CN111354652A - 高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构及方法 - Google Patents
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 141
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 135
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 94
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 210
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 80
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 36
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 23
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 22
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 18
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 14
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 claims description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 4
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 7
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 6
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
- H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构及方法，其中，所述高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构包括：基板；CIS芯片，其感光区域面向所述基板的一面设置，并通过所述感光区域周围的区域与所述基板的一面相连接，所述CIS芯片与基板焊接处的缝隙通过避光材料进行密封，所述CIS的背面和侧面由塑封层进行整体塑封；焊球，其设置于所述塑封层的表面，所述基板的RDL层通过形成于所述塑封层上的通孔扇出至所述塑封层的表面，并与所述焊球相连接。本发明的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构既解决了晶圆级封装因芯片尺寸小型化但是功能集成化导致RDL无法布线的问题，又能解决传统基板扇出工艺的高成本和低产出的问题。
Description
本申请主张中国在先申请，申请号2019113029655，申请日2019-12-17的优先权，该专利申请的公开内容通过引用而以其全文结合在此。
技术领域
本发明涉及半导体芯片技术领域，尤其涉及一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构及方法。
背景技术
感光芯片(CIS芯片)是一种能够感受外部光线并将其转换为电信号的电子器件，应用于数码相机、数码摄像机等的电子设备中。感光芯片通常采用半导体制造工艺进行芯片制作，再通过对感光芯片进行一系列封装工艺从而形成封装好的封装结构。
现有的技术中，感光芯片的扇出型封装结构主要包括扇出基板和透明盖板等，其中，扇出基板包括一开口，感光芯片的感光朝向该开口设置，以使得光线能够通过该开口照射在感光区上，该开口背离感光芯片一侧设置有透明盖板，该透明盖板用于实现对感光芯片的保护。
然而，上述扇出型封装结构存在如下缺陷：
(1)CIS芯片厚度受限于锡球高度，为了满足后段锡球焊接，要求CIS芯片厚度小于锡球高度，但是芯片厚度太薄容易造成芯片crack等失效；
(2)CIS芯片pad信号扇出到四周边缘区域，但是中心区域由于感光区域玻璃盖板上不能布RDL，则信号扇出区域有限，不适用于高I/O的芯片封装；
(3)CIS芯片减薄后无保护措施，整体封装结构的可靠性较差，若在恶劣的环境下使用，就需要对芯片的灵敏度、可靠性、耐用性等提出更高的要求；
(4)此封装技术非晶圆级封装，与晶圆级封装相比，成本较高。
因此，针对上述问题，有必要提出进一步地解决方案。
发明内容
本发明旨在提供一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构及方法，以克服现有技术中存在的不足。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：
一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构，其包括：
基板；
CIS芯片，其感光区域面向所述基板的一面设置，并通过所述感光区域周围的区域与所述基板的一面相连接，所述CIS芯片与基板焊接处的缝隙通过避光材料进行密封，所述CIS的背面和侧面由塑封层进行整体塑封；
焊球，其设置于所述塑封层的表面，所述基板的RDL层通过形成于所述塑封层上的通孔扇出至所述塑封层的表面，并与所述焊球相连接。
作为本发明的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构的改进，所述避光材料为黑色材料。
作为本发明的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构的改进，所述塑封层为黑色材料。
作为本发明的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构的改进，所述基板的RDL层通过填充于所述通孔中的镀铜或铜柱扇出至所述塑封层的表面。
作为本发明的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构的改进，所述塑封层与其表面上的RDL层之间还设置有钝化层。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：
一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法，其包括：
提供CIS晶圆，并对其进行减薄，将CIS晶圆切割成适于封装的CIS芯片；
提供基板，在所述基板的一面制作凸块，将所述CIS芯片感光区域面向基板的一面设置，并通过所述感光区域周围的区域与凸块相焊接；
对所述CIS芯片和基板之间焊接处的缝隙通过避光材料进行填充；
对所述CIS芯片的背面和侧面进行塑封，对形成的塑封层上进行穿孔，暴露出所述基板上的RDL层；
将所述基板上的RDL层扇出至塑封层的表面；
在所述塑封层表面RDL层的焊垫上形成焊球。
作为本发明的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法的改进，所述在基板的一面制作凸块包括：
在所述基板的一面沉积一层种子层，光刻出RDL图案，通过沉积的方式形成Cu或Al层，再重复重布线的步骤形成适于焊接的凸块。
作为本发明的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法的改进，将所述基板上的RDL层扇出至所述塑封层的表面包括：
在所述塑封层上形成的通孔中镀铜或者填充铜膏，所述RDL层通过镀铜或者填充的铜膏扇出至所述塑封层的表面，通过表面研磨的方式对塑封层的表面进行平整化处理。
作为本发明的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法的改进，将所述基板上的RDL层扇出至塑封层的表面之前还包括：在塑封层的表面涂布钝化胶层。
作为本发明的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法的改进，在所述塑封层表面RDL层的焊垫上形成焊球包括：
采用涂布或者印刷方式，在所述塑封层表面RDL层上形成一层阻焊层，再通过光刻、显影，裸露出所述RDL层的焊垫，然后通过BGA或者植球方式，在所述焊垫上形成焊球，最后通过切割工艺，分离成单颗封装体。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：
一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法，其包括以下步骤：
步骤1：提供待加工的CIS芯片；
步骤2：提供玻璃基板，采用TGV工艺在玻璃基板上穿孔，然后在通孔中填充导电金属并在通孔上形成凸点；
步骤3：采用SMT贴装的方式，通过CIS芯片的焊盘与玻璃基板上凸点配合将CIS芯片和玻璃基板焊接在一起；
步骤4：采用DAM点胶技术，将CIS芯片和玻璃基板之间的缝隙进行填胶密封；
步骤5：对CIS芯片进行晶圆级塑封处理，将CIS芯片包覆在塑封胶中；
步骤6：在玻璃基板上制作重布线层，重布线层连通孔内金属并通过凸点连接到CIS芯片的焊盘；
步骤7：在重布线层上形成阻焊层，在所述阻焊层上开窗并制作焊球，所述焊球与所述重布线层连接，随后通过切割工艺，分离成单颗封装体。
作为本发明的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法的改进，在步骤1中，对CIS晶圆进行减薄，切割CIS晶圆得到待加工的CIS芯片。
作为本发明的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法的改进，在步骤2中，采用湿法刻蚀或者激光的方式对玻璃基板进行穿孔，然后进行孔内电镀Cu或者在孔内填充Cu膏，然后再通过光刻、电镀在通孔上形成凸点。
作为本发明的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法的改进，在步骤4中，采用黑色的密封胶进行填胶密封，在进行填胶密封时，避开CIS芯片的中心感光区。
作为本发明的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法的改进，在步骤5中，采用黑色的塑封材料进行塑封。
作为本发明的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法的改进，在步骤5中，塑封形成的塑封层的厚度控制在250μm-300μm。
作为本发明的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法的改进，在步骤6中，重布线层避开CIS芯片的中心感光区设置，在制作重布线层时，先沉积一层种子层，种子层采用Ti/Cu复合材料或者铝，然后光刻出线路，再沉积铜或铝至目标厚度，再采用化学镀Ni或镀Au或镀Pd的方式在重布线层上形成保护层。
作为本发明的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法的改进，在制作重布线层之前，通过涂布或真空压膜的方式，在玻璃基板上形成钝化胶层，钝化胶层避开CIS芯片的中心感光区设置，然后通过曝光、显影的方式使得玻璃基板的通孔露出。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：
一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构，其包括：
玻璃基板，所述玻璃基板上设置有通孔，所述通孔内填充有导电金属，
CIS芯片，其焊盘和中心感光区设置于所述CIS芯片的第二表面上；
凸点，所述凸点位于所述玻璃基板的第一表面上且与所述通孔相连接，所述凸点还与所述CIS芯片的焊盘焊接连接，用于连接所述玻璃基板和所述CIS芯片；
密封胶层，用于密封所述CIS芯片和所述玻璃基板之间的缝隙，所述密封胶层避开所述CIS芯片的中心感光区设置；
塑封层，设置于所述CIS芯片的第一表面上且对所述CIS芯片的侧面进行包封；
重布线层，设置于所述玻璃基板的第二表面上并与所述通孔相连接，所述重布线层避开所述CIS芯片的中心感光区设置；
阻焊层，设置于所述重布线层上；
焊球，连接所述重布线层。
作为本发明的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构的改进，还包括钝化胶层，设置于所述玻璃基板的第二表面与所述重布线层之间，且避开所述通孔和所述CIS芯片的中心感光区设置。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
(1)CIS芯片的厚度不受限，能够满足减薄工艺和SMT基本的机械强度。同时，CIS芯片XY方向尺寸大幅缩小，尤其适用于I/O数量较多的芯片。
(2)对减薄后的CIS芯片的背面和四个侧面进行包封，既对芯片起到保护作用，又能够固定CIS芯片的位置，可防止在可靠性环境测试中因变形导致CIS芯片与基板分层，有效的提高了CIS芯片的可靠性。
(3)塑封材料为黑色，且包封了CIS芯片整个背面和侧面，塑封侧面可以防止炫光，塑封背面可避免光线透过背面Si造成的鬼影问题。
(4)CIS芯片背面的整个塑封层都可以作为RDL重补线的区域，故CIS芯片扇出的面积更大，适用于高密度I/O芯片封装。
(5)既解决了晶圆级封装因芯片尺寸小型化但是功能集成化导致RDL无法布线的问题，又能解决传统基板扇出工艺的高成本和低产出的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1～7为本发明的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法一实施方案的工艺流程图；
图8为本发明的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法另一实施方案的主要流程图；
图9为图8所示本发明的封装方法中步骤1的示意图；
图10为图8所示本发明的封装方法中步骤2的示意图；
图11为图8所示本发明的封装方法中步骤3的示意图；
图12为图8所示本发明的封装方法中步骤4的示意图；
图13为图8所示本发明的封装方法中步骤5的示意图；
图14为图8所示本发明的实施例一中封装方法中步骤6的示意图；
图15为经实施例一中的封装方法的步骤7的得到的封装结构的示意图；
图16为图8所示本发明的实施例二中封装方法中步骤6的示意图；
图17为经实施例二中的封装方法的步骤7的得到的封装结构的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
考虑到现有的芯片的设计尺寸越来越小，功能集成度越来约高，普通的CSP封装RDL布线已经无法布开，故需要晶圆级扇出型封装解决这个问题。但是传统的基板扇出工艺，是芯片级封装，并未晶圆级封装，传统封装的成品产出数量出比较低，带来高成本的问题。
因此，本发明提供一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构，其既解决了晶圆级封装因芯片尺寸小型化但是功能集成化导致RDL无法布线的问题，又能解决传统基板扇出工艺的高成本和低产出的问题。因为，扇出型封装的芯片和普通CSP封装芯片对比，主要的差异就是芯片单位面积内的I/O多，无法采用普通的CSP方式封装，才采用扇出型方式封装。所以本发明扇出型封装可以满足多I/O但是芯片尺寸小的产品封装需求。
如图7所示，一个实施例中，该高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构包括：基板1、CIS芯片2以及焊球3。
基板1可以采用玻璃基板。
CIS芯片2具有感光区域21以及位于感光区域21周围的焊接区域。具体地，CIS芯片2与基板1连接时，CIS芯片2的感光区域21面向基板1的一面设置，并通过感光区域21周围的区域与基板1的一面相焊接。相应的，基板1上形成有适于焊接的凸块11。该凸块11的材质可以为铜或者铝。
CIS芯片2与基板1焊接处的缝隙通过避光材料4进行密封。密封时，应当保证避光材料4只填充感光区域21周围的区域，不能触及中心的感光区域。上述避光材料4优选采用黑色材料。一个实施方式中，黑色材料可以为环氧树脂或者亚克力胶等。
CIS的背面和侧面由塑封层5进行整体塑封，如此既对芯片起到保护作用，又能够固定CIS芯片2的位置，可防止在可靠性环境测试中因变形导致CIS芯片2与基板1分层，有效的提高了CIS芯片2的可靠性。且不用再用MVP+封装65nm以下芯片，pad拉扯问题可以得到解决。
上述塑封层5优选采用黑色材料，如此塑封侧面可以防止炫光，塑封背面可避免光线透过背面Si造成的鬼影问题，不用再做金属保护层。一个实施方式中，塑封层5可以为环氧树脂和SiO2颗粒形成的混合物。
焊球3设置于塑封层5的表面，基板1的RDL层12通过形成于塑封层5上的通孔扇出至塑封层5的表面，并与焊球3相连接。如此，CIS芯片2的厚度不受焊球3的限制，可将CIS芯片2的厚度设计为符合要求的厚度尺寸，进而能够满足减薄工艺和SMT基本的机械强度。
同时，基板1的RDL层12扇出至塑封层5的表面，此时CIS芯片2背面的整个塑封层5都可以作为RDL重布线的区域，故CIS芯片2扇出的面积更大，适用于高密度I/O芯片封装。
为了实现基板1的RDL层12扇出至塑封层5的表面，基板1的RDL层12通过填充于通孔中的镀铜或铜柱6扇出至塑封层5的表面。此外，为了保证扇出至塑封层5表面的RDL层51与基板1牢固结合，塑封层5与其表面上的RDL层51之间还设置有钝化胶层7。
基于相同的技术构思，本发明还提供一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法，该封装方法首先将CIS晶圆切割成单颗芯片，然后通过die attach工艺，将单颗芯片依次放到做好焊点的玻璃圆片上焊接，在密封焊点位置，之后再进行晶圆级塑封整个芯片背面，之后在塑封胶的位置做via-last工艺，把芯片pad上的信号引出到芯片的背面以及扇出的塑封胶的背面，最后再将整个结构切割成单颗芯片。高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法具体包括：
提供CIS晶圆，并对其进行减薄，将CIS晶圆切割成适于封装的CIS芯片；
提供基板，在基板的一面制作凸块，将CIS芯片感光区域21面向基板的一面设置，并通过感光区域21周围的区域与凸块相焊接；
对CIS芯片和基板之间焊接处的缝隙通过避光材料进行填充；
对CIS芯片的背面和侧面进行塑封，对形成的塑封层上进行穿孔，暴露出基板上的RDL层；
将基板上的RDL层扇出至塑封层的表面；
在塑封层表面RDL层的焊垫上形成焊球。
一个实施例中，该高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法包括：
如图1所示，将CIS晶圆减薄到要求的厚度，厚度控制在SMT工艺可操作的范围内，然后切割成单颗CIS芯片；
如图2所示，在玻璃基板通过重布线方法，制作RDL和Cu Bump图形。具体地，重布线时，先沉积一层种子层，如Ti/Cu、Al，再光刻出RDL图像，再沉积厚Cu、厚Al至要求的厚度。然后，再重复重布线流程，形成Cu Bump。玻璃厚度可根据重布线制程需求来选择。
如图3所示，采用SMT方式，将CIS芯片Pad和玻璃基板对应位置的Bump进行焊接。
如图4所示，采用DAM技术，将CIS芯片和玻璃基板之间的缝隙进行密封，密封胶选择黑色材料，要求密封胶只填充四周区域，不能触及中心的感光区。
如图5.1至5.3所示，将CIS芯片背面进行晶圆级塑封，然后采用激光的方法进行塑封层穿孔，穿孔的位置停留在玻璃基板的RDL层上。然后，进行孔内电镀Cu或者填充Cu膏，最后通过表面研磨，实现塑封层的平整化。塑封胶层的厚度可控制在200-250μm。
其中，采用激光的方法进行塑封层穿孔，不需要PECVD，相比目前stack直孔工艺成本更低。且不需要直孔蚀刻，PECVD，涂布钝化层，常见的直孔切硅crack，PECVD peeling都可以避开。
如图6.1和6.2所示，采用重布线的方式，将塑封层的电镀Cu或者Cu柱的I/O信号扇出到整个表面。如图6.1所示，为了提升RDL层和塑封层的结合力，还可在玻璃和RDL层之间涂布钝化胶层，如图6.2所示。
如图7所示，采用涂布或者印刷方式，在塑封层表面RDL层上形成一层阻焊层，再通过光刻、显影，裸露出UBM焊垫位置，然后通过BGA或者植球方法，在UBM上形成焊球，最后通过切割工艺，分离成单颗封装体。
基于相同的发明构思，本发明还提供另一高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法，该封装方法中，也在CIS芯片和玻璃基板之间的缝隙进行填胶密封，以及将CIS芯片包覆在塑封胶中。但是，该技术方案中，焊球布置在CIS芯片的中心感光区的同侧，相比上一封装结构和方法，会对感光区造成一定的影响。
见图8，一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法，封装方法至少包括以下步骤：
步骤1：提供待加工的CIS芯片；
步骤2：提供玻璃基板，采用TGV工艺在玻璃基板上穿孔，然后在通孔中填充导电金属并在通孔上形成凸点；
步骤3：采用SMT贴装的方式，通过CIS芯片的焊盘与玻璃基板上凸点配合将CIS芯片和玻璃基板焊接在一起；
步骤4：采用DAM点胶技术，将CIS芯片和玻璃基板之间的缝隙进行填胶密封；
步骤5：对CIS芯片进行晶圆级塑封处理，将CIS芯片包覆在塑封胶中；
步骤6：在玻璃基板上制作重布线层，重布线层连通孔内金属并通过凸点连接到CIS芯片的焊盘；
步骤7：在重布线层上形成阻焊层，在所述阻焊层上开窗并制作焊球，所述焊球与所述重布线层连接，随后通过切割工艺，分离成单颗封装体。
下面结合附图来具体说明高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法。
具体实施例一：
见图9-图15，本发明的一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法，包括以下步骤：
步骤1：见图9，对CIS晶圆进行减薄，可以减小封装后的尺寸，切割CIS晶圆得到待加工的CIS芯片200，CIS芯片的厚度不受限，满足减薄工艺和SMT基本的机械强度即可，使得CIS芯片的可靠性强度大大增强；
步骤2：见图10，提供玻璃基板100，采用TGV工艺，通过湿法刻蚀或者激光的方式对玻璃基板100进行穿孔，TGV工艺可实现超薄玻璃加工，采用超薄玻璃，可以减小光的折射和反射，增加透光率，玻璃厚度在150μm-200μm左右，然后在通孔101中填充导电金属，在本实施例中，是在通孔101内电镀Cu或者填充Cu膏，然后再通过光刻、电镀在通孔101上形成凸点300；
步骤3：见图11，采用SMT贴装的方式，通过CIS芯片的焊盘201与玻璃基板上凸点300配合将CIS芯片200和玻璃基板100焊接在一起；
步骤4：见图12，采用DAM点胶技术，将CIS芯片200和玻璃基板100之间的缝隙进行填胶密封形成密封胶层400，具体在本实施例中，采用黑色的密封胶进行填胶密封，在进行填胶密封时，密封胶只填充四周区域，避开CIS芯片的中心感光区；
步骤5：见图13，对CIS芯片200进行晶圆级塑封处理，在CIS芯片200上形成塑封层500，对CIS芯片200的侧面进行包封，将CIS芯片200包覆在塑封胶中，在本实施例中，采用黑色的塑封材料进行塑封，塑封形成的塑封层500的厚度控制在250μm-300μm，设置塑封层对减薄后的CIS芯片进行5面包封，既对芯片起到保护作用，又可以固定CIS芯片位置，可防止在可靠性环境测试中因变形导致芯片破裂和Bump焊点分层，有效的提高了芯片的可靠性，同时塑封层的塑封材料采用黑色塑封材料，塑封材料包封了CIS芯片整个背面和侧面，同时密封CIS芯片和玻璃基板之间的缝隙的密封胶层也采用黑色密封胶，可避免光线透过CIS芯片背面Si造成的鬼影问题；
步骤6：见图14，在玻璃基板100上制作重布线层600，重布线层600连通孔内金属并通过凸点300连接到CIS芯片的焊盘201，具体的在本实施例中，重布线层600避开CIS芯片的中心感光区202设置，在制作重布线层600时，先沉积一层种子层，种子层采用Ti/Cu复合材料或者铝，然后光刻出线路，再沉积铜或铝至目标厚度，再采用化学镀Ni或镀Au或镀Pd的方式在重布线层600上形成保护层；
步骤7：见图15，在重布线层600上形成阻焊层700，在阻焊层700上开窗并制作焊球800，焊球800通过BGA或者植球的方法制作，焊球800与重布线层600连接，随后通过切割工艺，分离成单颗封装体。
本发明的上述的封装方法，无需采用TSV封装工艺，可以避免对CIS芯片背面进行加工造成焊盘损伤，又能避免玻璃基板和CIS芯片键合的围堰对光线反射造成的炫光问题，其采用晶圆级扇出型封装，既解决了晶圆级封装因芯片尺寸小型化但是功能集成化导致重布线层无法布线的问题，又能解决传统基板扇出工艺的高成本和低产出的问题。
在本发明的实施例中，还提供了采用上述封装方法制作得到的一种CIS芯片的晶圆级扇出型封装结构，可靠性高，封装尺寸小，整体性能好，见图15，其包括：
玻璃基板100，玻璃基板上设置有通孔101，通孔101内填充有导电金属，
CIS芯片200，其焊盘201和中心感光区202设置于CIS芯片的第二表面203上；
凸点300，凸点300位于玻璃基板的第一表面102上且与通孔101相连接，凸点300还与CIS芯片的焊盘201焊接连接，用于连接玻璃基板100和CIS芯片200；
密封胶层400，用于密封CIS芯片200和玻璃基板100之间的缝隙，密封胶层400避开CIS芯片的中心感光区202设置；
塑封层500，设置于CIS芯片的第一表面204上且对CIS芯片200的侧面进行包封；
重布线层600，设置于玻璃基板的第二表面103上并与通孔101相连接，然后通过通孔101内的导电金属连接到CIS芯片的焊盘201，重布线层600避开CIS芯片的中心感光区202设置；
阻焊层700，设置于重布线层600上；
焊球800，连接重布线层600。
具体实施例二：
见图7、8、9、10、11、12、13，本发明的另一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法，包括以下步骤：
步骤1：见图7，对CIS晶圆进行减薄，切割CIS晶圆得到待加工的CIS芯片200；
步骤2：见图10，提供玻璃基板100，采用TGV工艺，通过湿法刻蚀或者激光的方式对玻璃基板100进行穿孔，然后在通孔101中填充导电金属，在本实施例中，是在通孔101内电镀Cu或者填充Cu膏，然后再通过光刻、电镀在通孔101上形成凸点300；
步骤3：见图11，采用SMT贴装的方式，通过CIS芯片的焊盘201与玻璃基板上凸点300配合将CIS芯片200和玻璃基板100焊接在一起；
步骤4：见图12，采用DAM点胶技术，将CIS芯片200和玻璃基板100之间的缝隙进行填胶密封形成密封胶层400，具体在本实施例中，采用黑色的密封胶进行填胶密封，在进行填胶密封时，密封胶只填充四周区域，避开CIS芯片的中心感光区；
步骤5：见图13，对CIS芯片200进行晶圆级塑封处理，在CIS芯片200上形成塑封层500，对CIS芯片200的侧面进行包封，将CIS芯片200包覆在塑封胶中，在本实施例中，采用黑色的塑封材料进行塑封，塑封形成的塑封层500的厚度控制在250μm-300μm；
步骤6：见图16，通过涂布或真空压膜的方式，在玻璃基板100上形成钝化胶层900，钝化胶层900避开CIS芯片的中心感光区202设置，然后通过曝光、显影的方式使得玻璃基板的通孔101露出，为了提升重布线层和玻璃基板的结合力，从而制作钝化胶层900；
然后在钝化胶层900上制作重布线层600，重布线层600连通孔内金属并通过凸点300连接到CIS芯片的焊盘201，具体的在本实施例中，重布线层600避开CIS芯片的中心感光区202设置，在制作重布线层600时，先沉积一层种子层，种子层采用Ti/Cu复合材料或者铝，然后光刻出线路，再沉积铜或铝至目标厚度，再采用化学镀Ni或镀Au或镀Pd的方式在重布线层600上形成保护层；
步骤7：见图17，在重布线层600上形成阻焊层700，在阻焊层700上开窗并制作焊球800，焊球800与重布线层600连接，随后通过切割工艺，分离成单颗封装体。
在本发明的实施例中，还提供了采用上述方法制作得到的一种CIS芯片的晶圆级扇出型封装结构，见图17，其包括：
玻璃基板100，玻璃基板上设置有通孔101，通孔101内填充有导电金属，
CIS芯片200，其焊盘201和中心感光区202设置于CIS芯片的第二表面203上；
凸点300，凸点300位于玻璃基板的第一表面102上且与通孔101相连接，凸点300还与CIS芯片的焊盘201焊接连接，用于连接玻璃基板100和CIS芯片200；
密封胶层400，用于密封CIS芯片200和玻璃基板100之间的缝隙，密封胶层400避开CIS芯片的中心感光区202设置；
塑封层500，设置于CIS芯片的第一表面204上且对CIS芯片200的侧面进行包封；
重布线层600，设置于玻璃基板的第二表面103上并与通孔101相连接，然后通过通孔101内的导电金属连接到CIS芯片的焊盘201，重布线层600避开CIS芯片的中心感光区202设置；
阻焊层700，设置于重布线层600上；
焊球800，连接重布线层600。
钝化胶层900，设置于玻璃基板的第二表面103与重布线层600之间，且避开通孔101和CIS芯片的中心感光区202设置。
在上述实施例中，切割后的芯片的封装结构包括一个单颗CMOS图像传感器；当然，在其它实施例中，可以包括多颗CMOS图像传感器，可以根据需要合理设置即可。
当前，如安防车载CIS芯片等的芯片对芯片厚度有要求，太薄研磨容易产生功能层微裂纹，可靠性强度也不够，而本发明的封装结构厚度不受限制，相对与传统的封装结构，封装尺寸更小，本发明的封装结构还对CIS芯片进行很好的保护，使得芯片的可靠性、耐用性大大提高，同时通过本发明的封装方法可以避免对CIS芯片背面进行加工造成焊盘损伤，从而降低芯片的失效风险，并且封装工艺过程简单，封装成本低，适合工业化生产。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (20)
1.一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构，其特征在于，所述高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构包括：
基板；
CIS芯片，其感光区域面向所述基板的一面设置，并通过所述感光区域周围的区域与所述基板的一面相连接，所述CIS芯片与基板焊接处的缝隙通过避光材料进行密封，所述CIS的背面和侧面由塑封层进行整体塑封。
2.根据权利要求1所述的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构，其特征在于，所述高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构还包括焊球，其设置于所述塑封层的表面，所述基板的RDL层通过形成于所述塑封层上的通孔扇出至所述塑封层的表面，并与所述焊球相连接。
3.根据权利要求1或2所述的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构，其特征在于，所述避光材料为黑色材料，所述塑封层为黑色材料。
4.根据权利要求2所述的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构，其特征在于，所述基板的RDL层通过填充于所述通孔中的镀铜或铜柱扇出至所述塑封层的表面。
5.根据权利要求2所述的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构，其特征在于，所述塑封层与其表面上的RDL层之间还设置有钝化层。
6.一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法，其特征在于，所述高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法包括：
提供CIS晶圆，并对其进行减薄，将CIS晶圆切割成适于封装的CIS芯片；
提供基板，在所述基板的一面制作凸块，将所述CIS芯片感光区域面向基板的一面设置，并通过所述感光区域周围的区域与凸块相焊接；
对所述CIS芯片和基板之间焊接处的缝隙通过避光材料进行填充；
对所述CIS芯片的背面和侧面进行塑封，对形成的塑封层上进行穿孔，暴露出所述基板上的RDL层；
将所述基板上的RDL层扇出至塑封层的表面；
在所述塑封层表面RDL层的焊垫上形成焊球。
7.根据权利要求6所述的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法，其特征在于，所述在基板的一面制作凸块包括：
在所述基板的一面沉积一层种子层，光刻出RDL图案，通过沉积的方式形成Cu或Al层，再重复重布线的步骤形成适于焊接的凸块。
8.根据权利要求6所述的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法，其特征在于，将所述基板上的RDL层扇出至所述塑封层的表面包括：
在所述塑封层上形成的通孔中镀铜或者填充铜膏，所述RDL层通过镀铜或者填充的铜膏扇出至所述塑封层的表面，通过表面研磨的方式对塑封层的表面进行平整化处理。
9.根据权利要求6所述的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法，其特征在于，将所述基板上的RDL层扇出至塑封层的表面之前还包括：在塑封层的表面涂布钝化胶层。
10.根据权利要求6所述的高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法，其特征在于，在所述塑封层表面RDL层的焊垫上形成焊球包括：
采用涂布或者印刷方式，在所述塑封层表面RDL层上形成一层阻焊层，再通过光刻、显影，裸露出所述RDL层的焊垫，然后通过BGA或者植球方式，在所述焊垫上形成焊球，最后通过切割工艺，分离成单颗封装体。
11.一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：提供待加工的CIS芯片；
步骤2：提供玻璃基板，采用TGV工艺在玻璃基板上穿孔，然后在通孔中填充导电金属并在通孔上形成凸点；
步骤3：采用SMT贴装的方式，通过CIS芯片的焊盘与玻璃基板上凸点配合将CIS芯片和玻璃基板焊接在一起；
步骤4：采用DAM点胶技术，将CIS芯片和玻璃基板之间的缝隙进行填胶密封；
步骤5：对CIS芯片进行晶圆级塑封处理，将CIS芯片包覆在塑封胶中；
步骤6：在玻璃基板上制作重布线层，重布线层连通孔内金属并通过凸点连接到CIS芯片的焊盘；
步骤7：在重布线层上形成阻焊层，在所述阻焊层上开窗并制作焊球，所述焊球与所述重布线层连接，随后通过切割工艺，分离成单颗封装体。
12.根据权利要求11所述的一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法，其特征在于：在步骤1中，对CIS晶圆进行减薄，切割CIS晶圆得到待加工的CIS芯片。
13.根据权利要求11所述的一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法，其特征在于：在步骤2中，采用湿法刻蚀或者激光的方式对玻璃基板进行穿孔，然后进行孔内电镀Cu或者在孔内填充Cu膏，然后再通过光刻、电镀在通孔上形成凸点。
14.根据权利要求11所述的一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法，其特征在于：在步骤4中，采用黑色的密封胶进行填胶密封，在进行填胶密封时，避开CIS芯片的中心感光区。
15.根据权利要求11所述的一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法，其特征在于：在步骤5中，采用黑色的塑封材料进行塑封。
16.根据权利要求11所述的一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法，其特征在于：在步骤5中，塑封形成的塑封层的厚度控制在250μm-300μm。
17.根据权利要求11所述的一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法，其特征在于：在步骤6中，重布线层避开CIS芯片的中心感光区设置，在制作重布线层时，先沉积一层种子层，种子层采用Ti/Cu复合材料或者铝，然后光刻出线路，再沉积铜或铝至目标厚度，再采用化学镀Ni或镀Au或镀Pd的方式在重布线层上形成保护层。
18.根据权利要求11所述的一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装方法，其特征在于：在制作重布线层之前，通过涂布或真空压膜的方式，在玻璃基板上形成钝化胶层，钝化胶层避开CIS芯片的中心感光区设置，然后通过曝光、显影的方式使得玻璃基板的通孔露出。
19.一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构，其特征在于，包括：
玻璃基板，所述玻璃基板上设置有通孔，所述通孔内填充有导电金属，
CIS芯片，其焊盘和中心感光区设置于所述CIS芯片的第二表面上；
凸点，所述凸点位于所述玻璃基板的第一表面上且与所述通孔相连接，所述凸点还与所述CIS芯片的焊盘焊接连接，用于连接所述玻璃基板和所述CIS芯片；
密封胶层，用于密封所述CIS芯片和所述玻璃基板之间的缝隙，所述密封胶层避开所述CIS芯片的中心感光区设置；
塑封层，设置于所述CIS芯片的第一表面上且对所述CIS芯片的侧面进行包封；
重布线层，设置于所述玻璃基板的第二表面上并与所述通孔相连接，所述重布线层避开所述CIS芯片的中心感光区设置；
阻焊层，设置于所述重布线层上；
焊球，连接所述重布线层。
20.根据权利要求19所述的一种高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构，其特征在于：还包括钝化胶层，设置于所述玻璃基板的第二表面与所述重布线层之间，且避开所述通孔和所述CIS芯片的中心感光区设置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911302965.5A CN110993513A (zh) | 2019-12-17 | 2019-12-17 | 一种cis芯片的晶圆级扇出型封装方法以及结构 |
| CN2019113029655 | 2019-12-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111354652A true CN111354652A (zh) | 2020-06-30 |
| CN111354652B CN111354652B (zh) | 2022-03-08 |
Family
ID=70094949
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911302965.5A Pending CN110993513A (zh) | 2019-12-17 | 2019-12-17 | 一种cis芯片的晶圆级扇出型封装方法以及结构 |
| CN202010393193.7A Active CN111354652B (zh) | 2019-12-17 | 2020-05-11 | 高可靠性图像传感器晶圆级扇出封装结构及方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911302965.5A Pending CN110993513A (zh) | 2019-12-17 | 2019-12-17 | 一种cis芯片的晶圆级扇出型封装方法以及结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (2) | CN110993513A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115101512A (zh) * | 2022-06-16 | 2022-09-23 | 宁波芯健半导体有限公司 | 一种晶圆级mpw芯片封装结构及封装方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111640739B (zh) * | 2020-05-29 | 2022-03-25 | 青岛歌尔智能传感器有限公司 | 光学传感器封装结构和电子设备 |
| CN111682041A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-09-18 | 华天科技（昆山）电子有限公司 | 前照式图像传感器及其封装方法、屏下摄像头 |
| CN113314475B (zh) * | 2021-05-27 | 2022-05-17 | 广东工业大学 | 一种使用玻璃基板的系统级扇出型封装结构及其加工方法 |
| CN114220826A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-03-22 | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 | 芯片封装结构和芯片封装方法 |
| CN114512589B (zh) * | 2022-04-21 | 2022-06-17 | 威海三维曲板智能装备有限公司 | 一种光电混合封装结构及其制造方法 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103021983A (zh) * | 2012-11-22 | 2013-04-03 | 北京工业大学 | 一种晶圆级芯片尺寸封装及其制造方法 |
| JP2013225196A (ja) * | 2012-04-20 | 2013-10-31 | Toppan Printing Co Ltd | 高信頼性接触型ｉｃカード |
| CN103579278A (zh) * | 2013-11-14 | 2014-02-12 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 基于玻璃基板的图像传感器封装结构及封装方法 |
| US20140131858A1 (en) * | 2012-11-14 | 2014-05-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Warpage Control of Semiconductor Die Package |
| CN103956370A (zh) * | 2014-05-20 | 2014-07-30 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 影像传感器模组及其形成方法 |
| CN103985723A (zh) * | 2014-05-20 | 2014-08-13 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 封装方法以及封装结构 |
| CN104538416A (zh) * | 2015-02-03 | 2015-04-22 | 华天科技（昆山）电子有限公司 | 高可靠性全封闭cmos影像传感器结构及其制作方法 |
| US20160118326A1 (en) * | 2014-10-23 | 2016-04-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for fabricating fan-out wafer level package and fan-out wafer level package fabricated thereby |
| CN106098717A (zh) * | 2016-08-05 | 2016-11-09 | 华天科技（昆山）电子有限公司 | 高可靠性芯片封装方法及结构 |
| US20180082933A1 (en) * | 2016-09-21 | 2018-03-22 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Fan-out semiconductor package |
| CN108364969A (zh) * | 2018-01-23 | 2018-08-03 | 北京思比科微电子技术股份有限公司 | 一种cmos图像传感器封装结构 |
| CN208767298U (zh) * | 2016-02-04 | 2019-04-19 | Nepes株式会社 | 传感器封装 |
-
2019
- 2019-12-17 CN CN201911302965.5A patent/CN110993513A/zh active Pending
-
2020
- 2020-05-11 CN CN202010393193.7A patent/CN111354652B/zh active Active
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013225196A (ja) * | 2012-04-20 | 2013-10-31 | Toppan Printing Co Ltd | 高信頼性接触型ｉｃカード |
| US20140131858A1 (en) * | 2012-11-14 | 2014-05-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Warpage Control of Semiconductor Die Package |
| CN103021983A (zh) * | 2012-11-22 | 2013-04-03 | 北京工业大学 | 一种晶圆级芯片尺寸封装及其制造方法 |
| CN103579278A (zh) * | 2013-11-14 | 2014-02-12 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 基于玻璃基板的图像传感器封装结构及封装方法 |
| CN103956370A (zh) * | 2014-05-20 | 2014-07-30 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 影像传感器模组及其形成方法 |
| CN103985723A (zh) * | 2014-05-20 | 2014-08-13 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 封装方法以及封装结构 |
| US20160118326A1 (en) * | 2014-10-23 | 2016-04-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for fabricating fan-out wafer level package and fan-out wafer level package fabricated thereby |
| CN104538416A (zh) * | 2015-02-03 | 2015-04-22 | 华天科技（昆山）电子有限公司 | 高可靠性全封闭cmos影像传感器结构及其制作方法 |
| CN208767298U (zh) * | 2016-02-04 | 2019-04-19 | Nepes株式会社 | 传感器封装 |
| CN106098717A (zh) * | 2016-08-05 | 2016-11-09 | 华天科技（昆山）电子有限公司 | 高可靠性芯片封装方法及结构 |
| US20180082933A1 (en) * | 2016-09-21 | 2018-03-22 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Fan-out semiconductor package |
| CN108364969A (zh) * | 2018-01-23 | 2018-08-03 | 北京思比科微电子技术股份有限公司 | 一种cmos图像传感器封装结构 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115101512A (zh) * | 2022-06-16 | 2022-09-23 | 宁波芯健半导体有限公司 | 一种晶圆级mpw芯片封装结构及封装方法 |
| CN115101512B (zh) * | 2022-06-16 | 2023-06-27 | 宁波芯健半导体有限公司 | 一种晶圆级mpw芯片封装结构及封装方法 |
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