CN111440613A - 一种tmah系各向异性硅蚀刻液及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种TMAH系各向异性硅蚀刻液及其制备方法，所述蚀刻液包括18～25％重量份电子级四甲基氢氧化铵，3～10％重量份电子级四乙基氢氧化铵，1.3～2.8％重量份添加剂，0.01～0.2％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％，其中所述添加剂包括1～2％重量份挥发剂和0.3～0.8％重量份催化剂，所述催化剂包括0.1～0.3％重量份调整蚀刻速度的催化剂、0.2～0.5％重量份改善硅表面平整度的催化剂。其制备方法包括在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵、在不断搅拌条件下加入电子级四乙基氢氧化铵、添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上。本发明制备的一种TMAH系各向异性硅蚀刻液具有较好的蚀刻精细度、蚀刻速率及蚀刻后硅片表面平整度。

Description

一种TMAH系各向异性硅蚀刻液及其制备方法

技术领域

本发明涉及半导体材料蚀刻领域，具体涉及一种TMAH系各向异性硅蚀刻液及其制备方法。

背景技术

随着信息社会的发展，微机械加工技术越来越广泛的应用于微电子机械系统(MEMS)中。体硅加工技术一般是指利用蚀刻工艺对块状硅进行准三维结构的微加工，其中体硅的各项异性腐蚀技术是微机械加工技术工艺主要技术之一，它被广泛的应用于加工各种各样的微结构如凹槽结构(带膜或者无膜的孔腔)、凸出结构(金字塔的针尖、台面结构)、到金字塔的孔腔结构以及悬臂结构等，近年来也被用于各种纳米结构的制作。一般各向异性硅蚀刻液采用碱性物质，以KOH、EDP(乙二胺邻苯二酚)和TMAH为主要体系，但KOH容易引入金属离子，玷污体硅，且工艺温度高、稳定性差，EDP为有毒物质对环境不利。TMAH硅蚀刻液具有性能较好、不引入金属离子、无毒等优势，但存在蚀刻速率过慢的问题，因此开发出一款蚀刻速率快、各向异性性能优异的高精细度TMAH系硅蚀刻液具有重要的意义。

现有技术中，专利号为ZL200880109890.2的中国专利公开了硅蚀刻液和蚀刻方法，该硅蚀刻液为氢氧化季铵和氨基胍盐的水溶液，可以达成对硅的高蚀刻速度，可以缩短蚀刻加工所需时间。专利号为ZL200980116681.5的中国专利公开了硅蚀刻液和蚀刻方法，该硅蚀刻液为含有碱金属氢氧化物、羟基胺和无机碳酸化合物的pH值12以上的碱性水溶液，其可在维持含有羟基胺的碱性水溶液的特长、即蚀刻速度快的基础上，抑制羟基胺的分解，从而抑制蚀刻速度的降低，实现含有羟基胺的硅蚀刻液的长寿命化。申请号为200980129912.6的中国专利公开了硅蚀刻液和蚀刻方法，硅蚀刻液为是含有(A)四甲基氢氧化铵、(B)羟基胺、以及(C)二氧化碳(CO₂)和/或四甲基碳酸铵盐的、pH值13以上的碱性水溶液，其可在维持含有羟基胺的碱性水溶液的特长、即蚀刻速度快的基础上，抑制羟基胺的分解，从而抑制蚀刻速度的降低，实现含有羟基胺的硅蚀刻液的长寿命化。专利号为ZL201280011143.1的中国专利公开了形成电容器结构的方法以及用于其的硅蚀刻液，该硅蚀刻液含碱化合物和羟胺化合物的组合，且其pH被调节为11或大于11，该蚀刻液能够有效移除待形成凹凸结构电容器内的单晶硅和多晶硅。申请号为201810568337.0的中国专利公开了一种蚀刻液组成物，该硅蚀刻液含四级铵盐碱性化合物和胺类化合物，该蚀刻液组成物对于硅的不同结晶方向具有接近的蚀刻速率，能降低不同结晶面的硅的蚀刻速率差。

《传感技术学报》2006第19期第3卷的第593-596页中公开了添加剂过硫酸铵有利于改善硅微腔表面平整度，《广西师范大学学报(自然科学版)》2014第32期第2卷的第55-59页中公开了异丙醇和氧化剂协同作用提高了硅刻蚀表面的光洁度。

