CN111484845A - 一种蓝光核壳量子点的制备方法 - Google Patents
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 108
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 84
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 67
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 239000012688 phosphorus precursor Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 33
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 27
- UAYWVJHJZHQCIE-UHFFFAOYSA-L zinc iodide Chemical compound I[Zn]I UAYWVJHJZHQCIE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 24
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 19
- VNDYJBBGRKZCSX-UHFFFAOYSA-L zinc bromide Chemical compound Br[Zn]Br VNDYJBBGRKZCSX-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 16
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 16
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 14
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 12
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 10
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 10
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 claims description 8
- 229940102001 zinc bromide Drugs 0.000 claims description 8
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 claims description 8
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 claims description 8
- FDIOSTIIZGWENY-UHFFFAOYSA-N n-[bis(diethylamino)phosphanyl]-n-ethylethanamine Chemical compound CCN(CC)P(N(CC)CC)N(CC)CC FDIOSTIIZGWENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XVDBWWRIXBMVJV-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)phosphanyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)P(N(C)C)N(C)C XVDBWWRIXBMVJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- OUMZKMRZMVDEOF-UHFFFAOYSA-N tris(trimethylsilyl)phosphane Chemical compound C[Si](C)(C)P([Si](C)(C)C)[Si](C)(C)C OUMZKMRZMVDEOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N Octadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCN REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N octane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCS KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JKNHZOAONLKYQL-UHFFFAOYSA-K tribromoindigane Chemical compound Br[In](Br)Br JKNHZOAONLKYQL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- RMUKCGUDVKEQPL-UHFFFAOYSA-K triiodoindigane Chemical compound I[In](I)I RMUKCGUDVKEQPL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- -1 decathiol Chemical compound 0.000 claims description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- 229910000337 indium(III) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XGCKLPDYTQRDTR-UHFFFAOYSA-H indium(iii) sulfate Chemical compound [In+3].[In+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O XGCKLPDYTQRDTR-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 26
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 17
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 16
- 239000011257 shell material Substances 0.000 description 14
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 11
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 10
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 4
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ORFSSYGWXNGVFB-UHFFFAOYSA-N sodium 4-amino-6-[[4-[4-[(8-amino-1-hydroxy-5,7-disulfonaphthalen-2-yl)diazenyl]-3-methoxyphenyl]-2-methoxyphenyl]diazenyl]-5-hydroxynaphthalene-1,3-disulfonic acid Chemical compound COC1=C(C=CC(=C1)C2=CC(=C(C=C2)N=NC3=C(C4=C(C=C3)C(=CC(=C4N)S(=O)(=O)O)S(=O)(=O)O)O)OC)N=NC5=C(C6=C(C=C5)C(=CC(=C6N)S(=O)(=O)O)S(=O)(=O)O)O.[Na+] ORFSSYGWXNGVFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadecene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 2
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 2
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000003698 anagen phase Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 125000001741 organic sulfur group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- QOQNJVLFFRMJTQ-UHFFFAOYSA-N trioctyl phosphite Chemical compound CCCCCCCCOP(OCCCCCCCC)OCCCCCCCC QOQNJVLFFRMJTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
