CN202332851U - 一种静电保护电路、阵列基板和液晶显示器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种静电保护电路、阵列基板和液晶显示器，涉及液晶显示屏的制备工艺领域，以解决现有技术中存在的，静电放电效果较差的问题，静电保护电路包括至少两个分支静电保护电路，各分支静电保护电路分别包括两个连接端子，两个连接端子分别用于接收静电信号和输出静电信号，各分支静电保护电路中的一个连接端子相互连接，另一个连接端子相互断接，由于采用至少两个分支静电保护电路，使得静电放电效果得到增强。
Description
技术领域
本实用新型涉及液晶显示屏的制备工艺领域，特别涉及一种静电保护电路、阵列基板和液晶显示器。
背景技术
在TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)制造行业，静电问题直接影响生产的液晶显示面板的良品率。由于静电产生的方式多种多样，所以在TFT-LCD制造显示面板的过程中，很多工艺过程会产生高电压静电荷。例如在进行摩擦工艺时，摩擦布和显示面板之间发生的摩擦会产生高压静电。由于高压静电电荷很可能击穿控制像素驱动的薄膜晶体管，导致像素驱动失败，使得液晶显示面板的品质低劣，所以就要求在TFT-LCD制造显示面板的过程中，及时有效地将高压静电释放或均衡。
在实现本实用新型的过程中，设计人发现现有技术中至少存在以下问题：现有的静电保护电路，通常设计在Gate Line与Gate Line之间，Date Line与Date Line之间，或者Gate(Date)Line与Common之间，无法在更多的线路之间提供保护，例如既能在Gate(Date)Line之间进行静电放电保护，又能在Gate(Data)Line与Common Line之间进行的静电放电保护，保护功能较弱。
由此可见现有技术中存在：静电保护电路保护功能较弱的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对现有技术中存在的，静电保护电路保护功能较弱的问题，提供一种静电保护电路、阵列基板和液晶显示器。
本实用新型实施例提供一种静电保护电路，包括至少两个分支静电保护电路，各分支静电保护电路分别包括两个连接端子，两个连接端子分别用于接收静电信号和输出静电信号，各分支静电保护电路中的一个连接端子相互连接，另一个连接端子相互断接。
进一步，分支静电保护电路包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的栅极和漏极短接，第二薄膜晶体管的栅极和漏极短接，第一薄膜晶体管的漏极与第二薄膜晶体管的源极连接，第二薄膜晶体管的漏极与第一薄膜晶体管的源极连接。
进一步，分支静电保护电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的栅极和漏极短接，第一薄膜晶体管的源极、第二薄膜晶体管的源极和第三薄膜晶体管的栅极短接，第二薄膜晶体管的栅极和漏极短接，第三薄膜晶体管的源极和漏极分别连接，第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极。
进一步，各分支静电保护电路第一薄膜晶体管的栅极和漏极的短接点，作为连接端子相互连接，各分支静电保护电路第二薄膜晶体管的栅极和漏极的短接点，作为连接端子相互断接。
进一步，分支静电保护电路的数量为两个。
本实用新型实施例还提供一种阵列基板，阵列基板上设置有如前述的静电保护电路。
进一步，其中的一个分支静电保护电路的两个连接端子分别连接第一数据线和第二数据线，另一个分支静电保护电路的两个连接端子分别连接第一数据线和一条公共线，其中相互连接在一起的连接端子连接第一数据线。
进一步，其中的一个分支静电保护电路的两个连接端子分别连接第一栅极线和第二栅极线，另一个分支静电保护电路的两个连接端子分别连接第一栅极线和一条公共线，其中相互连接在一起的连接端子连接第一栅极线。
本实用新型实施例还提供一种液晶显示器，液晶显示器上设置有如前述的阵列基板。
由于各分支静电保护电路中的一个连接端子相互连接，另一个连接端子相互断接，基于此能在更多的线路之间通过保护，保护功能得到增强。
附图说明
图1表示本实用新型第一实施例的静电保护电路图；
图2表示本实用新型第二实施例的静电保护电路图；
图3表示本实用新型第三实施例的静电保护电路图；
图4表示本实用新型第二实施例的静电保护电路在一条栅线积累过多的静电电荷形成高电压时的放电示意图；
图5表示本实用新型第二实施例提供的静电保护电路在另一条栅线积累过多的静电电荷形成高电压时的放电示意图；
图6表示本实用新型第二实施例提供的静电保护电路在公共线积累过多的静电电荷形成高电压时的放电示意图；
图7表示本实用新型第二实施例提供的静电保护电路在多条栅线中的一条积累过多的静电电荷形成高电压时的放电示意图；
图8表示本实用新型第二实施例提供的静电保护电路在TFT 1和/或TFT 2损坏时的放电示意图；
图9表示本实用新型第二实施例提供的静电保护电路当TFT 3损坏时的放电示意图；
图10表示本实用新型第二实施例提供的静电保护电路当TFT 4损坏时的放电示意图；
图11表示本实用新型第二实施例提供的静电保护电路当TFT 3和TFT 4损坏时的放电示意图。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本实用新型进行说明，为了解决现有技术中的静电保护电路保护功能较弱的问题，本实用新型实施例提供一种静电保护电路、阵列基板和液晶显示器。
本实用新型第一实施例提供的静电保护电路，如图1所示，包括至少两个分支静电保护电路，分别是第一分支静电保护电路10和第二分支静电保护电路20，第一分支静电保护电路包括两个连接端子11、12，第二分支静电保护电路包括两个连接端子21、22，各分支静电保护电路的两个连接端子分别用于接收静电信号和输出静电信号，连接端子11和连接端子21相互连接，连接端子12和连接端子22相互断接。
本实用新型第二实施例提供的静电保护电路如图2所示，第一分支静电保护电路10包括薄膜晶体管TFT 1(为了描述方便，后续文档中薄膜晶体管用TFT加阿拉伯数字标识表示)和TFT 2，TFT 1的栅极和漏极短接，TFT 2的栅极和漏极短接，TFT 1的漏极与TFT 2的源极连接，TFT 2的漏极与TFT 1的源极连接。第二分支静电保护电路20包括TFT 3和TFT 4，TFT 3的栅极和漏极短接，TFT 4的栅极和漏极短接，TFT 3的漏极与TFT 4的源极连接，TFT4的漏极与TFT 3的源极连接。TFT 1、TFT 3的栅极和漏极短接点作为连接端子相互连接，TFT 2、TFT 4的栅极和漏极短接点作为连接端子相互断接。
本实用新型第三实施例提供的静电保护电路如图3所示，分支静电保护电路还可以是，包括三个TFT，TFT 5的栅极和漏极短接，TFT 6的栅极和漏极短接，TFT 5的源极、TFT 6的源极和TFT 7的栅极短接，TFT 6的栅极和漏极短接，TFT 7的源极和漏极分别连接，TFT 5的栅极和TFT 6的栅极。本实施例中可以采用图3中的分支静电保护电路代替图2中的第一分支静电保护电路10和/或第二分支静电保护电路20。
本实用新型第四实施例还提供一种阵列基板，阵列基板上设置有如前述的静电保护电路，下面以第一分支静电保护电路10两个连接点分别连接两条栅线Gate Line 30、40，第二分支静电保护电路20两个连接点分别连接前述的一条栅线Gate Line 30和一条公共线Common Line 50。当然前述的栅线也可以换成数据线Data Line。
以下均以Gate Line举例，相同的方法适用于Data Line，分支静电保护电路采用图2中的电路。
如图4所示，当Gate Line 30积累过多的静电电荷形成高电压时，TFT 1和TFT 3打开，将电荷分别传导至Gate Line 40和Common Line 50中。
如图5所示，当Gate Line 40积累过多的静电电荷形成高电压时，TFT 2和TFT 3依次打开，将电荷分别传导至Gate Line 30和Common Line 50。
如图6所示，当Common Line 50积累过多电荷形成高压时，TFT 4打开，将电荷传导至Gate Line 30，然后TFT 1打开，再将电荷传导至Gate Line 40中，更有效的实现放电效果。
如图7所示，由于Gate Line的周期性，即有多条Gate Line，每条Gate Line31同时充当Gate Line 30和Gate Line 40的作用，更好的实现静电放电的有效性。
如图8所示，TFT 1损坏，TFT 2损坏或TFT 1和TFT 2均损坏这三种情况下，等效为2个TFT工作的静电环电路，并说明其保护方法：当Gate line 30积累过多电荷形成高压时，TFT 3打开，将电荷传导至Common line 50；当Common line 50积累过多电荷形成高压时，TFT 4打开，将电荷传导至Gate line30。
如图9所示，TFT 3损坏，等效为3个TFT工作的静电环电路，并说明其保护方法：当Gate line 30或者Gate line 40积累过多电荷形成高压时，TFT 1或者TFT 2打开，将电荷传导至Gate line 40或者Gate line 30；当Common line50积累过多电荷形成高压时，TFT 4打开，将电荷传导至Gate line 30。
如图10所示，TFT 4损坏，等效为3个TFT工作的静电环电路，并说明其保护方法：当Gate Line 30积累过多的电荷形成高压时，TFT 1打开将电荷传导至Gate Line 40，同时TFT 3打开将电荷传导至Common Line 50；当GateLine 40积累过多的电荷，TFT 2打开后一部分电荷传导至Gate Line 30，另一部分会使TFT 3打开，将电荷传导至Common Line 50。
如图11所示，TFT 3和TFT 4损坏，等效为2个TFT工作的静电环电路，并说明其保护方法：Gate Line 30或者40积累过多的电荷形成高压时，TFT 1或者TFT 2打开，将电荷传导至Gate line 40或者Gate line 30。
本实用新型第五实施例还提供一种液晶显示器，液晶显示器上设置有如前述的阵列基板。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本实用新型技术方案的精神和范围。
Claims (9)
1.一种静电保护电路，其特征在于，包括至少两个分支静电保护电路，各分支静电保护电路分别包括两个连接端子，两个连接端子分别用于接收静电信号和输出静电信号，各分支静电保护电路中的一个连接端子相互连接，另一个连接端子相互断接。
2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，分支静电保护电路包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的栅极和漏极短接，第二薄膜晶体管的栅极和漏极短接，第一薄膜晶体管的漏极与第二薄膜晶体管的源极连接，第二薄膜晶体管的漏极与第一薄膜晶体管的源极连接。
3.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，分支静电保护电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的栅极和漏极短接，第二薄膜晶体管的栅极和漏极短接，第一薄膜晶体管的源极、第二薄膜晶体管的源极和第三薄膜晶体管的栅极短接，第三薄膜晶体管的源极和漏极分别连接，第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极。
4.根据权利要求2或3所述的静电保护电路，其特征在于，各分支静电保护电路第一薄膜晶体管的栅极和漏极的短接点，作为连接端子相互连接，各分支静电保护电路第二薄膜晶体管的栅极和漏极的短接点，作为连接端子相互断接。
5.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，分支静电保护电路的数量为两个。
6.一种阵列基板，其特征在于，阵列基板上设置有如权利要求1-5任一权利要求所述的静电保护电路。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，其中的一个分支静电保护电路的两个连接端子分别连接第一数据线和第二数据线，另一个分支静电保护电路的两个连接端子分别连接第一数据线和一条公共线，其中相互连接在一起的连接端子连接第一数据线。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，其中的一个分支静电保护电路的两个连接端子分别连接第一栅极线和第二栅极线，另一个分支静电保护电路的两个连接端子分别连接第一栅极线和一条公共线，其中相互连接在一起的连接端子连接第一栅极线。
9.一种液晶显示器，其特征在于，液晶显示器上设置有如权利要求6、7、8任一权利要求所述的阵列基板。
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