CN103247564A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种能够在相对于载物台搬入搬出被处理基板时能够稳定保持基板、防止基板的位置错位的基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置具备:能够载置被处理基板(G)的载物台(11);能够升降地设置于上述载置台的周围、在上升位置向上述载物台的上方突出支承上述被处理基板的周缘部的多个支承销(16);和使上述多个支承销升降移动的支承销升降机构(17),在上述多个支承销的上升位置,分别设置于上述载物台的至少一对相对的边侧的上述多个支承销,沿着上述载物台的边配置为支承位置的高度凹凸不同。
Description
技术领域
本发明涉及基板处理装置和基板处理方法,例如,涉及在载物台上载置涂敷有处理液的被处理基板,对上述基板实施规定的处理的基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
例如,在FPD(Flat Panel Display,平板显示器)的制造中,在玻璃基板等被处理基板形成规定的膜之后,涂敷作为处理液的光致抗蚀剂(以下,称为抗蚀剂)而形成抗蚀膜,根据电路图案,对抗蚀膜进行曝光,对其进行显影处理,即,通过光刻工序形成电路图案。
在上述抗蚀膜的形成工序中,在向基板涂敷抗蚀剂之后,进行通过减压使涂敷膜干燥的减压干燥处理。
目前,作为进行这样的减压干燥处理的装置,例如,已知有如图12所示的专利文献1中所公开的减压干燥单元。
如图12所示的减压干燥单元50构成为,通过相对于下部腔室51关闭上部腔室52,在内部形成处理空间。在该处理空间中,设有用于载置被处理基板的载物台53。另外,在载物台53设有用于载置基板G的多个固定销54。
该减压干燥处理单元50中,当搬入在被处理面涂敷有抗蚀剂的基板G时,基板G通过固定销54载置于载物台53上。
接着,通过相对于下部腔室51关闭上部腔室52,形成基板G置于气密状态的处理空间内的状态。
接着,处理空间内的气氛被从排气口55排出,形成规定的减压气氛。通过使该减压状态维持规定的时间,使抗蚀液中的稀释剂等溶剂一定程度地蒸发,缓慢放出抗蚀液中的溶剂,对抗蚀剂不产生不良影响地促进抗蚀剂的干燥。
另外,如上所述的减压干燥单元50中,即使隔着固定销54,在基板G和载置台53之间几乎没有间隙,因此,难以通过搬送机械臂(无图示)将基板G直接载置于载物台53上。因此,如图13(a)所示,设置能够相对于载置台53升降的多个支承销56。这样,在将基板G载置于载置台53上时,基板G暂时载置于配置在上升位置的多个支承销56上。这样,如图13(b)所示,通过使上述支承销56下降移动,基板G从支承销56向载物台53上交接,被载置于载物台53上。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2000-181079号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是,上述减压干燥单元50中,如果上述固定销54、支承销56位于基板的像素形成区域内,则有与上述销的接触痕迹转印到抗蚀膜上的担心,因此,优选这些销支承上述像素形成区域外的基板周缘部。
但是,由于近年来基板G大型化并且薄型化,因此,如果将上述基板G载置于载物台53时利用多个支承销56支承基板周缘部,则存在不能稳定保持基板G的课题。即,如图14(a)所示,如果利用多个支承销56支承基板周缘部,则基板中央部Ga由于自重向下方下沉,由于其影响,有时基板周缘部弯曲,基板缘部产生从支承销56浮起的部位60。
另外,如上所述基板缘部与支承销56不接触的部位60,根据将基板G从搬送机械臂(无图示)向支承销56上交接时的各种因素(多个支承销56与基板G接触的顺序的不同等),每个基板不同(参照图14(b))。具体地说明,利用支承销56支承基板G的周缘部时,存在基板G弯曲成如图14(a)所示的形状的情况和弯曲成如图14(b)所示的形状的情况。即,单片处理的多个基板G呈各自不同的弯曲形状,在载物台53上载置基板G时,存在频繁发生基板从规定的位置错开的位置错位的问题。
本发明是基于上述的课题而完成的,其目的在于提供一种基板处理装置和基板处理方法,上述基板处理装置中,在载物台上载置被处理基板,对上述基板实施规定的处理,在对载物台搬入搬出上述基板时,能够稳定地保持基板,防止基板的位置错位。
用于解决课题的方法
为了解决上述课题,本发明的基板处理装置中,在载物台上载置被处理基板,对上述被处理基板实施规定的处理,该基板处理装置的特征在于,具备:能够载置上述被处理基板的上述载物台;能够升降地设置于上述载物台的周围、在上升位置向上述载置台的上方突出支承上述被处理基板的周缘部的多个支承销;和使上述多个支承销升降移动的支承销升降机构,在上述多个支承销的上升位置,分别设置于上述载物台的至少一对相对的边侧的上述多个支承销,沿着上述载物台的边配置为支承位置的高度凹凸不同。
另外,上述多个支承销具有高度相互不同的第一支承销和第二支承销,优选上述第一支承销和上述第二支承销沿着上述载物台的边交替配置。
另外,本发明的基板处理装置中,在载物台上载置被处理基板,对上述被处理基板实施规定的处理,该基板处理装置的特征在于,具备:能够载置上述被处理基板的上述载物台;能够升降地设置于上述载物台的周围、在上升位置向上述载置台的上方突出支承上述被处理基板的周缘部的多个支承销;和使上述多个支承销分别升降移动、在上升位置在上述多个支承销之间使支承位置的高度形成有高低差的支承销高低差形成机构,通过上述支承销高低差形成机构在上述多个支承销之间使上升距离具有差异,分别设置于上述载物台的至少一对相对的边侧的上述多个支承销,沿着上述载物台的边支承位置的高度凹凸不同。
通过这样构成,利用上述多个支承销支承被处理基板的周缘部时,即使基板中央部由于自重向下方下沉,基板周缘部不形成不稳定的状态,基板能够维持固定的弯曲形状。
即,不受将基板向上述支承销上交接时的各种因素(多个支承销与基板接触的顺序不同等)的影响,能够将被进行单片处理的基板以一样地弯曲为规定的形状的状态保持,能够防止在载物台上载置基板时的位置错位。
另外,由于上述支承销支承基板的像素形成区域外侧的基板周缘部,能够防止因与上述支承销的接触痕迹引起的向抗蚀膜的转印。
另外,优选在上述支承销的上端设置有能够吸附于上述被处理基板的吸附垫,此时,可以具备与上述吸附垫连通的吸引机构。
通过这样在支承销的上端设置吸附垫,能够可靠地保持基板周缘部,使基板周缘部弯曲为规定的形状。
另外,优选上述支承销设置为能够从下方支承除了上述被处理基板的角部以外的该基板的周缘部。通过形成这样使角部不被支承销支持的结构,基板的边缘部的变形(弯曲)的自由度不受制约。
另外,优选在上述载物台的周缘部设置有在载置上述被处理基板时支承该基板的周缘部的多个固定销,通过上述支承销升降机构使支承有上述基板的上述多个支承销下降移动,上述基板经由上述固定销被载置于上述载物台上。
通过这样在载物台的周缘部设置固定销,能够防止在载置台上载置基板时的位置错位。
另外,为了解决上述课题,本发明的基板处理方法中,在载物台上载置被处理基板,对上述被处理基板实施规定的处理,该基板处理方法的特征在于,执行如下步骤:使多个支承销以向上述载物台的上方突出的方式上升移动的步骤,其中,上述多个支承销能够升降地设置于上述载物台的周围,在上述载物台的至少一对相对的边侧沿着上述载物台的边配置为支承位置的高度凹凸不同;利用上述多个支承销从下方支承上述被处理基板的周缘部的步骤;和使上述多个支承销下降移动,将上述被处理基板载置于上述载物台上的步骤。
通过这样方法,利用上述多个支承销支承被处理基板的周缘部时,即使基板中央部由于自重而下沉,基板周缘部也不形成不稳定的状态,基板能够维持固定的弯曲形状。
即,不受将基板向上述支承销上交接时的各种因素(多个支承销与基板接触的顺序不同等)的影响,能够将进行单片处理的基板以一样地弯曲为规定形状的状态保持,能够防止在载物台上载置基板时的位置错位。
另外,由于上述支承销支承基板的像素形成区域的外侧的基板周缘部,因此能够防止因与上述销的接触痕迹导致向抗蚀膜的转印。
另外,在利用上述多个支承销从下方支承上述被处理基板的周缘部的步骤中,优选利用设置于上述支承销的上端的吸附垫吸附基板面。
像这样通过在支承销的上端设置的吸附垫吸附基板面,由此能够可靠地保持基板周缘部,使基板周缘部弯曲为规定的形状。
另外,在利用上述多个支承销从下方支承上述被处理基板的周缘部的步骤中,优选利用沿上述载物台的边交替配置的、高度相互不同的上述第一支承销和上述第二支承销,从下方支承上述被处理基板的周缘部。
由此,能够沿上述载物台的边将支承位置的高度设置为凹凸不同。
另外,在利用上述多个支承销从下方支承上述被处理基板的周缘部的步骤中,从下方支承除了上述被处理基板的角部以外的该基板的周缘部。
通过这样使角部(角部)不被支承销支持,基板的边缘部的变形(弯曲)的自由度不受制约。
另外,在使上述多个支承销下降移动,将上述被处理基板载置于上述载物台上的步骤中,优选利用设置于上述载置台的周缘部的多个固定销支承上述被处理基板的周缘部。
通过这样经由设置于载物台的周缘部的固定销载置基板,能够防止在载置台上载置基板时的位置错位。
发明效果
根据本发明,能够得到一种基板处理装置和基板处理方法,在将基板载置于载物台上、对上述基板实施规定的处理的基板处理装置中,在相对于载物台搬入搬出上述基板时,能够稳定地保持基板、防止基板的位置错位。
附图说明
图1是作为本发明的基板处理装置的具备减压干燥单元的涂敷处理部的平面图。
图2是图1的涂敷处理部的侧面图。
图3是图1的涂敷处理部所具备的减压干燥单元的平面图。
图4是图1的涂敷处理部所具备的减压干燥单元的短边方向的侧面图。
图5是图1的涂敷处理部所具备的减压干燥单元的长边方向的侧面图。
图6是将图1的涂敷处理部的一部分放大表示的平面图。
图7是将图1的涂敷处理部的一部分放大表示的剖面图。
图8是表示减压干燥单元的一部分结构的侧面图,是表示支承销上升的状态的图。
图9是表示减压干燥单元的一部分结构的侧面图,是表示支承销下降的状态的图。
图10是表示图1的涂敷处理部的一系列动作的流程的流程图。
图11是表示减压干燥处理单元的动作的状态迁移的剖面图。
图12是表示现有的减压干燥单元的概要结构的剖面图。
图13是表示在现有的减压干燥单元中在载物台载置被处理基板的一系列动作的侧面图。
图14是表示用于说明在现有的减压干燥单元中利用支承销支承被处理基板时的课题的侧面图。
具体实施方式
以下,基于附图说明本发明的一个实施方式。另外,本发明的基板处理装置和基板处理方法,例如能够适用于在光刻工序中对作为被处理基板的玻璃基板形成作为涂敷膜的抗蚀膜的涂敷处理部内的减压干燥单元。
图1是作为本发明的基板处理装置的具备减压干燥单元的涂敷处理部的平面图,图2是图1的涂敷处理部的侧面图。
如图1、图2所示,涂敷处理部1在支承台2之上按照处理工序的顺序横向(X方向)一列地配置有具有喷嘴3的抗蚀剂涂敷单元4和将涂敷于玻璃基板G上的抗蚀液减压干燥的减压干燥单元5。在支承台2的左右两侧铺设一对导轨6,利用沿着该导轨6平行移动的一组搬送臂7将基板G从抗蚀剂涂敷单元4向减压干燥单元5搬送。
上述抗蚀剂涂敷单元4如上所述具有喷嘴3,该喷嘴3以从固定于支承台2上的门8悬垂的状态固定,具有沿基板宽度方向(Y方向)长的缝状的排出口(无图示)。从抗蚀液供给机构(无图示)对该喷嘴3供给作为处理液的抗蚀液R,以遍及利用搬送臂7移动通过门8的下方的基板G的一端到另一端的方式涂敷抗蚀液R。
另外,减压干燥单元5具有支承板状的载物台11的下部腔室9、和以能够气密地密合于该下部腔室9的上表面的方式构成的盖状的上部腔室10。
如图1所示,下部腔室9为大致四边形,在中心部配置有用于水平地载置和保持基板G的上述载物台11。
上述上部腔室10利用上部腔室移动机构12能够沿Z方向自由升降地配置在上述载物台11的上方,在减压干燥处理时,上部腔室10下降,与下部腔室9密合而关闭,形成将载置于载物台11上的基板G收纳于处理空间的状态。
另外,如图1、图2所示,在基板G的周围设有多个(图中为6处)排气口13。在各排气口13连接有排气管14,各排气管14与真空泵15连通。这样,在下部腔室9被上部腔室10覆盖的状态下,能够利用上述真空泵15将腔室内的处理空间减压至规定的真空度。
另外,在上述载物台11的周围,设置多个能够升降的支承销16,如图2所示,它们通过设置于载物台下方的销升降驱动部17(支承销升降机构)被升降驱动。
利用图3~图5更详细地说明上述减压干燥单元5。图3是减压干燥单元5的平面图,图4是减压干燥单元5的短边方向的侧面图,图5是减压干燥单元5的长边方向的侧面图。
如图3所示,载物台11形成为其周缘部位于基板G的周缘部的更内侧。这是由于能够利用配置于载物台11的周围的多个支承销16支承基板G的像素形成区域20的外侧的缘部。另外,如图6的放大图所示,在载物台11的缘部隔开规定间隔设置有纵槽状的多个凹部11a,在该凹部11a内配置有支承销16。
另外,如图7的放大图所示,在支承销16的前端设置有与基板G的下表面接触的吸附垫18,提高与基板G的接触性。吸附垫18由具有可挠性的材料(弹性体等)形成。另外,在该吸附垫18连接有真空泵21(吸引机构),能够对基板面进行真空吸附。
另外,如上所述,支承销16设置为能够升降,至少在成为支承基板G的状态的上升位置中,使沿载物台11的长边方向配列的多个支承销的支承位置的高度形成为凹凸状,由此,使基板G的周缘部强制地弯曲成规定的形状。
具体而言,如图4所示,在载物台11的短边侧,配置全部具有相同的高度的支承销16A(第一支承销),如图5所示,在载物台11的长边侧,交替配置上述支承销A和比其高度高的支承销16B(第二支承销)。
另外,如图3所示,在载物台11的长边方向(X方向)的相对的一对边侧,上述支承销16A和支承销16B的配置顺序一致,由此能够将基板G的周缘部形成为左右对称的弯曲形状。
另外,支承销16A和支承销16B的高度差、支承销16A和支承销16B的配置间隔、这些支承销16A、16B距基板端面的支承位置等,根据通过预先模拟等而求得的值设定。
另外,在载物台11的四个角部(角部)不配置支承销16,使得基板G的四个角部不被支承销16支承。这是由于如果支承基板G的角部,则基板G的边缘部的变形(弯曲)的自由度受到制约。
支承销16A、16B,其下端部支承于沿水平方向延伸的第一框架30,第一框架30利用销升降驱动部17升降移动。上述销升降驱动部17,例如,包括活塞轴部17a和使其升降移动的汽缸部17b,汽缸部17b被沿水平方向架设的第二框架31保持。
根据该结构,如图8所示,活塞轴部17a相对于汽缸部17b上升时,支承于第一框架30的支承销16相对于下部腔室9和载物台11上升,形成能够接收基板的状态。此时,由于在载物台11的长边方向支承位置的高度不同的支承销16A和支承销16B交替配置,当基板G支承于这些支承销上时,则其周缘部弯曲为波状。这是为了在利用支承销16支承基板周缘部16时,即使基板中央部由于自重下沉,有意地将基板周缘部弯曲为规定形状,从而使其稳定,可靠地将基板G载置于载物台11上的固定位置。
另一方面,如图9所示,销升降驱动部17的活塞轴部17a下降时,支承于第一框架30的支承销16下降,其上端位于比载物台11更下方的位置。由此,从利用多个支承销16支承基板G的状态,在使支承销16下降时,将基板G从支承销16交接到载物台11,能够将基板G载置于载物台11。
另外,该减压干燥单元5中,如图6、7所示,在载物台11上设置有多个具有微小的高度(例如4mm)的固定销19。
通过设置这些多个固定销19,在将基板G载置于载物台11时,能够使基板G不沿载物台面滑动,将基板G载置于规定的位置。
接着,基于图10、11说明这样构成的涂敷处理部1的动作。图10是表示涂敷处理部1的一系列动作的流程的流程图,图11是表示减压干燥单元5中基板搬入动作的流程的剖面图。
首先,基板G被搬入载置于搬送臂7上时,搬送臂7在导轨6上移动,移动通过抗蚀剂涂敷单元4的门8下。此时,从固定于门8的喷嘴3对在其下方移动的基板G排出抗蚀液R,从基板G的一边向另一边涂敷抗蚀液R(图10的步骤S1)。
另外,在遍及基板G的整面涂敷有抗蚀液的时刻(涂敷结束位置),如图11(a)所示,基板G被搬入减压干燥单元5,配置于下部腔室9的上方(图10的步骤S2)。
接着,通过销升降驱动部17的驱动,支承销16(支承销16A、16B)上升移动,利用支承销16支承基板G的周缘部(图10的步骤S3)。另外,当利用支承销16支承基板G时,搬送臂7从基板G分离,从减压干燥单元5退出。
这里,基板G的长边方向的周缘部由交替配置的支承位置高度不同的支承销16A、16B支承,因此,如图11(b)所示,形成弯曲成波状的形状。另外,由于支承销16A、16B支承基板周缘部,因此,基板中央部由于自重而下沉,但是基板周缘部被强制地弯曲成规定的形状,因此,基板G不形成不稳定的形状,能够维持固定的弯曲形状。
另外,利用上述支承销16A、16B支承基板G的周缘部时,驱动真空泵21,利用销上端的吸附垫18真空吸附基板面,由此能够更可靠地将基板周缘部弯曲成规定的形状。
如上所述,利用支承销16支承基板G时,通过销升降驱动部17的驱动使支承销16下降移动(图10中的步骤S4),其上端部下降至低于载物台11的位置,由此,如图11(c)所示,在载物台11上载置基板G(图10的步骤S5)。
这里,在载物台11的周缘部设置有多个固定销19,因此,基板G不沿载物台面滑动(不发生位置错位),载置于规定的位置。
当基板G载置于载物台11时,利用上部腔室移动机构12使上部腔室10下降移动,上部腔室10相对于下部腔室9关闭(图10的步骤S6)。由此,基板G如图11(d)所示,收纳于腔室9、10中密闭的处理空间中。
当基板G收纳于腔室内时,使真空泵15工作,从排气口13经由排气管14吸引处理空间内的空气,处理空间的气压减压至规定的真空状态。
腔室内的气压达到规定值时,随着规定时间的经过实施减压干燥处理(图10的步骤S7)。接着,减压干燥处理结束时,腔室内恢复大气状态之后,利用上部腔室移动机构12使上部腔室10上升移动,打开腔室(图10的步骤S8)。
接着,利用销升降驱动部17的驱动将支承销16(16A、16B)上升至规定的高度(图10的步骤S9),基板G被交接至搬送臂7,向后段的处理工序搬出(图10的步骤S10)。
根据如上所述的本发明的实施方式,将基板G载置于载物台11时,可升降地配置于载置台11的周围的、在其上升位置暂时支承基板G的周缘部的多个支承销16,沿载物台11的长边方向以支承位置的高度呈凹凸状地不同的方式构成。因此,利用上述多个支承销16支承基板G的周缘部时,即使基板中央部由于自重而下沉,基板周缘部也沿着上述凹凸状的支承位置强制地弯曲,不形成不稳定的状态。
即,不受将基板G从搬送臂7向支承销16上交接时的各种因素(多个支承销16与基板G接触的顺序不同等)的影响,能够将进行单片处理的基板G以一样地弯曲为规定的形状的状态保持,在将基板G载置于载物台11时,能够载置于规定的位置。
另外,当然地,由于上述支承销16和固定销19支承基板G的像素形成区域20的外侧的基板周缘部,因此能够防止由于与上述销的接触痕迹引起的向抗蚀膜的转印。
另外,上述实施方式中,沿载物台11的边交替配置支承位置的高度相互不同的支承销16A和支承销16B,但是,不限于此,上述支承销16A、16B也可以使用支承高度不同的支承销,沿载物台边以支承高度形成为凹凸状的方式构成。
另外,上述实施方式中,仅沿载物台11(基板G)的长边方向交替配置支承高度不同的支承销16A、16B,但是,不限于此,也可以仅在载物台11(基板G)的短边方向、或者遍及载物台11(基板G)的整周以支承高度形成为凹凸状的方式配置支承销16。
另外,上述实施方式中,如图8、图9所示,预先在多个支承销16的支承高度设置高低差(使用长度不同的支承销16A、16B),利用销升降驱动部17使支承支承销16的框架30升降。
但是,本发明的基板处理装置不限定于该方式。
例如,也可以在各支承销16设置升降驱动部(无图示),利用各升降驱动部,使各销的上升距离具有差异,在多个支承销16的支承位置形成高低差。另外,此时,利用多个上述升降驱动部构成支承销高低差形成机构。
另外,上述实施方式中,将本发明的基板处理装置适用于减压干燥单元,但是,不限于此,也能够适用于将被处理基板载置于载物台上,对上述基板实施规定的处理的其它装置。
符号说明
1涂敷处理部
4抗蚀剂涂敷单元
5减压干燥单元(基板处理装置)
11载物台
16支承销
16A支承销(第一支承销)
16B支承销(第二支承销)
17销升降驱动部(支承销升降机构)
19固定销
20像素形成区域
21真空泵(吸引机构)
G玻璃基板(被处理基板)
Claims (12)
1.一种基板处理装置,在载物台上载置被处理基板,对所述被处理基板实施规定的处理,该基板处理装置的特征在于:
具备:能够载置所述被处理基板的所述载物台;能够升降地设置于所述载物台的周围、在上升位置向所述载置台的上方突出支承所述被处理基板的周缘部的多个支承销;和使所述多个支承销升降移动的支承销升降机构,
在所述多个支承销的上升位置,分别设置于所述载物台的至少一对相对的边侧的所述多个支承销,沿着所述载物台的边配置为支承位置的高度凹凸不同。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于:
所述多个支承销具有高度相互不同的第一支承销和第二支承销,
所述第一支承销和所述第二支承销沿着所述载物台的边交替配置。
3.一种基板处理装置,在载物台上载置被处理基板,对所述被处理基板实施规定的处理,该基板处理装置的特征在于:
具备:能够载置所述被处理基板的所述载物台;能够升降地设置于所述载物台的周围、在上升位置向所述载置台的上方突出支承所述被处理基板的周缘部的多个支承销;和使所述多个支承销分别升降移动、在上升位置在所述多个支承销之间使支承位置的高度形成有高低差的支承销高低差形成机构,
通过所述支承销高低差形成机构在所述多个支承销之间使上升距离具有差异,分别设置于所述载物台的至少一对相对的边侧的所述多个支承销,沿着所述载物台的边支承位置的高度凹凸不同。
4.如权利要求1~3中任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
在所述支承销的上端设置有能够吸附于所述被处理基板的吸附垫。
5.如权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于:
具备与所述吸附垫连通的吸引机构。
6.如权利要求1~3中任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
所述支承销设置为能够从下方支承除了所述被处理基板的角部以外的该基板的周缘部。
7.如权利要求1~3中任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
在所述载物台的周缘部设置有在载置所述被处理基板时支承该基板的周缘部的多个固定销,
通过所述支承销升降机构使支承有所述基板的所述多个支承销下降移动,所述基板经由所述固定销被载置于所述载物台上。
8.一种基板处理方法,在载物台上载置被处理基板,对所述被处理基板实施规定的处理,该基板处理方法的特征在于,执行如下步骤:
使多个支承销以向所述载物台的上方突出的方式上升移动的步骤,其中,所述多个支承销能够升降地设置于所述载物台的周围,在所述载物台的至少一对相对的边侧沿着所述载物台的边配置为支承位置的高度凹凸不同;
利用所述多个支承销从下方支承所述被处理基板的周缘部的步骤;和
使所述多个支承销下降移动,将所述被处理基板载置于所述载物台上的步骤。
9.如权利要求8所述的基板处理方法,其特征在于:
在利用所述多个支承销从下方支承所述被处理基板的周缘部的步骤中,
利用设置于所述支承销的上端的吸附垫吸附基板面。
10.如权利要求8或9所述的基板处理方法,其特征在于:
在利用所述多个支承销从下方支承所述被处理基板的周缘部的步骤中,
利用沿所述载物台的边交替配置的、高度相互不同的所述第一支承销和所述第二支承销,从下方支承所述被处理基板的周缘部。
11.如权利要求8或9所述的基板处理方法,其特征在于:
在利用所述多个支承销从下方支承所述被处理基板的周缘部的步骤中,
从下方支承除了所述被处理基板的角部以外的该基板的周缘部。
12.如权利要求8或9所述的基板处理方法,其特征在于:
在使所述多个支承销下降移动,将所述被处理基板载置于所述载物台上的步骤中,
利用设置于所述载置台的周缘部的多个固定销支承所述被处理基板的周缘部。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012-022756 | 2012-02-06 | ||
JP2012022756A JP2013161946A (ja) | 2012-02-06 | 2012-02-06 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103247564A true CN103247564A (zh) | 2013-08-14 |
Family
ID=48926979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2013100481651A Pending CN103247564A (zh) | 2012-02-06 | 2013-02-06 | 基板处理装置和基板处理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013161946A (zh) |
KR (1) | KR20130090829A (zh) |
CN (1) | CN103247564A (zh) |
TW (1) | TW201347078A (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106415814A (zh) * | 2014-05-03 | 2017-02-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 薄膜状部件支撑设备 |
CN108604564A (zh) * | 2016-01-29 | 2018-09-28 | 株式会社达谊恒 | 基板移载用机械手 |
CN109343248A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-02-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 真空贴合装置及其脱离显示面板的方法 |
CN110048027A (zh) * | 2015-09-29 | 2019-07-23 | 东京毅力科创株式会社 | 干燥装置和干燥处理方法 |
CN111519158A (zh) * | 2017-05-22 | 2020-08-11 | 佳能特机株式会社 | 基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6369054B2 (ja) * | 2014-03-03 | 2018-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置装置及び基板処理装置 |
KR101719176B1 (ko) * | 2015-09-11 | 2017-03-23 | 주식회사 선익시스템 | 글라스기판 서포트방법 |
CN112041750A (zh) | 2018-04-26 | 2020-12-04 | Asml荷兰有限公司 | 平台设备、光刻设备、控制单元和方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10106945A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-04-24 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
CN1525528A (zh) * | 2003-02-07 | 2004-09-01 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
JP2008112902A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 基板の支持方法及び支持構造 |
CN101351878A (zh) * | 2006-09-05 | 2009-01-21 | 东京毅力科创株式会社 | 基板交接装置、基板处理装置、基板交接方法 |
JP2011100917A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Nikon Corp | 基板受け渡し装置、露光装置、デバイス製造方法、及び基板受け渡し方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3940823B2 (ja) * | 1994-12-26 | 2007-07-04 | 株式会社ニコン | ステージ装置及びその制御方法 |
JPH1124236A (ja) * | 1997-07-08 | 1999-01-29 | Nikon Corp | フォトマスク、フォトマスク支持装置及びフォトマスク支持方法 |
JP4028351B2 (ja) * | 2002-10-25 | 2007-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | ベーキング方法及びベーキング装置 |
JP2008235472A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
-
2012
- 2012-02-06 JP JP2012022756A patent/JP2013161946A/ja active Pending
-
2013
- 2013-01-04 TW TW102100230A patent/TW201347078A/zh unknown
- 2013-02-05 KR KR1020130012755A patent/KR20130090829A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-02-06 CN CN2013100481651A patent/CN103247564A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10106945A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-04-24 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
CN1525528A (zh) * | 2003-02-07 | 2004-09-01 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
CN101351878A (zh) * | 2006-09-05 | 2009-01-21 | 东京毅力科创株式会社 | 基板交接装置、基板处理装置、基板交接方法 |
JP2008112902A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 基板の支持方法及び支持構造 |
JP2011100917A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Nikon Corp | 基板受け渡し装置、露光装置、デバイス製造方法、及び基板受け渡し方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106415814A (zh) * | 2014-05-03 | 2017-02-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 薄膜状部件支撑设备 |
CN106415814B (zh) * | 2014-05-03 | 2019-10-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 薄膜状部件支撑设备 |
CN110625540A (zh) * | 2014-05-03 | 2019-12-31 | 株式会社半导体能源研究所 | 薄膜状部件支撑设备 |
CN110048027A (zh) * | 2015-09-29 | 2019-07-23 | 东京毅力科创株式会社 | 干燥装置和干燥处理方法 |
CN110048027B (zh) * | 2015-09-29 | 2021-09-28 | 东京毅力科创株式会社 | 干燥装置和干燥处理方法 |
CN108604564A (zh) * | 2016-01-29 | 2018-09-28 | 株式会社达谊恒 | 基板移载用机械手 |
CN108604564B (zh) * | 2016-01-29 | 2023-04-28 | 株式会社达谊恒 | 基板移载用机械手 |
CN111519158A (zh) * | 2017-05-22 | 2020-08-11 | 佳能特机株式会社 | 基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法 |
CN111519158B (zh) * | 2017-05-22 | 2023-03-28 | 佳能特机株式会社 | 基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法 |
CN109343248A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-02-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 真空贴合装置及其脱离显示面板的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201347078A (zh) | 2013-11-16 |
JP2013161946A (ja) | 2013-08-19 |
KR20130090829A (ko) | 2013-08-14 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
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