CN114107937A - 对准装置及对准方法、以及成膜装置及成膜方法 - Google Patents

对准装置及对准方法、以及成膜装置及成膜方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114107937A
CN114107937A CN202110978988.9A CN202110978988A CN114107937A CN 114107937 A CN114107937 A CN 114107937A CN 202110978988 A CN202110978988 A CN 202110978988A CN 114107937 A CN114107937 A CN 114107937A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask
substrate
alignment
mark
imaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110978988.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114107937B (zh
Inventor
谷和宪
神田宽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Tokki Corp
Original Assignee
Canon Tokki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Tokki Corp filed Critical Canon Tokki Corp
Publication of CN114107937A publication Critical patent/CN114107937A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114107937B publication Critical patent/CN114107937B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682—Mask-wafer alignment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明提供抑制对准中的基板与掩模接触的技术。所述对准装置具备：掩模支承机构；在与掩模平行的面中支承基板的基板支承机构；拍摄掩模标记和基板标记的拍摄机构；变更拍摄机构的对焦范围的对焦范围变更机构；以及调整掩模与基板的相对位置的对准机构，其中，在对焦范围变更机构以包含掩模标记的方式变更了对焦范围的状态下，拍摄机构进行拍摄掩模标记的第一拍摄动作，在基板支承机构使基板移动到与掩模不接触的位置，且对焦范围变更机构以包含基板标记的方式变更了对焦范围的状态下，拍摄机构进行拍摄基板标记的第二拍摄动作，对准机构使用通过第一拍摄动作拍摄到的掩模标记和通过第二拍摄动作拍摄到的基板标记，调整掩模与基板的相对位置。

Description

对准装置及对准方法、以及成膜装置及成膜方法
技术领域
本发明涉及对准装置及对准方法、以及成膜装置及成膜方法。
背景技术
有机EL显示装置、液晶显示装置等使用了平板显示器的显示装置被广泛使用。其中，有机EL显示装置使用作为自发光显示器的有机EL显示器，响应速度、视场角、薄型化等特性优异，适合用于监视器、电视机、智能手机等便携终端等。而且，也应用于汽车用显示器等。
在平板显示器的制造工序中，在多数情况下，进行基板与掩模的位置对合(对准)，经由掩模将成膜材料成膜于基板。例如在有机EL显示器的情况下，在成膜装置内将形成有像素图案的掩模与基板进行位置对合，经由掩模对有机材料、金属材料进行成膜，由此在基板上形成功能层、电极金属层。因此，为了在基板上的所希望的位置以所希望的图案进行成膜而进行高精度的制造，需要精密地实施基板与掩模之间的相对的位置调整。
专利文献1(国际公开第2017/222009号)公开了在电子器件的制造装置中，通过使被夹持了周缘部的基板相对于掩模台上载置的掩模相对移动而进行对准的技术。专利文献1的技术通过相机拍摄在基板上和掩模上分别形成的对准标记，使基板在平面内移动以使双方的对准标记的位置一致，由此进行位置对合。
在专利文献2(日本特开平6-029173号公报)中，公开了在将两个表面进行对准时，将拍摄了一方的表面的录像影像预先保存于存储器，并向拍摄了另一方的表面的影像叠印的技术。
【在先技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】国际公开第2017/222009号
【专利文献2】日本特开平6-029173号公报
发明内容
【发明要解决的课题】
在此，近年来，在显示器的大型化进展的影响下，基板也大型化，在成膜装置内部为了对准而要求应对被夹持了周缘部的基板的因自重引起的挠曲。如果被夹持了周缘部的基板挠曲，则进行成膜的成膜区域即基板中央部下垂，有时会与掩模接触。
如果基板与掩模发生接触，则基板自身或已经形成在基板上的膜损伤而可能对显示器的性能造成影响。而且，如果在基板与掩模接触的状态下使基板沿平面方向移动进行对准，则接触部分卡挂而妨碍基板的自由移动，基板可能会产生变形。此外，如果在对准的中途基板与掩模接触，则由于来自掩模的应力而使基板的位置偏离，对准精度可能会下降。
通过以上所述，要求一种即使在基板挠曲的情况下，通过尽量抑制基板与掩模的接触而用于防止对准精度的下降、基板或形成在基板上的膜的损伤的技术。
本发明是鉴于上述课题而作出的发明，其目的在于提供一种用于抑制对准中的基板与掩模的接触的技术。
【用于解决课题的方案】
本发明采用以下的结构。
即，
一种对准装置，具备：
掩模支承机构，所述掩模支承机构支承掩模；
基板支承机构，所述基板支承机构在与所述掩模平行的面中支承基板；
拍摄机构，所述拍摄机构拍摄设置于所述掩模的掩模标记和设置于所述基板的基板标记；
对焦范围变更机构，所述对焦范围变更机构变更所述拍摄机构的对焦范围；及
对准机构，所述对准机构调整所述掩模与所述基板的相对位置，
所述对准装置的特征在于，
在所述对焦范围变更机构以包含所述掩模标记的方式变更了所述对焦范围的状态下，所述拍摄机构进行拍摄所述掩模标记的第一拍摄动作，
在所述基板支承机构使所述基板移动到与所述掩模不接触的位置，且所述对焦范围变更机构以包含所述基板标记的方式变更了所述对焦范围的状态下，所述拍摄机构进行拍摄所述基板标记的第二拍摄动作，
