CN111381459A - 一种光刻胶清洗液 - Google Patents
一种光刻胶清洗液 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111381459A CN111381459A CN201811614037.8A CN201811614037A CN111381459A CN 111381459 A CN111381459 A CN 111381459A CN 201811614037 A CN201811614037 A CN 201811614037A CN 111381459 A CN111381459 A CN 111381459A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cleaning solution
- photoresist
- acid
- photoresist cleaning
- derivatives
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 90
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 65
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- -1 alcohol amine Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- YAMHXTCMCPHKLN-UHFFFAOYSA-N imidazolidin-2-one Chemical compound O=C1NCCN1 YAMHXTCMCPHKLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 4
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 claims description 4
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N N-ethyldiethanolamine Chemical compound OCCN(CC)CCO AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001412 amines Chemical group 0.000 claims description 3
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229940102253 isopropanolamine Drugs 0.000 claims description 3
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N (2s)-2,6-diaminohexanoic acid;(2s)-2-hydroxybutanedioic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O.NCCCC[C@H](N)C(O)=O NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N 0.000 claims description 2
- IBTSWKLSEOGJGJ-UHFFFAOYSA-N (3-acetamidophenyl)boronic acid Chemical compound CC(=O)NC1=CC=CC(B(O)O)=C1 IBTSWKLSEOGJGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PLTGUDDQNWJILD-UHFFFAOYSA-N (3-amino-4-methylphenyl)boronic acid Chemical compound CC1=CC=C(B(O)O)C=C1N PLTGUDDQNWJILD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NBCSHLZUEWFNQN-UHFFFAOYSA-N (3-formamidophenyl)boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC(NC=O)=C1 NBCSHLZUEWFNQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ALTLCJHSJMGSLT-UHFFFAOYSA-N (3-methoxycarbonylphenyl)boronic acid Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC(B(O)O)=C1 ALTLCJHSJMGSLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OBQRODBYVNIZJU-UHFFFAOYSA-N (4-acetylphenyl)boronic acid Chemical compound CC(=O)C1=CC=C(B(O)O)C=C1 OBQRODBYVNIZJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GNRHNKBJNUVWFZ-UHFFFAOYSA-N (4-carbamoylphenyl)boronic acid Chemical compound NC(=O)C1=CC=C(B(O)O)C=C1 GNRHNKBJNUVWFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DCNMATSPQKWETQ-UHFFFAOYSA-N (5-acetylthiophen-2-yl)boronic acid Chemical compound CC(=O)C1=CC=C(B(O)O)S1 DCNMATSPQKWETQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CFQPVBJOKYSPKG-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethylimidazol-2-one Chemical group CN1C=CN(C)C1=O CFQPVBJOKYSPKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VTRRCXRVEQTTOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfinylethane Chemical compound CCS(C)=O VTRRCXRVEQTTOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZCJRWQDZPIIYLM-UHFFFAOYSA-N 2-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)aniline Chemical compound O1C(C)(C)C(C)(C)OB1C1=CC=CC=C1N ZCJRWQDZPIIYLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HJVAFZMYQQSPHF-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(2-hydroxyethyl)amino]ethanol;boric acid Chemical compound OB(O)O.OCCN(CCO)CCO HJVAFZMYQQSPHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GBHCABUWWQUMAJ-UHFFFAOYSA-N 2-hydrazinoethanol Chemical compound NNCCO GBHCABUWWQUMAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CAAMSDWKXXPUJR-UHFFFAOYSA-N 3,5-dihydro-4H-imidazol-4-one Chemical compound O=C1CNC=N1 CAAMSDWKXXPUJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCNFLKVWBDNNOW-UHFFFAOYSA-N 4-hydrazinylbenzoic acid Chemical compound NNC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 PCNFLKVWBDNNOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BPQVMIDUTRJYSC-UHFFFAOYSA-N 5-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)pyrimidin-2-amine Chemical compound O1C(C)(C)C(C)(C)OB1C1=CN=C(N)N=C1 BPQVMIDUTRJYSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KHBAJCWEQNVCSN-UHFFFAOYSA-N [4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl] acetate Chemical compound C1=CC(OC(=O)C)=CC=C1B1OC(C)(C)C(C)(C)O1 KHBAJCWEQNVCSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YFHNDHXQDJQEEE-UHFFFAOYSA-N acetic acid;hydrazine Chemical compound NN.CC(O)=O YFHNDHXQDJQEEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IBVAQQYNSHJXBV-UHFFFAOYSA-N adipic acid dihydrazide Chemical compound NNC(=O)CCCCC(=O)NN IBVAQQYNSHJXBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WARCRYXKINZHGQ-UHFFFAOYSA-N benzohydrazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=CC=C1 WARCRYXKINZHGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCOMFAYPHBFMKU-UHFFFAOYSA-N butanedihydrazide Chemical compound NNC(=O)CCC(=O)NN HCOMFAYPHBFMKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XEVRDFDBXJMZFG-UHFFFAOYSA-N carbonyl dihydrazine Chemical compound NNC(=O)NN XEVRDFDBXJMZFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 claims description 2
- SWRGUMCEJHQWEE-UHFFFAOYSA-N ethanedihydrazide Chemical compound NNC(=O)C(=O)NN SWRGUMCEJHQWEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine monohydrate Substances O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N n-cyclohexyl-2-pyrrolidone Chemical compound O=C1CCCN1C1CCCCC1 PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PSIKPHJLTVSQFO-UHFFFAOYSA-N propanedihydrazide Chemical compound NNC(=O)CC(=O)NN PSIKPHJLTVSQFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N sulfonyldimethane Chemical compound CS(C)(=O)=O HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 38
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 36
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 12
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 abstract description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 3
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 abstract description 3
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 abstract description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- XSXYESVZDBAKKT-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxybenzohydrazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=CC=C1O XSXYESVZDBAKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
Abstract
本发明提供一种光刻胶清洗液，包括：(a)醇胺；(b)硼酸及其衍生物；(c)肼及其衍生物；(d)水；(e)有机溶剂。本发明的光刻胶清洗液可有效地去除晶圆上的光阻残留物，同时对金属铝、铜、钛、钨、金、银、钼、ITO等基本无腐蚀，特别对金属银极低的腐蚀；本发明的光刻胶清洗液不含有季胺氢氧化物，解决了传统季铵盐类、羟胺类清洗液价格昂贵、不环保、腐蚀性大等问题；本发明的光刻胶清洗液解决了传统清洗液在清洗操作中由于水的吸收导致腐蚀增大的问题，具有较大操作窗口，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及清洗液技术领域，尤其涉及一种用于LED、OLED等半导体制造领域的光刻胶清洗液。
背景技术
在LED、OLED等半导体制造工艺中，通过在一些材料的表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后进行图形转移，在得到需要的图形后，进行下一道工序之前，需要剥去残留的光刻胶。在这个过程中要求完全除去不需要的光刻胶，同时不能腐蚀任何基材。
现有的光刻胶清洗液主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶。
其中一类是含有水的光刻胶清洗液，其含水量一般大于5％。如日本专利JP1998239865公开了一种含水体系的清洗液，其组成是四甲基氢氧化铵(TMAH)、二甲基亚砜(DMSO)、1,3’-二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和水。将晶片浸入该清洗液中，于50～100℃下除去金属和电介质基材上的20μm以上的光刻胶；其对半导体晶片基材的腐蚀略高，且不能完全去除半导体晶片上的光刻胶，清洗能力不足。又例如美国专利US5529887公开了由氢氧化钾(KOH)、烷基二醇单烷基醚、水溶性氟化物和水等组成碱性清洗液，将晶片浸入该清洗液中，在40～90℃下除去金属和电介质基材上的光刻胶，其对半导体晶片基材的腐蚀较高。在这类清洗液中由于含有游离的强碱性基团-OH，故其对金属基材往往会造成一定的腐蚀。
而另一类是基本上不含有水的光刻胶清洗液，其含水量一般小于5％，甚至基本上不含有水。如美国专利US5480585公开了一种含非水体系的清洗液，其组成是乙醇胺、环丁砜或二甲亚砜和邻苯二酚，能在40～120℃下除去金属和电介质基材上的光刻胶，对金属基本无腐蚀。又例如美国专利2005119142公开了一种含有烷氧基的聚合物、二丙二醇烷基醚、N-甲基吡咯烷酮和甲基异丁基酮的非水性清洗液。该清洗液可以同时适用于正性光刻胶和负性光刻胶的清洗。非水性光刻胶清洗液由于不含有水，其对金属基材基本无腐蚀；但该类清洗液在操作体系中混有少量的水的时候，其金属的腐蚀速率会显著上升，从而导致金属基材的腐蚀，存在操作窗口较小的问题。
因此，为了克服现有光刻胶清洗液的缺陷，克服现有光刻胶清洗液对半导体光刻胶的清洗能力不足、对金属具有显著上升的腐蚀速率，亟待寻求新的光刻胶清洗液。
发明内容
为解决上述问题，本发明提出一种对金属基材有保护作用的光刻胶清洗液，该光刻胶清洗液既能有效地去除光刻胶又能保护金属基材，且不含有季胺氢氧化物。
为实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现：
一种对金属基材有保护作用的光刻胶清洗液，包括：
(a)醇胺；
(b)硼酸及其衍生物；
(c)肼及其衍生物；
(d)水；
(e)有机溶剂。
优选地，所述光刻胶清洗液包括如下质量百分比的组分：
优选地，所述的醇胺选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺中的一种或多种。
优选地，所述的醇胺选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺中的一种或多种。
优选地，所述的醇胺选自单乙醇胺、三乙醇胺中的一种或两种混合。
优选地，所述的硼酸及其衍生物选自三乙醇胺硼酸酯、3-甲酰氨苯硼酸、2-氨基苯硼酸频哪醇酯、5-乙酰基噻吩-2-硼酸、二苯基硼酸-2-氨基乙酯、4-乙酰氧基苯基硼酸频呐醇酯、4-氨基甲酰苯硼酸、2-胺基嘧啶-5-硼酸频哪酯、4-乙酰苯硼酸、3-氨基-4-甲基苯硼酸、3-乙酰胺基苯硼酸和3-甲氧基羰基苯硼酸中的一种或多种。
优选地，所述的肼及其衍生物选自水合肼、苯甲酰肼、乙醇肼、碳酸肼、水杨酰肼、草酰二肼、丁二酸二酰肼、己二酸二酰肼、丙二酰肼、对肼基苯甲酸和乙酸肼中的一种或多种。
优选地，所述的有机溶剂选自亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇醚中的一种或多种。
优选地，所述的亚砜选自二甲基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或两种混合；所述的砜选自甲基砜和环丁砜中的一种或两种混合；所述的咪唑烷酮选自2-咪唑烷酮和1,3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一种或两种混合；所述的吡咯烷酮选自N-甲基吡咯烷酮和N-环己基吡咯烷酮中的一种或两种混合；所述的咪唑啉酮为1,3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺选自二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或两种混合；所述的醇醚选自二乙二醇单丁醚和二丙二醇单甲醚中的一种或两种混合。
优选地，所述的醇胺的质量百分比浓度为10％-40％。
优选地，所述的硼酸及其衍生物的质量百分比浓度为0.1％-5％。
优选地，所述的肼及其衍生物的质量百分比浓度为0.001％-2％。
优选地，所述的水的质量百分比浓度为5％-30％。
优选地，所述的清洗液不含有有季胺氢氧化物。
本发明的光刻胶清洗液，含有的肼及其衍生物和硼酸及其衍生物作为腐蚀抑制剂协同使用，可以对金属微球和金属微球下面的金属(UBM)表面形成一层保护膜，从而降低对金属基材的腐蚀。同时采用复合溶剂体系，有利于提高光刻胶的去除效率。
本发明的光刻胶清洗液，经上述成分简单混合均匀即可制得。本发明的清洗液可在较大的温度范围内使用，一般在室温到95℃范围内。
与现有技术相比较，本发明的对金属基材有保护作用的光刻胶清洗液具有如下有益效果：
1)本发明的光刻胶清洗液可有效地去除晶圆上的光阻残留物，同时对金属铝、铜、钛、钨、金、银、钼、ITO(氧化铟锡)等基本无腐蚀，特别对金属银极低的腐蚀；
2)本发明的光刻胶清洗液不含有季胺氢氧化物，解决了传统季铵盐类、羟胺类清洗液价格昂贵、不环保、腐蚀性大等问题；
3)本发明的光刻胶清洗液解决了传统清洗液在清洗操作中由于水的吸收导致腐蚀增大的问题，具有较大操作窗口，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
具体实施方式
以下结合具体实施例，对本发明做进一步说明。应理解，以下实施例仅用于说明本发明而非用于限制本发明的范围。
本发明所用试剂及原料均市售可得。
本发明所述wt％均指的是质量百分含量。
制备实施例：
按照表1中所列举的各组分及其质量百分含量(总的质量百分比为100％)，混合至完全均匀，则可得到符合本发明的光刻胶清洗液的优选实施例，具体如表1所示。
表1对比例及符合本发明的优选实施例的组分及含量
效果实施例：
本发明将含有光阻残留物的OLED、金属垫(Pad)、晶圆分别浸入按照表1中组合和含量混合得到的实施例及对比例的清洗液中，在50℃至95℃下利用恒温振荡器以约60转/分的振动频率振荡10～30分钟，然后经漂洗后用高纯氮气吹干。部分实施例的光阻残留物的清洗效果及清洗液对晶片的腐蚀情况如表2所示。部分实施例与对比例的清洗效果及清洗液对晶片的腐蚀情况的对照如表3所示。
表2部分实施例的晶圆清洗效果及清洗液对晶片的腐蚀情况
表3部分实施例与对比例的清洗效果及清洗液对晶片的腐蚀情况的对照
其中，表2和表3中的各腐蚀情况的符号所代表的含义如表4所示。
表4各腐蚀情况的符号含义
| 腐蚀情况 | 光刻胶去除情况 |
| ◎基本无腐蚀 | ◎完全去除 |
| ○略有腐蚀 | ○少量残余 |
| △中等腐蚀 | △较多残余 |
| ×严重腐蚀 | ×大量残余 |
从表2可以看出，本发明的光刻胶清洗液在50℃-90℃下对含有光阻残留物OLED、金属垫(Pad)、晶圆进行清洗，在30min以内就可以实现良好的清洗效果，并且清洗液对OLED、金属垫(Pad)、晶圆上的金属铝、钼、ITO基本无腐蚀。
进一步地，从表3可以看出，在其它组分相同且操作条件相同的条件下，实施例与对比例对光刻胶的清洗没有明显差别；但没有加入硼酸及其衍生物的对比例7-1和15-1对金属铝、钼、ITO、银都表现出一定的腐蚀现象，尤其对金属铝的腐蚀较为严重；而，没有加入肼及其衍生物的对比例7-2和15-2对金属铝基本无腐蚀，但对金属钼、ITO、银表现出较严重的腐蚀现象；硼酸及其衍生物和肼及其衍生物都未添加的实施例7-3和15-3则对金属铝、钼、ITO和银的腐蚀情况均较为严重。以上说明硼酸及其衍生物可以有效地抑制清洗液对金属铝的腐蚀作用，但是不能完全抑制对金属钼、ITO、银的腐蚀作用；肼及其衍生物具有抑制对金属钼、ITO、银的腐蚀作用，但是仅添加硼酸及其衍生物也不能完全抑制清洗过程中对金属钼、ITO、银的腐蚀作用，尤其无法抑制对金属铝的腐蚀作用。而，同时添加了硼酸及其衍生物和肼及其衍生物的本发明的实施例在保证了优异的清洗效果后，还表现出优异的金属铝、金属钼、ITO以及银的腐蚀抑制作用。这是因为，肼及其衍生物和硼酸及其衍生物作为腐蚀抑制剂协同使用，可以对金属微球和金属微球下面的金属(UBM)表面形成一层保护膜，从而降低对金属基材的腐蚀。
综上所述，本发明的光刻胶清洗液可有效地去除晶圆上的光阻残留物，同时对金属铝、铜、钛、钨、金、银、钼、ITO等基本无腐蚀，特别对金属银极低的腐蚀；本发明的光刻胶清洗液不含有季胺氢氧化物，解决了传统季铵盐类、羟胺类清洗液价格昂贵、不环保、腐蚀性大等问题；本发明的光刻胶清洗液解决了传统清洗液在清洗操作中由于水的吸收导致腐蚀增大的问题，具有较大操作窗口，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
应当注意的是，本发明的实施例有较佳的实施性，且并非对本发明作任何形式的限制，任何熟悉该领域的技术人员可能利用上述揭示的技术内容变更或修饰为等同的有效实施例，但凡未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何修改或等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (13)
1.一种光刻胶清洗液，其特征在于，包括：
(a)醇胺；
(b)硼酸及其衍生物；
(c)肼及其衍生物；
(d)水；
(e)有机溶剂。
2.根据权利要求1所述的光刻胶清洗液，其特征在于，包括如下质量百分比的组分：
3.根据权利要求1或2所述的光刻胶清洗液，其特征在于，所述的醇胺选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述的光刻胶清洗液，其特征在于，所述的醇胺选自单乙醇胺、三乙醇胺中的一种或两种混合。
5.根据权利要求1或2所述的光刻胶清洗液，其特征在于，所述的硼酸及其衍生物选自三乙醇胺硼酸酯、3-甲酰氨苯硼酸、2-氨基苯硼酸频哪醇酯、5-乙酰基噻吩-2-硼酸、二苯基硼酸-2-氨基乙酯、4-乙酰氧基苯基硼酸频呐醇酯、4-氨基甲酰苯硼酸、2-胺基嘧啶-5-硼酸频哪酯、4-乙酰苯硼酸、3-氨基-4-甲基苯硼酸、3-乙酰胺基苯硼酸和3-甲氧基羰基苯硼酸中的一种或多种。
6.根据权利要求1或2所述的光刻胶清洗液，其特征在于，所述的肼及其衍生物选自水合肼、苯甲酰肼、乙醇肼、碳酸肼、水杨酰肼、草酰二肼、丁二酸二酰肼、己二酸二酰肼、丙二酰肼、对肼基苯甲酸和乙酸肼中的一种或多种。
7.根据权利要求1或2所述的光刻胶清洗液，其特征在于，所述的有机溶剂选自亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇醚中的一种或多种。
8.根据权利要求7所述的光刻胶清洗液，其特征在于，所述的亚砜选自二甲基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或两种混合；所述的砜选自甲基砜和环丁砜中的一种或两种混合；所述的咪唑烷酮选自2-咪唑烷酮和1,3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一种或两种混合；所述的吡咯烷酮选自N-甲基吡咯烷酮和N-环己基吡咯烷酮中的一种或两种混合；所述的咪唑啉酮为1,3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺选自二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或两种混合；所述的醇醚选自二乙二醇单丁醚和二丙二醇单甲醚中的一种或两种混合。
9.根据权利要求2所述的光刻胶清洗液，其特征在于，所述的醇胺的质量百分比浓度为10％-40％。
10.根据权利要求2所述的光刻胶清洗液，其特征在于，所述的硼酸及其衍生物的质量百分比浓度为0.1％-5％。
11.根据权利要求2所述的光刻胶清洗液，其特征在于，所述的肼及其衍生物的质量百分比浓度为0.001％-2％。
12.根据权利要求2所述的光刻胶清洗液，其特征在于，所述的水的质量百分比浓度为5％-30％。
13.根据权利要求1所述的光刻胶清洗液，其特征在于，所述的清洗液不含有有季胺氢氧化物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811614037.8A CN111381459A (zh) | 2018-12-27 | 2018-12-27 | 一种光刻胶清洗液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811614037.8A CN111381459A (zh) | 2018-12-27 | 2018-12-27 | 一种光刻胶清洗液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111381459A true CN111381459A (zh) | 2020-07-07 |
Family
ID=71216573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811614037.8A Pending CN111381459A (zh) | 2018-12-27 | 2018-12-27 | 一种光刻胶清洗液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111381459A (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000250231A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-09-14 | Nagase Denshi Kagaku Kk | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
| JP2002072506A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-12 | Nagase Kasei Kogyo Kk | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
| JP2002196509A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Nagase Kasei Kogyo Kk | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
| CN101750912A (zh) * | 2008-11-28 | 2010-06-23 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种光刻胶清洗剂组合物 |
| CN104498967A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-08 | 苏州禾川化学技术服务有限公司 | 一种多功能铝材缓蚀抛光酸洗剂 |
| TW201610611A (zh) * | 2014-04-07 | 2016-03-16 | Asahi Kasei E Materials Corp | 光學基材及其製造方法、以及積層體、抗蝕劑剝離液 |
| CN105527802A (zh) * | 2014-09-29 | 2016-04-27 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | 一种光刻胶清洗液 |
| CN105807577A (zh) * | 2014-12-29 | 2016-07-27 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | 一种光阻残留物清洗液 |
-
2018
- 2018-12-27 CN CN201811614037.8A patent/CN111381459A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000250231A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-09-14 | Nagase Denshi Kagaku Kk | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
| JP2002072506A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-12 | Nagase Kasei Kogyo Kk | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
| JP2002196509A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Nagase Kasei Kogyo Kk | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
| CN101750912A (zh) * | 2008-11-28 | 2010-06-23 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种光刻胶清洗剂组合物 |
| TW201610611A (zh) * | 2014-04-07 | 2016-03-16 | Asahi Kasei E Materials Corp | 光學基材及其製造方法、以及積層體、抗蝕劑剝離液 |
| CN105527802A (zh) * | 2014-09-29 | 2016-04-27 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | 一种光刻胶清洗液 |
| CN105807577A (zh) * | 2014-12-29 | 2016-07-27 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | 一种光阻残留物清洗液 |
| CN104498967A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-08 | 苏州禾川化学技术服务有限公司 | 一种多功能铝材缓蚀抛光酸洗剂 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106919013B (zh) | 一种低蚀刻的去除光阻残留物的清洗液 | |
| JPWO2010119753A1 (ja) | フォトレジスト剥離剤組成物及びフォトレジスト剥離方法 | |
| KR20040004382A (ko) | 방향족 산 억제제를 포함하는 포토레지스트스트리핑/클리닝 조성물 | |
| WO2012009968A1 (zh) | 一种光刻胶的清洗液 | |
| CN105022237B (zh) | 一种金属低刻蚀光刻胶剥离液 | |
| TWI413874B (zh) | 光阻剝離劑組成物 | |
| KR20090106992A (ko) | 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법 | |
| CN102566332B (zh) | 一种厚膜光刻胶清洗液 | |
| JP2012018982A (ja) | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離法 | |
| CN111381458B (zh) | 一种光刻胶清洗液 | |
| JP5678616B2 (ja) | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法 | |
| TW201723166A (zh) | 一種低蝕刻的去除光阻殘留物的清洗液 | |
| KR101341701B1 (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법 | |
| TW201418913A (zh) | 一種去除光阻殘留物的清洗液 | |
| CN103809394A (zh) | 一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液 | |
| CN103809392B (zh) | 一种去除光刻胶残留物的清洗液 | |
| CN111381459A (zh) | 一种光刻胶清洗液 | |
| KR101213731B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
| WO2018099112A1 (zh) | 一种含氟清洗液 | |
| KR101341746B1 (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법 | |
| CN106527066B (zh) | 一种光阻残留物清洗液 | |
| JP7465951B2 (ja) | フォトレジスト剥離組成物 | |
| JP7394968B2 (ja) | フォトレジスト剥離組成物 | |
| WO2023140345A1 (ja) | フォトレジスト剥離組成物 | |
| CN115421361B (zh) | 用于半导体化合物光刻胶的剥离剂、其制备方法及用途 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |