 | 2024-07-09 | Au Optronics Corporation | Flexible display panel |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105074802A (zh) * | 2013-02-15 | 2015-11-18 | 乐金显示有限公司 | 具有柔性显示器的电子装置 |
US20190131377A1 (en) * | 2017-10-31 | 2019-05-02 | Lg Display Co., Ltd. | Display apparatus and method for manufacturing the same |
CN109920818A (zh) * | 2018-11-14 | 2019-06-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
CN109920803A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-06-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种可拉伸显示基板及显示装置 |
CN110970483A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-04-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示基板及其制造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102253531B1 (ko) * | 2014-07-25 | 2021-05-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102263602B1 (ko) * | 2015-02-04 | 2021-06-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 기판과 그 제조방법, 이를 구비한 가요성 표시 장치 |
KR20180045968A (ko) * | 2016-10-26 | 2018-05-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN109189265B (zh) * | 2018-08-28 | 2021-10-08 | 上海天马微电子有限公司 | 一种可拉伸面板和柔性显示装置 |
CN109860422B (zh) * | 2019-01-31 | 2021-06-04 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN109935730B (zh) * | 2019-03-28 | 2021-10-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN110190090A (zh) * | 2019-05-15 | 2019-08-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled封装结构及显示面板 |
CN110459583B (zh) * | 2019-08-28 | 2021-04-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 可拉伸显示面板及其制作方法 |
CN110504294B (zh) * | 2019-08-30 | 2021-10-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、可拉伸显示面板及其制造方法 |
CN111584537B (zh) * | 2020-05-28 | 2023-10-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种可拉伸显示面板及其制备方法、显示装置 |
-
2020
- 2020-05-28 CN CN202010467790.XA patent/CN111584537B/zh active Active
-
2021
- 2021-05-18 WO PCT/CN2021/094412 patent/WO2021238726A1/zh active Application Filing
- 2021-05-18 US US17/761,523 patent/US20220367426A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105074802A (zh) * | 2013-02-15 | 2015-11-18 | 乐金显示有限公司 | 具有柔性显示器的电子装置 |
US20190131377A1 (en) * | 2017-10-31 | 2019-05-02 | Lg Display Co., Ltd. | Display apparatus and method for manufacturing the same |
CN109920818A (zh) * | 2018-11-14 | 2019-06-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
CN109920803A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-06-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种可拉伸显示基板及显示装置 |
CN110970483A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-04-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示基板及其制造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021238726A1 (zh) * | 2020-05-28 | 2021-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 可拉伸显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN113345326A (zh) * | 2021-05-17 | 2021-09-03 | 武汉天马微电子有限公司 | 可拉伸显示面板及可拉伸显示装置 |
US12034106B2 (en) | 2021-06-11 | 2024-07-09 | Au Optronics Corporation | Flexible display panel |
CN113593418A (zh) * | 2021-08-11 | 2021-11-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、移动终端 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021238726A1 (zh) | 2021-12-02 |
CN111584537B (zh) | 2023-10-27 |
US20220367426A1 (en) | 2022-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111584537A (zh) | 一种可拉伸显示面板及其制备方法、显示装置 | |
CN102280452B (zh) | 薄膜晶体管基板、其制造方法及具有该基板的平板显示器 | |
JP2008283164A (ja) | フラッシュメモリ素子の製造方法 | |
US10204802B2 (en) | Method of forming via hole, array substrate and method of forming the same and display device | |
WO2015109738A1 (zh) | 显示面板母板及其制备方法 | |
CN102315158A (zh) | 形成半导体器件的接触孔的方法 | |
US10833135B2 (en) | Flexible organic light emitting diode display device and method of fabricating same | |
US10483129B2 (en) | Method for roughening the surface of a metal layer, thin film transistor, and method for fabricating the same | |
KR102155119B1 (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
WO2016074413A1 (zh) | 显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置 | |
CN110176474B (zh) | 显示面板及其制造方法、显示装置 | |
US20090061641A1 (en) | Method of forming a micro pattern of a semiconductor device | |
US9905592B2 (en) | Method for manufacturing TFT, array substrate and display device | |
CN105161504B (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
US10915211B2 (en) | Touch panel, method for fabricating the same, and display device | |
WO2016155429A1 (zh) | 显示基板及其制造方法、显示装置 | |
US10714512B2 (en) | Thin film transistor, method for fabricating the same, and display device | |
CN104795400B (zh) | 阵列基板制造方法、阵列基板和显示装置 | |
JP5064687B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
US20170200739A1 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof, and display device | |
CN105260052A (zh) | 盖板及其制作方法、显示装置及其制作方法 | |
CN107170710B (zh) | 阵列基板的制备方法 | |
CN107785307B (zh) | 具有台阶型的氮化钛图形的制造方法 | |
KR20060015949A (ko) | 금속 패턴 형성 방법 | |
US20080146031A1 (en) | Method for forming a semiconductor structure |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |