CN111519158A - 基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法 - Google Patents

基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111519158A
CN111519158A CN202010361030.0A CN202010361030A CN111519158A CN 111519158 A CN111519158 A CN 111519158A CN 202010361030 A CN202010361030 A CN 202010361030A CN 111519158 A CN111519158 A CN 111519158A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
mounting
support
supports
supporting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010361030.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111519158B (zh
Inventor
石井博
太田明
镰野直幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Tokki Corp
Original Assignee
Canon Tokki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Tokki Corp filed Critical Canon Tokki Corp
Publication of CN111519158A publication Critical patent/CN111519158A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111519158B publication Critical patent/CN111519158B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明提供基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法，抑制将基板载置于载置体时的每个基板的偏差。基板载置装置具备：包括支承基板的周缘的多个支承件的支承部件；以及将基板载置在载置体之上的载置部件，其特征在于，所述多个支承件的一部分的支承件间的距离与其它的支承件间的距离不同。或者，基板载置装置具备：包括支承基板的周缘的多个支承件的支承部件；使所述多个支承件中的至少一部分与其它的支承件独立地移动的支承件移动部件；以及将基板载置在载置体之上的载置部件。

Description

基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器 件的制造方法
本发明申请是申请日为2018年05月21日、申请号为201810485128.X、发明名称为“基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法。
背景技术
近年来，基板的大型化、薄型化得到发展，因基板的自重而导致的挠曲的影响增大。此外，在将成膜区域设置在基板中央部的关系上，能够支承-夹持基板的部位仅限于基板的外周部(周缘部)。
在以往技术中，使用具有支承基板的外周部(四边)的基板支承体，并用于将基板载置于载置体(例如掩模)的基板载置机构。在此，在基板的外周中的、一方的相向边部(例如长边部)夹持基板，在另一方的相向边部(例如短边部)不夹持而仅支承。
专利文献1：日本特开2009-277655号公报
如上所述，在支承基板的周边时，基板因自重而挠曲，基板的中央凹陷。此外，对于仅被支承的周边，基板也会产生挠曲。此时，基板的挠曲的状况(挠曲方式)根据每一个基板而不同。因而，在由多个支承件支承基板的外周的情况下，基板与多个支承件的接触状态也会根据每一个基板而不同。而且，在将基板载置在载置体(例如、掩模)之上时会产生偏移，但其偏移方式也会根据每一个基板而不同。
即，在将基板载置在载置体之上时，产生载置体上的基板的位置会根据每一个基板而不同这样的问题。这会导致对准所需的时间増大，导致制造时间(节拍时间)增加。
发明内容
考虑到上述那样的问题，本发明的目的在于，抑制将基板载置于载置体时的每个基板的偏差。
用于解決课题的技术方案
本发明的一技术方案的基板载置装置具备：
支承部件，包括支承基板的周缘的多个支承件；以及
载置部件，将所述基板载置在载置体之上，
其特征在于，
所述多个支承件使一部分的支承件间的距离与其它的支承件间的距离不同。
本发明的一技术方案的基板载置装置具备：
支承部件，包括支承基板的周缘的多个支承件；
支承件移动部件，使所述多个支承件中的至少一部分与其它的支承件独立地移动；以及
载置部件，将基板载置在载置体之上。
本发明的一技术方案的基板载置方法包括：
支承工序，利用多个支承件支承基板的周缘；以及
载置工序，将所述基板载置在载置体之上，
其特征在于，
使所述多个支承件的一部分的支承件间的距离与其它的支承件间的距离不同。
本发明的一技术方案的基板载置方法，
包括：
支承工序，由多个支承件支承基板的周缘；
支承件移动工序，使所述多个支承件中的至少一部分与其它的支承件独立地移动；以及
载置工序，将基板载置在载置体之上。
发明的效果
根据本发明，能够抑制将基板载置于载置体时的每个基板的偏差。由此，能够缩短对准所需的时间进而缩短制造时间整体。
附图说明
图1是示意性地表示电子器件的制造装置的结构的一部分的俯视图。
图2是示意性地表示成膜装置的结构的剖视图。
图3是表示基板保持单元的结构的图。
图4是说明实施例1的基板支承方法的图。
图5说明基板的载置方法(基板的接受～基板的支承)。
图6说明基板的载置方法(第1对准)。
图7说明基板的载置方法(第2对准)。
图8说明基板的载置方法(第2对准)。
图9说明基板的载置方法(冷却板下降～夹持释放)。
图10是说明实施例2的基板支承方法的图。
图11是说明实施例3的基板支承方法的图。
图12是说明实施例4的基板支承方法的图。
图13是说明变形例的基板支承方法的图。
图14是表示有机EL显示装置的整体图和有机EL电子器件的1像素的截面构造的图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的优选的实施方式以及实施例。但以下的实施方式以及实施例仅例示地表示本发明的优选的结构，本发明的范围不受这些结构的限定。此外，以下的说明中的、装置的硬件结构以及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等只要没有特别特定的记载，本发明的范围就不限定于它们。
本发明涉及在基板上形成薄膜的成膜装置及其控制方法，特别是涉及用于基板的高精度的搬送以及位置调整的技术。本发明能够优选应用于通过真空蒸镀在平行平板的基板的表面形成所希望的图案的薄膜(材料层)的装置。作为基板的材料，能够选择玻璃、树脂、金属等任意的材料，此外，作为蒸镀材料，也能够选择有机材料、无机材料(金属、金属氧化物等)等任意的材料。具体而言，本发明的技术能够应用于有机电子器件(例如，有机EL显示装置、薄膜太阳能电池)、光学构件等的制造装置。特别是由于基板的大型化或显示面板的高精细化，进一步要求提高基板的搬送精度以及基板与掩模的对准精度，因此，有机EL显示装置的制造装置是本发明优选的应用例之一。
[制造装置以及制造工艺]
图1是示意性地表示电子器件的制造装置的结构的一部分的俯视图。图1的制造装置例如用于制造智能手机用的有机EL显示装置的显示面板。在智能手机用的显示面板的情况下，在对例如约1800mm×约1500mm、厚度约0.5mm的尺寸的基板进行了有机EL的成膜后，冲切该基板而制作多个小尺寸的面板。
电子器件的制造装置如图1所示，一般具有多个成膜室111、112和搬送室110。在搬送室110内设有保持并搬送基板10的搬送机器人119。搬送机器人119例如是具有在多关节臂上安装有保持基板的机器人手的构造的机器人，进行基板10相对于各成膜室的搬入/搬出。
在各成膜室111、112分别设有成膜装置(也称蒸镀装置)。由成膜装置自动地进行与搬送机器人119的基板10的交接、基板10与掩模的相对位置的调整(对准)、基板10向掩模上的固定、成膜(蒸镀)等一连串的成膜工艺。各成膜室的成膜装置虽然在成膜对象是有机膜还是金属膜的不同、蒸镀源的不同、掩模的不同等细微的点上有不同的部分，但是基本的结构(特别是关于基板的搬送和对准的结构)大致相同。以下，对各成膜室的成膜装置的相同结构进行说明。
[成膜装置]
图2是示意性地表示成膜装置的结构的剖视图。在以下的说明中，使用以铅垂方向为Z方向的XYZ正交坐标系。在成膜时基板被固定成与水平面(XY平面)平行，以此时的基板的宽度方向(与短边平行的方向)为X方向，以长度方向(与长边平行的方向)为Y方向。此外以θ表示绕Z轴的旋转角。
成膜装置具有真空腔200。真空腔200的内部被维持在真空气氛或氮气等非活性气体气氛。在真空腔200的内部，大致设有基板保持单元210、掩模220、掩模台221、冷却板230和蒸镀源240。基板保持单元210是保持-搬送从搬送机器人119接受的基板10的部件，也被称为基板支架。掩模220是具有开口图案的金属掩模，被固定在框状的掩模台221之上，该开口图案与形成在基板10上的薄膜图案相对应。成膜时基板10被载置在掩模220之上。因而，掩模220也承担作为载置基板10的载置体的作用。冷却板230是通过成膜时与基板10(的与掩模220相反侧的面)贴紧进而抑制基板10的温度上升来抑制有机材料的变质、劣化的构件。冷却板230也可以兼做磁铁板。所谓磁铁板，是通过利用磁力吸附掩模220从而提高成膜时的基板10与掩模220的贴紧性的构件。蒸镀源240由蒸镀材料、加热器、遮光器、蒸发源的驱动机构、蒸发率监视器等构成(均未图示)。
在真空腔200之上(外侧)设有基板Z致动器250、夹具Z致动器251、冷却板Z致动器252、X致动器(未图示)、Y致动器(未图示)、θ致动器(未图示)。这些致动器例如由马达和滚珠丝杠、马达和线性引导件等构成。基板Z致动器250是用于使基板保持单元210的整体升降(Z方向移动)的驱动部件(基板升降部件)。夹具Z致动器251是用于使基板保持单元210的夹持机构(后述)开闭的驱动部件。冷却板Z致动器252是用于使冷却板230升降的驱动部件。X致动器、Y致动器、θ致动器(以下统一称为“XYθ致动器”)是用于基板10的对准的驱动部件。XYθ致动器使基板保持单元210以及冷却板230的整体进行X方向移动、Y方向移动、θ旋转。另外，在本实施方式中，在固定了掩模220的状态下对基板10的X、Y、θ进行调整，但是也可以通过调整掩模220的位置或调整基板10与掩模220这两者的位置，进行基板10与掩模220的对准。
在真空腔200之上(外侧)，为了基板10以及掩模220的对准而设有测量基板10以及掩模220各自的位置的照相机260、261。照相机260、261通过设于真空腔200的窗口对基板10与掩模220进行拍摄。通过根据其图像来识别基板10上的对准标记以及掩模220上的对准标记，从而能够测量各自的XY位置、XY面内的相对偏移。为了在短时间内实现高精度的对准，优选实施粗略地进行位置对合的第1对准(也称为“粗糙对准”)和高精度地进行位置对合的第2对准(也称为“精细对准”)这两个阶段的对准。在该情况下，以使用低分辨率但广视场的第1对准用的照相机260和窄视场但高分辨率的第2对准用的照相机261这两种照相机为佳。在本实施方式中，分别对于基板10以及掩模220，利用2台第1对准用的照相机260测量附设于相向一对边的两个部位的对准标记，并利用4台第2对准用的照相机261测量附设于基板10以及掩模220的4个角的对准标记。
成膜装置具有控制部270。控制部270除了具有控制基板Z致动器250、夹具Z致动器251、冷却板Z致动器252、XYθ致动器以及照相机260、261的功能之外，还具有控制基板10的搬送以及对准、控制蒸镀源、控制成膜等功能。控制部270能够由具有例如处理器、存储器、储存装置、I/O等的计算机构成。在该情况下，控制部270的功能通过由处理器执行存储于存储器或储存装置的程序得以实现。作为计算机，既可以使用通用的个人计算机，也可以使用嵌入式的计算机或PLC(programmable logic controller)。或者也可以由ASIC、FPGA那样的电路构成控制部270的功能的一部分或全部。另外，既可以针对每一个成膜装置设有一个控制部270，也可以由一个控制部270控制多个成膜装置。
另外，关于基板10的保持-搬送以及对准的构成部分(基板保持单元210、基板Z致动器250、夹具Z致动器251、XYθ致动器、照相机260、261、控制部270等)也被称为“基板载置装置”、“基板夹持装置”、“基板搬送装置”等。
[基板保持单元]
参照图3说明基板保持单元210的结构。图3是基板保持单元210的立体图。
基板保持单元210是通过由夹持机构夹持基板10的周缘部来保持-搬送基板10的部件。具体而言，基板保持单元210具有：支承框体301，设有分别从下方支承基板10的四个边的多个支承件300；夹具构件303，设有在与各支承件300之间夹入基板10的多个按压件302；以及支承件移动机构304，用于使短边部的支承件300移动。由一对支承件300和按压件302构成一个夹持机构。在图3的例子中，沿着基板10的短边配置有3个支承件300，沿着长边配置有6个夹持机构(支承件300和按压件302的组对)，成为夹持长边2边的结构。但是，夹持机构的结构不限于图3的例子，也可以与成为处理对象的基板的尺寸、形状或成膜条件等相对应地适当变更夹持机构的数量和配置。另外，支承件300也被称为“承受爪”或“钩爪”，按压件302也被称为“夹具”。
支承件移动机构304是用于使短边部的支承件300在上下方向(Z方向)和沿着短边的方向(X方向)上移动的机构。由支承件移动机构304使一部分的支承件与其它的支承件能够独立地移动。另外，对附图近前侧的短边的支承件也设置支承件移动机构304，但是为了附图容易观察，省略图示。此外，在图3中，仅对短边部的中央的支承件300设有支承件移动机构304，但是也可以对中央以外的支承件300设有支承件移动机构304。
基板10从搬送机器人119向基板保持单元210的交接例如如下那样地进行。首先，利用夹具Z致动器251使夹具构件303上升，并使按压件302自支承件300分离，从而使夹持机构成为释放状态。在由搬送机器人119将基板10导入支承件300与按压件302之间之后，由支承件300支承基板10。在该状态下，通过利用基板Z致动器250驱动基板保持单元210，从而能够使基板10升降(Z方向移动)。另外，由于夹具Z致动器251与基板保持单元210一起上升/下降，所以即使基板保持单元210升降，夹持机构的状态也不会产生变化。
另外，图3的附图标记101表示附设于基板10的4个角的第2对准用的对准标记，附图标记102表示附设于基板10的短边中央的第1对准用的对准标记。
[实施例1]
图4(a)～4(d)是说明基板保持单元210从搬送机器人接受基板10并将其载置在掩模(载置体)220之上时的、支承件300对基板10进行支承的支承方法的图。
图4(a)是从下侧观察基板保持单元210和基板10的图。如图所示那样，基板保持单元210的支承件支承基板10的周缘部103(能够支承的区域)。如上所述，一方面，基板10的长边由支承件300和按压件302夹持，另一方面，基板10的短边仅由支承件300支承。在此，短边侧的一部分的支承件(在图中为支承件403)以外的支承件位于相同的高度。以下将该高度简称为基准高度。
图4(b)～图4(d)是基板10的中央部(图4(c))和短边部(图4(b)、(d))的剖视图。在基板10的中央部，如图4(c)所示，中央因自重而向下挠曲。另一方面，在基板10的短边部，如图4(b)、(d)所示，中央的支承件403在比基准高度靠下方的位置避让。因而，在支承件402与404之间，基板10因自重而向下挠曲。基板10在短边部的其它的支承件之间的挠曲比支承件402与404之间的挠曲小。
如此，在本实施例中，在短边部，利用基板10的自重主动地使基板10挠曲。由此，即使每一个基板10有不同的挠曲习惯，也能够使基板保持单元210保持基板10时的、基板10的挠曲的状况(挠曲方式)为一定。
另外，在图中，中央的支承件403未支承基板10，但是支承件403也可以支承基板10。
以下，参照图5～图9，说明基板保持单元210从搬送机器人接受基板10并将其载置到掩模(载置体)220之上为止的一连串的处理。
图5(a)表示将被保持于搬送机器人119的机器人手501的基板10向基板保持单元210交接时的状态。另外，被保持于机器人手501的基板10因自重而中央向下挠曲。因此，为了在维持基板10的该形状的状态下基板保持单元210接受基板10，短边侧中央的支承件403向下方避让直到与基板10不接触的位置为止。如此，通过在维持挠曲的状态下在机器人手501与基板保持单元210之间进行基板10的交接，能够缓和交接时(接受时)的基板的偏移。
图5(b)表示基板10的交接完成，机器人手501抽出后的状态。
交接完成后，短边侧中央的支承件403被支承件移动机构304移动到与基板10接触为止。图5(c)是表示移动后的状态的图。移动后的支承件403的高度既可以预先确定，也可以利用传感器测量而決定。基板10通过由支承件403举起中央部，缓和向下方的挠曲，并由所有的支承件401～405支承。
接着，如图6(a)所示，在基板10的长边部被夹持的基础上，使基板10下降到与掩模220不接触的位置。基板10的长边部的夹持通过使夹具构件303下降并以规定的按压力将按压件302压靠于支承件300而进行。基板10的下降通过由基板Z致动器250驱动基板保持单元210而进行。另外，也可以通过在基板保持单元210的高度固定的状态下利用载置体升降部件使掩模台221升降而将基板10载置于掩模220。
另外，在此，在夹持基板10的长边部的状态下使基板10下降，但是也可以不夹持基板10地使其下降。
图6(b)是表示第1对准的图。第1对准是进行粗略的位置对合的对准处理，也被称为“粗糙对准”。在第1对准中，由照相机260识别设于基板10的基板对准标记102与设于掩模220的掩模对准标记(未图示)，测量各自的XY位置和XY面内的相对的偏移，进行位置对合。第1对准用的照相机260为了能够进行粗略的位置对合，是低分辨率但广视场的照相机。在位置对合时，既可以调整基板10(基板保持单元210)的位置，也可以调整掩模220的位置，还可以调整基板10与掩模220这两者的位置。
第1对准处理完成之后，如图6(c)所示，使基板10进一步下降，将基板10载置在掩模220上。在此，所谓将基板10载置在掩模220上的状态，意味着基板10与掩模220接触着的状态。即，所谓将基板10载置在掩模220上的状态，也包括基板10与掩模220开始接触的时刻、基板10与掩模220的接触面积比接触开始时刻增加的时刻、和基板10完全被载置在掩模220的时刻中的任一时刻的状态。
短边部中央的支承件403位于比其它的支承件低的高度(比基准高度低的高度)，但是在将基板10载置于掩模220时，如图7(a)所示，利用支承件移动机构304使其移动到与其它的支承件相同的高度(基准高度)。由此，能够减轻将基板10载置于掩模220时的形变。支承件403的移动既可以在基板10与掩模220接触前进行，也可以在基板10与掩模220接触后进行。
图7(b)～图8(c)是说明第2对准的图。第2对准是进行高精度的位置对合的对准处理，也被称为“精细对准”。首先，如图7(b)所示，由照相机261识别设于基板10的基板对准标记101与设于掩模220的掩模对准标记(未图示)，测量各自的XY位置和XY面内的相对偏移。照相机261为了能够进行高精度的位置对合，是窄视场但高分辨率的照相机。在测量到的偏移超过阈值的情况下，进行位置对合的处理。以下，对测量到的偏移超过阈值的情况进行说明。
在测量到的偏移超过阈值的情况下，如图7(c)所示，驱动基板Z致动器250，使基板10上升而自掩模220离开。此时，既可以维持支承件403的高度不变、即设为与其它的支承件相同的高度，也可以由支承件移动机构304调整支承件移动机构304的高度。
在图8(a)中，基于由照相机261测量到的偏移，驱动XYθ致动器，进行位置对合。在位置对合时，既可以调整基板10(基板保持单元210)的位置，也可以调整掩模220的位置，还可以调整基板10与掩模220这两者的位置。
之后，如图8(b)所示，使基板10再次下降，将基板10载置在掩模220上。而且，如图8(c)所示，由照相机261进行基板10和掩模220的对准标记的拍摄，并测量偏移。在测量到的偏移超过阈值的情况下，重复上述的位置对合处理。
在偏移成为阈值以内的情况下，如图9(a)所示，驱动冷却板Z致动器，使冷却板230下降而与基板10贴紧。在本实施方式中，冷却板130兼做磁铁板，通过由磁力吸附掩模220，由此提高基板10与掩模220的贴紧性。
在冷却板(磁铁板)的下降完成之后，如图9(b)所示，使夹具构件303上升，解除(松开)基板10的长边部的夹持。之后，如图9(c)所示，使基板保持单元210下降。
通过以上的工序，基板10向掩模220上的载置处理完成，进行基于成膜装置的成膜处理(蒸镀处理)。
根据本实施方式，在由基板保持单元210保持基板10时，通过使短边侧的支承件的一部分位于比其它的支承件低的位置，使基板10因自重而向下挠曲。由此，能够不取决于基板10的挠曲习惯的不同地使基板10的挠曲方式相同。因而，能够抑制在将基板10载置于掩模220时载置位置根据每一个基板而产生偏差。由此，能够高精度且短时间完成对准。而且，能够高精度且短时间完成向基板的成膜处理。
在本实施例中，说明了仅对位于短边部的中央的1个支承件403调整高度，但是也可以调整位于短边部的中央的多个支承件的高度。此时，所述多个支承件的高度没必要相同，也可以不同。
[实施例2]
在本实施例中，对基板10施加与实施例1不同的挠曲方式。图10(a)～10(d)是说明基板保持单元210从搬送机器人接受基板10并将其载置在掩模(载置体)220之上时的、支承件300对基板10进行支承的支承方法的图。
如图10(b)、(d)所示，在本实施例中，在基板10的短边部，端部的支承件401、405在比基准高度靠下方的位置避让。因而，基板10的端部侧不被支承，在比支承件402和404靠端部的位置，与其它的部位相比挠曲大。此外，基板10的端部因自重而向下方挠曲，基板10作为整体成为向上凸起的挠曲方式。
基板10的挠曲方式与实施例1不同，但是在本实施例中，能够对基板10赋予相同的挠曲，消除每个基板的挠曲方式的不同。即，能够发挥与实施例1相同的效果。
另外，在图10中，支承件401、405与基板10不接触，但是例如也可以在接受基板10后使支承件401、405上升而与基板10接触。
[实施例3]
本实施例中，对基板10赋予与实施例2相同的挠曲方式，但其方法不同。图11(a)～11(d)是说明基板保持单元210从搬送机器人接受基板10并将其载置在掩模(载置体)220之上时的、由支承件300对基板10进行支承的支承方法的图。
如图11(b)、(d)所示，在本实施例中，在基板10的短边部，中央的支承件403移动到比其它的支承件的高度(基准高度)靠上方的位置。因而，基板10的端部中央被机械性地举起，成为向上凸起的挠曲方式。
在本实施例中，也能够对基板10赋予相同的挠曲，消除每个基板的挠曲方式的不同。即，能够发挥与实施例1相同的效果。
[实施例4]
在本实施例中，对基板10赋予与实施例2、3相同的不同的挠曲方式，但其方法不同。图12(a)～12(d)是说明基板保持单元210从搬送机器人接受基板10并将其载置在掩模(载置体)220之上时的、支承件300对基板10进行支承的支承方法的图。
如图12(b)、(d)所示，在本实施例中，在基板10的短边部，使支承件在横向(X方向)上移动并使支承件集中于短边的中央附近。因而，基板10的端部侧的支承变弱，基板10的端部因自重而向下方挠曲，基板10作为整体成为向上凸起的挠曲方式。
在本实施例中，支承件移动机构304需要构成为使支承件能够在横向(X方向)上移动。本实施例中的支承件移动机构304既可以能够仅在横向上使支承件移动，也可以能够在横向和上下方向(Z方向)这两个方向上使支承件移动。
在本实施例中，能够对基板10赋予相同的挠曲，消除每个基板的挠曲方式的不同。即，能够发挥与实施例1相同的效果。
[其它的实施例]
支承件的配置只要是能够对基板10赋予相同的挠曲方式那样的配置就没有特别限定。例如，也可以通过使一部分的支承件间的距离(三维距离)与其它的支承件间的距离不同，对基板10赋予相同的挠曲方式。能够采用的支承件的配置也能够确定为“基板10在一部分的支承件间的挠曲比在其它的支承件间的挠曲大那样的配置”。或者，能够采用的支承件的配置也能够确定为“支承件间的间隔为非等间隔的配置”。此外，能够采用的支承件的配置也能够确定为“将均等地配置了多个支承件的情况下的假想的位置作为基准位置时，至少1个支承件位于与所述基准位置不同的位置那样的配置”。
作为这样的支承件的配置，除了上述说明的例子以外，也能够采用如图13(a)、(b)所示那样的配置。图13(a)、(b)均为多个支承件位于相同的高度，但它们是在中央处的支承件间距离比在端部处的支承件间距离大的配置例。图13(a)与图13(b)的不同点是在中央处的支承件间距离不同这一点，但是能够根据该距离改变基板10的挠曲方式。
[变形例]
在上述的实施例的说明中，支承件的移动也可以省略。因而，基板保持单元210也可以不具备支承件移动机构304。例如，作为实施例1的变形例，中央的支承件403也可以被固定在比其它的支承件低的位置。只要支承件的间隔不同，就能够使保持基板10时的挠曲方式相同，能够抑制将基板10载置于掩模220时的载置位置的偏差。
在上述的实施例的说明中，在相向的短边的两方调整支承件的间隔，但是也可以仅在一边调整支承件的间隔。此外，在上述的实施例中，说明了夹持长边仅支承短边的例子，但是也可以相反地夹持短边仅支承长边。在该情况下，只要在仅进行支承的至少一边调整支承件的间隔即可。此外，也可以在进行夹持的边也调整支承件的间隔。
在上述的实施例的说明中，夹持基板10的长边的时机也可以适当变更。例如将基板10向掩模体的载置也可以在解除了基板10的夹持的状态下进行。或者，也可以在将基板10向掩模体载置的状态下，进行基板10的夹持修正(夹持的解除和再夹持)。
此外，执行了第1对准(粗糙对准)和第2对准(精细对准)这两阶段的对准，但是也可以省略第1对准而仅进行第2对准。此外，也可以在基于冷却板的贴紧后(例如、图9(c))再次执行对准处理。
[电子器件的制造方法的实施例]
接着，说明使用本实施方式的成膜装置的电子器件的制造方法的一例。以下，作为电子器件的例子，例示有机EL显示装置的结构以及制造方法。
首先，说明要制造的有机EL显示装置。图14(a)表示有机EL显示装置60的整体图，图14(b)表示1像素的截面构造。
如图14(a)所示，在有机EL显示装置60的显示区域61，呈矩阵状地配置有多个具备多个发光元件的像素62。后面详细说明，发光元件分别具有具备被一对电极夹着的有机层的构造。另外，在此所说的像素，是指在显示区域61中能够显示所希望的颜色的最小单位。在本实施例的有机EL显示装置的情况下，通过显示互不相同的发光的第1发光元件62R、第2发光元件62G、第3发光元件62B的组合而构成像素62。像素62大多通过红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件的组合而构成，但是也可以通过黄色发光元件、青色发光元件和白色发光元件的组合而构成，只要是至少1种颜色以上就没有特别制限。
图14(b)是图4(a)的A－B线处的局部截面示意图。像素62在基板63上具有有机EL元件，该有机EL元件具备第1电极(阳极)64、正孔输送层65、发光层66R、66G、66B中的任一方、电子输送层67、第2电极(阴极)68。它们当中的正孔输送层65、发光层66R、66G、66B、电子输送层67相当于有机层。此外，在本实施方式中，发光层66R是发出红色光的有机EL层，发光层66G是发出绿色光的有机EL层，发光层66B是发出蓝色光的有机EL层。发光层66R、66G、66B分别形成为与发出红色光、绿色光、蓝色光的发光元件(也有时记载为有机EL元件)相对应的图案。此外，第1电极64针对每一个发光元件分离地形成。正孔输送层65、电子输送层67和第2电极68既可以以与多个发光元件62共同的方式形成，也可以针对每一个发光元件而形成。另外，为了防止第1电极64和第2电极68因异物而短路，在第1电极64间设有绝缘层69。而且，由于有机EL层因水分和氧而劣化，所以设有用于保护有机EL元件免受水分和氧影响的保护层70。
为了将有机EL层形成为发光元件单位，使用借助掩模而成膜的方法。近年来，显示装置的高精细化得到发展，在有机EL层的形成中使用开口的宽度为几十μm的掩模。在使用这样的掩模成膜的情况下，若掩模在成膜中从蒸发源接受热量而热变形，则掩模与基板的位置会产生偏离，形成在基板上的薄膜的图案会偏离所希望的位置地形成。因此，在所述有机EL层的成膜中适宜使用本发明的成膜装置(真空蒸镀装置)。
接着，具体地说明有机EL显示装置的制造方法的例子。
首先，准备用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)以及形成有第1电极64的基板63。
在形成有第1电极64的基板63之上通过旋转涂覆形成丙烯酸树脂，利用光刻法，以在形成有第1电极64的部分形成开口的方式将丙烯酸树脂形成图案并形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将图案形成有绝缘层69的基板63搬入第1成膜装置，由基板保持单元保持基板，将正孔输送层65作为在显示区域的第1电极64之上共同的层而成膜。正孔输送层65通过真空蒸镀而成膜。实际上由于正孔输送层65被形成为比显示区域61大的尺寸，所以不需要高精细的掩模。
接着，将形成有正孔输送层65为止的基板63搬入第2成膜装置，由基板保持单元保持。进行基板与掩模的对准，将基板载置在掩模之上，在基板63的配置发出红色光的元件的部分，成膜发出红色光的发光层66R。根据本例，能够使掩模与基板良好地重合，能够进行高精度的成膜。
与发光层66R的成膜同样地，利用第3成膜装置成膜发出绿色光的发光层66G，而且利用第4成膜装置成膜发出蓝色光的发光层66B。发光层66R、66G、66B的成膜完成之后，利用第5成膜装置在显示区域61的整体成膜电子输送层67。电子输送层67对3色的发光层66R、66G、66B形成为共同的层。
将形成有电子输送层67为止的基板移动到溅镀装置，成膜第2电极68，之后移动到等离子体CVD装置而成膜保护层70，完成有机EL显示装置60。
从将图案形成有绝缘层69的基板63搬入成膜装置到保护层70的成膜完成为止，若暴露于含有水分和氧的气氛中，则由有机EL材料构成的发光层有可能因水分和氧而劣化。因而，本例中，基板在成膜装置间的搬入搬出在真空气氛或非活性气体气氛下进行。
这样获得的有机EL显示装置针对每一个发光元件精度高地形成发光层。因而，只要使用上述制造方法，就能够抑制因发光层的位置偏离而引起的有机EL显示装置的不良的产生。
另外，上述的支承件间隔控制和夹持力控制能够应用于第1对准之前、第1对准与第2对准之间、第2对准之后的任一情况下。
附图标记的说明
210 基板保持单元
250 基板Z致动器
300、401～405 支承件
304 支承件移动机构

Claims (40)

1.一种基板载置装置，具备：
支承部件，包括支承基板的周缘的多个支承件；以及
载置部件，将所述基板载置在载置体之上，
其特征在于，
所述多个支承件使一部分的支承件间的距离与其它的支承件间的距离不同。
2.根据权利要求1所述的基板载置装置，其特征在于，
所述多个支承件被配置成，在支承所述基板的周缘时，所述基板在所述一部分的支承件间的挠曲比所述基板在其它的支承件间的挠曲大。
3.根据权利要求1所述的基板载置装置，其特征在于，
在所述多个支承件的支承所述基板的同一个边的支承件之间，一部分的支承件间的距离与其它的支承件间的距离不同。
4.根据权利要求1所述的基板载置装置，其特征在于，
所述多个支承件的、在所述基板的至少一边的中央的至少1个支承件被配置在比其它的支承件靠下方的位置。
5.一种基板载置装置，其特征在于，
具备：
支承部件，包括支承基板的周缘的多个支承件；
支承件移动部件，使所述多个支承件中的至少一部分与其它的支承件独立地移动；以及
载置部件，将基板载置在载置体之上。
6.根据权利要求5所述的基板载置装置，其特征在于，
所述支承件移动部件使所述至少一部分的支承件移动，以使一部分的支承件间的距离与其它的支承件间的距离不同。
7.根据权利要求5所述的基板载置装置，其特征在于，
所述支承件移动部件在利用支承件支承所述基板的周缘时，使所述至少一部分的支承件移动，以使所述基板在一部分的支承件间的挠曲比所述基板在其它的支承件间的挠曲大。
8.根据权利要求5所述的基板载置装置，其特征在于，
所述支承件移动部件使所述至少一部分的支承件移动，以使在支承所述基板的同一个边的支承件之间，一部分的支承件间的距离与其它的支承件间的距离不同。
9.根据权利要求5所述的基板载置装置，其特征在于，
所述支承件移动部件在从搬送机器人接受所述基板时，使所述基板的至少一边的中央的至少1个支承件移动，以使所述中央的至少1个支承件与所述基板不接触。
10.根据权利要求9所述的基板载置装置，其特征在于，
所述支承件移动部件在从搬送机器人接受所述基板之后，使所述中央的至少1个支承件移动而与所述基板接触。
11.根据权利要求9所述的基板载置装置，其特征在于，
所述支承件移动部件在将所述基板载置于所述载置体的状态下，使所述中央的至少1个支承件移动到与其它的支承件相同的高度。
12.根据权利要求1所述的基板载置装置，其特征在于，
所述载置部件包括使所述基板升降的基板升降部件。
13.根据权利要求1所述的基板载置装置，其特征在于，
所述载置部件包括使所述载置体升降的载置体升降部件。
14.根据权利要求1所述的基板载置装置，其特征在于，
还具备调整所述基板与所述载置体的相对位置的位置调整部件。
15.根据权利要求1所述的基板载置装置，其特征在于，
所述载置体是为了在所述基板上进行规定图案的成膜而使用的掩模。
16.一种成膜装置，其特征在于，
具备：
权利要求1～15中任一项所述的基板载置装置；以及
对所述基板进行成膜的成膜部件。
17.一种基板载置方法，包括：
支承工序，利用多个支承件支承基板的周缘；以及
载置工序，将所述基板载置在载置体之上，
其特征在于，
使所述多个支承件的一部分的支承件间的距离与其它的支承件间的距离不同。
18.根据权利要求17所述的基板载置方法，其特征在于，
所述多个支承件被配置成，在支承所述基板的周缘时，所述基板在所述一部分的支承件间的挠曲比所述基板在其它的支承件间的挠曲大。
19.根据权利要求17所述的基板载置方法，其特征在于，
在所述多个支承件的支承所述基板的同一个边的支承件之间，一部分的支承件间的距离与其它的支承件间的距离不同。
20.根据权利要求17所述的基板载置方法，其特征在于，
所述多个支承件的、在所述基板的相向的2边的中央的至少1个支承件被配置在比其它的支承件靠下方的位置。
21.一种基板载置方法，其特征在于，
包括：
支承工序，由多个支承件支承基板的周缘；
支承件移动工序，使所述多个支承件中的至少一部分与其它的支承件独立地移动；以及
载置工序，将基板载置在载置体之上。
22.根据权利要求21所述的基板载置方法，其特征在于，
在所述支承件移动工序中，使所述至少一部分的支承件移动，以使一部分的支承件间的距离与其它的支承件间的距离不同。
23.根据权利要求21所述的基板载置方法，其特征在于，
在所述支承件移动工序中，在利用支承件支承所述基板的周缘时，使所述至少一部分的支承件移动，以使所述基板在一部分的支承件间的挠曲比所述基板在其它的支承件间的挠曲大。
24.根据权利要求21所述的基板载置方法，其特征在于，
在所述支承件移动工序中，使所述至少一部分的支承件移动，以在支承所述基板的同一个边的支承件之间，一部分的支承件间的距离与其它的支承件间的距离不同。
25.根据权利要求21所述的基板载置方法，其特征在于，
所述支承件移动工序在所述载置工序之前、所述载置工序之后、或者在所述载置工序之前和之后进行。
26.根据权利要求21所述的基板载置方法，其特征在于，
所述支承件移动工序包括：
第一工序，使所述至少一部分的支承件移动到与所述基板不接触的位置；以及
第二工序，使所述至少一部分的支承件移动到与所述基板接触的位置。
27.根据权利要求21所述的基板载置方法，其特征在于，
所述支承件移动工序包括在从搬送机器人接受所述基板时，使所述基板的至少一边的中央的至少1个支承件移动，以使所述中央的至少1个支承件与所述基板不接触的工序。
28.根据权利要求27所述的基板载置方法，其特征在于，
所述支承件移动工序包括在从搬送机器人接受所述基板之后，使所述中央的至少1个支承件移动而与所述基板接触的工序。
29.根据权利要求27所述的基板载置方法，其特征在于，
所述支承件移动工序包括在将所述基板载置于所述载置体的状态下，使所述中央的至少1个支承件移动到与其它的支承件相同的高度的工序。
30.根据权利要求17所述的基板载置方法，其特征在于，
在所述载置工序中，使所述基板升降。
31.根据权利要求17所述的基板载置方法，其特征在于，
在所述载置工序中，使所述载置体升降。
32.根据权利要求17所述的基板载置方法，其特征在于，
在所述载置工序之前，还包括调整与所述载置体的表面平行的方向上的、所述基板与所述载置体的相对位置的第1位置调整工序。
33.根据权利要求17所述的基板载置方法，其特征在于，
在所述载置工序之后，还包括调整与所述载置体的表面平行的方向上的、所述基板与所述载置体的相对位置的第2位置调整工序。
34.根据权利要求33所述的基板载置方法，其特征在于，
所述第2位置调整工序包括以下的工序：
在所述基板被载置于所述载置体的状态下，测量所述基板与所述载置体的相对的偏移；
使所述基板从所述载置体分离；以及
基于测量到的所述相对的偏移，调整与所述载置体的表面平行的方向上的、所述基板与所述载置体的相对位置。
35.根据权利要求17所述的基板载置方法，其特征在于，
所述载置体是为了在所述基板上进行规定图案的成膜而使用的掩模。
36.一种成膜方法，在基板上进行规定图案的成膜，其特征在于，
包括：
通过权利要求17～35中任一项所述的基板载置方法，将所述基板载置在所述载置体之上的工序；以及
对所述基板成膜的成膜工序。
37.一种电子器件的制造方法，该电子器件具有被形成在基板上的有机膜，其特征在于，
通过权利要求36所述的成膜方法，形成所述有机膜。
38.一种电子器件的制造方法，该电子器件具有被形成在基板上的金属膜，其特征在于，
通过权利要求36所述的成膜方法，形成所述金属膜。
39.根据权利要求37所述的电子器件的制造方法，其特征在于，
所述电子器件是有机EL显示装置的显示面板。
40.根据权利要求38所述的电子器件的制造方法，其特征在于，
所述电子器件是有机EL显示装置的显示面板。
CN202010361030.0A 2017-05-22 2018-05-21 基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法 Active CN111519158B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017101234A JP6461235B2 (ja) 2017-05-22 2017-05-22 基板載置装置、成膜装置、基板載置方法、成膜方法、および電子デバイスの製造方法
JP2017-101234 2017-05-22
CN201810485128.XA CN108517505B (zh) 2017-05-22 2018-05-21 基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810485128.XA Division CN108517505B (zh) 2017-05-22 2018-05-21 基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111519158A true CN111519158A (zh) 2020-08-11
CN111519158B CN111519158B (zh) 2023-03-28

Family

ID=63427333

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010369462.6A Pending CN111485216A (zh) 2017-05-22 2018-05-21 基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法
CN201810485128.XA Active CN108517505B (zh) 2017-05-22 2018-05-21 基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法
CN202010361030.0A Active CN111519158B (zh) 2017-05-22 2018-05-21 基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010369462.6A Pending CN111485216A (zh) 2017-05-22 2018-05-21 基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法
CN201810485128.XA Active CN108517505B (zh) 2017-05-22 2018-05-21 基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6461235B2 (zh)
KR (3) KR101975123B1 (zh)
CN (3) CN111485216A (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102411995B1 (ko) * 2018-09-21 2022-06-21 캐논 톡키 가부시키가이샤 정전척 시스템, 성막장치, 흡착 및 분리방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법
JP7269000B2 (ja) * 2018-12-26 2023-05-08 キヤノントッキ株式会社 基板載置方法、成膜方法、成膜装置、および有機ｅｌパネルの製造システム
KR102133900B1 (ko) * 2018-12-27 2020-07-15 캐논 톡키 가부시키가이샤 얼라인먼트 시스템, 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스 제조방법
CN113490762A (zh) 2019-03-15 2021-10-08 应用材料公司 沉积掩模、及制造和使用沉积掩模的方法
JP7290988B2 (ja) * 2019-04-26 2023-06-14 キヤノントッキ株式会社 アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法および電子デバイスの製造方法
US11189516B2 (en) 2019-05-24 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Method for mask and substrate alignment
US11538706B2 (en) 2019-05-24 2022-12-27 Applied Materials, Inc. System and method for aligning a mask with a substrate
WO2020251696A1 (en) 2019-06-10 2020-12-17 Applied Materials, Inc. Processing system for forming layers
US10916464B1 (en) 2019-07-26 2021-02-09 Applied Materials, Inc. Method of pre aligning carrier, wafer and carrier-wafer combination for throughput efficiency
JP7244411B2 (ja) * 2019-12-25 2023-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7113861B2 (ja) * 2020-03-13 2022-08-05 キヤノントッキ株式会社 マスク取付装置、成膜装置、マスク取付方法、成膜方法、電子デバイスの製造方法
JP7499074B2 (ja) 2020-06-05 2024-06-13 リンテック株式会社 搬送装置
JP7106608B2 (ja) * 2020-08-26 2022-07-26 キヤノントッキ株式会社 マーク検出装置、アライメント装置、成膜装置、マーク検出方法、および、成膜方法
JP2024035289A (ja) * 2022-09-02 2024-03-14 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、成膜装置の駆動方法、及び成膜方法
JP2024066078A (ja) * 2022-11-01 2024-05-15 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、成膜装置の駆動方法、及び成膜方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006344675A (ja) * 2005-06-07 2006-12-21 Dainippon Printing Co Ltd 基板の位置決め方法及び装置
CN101136353A (zh) * 2006-08-31 2008-03-05 东京毅力科创株式会社 基板载置机构以及基板交接方法
WO2008139876A1 (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Ulvac, Inc. 位置合わせ装置、成膜装置
JP2011100917A (ja) * 2009-11-09 2011-05-19 Nikon Corp 基板受け渡し装置、露光装置、デバイス製造方法、及び基板受け渡し方法
CN103247564A (zh) * 2012-02-06 2013-08-14 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4084393B2 (ja) * 2000-01-31 2008-04-30 芝浦メカトロニクス株式会社 部品実装装置および部品実装方法
CN1723741B (zh) * 2002-12-12 2012-09-05 株式会社半导体能源研究所 发光装置、制造装置、成膜方法及清洁方法
JP2006321575A (ja) * 2005-05-17 2006-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd ディスプレイパネルの製造装置および製造方法
KR20070046375A (ko) * 2005-10-31 2007-05-03 주성엔지니어링(주) 기판과 마스크 정렬 장치 및 정렬 방법
JP4773834B2 (ja) * 2006-02-03 2011-09-14 キヤノン株式会社 マスク成膜方法およびマスク成膜装置
KR101517020B1 (ko) 2008-05-15 2015-05-04 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치의 제조장치 및 제조방법
WO2010106958A1 (ja) * 2009-03-18 2010-09-23 株式会社アルバック 位置合わせ方法、蒸着方法
JP5539154B2 (ja) * 2010-10-27 2014-07-02 キヤノン株式会社 アライメント方法、アライメント装置、及び有機ｅｌ素子製造装置
JP2012140671A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Canon Tokki Corp 成膜装置
CN103958379B (zh) * 2011-11-04 2016-12-28 株式会社尼康 基板处理装置及基板处理方法
KR101898064B1 (ko) * 2012-08-10 2018-09-13 주식회사 원익아이피에스 기판이송모듈
KR101407421B1 (ko) 2013-05-01 2014-06-17 주식회사 에스에프에이 기판 증착 시스템
KR102039416B1 (ko) * 2013-05-16 2019-11-04 주식회사 선익시스템 기판 합탈착 장치
KR101479943B1 (ko) * 2013-10-29 2015-01-12 주식회사 에스에프에이 기판과 마스크의 얼라인 시스템 및 얼라인 방법
KR20150092421A (ko) * 2014-02-04 2015-08-13 삼성디스플레이 주식회사 기판 정렬장치 및 기판 정렬방법
JP6308877B2 (ja) * 2014-06-06 2018-04-11 キヤノントッキ株式会社 成膜装置
JP2016167378A (ja) * 2015-03-09 2016-09-15 パイオニア株式会社 発光装置の製造方法
JP6276816B2 (ja) * 2015-10-01 2018-02-07 キヤノントッキ株式会社 基板引張装置、成膜装置、膜の製造方法及び有機電子デバイスの製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006344675A (ja) * 2005-06-07 2006-12-21 Dainippon Printing Co Ltd 基板の位置決め方法及び装置
CN101136353A (zh) * 2006-08-31 2008-03-05 东京毅力科创株式会社 基板载置机构以及基板交接方法
WO2008139876A1 (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Ulvac, Inc. 位置合わせ装置、成膜装置
JP2011100917A (ja) * 2009-11-09 2011-05-19 Nikon Corp 基板受け渡し装置、露光装置、デバイス製造方法、及び基板受け渡し方法
CN103247564A (zh) * 2012-02-06 2013-08-14 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108517505B (zh) 2020-06-02
KR20210042297A (ko) 2021-04-19
KR20180127897A (ko) 2018-11-30
CN108517505A (zh) 2018-09-11
KR102241187B1 (ko) 2021-04-15
KR101975123B1 (ko) 2019-05-03
JP2018197361A (ja) 2018-12-13
KR20190050939A (ko) 2019-05-14
CN111519158B (zh) 2023-03-28
JP6461235B2 (ja) 2019-01-30
CN111485216A (zh) 2020-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108517505B (zh) 基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法
CN108624857B (zh) 基板载置方法和机构、成膜方法和装置、电子器件制造方法及有机el显示装置制造方法
CN113802106B (zh) 基板载置方法、电子设备的制造方法及基板载置装置
CN109722626B (zh) 对准装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法
CN108517506B (zh) 基板载置装置和方法、成膜装置和方法、对准装置和方法以及电子器件的制造方法
CN107851603B (zh) 基板载置方法、成膜方法、电子设备的制造方法
CN108677158B (zh) 基板搬送机构、基板载置机构、成膜装置及其方法
JP7244401B2 (ja) アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
CN111378925B (zh) 对准系统、成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法
JP6821641B2 (ja) 基板載置装置、成膜装置、基板載置方法、成膜方法、および電子デバイスの製造方法
CN114540758B (zh) 对准方法、成膜方法及电子器件的制造方法
CN113851406A (zh) 对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法及存储介质
KR102578750B1 (ko) 얼라인먼트 시스템, 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스 제조방법
JP2021073373A (ja) 基板載置方法、電子デバイスの製造方法、基板保持装置、及び電子デバイスの製造方法
CN114107937A (zh) 对准装置及对准方法、以及成膜装置及成膜方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant