CN111354794B - 功率半导体器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种功率半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；漏极金属；漂移区；基区；栅结构；第一导电类型掺杂区，在基区远离栅结构的一侧与基区接触；源区，设于基区中、第一导电类型掺杂区与栅结构之间；接触金属，设于第一导电类型掺杂区上，与下方的第一导电类型掺杂区形成具有整流特性的接触势垒；源极金属，包裹接触金属，并与源区接触。本发明在源极金属底部引入具有整流特性的接触势垒的接触金属，同时在接触金属的下方加入第一导电类型掺杂区，替代了传统功率器件中寄生的体二极管来完成续流的功能，续流导通压降明显降低，并且器件的反向恢复速度更快于传统功率器件的寄生体二极管的反向恢复速度。

Description

功率半导体器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及半导体器件，特别是涉及一种功率半导体器件及其制造方法。
背景技术
碳化硅是近十几年来迅速发展起来的宽禁带半导体材料之一。与广泛应用的半导体材料硅、锗以及砷化镓相比，碳化硅具有宽禁带、高击穿电场、高载流子饱和漂移速率、高热导率及高功率密度等优点，是制备高温、大功率、高频器件的理想材料。目前美、欧、日等发达国家已经基本解决了碳化硅单晶生长和同质外延薄膜等问题，在大功率半导体器件领域占据主导地位。
在目前的工业应用中，传统的碳化硅功率器件由于工作要求搭配续流二极管使用，而传统碳化硅器件的内部寄生的体二极管的导通压降很高，因此经常需要在其外部并联一个二极管进行应用，但是由于这个二极管是在传统功率器件的外部，这样做集成度很低，成本很高，并且效率较差。
发明内容
基于此，有必要提供一种体二极管具有较好的正向导通能力的功率半导体器件及其制造方法。
一种功率半导体器件，包括：衬底，为第一导电类型；漏极金属，设于所述衬底的第一面；漂移区，为第一导电类型，设于所述衬底的第二面，所述第二面与所述第一面相对；基区，为第二导电类型，设于所述漂移区中；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；栅结构，包括所述漂移区上的栅介质层和所述栅介质层上的栅极，所述栅结构延伸到所述基区的上方；第一导电类型掺杂区，在所述基区远离所述栅结构的一侧与基区接触；源区，为第一导电类型，设于所述基区中、所述第一导电类型掺杂区与栅结构之间；接触金属，设于所述第一导电类型掺杂区上，与下方的第一导电类型掺杂区形成具有整流特性的接触势垒，且所述接触金属在第一方向的尺寸大于所述第一导电类型掺杂区在第一方向的尺寸，从而使得所述接触金属延伸至第一导电类型掺杂区旁的基区上方未到达所述源区的位置，所述第一方向为所述栅极和所述接触金属的连线方向；源极金属，包裹所述接触金属，并与所述源区接触。
在其中一个实施例中，还包括第二导电类型的体接触区，所述体接触区设于所述基区中、所述源区与第一导电类型掺杂区之间，所述接触金属与所述体接触区相接触。
在其中一个实施例中，还包括设于所述漂移区中的第二导电类型掺杂区，所述第二导电类型掺杂区设于所述基区和第一导电类型掺杂区下方，并与所述基区和第一导电类型掺杂区接触。
在其中一个实施例中，所述第二导电类型掺杂区由多个子掺杂区组成，各子掺杂区在第二方向上间隔分布，所述第二方向与所述第一方向垂直、且所述第二方向与第一方向构成的面为水平面。
在其中一个实施例中，各所述子掺杂区大小相等、且在所述第二方向上等间距分布，所述间距在第二方向上的尺寸与所述子掺杂区在第二方向上的尺寸比例为0.2-0.6:1。
在其中一个实施例中，所述第二导电类型掺杂区位于所述基区下方的部分与位于所述第一导电类型掺杂区下方的部分在所述第一方向上的尺寸比例为0.2-0.4:1。
在其中一个实施例中，所述第一导电类型掺杂区的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度、小于所述源区的掺杂浓度。
在其中一个实施例中，所述接触金属的材质为金、钛、镍中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述功率半导体器件为碳化硅功率半导体器件。