- C09K11/701—Chalcogenides
- C09K11/703—Chalcogenides with zinc or cadmium
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
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Abstract
本发明提供一种蓝光核壳量子点的制备方法，包括：以有机磷为磷源制备磷前驱体溶液；以铟无机盐作为铟源制备铟前驱体溶液；其中，所述铟前驱体溶液和磷前驱体溶液中，铟原子和磷原子的摩尔比为1:1；所述采用热注入法，利用所述铟前驱体溶液和磷前驱体溶液生成InP量子点；在所述InP量子点表面包覆壳层，得到所述蓝光核壳量子点。该方法制备的量子点材料，不含重金属离子，具有更好的生物兼容性，且荧光发射具有优良的可调性。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种蓝光核壳量子点的制备方法。
背景技术
半导体纳米晶由于具有荧光峰位可调、半峰宽窄、荧光量子产率高等特点，已经被广泛应用于显示等领域。然而，半导体纳米晶应用于电致发光二极管以及相应显示器件，尤其是蓝光二极管还存在很大技术挑战。该挑战主要在于制备荧光峰位在455nm-475nm、半峰宽小于50nm的面向显示应用的蓝光量子点是非常困难的。
目前研究较多的面向显示应用的蓝光量子点，主要是II-VI族半导体量子点(如CdSe量子点)，但是该体系中含有毒性强和环境污染严重的重金属离子Cd2+，从而限制了其在生物检测和未来显示领域的应用。因此，亟待寻找一种能够不含毒性和污染性的面向显示应用的蓝光量子点。
需要说明的是，在上述背景技术部分发明的信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的目的在于提供一种蓝光核壳量子点的制备方法，解决现有技术存在的一种或多种问题。
根据本发明的一个方面，提供一种蓝光核壳量子点的制备方法，包括：
以有机磷为磷源制备磷前驱体溶液；
以铟无机盐作为铟源制备铟前驱体溶液；其中，所述铟前驱体溶液和磷前驱体溶液中，铟原子和磷原子的摩尔比为1:1；
采用热注入法，利用所述铟前驱体溶液和磷前驱体溶液生成InP量子点；
在所述InP量子点表面包覆壳层，得到所述蓝光核壳量子点。
在本发明的一种示例性实施例中，所述壳层为ZnS。
在本发明的一种示例性实施例中，所述有机磷为三(二甲胺基)膦、三(二乙胺基)膦或三(三甲硅烷基)膦中的任意一种。
在本发明的一种示例性实施例中，所述磷前驱体溶液为所述有机磷；或，所述磷前驱体溶液为包括所述有机磷和有机溶液的混合液；其中，所述有机磷的摩尔量与所述磷前驱体溶液和铟前驱体溶液的混合溶液总体积的关系为，每2-12mL所述混合溶液中含有0.5-3mmol所述有机磷。
在本发明的一种示例性实施例中，所述铟前驱体溶液为包括所述铟无机盐和所述有机溶剂的混合液，所述铟无机盐为氯化铟、溴化铟、碘化铟、硝酸铟或硫酸铟中的任意一种。
在本发明的一种示例性实施例中，所述有机溶剂为油胺、十八胺、十二胺或辛胺中的一种或多种。
在本发明的一种示例性实施例中，所述铟前驱体溶液中还包含锌无机盐，所述锌无机盐为氯化锌、溴化锌、碘化锌、硝酸锌、硬脂酸锌或乙酸锌中的任一种。
在本发明的一种示例性实施例中，所述锌无机盐的摩尔量与所述磷前驱体溶液和铟前驱体溶液的混合溶液总体积的关系为，每2-12mL所述混合溶液中含有1-4mmol所述锌无机盐。
在本发明的一种示例性实施例中，所述采用热注入法生成InP量子点和在所述InP量子点表面包覆ZnS壳层包括：
将所述铟前驱体溶液加热至180℃-250℃，并将所述磷前驱体溶液快速注入所述铟前驱体溶液中，在180℃-250℃温度下反应5-30mins，生成所述InP量子点；
在180℃-250℃温度下，向所述InP量子点中加入硫前驱体和锌前驱体，然后将温度升高到280℃-330℃，反应0.5-2小时，离心或过滤，得到沉淀物，即为所述蓝光InP/ZnS核壳量子点。
在本发明的一种示例性实施例中，所述硫前驱体为十二硫醇、辛硫醇、硫粉、十硫醇、硫脲中的任一种，所述锌前驱体为氯化锌、溴化锌、碘化锌、硝酸锌、硬脂酸锌或乙酸锌中的任一种。
本发明以InP量子点为核制备出的具有核壳结构的量子点材料，不含重金属离子，具有更好的生物兼容性，且荧光发射具有优良的可调性。采用本方法制备的蓝光量子点材料可以发射出纯净的蓝光，同时量子点尺寸更均匀。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实施方式中蓝色核壳量子点的制备方法流程图；
图2为实施例1的蓝光InP/ZnS核壳量子点的成分分析图；
图3为实施例1的蓝光InP/ZnS核壳量子点的透射电镜图；
图4为实施例1的蓝光InP/ZnS核壳量子点直径的统计图；
图5-图13依次为实施例1-9的蓝光InP/ZnS核壳量子点的吸收光谱和发射光谱；
图14为本实施方式的制备方法中磷源用量对发射光谱的影响示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
本发明实施方式中提供了一种能够发出面向显示应用的蓝色荧光的核壳量子点的制备方法。本发明核壳量子点是以InP量子点为核，在InP量子点表面包覆壳体材料，从而形成的具有核壳结构的量子点荧光材料。
如图1所示，本发明实施方式的制备方法包括：
步骤S1，以有机磷为磷源制备磷前驱体溶液。
步骤S2，以铟无机盐作为铟源制备铟前驱体溶液；其中，铟前驱体溶液和磷前驱体溶液中，铟原子和磷原子的摩尔比为1:1。
步骤S3，采用热注入法，利用铟前驱体溶液和磷前驱体溶液生成InP量子点。
步骤S4，在InP量子点表面包覆壳层，得到蓝光核壳量子点。
本发明以InP量子点为核制备出的具有核壳结构的量子点材料，不含重金属离子，具有更好的生物兼容性，且荧光发射具有优良的可调性。采用本方法制备的蓝光量子点材料可以发射出纯净的蓝光，同时量子点尺寸更均匀。
本发明的核壳量子点中，壳层可以为ZnS、ZnSe等，具体的，壳层为ZnS时可以制备InP/ZnS核壳量子点，壳层为ZnSe时可以制备InP/ZnSe核壳量子点。当然，壳层还可以为其他材料，均可以采用上述方法得到蓝色量子点荧光材料，此处不再一一列举。
以下以制备蓝光InP/ZnS核壳量子点为例，对本发明实施方式的制备方法进行详细说明：
步骤S1中，用于制备磷前驱体溶液的磷源采用有机磷为三(二甲胺基)膦、三(二乙胺基)膦或三(三甲硅烷基)膦中的任意一种。
制备磷前驱体溶液时，可以直接以上述任一种有机磷作为磷前驱体溶液，也可以将上述任一种有机磷加入有机溶剂，以其混合液作为磷前驱体溶液。该有机溶剂可以选择有机胺类溶剂，具体可以为油胺、十八胺、十二胺或辛胺中的一种或多种，当然也可以选择醇类或其他有机溶剂。
本实施方式中，以磷前驱体溶液和铟前驱体溶液的混合溶液总体积作为参考，有机磷的摩尔量与混合溶液总体积的关系为：每2-12mL混合溶液中含有0.5-3mmol有机磷。当有机磷在该浓度范围内时，制备出的蓝光InP/ZnS核壳量子点的发射峰均位于455nm-475nm波段，且半峰宽小于50nm，该量子点材料用于显示器件时可以发出更纯净的蓝光，符合显示器件的要求。
需要特别指出的是，本发明中所涉及的数值范围均包括两个端点值，以0.5-3mmol有机磷为例，表明有机磷摩尔量可以为0.5mmol、3mmol以及0.5-3之间的所有数值，例如0.5mmol、1mmol、1.5mmol、1.8mmol、2mmol、2.5mmol、3mmol等。
步骤S2中，用于制备铟前驱体溶液的铟源采用铟无机盐，具体可以为氯化铟、溴化铟、碘化铟、硝酸铟或硫酸铟中的任意一种。
制备铟前驱体溶液的具体方法可以为：将铟无机盐加入有机溶剂溶解后得到铟前驱体溶液。由于铟无机盐性质不稳定，因此混合时需要在惰性气体保护下进行，同时在加热条件下进行搅拌，以提高溶解速率，待溶液澄清后，即得到铟前驱体溶液。
本实施方式中，该有机溶剂与前述磷前驱体溶液中的有机溶剂作用相同，均用作前驱体的载体溶剂，因此可以选择相同的有机溶剂。
作为进一步的优化，本步骤在制备铟前驱体溶液时，还加入了锌无机盐，锌无机盐可以控制InP晶粒生长状态，使其能够保持较小的尺寸。锌无机盐可以采用氯化锌、溴化锌、碘化锌、硝酸锌、硬脂酸锌或乙酸锌等无机盐中的任意一种。锌无机盐的摩尔量与磷前驱体溶液和铟前驱体溶液的混合溶液总体积的关系为，每2-12mL混合溶液中含有1-4mmol锌无机盐。
步骤S3中，热注入法生成InP量子点的原理是，采用快速注入方式在特定温度下将磷前驱体溶液注入到铟前驱体溶液中，使纳米晶体快速成核并生长。由于磷前驱体溶液的快速注入，溶液过饱和度瞬间增大，发生均匀成核。随着成核的进行，溶液过饱和度下降，成核终止，反应进入晶核生长阶段。成核和生长阶段的分离使各InP晶粒的生长状态基本一致，保证了InP的单分散性。
本实施方式中，热注入法的具体步骤可以按照如下步骤进行：将铟前驱体溶液加热至180℃-250℃，并将所述磷前驱体溶液快速注入到铟前驱体溶液中，在180℃-250℃温度下反应5-30mins，即可生成InP量子点。
步骤S4中，用于形成壳层的硫前驱体可以采用硫单质或含硫有机物，例如可以是十二硫醇、辛硫醇、硫粉、十硫醇、硫脲中的任一种。锌前驱体可以为锌盐和非配位有机溶剂形成的混合液，非配位有机溶剂用于溶解锌盐，同时可以防止后续反应中硫和锌形成单独的ZnS晶核。锌盐可以是无机锌盐或有机锌盐，例如氯化锌、溴化锌、碘化锌、硝酸锌、硬脂酸锌或乙酸锌等中的任一种，非配位有机溶剂可以是十八烯、二苯醚、三正辛基氧膦或三正辛基膦等中的任一种。当然，硫前驱体和锌前驱体还可以采用其他化合物，此处不再一一列举。
采用以上列举的前驱体对InP量子点进行壳层包覆时，可以按照如下步骤进行：在180℃-250℃温度下，向InP量子点中加入上述硫前驱体和锌前驱体，然后将温度升高到280℃-330℃，反应0.5-2小时，离心或过滤，得到沉淀物，即得到蓝光InP/ZnS核壳量子点。在较低温度下向InP量子点中加入硫前驱体和锌前驱体，再在较高温度下反应，可以控制整个核壳结构的尺寸，防止其成长的过大。
需要说明的是，在加入硫前驱体和锌前驱体前无需对InP量子点清洗，以避免InP量子点氧化失效。
进一步地，到达反应时间时可以加入过量正己烷使反应停止，这样可以使体系温度迅速降低，及时结束反应，防止ZnS壳层过厚造成整个核壳结构尺寸过大。
以下给出几种具体实施例说明蓝光InP/ZnS核壳量子点的制备方法。
实施例1
步骤S1，磷前驱体溶液的制备：
磷前驱体的制备：将1.8mmol三(二乙胺基)膦和2mL油胺混合，得到磷前驱体溶液。
步骤S2，铟前驱体溶液的制备：
将0.6mmol氯化铟、2.5mmol碘化锌和7mL油胺混合，在惰性气体保护下，加热并搅拌至溶液澄清，得到铟前驱体溶液。
步骤S3，InP量子点的形成：
将步骤S2中铟前驱体溶液加热至220℃，并向其中快速注入步骤S1中的磷前驱体溶液，温度保持在220℃，反应10mins，得到包含InP量子点的反应液。
步骤S4，蓝光InP/ZnS核壳量子点的制备：
上述制备的InP量子点不需清洗，直接进行壳层包覆。具体为：在200℃，先向包含InP量子点的反应液中加入1.5mL十二硫醇作为硫前驱体，再加入锌前驱体(1.2mmol的硬脂酸锌和4mL的三正辛基膦混合溶液)，随后，将温度升高到310℃，反应40分钟。向上述反应体系中加入过量正己烷使反应停止，7000rpm转速下离心3min后，倒掉上清液，即得到蓝光InP/ZnS核壳量子点。荧光量子产率为21％。
如图2所示为本实施例的蓝光InP/ZnS核壳量子点的成分分析图，从成分分析中可以知道其组成元素为In、P、Zn和S。如图3所示为InP/ZnS核壳量子点的透射电镜图，InP核直径均为2-3nm，核壳结构的总直径均约为5nm，制备出的量子点材料尺寸均匀度高。如图4所示为本实施例的蓝光InP/ZnS核壳量子点直径的统计图，由图中可看出，本实施方式制备的量子点材料尺寸均匀，是保证能发出纯净蓝光的前提。如图5所示，为蓝光InP/ZnS核壳量子点的吸收光谱和发射光谱，其中，呈下降状态的曲线为吸收光谱，具有上升和下降状态的曲线为发射光谱(以下实施例类似)。由图中可看出，该蓝光量子点的荧光发射峰位为468nm，荧光半峰宽为47nm。
实施例2
与实施例1中不同之处在于：磷前驱体溶液的制备为将0.5mmol三(二乙胺基)膦和1mL十八胺混合。铟前驱体溶液的制备为0.1mmol碘化铟、1mmol氯化锌和2mL十八胺混合。控制温度保持在180℃，反应30mins，得到包含InP量子点的反应液。InP/ZnS核壳量子点的制备为0.5mL辛硫醇作为硫前驱体，锌前驱体为1mmol的乙酸锌和2mL的三正辛基膦混合溶液，控制温度保持在330℃，反应30mins。蓝光InP/ZnS核壳量子点荧光量子产率为15％。
如图6所示，为蓝光InP/ZnS核壳量子点的吸收光谱和发射光谱，由图中可看出，该蓝光量子点的荧光发射峰位为466nm，荧光半峰宽为48nm。
实施例3
与实施例1中不同之处在于：磷前驱体溶液为3mmol三(二乙胺基)膦。铟前驱体溶液的制备为0.4mmol溴化铟、4mmol溴化锌和10mL油胺混合。控制温度保持在250℃，反应5mins，得到包含InP量子点的反应液。InP/ZnS核壳量子点的制备为2mL十硫醇作为硫前驱体，锌前驱体为4mmol的硝酸锌和10mL的十八烯混合溶液，控制温度保持在280℃，反应2h。蓝光InP/ZnS核壳量子点荧光量子产率为15％。
如图7所示，为蓝光InP/ZnS核壳量子点的吸收光谱和发射光谱，由图中可看出，该蓝光量子点的荧光发射峰位为467nm，荧光半峰宽为45nm。
实施例4
与实施例1中不同之处在于：磷前驱体溶液的制备为将0.5mmol三(二甲胺基)膦和1mL十二胺混合。铟前驱体溶液的制备为0.1mmol氯化铟、1mmol碘化锌和2mL十二胺混合。控制温度保持在180℃，反应30mins，得到包含InP量子点的反应液。InP/ZnS核壳量子点的制备为0.5mL十二硫醇作为硫前驱体，锌前驱体为1mmol的氯化锌和2mL的二苯醚混合溶液，控制温度保持在330℃，反应40mins。蓝光InP/ZnS核壳量子点荧光量子产率为8％。
如图8所示，为蓝光InP/ZnS核壳量子点的吸收光谱和发射光谱，由图中可看出，该蓝光量子点的荧光发射峰位为472nm，荧光半峰宽为48nm。
实施例5
与实施例1中不同之处在于：磷前驱体溶液的制备为将1.6mmol三(二甲胺基)膦和2mL辛胺混合。铟前驱体溶液的制备为0.6mmol氯化铟、2.5mmol硝酸锌和7mL辛胺混合。控制温度保持在250℃，反应5mins，得到包含InP量子点的反应液。InP/ZnS核壳量子点的制备为1.5mL十二硫醇作为硫前驱体，锌前驱体为1.2mmol的硬脂酸锌和4mL的三正辛基膦混合溶液，控制温度保持在310℃，反应40mins。蓝光InP/ZnS核壳量子点荧光量子产率为14％。
如图9所示，为蓝光InP/ZnS核壳量子点的吸收光谱和发射光谱，由图中可看出，该蓝光量子点的荧光发射峰位为468nm，荧光半峰宽为47nm。
实施例6
与实施例1中不同之处在于：磷前驱体溶液为3mmol三(二甲胺基)膦。铟前驱体溶液的制备为0.4mmol氯化铟、4mmol乙酸锌和10mL油胺混合。控制温度保持在250℃，反应5mins，得到包含InP量子点的反应液。InP/ZnS核壳量子点的制备为2mL十二硫醇作为硫前驱体，锌前驱体为4mmol的硬脂酸锌和10mL的三正辛基膦混合溶液，控制温度保持在280℃，反应2h。蓝光InP/ZnS核壳量子点荧光量子产率为13％。
如图10所示，为蓝光InP/ZnS核壳量子点的吸收光谱和发射光谱，由图中可看出，该蓝光量子点的荧光发射峰位为471nm，荧光半峰宽为48nm。
实施例7
与实施例1中不同之处在于：磷前驱体溶液的制备为将0.5mmol三(三甲硅烷基)膦和1mL油胺混合。铟前驱体溶液的制备为0.1mmol氯化铟、1mmol碘化锌和2mL油胺混合。控制温度保持在180℃，反应30mins，得到包含InP量子点的反应液。InP/ZnS核壳量子点的制备为0.5mL十二硫醇作为硫前驱体，锌前驱体为1mmol的溴化锌和2mL的三正辛基膦混合溶液)，控制温度保持在330℃，反应40mins。蓝光InP/ZnS核壳量子点荧光量子产率为3％。
如图11所示，为蓝光InP/ZnS核壳量子点的吸收光谱和发射光谱，由图中可看出，该蓝光量子点的荧光发射峰位为475nm，荧光半峰宽为50nm。
实施例8
与实施例1中不同之处在于：磷前驱体溶液的制备为将1.6mmol三(三甲硅烷基)膦和2mL油胺混合。铟前驱体溶液的制备为0.6mmol氯化铟、2.5mmol碘化锌和7mL油胺混合。控制温度保持在250℃，十二硫醇作为硫前驱体反应5mins，得到包含InP量子点的反应液。InP/ZnS核壳量子点的制备为1.5mL，锌前驱体为1.2mmol的碘化锌和4mL的三正辛基膦混合溶液，控制温度保持在310℃，反应40mins。蓝光InP/ZnS核壳量子点荧光量子产率为5％。
如图12所示，为蓝光InP/ZnS核壳量子点的吸收光谱和发射光谱，由图中可看出，该蓝光量子点的荧光发射峰位为475nm，荧光半峰宽为49nm。
实施例9
与实施例1中不同之处在于：磷前驱体溶液的制备为3mmo三(三甲硅烷基)膦。铟前驱体溶液的制备为0.4mmol氯化铟、4mmol碘化锌和10mL油胺混合。控制温度保持在250℃，反应5mins，得到包含InP量子点的反应液。InP/ZnS核壳量子点的制备为2mL十二硫醇作为硫前驱体，锌前驱体为4mmol的硬脂酸锌和10mL的三正辛基膦混合溶液，控制温度保持在280℃，反应2h。蓝光InP/ZnS核壳量子点荧光量子产率为4％。
如图13所示，为蓝光InP/ZnS核壳量子点的吸收光谱和发射光谱，由图中可看出，该蓝光量子点的荧光发射峰位为472nm，荧光半峰宽为48nm。
下面为磷源用量对发射光谱和产率的影响的研究结果。
以三(二乙胺基)膦为磷源，分析有机磷的用量对发射光谱的影响。如图14所示，图中L1表示每2-12mL总溶液体积中有机磷摩尔量为1.8mmol时制备的InP/ZnS核壳量子点的发射光谱，L2表示每2-12mL总溶液体积中有机磷摩尔量为0.4mmol时制备的InP/ZnS核壳量子点的发射光谱，L3表示每2-12mL总溶液体积中有机磷摩尔量为3.2mmol时制备的InP/ZnS核壳量子点的发射光谱。经分析发现，每2-12mL总溶液体积中，有机磷摩尔量低于0.5mmol时，生成的蓝光InP/ZnS核壳量子点不产生荧光；有机磷摩尔量高于3mmol时，发射峰位会发生红移，蓝光纯净度下降；当有机磷摩尔量在0.5-3mmol之间时，制备出的InP/ZnS核壳量子点的发射峰均位于455nm-475nm波段且半峰宽小于50nm。
在上述基础上，进一步对有机磷用量对产率的影响进行研究，发现当每2-12mL总溶液体积中有机磷摩尔量为1.2-2.5mmol时，制备的InP/ZnS核壳量子点的产率最高，达到21％。而有机磷摩尔量为0.5-3mmol范围中其余的用量时，得到的蓝光InP/ZnS核壳量子点量子产率约为15％。
以三(二甲胺基)膦或三(三甲硅烷基)膦为磷源时，可以发现有机磷用量对发射光谱的影响与三(二乙胺基)膦为磷源时类似。每2-12mL总溶液体积中，有机磷摩尔量低于0.5mmol时，生成的蓝光InP/ZnS核壳量子点不产生荧光；有机磷摩尔量高于3mmol时，发射峰位将红移致480nm，不属于蓝光显示波段；当有机磷摩尔量在0.5-3mmol之间时，制备出的InP/ZnS核壳量子点也可以发出蓝光。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本发明的其它实施方案。本发明旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
Claims (10)
1.一种蓝光核壳量子点的制备方法，其特征在于，包括：
以有机磷为磷源制备磷前驱体溶液；
以铟无机盐作为铟源制备铟前驱体溶液；其中，所述铟前驱体溶液和磷前驱体溶液中，铟原子和磷原子的摩尔比为1:1；
采用热注入法，利用所述铟前驱体溶液和磷前驱体溶液生成InP量子点；
在所述InP量子点表面包覆壳层，得到所述蓝光核壳量子点。
2.根据权利要求1所述的蓝光核壳量子点的制备方法，其特征在于，所述壳层为ZnS。
3.根据权利要求2所述的蓝光核壳量子点的制备方法，其特征在于，所述有机磷为三(二甲胺基)膦、三(二乙胺基)膦或三(三甲硅烷基)膦中的任意一种。
4.根据权利要求3所述的蓝光核壳量子点的制备方法，其特征在于，所述磷前驱体溶液为所述有机磷；或，
所述磷前驱体溶液为所述有机磷和有机溶液的混合液；其中，所述有机磷的摩尔量与所述磷前驱体溶液和铟前驱体溶液的混合溶液总体积的关系为，每2-12mL所述混合溶液中含有0.5-3mmol所述有机磷。
5.根据权利要求1所述的蓝光核壳量子点的制备方法，其特征在于，所述铟前驱体溶液为包括所述铟无机盐和所述有机溶剂的混合液，所述铟无机盐为氯化铟、溴化铟、碘化铟、硝酸铟或硫酸铟中的任意一种。
6.根据权利要求4或5所述的蓝光核壳量子点的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为油胺、十八胺、十二胺或辛胺中的一种或多种。
7.根据权利要求5所述的蓝光核壳量子点的制备方法，其特征在于，所述铟前驱体溶液中还包含锌无机盐，所述锌无机盐为氯化锌、溴化锌、碘化锌、硝酸锌、硬脂酸锌或乙酸锌中的任一种。
8.根据权利要求7所述的蓝光核壳量子点的制备方法，其特征在于，所述锌无机盐的摩尔量与所述磷前驱体溶液和铟前驱体溶液的混合溶液总体积的关系为，每2-12mL所述混合溶液中含有1-4mmol所述锌无机盐。
9.根据权利要求2所述的蓝光核壳量子点的制备方法，其特征在于，所述采用热注入法生成InP量子点和在所述InP量子点表面包覆ZnS壳层包括：
将所述铟前驱体溶液加热至180℃-250℃，并将所述磷前驱体溶液快速注入所述铟前驱体溶液中，在180℃-250℃温度下反应5-30mins，生成所述InP量子点；
在180℃-250℃温度下，向所述InP量子点中加入硫前驱体和锌前驱体，然后将温度升高到280℃-330℃，反应0.5-2小时，离心或过滤，得到沉淀物，即为所述蓝光InP/ZnS核壳量子点。
10.根据权利要求9所述的蓝光核壳量子点的制备方法，其特征在于，所述硫前驱体为十二硫醇、辛硫醇、硫粉、十硫醇、硫脲中的任一种，所述锌前驱体为氯化锌、溴化锌、碘化锌、硝酸锌、硬脂酸锌或乙酸锌中的任一种。
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