然而就硅蚀刻而言，不仅对硅片无玷污、蚀刻速度和表面平整度上有较高的要求，随着器件精度的提高，对于硅片表面蚀刻精细度也提出了较高的要求。碱性硅蚀刻液能够各向异性地对硅片进行蚀刻，相对于无机碱而言，有机碱具有不引入金属离子的优点，但同时会降低硅的蚀刻速度，同时硅与碱反应会生成气体，气体如果长时间在硅片表面停留极易造成硅片的蚀刻不均匀，硅片平整度差。另一方面，有机碱硅蚀刻液与硅片表面润湿性差，容易造成蚀刻不均匀，精细度差，表面粗糙度高。再者，有机碱对于硅的不同面蚀刻速度差别大，蚀刻过程中容易在表面形成小丘从而降低平整度。而上述专利中所述的硅蚀刻液均只针对性地解决了部分问题，不能满足硅蚀刻的所有技术要求。而非专利文献中仅仅只研究了部分添加剂对改善硅蚀刻的影响，也不能全面解决上述问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种TMAH系各向异性硅蚀刻液及其制备方法，可解决现有技术的不足，其制备的蚀刻液具有较好的蚀刻精细度、蚀刻速率以及蚀刻后硅片表面平整度。

为解决上述技术问题，本发明提供的一种TMAH系各向异性硅蚀刻液，包括18～25％重量份电子级四甲基氢氧化铵，3～10％重量份电子级四乙基氢氧化铵，1.3～2.8％重量份添加剂，0.01～0.2％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％，其中所述添加剂包括1～2％重量份挥发剂和0.3～0.8％重量份催化剂，所述催化剂包括0.1～0.3％重量份调整蚀刻速度的催化剂，0.2～0.5％重量份改善硅表面平整度的催化剂。

优选地，所述调整蚀刻速度的催化剂为吡嗪和哌嗪中的至少一种。

优选地，所述改善硅表面平整度的催化剂为过硫酸铵。

优选地，所述挥发剂为异丙醇。

优选地，所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚非离子表面活性剂，其分子式为R-O-(CH₂CH₂O)_nH。

优选地，所述脂肪醇聚氧乙烯醚非离子表面活性剂的R＝C12，n＝9。

所述的TMAH系各向异性硅蚀刻液的制备方法，包括以下步骤：

(1)按比例在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵；

(2)在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级四乙基氢氧化铵；

(3)在不断搅拌的条件下，按比例加入添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上后得到TMAH系各向异性硅蚀刻液。

本发明的有益效果如下：

本发明的TMAH系各向异性硅蚀刻液添加剂包括挥发剂和催化剂，其中催化剂包括调整蚀刻速度的催化剂和改善硅表面平整度的催化剂，通过挥发剂挥发，快速带走硅片表面的气泡，有利于提高硅片的蚀刻均匀性和表面平整度，同时赶走气泡后能够增加硅片与碱性物质的接触面积，有利于提高硅的蚀刻速率。通过调整蚀刻速度的催化剂加速硅的蚀刻速率，有利于弥补有机碱相对于无机碱对硅蚀刻速率的降低。通过改善硅表面平整度的催化剂，有利于降低蚀刻液对于硅各面的蚀刻速率差异，减少硅表面凸起数量，提高硅片平整度。通过表面活性剂降低硅蚀刻液的润湿角，增加蚀刻液的接触面积，有利于提高蚀刻速度和蚀刻精细度，同时也有利于增强蚀刻液的蚀刻均匀性，提高硅片蚀刻的表面平整度。本发明通过三种添加剂与表面活性剂协同作用，有利于提高硅的蚀刻精细度、蚀刻速率以及蚀刻后硅片表面平整度。

具体实施方式

实施例1

一种TMAH系各向异性硅蚀刻液，包括22％重量份电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)，8％重量份电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)，1.5％重量份挥发剂异丙醇，0.2％重量份调整蚀刻速度的催化剂吡嗪，0.1％重量份调整蚀刻速度的催化剂哌嗪，0.3％重量份改善硅表面平整度的催化剂过硫酸铵，0.08％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％。所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚非离子表面活性剂，其分子式为C₁₂-O-(CH₂CH₂O)₉H。

上述TMAH系各向异性硅蚀刻液的其制备方法，包括以下步骤：

(1)按比例在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)；

(2)在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)；

(3)在不断搅拌的条件下，按比例加入添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上后得到TMAH系各向异性硅蚀刻液。

实施例2

一种TMAH系各向异性硅蚀刻液，包括18％重量份电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)，10％重量份电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)，2％重量份挥发剂异丙醇，0.1％重量份调整蚀刻速度的催化剂吡嗪，0.5％重量份改善硅表面平整度的催化剂过硫酸铵，0.2％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％。所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚非离子表面活性剂，其分子式为C₁₂-O-(CH₂CH₂O)₉H。

上述TMAH系各向异性硅蚀刻液的其制备方法，包括以下步骤：

(1)按比例在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)；

(2)在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)；

(3)在不断搅拌的条件下，按比例加入添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上后得到TMAH系各向异性硅蚀刻液。

实施例3

一种TMAH系各向异性硅蚀刻液，包括20％重量份电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)，5％重量份电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)，1.0％重量份挥发剂异丙醇，0.3％重量份调整蚀刻速度的催化剂哌嗪，0.2％重量份改善硅表面平整度的催化剂过硫酸铵，0.15％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％。所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚非离子表面活性剂，其分子式为C₁₂-O-(CH₂CH₂O)₉H。

上述TMAH系各向异性硅蚀刻液的其制备方法，包括以下步骤：

(1)按比例在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)；

(2)在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)；

(3)在不断搅拌的条件下，按比例加入添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上后得到TMAH系各向异性硅蚀刻液。

实施例4

一种TMAH系各向异性硅蚀刻液，包括25％重量份电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)，3％重量份电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)，1.7％重量份挥发剂异丙醇，0.25％重量份调整蚀刻速度的催化剂吡嗪，0.27％重量份改善硅表面平整度的催化剂过硫酸铵，0.06％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％。所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚非离子表面活性剂，其分子式为C₁₂-O-(CH₂CH₂O)₉H。

上述TMAH系各向异性硅蚀刻液的其制备方法，包括以下步骤：

(1)按比例在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)；

(2)在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)；

(3)在不断搅拌的条件下，按比例加入添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上后得到TMAH系各向异性硅蚀刻液。

实施例5

一种TMAH系各向异性硅蚀刻液，包括23％重量份电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)，4％重量份电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)，1.1％重量份挥发剂异丙醇，0.1％重量份调整蚀刻速度的催化剂吡嗪，0.1％重量份调整蚀刻速度的催化剂哌嗪，0.36％重量份改善硅表面平整度的催化剂过硫酸铵，0.1％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％。所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚非离子表面活性剂，其分子式为C₁₂-O-(CH₂CH₂O)₉H。

上述TMAH系各向异性硅蚀刻液的其制备方法，包括以下步骤：

(1)按比例在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)；

(2)在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)；

(3)在不断搅拌的条件下，按比例加入添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上后得到TMAH系各向异性硅蚀刻液。

实施例6

一种TMAH系各向异性硅蚀刻液，包括19％重量份电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)，9％重量份电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)，1.8％重量份挥发剂异丙醇，0.15％重量份调整蚀刻速度的催化剂哌嗪，0.41％重量份改善硅表面平整度的催化剂过硫酸铵，0.01％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％重量份。所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚非离子表面活性剂，其分子式为C₁₂-O-(CH₂CH₂O)₉H。

上述TMAH系各向异性硅蚀刻液的其制备方法，包括以下步骤：

(1)按比例在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)；

(2)在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)；

(3)在不断搅拌的条件下，按比例加入添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上后得到TMAH系各向异性硅蚀刻液。

实施例7

一种TMAH系各向异性硅蚀刻液，包括20％重量份电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)，8％重量份电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)，1.0％重量份挥发剂异丙醇，0.15％重量份调整蚀刻速度的催化剂吡嗪，0.15％重量份调整蚀刻速度的催化剂哌嗪，0.4％重量份改善硅表面平整度的催化剂过硫酸铵，0.05％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％。所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚非离子表面活性剂，其分子式为C₁₂-O-(CH₂CH₂O)₉H。

上述TMAH系各向异性硅蚀刻液的其制备方法，包括以下步骤：

(1)按比例在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)；

(2)在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)；

(3)在不断搅拌的条件下，按比例加入添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上后得到TMAH系各向异性硅蚀刻液。

对比例1

一种TMAH系各向异性硅蚀刻液，包括15％重量份电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)，2％重量份电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)，1.0％重量份挥发剂异丙醇，0.15％重量份调整蚀刻速度的催化剂吡嗪，0.15％重量份调整蚀刻速度的催化剂哌嗪，0.4％重量份改善硅表面平整度的催化剂过硫酸铵，0.05％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％。所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚非离子表面活性剂，其分子式为C₁₂-O-(CH₂CH₂O)₉H。

上述TMAH系各向异性硅蚀刻液的其制备方法，包括以下步骤：

(1)按比例在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)；

(2)在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)；

(3)在不断搅拌的条件下，按比例加入添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上后得到TMAH系各向异性硅蚀刻液。

对比例2

一种TMAH系各向异性硅蚀刻液，包括20％重量份电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)，8％重量份电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)，0.15％重量份调整蚀刻速度的催化剂吡嗪，0.15％重量份调整蚀刻速度的催化剂哌嗪，0.4％重量份改善硅表面平整度的催化剂过硫酸铵，0.05％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％。所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚非离子表面活性剂，其分子式为C₁₂-O-(CH₂CH₂O)₉H。

上述TMAH系各向异性硅蚀刻液的其制备方法，包括以下步骤：

(1)按比例在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)；

(2)在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)；

(3)在不断搅拌的条件下，按比例加入添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上后得到TMAH系各向异性硅蚀刻液。

对比例3

一种TMAH系各向异性硅蚀刻液，包括20％重量份电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)，8％重量份电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)，1.0％重量份挥发剂异丙醇，0.4％重量份改善硅表面平整度的催化剂过硫酸铵，0.05％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％。所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚非离子表面活性剂，其分子式为C₁₂-O-(CH₂CH₂O)₉H。

上述TMAH系各向异性硅蚀刻液的其制备方法，包括以下步骤：

(1)按比例在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)；

(2)在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)；

(3)在不断搅拌的条件下，按比例加入添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上后得到TMAH系各向异性硅蚀刻液。

对比例4

一种TMAH系各向异性硅蚀刻液，包括20％重量份电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)，8％重量份电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)，1.0％重量份挥发剂异丙醇，0.15％重量份调整蚀刻速度的催化剂吡嗪，0.15％重量份调整蚀刻速度的催化剂哌嗪，0.05％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％。所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚非离子表面活性剂，其分子式为C₁₂-O-(CH₂CH₂O)₉H。

上述TMAH系各向异性硅蚀刻液的其制备方法，包括以下步骤：

(1)按比例在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)；

(2)在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)；

(3)在不断搅拌的条件下，按比例加入添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上后得到TMAH系各向异性硅蚀刻液。

对比例5

一种TMAH系各向异性硅蚀刻液，包括20％重量份电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)，8％重量份电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)，1.0％重量份挥发剂异丙醇，0.15％重量份调整蚀刻速度的催化剂吡嗪，0.15％重量份调整蚀刻速度的催化剂哌嗪，0.4％重量份改善硅表面平整度的催化剂过硫酸铵和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％。

上述TMAH系各向异性硅蚀刻液的其制备方法，包括以下步骤：

(1)按比例在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)；

(2)在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)；

(3)在不断搅拌的条件下，按比例加入添加剂和余量水，并循环过滤3h以上后得到TMAH系各向异性硅蚀刻液。

对比例6

一种TMAH系各向异性硅蚀刻液，包括20％重量份电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)，8％重量份电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％。

上述TMAH系各向异性硅蚀刻液的其制备方法，包括以下步骤：

(1)按比例在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵(TMAH)；

(2)在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级四乙基氢氧化铵(TEAH)；

(3)将混合液体循环过滤3h以上后得到TMAH系各向异性硅蚀刻液。

为便于对比，各实施例和对比例组分如下：

表1各实施例和对比例组分表

将预处理好待测的硅片在80℃下用上述实施例1-7、对比例1-6制备的蚀刻液进行蚀刻，浸泡60s，蚀刻结束后将硅片用高纯水进行冲洗并用高纯氮气吹干。其蚀刻速率、蚀刻液接触角及蚀刻结果如下：

表2各实施例和对比例的蚀刻速率、蚀刻液接触角及蚀刻结果

上述实施例中，对比例1与实施例7相比，四乙基氢氧化铵(TEAH)和四乙基氢氧化铵(TEAH)的含量较低，其硅蚀刻速率较低；对比例2与实施例7相比，不添加挥发剂(异丙醇)，其硅蚀刻速率较低，且蚀刻表面较粗糙；对比例3与实施例7相比，不添加调整蚀刻速度的催化剂，其硅蚀刻速率较低；对比例4与实施例7相比，不添加改善硅表面平整度的催化剂(过硫酸铵)，蚀刻表面较粗糙；对比例5与实施例7相比，不添加脂肪醇聚氧乙烯醚非离子表面活性剂，其蚀刻时的接触角大，减小了蚀刻液的接触面积，导致硅蚀刻速率较低，且蚀刻表面较粗糙；对比例6与实施例7相比，不添加挥发剂、催化剂及表面活性剂，其蚀刻速率较低，蚀刻时的接触角大，且蚀刻表面非常粗糙。

综上，本发明中通过添加挥发剂异丙醇，其沸点低易于挥发，能够快速带走硅片表面的气泡，有利于提高硅片的蚀刻均匀性和表面平整度，同时赶走气泡后能够增加硅片与碱性物质的接触面积，有利于提高硅的蚀刻速率。通过添加调整蚀刻速度的催化剂吡嗪和/或哌嗪，能够加速硅的蚀刻速率，有利于弥补有机碱相对于无机碱对硅蚀刻速率的降低。通过添加改善硅表面平整度的催化剂过硫酸铵，其具有氧化性，有利于降低蚀刻液对于硅各面的蚀刻速率差异，减少硅表面凸起数量，提高硅片平整度。通过添加脂肪醇聚氧乙烯醚非离子表面活性剂，能够降低硅蚀刻液的润湿角，增加蚀刻液的接触面积，有利于提高蚀刻速度和蚀刻精细度，同时也有利于增强蚀刻液的蚀刻均匀性，提高硅片蚀刻的表面平整度。以上三类添加剂与表面活性剂协同作用，有利于提高硅的蚀刻精细度、蚀刻速率以及蚀刻后硅片表面平整度。

上述说明是示例性的而非限制性的。通过上述说明本领域技术人员可以意识到本发明的许多种改变和变形，其也将落在本发明的实质和范围之内。

Claims (7)

1.一种TMAH系各向异性硅蚀刻液，其特征在于，包括18～25％重量份电子级四甲基氢氧化铵，3～10％重量份电子级四乙基氢氧化铵，1.3～2.8％重量份添加剂，0.01～0.2％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％，其中所述添加剂包括1～2％重量份挥发剂和0.3～0.8％重量份催化剂，所述催化剂包括0.1～0.3％重量份调整蚀刻速度的催化剂，0.2～0.5％重量份改善硅表面平整度的催化剂。

2.根据权利要求1所述的TMAH系各向异性硅蚀刻液，其特征在于，所述调整蚀刻速度的催化剂为吡嗪和哌嗪中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的TMAH系各向异性硅蚀刻液，其特征在于，所述改善硅表面平整度的催化剂为过硫酸铵。

4.根据权利要求1所述的TMAH系各向异性硅蚀刻液，其特征在于，所述挥发剂为异丙醇。

5.根据权利要求1所述的TMAH系各向异性硅蚀刻液，其特征在于，所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚非离子表面活性剂，其分子式为R-O-(CH₂CH₂O)_nH。

6.根据权利要求1所述的TMAH系各向异性硅蚀刻液，其特征在于，所述脂肪醇聚氧乙烯醚非离子表面活性剂的R＝C12，n＝9。

7.一种如权利要求1所述的TMAH系各向异性硅蚀刻液的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)按比例在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵；

(2)在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级四乙基氢氧化铵；

(3)在不断搅拌的条件下，按比例加入添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上后得到TMAH系各向异性硅蚀刻液。