所述对准机构使用通过所述第一拍摄动作拍摄到的所述掩模标记和通过所述第二拍摄动作拍摄到的所述基板标记，调整所述掩模与所述基板的相对位置。
本发明还采用以下的结构。即，
一种对准方法，是对准装置中的基板与掩模的对准方法，所述对准装置具备支承掩模的掩模支承机构、在与所述掩模平行的面中支承基板的基板支承机构、以及拍摄设置于所述掩模的掩模标记和设置于所述基板的基板标记的拍摄机构，所述对准方法的特征在于，包括：
第一拍摄工序，将所述拍摄机构的对焦范围设为包含支承于所述掩模支承机构的掩模的掩模标记的范围而拍摄该掩模标记；
移动工序，使支承有基板的所述基板支承机构移动到该基板与支承于所述掩模支承机构的所述掩模不接触的位置；
第二拍摄工序，在所述移动工序之后，将所述对焦范围设为包含所述基板标记的范围而拍摄该基板标记；及
对准工序，使用在所述第一拍摄工序中拍摄到的掩模标记和在所述第二拍摄工序中拍摄到的基板标记，调整所述掩模与所述基板的相对位置。
【发明效果】
根据本发明，能够提供一种用于抑制对准中的基板与掩模的接触的技术。
附图说明
图1是包含成膜装置的电子器件的生产线的示意图。
图2是表示成膜装置的内部结构的剖视图。
图3是表示与基于成膜装置的对准相关的功能块的图。
图4是表示基板和掩模中的对准标记、基于相机的拍摄区域的图。
图5是表示用于支承基板的结构的立体图。
图6是说明一实施例中的处理整体的流程的流程图。
图7是表示一实施例中的对准的流程的剖视图。
图8是表示一实施例中的对准的流程的接续的剖视图。
图9是说明电子器件的制造方法的图。
【附图标记说明】
200：真空腔室，210：基板支承单元，221：掩模台，240：蒸发源，250：基板Z致动器，261：第二相机，270：控制部，278：存储部，280：对准台
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的优选的实施方式。但是，以下的记载只不过是例示性地表示本发明的优选结构的记载，本发明的范围没有限定为这些结构。而且，以下说明中的装置的硬件结构及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等只要没有特别记载，则无意将本发明的范围限定于此。
在此，当在基板上形成具有某种所希望的形状的膜时，使用具有与形成的膜的形状相适的掩模图案的掩模。由此，能够任意构成被成膜的各层。此时，为了在基板上的所希望的位置形成膜而需要将基板等与掩模的相对位置高精度地对准。
本发明如上所述适合使用于将基板与掩模对准的结构。因此，本发明作为基板与掩模的对准装置或对准方法而被掌握。而且，本发明也作为使用了上述对准装置或对准方法的成膜装置或成膜方法而被掌握。而且，本发明也作为使用了上述成膜装置或成膜方法的电子器件的制造装置或电子器件的制造方法而被掌握。
本发明能够优选适用于在基板的表面经由掩模形成所希望的图案的薄膜材料层的情况。作为基板的材料，可以利用玻璃、树脂、金属、硅酮等任意材料。作为成膜材料，可以利用有机材料、无机材料(金属、金属氧化物)等任意的材料。本发明的技术典型地适用于电子器件、光学构件的制造装置。特别适合于有机EL显示器、使用了有机EL显示器的有机EL显示装置、薄膜太阳能电池、有机CMOS影像传感器等有机电子器件。但是，本发明的适用对象并不局限于此。
<实施例1>
(电子器件的生产线)
图1是示意性地表示电子器件的生产线的结构的俯视图。这样的生产线称为包含成膜装置的成膜系统。在此，对有机EL显示器的生产线进行说明。在制造有机EL显示器的情况下，向生产线送入规定尺寸的基板，在进行了有机EL、金属层的成膜之后，实施基板的切割等后处理工序。
如图1所示，生产线的成膜集群1包括配置在中央的传送室130和配置在传送室130的周围的成膜室110及掩模贮存室120。成膜室110包含成膜装置，进行对基板10的成膜处理。掩模贮存室120收纳使用前后的掩模。
设置在传送室130内的传送机器人140将基板10、掩模220向传送室130送入，从传送室130送出。传送机器人140例如是在多关节臂安装有对基板10、掩模220进行保持的机器人手的机器人。成膜室110、掩模贮存室120、传送室130、缓冲室160、回旋室170等各腔室在有机EL显示面板的制造过程中维持高真空状态。
成膜集群1包括：将在基板传送方向上从上游侧流来的基板10向传送室130传送的通路室150；用于将成膜处理完成的基板10向下游侧的其他的成膜集群传送的缓冲室160。当传送室130的传送机器人140从通路室150接收基板10时，向多个成膜室110中的一个传送。另外，传送机器人140从成膜室110接收成膜处理完成的基板10，向缓冲室160传送。在图示例中，在通路室150的更上游侧、缓冲室160的更下游侧设置有改变基板10的方向的回旋室170。
(成膜装置)
图2是示意性地表示成膜装置的结构的剖视图。在多个成膜室110分别设置有成膜装置108(也称为蒸镀装置)。通过成膜装置的各结构要素进行与传送机器人140的基板10的交接、基板10与掩模220的相对位置的调整(对准)、基板10向掩模上的固定、成膜(蒸镀)等一连串的成膜工艺。
在以下的说明中，使用以铅垂方向为Z方向的XYZ正交坐标系。在XYZ正交坐标系中，在成膜时将基板固定成与水平面(XY平面)平行的情况下，将具有长边和短边的矩形的基板10的宽度方向(与短边平行的方向)设为X方向，将长度方向(与长边平行的方向)设为Y方向。而且，通过θ表示绕Z轴的旋转角。
成膜装置108具有真空腔室200。真空腔室200的内部维持为真空气氛或者氮气等非活性气体气氛。在真空腔室200的内部设置有基板支承单元210、掩模220、掩模台221、冷却板230及蒸发源240。
基板支承单元210(基板支承机构)是对从传送机器人140接收的基板10进行支承的具有作为支架的功能的基板支承机构。掩模220例如是金属掩模，具有与形成于基板上的薄膜图案对应的开口图案。掩模220设置在作为掩模支承单元的框状的掩模台221(掩模支承机构)上。在本实施例的结构中，在掩模上定位并支承基板10之后，进行成膜。关于基板支承机构在后文进行详细叙述。
冷却板230是在成膜时，接触于基板10的与掩模220接触的面的相反侧的面，抑制成膜时的基板10的温度上升的板状构件。通过冷却板230对基板10进行冷却，能抑制有机材料的变质、劣化。冷却板230可以兼作为磁体板。磁体板是通过磁力来吸引掩模220，由此提高成膜时的基板10与掩模220的紧贴性的构件。需要说明的是，为了提高基板10与掩模220的紧贴性，基板支承单元210可以将基板10和掩模220这两方均保持，通过致动器等使其紧贴。
蒸发源240是由收容蒸镀材料的容器(坩埚)、加热器、开闭器、驱动机构、蒸发率监视器等构成的成膜机构。需要说明的是，成膜源没有限定为蒸发源240。例如成膜装置108也可以是使用溅射靶作为成膜源的溅射装置。
在真空腔室200的外侧上部设有基板Z致动器250、夹紧Z致动器251、冷却板Z致动器252。各致动器例如由电动机和滚珠丝杆、电动机和直线引导器等构成。在真空腔室200的外侧上部还设有对准台280。
基板Z致动器250是使基板支承单元210整体沿Z轴方向升降的驱动机构。基板Z致动器250可以说是对准机构具备的垂直移动机构。夹紧Z致动器251是使基板支承单元210的夹持机构(后述)开闭的驱动机构。冷却板Z致动器252是使冷却板230升降的驱动机构。
(对准用的结构)
对准台280是使基板10沿XY方向移动，而且使基板10向θ方向旋转而使基板10与掩模220的位置变化的对准装置。对准台280可以说是对准机构具备的面内移动机构。对准台280具备连接并固定于真空腔室200的腔室固定部281、用于进行XYθ移动的致动器部282、与基板支承单元210连接的连接部283。需要说明的是，可以使基板支承单元210与对准台280组合而作为对准装置。另外，也可以还在对准台280和基板支承单元210上增加控制部270来作为对准装置。
作为致动器部282，可以使用将X致动器、Y致动器及θ致动器堆叠而成的致动器。而且，也可以使用多个致动器协作的UVW方式的致动器。无论是哪种方式的致动器部282，都按照从控制部270发送的控制信号进行驱动，使基板10沿X方向及Y方向移动，使基板10向θ方向旋转。如果是堆叠方式的致动器，则控制信号表示XYθ各致动器的动作量，如果是UVW方式的致动器，则控制信号表示UVW各致动器的动作量。
对准台280使基板支承单元210进行XYθ移动。需要说明的是，在本实施例中设为调整基板10的位置的结构，但也可以是调整掩模220的位置的结构、或调整基板10和掩模220双方的位置的结构。
在真空腔室200的外侧上部设置有进行光学拍摄而生成图像数据的第一相机260(粗对准相机)和第二相机261(精对准相机)作为拍摄机构。第一相机260和第二相机261透过设置于真空腔室200的窗进行拍摄。在如本实施例那样执行二阶段对准的情况下，首先进行使用了虽然为低析像但是为大视野的粗对准用的相机即第一相机260的第一对准(粗对准)。接下来，进行使用了虽然为窄视野但是为高析像的精对准用的相机即第二相机261的第二对准(精对准)。
在本实施例中，第一相机260的设置场所是能够拍摄配置于成膜位置的基板10及掩模220的短边中央部的位置。第一相机260的拍摄区域包含基板表面的第一基板对准标记103和掩模表面的第一掩模对准标记223。而且，第二相机261的设置场所是能够拍摄配置于成膜位置的基板10及掩模220的角部的位置。第二相机261的拍摄区域包含基板表面的第二基板对准标记104和掩模表面的第二掩模对准标记224。在本实施例中，以与基板10及掩模220的四个角对应的方式设置四台第二相机261。但是，对准标记的个数及设置场所、以及相机的个数、设置场所及种类没有限定为该例。本发明的基板标记至少包含第二基板对准标记104。本发明的掩模标记至少包含第二掩模对准标记224。
控制部270对基于第一相机260和第二相机261的拍摄图像数据进行解析。由此，取得第一基板对准标记103、第一掩模对准标记223、第二基板对准标记104及第二掩模对准标记224的位置信息。其结果是，能够算出基板10与掩模220的距离、角度等。第一相机260、第二相机261是取得各对准标记的位置信息的位置取得机构。而且，也可以向第一相机260及第二相机261组合控制部270的结构来作为位置取得机构。
典型而言，各基板对准标记通过光刻而形成在基板上，各掩模对准标记通过机械加工而形成在掩模上。但是，标记的形成方法并不局限于此，可以根据材料、目的来选择。而且，标记的形状、尺寸可以根据相机的性能、图像解析的能力来设定。
控制部270进行致动器部282的各致动器的动作控制、相机261的拍摄控制及图像数据解析、基板10及掩模220的送入送出控制及对准控制、成膜源的控制、成膜的控制、其他各种控制。控制部270可以由具有例如处理器、存储器、寄存器、I/O等的计算机构成。在该情况下，控制部270的功能通过处理器执行存储器或寄存器中存储的程序来实现。作为计算机，可以使用通用的个人计算机，也可以使用嵌入型的计算机或PLC(programmable logiccontroller，可编程逻辑控制器)。或者，可以通过ASIC或FPGA那样的电路构成控制部270的功能的一部分或全部。需要说明的是，可以按照各成膜装置来设置控制部270，也可以是1个控制部270控制多个成膜装置。
(与对准相关的功能块)
图3是说明对准控制的框图。控制部270具有图像处理部272、运算部274、控制器部276、存储部278作为功能块。这些功能块可以在物理上实现，也可以作为程序模块而假想地实现。
图像处理部272将第一相机260光学拍摄到的图像数据通过图案匹配处理等进行解析，检测第一基板对准标记103和第一掩模对准标记223。另外，图像处理部272从第二相机261光学拍摄到的图像数据中检测第二基板对准标记104和第二掩模对准标记224。
运算部274基于图像数据进行各种运算。在通常的对准时，基于图像处理部272检测到的对准标记的位置偏离量来算出基板的XYθ方向的移动量。
控制器部276将通过运算部274算出的基板等的移动量转换成对准台280的各致动器具备的步进电动机或伺服电动机等的驱动量，生成控制信号。而且，根据需要，接收来自对准台280的传感器信号而进行反馈控制。
第一相机260和第二相机261经由腔室顶棚的窗而光学地拍摄下方。为了保持腔室内的气密而使用真空用的密封窗。两台第一相机260设置于在设定于基板及掩模的短边中央部的拍摄区域内出现第一基板对准标记103及第一掩模对准标记223的位置。多个第二相机261设置于在设定于基板及掩模的四个角的各个拍摄区域内出现第二基板对准标记104及第二掩模对准标记224的位置。
另外，第一相机260的焦点大致对合于进行粗对准时的对准标记的Z方向高度，第二相机261的焦点大致对合于进行精对准时的对准标记的Z方向高度。在本实施例中，作为第二相机261，使用使对焦范围F2在Z方向上上下升降一定程度的结构。在此，为了使对焦范围F2在Z方向上升降，与光学式相机的对焦同样，使用机械地变更装入于第二相机261的透镜间的距离的方法。因此，相机具有的焦点变更机构成为改变焦点的对焦范围变更机构。但是，也可以向真空腔室的上部装入作为对焦范围变更机构的升降机构，通过实际使第二相机261升降来变更对焦范围F2的高度。
需要说明的是，在此的“对焦范围F”是指具有能够检测对准标记而进行位置对合的程度的深度(Z方向的长度)的范围。例如，“第二相机261的对焦范围F2包含第二基板对准标记104和第二掩模对准标记224”是指在第二相机取得的图像数据中，焦点与第二基板对准标记104及第二掩模对准标记224对合，两方都能够检测出。为此，基板10与掩模220需要在Z方向上接近，在本实施例中，在掩模220上载置基板10。
需要说明的是，粗对准用的第一相机260是低析像度地拍摄比较大的范围的相机，拍摄的光轴方向(在实施例中为Z方向)上的景深较深(对焦范围F1大)。另一方面，精对准用的第二相机261是高析像度地拍摄比较小的范围的相机，光轴方向上的景深较浅(对焦范围F2小)。因此，在通过第二相机261进行拍摄的精对准时，与通过第一相机260进行拍摄的粗对准时相比，需要缩短基板10与掩模220的Z方向的距离。因此，如果不采取任何对策，则由于基板10的挠曲而基板10的中央部与掩模220接触的可能性升高。上述接触可能会伤害基板或基板上的膜、元件等，因此不优选。因此，即使是精对准也需要尽量减少基板10与掩模220的接触次数。
图4是从Z方向上方观察真空腔室200内的特定区域的俯视图。第一相机260和第二相机261的在XY面内的位置被固定于腔室外侧上部，因此基于各相机的拍摄区域也对应于腔室内的特定区域。
在此，成膜装置具备两个第一相机260和四个第二相机261a～261d。第一相机260分别拍摄第一拍摄区域263。第二相机261a～261d分别拍摄第二拍摄区域264a～264d。此时，由于各相机的位置被固定，因此能够将各相机取得的图像数据中的任意的位置转换成坐标值。由此，能够取得从各拍摄图像中检测到的对准标记的位置作为坐标值。
(基板支承单元)
参照图5的立体图，说明基板支承单元210的结构例。
基板支承单元210具有支承框体301和夹紧构件303，所述支承框体301设有对基板10的各边进行支承的多个支承用具300，所述夹紧构件303设有多个按压用具302，多个按压用具302与各支承用具300之间夹入基板10。一对支承用具300和按压用具302构成一个夹持机构305。但是，夹持机构305的个数、配置并不局限于此，可以不是夹持方式而是将基板载置于支承用具的方式。夹持机构305利用平面内的假想的支承面来支承基板。
对准台280向保持有基板10的状态的基板支承单元210传递驱动力，由此来微调基板10相对于掩模220的相对位置。在基板10的Z方向移动中，基板Z致动器250进行驱动而使基板支承单元210移动，使基板10升降。由此，基板10与掩模220接近或分离。在基板10的XYθ移动中，对准台280使基板10沿XY方向进行直线移动，或者向θ方向进行旋转移动。在对准时基板10移动的是配置有基板的XY平面内，该平面与配置有掩模的平面大致平行。即，在基板10的XYθ移动时，基板10与掩模220的Z方向的距离不变化，在XY平面内，基板10的位置变化。由此，基板10与掩模220在XY平面内被位置对合。
(处理流程)
参照附图，说明处理的流程。图6是表示本实施例中的对准的一连串的处理和接续该处理的工序的流程图。图7及图8是示意性地表示流程中的各工序的腔室内部的情形的剖视图。
本流程对在某成膜室110中将基板10与掩模220对准的情形进行说明。本流程从成为在掩模贮存室120收纳有未使用的掩模220且能够从通路室150向成膜室110送入基板10的状态开始。
在步骤S101中，传送机器人140将从掩模贮存室120送出的1张掩模220向成膜室110送入，设置于掩模台221。此时，控制部270为了将掩模220设置于正确的位置而进行掩模对准控制。在掩模对准控制中，例如可以使用各相机对设置于掩模台221的掩模220进行拍摄，判定掩模220及掩模台221的位置关系是否满足规定的条件。
此时，真空腔室200的内部成为图7(a)所示的状态。需要说明的是，在将掩模台221的上表面设为基准高度时，将掩模220的高度(在此，为与基板10抵接的面的高度)设为hm1。
在步骤S102中，通过机械调整第二相机261具备的透镜间的距离而将第二相机261的对焦范围F2对合于上述掩模的高度hm1。在本步骤中，第二相机261的对焦范围F2需要为包含第二掩模对准标记224那样的第一范围。
在步骤S103中，使用第二相机261进行第二拍摄区域264的拍摄。这相当于第一拍摄动作(第一拍摄工序)。此时，由于第二掩模对准标记224处于对焦范围F2，因此，通过控制部270对得到的图像数据进行解析，由此能够对拍摄图像进行解析而检测出第二掩模对准标记224的位置。在此，由于第二相机261被固定于真空腔室200，因此图像数据内的第二掩模对准标记224的位置能够转换成实际的装置的坐标系中的坐标。因此，控制部270将第二掩模对准标记224的坐标存储于存储部278(存储机构)。存储的标记相当于假想掩模标记。
在步骤S104中，传送机器人140从通路室150向真空腔室内部送入基板10。基板支承单元210通过夹持机构305支承基板10。此时，如图7(b)所示，在空出了即使基板10的中央部下垂基板10也不会与掩模220接触的程度的间隔的高度处保持基板10。在图7(b)中，第二相机261的光轴与基板10交叉的部位的高度设为hs1。
在步骤S105中，执行基板10与掩模220的粗对准。此时，控制部270使用第一相机260拍摄第一拍摄区域263，从得到的图像数据中检测第一基板对准标记103和第一掩模对准标记223。需要说明的是，如图7(c)所示，第一相机260的对焦范围F1在Z方向上包含第一基板对准标记103和第一掩模对准标记223。即，在决定高度hs1时，设为第一相机260的对焦范围F1包含基板10和掩模220，且基板10的下垂部与掩模220不接触而空出间隔那样的高度。由此，能够不用考虑基板10与掩模220的接触地执行粗对准。
如果第一拍摄区域263处的第一基板对准标记103与第一掩模对准标记223的位置关系满足规定的条件，则控制部270判断为粗对准完成。另一方面，在位置关系不满足规定的条件的情况下，基于从理想的位置关系的偏离量使基板10在平面内沿XYθ方向移动，再次进行拍摄而重复进行判定。规定的条件例如可以通过标记间的距离、角度等进行定义。
在步骤S106中，如图8(a)所示，将第二相机261的对焦范围F2对合于基板10的高度hs1。在本步骤中，第二相机261的对焦范围F2需要为包含第二基板对准标记104那样的第二范围。
在步骤S107中，通过第二相机261进行第二拍摄区域264的拍摄，从取得的图像数据中检测第二基板对准标记104。这相当于第二拍摄动作(第二拍摄工序)。
在步骤S108中，如图8(b)所示，使用S103中存储的第二掩模对准标记224的位置和S107中取得的第二基板对准标记104的位置进行精对准。此时，控制部270将拍摄第二拍摄区域264而得到的图像数据中的第二基板对准标记104的位置转换成实际的坐标系中的坐标，并与S103中存储的第二掩模对准标记224的坐标进行比较。并且，如果两者的位置关系满足规定的条件，则判定为精对准完成。本步骤中的规定的位置关系也可以通过标记间的距离、角度等进行定义。另一方面，如果不满足规定的位置关系，则基于从理想的位置关系的偏离量使基板10在XY平面内沿XYθ方向移动，再次进行拍摄而重复进行判定。
在步骤S109中，如图8(c)所示，基板Z致动器250使基板10下降并载置于掩模220。将此时的基板对准标记所在的面的高度设为hs2。
在步骤S110中，如图8(d)所示，进行成膜前的对准计测。这相当于第三拍摄动作(第三拍摄工序)。在成膜前的对准计测中，如果第二基板对准标记104及第二掩模对准标记224的位置关系满足规定的条件，则进入下一步骤。如果不满足规定的位置关系，则在S108中再次进行精对准。
在成膜前的对准计测时，第二相机261的对焦范围F2设定为包含高度hm1的位置和高度hs2的位置这两方。在本步骤中，第二相机261的对焦范围F2需要为包含第二基板对准标记104及第二掩模对准标记224那样的第三范围。控制部270从第二相机261实际拍摄到的第二拍摄区域264的图像数据中检测第二基板对准标记104和第二掩模对准标记224。由此，判定存储的假想的第二掩模对准标记224与新拍摄的图像数据中的第二掩模对准标记224的位置偏离。此外，也可以确认使用假想的存储的掩模对准标记进行的精对准的精度、精对准后的基板10的下降引起的微细的位置偏离的有无。
在步骤S111中，控制部270对存储部278存储的假想的第二掩模对准标记224与从新拍摄的图像数据中检测到的第二掩模对准标记224的位置进行比较，判定位置偏离是否为容许范围内。并且，如果位置偏离未超过规定值(S111为“是”)，则进入S113。另一方面，在位置偏离超过规定值的情况下(S111为“否”)，对存储部278存储的第二掩模对准标记224的坐标信息进行更新。
在步骤S113中，对作为成膜源的蒸发源240进行加热，将成膜材料经由掩模220成膜于基板10。由此，在基板上形成与掩模图案对应的形状的膜。
在步骤S114中，传送机器人140将成膜完的基板10从真空腔室200送出。
在步骤S115中，控制部270判定使用同一掩模220进行了成膜处理的基板10的张数是否超过规定的张数。如果未超过对于同一掩模的规定张数(S115为“否”)，则返回S104而将下一基板10向腔室内送入，进行对准和成膜处理。如果超过规定张数(S115为“是”)，则结束处理。然后，可以将掩模220与掩模贮存室120中收纳的新的掩模220进行更换。
根据本实施例，将预先取得并存储的掩模对准标记与基板对准标记进行比较，进行基板10与掩模220的对准。因此，在对准的中途，基板10的下垂部分与掩模220的接触减少。因此，基板、基板上的膜、元件等不会损伤，且抑制由于来自掩模220的反作用力而基板10移动引起的对准精度的下降。
另外，根据本实施例，能够将拍摄一次掩模220而得到的掩模对准标记的数据应用于向腔室顺次送入的基板10。因此，在对多张基板10顺次进行处理的情况下，能够将使相机的对焦范围对合于掩模的处理限定为对于顺次传送来的多个基板使用同一掩模时的对最初的基板10进行处理时的1次，缩短处理时间。
另外，如上述S110～S112中说明的那样，在将基板10载置于掩模220时，通过将存储的掩模对准标记与新拍摄的掩模对准标记进行比较，由此能够更新掩模对准标记的坐标。由此，即使存在掩模220的位置偏离的情况下，也能够防止对准精度的下降。
需要说明的是，S110～S112的处理可以不必对每一张基板进行。例如，在本流程中叙述了在S115之后更换规定张数的用于蒸镀的掩模的情况，但是此时，也可以进行S110～S112的处理。此外，掩模对准标记的位置偏离检测的周期(基板的处理张数)与掩模更换的周期(基板的处理张数)可以不同。
<变形例>
以下，说明本发明的各种变形例。
(变形例1)
在实施例1中，进行粗对准和精对准的二阶段对准，仅在精对准时存储掩模标记。然而，对准装置未必局限于进行二阶段对准。
例如，可以是对准装置仅具备上述流程中的相当于“第二相机261”的相机，进行一阶段的对准的结构。即使在该情况下，也可以通过在对准时进行使用了假想的掩模对准标记的位置对合，抑制基板10与掩模220的接触。
另外，在二阶段对准的情况下，也可以在粗对准和精对准这两方进行使用了假想的掩模对准标记的位置对合。即，当将掩模220送入腔室时，首先，第一相机260将第一对焦范围F1对合于高度hm1进行拍摄，检测第一掩模对准标记223而存储坐标。接下来，第二相机261将第二对焦范围F2对合于高度hm1进行拍摄，检测第二掩模对准标记223而存储坐标。该方法能够用于第一相机260的对焦范围F2的Z方向上的高度比较短而基板10的下垂部分与掩模220接触那样的情况。
(变形例2)
在实施例1中，将掩模220固定，通过使基板10沿Z方向及XYθ方向移动来进行对准。然而，本发明没有限定于此。
例如，作为成膜装置108，也可以使用基板10固定在腔室内而使掩模220升降的结构。在该情况下，对基板10进行支承的基板支承机构在高度方向上被固定，取代掩模台而设置保持掩模220并使其升降的掩模支承机构。并且，在将基板送入腔室之前，预先使掩模220移动至在载置基板时与基板接触的Z方向高度，在该状态下使用第二相机261进行拍摄。然后，控制部270从图像数据中检测第二掩模对准标记224而将位置信息存储于存储部278。并且，在使掩模220移动到即使基板10下垂也不可能接触的Z方向高度的状态下，使用存储的第二掩模对准标记224和实际拍摄的第二基板对准标记104进行精对准。
另外，作为成膜装置108，也可以使用基板10和掩模220这两方能够升降的结构。即使在该情况下，也是预先在没有基板10的状态下，拍摄载置基板10的高度处的掩模220，取得第二掩模对准标记224的位置信息。并且，在送入基板10进行对准时，使基板10与掩模220在Z方向上分离以避免发生接触。并且，使用存储的第二掩模对准标记224和拍摄的图像中的第二基板对准标记104进行对准。
如以上所述，即使在掩模220升降的情况下、或在基板10和掩模220一起升降的情况下，也能够抑制对准时的基板10与掩模220的接触。
[实施例2]
<有机电子器件的制造方法>
在本实施例中，说明使用了具备对准装置的成膜装置的有机电子器件的制造方法的一例。以下，作为有机电子器件的例子而例示有机EL显示装置的结构及制造方法。首先，对制造的有机EL显示装置进行说明。图9(a)是有机EL显示装置60的整体图，图9(b)表示一个像素的剖面结构。
如图9(a)所示，在有机EL显示装置60的显示区域61，将具备多个发光元件的像素62呈矩阵状地配置多个。发光元件分别具有具备由一对电极夹持的有机层的结构。需要说明的是，在此所说的像素是指在显示区域61能够进行所希望的颜色显示的最小单位。在本图的有机EL显示装置的情况下，通过表现出互不相同的发光的第一发光元件62R、第二发光元件62G、第三发光元件62B的组合来构成像素62。像素62多由红色发光元件、绿色发光元件、蓝色发光元件的组合构成，但也可以是黄色发光元件、青绿色发光元件、白色发光元件的组合，只要为至少1个颜色以上即可，没有特别限制。
图9(b)是图9(a)的A-B线的局部剖视示意图。像素62在基板10上具有有机EL元件，该有机EL元件具备第一电极(阳极)64、空穴传输层65、发光层66R、66G、66B的任一个、电子传输层67、以及第二电极(阴极)68。在它们之中，空穴传输层65、发光层66R、66G、66B、电子传输层67相当于有机层。而且，在本实施方式中，发光层66R是发出红色的有机EL层，发光层66G是发出绿色的有机EL层，发光层66B是发出蓝色的有机EL层。
发光层66R、66G、66B分别形成为与发出红色、绿色、蓝色的发光元件(有时也记述为有机EL元件)对应的图案。而且，第一电极64按照各发光元件而分离形成。空穴传输层65、电子传输层67以及第二电极68可以与多个发光元件62R、62G、62B共用地形成，也可以按照各发光元件形成。需要说明的是，为了防止第一电极64与第二电极68因杂质发生短路而在第一电极64间设置有绝缘层69。此外，由于有机EL层因水分或氧而劣化，因此设置有用于保护有机EL元件免于遭受水分或氧的保护层P。
接下来，具体说明作为电子器件的有机EL显示装置的制造方法的例子。首先，准备形成有用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)及第一电极64的基板10。
接下来，在形成有第一电极64的基板10上通过旋涂形成丙烯酸树脂，将丙烯酸树脂通过光刻法以在形成有第一电极64的部分形成开口的方式进行制图来形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
接下来，将制图有绝缘层69的基板10向第一成膜装置送入，利用基板保持单元保持基板，将空穴传输层65在显示区域的第一电极64上成膜为共用的层。空穴传输层65通过真空蒸镀来成膜。实际上空穴传输层65形成为比显示区域61大的尺寸，因此不需要高精细的掩模。在此，在本步骤中的成膜、以下的各层的成膜中使用的成膜装置是上述各实施方式的任一记载的成膜装置。
接下来，将连空穴传输层65都形成了的基板10向第二成膜装置送入，利用基板保持单元进行保持。进行基板与掩模的对准，将基板载置于掩模上，在基板10的配置发出红色的元件的部分成膜出发出红色的发光层66R。根据本例，能够使掩模与基板良好地重合，能够进行高精度的成膜。
与发光层66R的成膜同样地，通过第三成膜装置成膜出发出绿色的发光层66G，进而通过第四成膜装置成膜出发出蓝色的发光层66B。在发光层66R、66G、66B的成膜完成之后，通过第五成膜装置在显示区域61的整体成膜出电子传输层67。电子传输层67在3色的发光层66R、66G、66B形成为共用的层。
将连电子输送层65都形成了的基板向溅射装置移动，成膜出第二电极68，然后向等离子体CVD装置移动而成膜出保护层P，有机EL显示装置60完成。
从将制图有绝缘层69的基板10向成膜装置送入至保护层P的成膜完成为止，如果暴露在包含水分或氧的气氛中，则由有机EL材料构成的发光层可能因水分或氧而劣化。因此，在本例中，在真空气氛或非活性气体气氛下进行成膜装置间的基板的送入送出。
根据本实施方式的对准装置、成膜装置或电子器件的制造方法，成膜时的基板与掩模的位置对合的精度提高，因此能够进行良好的成膜。

Claims (26)

1.一种对准装置，具备：
掩模支承机构，所述掩模支承机构支承掩模；
基板支承机构，所述基板支承机构在与所述掩模平行的面中支承基板；
拍摄机构，所述拍摄机构拍摄设置于所述掩模的掩模标记和设置于所述基板的基板标记；
对焦范围变更机构，所述对焦范围变更机构变更所述拍摄机构的对焦范围；及
对准机构，所述对准机构调整所述掩模与所述基板的相对位置，
所述对准装置的特征在于，
在所述对焦范围变更机构以包含所述掩模标记的方式变更了所述对焦范围的状态下，所述拍摄机构进行拍摄所述掩模标记的第一拍摄动作，
在所述基板支承机构使所述基板移动到与所述掩模不接触的位置，且所述对焦范围变更机构以包含所述基板标记的方式变更了所述对焦范围的状态下，所述拍摄机构进行拍摄所述基板标记的第二拍摄动作，
所述对准机构使用通过所述第一拍摄动作拍摄到的所述掩模标记和通过所述第二拍摄动作拍摄到的所述基板标记，调整所述掩模与所述基板的相对位置。
2.根据权利要求1所述的对准装置，其特征在于，
所述对准机构具备：
垂直移动机构，所述垂直移动机构使所述基板和所述掩模中的至少任一者沿着与所述基板支承机构的支承面或所述掩模支承机构的支承面垂直的方向移动；以及
面内移动机构，所述面内移动机构使所述基板和所述掩模中的至少任一者在与所述基板支承机构的支承面或所述掩模支承机构的支承面平行的面内移动。
3.根据权利要求2所述的对准装置，其特征在于，
所述对准机构的所述面内移动机构使所述基板和所述掩模中的至少任一者移动，以使所述掩模标记与所述基板标记成为规定的位置关系。
4.根据权利要求1所述的对准装置，其特征在于，
所述对准装置还具备存储由所述拍摄机构拍摄到的掩模标记的存储机构，
所述对准机构使用所述存储机构存储的掩模标记和由所述拍摄机构拍摄到的基板标记，调整所述掩模与所述基板的相对位置。
5.根据权利要求4所述的对准装置，其特征在于，
在对于同一掩模顺次传送来的多个基板与所述掩模之间进行所述相对位置的调整时，对于所述多个基板使用所述存储机构存储的同一掩模标记进行所述相对位置的调整。
6.根据权利要求4所述的对准装置，其特征在于，
在所述基板支承机构使所述基板移动到与所述掩模接触的位置，且所述对焦范围变更机构以包含所述掩模标记及所述基板标记的方式变更了所述对焦范围的状态下，所述拍摄机构进行拍摄该掩模标记及该基板标记的第三拍摄动作，
在所述存储机构存储的所述掩模标记与通过第三拍摄动作拍摄到的所述掩模标记的位置偏离量超过了规定值的情况下，使用通过所述第三拍摄动作拍摄到的所述掩模标记对所述存储机构存储的掩模标记进行更新。
7.根据权利要求1所述的对准装置，其特征在于，
所述对焦范围变更机构通过使所述拍摄机构沿着与支承所述掩模的面垂直的方向移动来变更所述对焦范围。
8.根据权利要求1所述的对准装置，其特征在于，
所述对焦范围变更机构通过所述拍摄机构具有的机构来变更所述对焦范围。
9.根据权利要求4所述的对准装置，其特征在于，
所述对准机构在进行所述基板与所述掩模的位置对合时，进行第一对准和位置对合的精度比所述第一对准高的第二对准，在所述第二对准中进行使用了所述存储机构存储的掩模标记的对准。
10.根据权利要求9所述的对准装置，其特征在于，
所述拍摄机构包括用于所述第一对准的第一拍摄机构和用于所述第二对准的第二拍摄机构，所述第二拍摄机构的景深比所述第一拍摄机构的景深浅。
11.根据权利要求10所述的对准装置，其特征在于，
在以所述基板与所述掩模不接触的程度而存在所述基板与所述掩模的间隔的情况下，所述第一拍摄机构具有能够拍摄所述基板标记和所述掩模标记这两方的景深，所述第二拍摄机构具有无法拍摄所述基板标记和所述掩模标记这两方的景深。
12.根据权利要求1所述的对准装置，其特征在于，
在以所述基板与所述掩模不接触的程度而存在所述基板与所述掩模的间隔的情况下，所述拍摄机构具有无法拍摄所述基板标记和所述掩模标记这两方的景深。
13.一种成膜装置，其特征在于，具备：
腔室；
所述腔室中具备的权利要求1～12中任一项所述的对准装置；及
在调整了所述相对位置之后，在使所述掩模与所述基板接触的状态下经由所述掩模在所述基板上进行成膜的成膜机构。
14.一种对准方法，是对准装置中的基板与掩模的对准方法，所述对准装置具备支承掩模的掩模支承机构、在与所述掩模平行的面中支承基板的基板支承机构、以及拍摄设置于所述掩模的掩模标记和设置于所述基板的基板标记的拍摄机构，所述对准方法的特征在于，包括：
第一拍摄工序，将所述拍摄机构的对焦范围设为包含支承于所述掩模支承机构的掩模的掩模标记的范围而拍摄该掩模标记；
移动工序，使支承有基板的所述基板支承机构移动到该基板与支承于所述掩模支承机构的所述掩模不接触的位置；
第二拍摄工序，在所述移动工序之后，将所述对焦范围设为包含所述基板标记的范围而拍摄该基板标记；及
对准工序，使用在所述第一拍摄工序中拍摄到的掩模标记和在所述第二拍摄工序中拍摄到的基板标记，调整所述掩模与所述基板的相对位置。
15.根据权利要求14所述的对准方法，其特征在于，
所述对准工序包括：
垂直移动工序，使所述基板和所述掩模中的至少任一者沿着与所述基板支承机构的支承面或所述掩模支承机构的支承面垂直的方向移动；及
面内移动工序，使所述基板和所述掩模中的至少任一者在与所述基板支承机构的支承面或所述掩模支承机构的支承面平行的面内移动。
16.根据权利要求15所述的对准方法，其特征在于，
在所述对准工序的所述面内移动工序中，使所述基板和所述掩模中的至少任一者移动，以使所述掩模标记与所述基板标记成为规定的位置关系。
17.根据权利要求14所述的对准方法，其特征在于，
所述对准装置还具备存储机构，
所述对准方法还包括存储由所述拍摄机构拍摄到的掩模标记的存储工序，
在所述对准工序中，使用所述存储机构存储的掩模标记和由所述拍摄机构拍摄到的基板标记，调整所述掩模与所述基板的相对位置。
18.根据权利要求17所述的对准方法，其特征在于，
当在对于同一掩模顺次传送来的多个基板与所述掩模之间进行所述相对位置的调整时，对于所述多个基板使用所述存储工序中存储的同一掩模标记进行所述相对位置的调整。
19.根据权利要求17所述的对准方法，其特征在于，
所述对准方法还包括：
第三拍摄工序，将所述对焦范围设为包含支承于所述掩模支承机构的掩模的掩模标记及与该掩模接触的基板的基板标记的范围而拍摄该掩模标记及该基板标记；及
更新工序，在所述存储机构存储的所述掩模标记与通过第三拍摄工序拍摄到的所述掩模标记的位置偏离量超过了规定值的情况下，使用通过所述第三拍摄工序拍摄到的所述掩模标记对所述存储机构存储的掩模标记进行更新。
20.根据权利要求14所述的对准方法，其特征在于，
所述对准方法还包括通过使所述拍摄机构沿着与支承所述掩模的面垂直的方向移动来变更所述对焦范围的对焦范围变更工序。
21.根据权利要求14所述的对准方法，其特征在于，
所述对准方法还包括通过所述拍摄机构具有的机构变更所述对焦范围的对焦范围变更工序。
22.根据权利要求17所述的对准方法，其特征在于，
在所述对准工序中，在进行所述基板与所述掩模的位置对合时，进行第一对准和位置对合的精度比所述第一对准高的第二对准，在所述第二对准中进行使用了所述存储机构存储的掩模标记的对准。
23.根据权利要求22所述的对准方法，其特征在于，
所述对准装置的所述拍摄机构包括用于所述第一对准的第一拍摄机构和用于所述第二对准的第二拍摄机构，所述第二拍摄机构的景深比所述第一拍摄机构的景深浅。
24.根据权利要求23所述的对准方法，其特征在于，
在以所述基板与所述掩模不接触的程度而存在所述基板与所述掩模的间隔的情况下，所述第一拍摄机构具有能够拍摄所述基板标记和所述掩模标记这两方的景深，所述第二拍摄机构具有无法拍摄所述基板标记和所述掩模标记这两方的景深。
25.根据权利要求14所述的对准方法，其特征在于，
在以所述基板与所述掩模不接触的程度而存在所述基板与所述掩模的间隔的情况下，所述拍摄机构具有无法拍摄所述基板标记和所述掩模标记这两方的景深。
26.一种成膜方法，是成膜装置中的成膜方法，所述成膜装置具备腔室、所述腔室中具备的用于权利要求14所述的对准方法的对准装置、以及成膜机构，所述成膜方法的特征在于，
所述成膜方法包括在调整了所述相对位置之后，在使所述掩模与所述基板接触的状态下经由所述掩模在所述基板上进行成膜的成膜工序。
CN202110978988.9A 2020-08-26 2021-08-25 对准装置及对准方法、以及成膜装置及成膜方法 Active CN114107937B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-142409 2020-08-26
JP2020142409A JP2022038099A (ja) 2020-08-26 2020-08-26 アライメント装置およびアライメント方法、ならびに成膜装置および成膜方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114107937A true CN114107937A (zh) 2022-03-01
CN114107937B CN114107937B (zh) 2024-02-02

Family

ID=80440901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110978988.9A Active CN114107937B (zh) 2020-08-26 2021-08-25 对准装置及对准方法、以及成膜装置及成膜方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2022038099A (zh)
KR (1) KR102665607B1 (zh)
CN (1) CN114107937B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006176809A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Ulvac Japan Ltd 基板とマスクのアライメント方法および有機薄膜蒸着方法ならびにアライメント装置
JP2009075142A (ja) * 2007-08-31 2009-04-09 V Technology Co Ltd 露光方法
CN105593396A (zh) * 2013-09-27 2016-05-18 佳能特机株式会社 对准方法以及对准装置
CN111128828A (zh) * 2018-10-31 2020-05-08 佳能特机株式会社 吸附及对准方法、吸附系统、成膜方法及装置、电子器件的制造方法
CN111378925A (zh) * 2018-12-27 2020-07-07 佳能特机株式会社 对准系统、成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5204739A (en) 1992-02-07 1993-04-20 Karl Suss America, Inc. Proximity mask alignment using a stored video image
JP4809288B2 (ja) * 2007-05-15 2011-11-09 株式会社アルバック 位置合わせ方法、薄膜形成方法
JP2017222009A (ja) 2016-06-16 2017-12-21 ローランドディー．ジー．株式会社 回転軸ユニット、加工装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006176809A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Ulvac Japan Ltd 基板とマスクのアライメント方法および有機薄膜蒸着方法ならびにアライメント装置
JP2009075142A (ja) * 2007-08-31 2009-04-09 V Technology Co Ltd 露光方法
CN105593396A (zh) * 2013-09-27 2016-05-18 佳能特机株式会社 对准方法以及对准装置
CN111128828A (zh) * 2018-10-31 2020-05-08 佳能特机株式会社 吸附及对准方法、吸附系统、成膜方法及装置、电子器件的制造方法
CN111378925A (zh) * 2018-12-27 2020-07-07 佳能特机株式会社 对准系统、成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN114107937B (zh) 2024-02-02
KR20220027029A (ko) 2022-03-07
KR102665607B1 (ko) 2024-05-10
JP2022038099A (ja) 2022-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6611389B2 (ja) アライメント装置、アライメント方法、成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
CN110416140B (zh) 基板搬送系统、电子设备的制造装置及电子设备的制造方法
CN112962061B (zh) 对准标记位置检测装置、蒸镀装置和电子器件的制造方法
CN111519158B (zh) 基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法
KR101979149B1 (ko) 얼라인먼트 방법, 이를 사용한 증착방법 및 전자디바이스 제조방법
CN107851603B (zh) 基板载置方法、成膜方法、电子设备的制造方法
CN111378925B (zh) 对准系统、成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法
JP7244401B2 (ja) アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
KR102405438B1 (ko) 마스크 위치조정장치, 성막장치, 마스크 위치조정방법, 성막방법, 및 전자디바이스의 제조방법
CN114318229B (zh) 成膜装置、调整方法及电子器件的制造方法
CN114540758B (zh) 对准方法、成膜方法及电子器件的制造方法
KR102582574B1 (ko) 얼라인먼트 장치, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 프로그램, 및 기억 매체
CN114107937B (zh) 对准装置及对准方法、以及成膜装置及成膜方法
CN113851407A (zh) 对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法及存储介质
CN113851406A (zh) 对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法及存储介质
CN112442655B (zh) 掩模对准方法、成膜方法、掩模对准装置及成膜装置
CN114622160A (zh) 对准装置、成膜装置、对准方法、成膜方法及电子器件的制造方法
JP2022083696A (ja) 成膜方法および成膜装置
KR20210028626A (ko) 얼라인먼트 장치, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 성막 방법, 및 전자 디바이스 제조방법
CN115341178A (zh) 成膜装置、存储介质、位置检测精度评价方法、成膜装置调整方法及电子器件的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant