CN111370450B - 一种电子设备的制备方法及装置、存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种电子设备的制备方法及装置、存储介质，包括将异方性导电胶膜的第一面分别与第一低温多晶硅玻璃的侧面和第二低温多晶硅玻璃的侧面连接，其中，第一低温多晶硅玻璃的下表面和第二低温多晶硅玻璃的上表面连接；断开第一低温多晶硅玻璃与第二低温多晶硅玻璃之间的连接，并断开第一导电胶膜和第二导电胶膜之间的连接，第一导电胶膜为与第一低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜，第二导电胶膜为与第二低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜；将覆晶薄膜与第一导电胶膜的第二面连接，第一导电胶膜的第一面与第一低温多晶硅玻璃的侧面连接，以完成电子设备的制备过程。

Description

一种电子设备的制备方法及装置、存储介质
技术领域
本发明涉及窄边框显示技术领域，尤其涉及一种电子设备的制备方法及装置、存储介质。
背景技术
随着电子技术的不断发展，电子设备的显示屏边框越来越窄，即电子设备的低温多晶硅(LowTemperature Poly-Silicon，LTPS)玻璃与encap玻璃之间的单层区的宽度就越小。
现有技术是将异方性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)贴附到覆晶薄膜(Chip OnFilm，COF)上，再对贴附在COF上的ACF进行三边内缩设计，然后通过三边内缩设计后的ACF将COF贴附在单层区的LTPS上，当贴附在COF上的ACF三边内缩过度时，ACF无法完全填充单层区的LTPS与COF之间的空隙，COF容易脱离单层区的LTPS，导致LTPS与COF之间无法通过ACF进行电信号传递，使得电子设备的显示屏无法正常显示，降低了电子设备的显示屏幕显示时的稳定性。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明实施例期望提供一种电子设备的制备方法及装置、存储介质，能够提高电子设备的显示屏幕显示时的稳定性。
本发明的技术方案是这样实现的：
本申请实施例提供了一种电子设备的制备方法，所述方法包括：
将异方性导电胶膜的第一面分别与第一低温多晶硅玻璃的侧面和第二低温多晶硅玻璃的侧面连接，其中，所述第一低温多晶硅玻璃的下表面和所述第二低温多晶硅玻璃的上表面连接；
断开所述第一低温多晶硅玻璃与所述第二低温多晶硅玻璃之间的连接，并断开第一导电胶膜和第二导电胶膜之间的连接，所述第一导电胶膜为与所述第一低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜，所述第二导电胶膜为与所述第二低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜；
将覆晶薄膜与所述第一导电胶膜的第二面连接，所述第一导电胶膜的第一面与所述第一低温多晶硅玻璃的侧面连接，以完成所述电子设备的制备过程。
在上述方案中，第一低温多晶硅玻璃的下表面和所述第二低温多晶硅玻璃的上表面连接，包括：
将所述第一低温多晶硅玻璃的下表面与所述第二低温多晶硅玻璃的上表面之间部分区域进行连接；
和/或，将所述第一低温多晶硅玻璃的下表面与所述第二低温多晶硅玻璃的上表面之间所有区域进行连接。
在上述方案中，异方性导电胶膜的宽度为根据所述第一低温多晶硅玻璃和所述第二低温多晶硅玻璃确定的宽度。
在上述方案中，所述覆晶薄膜包括集成电路。
在上述方案中，所述异方性导电胶膜包括导电粒子。
在上述方案中，所述第一低温多晶硅玻璃为低功耗的显示玻璃。
在上述方案中，所述第二低温多晶硅玻璃为低功耗的显示玻璃。
本申请实施例提供了一种电子设备的制备装置，包括：
连接单元，用于将异方性导电胶膜的第一面分别与第一低温多晶硅玻璃的侧面和第二低温多晶硅玻璃的侧面连接，其中，所述第一低温多晶硅玻璃的下表面和所述第二低温多晶硅玻璃的上表面连接；将覆晶薄膜与所述第一导电胶膜的第二面连接，所述第一导电胶膜的第一面与所述第一低温多晶硅玻璃的侧面连接，以完成所述电子设备的制备过程；
断开单元，用于断开所述第一低温多晶硅玻璃与所述第二低温多晶硅玻璃之间的连接，并断开所述第一导电胶膜和第二导电胶膜之间的连接，所述第一导电胶膜为与所述第一低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜，所述第二导电胶膜为与所述第二低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜。
本申请实施例提供了一种电子设备的制备装置，包括：
存储器、处理器和通信总线，所述存储器通过所述通信总线与所述处理器进行通信，所述存储器存储所述处理器可执行的电子设备的制备程序，当所述电子设备的制备程序被执行时，通过所述处理器执行上述所述的电子设备的制备方法。
本申请实施例提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，应用于电子设备的制备装置，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现上述所述的电子设备的制备方法。
本发明实施例提供了一种电子设备的制备方法及装置、存储介质，电子设备的制备方法包括：将异方性导电胶膜的第一面分别与第一低温多晶硅玻璃的侧面和第二低温多晶硅玻璃的侧面连接，其中，第一低温多晶硅玻璃的下表面和第二低温多晶硅玻璃的上表面连接；断开第一低温多晶硅玻璃与第二低温多晶硅玻璃之间的连接，并断开第一导电胶膜和第二导电胶膜之间的连接，第一导电胶膜为与第一低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜，第二导电胶膜为与第二低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜；将覆晶薄膜与第一导电胶膜的第二面连接，第一导电胶膜的第一面与第一低温多晶硅玻璃的侧面连接，以完成电子设备的制备过程。如此，通过在第一低温多晶硅玻璃下面增加第二低温多晶硅玻璃，直接将异方性导电胶膜贴附在第二低温多晶硅玻璃和第一低温多晶硅玻璃上，不需要再对异方性导电胶膜进行三边内缩设计，减小了异方性导电胶膜与第一低温多晶硅玻璃贴附时的贴附误差，增加了异方性导电胶膜的贴附宽度，第一低温多晶硅玻璃可以通过异方性导电胶膜与覆晶薄膜进行电信号传递，使得电子设备的显示屏可以正常显示，提高了电子设备的显示屏幕显示时的稳定性。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种示例性的窄边框电子设备的示意图；
图2为本申请实施例提供的一种示例性地ACF与COF贴附位置示意图；
图3为本申请实施例提供的一种示例性地窄边框电子设备的组成结构示意图；
图4为本实施例提供的一种电子设备的制备方法流程图；
图5为本申请实施例提供的一种电子设备的组成结构示意图一；
图6为本申请实施例提供的一种电子设备的组成结构示意图二；
图7为本申请实施例提供的一种电子设备中ACF、COF和单层区的LTPS之间的位置关系示意图；
图8为本申请实施例提供的一种电子设备的组成结构示意图三；
图9为本申请实施例提供的一种电子设备的组成结构示意图四。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
随着电子技术的不断发展，电子设备的显示屏边框越来越窄，有机发光二极管(Organic light-emitting diode，OLED)电子设备模组的窄边框化主要受制约于显示面板(Panel)的窄边框化。相对于将IC芯片直接贴附到玻璃(Chip On Glass，COG)方案，COF方案取消了IC芯片的贴附宽度。如下图1所示，图1中的14为LTPS玻璃，16为COF，17为ACF，10为手机屏盖板，图1是直接将COF通过ACF胶贴附在LTPS上，将IC芯片随COF反折到显示屏的背面，减小了电子设备显示屏幕的边框。
随着电子设备的显示屏边框越来越窄，电子设备的LTPS玻璃与encap玻璃之间的单层区的宽度就越小，贴附在该单层区的LTPS玻璃的上的ACF胶的宽度就需要进一步缩窄，由于ACF胶的制作工艺受限，ACF胶的宽度无法进一步缩窄。
现有技术的一种方案是将ACF胶贴附在单层区的LTPS玻璃上，由于单层区的LTPS玻璃的宽度越来越窄，在对ACF进行裁切的过程中存在裁切公差，以及将ACF贴附在单层区的LTPS玻璃上的贴附公差，使得在将ACF贴附在单层区的LTPS玻璃时，导致Encap玻璃干涉变形，LTPS玻璃和Encap玻璃构成的显示面板(panel)的边缘由于ACF悬空引起的脏污，提高了panel与COF线路腐蚀的风险。
现有技术的另一种方案是将ACF先贴附到COF上，再对贴附在COF上的ACF进行三边内缩设计，如图2所示，图2为ACF相对COF进行三边内缩后的相对位置示意图，图2中的ACF的上边框、左边框和右边框都进行内缩设计后，然后将COF贴附在到单层区的LTPS玻璃上，当贴附在COF上的ACF三边内缩过度时，使得ACF无法完全填充单层区的LTPS与COF之间的空隙，导致COF脱离单层区的LTPS，造成panel与COF线路腐蚀，使得电子设备的显示屏无法正常显示，降低了电子设备的显示精度，且ACF相对于panel的尺寸增加了COF的裁切公差和COF的贴附公差，进一步减少了ACF贴附COF和单层区的LTPS玻璃之间的面积。
如图3所示，现有技术中的一种示例性地窄边框电子设备的组成结构示意图，图3(a)为ACF、COF和单层区的LTPS贴附位置示意图，图3(b)为ACF、COF和单层区的LTPS贴附位置误差示意图，其中，图3(a)和图3(b)中的10为手机屏盖板，11为光学胶，12为偏光片，13为Encap玻璃，14为单层区的LTPS，15为泡棉，16为COF，17为ACF，该单层区为Encap玻璃的底端与单层区的LTPS底端之间的宽度区域。
对于现有技术中存在的问题，具体可通过实施例一中的方法进行解决。
实施例一
本申请实施例提供了一种电子设备的制备方法，图4为本申请实施例提供的一种电子设备的制备方法流程图一，如图4所示，电子设备的制备方法可以包括：
S101、将异方性导电胶膜的第一面分别与第一低温多晶硅玻璃的侧面和第二低温多晶硅玻璃的侧面连接，其中，第一低温多晶硅玻璃的下表面和第二低温多晶硅玻璃的上表面连接。
本申请实施例提供的一种电子设备的制备方法适用于对窄边框显示屏进行制备的场景下。
在本申请实施例中，电子设备包括但不限于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、工业计算机、移动互联网设备(Mobile Internet Devices，MID)等。
需要说明的是，第一低温多晶硅玻璃的下表面和第二低温多晶硅玻璃的上表面连接。
需要说明的是，图3中示出的单层区在本申请实施例中包括第一低温多晶硅玻璃和第二低温多晶硅玻璃。
在本申请实施例中，电子设备的制备装置将第一低温多晶硅玻璃的下表面和第二低温多晶硅玻璃的上表面连接的方式，可以为电子设备的制备装置将第一低温多晶硅玻璃的下表面与第二低温多晶硅玻璃的上表面之间部分区域进行连接，和/或，将第一低温多晶硅玻璃的下表面与第二低温多晶硅玻璃的上表面之间所有区域进行连接，具体的第一低温多晶硅玻璃的下表面和第二低温多晶硅玻璃的上表面连接方式可根据实际情况进行确定，本申请实施例对此不做限定。
需要说明的是，第一低温多晶硅玻璃的下表面与第二低温多晶硅玻璃的上表面的大小、形状相同。
在本申请实施例中，异方性导电胶膜的宽度为根据第一低温多晶硅玻璃和第二低温多晶硅玻璃确定的宽度。
需要说明的是，利用第一低温多晶硅玻璃的宽度和第二低温多晶硅玻璃的宽度之和，可确定出异方性导电胶膜的宽度。
可以理解的是，根据第一低温多晶硅玻璃的宽度和第二低温多晶硅玻璃的宽度之和，来确定异方性导电胶膜的宽度，增加了异方性导电胶膜的裁切宽度，减小了第一低温多晶硅玻璃和第二低温多晶硅玻璃的宽度与异方性导电胶膜的宽度之间的宽度误差。
在本申请实施例中，异方性导电胶膜包括导电粒子。
需要说明的是，导电粒子可以电性连接第一低温多晶硅玻璃和覆晶薄膜。
可以理解的是，该导电粒子电性连接第一低温多晶硅玻璃中的电路与覆晶薄膜中的电路，第一低温多晶硅玻璃中的电信号通过该导电粒子与覆晶薄膜进行电信号传递，使得电子设备的显示屏可以正常显示，提高了电子设备的显示屏幕显示时的稳定性。
在本申请实施例中，第一低温多晶硅玻璃为低功耗的显示玻璃，第二低温多晶硅玻璃为低功耗的显示玻璃。
可以理解的是，利用低功耗的第一低温多晶硅玻璃和第二低温多晶硅玻璃作为显示玻璃，第一低温多晶硅玻璃和第二低温多晶硅玻璃与encap玻璃又构成了显示面板，电子设备利用低功耗第一低温多晶硅玻璃和第二低温多晶硅玻璃的显示面板进行显示时，降低了电子设备显示时的功耗。
S102、断开第一低温多晶硅玻璃与第二低温多晶硅玻璃之间的连接，并断开第一导电胶膜和第二导电胶膜之间的连接，第一导电胶膜为与第一低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜，第二导电胶膜为与第二低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜。
在本申请实施例中，当电子设备的制备装置将异方性导电胶膜的第一面分别与第一低温多晶硅玻璃的侧面和第二低温多晶硅玻璃的侧面连接之后，电子设备的制备装置就断开第一低温多晶硅玻璃与第二低温多晶硅玻璃之间的连接，并断开第一导电胶膜和第二导电胶膜之间的连接。
需要说明的是，第一导电胶膜为与第一低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜，第二导电胶膜为与第二低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜。
S103、将覆晶薄膜与第一导电胶膜的第二面连接，第一导电胶膜的第一面与第一低温多晶硅玻璃的侧面连接，以完成电子设备的制备过程。
在本申请实施例中，当电子设备的制备装置断开第一低温多晶硅玻璃与第二低温多晶硅玻璃之间的连接，并断开第一导电胶膜和第二导电胶膜之间的连接之后，电子设备的制备装置就将覆晶薄膜与第一导电胶膜的第二面连接。
需要说明的是，第一导电胶膜的第一面与第一低温多晶硅玻璃的侧面连接，第一导电胶膜的第二面为第一导电胶膜的第一面的背面。
在本申请实施例中，覆晶薄膜包括集成电路，当覆晶薄膜通过第一导电胶膜与第一低温多晶硅玻璃连接时，第一低温多晶硅玻璃中的电信号通过异方性导电胶膜中的导电粒子与覆晶薄膜进行电信号传递，使得电子设备的显示屏可以正常显示，提高了电子设备的显示屏幕显示时的稳定性。
在本申请实施例中，电子设备可以为手机，手机包括手机屏盖板10，光学胶11，偏光片12，Encap玻璃13，低温多晶硅玻璃14，泡棉15和覆晶薄膜16，具体的，电子设备的手机屏盖板10，光学胶11，偏光片12，Encap玻璃13，低温多晶硅玻璃14，泡棉15和覆晶薄膜16连接关系如图5所示，在图5中，偏光片12的第一面通过光学胶11贴附于手机屏盖板10上，偏光片12的第二面与Encap玻璃13的第一面连接，Encap玻璃13的第二面与低温多晶硅玻璃14的第一面连接，低温多晶硅玻璃14的第二面与泡棉15连接。其中，141为第二低温多晶硅玻璃，171为增加的异方性导电胶膜，172为异方性导电胶膜，173为第二导电胶膜，14为第一低温多晶硅玻璃和第三低温多晶硅玻璃，第一低温多晶硅玻璃的下表面与第二低温多晶硅玻璃14的上表面连接，第一低温多晶硅玻璃的上表面与第三低温多晶硅玻璃的下表面连接。当电子设备根据第一低温多晶硅玻璃的宽度和第二低温多晶硅玻璃的宽度确定异方性导电胶膜的宽度时，增加了异方性导电胶膜的宽度，根据增加宽度后异方性导电胶膜对第一低温多晶硅玻璃和第二低温多晶硅玻璃进行贴附时，降低了异方性导电胶膜与第一低温多晶硅玻璃之间的贴附误差，即增加了异方性导电胶膜与第一低温多晶硅玻璃之间的贴附宽度，即增加了171部分异方性导电胶膜的宽度。
在本申请实施例中，电子设备可以为手机，手机的组成结构示意图如图6所示，在图6中，偏光片12的第一面通过光学胶11贴附于手机屏盖板10上，偏光片12的第二面与Encap玻璃13的第一面连接，Encap玻璃13的第二面与低温多晶硅玻璃14的第一面连接，低温多晶硅玻璃14的第二面与泡棉15的第一面连接，泡棉15的第二面通过半导体元件与覆晶薄膜16的一端连接，覆晶薄膜16的另一端通过异方性导电胶膜与低温多晶硅玻璃14连接。其中，161为覆晶薄膜的贴附宽度误差位置，162为覆晶薄膜的贴附宽度位置。
在本申请实施例中，电子设备中的异方性导电胶膜、覆晶薄膜、第一低温多晶硅玻璃和第二低温多晶硅玻璃之间的位置关系示意图如图7所示，在图7中，14为第一低温多晶硅玻璃、第二低温多晶硅玻璃和第三低温多晶硅玻璃，16为覆晶薄膜，17为异方性导电胶膜，通过异方性导电胶膜17在覆晶薄膜16的三边都超出设计，增加了第一低温多晶硅玻璃与覆晶薄膜之间的密封性，降低了覆晶薄膜脱离第一低温多晶硅玻璃的风险。
可以理解的是，通过在第一低温多晶硅玻璃下面增加第二低温多晶硅玻璃，直接将异方性导电胶膜贴附在第二低温多晶硅玻璃和第一低温多晶硅玻璃上，不需要再对异方性导电胶膜进行三边内缩设计，减小了异方性导电胶膜与第一低温多晶硅玻璃贴附时的贴附误差，增加了异方性导电胶膜的贴附宽度，第一低温多晶硅玻璃可以通过异方性导电胶膜与覆晶薄膜进行电信号传递，使得电子设备的显示屏可以正常显示，提高了电子设备的显示屏幕显示时的稳定性
实施例二
基于实施例一同一发明构思，本申请实施例提供了一种电子设备的制备装置1，对应于一种电子设备的制备方法；图8为本申请实施例提供的一种电子设备的制备装置的组成结构示意图一，该电子设备的制备装置1可以包括：
连接单元21，用于将异方性导电胶膜的第一面分别与第一低温多晶硅玻璃的侧面和第二低温多晶硅玻璃的侧面连接，其中，所述第一低温多晶硅玻璃的下表面和所述第二低温多晶硅玻璃的上表面连接；将覆晶薄膜与所述第一导电胶膜的第二面连接，所述第一导电胶膜的第一面与所述第一低温多晶硅玻璃的侧面连接，以完成所述电子设备的制备过程；
断开单元22，用于断开所述第一低温多晶硅玻璃与所述第二低温多晶硅玻璃之间的连接，并断开所述第一导电胶膜和第二导电胶膜之间的连接，所述第一导电胶膜为与所述第一低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜，所述第二导电胶膜为与所述第二低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜。
在本申请的一些实施例中，所述连接单元21，用于将所述第一低温多晶硅玻璃的下表面与所述第二低温多晶硅玻璃的上表面之间部分区域进行连接；和/或，将所述第一低温多晶硅玻璃的下表面与所述第二低温多晶硅玻璃的上表面之间所有区域进行连接。
在本申请的一些实施例中，所述异方性导电胶膜的宽度为根据所述第一低温多晶硅玻璃和所述第二低温多晶硅玻璃确定的宽度。
在本申请的一些实施例中，所述覆晶薄膜包括集成电路。
在本申请的一些实施例中，所述异方性导电胶膜包括导电粒子。
在本申请的一些实施例中，所述第一低温多晶硅玻璃为低功耗的显示玻璃。
在本申请的一些实施例中，所述第二低温多晶硅玻璃为低功耗的显示玻璃。
需要说明的是，在实际应用中，上述连接单元21和断开单元22可由电子设备的制备装置1上的处理器23实现，具体为CPU(Central Processing Unit，中央处理器)、MPU(Microprocessor Unit，微处理器)、DSP(Digital Signal Processing，数字信号处理器)或现场可编程门阵列(FPGA，FieldProgrammable GateArray)等实现；上述数据存储可由电子设备的制备装置1上的存储器24实现。
本发明实施例还提供了一种电子设备的制备装置1，如图9所示，所述电子设备的制备装置1包括：处理器23、存储器24和通信总线25，所述存储器24通过所述通信总线25与所述处理器23进行通信，所述存储器24存储所述处理器23可执行的程序，当所述程序被执行时，通过所述处理器23执行如上述所述的电子设备的制备方法。
在实际应用中，上述存储器24可以是易失性存储器(volatile memory)，例如随机存取存储器(Random-Access Memory，RAM)；或者非易失性存储器(non-volatile memory)，例如只读存储器(Read-Only Memory，ROM)，快闪存储器(flash memory)，硬盘(Hard DiskDrive，HDD)或固态硬盘(Solid-State Drive，SSD)；或者上述种类的存储器的组合，并向处理器23提供指令和数据。
本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上有计算机程序，所述程序被处理器23执行时实现如上述所述的电子设备的制备方法。
可以理解的是，通过在第一低温多晶硅玻璃下面增加第二低温多晶硅玻璃，直接将异方性导电胶膜贴附在第二低温多晶硅玻璃和第一低温多晶硅玻璃上，不需要再对异方性导电胶膜进行三边内缩设计，减小了异方性导电胶膜与第一低温多晶硅玻璃贴附时的贴附误差，增加了异方性导电胶膜的贴附宽度，第一低温多晶硅玻璃可以通过异方性导电胶膜与覆晶薄膜进行电信号传递，使得电子设备的显示屏可以正常显示，提高了电子设备的显示屏幕显示时的稳定性。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用硬件实施例、软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器和光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种电子设备的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
将异方性导电胶膜的第一面分别与第一低温多晶硅玻璃的侧面和第二低温多晶硅玻璃的侧面连接，其中，所述第一低温多晶硅玻璃的下表面和所述第二低温多晶硅玻璃的上表面连接；
断开所述第一低温多晶硅玻璃与所述第二低温多晶硅玻璃之间的连接，并断开第一导电胶膜和第二导电胶膜之间的连接，所述第一导电胶膜为与所述第一低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜，所述第二导电胶膜为与所述第二低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜；
将覆晶薄膜与所述第一导电胶膜的第二面连接，所述第一导电胶膜的第一面与所述第一低温多晶硅玻璃的侧面连接，以完成所述电子设备的制备过程。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一低温多晶硅玻璃的下表面和所述第二低温多晶硅玻璃的上表面连接，包括：
将所述第一低温多晶硅玻璃的下表面与所述第二低温多晶硅玻璃的上表面之间部分区域进行连接；
和/或，将所述第一低温多晶硅玻璃的下表面与所述第二低温多晶硅玻璃的上表面之间所有区域进行连接。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述异方性导电胶膜的宽度为根据所述第一低温多晶硅玻璃和所述第二低温多晶硅玻璃确定的宽度。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆晶薄膜包括集成电路。
5.根据权利要求1或3任一项所述的方法，其特征在于，所述异方性导电胶膜包括导电粒子。
6.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述第一低温多晶硅玻璃为低功耗的显示玻璃。
7.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述第二低温多晶硅玻璃为低功耗的显示玻璃。
8.一种电子设备的制备装置，其特征在于，所述装置包括：
连接单元，用于将异方性导电胶膜的第一面分别与第一低温多晶硅玻璃的侧面和第二低温多晶硅玻璃的侧面连接，其中，所述第一低温多晶硅玻璃的下表面和所述第二低温多晶硅玻璃的上表面连接；将覆晶薄膜与第一导电胶膜的第二面连接，所述第一导电胶膜的第一面与所述第一低温多晶硅玻璃的侧面连接，以完成所述电子设备的制备过程；
断开单元，用于断开所述第一低温多晶硅玻璃与所述第二低温多晶硅玻璃之间的连接，并断开所述第一导电胶膜和第二导电胶膜之间的连接，所述第一导电胶膜为与所述第一低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜，所述第二导电胶膜为与所述第二低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜。
9.一种电子设备的制备装置，其特征在于，所述装置包括：
存储器、处理器和通信总线，所述存储器通过所述通信总线与所述处理器进行通信，所述存储器存储所述处理器可执行的电子设备的制备程序，当所述电子设备的制备程序被执行时，通过所述处理器执行如权利要求1至7任一项所述的方法。
10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，应用于电子设备的制备装置，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7任一项所述的方法。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107112348A (zh) * 2014-12-22 2017-08-29 乐金显示有限公司 具有柔性印刷电路膜的有机发光二极管显示装置
CN107329297A (zh) * 2017-08-30 2017-11-07 上海中航光电子有限公司 显示面板的绑定结构和显示面板
CN108958554A (zh) * 2018-09-11 2018-12-07 信利光电股份有限公司 一种触摸屏
CN110361881A (zh) * 2019-07-15 2019-10-22 Oppo（重庆）智能科技有限公司 显示模组及电子设备
CN110660319A (zh) * 2019-09-27 2020-01-07 维沃移动通信有限公司 一种显示模组及终端设备
CN110782789A (zh) * 2019-10-21 2020-02-11 Oppo广东移动通信有限公司 一种显示模组以及电子设备

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102467371B1 (ko) * 2017-11-09 2022-11-14 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치 및 그 제조방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107112348A (zh) * 2014-12-22 2017-08-29 乐金显示有限公司 具有柔性印刷电路膜的有机发光二极管显示装置
CN107329297A (zh) * 2017-08-30 2017-11-07 上海中航光电子有限公司 显示面板的绑定结构和显示面板
CN108958554A (zh) * 2018-09-11 2018-12-07 信利光电股份有限公司 一种触摸屏
CN110361881A (zh) * 2019-07-15 2019-10-22 Oppo（重庆）智能科技有限公司 显示模组及电子设备
CN110660319A (zh) * 2019-09-27 2020-01-07 维沃移动通信有限公司 一种显示模组及终端设备
CN110782789A (zh) * 2019-10-21 2020-02-11 Oppo广东移动通信有限公司 一种显示模组以及电子设备

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