CN105527802A - 一种光刻胶清洗液 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种新型清洗液含有：(a)季胺氢氧化物；(b)醇胺；(c)溶剂；(d)硅烷；(e)硼酸酯(盐)和(f)具有颜料亲和基团的星状共聚物。该光刻胶剥离液含有硅烷、硼酸酯和具有颜料亲和基团的星状共聚物作为主要的金属腐蚀抑制剂，复配使用时，能有效的保护基材如金属铝、铜等基本无腐蚀，同时使得该剥离液还能有效的去除晶圆上的光刻胶，并对晶圆清洗后可以用水直接漂洗。因此该新型的清洗液在金属清洗和半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

Description

一种光刻胶清洗液

技术领域

本发明公开了光刻胶清洗液，尤其涉及一种有效地去除光刻胶残留物的光刻清洗液。

背景技术

在半导体元器件制造过程中，通过在一些材料的表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后进行图形转移，在得到需要的图形之后，进行下一道工序之前，需要除去残留的光刻胶。在该光刻胶去除的过程中要求完全除去不需要的光刻胶，同时不能腐蚀任何基材，尤其是严格控制金属铝铜的腐蚀。

目前，光刻胶清洗液主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶。如JP1998239865公开了一种含水体系的清洗液，其组成是四甲基氢氧化铵(TMAH)、二甲基亚砜(DMSO)、1,3’-二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和水。将晶片浸入该清洗液中，于50～100℃下除去金属和电介质基材上的20μm以上的光刻胶；其对半导体晶片基材的腐蚀略高，且不能完全去除半导体晶片上的光刻胶，清洗能力不足；又例如US5529887公开了由氢氧化钾(KOH)、烷基二醇单烷基醚、水溶性氟化物和水等组成碱性清洗液，将晶片浸入该清洗液中，在40～90℃下除去金属和电介质基材上的光刻胶。该清洗液对半导体晶片基材的腐蚀较高。又例如CN102141743A利用由四甲基氢氧化铵(TMAH)、二甲基亚砜(DMSO)，醇胺和糖醇类金属腐蚀抑制剂组成碱性清洗液，该清洗液对铝铜有较好的保护，但是所需的糖醇含量较高，对光刻胶的去除有很大影响。随着半导体的快速发展，特别是凸球封装领域的发展，对光刻胶残留物的清洗要求也相应提高；主要是在单位面积上引脚数(I/O)越来越多，光刻胶的去除也变得越来越困难。由此可见，寻找更为有效的光刻胶清洗液是该类光刻胶清洗液努力改进的优先方向。一般而言，提高碱性光刻胶清洗液的清洗能力主要是通过提高清洗液的碱性、选用更为有效的溶剂体系、提高操作温度和延长操作时间几个方面来实现的。但是，提高清洗液的碱性和操作温度以及延长清洗时间往往会增加对金属的腐蚀。通常情况下，在凸点封装领域涉及的金属主要是银、锡、铅和铜四种金属。近年来，为了进一步降低成本同时提高良率，一些封装测试厂商开始要求光刻胶清洗液也能进一步抑制金属铝的腐蚀。为了适应新的形势，必须开发出一类光刻胶去除能力强，同时也能够对金属铝铜基本无腐蚀的清洗液。

发明内容

本发明的目的是为了提供一种有效地去除光刻胶残留物的光刻胶剥离液组成及其应用。该光刻胶剥离液含有硅烷、硼酸酯(盐)、具有颜料亲和基团的共聚物和还原性的糖或肼作为主要的金属腐蚀抑制剂，四者许同时使用，使得该剥离液在有效的去除晶圆上的光刻胶的同时，能有效的保护基材如金属铝、铜等基本无腐蚀，在对晶圆清洗后可以用水直接漂洗。因此该新型的清洗液在金属清洗和半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

本发明的一方面在于提供一种光刻胶清洗液，该光刻胶清洗液含有季胺氢氧化物，醇胺，溶剂，水和腐蚀抑制剂，且前述腐蚀抑制剂至少包括如下组分：

硅烷化合物，

硼酸酯或硼酸盐，

具有颜料亲和基团的共聚物，

还原性糖或肼。

上述含量均为质量百分比含量；这种去除光刻胶残留物的清洗液不含有研磨颗粒，羟胺、氟化物及氧化剂。

其中，季铵氢氧化物选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、十六烷基三甲基氢氧化铵和苄基三甲基氢氧化铵中的一种或多种。季铵氢氧化物的含量为质量百分比0.1-10％。优选为质量百分比0.5-8％。

其中，醇胺选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺中的一种或多种。醇胺的含量为质量百分比0.1-25％。优选为质量百分比0.5-15％。

其中，溶剂选自亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇醚中的一种或多种。优选地，亚砜为二甲基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或多种；所述的砜为甲基砜、环丁砜中的一种或多种；咪唑烷酮为2-咪唑烷酮和1,3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一种或多种；吡咯烷酮为N-甲基吡咯烷酮和N-环己基吡咯烷酮中的一种或多种；咪唑啉酮为1,3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺为二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或多种；醇醚为二乙二醇单丁醚和二丙二醇单甲醚中的一种或多种。溶剂为含量为整个组合物的余量。

其中，水优选地可为去离子水，蒸馏水，超纯水，或通过其手段去除杂质离子的水。水的含量为质量百分比0.1-30％。优选地，水的含量为质量百分比0.5-24％。

其中，硅烷化合物为如下结构的一种或几种：

其中X为活性基团酰氧基、羟基、巯基、缩水甘油醚氧基、烷氧基中的一种，n为1-3，Y1、Y2和Y3为甲基或可水解基团，其中，所述可水解基团为甲氧基、乙氧基、酰氧基、丁氧基、异丙氧基，且Y1、Y2和Y3中至少独立的含有2个所述可水解基团。

其中，硅烷化合物选自γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基甲基二甲氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧甲基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基甲基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基甲基三异丙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、丙烯酰氧甲基三甲氧基硅烷、3-七氟异丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯丙基三乙氧基硅烷、γ-巯丙基三甲氧基硅烷、巯甲基甲基二乙氧基硅烷、巯丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯丙基三丁氧基硅烷、2-巯基乙基三乙氧基硅烷、3-辛酰基硫代丙基三乙氧基硅烷、双-[3-(三乙氧基硅)丙基]-二硫化物、双-[3-(三乙氧基硅)丙基]-四硫化物、苯甲酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙酰氧基甲基三甲氧基硅烷、乙酰氧基乙基三甲氧基硅烷、乙酰氧基甲基三乙氧基硅烷、乙酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙酰氧基甲基三乙氧基硅烷、3-三氟乙酰氧基丙基三甲氧基硅烷、羟甲基三乙氧基硅烷中的一种或多种。硅烷化合物的含量为质量百分比0.01～8％。优选地为质量百分比0.1-5％。

其中，硼酸酯或硼酸盐选自可仅含有C、H、O的硼酸酯或硼酸盐或除含有C、H、O外还含有N-、S-、P-基团的硼酸酯或硼酸盐。含有C、H、O的硼酸酯或硼酸盐选自硼酸三甲酯、硼酸三乙酯，硼酸三丁酯、硼酸三异丙酯、三苯基硼酸酯，硼酸(三-N-十四(烷)基)酯、硼酸(三正癸基)酯、三乙二醇甲醚硼酸酯中的一种或多种，含有N-、S-、P-基团的硼酸酯选自三乙醇胺硼酸盐(酯)、三异丙醇胺环硼酸盐(酯)、磷酸三聚氰胺硼酸盐、三乙醇胺四硼酸盐、二乙醇胺硼酸单酯、油酸二乙醇酰胺硼酸酯、妥尔油酸二乙醇酰胺硼酸酯、油酰二乙醇胺硼酸酯、烷基硼酸二乙醇胺酯、甘油二乙醇胺硼酸酯、二甘醇二乙醇胺硼酸酯、月桂酸咪唑啉硼酸酯、十六烷基硫代氨基磺酸酯中的一种或多种。硼酸酯或硼酸盐的含量为质量百分比0.01～8％。优选地为质量百分比0.1-5％。

在本发明中，该带有颜料亲和基团的星型共聚物是指含有羟基、氨基或羧基的颜料亲和基团的星型聚合物。所谓带有颜料亲和基团的星型共聚物在本发明中较佳地为含颜料亲和基团的聚丙烯酸酯类星型共聚物；所谓带有颜料亲和基团的聚丙烯酸酯类星型聚合物是指含有羟基、氨基等的聚丙烯酸酯类星型共聚物。也就是用丙烯酸酯类单体，如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯，马来酸酐，(甲基)丙烯酸羟乙酯或丙烯酰胺类单体等合成的星型共聚物；或其它乙烯基单体与上述丙烯酸酯类单体的星型共聚物。较佳地为聚丙烯酸星型共聚物、苯乙烯与丙烯酸羟乙酯的二元星型共聚物、丙烯酸、马来酸酐与苯乙烯三元星型共聚体系，丙烯酸甲酯及丙烯酸羟乙酯的二元星型共聚物、丙烯酸与马来酸的二元共聚物，丙烯酸与及丙烯酸羟乙酯的二元星型共聚物、丙烯酸与丙烯酸丁酯及丙烯酰胺的三元星型共聚物。该带有颜料亲和基团的星型共聚物，具体含量为质量百分比10ppm～3％,优选0.01-1％。

其中，还原性的糖选自葡萄糖、果糖、半乳糖、乳糖、麦芽糖等中的一种或几种；肼选自肼基甲酸甲酯、肼基甲酸苄酯、肼基甲酸乙酯、肼基甲酸叔丁酯、苯肼、硫酸肼、乙酰肼、甲酰肼、苯甲酰肼、草酰二肼、二甲酰肼、烟酸酰肼、碳酸二酰肼、苯磺酰肼、2-羟乙基肼、N-乙酰苯肼、对甲苯磺酰肼、邻苯二甲酰肼、顺丁烯二酰肼、4-羟基苯甲酰肼等中的一种或几种。还原性的糖或肼的含量为质量百分比10ppm～3％。优选地为质量百分比0.01-1％。在本发明中，该清洗液还含有还原性的糖或者肼，与其他的腐蚀抑制剂复配来进一步改善基材特别是铝铜的抗腐蚀性能。

清洗液pH大于10。

本发明中的清洗液(即光刻胶剥离液)为碱性清洗液，优选地为pH大于10的清洗液，更优选地为pH大于11的清洗液。

本发明中的光刻胶剥离液，可以在25℃至80℃下清洗晶圆上的光刻胶残留物。具体方法如下：将含有光刻胶残留物的晶圆浸入本发明中的剥离液中，在25℃至80℃下浸泡合适的时间后，取出漂洗后用高纯氮气吹干。

本发明的积极进步效果在于：本发明的清洗液在有效去除晶圆上的光刻胶残留物的同时，对于基材如金属铝、铜等基本无腐蚀，在对晶圆清洗后可以用水直接漂洗，增加了晶圆漂洗的操作窗口。因此该新型的清洗液在金属清洗和半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

具体实施方式

下面通过具体实施例进一步阐述本发明的优点，但本发明的保护范围不仅仅局限于下述实施例。

本发明所用试剂及原料均市售可得。本发明的清洗液由上述成分简单均匀混合即可制得。

表1实施例及对比例清洗液的组分和含量

效果实施例

为了进一步考察该类剥离液的清洗情况，本发明采用了如下技术手段：即将晶圆微球植入工艺中凸球已经电镀完成后含有光刻胶残留物的晶圆，分别浸入清洗液中在25℃至80℃下利用恒温振荡器以约60转/分的振动频率振荡30～120分钟，然后经漂洗后用高纯氮气吹干。光刻胶残留物的清洗效果和清洗液对晶片的腐蚀情况如表2所示。

表2部分实施例和对比例的晶圆清洗情况

实施例	清洗温度(℃)	清洗时间(min)	金属铝腐蚀情况	金属铜腐蚀情况	晶圆清洗结果
						1	25	30	◎	◎	◎
2	80	120	◎	◎	◎
						4	50	80	◎	◎	◎
5	45	60	◎	◎	◎
						5	70	30	◎	◎	◎
6	45	50	◎	◎	◎
						7	30	110	◎	◎	◎
9	35	90	◎	◎	◎
						10	80	40	◎	◎	◎
12	55	50	◎	◎	◎
						13	65	40	◎	◎	◎
14	30	80	◎	◎	◎
						15	45	60	◎	◎	◎
16	50	70	◎	◎	◎
						16	75	50	◎	◎	◎
17	25	90	◎	◎	◎
						对比例1	45	50	△	○	◎
对比例2	45	50	△	○	◎
						对比例3	45	50	△	○	◎
对比例4	45	50	○	△	◎
						对比例5	45	60	◎	◎	△
对比例6	45	60	×	×	△

腐蚀情况：	◎基本无腐蚀；		清洗情况：	◎完全去除；
						○略有腐蚀；			○少量残余；
	△中等腐蚀；			△较多残余；
						×严重腐蚀。			×大量残余。

从表2可以看出，本发明的光刻胶剥离液对晶圆微球植入工艺中凸球已经电镀完成后含有光刻胶残留物的晶圆具有良好的清洗效果，同时对金属铝和铜的腐蚀具有良好的抑制作用，使用温度范围广。从对比例1、2、3和实施例6中可以看出，在还原性糖或肼的存在下，不同时添加硅烷、硼酸酯(盐)和带有颜料亲和基团的共聚物中的任何一种，尽管对光刻胶的剥离没有太大影响，但是却会对金属基材铝和铜造成严重的腐蚀，即使另外两种原料的用量增加，也不能很好的保护铝和铜不受腐蚀。从对比例4和实施性例6可以看出，还原性的糖或肼主要是用来保护金属基材铜不受腐蚀，特别是随着剥离液使用时间的延长，如果不含有还原性的糖或肼，对金属基材铜的腐蚀会进一步增加。从对比例5和实施例15中可以看出，若硅烷和硼酸酯(盐)的含量过高，尽管金属基材铝和铜都能得到很好的保护，但是会影响光刻胶的剥离，造成清洗之后有大量的光刻胶残余。另外从对比例6和实施例15中可以看出，去离子水的含量过高，不仅会造成金属基材铜和铝的严重腐蚀，还会在清洗之后造成大量的光刻胶残余。综上，说明了以硅烷、硅酸酯(盐)、带有颜料亲和基团的星状共聚物以及具有还原性的糖或肼复配使用可以有效的控制金属的腐蚀，并且可以达到高效的光刻胶清洗能力。

综上，本发明的积极进步效果在于：本发明的以硅烷、硅酸酯(盐)、带有颜料亲和基团的星状共聚物以及具有还原性的糖或肼作为主要的金属腐蚀抑制剂复配使用基材对金属铝和铜等基本无腐蚀；同时能够有效地去除光刻胶残留物，在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。

应当理解的是，本发明所述wt％均指的是质量百分含量。

以上对本发明的具体实施例进行了详细描述，但其只是作为范例，本发明并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对本发明进行的等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。因此，在不脱离本发明的精神和范围下所作的均等变换和修改，都应涵盖在本发明的范围内。

Claims (30)

1.一种光刻胶清洗液，含有季胺氢氧化物，醇胺，溶剂，水和腐蚀抑制剂，其特征在于，所述腐蚀抑制剂至少包括如下组分：

硅烷化合物，

硼酸酯或硼酸盐，

具有颜料亲和基团的共聚物，

还原性糖或肼。

2.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述季铵氢氧化物选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、十六烷基三甲基氢氧化铵和苄基三甲基氢氧化铵中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述季铵氢氧化物的含量为质量百分比0.1-10％。

4.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述季铵氢氧化物的含量为质量百分比0.5-8％。

5.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述醇胺选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述醇胺的含量为质量百分比0.1-25％。

7.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述醇胺的含量为质量百分比0.5-15％。

8.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述溶剂选自亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇醚中的一种或多种。

9.如权利要求8所述的清洗液，其中，所述的亚砜为二甲基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或多种；所述的砜为甲基砜、环丁砜中的一种或多种；所述的咪唑烷酮为2-咪唑烷酮和1,3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一种或多种；所述的吡咯烷酮为N-甲基吡咯烷酮和N-环己基吡咯烷酮中的一种或多种；所述的咪唑啉酮为1,3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺为二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或多种；所述的醇醚为二乙二醇单丁醚和二丙二醇单甲醚中的一种或多种。

10.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述水的含量为质量百分比0.1-30％。

11.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述水的含量为质量百分比0.5-24％。

12.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述硅烷化合物为如下结构的一种或几种：

其中X为活性基团酰氧基、羟基、巯基、缩水甘油醚氧基、烷氧基中的一种，n为1-3，Y1、Y2和Y3为甲基或可水解基团，其中，所述可水解基团为甲氧基、乙氧基、酰氧基、丁氧基、异丙氧基，且Y1、Y2和Y3中至少独立的含有2个所述可水解基团。

13.如权利要求12所述的清洗液，其中，所述硅烷化合物选自γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基甲基二甲氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧甲基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基甲基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基甲基三异丙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、丙烯酰氧甲基三甲氧基硅烷、3-七氟异丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯丙基三乙氧基硅烷、γ-巯丙基三甲氧基硅烷、巯甲基甲基二乙氧基硅烷、巯丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯丙基三丁氧基硅烷、2-巯基乙基三乙氧基硅烷、3-辛酰基硫代丙基三乙氧基硅烷、双-[3-(三乙氧基硅)丙基]-二硫化物、双-[3-(三乙氧基硅)丙基]-四硫化物、苯甲酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙酰氧基甲基三甲氧基硅烷、乙酰氧基乙基三甲氧基硅烷、乙酰氧基甲基三乙氧基硅烷、乙酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙酰氧基甲基三乙氧基硅烷、3-三氟乙酰氧基丙基三甲氧基硅烷、羟甲基三乙氧基硅烷中的一种或多种。

14.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述硅烷化合物的含量为质量百分比0.01～8％。

15.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述硅烷化合物的含量为质量百分比0.1-5％。

16.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述硼酸酯或硼酸盐选自可仅含有C、H、O的硼酸酯或硼酸盐或除含有C、H、O外还含有N-、S-、P-基团的硼酸酯硼酸盐。

17.如权利要求16所述的清洗液，其中，所述含有C、H、O的硼酸酯或硼酸盐选自硼酸三甲酯、硼酸三乙酯，硼酸三丁酯、硼酸三异丙酯、三苯基硼酸酯，硼酸(三-N-十四(烷)基)酯、硼酸(三正癸基)酯、三乙二醇甲醚硼酸酯中的一种或多种，所述含有N-、S-、P-基团的硼酸酯选自三乙醇胺硼酸盐(酯)、三异丙醇胺环硼酸盐(酯)、磷酸三聚氰胺硼酸盐、三乙醇胺四硼酸盐、二乙醇胺硼酸单酯、油酸二乙醇酰胺硼酸酯、妥尔油酸二乙醇酰胺硼酸酯、油酰二乙醇胺硼酸酯、烷基硼酸二乙醇胺酯、甘油二乙醇胺硼酸酯、二甘醇二乙醇胺硼酸酯、月桂酸咪唑啉硼酸酯、十六烷基硫代氨基磺酸酯中的一种或多种。

18.所述如权利要求1所述的清洗液，其中，所述硼酸酯或硼酸盐的含量为质量百分比0.01～8％。

19.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述硼酸酯或硼酸盐的含量为质量百分比0.1-5％。

20.所述如权利要求1所述的清洗液，其中，所述具有颜料亲和基团的共聚物为含有羟基、氨基或羧基的颜料亲和基团的星型聚合物。

21.所述如权利要求20所述的清洗液，其中，所述带有颜料亲和基团的星型共聚物为含颜料亲和基团的聚丙烯酸酯类星型共聚物。

22.所述如权利要求20所述的清洗液，其中，所述聚丙烯酸酯类星型共聚物为用丙烯酸酯类单体合成的星型共聚物，所述丙烯酸酯类单体为(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯，马来酸酐，(甲基)丙烯酸羟乙酯或丙烯酰胺类单体；所述聚丙烯酸酯类星型共聚物或者可为其它乙烯基单体与所述丙烯酸酯类单体的星型共聚物。

23.所述如权利要求20所述的清洗液，其中，所述聚丙烯酸酯类星型共聚物为聚丙烯酸星型共聚物、苯乙烯与丙烯酸羟乙酯的二元星型共聚物、丙烯酸、马来酸酐与苯乙烯三元星型共聚体系，丙烯酸甲酯及丙烯酸羟乙酯的二元星型共聚物、丙烯酸与马来酸的二元共聚物，丙烯酸与及丙烯酸羟乙酯的二元星型共聚物、丙烯酸与丙烯酸丁酯及丙烯酰胺的三元星型共聚物。

24.所述如权利要求1所述的清洗液，其中，所述具有颜料亲和基团的共聚物的含量为质量百分比0.001-3％。

25.所述如权利要求1所述的清洗液，其中，所述具有颜料亲和基团的共聚物的含量为质量百分比0.01-1％。

26.所述如权利要求1所述的清洗液，其中，所述还原性的糖选自葡萄糖、果糖、半乳糖、乳糖、麦芽糖等中的一种或几种；所述肼选自肼基甲酸甲酯、肼基甲酸苄酯、肼基甲酸乙酯、肼基甲酸叔丁酯、苯肼、硫酸肼、乙酰肼、甲酰肼、苯甲酰肼、草酰二肼、二甲酰肼、烟酸酰肼、碳酸二酰肼、苯磺酰肼、2-羟乙基肼、N-乙酰苯肼、对甲苯磺酰肼、邻苯二甲酰肼、顺丁烯二酰肼、4-羟基苯甲酰肼等中的一种或几种。

27.所述如权利要求1所述的清洗液，其中，所述还原性的糖或肼的含量为质量百分比10ppm～3％。

28.所述如权利要求1所述的清洗液，其中，所述还原性的糖或肼的含量为质量百分比0.01-1％。

29.所述如权利要求1所述的清洗液，其中，所述清洗液pH大于10。

30.一种如权利要求1-29任一项所述的清洗液在去除光阻残留物的应用。