一种功率半导体器件的制造方法，包括：获取形成有漂移区的衬底，所述漂移区形成于所述衬底的一面，所述衬底和漂移区为第一导电类型；掺杂第二导电类型离子，在所述漂移区中形成第二导电类型的基区；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；掺杂第一导电类型离子，在所述漂移区中形成与所述基区接触的第一导电类型掺杂区；掺杂第一导电类型离子，在所述基区中形成第一导电类型的源区；在所述第一导电类型掺杂区上形成接触金属，所述接触金属与下方的第一导电类型掺杂区形成具有整流特性的接触势垒，且所述接触金属向所述源区延伸至未到达所述源区的基区上方；在所述漂移区上形成栅结构，所述栅结构包括所述漂移区上的栅介质层和所述栅介质层上的栅极，所述栅结构延伸到所述基区的与所述第一导电类型掺杂区相对的一侧上方；形成包裹所述接触金属的源极金属，所述源极金属与所述源区接触。
在其中一个实施例中，所述获取形成有漂移区的衬底的步骤之后，所述掺杂第二导电类型离子，在所述漂移区中形成第二导电类型的基区的步骤之前，还包括在漂移区内形成第二导电类型掺杂区的步骤，所述第二导电类型掺杂区形成于基区和第一导电类型掺杂区的下方，并与所述基区和第一导电类型掺杂区接触。
在其中一个实施例中，所述掺杂第二导电类型离子，在所述漂移区中形成第二导电类型的基区的步骤之后，所述在所述第一导电类型掺杂区上形成接触金属的步骤之前，还包括在基区内形成体接触区的步骤，所述体接触区形成于所述源区与第一导电类型掺杂区之间。
上述功率半导体器件及其制造方法，在源极金属底部引入具有整流特性的接触势垒的接触金属，同时在接触金属的下方加入第一导电类型掺杂区，替代了传统功率器件中寄生的体二极管来完成续流的功能，续流导通压降明显降低，并且器件的反向恢复速度更快于传统功率器件的寄生体二极管的反向恢复速度，且改进结构的反向恢复尖峰电流更低于传统功率器件的寄生体二极管的反向恢复尖峰电流，可靠性更高。
附图说明
为了更好地描述和说明这里公开的那些发明的实施例和/或示例，可以参考一幅或多幅附图。用于描述附图的附加细节或示例不应当被认为是对所公开的发明、目前描述的实施例和/或示例以及目前理解的这些发明的最佳模式中的任何一者的范围的限制。
图1是一实施例中功率半导体器件的立体图；
图2是另一实施例中功率半导体器件的局部剖视立体图；
图3是图2所示的功率半导体器件沿另一剖面的俯视剖面图；
图4是本发明一实施例的器件与一传统碳化硅功率半导体器件在栅漏压为零时，源端电压逐渐增大的电流对比图；
图5是本发明一实施例的器件与常规碳化硅功率半导体器件的击穿电压比较图；
图6是一实施例中功率半导体器件的制造方法的流程图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
这里参考作为本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发明的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本发明的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本发明的范围。
本文所使用的半导体领域词汇为本领域技术人员常用的技术词汇，例如对于P型和N型杂质，为区分掺杂浓度，简易的将P+型代表重掺杂浓度的P型，P型代表中掺杂浓度的P型，P-型代表轻掺杂浓度的P型，N+型代表重掺杂浓度的N型，N型代表中掺杂浓度的N型，N-型代表轻掺杂浓度的N型。
图1是一实施例中功率半导体器件结构立体图。该功率半导体器件包括衬底1、漏极金属10、漂移区2、基区3、第一导电类型掺杂区13、源区4、接触金属11、源极金属6以及栅结构(包括栅极8和栅介质层7)。在本实施例中，该功率半导体器件为碳化硅功率半导体器件，但本发明的功率半导体器件同样适用于其他衬底材质的功率半导体器件。
其中，衬底1为第一导电类型的衬底。漏极金属10设于1衬底的背面(即图1中朝下的一面)。漂移区2为第二导电类型的漂移区，设于衬底1的正面(即图1中朝上的一面)。在图1所示的实施例中，第一导电类型是N型，第二导电类型是P型，及衬底1为N型衬底，漂移区2为N型漂移区。在另一个实施例中，也可以第一导电类型是P型，第二导电类型是N型。
基区3设于漂移区2中，在图1所示的实施例中，基区3为P型基区。栅介质层7设于漂移区2上，栅极8设于栅介质层7上。源区4在图1所示的实施例中为N+源区，设于基区3中、第一导电类型掺杂区13与栅结构之间。栅结构延伸到基区3的上方。在图1所示的实施例中，栅结构的两侧各有一个基区3、各有一个源区4，且这两个基区3(以及两个源区4)左右对称设置。第一导电类型掺杂区13在图1所示的实施例中为N型掺杂区，在基区3远离栅结构的一侧与基区3接触。
接触金属11设于第一导电类型掺杂区13上，与下方的第一导电类型掺杂区13形成具有整流特性的接触势垒，例如可以是肖特基势垒。在一个实施例中，接触金属11的材质可以为金、钛和镍等和半导体接触后形成的势垒具有整流特性的这类金属。
在图1中，接触金属11在Y轴方向的尺寸大于第一导电类型掺杂区13在Y轴方向的尺寸，从而使得接触金属11完全覆盖第一导电类型掺杂区13的上方、并延伸至基区3上方。图1中的Y轴方向也是栅极8和接触金属11的连线方向。在图1所示的实施例中，接触金属11只比第一导电类型掺杂区13略“宽”，以免延伸至源区4上方。源极金属6包裹接触金属11，并与源区4接触。
上述功率半导体器件，在源极金属6底部引入具有整流特性的接触势垒的接触金属11，同时在接触金属11的下方加入第一导电类型掺杂区13，替代了传统功率器件中寄生的体二极管来完成续流的功能，续流导通压降明显降低，并且器件的反向恢复速度更快于传统功率器件的寄生体二极管的反向恢复速度，且改进结构的反向恢复尖峰电流更低于传统功率器件的寄生体二极管的反向恢复尖峰电流，可靠性更高。
在图1所示的实施例中，功率半导体器件还包括第二导电类型的体接触区5。体接触区5设于基区3中、源区4与第一导电类型掺杂区13之间，接触金属11与体接触区5相接触。在图1所示的实施例中，体接触区5为P+接触区，接触金属11在Y轴方向上延伸至体接触区5的上方，源极金属6也与体接触区5接触。在图1所示的实施例中，栅结构的两侧各有一个体接触区5，且这两个体接触区5左右对称。对第一导电类型掺杂区13来说，其两侧也是各有一个相互对称的体接触区5。
在图1所示的实施例中，功率半导体器件还包括钝化层9。钝化层9将栅结构覆盖，包裹栅结构的两侧。
在一个实施例中，栅介质层7可以包括传统的电介质材料诸如具有电介质常数从大约4到大约20(真空中测量)的硅的氧化物、氮化物和氮氧化物，或者，栅介质层7可以包括具有电介质常数从大约20到至少大约100的通常较高电介质常数电介质材料。这种较高电介质常数电介质材料可以包括但不限于：氧化铪、硅酸铪、氧化钛、钛酸锶钡(BSTs)和锆钛酸铅(PZTs)。
在一个实施例中，栅极8为多晶硅材料，在其他实施例中也可使用金属、金属氮化物、金属硅化物或类似化合物作为栅极8的材料。
在图1所示的实施例中，功率半导体器件还包括设于漂移区2中的第二导电类型掺杂区12。在本实施例中，第二导电类型掺杂区12是P+掺杂区。第二导电类型掺杂区12设于基区3和第一导电类型掺杂区13下方(即第二导电类型掺杂区12的一部分设于基区3下方、一部分设于第一导电类型掺杂区13下方)，并与基区3和第一导电类型掺杂区13接触。
参见图1，在一个实施例中，第二导电类型掺杂区12位于基区3下方的部分与位于第一导电类型掺杂区13下方的部分在Y轴方向上的尺寸比例为0.2-0.4:1，即c:d＝0.2-0.4:1。需要说明的是，图1中c和d的尺寸不代表第二导电类型掺杂区12的实际尺寸/比例。
在基区3的下方引入第一导电类型掺杂区13，且第二导电类型掺杂区12延伸至第一导电类型掺杂区13下方，使得功率半导体器件在承受反向耐压的时候，第二导电类型掺杂区12与第一导电类型掺杂区13以及漂移区2之间的耗尽层会夹断，将大电场限制在第一导电类型掺杂区13以外，因而本器件可以维持较高的反向耐压值。
请一并参照图2和图3，第二导电类型掺杂区12由多个P+子掺杂区组成，各P+子掺杂区在X轴方向上间隔分布。可以理解的，X轴和Y轴构成一个水平面(经过两条相交直线的有且仅有一个平面)。在该实施例中，功率半导体器件通过在基区3下方沿着栅宽方向(即图2和图3中的X轴方向)间隔分布P+子掺杂区。在承受反向耐压的时候，相邻两个P+子掺杂区之间的耗尽层夹断，因此其与第二导电类型掺杂区12为一个完整区域的器件结构一样，能够实现反向耐压；而当体二极管正向导通时，由于栅宽方向上每两个相邻的P+子掺杂区之间的区域的存在，使得体二极管正向导通面积增加，从而进一步提升了续流导通能力。
参见图3，在该实施例中，各P+子掺杂区大小相等、且在X轴方向上等间距分布。
参见图3，在一个实施例中，各P+子掺杂区的间距在X轴方向上的尺寸a与P+子掺杂区在X轴方向上的尺寸b比例为0.2-0.6:1。需要说明的是，图3中a和b的尺寸不代表P+子掺杂区的实际尺寸/比例。
在图1所示的实施例中，第一导电类型掺杂区13的掺杂浓度大于漂移区2的掺杂浓度、小于源区4的掺杂浓度。在一个实施例中，第一导电类型掺杂区13为N型掺杂区，其掺杂浓度大大低于N+源区的掺杂浓度，具体可根据器件参数要求调整区域的浓度。
在一个实施例中，第二导电类型掺杂区12中的掺杂离子是铝离子，基区3中的掺杂离子是铝离子，第一导电类型掺杂区13中的掺杂离子是氮离子，体接触区5中的掺杂离子是铝离子，源区4中的掺杂离子是氮离子。
由于碳化硅功率器件通常搭配续流二极管使用，因此上述功率半导体器件的结构尤其适用于碳化硅功率器件。但本领域技术人员可以理解的，该结构同样适用于其他衬底材质的功率器件，例如硅衬底、锗衬底、砷化镓衬底等的功率器件。
图4是本发明一实施例的器件与一传统碳化硅功率半导体器件在栅漏压为零时，源端电压逐渐增大的电流对比图。可以看出本发明器件的体二极管的导通电压要明显低于传统器件。图5是本发明一实施例的器件与常规碳化硅功率半导体器件的击穿电压比较图。可以看出本发明器件击穿电压仍然维持在较高的值。
本发明还提供一种功率半导体器件的制造方法，可以用于制造以上任一实施例的功率半导体器件。图6是一实施例中功率半导体器件的制造方法的流程图，包括以下步骤：
S610，获取形成有漂移区的衬底。
漂移区形成于衬底的一面，衬底和漂移区均为第一导电类型。在本实施例中，第一导电类型是N型，第二导电类型是P型；在另一个实施例中，第一导电类型是P型，第二导电类型是N型。
在一个实施例中，可以通过在N型衬底的表面外延一层N型外延层，作为漂移区。
S620，掺杂第二导电类型离子，在漂移区中形成第二导电类型的基区。
在一个实施例中，可以在光刻后以光刻胶为掩膜，通过铝离子注入在漂移区中形成P型基区。
S630，掺杂第一导电类型离子，在漂移区中形成与基区接触的第一导电类型掺杂区。
在一个实施例中，可以在去除步骤S620的光刻胶后再次光刻，然后通过氮离子注入在漂移区中形成与基区接触的第一导电类型掺杂区。
S640，掺杂第一导电类型离子，在基区中形成第一导电类型的源区。
在一个实施例中，可以在去除步骤S630的光刻胶后再次光刻，然后通过氮离子注入在基区中形成第一导电类型的源区。
S650，在第一导电类型掺杂区上形成接触金属。
在一个实施例中，可以在去除步骤S640的光刻胶后淀积接触金属，然后光刻并刻蚀该接触金属，刻蚀后的接触金属要保留足够的宽度，使得接触金属从第一导电类型掺杂区上伸出，到达基区上方，但不应太宽以免到达源区的上方。
接触金属与下方的第一导电类型掺杂区形成具有整流特性的接触势垒，例如可以是肖特基势垒。接触金属的材质可以为金、钛和镍等和半导体接触后形成的势垒具有整流特性的这类金属。
S660，在漂移区上形成栅结构。
在一个实施例中，可以在去除步骤S650的光刻胶后生长栅氧化层，然后淀积多晶硅，光刻并刻蚀出多晶硅栅。
S670，形成包裹接触金属的源极金属，源极金属与源区接触。
在本实施例中，是刻蚀电极接触区后淀积金属，再刻蚀金属引出电极，最后进行钝化处理。在本实施例中，钝化处理包括形成将栅结构覆盖的钝化层，该钝化层包裹栅结构的两侧。
在一个实施例中，步骤S610和S620之间还可以包括在漂移区内形成第二导电类型掺杂区的步骤。具体可以是在光刻后以光刻胶为掩膜，通过铝离子注入在漂移区中形成间隔分布的第二导电类型掺杂区。第二导电类型掺杂区形成于基区和第一导电类型掺杂区的下方，并与所述基区和第一导电类型掺杂区接触。
在一个实施例中，步骤S620和S650之间还可以包括在基区内形成体接触区的步骤。具体可以是去除光刻胶后再次光刻，通过铝离子注入在基区内形成P+型体接触区。体接触区形成于源区与第一导电类型掺杂区之间。在一个实施例中，形成体接触区的步骤是在步骤S630和S640之间。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：
衬底，为第一导电类型；
漏极金属，设于所述衬底的第一面；
漂移区，为第一导电类型，设于所述衬底的第二面，所述第二面与所述第一面相对；
基区，为第二导电类型，设于所述漂移区中；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；
栅结构，包括所述漂移区上的栅介质层和所述栅介质层上的栅极，所述栅结构延伸到所述基区的上方；
第一导电类型掺杂区，在所述基区远离所述栅结构的一侧与基区接触；
源区，为第一导电类型，设于所述基区中、所述第一导电类型掺杂区与栅结构之间；
接触金属，设于所述第一导电类型掺杂区上，与下方的第一导电类型掺杂区形成具有整流特性的接触势垒，且所述接触金属在第一方向的尺寸大于所述第一导电类型掺杂区在第一方向的尺寸，从而使得所述接触金属延伸至第一导电类型掺杂区旁的基区上方未到达所述源区的位置，所述第一方向为所述栅极和所述接触金属的连线方向；
源极金属，包裹所述接触金属，并与所述源区接触；
第二导电类型掺杂区，设于所述基区下方和第一导电类型掺杂区下方，并与所述基区和第一导电类型掺杂区接触；所述第二导电类型掺杂区由多个子掺杂区组成，各子掺杂区在第二方向上间隔分布，所述第二方向与所述第一方向垂直、且所述第二方向与第一方向构成的面为水平面。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，还包括第二导电类型的体接触区，所述体接触区设于所述基区中、所述源区与第一导电类型掺杂区之间，所述接触金属与所述体接触区相接触。
3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，各所述子掺杂区大小相等、且在所述第二方向上等间距分布，所述间距在第二方向上的尺寸与所述子掺杂区在第二方向上的尺寸比例为0.2-0.6:1。
4.根据权利要求3所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第二导电类型掺杂区位于所述基区下方的部分与位于所述第一导电类型掺杂区下方的部分在所述第一方向上的尺寸比例为0.2-0.4:1。
5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型掺杂区的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度、小于所述源区的掺杂浓度。
6.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述接触金属的材质为金、钛、镍中的至少一种。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件为碳化硅功率半导体器件。
8.一种功率半导体器件的制造方法，包括：
获取形成有漂移区的衬底，所述漂移区形成于所述衬底的一面，所述衬底和漂移区为第一导电类型；
掺杂第二导电类型离子，在所述漂移区中形成第二导电类型的基区；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；
掺杂第一导电类型离子，在所述漂移区中形成与所述基区接触的第一导电类型掺杂区；
掺杂第一导电类型离子，在所述基区中形成第一导电类型的源区；
在所述第一导电类型掺杂区上形成接触金属，所述接触金属与下方的第一导电类型掺杂区形成具有整流特性的接触势垒，且所述接触金属向所述源区延伸至未到达所述源区的基区上方；
在所述漂移区上形成栅结构，所述栅结构包括所述漂移区上的栅介质层和所述栅介质层上的栅极，所述栅结构延伸到所述基区的与所述第一导电类型掺杂区相对的一侧上方；
形成包裹所述接触金属的源极金属，所述源极金属与所述源区接触；
所述获取形成有漂移区的衬底的步骤之后，所述掺杂第二导电类型离子，在所述漂移区中形成第二导电类型的基区的步骤之前，还包括在漂移区内形成第二导电类型掺杂区的步骤，所述第二导电类型掺杂区形成于基区下方和第一导电类型掺杂区的下方，并与所述基区和第一导电类型掺杂区接触；所述第二导电类型掺杂区由多个子掺杂区组成，各子掺杂区在第二方向上间隔分布，所述第二方向与第一方向垂直，所述第一方向为所述栅极和所述接触金属的连线方向，且所述第二方向与第一方向构成的面为水平面。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述掺杂第二导电类型离子，在所述漂移区中形成第二导电类型的基区的步骤之后，所述在所述第一导电类型掺杂区上形成接触金属的步骤之前，还包括在基区内形成体接触区的步骤，所述体接触区形成于所述源区与第一导电类型掺杂区之间。
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