CN101950759A - 一种Super Junction VDMOS器件 - Google Patents

一种Super Junction VDMOS器件 Download PDF

Info

Publication number
CN101950759A
CN101950759A CN 201010264774 CN201010264774A CN101950759A CN 101950759 A CN101950759 A CN 101950759A CN 201010264774 CN201010264774 CN 201010264774 CN 201010264774 A CN201010264774 A CN 201010264774A CN 101950759 A CN101950759 A CN 101950759A
Authority
CN
China
Prior art keywords
type
super junction
post district
type post
tagma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN 201010264774
Other languages
English (en)
Inventor
李泽宏
胡涛
邓光平
钱振华
洪辛
张波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Electronic Science and Technology of China
Original Assignee
University of Electronic Science and Technology of China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Electronic Science and Technology of China filed Critical University of Electronic Science and Technology of China
Priority to CN 201010264774 priority Critical patent/CN101950759A/zh
Publication of CN101950759A publication Critical patent/CN101950759A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

一种Super Junction VDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在具有平面肖特基接触结构的Super Junction VDMOS器件基础上，引入沟槽式肖特基接触结构：即将多晶硅栅电极在N型柱区上方分成两段；同时将金属源电极在两段多晶硅栅电极之间的区域向下延伸进N型柱区，并在与N型柱区相接触的表面形成沟槽式肖特基接触结构。另外，金属源电极两端也可做成沟槽式欧姆接触结构。本发明提供的Super Junction VDMOS器件，具有较好的反向恢复特性；在同等反向恢复特性要求下，可降低器件制备时对工艺线宽的要求，使器件尺寸更小；而沟槽式欧姆接触结构，可降低器件接触电阻，并改善器件散热性能。两个沟槽式结构可采用同一张掩模板，使得器件的制造成本不会明显增加。

Description

一种Super Junction VDMOS器件
技术领域
本发明属于电子技术领域，涉及功率半导体器件，具体涉及一种Super Junction VDMOS器件。 
背景技术
Super Junction VDMOS是一种发展迅速、应用广泛的新型功率半导体器件。它是在普通垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)的基础上，通过引入SJ(Super Junction)结构，除了具备VDMOS输入阻抗高、开关速度快、工作频率高、电压控制、热稳定性好、驱动电路简单、易于集成等特点外，还克服了VDMOS的导通电阻随着击穿电压成2.5次方关系增加的缺点。目前Super Junction VDMOS已广泛应用于面向个人电脑、笔记本电脑、上网本或手机、照明(高压气体放电灯)产品以及电视机(液晶或等离子电视机)和游戏机等消费电子产品的电源或适配器。 
1988年，飞利浦公司的D.J.Coe申请美国专利(David J.Coe，High voltage semiconductor device[P].US Patent 4,754,310.1988.)，第一次给出了在横向高压MOSFET(LD MOSFET)中用交替的pn结结构代替传统功率器件中低掺杂漂移层作为电压支持层(耐压层)的方法。1993年，电子科技大学的陈星弼教授申请的美国专利(Xingbi Chen，Semiconductor power devices with alternating conductivity type high-voltage breakdown regions[P].US Patent 5,216,275.1993.)，提出了在纵向功率器件(尤其是纵向MOSFET)中用多个pn结结构作为漂移层的思想，并把这种结构称之为“复合缓冲层”(Composite Buffer Layer)。1995年，西门子公司的J.Tihanyi申请的美国专利(Tihanyi J.Power MOSFET[P].US Patent 5,438,215.1995.)，提出了类似的思路和应用。1997年Tatsuhiko等人在对上述概念的总结下，提出了“超结理论”。结合该理论，1998年Infineon公司首次推出了Super Junction VDMOS，也称为“CoolMOSTM”，其基本结构如图1所示。其最初的P柱区3是采用多次外延和多次离子注入的方式实现的。“CoolMOSTM”显著地降低了导通电阻，但在该结构内存在一个体二极管，它由P+区、N外延层和N+衬底构成。当该体二极管处于导通状态时，大量过剩载流子贮存在电压支持层中，使“CoolMOSTM”具有很大的反向恢复电荷Qrr，而且由于横向pn结的存在会使这些载流子迅速排出，这使得“CoolMOSTM”具有较差的反向恢复特性。 
文献Xu CHENG，Xing-Ming LIU，Johnny K.O.SIN，Bao-Wei KANG，Improving the  CoolMOSTM Body-Diode Switching Performance with Integrated Schottky Contacts，ISPSD 2003提供了一种带有肖特基接触结构的平面栅Super Junction VDMOS，如图2所示，在栅下的N型区4表面做成肖特基接触结构11。在体二极管开启时，一部分电流将由流过肖特基接触结构的多数载流子提供，这种带有肖特基接触结构的平面栅Super Junction VDMOS器件明显消除了器件中过剩载流子存储效应的作用，从而有效地改善了器件的反向恢复特性。在阻挡状态时，漏源之间存在一个高压，使得P区、N区完全耗尽成为电压支持层。在N区中电场存在一个来自临近P区的很强的横向分量，而它带来的二维效应降低了肖特基接触结构下的电场密度，这就是所谓的“JFET效应”或者叫“夹断效应”，从而克服了肖特基接触结构11击穿电压低的问题。但是，由于肖特基接触结构11的引入，使器件泄漏电流增加，而且由于肖特基接触改变了原来的栅结构，使得原先正栅偏压时在N区外延层表面处形成的多子积累层不复存在，使得器件导通电阻增加。要改善这些缺点需要更好的工艺线宽，增加了器件的制造成本。 
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有较好反向恢复特性的Super Junction VDMOS器件，且对工艺线宽的要求较低。 
本发明的核心思想是：在现有的带有肖特基接触的平面栅Super Junction VDMOS器件基础上，在多晶硅栅下的N型JFET区中引入一沟槽式肖特基接触，当二极管开启时，通过肖特基接触，使得部分电流由多子电流来实现，因此少子电流减少，从而使得过剩载流子的存储效应减弱，达到改善器件的反向恢复特性的目的。同时，肖特基接触做成沟槽式结构，与文献Xu CHENG，Xing-Ming LIU，Johnny K.O.SIN，Bao-Wei KANG，Improving the CoolMOSTM Body-Diode Switching Performance with Integrated Schottky Contacts，ISPSD 2003相比，在获得相同反向恢复特性的情况下，可以降低器件制备时对工艺线宽的要求，使器件尺寸更小；而源金属电极做成沟槽式，可进一步降低器件接触电阻，并改善器件散热性能，获得优越的高温工作特性。 
本发明技术方案如下： 
一种Super Junction VDMOS器件，如图3所示，包括N+衬底2、位于N+衬底2背底表面的金属漏极1、位于N+衬底2表面的Super Junction结构、多晶硅栅电极9和金属源电极10。所述Super Junction结构由两个P型柱区3中间夹一个N型柱区4形成。Super Junction结构顶部两侧分别具有一个P型基区5，P型基区5分别与P型柱区3和N型柱区4接触；两个P型基区5中分别具有N+源区6和P+体区7。所述多晶硅栅电极9位于P型基区5和N 型柱区4的上方，与P型基区5和N型柱区4之间通过栅氧化层相绝缘。所述金属源电极10位于器件的最上层，两端分别与两个P型基区5中的N+源区6和P+体区7相接触，与多晶硅栅电极9之间通过隔离介质8相绝缘。所述多晶硅栅电极9在N型柱区4上方分成两段；所述金属源电极10在两段多晶硅栅电极9之间的区域向下延伸进N型柱区4，并在与N型柱区4相接触的表面形成沟槽式肖特基接触结构11。 
上述技术方案中： 
所述沟槽式肖特基接触结构11的肖特基势垒高度、槽的深度、槽的长度可以根据器件所要求的导通特性以及体二极管的反向恢复特性进行调节。 
所述金属源电极10两端与两个P型基区5中的N+源区6和P+体区7相欧姆接触的部分也可以做成沟槽式结构，该沟槽式欧姆接触结构向下延伸进N+源区6和P+体区7，甚至延伸进P型基区5。所述金属源极10两端的沟槽式欧姆接触结构可进一步降低器件接触电阻，并改善器件散热性能，获得优越的高温工作特性。 
上述方案中，所述金属源极10中间的沟槽式肖特基接触结构11和两端的沟槽式欧姆接触结构通过刻槽和金属淀积的工艺即可实现。 
本发明的工作原理： 
本发明提供的一种Super Junction VDMOS，能有效地改善体二极管的反向恢复特性，并且具有好的散热特性，使得器件的靠性得到增加。下面以本发明提供的图3所述的N沟道Super Junction VDMOS为例说明本发明的工作原理。 
当沟道开启后，电子由源极流经沟道，N型柱区4，N+衬底2，最后流向漏极1，此过程中，P型柱区3不起作用；而当器件加反偏压时，不仅存在纵向的电场，同时还存在横向的电场使PN结耗尽，这与传统结构只存在纵向电场不同。所以，如果在击穿之前，P型柱区3和N型柱区4都完全耗尽，则其击穿电压只与漂移区厚度有关而与漂移区掺杂浓度无关。这样，SJ(Super Junction)结构中的漂移区掺杂浓度可以比传统结构漂移区的掺杂浓度高出一个数量级，使导通电阻大大降低，进而改善导通电阻与器件耐压之间的矛盾。然而，在体二极管被正向偏置时，P型柱区3与N型柱区4之间的大面积PN结会相互注入大量的少子到对方区域，当器件要恢复到正向阻断时，体二极管需要经历一个反向恢复过程，以扫出P型柱区3、N型柱区4中的少数载流子Qrr。由于引入了P型柱区3，使得Super Junction VDMOS的体二极管的反向恢复过程与普通VDMOS相比较有更大的Qrr，并且di/dt也要大得多，从 而导致其反向恢复特性较差。而本发明所述的一种Super Junction VDMOS，引入沟槽式肖特基接触结构来改善体二极管的反向恢复特性。肖特基接触结构11与体二极管并联，当体二极管开启时，一部分电流将以多数载流子电流的形式流过肖特基接触结构11，使得N柱区4中注入的少数载流子以及存储的过剩载流子将减少，进而在体二极管关断时有更快的反向恢复速度；在阻断情况下，当漏电极1加上高电压时，肖特基接触结构11周围的N区将被两边的P型基区5夹断，削弱了肖特基接触结构11处的电场，使得肖特基接触结构11的击穿电压增大，从而可在不影响器件耐压的情况下，有效地改善器件的反向恢复特性。本发明中的沟槽式肖特基接触结构11与图2所示的平面肖特基接触结构11相比，在有相同肖特基接触面积的情况下，可降低对工艺线宽的要求。且本发明中，金属源电极10的沟槽式欧姆接触结构增大了源极的接触面积，降低了器件的接触电阻，而且使得器件更容易散热。另外，本发明中的沟槽式肖特基接触结构11和沟槽式欧姆接触结构可采用同一张掩膜版，使得器件的制造成本不会明显增加。 
综上所述，本发明提供的Super Junction VDMOS器件，由于金属源电极与N型柱区4之间具有沟槽式肖特基接触结构，使得器件具有较好的反向恢复特性；在同等反向恢复特性要求的情况下，可以降低器件制备时对工艺线宽的要求，使器件尺寸更小；而金属源电极的沟槽式欧姆接触结构，可进一步降低器件接触电阻，并改善器件散热性能，获得优越的高温工作特性。 
附图说明
图1是传统的Super Junction VDMOS器件结构示意图。 
其中，1是漏极金属、2是N+衬底、3是P型柱区、4是N型柱区、5是P型基区、6是N+源区、7是P+体区、8是隔离介质、9是多晶硅栅、10是金属源极。 
图2是现有的一种带有平面肖特基接触结构的Super Junction VDMOS器件结构示意图。 
其中，11是肖特基接触结构。 
图3是本发明提供的一种带有沟槽式肖特基接触的Super Junction VDMOS器件结构示意图。 
图4是本发明提供的另一种带有沟槽式肖特基接触的Super Junction VDMOS器件结构示意图。 
具体实施方式
一种Super Junction VDMOS器件，如图3所示，包括N+衬底2、位于N+衬底2背底表面的金属漏极1、位于N+衬底2表面的Super Junction结构、多晶硅栅电极9和金属源电极10。所述Super Junction结构由两个P型柱区3中间夹一个N型柱区4形成。Super Junction结构顶部两侧分别具有一个P型基区5，P型基区5分别与P型柱区3和N型柱区4接触；两个P型基区5中分别具有N+源区6和P+体区7。所述多晶硅栅电极9位于P型基区5和N型柱区4的上方，与P型基区5和N型柱区4之间通过栅氧化层相绝缘。所述金属源电极10位于器件的最上层，两端分别与两个P型基区5中的N+源区6和P+体区7相接触，与多晶硅栅电极9之间通过隔离介质8相绝缘。所述多晶硅栅电极9在N型柱区4上方分成两段；所述金属源电极10在两段多晶硅栅电极9之间的区域向下延伸进N型柱区4，并在与N型柱区4相接触的表面形成沟槽式肖特基接触结构11。 
上述技术方案中： 
所述沟槽式肖特基接触结构11的肖特基势垒高度、槽的深度、槽的长度可以根据器件所要求的导通特性以及体二极管的反向恢复特性进行调节。 
所述金属源电极10两端与两个P型基区5中的N+源区6和P+体区7相欧姆接触的部分也可以做成沟槽式结构，该沟槽式欧姆接触结构向下延伸进N+源区6和P+体区7，甚至延伸进P型基区5。所述金属源极10两端的沟槽式欧姆接触结构可进一步降低器件接触电阻，并改善器件散热性能，获得优越的高温工作特性。 
上述方案中，所述金属源极10中间的沟槽式肖特基接触结构11和两端的沟槽式欧姆接触结构通过刻槽和金属淀积的工艺即可实现。 
器件制备时，其主要工艺步骤包括：(1)在N+衬底上生长N柱，P型基区光刻及硼注入；(2)P型柱区深槽刻蚀并退火，槽内各向异性外延并CMP；(3)栅氧化，淀积多晶硅，多晶硅掺杂及光刻，形成多晶硅栅电极；(4)光刻N+源区，源区注入磷或砷；(5)刻蚀源极和肖特基接触Trench；(6)光刻P+体区，体区注入硼；(7)淀积二氧化硅，退火致密并光刻引线孔；(7)淀积金属，反刻金属，钝化，光刻钝化孔等。在实施过程中，可以根据具体情况，在基本结构不变的情况下，进行一定的变通设计。 

Claims (5)

1.一种Super Junction VDMOS器件，包括N+衬底(2)、位于N+衬底(2)背底表面的金属漏极(1)、位于N+衬底(2)表面的Super Junction结构、多晶硅栅电极(9)和金属源电极(10)；所述Super Junction结构由两个P型柱区(3)中间夹一个N型柱区(4)形成；Super Junction结构顶部两侧分别具有一个P型基区(5)，P型基区(5)分别与P型柱区(3)和N型柱区(4)接触；两个P型基区(5)中分别具有N+源区(6)和P+体区(7)；所述多晶硅栅电极(9)位于P型基区(5)和N型柱区(4)的上方，与P型基区(5)和N型柱区(4)之间通过栅氧化层相绝缘；所述金属源电极(10)位于器件的最上层，两端分别与两个P型基区(5)中的N+源区(6)和P+体区(7)相接触，与多晶硅栅电极(9)之间通过隔离介质(8)相绝缘；其特征在于，所述多晶硅栅电极(9)在N型柱区(4)上方分成两段；所述金属源电极(10)在两段多晶硅栅电极(9)之间的区域向下延伸进N型柱区(4)，并在与N型柱区(4)相接触的表面形成沟槽式肖特基接触结构(11)。
2.根据权利要求1所述的Super Junction VDMOS器件，其特征在于，所述金属源电极(10)两端与两个P型基区(5)中的N+源区(6)和P+体区(7)相欧姆接触的部分为沟槽式结构，该沟槽式欧姆接触结构向下延伸进N+源区(6)和P+体区(7)。
3.根据权利要求2所述的Super Junction VDMOS器件，其特征在于，所述沟槽式欧姆接触结构向下延伸进N+源区(6)和P+体区(7)，并延伸进P型基区(5)。
4.根据权利要求1至3中任一所述Super Junction VDMOS器件，其特征在于，所述沟槽式肖特基接触结构(11)的肖特基势垒高度、槽的深度、槽的长度根据器件所要求的导通特性以及寄生体二极管的反向恢复特性进行调节。
5.根据权利要求1至3中任一所述Super Junction VDMOS器件，其特征在于，所述沟槽式肖特基接触结构(11)通过刻槽和金属淀积工艺实现。
CN 201010264774 2010-08-27 2010-08-27 一种Super Junction VDMOS器件 Pending CN101950759A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010264774 CN101950759A (zh) 2010-08-27 2010-08-27 一种Super Junction VDMOS器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010264774 CN101950759A (zh) 2010-08-27 2010-08-27 一种Super Junction VDMOS器件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101950759A true CN101950759A (zh) 2011-01-19

Family

ID=43454184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201010264774 Pending CN101950759A (zh) 2010-08-27 2010-08-27 一种Super Junction VDMOS器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101950759A (zh)

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102184859A (zh) * 2011-04-08 2011-09-14 上海先进半导体制造股份有限公司 冷mos超结结构的制造方法以及冷mos超结结构
CN102227000A (zh) * 2011-06-23 2011-10-26 西安电子科技大学 基于超级结的碳化硅mosfet器件及制备方法
CN102244099A (zh) * 2011-06-23 2011-11-16 西安电子科技大学 外延沟道的SiCIEMOSFET器件及制备方法
CN102723363A (zh) * 2011-03-29 2012-10-10 比亚迪股份有限公司 一种vdmos器件及其制作方法
CN102760770A (zh) * 2012-06-11 2012-10-31 电子科技大学 一种抗单粒子辐照的超结vdmos器件
CN102779755A (zh) * 2011-05-13 2012-11-14 北大方正集团有限公司 一种处理半导体器件的方法和系统
CN102832248A (zh) * 2012-09-10 2012-12-19 西安电子科技大学 基于半超结的碳化硅mosfet及制作方法
CN102832245A (zh) * 2011-11-29 2012-12-19 电子科技大学 一种具有优化雪崩击穿电流路径的超结mosfet器件
CN103123898A (zh) * 2011-11-21 2013-05-29 上海华虹Nec电子有限公司 超级结双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法
CN103208509A (zh) * 2012-01-16 2013-07-17 世界先进积体电路股份有限公司 半导体装置及其制造方法
CN103378173A (zh) * 2012-04-29 2013-10-30 朱江 一种具有电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法
CN103378175A (zh) * 2012-04-29 2013-10-30 朱江 一种电荷补偿肖特基半导体装置及其制备方法
CN103560151A (zh) * 2013-10-18 2014-02-05 西安龙腾新能源科技发展有限公司 优化体二极管反向恢复特性的超结vdmos及制备方法
WO2016049992A1 (zh) * 2014-09-29 2016-04-07 无锡华润华晶微电子有限公司 一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
CN105576025A (zh) * 2014-10-15 2016-05-11 无锡华润华晶微电子有限公司 一种浅沟槽半超结vdmos器件及其制造方法
CN103035726B (zh) * 2011-09-30 2018-01-12 马克西姆综合产品公司 双栅极vdmos器件
WO2018041082A1 (zh) * 2016-08-31 2018-03-08 无锡华润上华科技有限公司 集成有结型场效应晶体管的器件及其制造方法
CN109192776A (zh) * 2018-07-04 2019-01-11 西安电子科技大学 集成肖特基二极管的u型源槽vdmosfet器件
CN109755289A (zh) * 2017-11-01 2019-05-14 苏州东微半导体有限公司 一种沟槽型超结功率器件
CN111354794A (zh) * 2018-12-24 2020-06-30 东南大学 功率半导体器件及其制造方法
CN113224164A (zh) * 2021-04-21 2021-08-06 电子科技大学 一种超结mos器件
CN113990757A (zh) * 2021-10-27 2022-01-28 电子科技大学 一种mos器件结构及制造方法
CN115528117A (zh) * 2022-11-16 2022-12-27 北京智芯微电子科技有限公司 横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
CN117637855A (zh) * 2024-01-26 2024-03-01 希科半导体科技(苏州)有限公司 半导体器件

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1612356A (zh) * 2003-09-30 2005-05-04 因芬尼昂技术股份公司 垂直dmos晶体管装置、集成电路及其制造方法
CN1949480A (zh) * 2006-10-27 2007-04-18 无锡市晶源微电子有限公司 垂直双扩散型场效应管兼容常规场效应管的制作方法
US20080272429A1 (en) * 2007-05-04 2008-11-06 Icemos Technology Corporation Superjunction devices having narrow surface layout of terminal structures and methods of manufacturing the devices
CN101404292A (zh) * 2008-09-27 2009-04-08 电子科技大学 一种vdmos器件
CN101540338A (zh) * 2009-04-29 2009-09-23 西安理工大学 一种沟槽平面栅mosfet器件及其制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1612356A (zh) * 2003-09-30 2005-05-04 因芬尼昂技术股份公司 垂直dmos晶体管装置、集成电路及其制造方法
CN1949480A (zh) * 2006-10-27 2007-04-18 无锡市晶源微电子有限公司 垂直双扩散型场效应管兼容常规场效应管的制作方法
US20080272429A1 (en) * 2007-05-04 2008-11-06 Icemos Technology Corporation Superjunction devices having narrow surface layout of terminal structures and methods of manufacturing the devices
CN101404292A (zh) * 2008-09-27 2009-04-08 电子科技大学 一种vdmos器件
CN101540338A (zh) * 2009-04-29 2009-09-23 西安理工大学 一种沟槽平面栅mosfet器件及其制造方法

Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102723363A (zh) * 2011-03-29 2012-10-10 比亚迪股份有限公司 一种vdmos器件及其制作方法
CN102723363B (zh) * 2011-03-29 2015-08-26 比亚迪股份有限公司 一种vdmos器件及其制作方法
CN102184859A (zh) * 2011-04-08 2011-09-14 上海先进半导体制造股份有限公司 冷mos超结结构的制造方法以及冷mos超结结构
CN102779755A (zh) * 2011-05-13 2012-11-14 北大方正集团有限公司 一种处理半导体器件的方法和系统
CN102227000A (zh) * 2011-06-23 2011-10-26 西安电子科技大学 基于超级结的碳化硅mosfet器件及制备方法
CN102244099A (zh) * 2011-06-23 2011-11-16 西安电子科技大学 外延沟道的SiCIEMOSFET器件及制备方法
CN102244099B (zh) * 2011-06-23 2013-04-17 西安电子科技大学 外延沟道的SiCIEMOSFET器件及制备方法
CN103035726B (zh) * 2011-09-30 2018-01-12 马克西姆综合产品公司 双栅极vdmos器件
CN103123898B (zh) * 2011-11-21 2015-12-02 上海华虹宏力半导体制造有限公司 超级结双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法
CN103123898A (zh) * 2011-11-21 2013-05-29 上海华虹Nec电子有限公司 超级结双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法
CN102832245B (zh) * 2011-11-29 2014-12-10 电子科技大学 一种具有优化雪崩击穿电流路径的超结mosfet器件
CN102832245A (zh) * 2011-11-29 2012-12-19 电子科技大学 一种具有优化雪崩击穿电流路径的超结mosfet器件
CN103208509A (zh) * 2012-01-16 2013-07-17 世界先进积体电路股份有限公司 半导体装置及其制造方法
CN103208509B (zh) * 2012-01-16 2015-08-12 世界先进积体电路股份有限公司 半导体装置及其制造方法
CN103378175A (zh) * 2012-04-29 2013-10-30 朱江 一种电荷补偿肖特基半导体装置及其制备方法
CN103378173A (zh) * 2012-04-29 2013-10-30 朱江 一种具有电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法
CN102760770A (zh) * 2012-06-11 2012-10-31 电子科技大学 一种抗单粒子辐照的超结vdmos器件
CN102832248A (zh) * 2012-09-10 2012-12-19 西安电子科技大学 基于半超结的碳化硅mosfet及制作方法
CN103560151A (zh) * 2013-10-18 2014-02-05 西安龙腾新能源科技发展有限公司 优化体二极管反向恢复特性的超结vdmos及制备方法
CN103560151B (zh) * 2013-10-18 2016-04-20 西安龙腾新能源科技发展有限公司 优化体二极管反向恢复特性的超结vdmos及制备方法
WO2016049992A1 (zh) * 2014-09-29 2016-04-07 无锡华润华晶微电子有限公司 一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
CN105529262A (zh) * 2014-09-29 2016-04-27 无锡华润华晶微电子有限公司 一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
CN105576025A (zh) * 2014-10-15 2016-05-11 无锡华润华晶微电子有限公司 一种浅沟槽半超结vdmos器件及其制造方法
WO2018041082A1 (zh) * 2016-08-31 2018-03-08 无锡华润上华科技有限公司 集成有结型场效应晶体管的器件及其制造方法
CN109755289A (zh) * 2017-11-01 2019-05-14 苏州东微半导体有限公司 一种沟槽型超结功率器件
CN109755289B (zh) * 2017-11-01 2020-11-24 苏州东微半导体有限公司 一种沟槽型超结功率器件
CN109192776A (zh) * 2018-07-04 2019-01-11 西安电子科技大学 集成肖特基二极管的u型源槽vdmosfet器件
WO2020006848A1 (zh) * 2018-07-04 2020-01-09 西安电子科技大学 集成肖特基二极管的u型源槽vdmosfet器件
CN111354794B (zh) * 2018-12-24 2021-11-05 东南大学 功率半导体器件及其制造方法
CN111354794A (zh) * 2018-12-24 2020-06-30 东南大学 功率半导体器件及其制造方法
CN113224164A (zh) * 2021-04-21 2021-08-06 电子科技大学 一种超结mos器件
CN113224164B (zh) * 2021-04-21 2022-03-29 电子科技大学 一种超结mos器件
CN113990757A (zh) * 2021-10-27 2022-01-28 电子科技大学 一种mos器件结构及制造方法
CN113990757B (zh) * 2021-10-27 2024-03-26 电子科技大学 一种mos器件结构及制造方法
CN115528117A (zh) * 2022-11-16 2022-12-27 北京智芯微电子科技有限公司 横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
CN117637855A (zh) * 2024-01-26 2024-03-01 希科半导体科技(苏州)有限公司 半导体器件
CN117637855B (zh) * 2024-01-26 2024-04-26 希科半导体科技(苏州)有限公司 半导体器件

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101950759A (zh) 一种Super Junction VDMOS器件
US9093522B1 (en) Vertical power MOSFET with planar channel and vertical field plate
CN101969073B (zh) 快速超结纵向双扩散金属氧化物半导体管
CN104299997B (zh) 电荷补偿半导体器件
CN108899370B (zh) 集成电阻区的vdmos器件
CN102420251A (zh) 一种具有非均匀浮岛结构的vdmos器件
CN114122139A (zh) 具有集成二极管的碳化硅mosfet器件及制造方法
CN104201206A (zh) 一种横向soi功率ldmos器件
CN103579353B (zh) 一种具有p型辅助埋层的半超结vdmos
CN102723363B (zh) 一种vdmos器件及其制作方法
CN103441148A (zh) 一种集成肖特基二极管的槽栅vdmos器件
CN113224164B (zh) 一种超结mos器件
CN108122975A (zh) 超结器件
CN109119463A (zh) 一种横向沟槽型mosfet器件及其制备方法
CN110504310A (zh) 一种具有自偏置pmos的ret igbt及其制作方法
US9263560B2 (en) Power semiconductor device having reduced gate-collector capacitance
CN115148826A (zh) 一种深沟槽碳化硅jfet结构的制作方法
CN104851915A (zh) 槽栅型化合物半导体功率vdmos器件及提高其击穿电压的方法
CN106887451B (zh) 超结器件及其制造方法
CN103594504A (zh) 具有半超结结构的igbt
CN109920838B (zh) 一种沟槽型碳化硅mosfet器件及其制备方法
CN111244177A (zh) 一种沟槽型mos器件的结构、制作工艺以及电子装置
CN209981222U (zh) 一种高压多次外延型超结mosfet的结构
CN102522338B (zh) 高压超结mosfet结构及p型漂移区形成方法
CN201749852U (zh) 快速超结纵向双扩散金属氧化物半导体管

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20110119