CN111346861A - 掩膜部件的清洗装置以及掩膜部件的清洗系统 - Google Patents

掩膜部件的清洗装置以及掩膜部件的清洗系统 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种掩膜部件的清洗装置以及掩膜部件的清洗系统，其中，所述掩膜部件的清洗装置包括：腔室，在内部储存有清洗液；循环部，具有使从所述腔室流入的所述清洗液的一部分通过的过滤器；喷嘴部，配备有布置在所述腔室的内壁并向所述掩膜部件喷射从所述循环部流入的所述清洗液的所述一部分的多个喷嘴；以及移送部，使掩膜部件在所述腔室内进行升降运动，所述掩膜部件的上表面被支撑为与所述腔室的内壁对向。

Description

掩膜部件的清洗装置以及掩膜部件的清洗系统
技术领域
本发明的实施例涉及一种掩膜部件的清洗装置以及掩膜部件的清洗系统，更详细地，涉及一种能够容易地去除附着在掩膜部件的残留物的掩膜部件的清洗装置以及掩膜部件的清洗系统。
背景技术
随着以视觉方式呈现各种电信号信息的显示领域的迅速发展，具有薄型化、轻量化、低电耗化等优异特性的多种平板显示装置正在被研究以及开发。其中，作为自发光型显示装置的有机发光显示装置由于不需要额外的光源，因此可以用低电压驱动并构成为轻量薄型，并且由于其宽视角，高对比度(contrast)以及响应速度快等高品质特性，正在作为下一代显示装置而引起关注。
在制造有机发光显示装置时，会利用掩膜部件在基板上沉积有机发光物质，具体地，使沉积物质通过掩膜部件而向基板上移动，从而在基板的预定位置实现沉积。
如果多次反复进行这种沉积过程，则附着在掩膜部件表面的沉积物质的厚度将逐渐增加，从而会发生掩膜部件变形或者掩膜部件的开口区域堵塞的问题。因此，为了解决这种问题，有必要在执行预定次数的沉积工序后清洗掩膜部件。
发明内容
以往在清洗掩膜部件的过程中，存在如下问题：包含在清洗液的异物转移到掩膜部件而发生再次污染，或者在掩膜部件中存在无法顺利地得到清洗的死角地带。
本发明是为了解决包括如上所述问题的各种问题而提出的，目的在于提供一种能够容易地去除附着在掩膜部件的残留物的掩膜部件的清洗装置以及掩膜部件的清洗系统。但这种课题仅是示例性的，本发明的范围不限于此。
根据本发明的一方面，提供一种掩膜部件的清洗装置，包括：腔室，在内部储存有清洗液；循环部，具有使从所述腔室流入的所述清洗液的一部分通过的过滤器；喷嘴部，配备有布置在所述腔室的内壁并向所述掩膜部件喷射从所述循环部流入的所述清洗液的所述一部分的多个喷嘴；以及移送部，使所述掩膜部件在所述腔室内进行升降运动，所述掩膜部件的上表面被支撑为与所述腔室的内壁对向。
所述腔室可以具有可开闭地布置在所述腔室的顶棚的盖体。
所述喷嘴部还可以包括：分配部，将所述清洗液的所述一部分分配到所述多个喷嘴中的每一个喷嘴。
随着所述掩膜部件进行升降运动，所述多个喷嘴中的一部分喷嘴的喷射工作可以被解除。
随着所述掩膜部件进行升降运动，储存在所述腔室内的所述清洗液的体积可以增加。
所述腔室具有可开闭地布置在所述腔室的顶棚的盖体，所述盖体在所述掩膜部件向所述腔室外部排出时可以被打开。
所述掩膜部件可以布置为能够使所述掩膜部件的至少一部分从储存在所述腔室内的清洗液暴露。
根据本发明的另一方面，提供一种掩膜部件的清洗系统，包括：第一清洗部，储存有体积可变的第一清洗液；以及第二清洗部，储存有体积恒定的第二清洗液，所述第一清洗部包括：第一腔室，在内部储存有第一清洗液；第一循环部，具有使从所述第一腔室流入的所述第一清洗液的一部分通过的第一过滤器；以及第一喷嘴部，配备有布置在所述第一腔室的内壁并向所述掩膜部件喷射从所述第一循环部流入的所述第一清洗液的一部分的多个第一喷嘴。
所述第一清洗部，还可以包括：第一移送部，使所述掩膜部件在所述第一腔室内进行升降运动，所述掩膜部件的上表面被支撑为与所述第一腔室的内壁对向。
所述第二清洗部包括：第二腔室，在内部储存有所述第二清洗液；所述掩膜部件可以被布置为整个所述掩膜部件浸入到所述第二清洗液内部。
所述第一清洗液可以包括与所述第二清洗液相同的物质。
所述掩膜部件的清洗系统还可以包括：第三清洗部，储存有体积恒定的水。
所述第三清洗部包括：第三腔室，在内部储存有水，所述掩膜部件可以被布置为整个所述掩膜部件浸入到所述水内部。
所述掩膜部件的清洗系统，其中，还可以包括：第四清洗部，储存有体积可变的水。
所述第四清洗部可以包括：第四腔室，在内部储存有所述水；第四循环部，具有使从所述第四腔室流入的所述水的一部分通过的第四过滤器；以及第四喷嘴部，配备有布置在所述第四腔室的内壁并向所述掩膜部件喷射从所述第四循环部流入的所述水的一部分的多个第四喷嘴。
所述第四清洗部还可以包括：第四移送部，使所述掩膜部件在所述第四腔室内进行升降运动，所述掩膜部件的上表面被支撑为与所述第四腔室的内壁对向。
根据如上所述地构成的本发明的一实施例，可以防止由于清洗液导致的掩膜部件的再次污染。
并且，可以减少掩膜部件中未被顺利地清洗的死角地带。
并且，可以防止清洗过程中掩膜部件的破损等。
并且，可以减少清洗液的使用量。
然而，本发明的范围并不限于这些效果。
附图说明
图1是概略地示出根据本发明的一实施例的掩膜部件的清洗装置的剖面图。
图2是概略地示出从图1的掩膜部件的清洗装置排出掩膜部件的形态的剖面图。
图3是概略地示出根据本发明的一实施例的掩膜部件的清洗系统的剖面图。
符号说明
1：掩膜部件
100：腔室
200：喷嘴部
210：喷嘴
220：分配部
300：循环部
310：过滤器
320：阀门
400：移送部
410：上部移送部
420：下部移送部
具体实施方式
本发明可以加以多种变换，并可以具有多种实施例，在此，在附图中示出特定实施例，并在详细说明中进行详细说明。然而，这并不旨在将本发明限定在特定实施形态，而应当被理解为包括包含于本发明的思想以及技术范围的所有变换、等同物以及替代物。如果在说明本发明时，对与本发明相关的公知技术的具体说明被判断为有可能使本发明的要点变得模糊，则省略该详细说明。
本说明书中使用的第一、第二等术语可以用于说明多种构成要素，但构成要素不应被所述术语所限定。所述术语仅用于将一个构成要素区别于其他构成要素的目的。
当在本说明书中提及层、膜、区域、板等部分位于其他部分“上”或者“之上”时，不仅包括位于其他部分“紧邻的上方”的情形，还包括在其中间还有其他部分的情形。
本说明书中使用的x轴、y轴以及z轴并不限于直角坐标系上的三个轴，而可以被解释为包括其的宽泛的含义。例如，x轴、y轴以及z轴可以互相垂直相交，但也可以指代互相不垂直相交的互不相同的方向。
以下，参照附图来详细说明根据本实发明的实施例，在参照附图进行说明时，对实质相同或者相对应的构成要素赋予相同的附图符号并省略对其的重复说明。附图中为了明确表现出多个层以及区域，厚度被夸大示出。并且，为了便于说明，在附图中夸大示出了部分层以及区域的厚度。
图1是概略地示出根据本发明的一实施例的掩膜部件的清洗装置的剖面图，图2是概略地示出从图1的掩膜部件的清洗装置排出掩膜部件的形态的剖面图。
首先参照图1，根据本发明的一实施例的掩膜部件的清洗装置1000包括：腔室100、喷嘴部200、循环部300以及移送部400。
腔室100是在内部储存有清洗液C的容器，掩膜部件1收纳于腔室100的内部空间，从而可以与清洗液C接触。
清洗液C包括能够将附着在掩膜部件1的沉积物质溶解或者脱离的物质，可以使用有机溶剂作为这种清洗液C。具体地，这种有机溶剂可以是乙醇类液体的异丙醇(IPA)或者氢氟醚(HFE)。除此之外，还可以使用分类为极性溶剂的不具有质子性的氢的双极性非质子溶剂，例如N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜(DMSO)、N-甲基-2-吡咯烷酮、六甲基磷酰胺等高分子类清洗溶剂作为清洗液C。
掩膜部件1在腔室100内沿大致垂直的方向布置，在此所谓的沿垂直方向布置是指掩膜部件1的上表面或者下表面相对腔室100的底面垂直地布置。
以下，方便起见，以掩膜部件1在腔室100内沿相对腔室100的底面垂直的方向的+Z方向延伸布置的情形为中心进行说明。
为了支撑掩膜部件1，在掩膜部件1的下表面可以布置有支撑部90，支撑部90可以连接有后述的移送部400，从而将掩膜部件1移动到预先设定的位置。
支撑部90支撑掩膜部件1的方式有多种，例如，支撑部90可以是与掩膜部件1的下表面大致平行的形态的平板，而且支撑部90的中央部也可以配备有使掩膜部件1的下表面暴露的贯通部，以使在沉积工序或者清洗工序中能够顺利地去除附着在掩膜部件1的下表面的沉积物质。
并且，支撑部90可以配备有用于将掩膜部件1安置到支撑部90上的多种结合部件。
另外，腔室100的顶棚(ceiling)可以布置有能够开闭的盖体110。据此，在将掩膜部件1排出到腔室100外部或者将掩膜部件1投入腔室100内部时可以打开盖体110，在掩膜部件1的清洗工序中封闭盖体110而密封腔室100内部。
腔室100布置有配备了多个喷嘴210的喷嘴部200。具体地，多个喷嘴210布置在腔室100的内壁100w，从而向在腔室100内沿垂直方向布置的掩膜部件1的上表面和/或者下表面喷射清洗用液体。
图1等中示出为多个喷嘴210布置在腔室100的内壁100w的两侧面，但并不一定要局限于此。并且，也不限于在所述两侧面布置有相同个数的喷嘴210。
例如，多个喷嘴210可以以围绕掩膜部件1的方式布置在腔室100的内壁100w，也可以在作为掩膜部件1的被清洗面的上表面侧布置有相对较多的喷嘴210。
此时，掩膜部件1的上表面指布置有用于定义使沉积物质通过的开口的棒(bar)或者形成有多个所述开口的掩膜条(mask stick)的一面，掩膜部件1的上表面可以借助这种棒或者掩膜条而形成突出部1p。因此，掩膜部件1的上表面由于突出部1p等而具有相对复杂的形状，因此掩膜部件1的上表面可以成为需要清洗的主要的被清洗面。
并且，多个喷嘴210可以大致沿腔室100内壁100w的上下方向(+Z方向)而布置为一列，以使所述多个喷嘴210能够尽量覆盖掩膜部件1上表面的所有面积。此时，多个喷嘴210中的每一个喷嘴的喷射方向可以单独地被调节为朝向掩膜部件1的上表面。
另外，喷嘴部200还可以具备分配部220。分配部220连接有多个喷嘴210，起到将通过多个喷嘴210喷射的清洗用液体分别分配到多个喷嘴210中的每一个喷嘴的作用。
为此，在分配部220，连接于多个喷嘴210中的每一个喷嘴的管(未示出)可以以多歧管(manifold)方式配备。
并且，虽然未在图1等中示出，但为了调节分配到多个喷嘴210中的每一个喷嘴的清洗用液体的流量，在分配部220可以连接有控制部(未示出)。所述控制部除了控制分配部220的分配工作外，还可以控制清洗装置1000的各个构成要素的工作，为此，还可以配备有额外的显示部以及操作部。
为了向上述喷嘴部200供应清洗用液体，喷嘴部200连接有循环部300。
具体地，循环部300将储存在腔室100内的清洗液C的一部分供应为喷嘴部200的清洗用液体。此时，循环部300将混入有附着在掩膜部件1的沉积物质等残留物的清洗液C进行净化而作为清洗用液体供应，为了这种净化作用，循环部300配备有过滤器310。即，包含于清洗液C的异物D将被这种过滤器310过滤，通过了过滤器310的清洗液C的一部分将供应到喷嘴部200并被喷射至掩膜部件1。
因此，可以形成清洗液C依次经过腔室100内部、循环部300、喷嘴部200后重新储存到腔室100内部的循环结构。
循环部300可以布置在腔室100的底面侧，以使清洗液C可以与腔室100内清洗液C的储存量无关地轻易流入循环部300。虽然在图1等中示出为循环部300从腔室100的底面向顶棚方向延伸，但并不一定要局限于此，循环部300的延伸方向可以根据分配部220的位置而进行多样地变形。
并且，循环部300可以配备有用于调节清洗液C的流入量的阀门320，此时，为了考虑腔室100内清洗液C的储存量，在腔室100可以配备有流量传感器或者液位传感器。
另外，为了将掩膜部件1投入腔室100或者从腔室100排出而配备有移送部400。具体地，移送部400结合于掩膜部件1或者支撑掩膜部件1的支撑部90而使掩膜部件1在腔室100内进行升降运动。在此，升降运动的方向可以指相对腔室100的底面垂直的方向的+Z方向或者-Z方向。
移送部400除了投入以及排出掩膜部件1的情形外，还可以在清洗工序中使掩膜部件1进行升降运动，为了恰当地控制这种升降运动，在支撑部90等可以连接有传感器500。例如，传感器500可以是速度传感器或者位置传感器。
根据这种移送部400的移送工作，掩膜部件1在被支撑为与腔室100的内壁100w对向的状态下进行升降运动，据此，掩膜部件1能够迅速移动至从多个喷嘴210喷射的清洗液C易于到达的位置。
作为一实施例，移送部400可以包括上部移送部410以及下部移送部420。上部移送部410以及下部移送部420可以以相同的速度以及方向移送掩膜部件1，据此，可以在移送工作中使掩膜部件1的倾斜或者摇晃最小化。
并且，移送部400可以为了移送掩膜部件1而配备有驱动部(未示出)，例如所述驱动部可以配备有马达、致动器、油压/气压缸等。
然后，一同参照图2和图1，如果通过循环部300的过滤器310的清洗液C的一部分被喷射到掩膜部件1时，附着在掩膜部件1的残留物借助多个喷嘴210的喷射力而易于脱落到存储在腔室100内的清洗液C上。
据此，所述脱落的残留物将成为混入清洗液C的异物D，这种异物D中的一部分异物D会下沉而位于腔室100的底面侧，另外一部分则可以漂浮在清洗液C的液面上。
另外，如图2所示，在掩膜部件1的清洗工序的后半部分，掩膜部件1将向腔室100的上部进行升降运动，以能够容易地排出。
此时，在基本完成掩膜部件1的清洗工序的状态下，可以解除多个喷嘴(图1的210)中的一部分喷嘴的喷射工作。此时，被解除喷射工作的喷嘴可以是掩膜部件1在进行升降运动时不再对向于掩膜部件1的喷嘴。如果多个喷嘴(图1的210)在腔室100的内壁100w以上下方向(+Z方向)布置为一列时，可以解除除上部喷嘴210t以外的剩余的下部喷嘴的喷射工作。
如上所述，随着解除多个喷嘴(图1的210)中的一部分喷嘴的喷射工作，可以减少通过循环部300向喷嘴部(图1的200)供应的清洗液C的量。在此情形下，由于通过泵600将储存在布置于腔室100外部的储存部700的清洗液C供应到腔室100，因此储存在腔室100内的清洗液C的体积将逐渐增加。此时，泵600和储存部700可以调节腔室100内部的清洗液C的液位。即，泵600可以将储存部700的清洗液C供应到腔室100，或者将腔室100内部的清洗液C供应到储存部700。
据此，在腔室100的盖体110被打开而掩膜部件1被排出的前夕，储存在腔室100内的清洗液C的液位将变得相当高，此时，如图2的A部分所示，有可能发生漂浮在清洗液C内部的异物D由于与掩膜部件1接触的清洗液C的表面张力而再次附着到掩膜部件1的问题。
为了解决这种问题，可以使位于腔室100的顶棚侧的上部喷嘴210t维持喷射工作，从而防止异物D再次附着或者使再次附着的异物D掉落。
另外，如图1以及图2所示，掩膜部件1的清洗工序以向掩膜部件1喷射清洗液C而去除掩膜部件1的残留物的作业为主，因此有必要使掩膜部件1的至少一部分从储存在腔室100内的清洗液C中暴露。因此，为了最小化掩膜部件1浸入到所储存的清洗液C内，可以适当地调节所述清洗液C的朝向循环部300的排出量。
图3是概略地示出根据本发明的一实施例的掩膜部件的清洗系统的剖面图。
参照图3，根据本发明的一实施例的掩膜部件的清洗系统可以依次进行如下步骤：利用第一清洗部的第一步骤S1；利用第二清洗部的第二步骤S2；利用第三清洗部的第三步骤S3；以及利用第四清洗部的第四步骤S4。
首先，在第一步骤S1中，通过与参照图1以及图2而前述的清洗装置1000具有相同或者相似的结构的第一清洗部进行掩膜部件1的清洗。因此，以下将省略或简略说明与参照图1以及图2前述的内容重复的内容。
具体地，所述第一清洗部包括：第一腔室100a，在内部储存有第一清洗液C；多个第一喷嘴210a，配备于第一腔室100a的内壁；第一循环部300a，流入有所述储存的第一清洗液C。
在该步骤(S1)中，储存在第一腔室100a的第一清洗液C流入第一循环部300a而其一部分被过滤，然后，过滤后的第一清洗液C中的一部分第一清洗液C经过第一分配部220a分配到多个第一喷嘴210a中的每一个第一喷嘴210a，被分配的所述第一清洗液C将经过通过多个第一喷嘴210a喷射到掩膜部件1的清洗工序。
在这种清洗工序的后半部分，多个第一喷嘴210a中的一部分第一喷嘴210a的工作可以被解除。第一泵600a可以将第一储存部700a的清洗液C供应到第一腔室100a而提高第一腔室100a内部的清洗液C的液位。
另外，在清洗工序前后，掩膜部件1可以借助第一移送部410、420进行升降移动而被投入到第一腔室100a的内部或者排出到第一腔室100a的外部。
然后，在第二步骤S2中，借助第二清洗部进行掩膜部件1的清洗。
具体地，所述第二清洗部在内部配备了储存有第二清洗液C的第二腔室100b。此时，在第二步骤S2中，在整个掩膜部件1浸入到第二清洗液C的内部的状态下，借助掩膜部件1和清洗液C之间的接触而执行清洗作业。此时，第二泵600b可以将第二储存部700c的清洗液C供应到第二腔室100b而提高第二腔室100b内部的清洗液C的液位。
在该第二步骤(S2)中，可以省略如第一步骤S1中的多个第一喷嘴210a、第一循环部300a等，据此，与第一步骤S1不同地，储存在第二腔室100b的第二清洗液C的体积维持恒定。
在第一步骤S1中储存在第一腔室100a的第一清洗液C和在第二步骤S2中储存在第二腔室100b内的第二清洗液C可以包含彼此相同的物质。
然后，在第三阶段S3中，借助第三清洗部进行掩膜部件1的清洗。
对于第三步骤S3而言，与第二步骤S2仅在使用的清洗用液体上有差异，在整个掩膜部件1浸入到清洗用液体内部的状态下借助掩膜部件1与所述清洗用液体之间的接触而执行清洗作业这方面，与第二步骤S2的清洗工序相同。
第三步骤S3中使用的清洗用液体可以是水W，据此，对于第三步骤S3而言，可以去除在第二步骤S2中未能完全去除的残留物的同时，去除第二步骤S2中使用的第二清洗液C。其中，所述第三清洗部可包括内部存储有水W的第三腔室100c。此时，第三泵600c和第三储存部700c可以调节第三腔室100c内部的水W的液位。
然后，在第四步骤S4中，借助第四清洗部进行掩膜部件1的清洗。
对于第四步骤S4而言，与第一步骤S1仅在使用的清洗用液体是水这方面有差异，在经过第四循环部300d被过滤的水W的一部分通过多个第四喷嘴210d喷射到掩膜部件1这方面，与第一步骤S1的清洗工序相同。
据此，在第四步骤S4中将之前步骤(S1、S2、S3)中未能完全去除的残留物最终去除的同时，还可以将第二清洗液C的残留物也一并去除。其中，所述第四清洗部可包括内部存储有水W的第四腔室100d。此时，第四泵600d和第四储存部700d可以调节第四腔室100d内部的水W的液位。
如上所述，经过第一步骤S1至第四步骤S4，残留在掩膜部件1的沉积物质等残留物被完全去除，并且还可以防止由于清洗液的残留物导致的掩膜部件1的腐蚀等。
另外，除了上述步骤(S1、S2、S3、S4)以外，还可以追加与此相似的步骤，上述步骤(S1、S2、S3、S4)的顺序也可以根据整体工序的便利以及所期望的清洗效果而进行变更。
如上所说明，如果利用根据本发明的一实施例的掩膜部件的清洗装置以及清洗系统，可以防止由于清洗液导致的掩膜部件的再次污染，且可以减少掩膜部件中无法顺利地进行清洗的死角地带。并且，不仅可以防止清洗中发生的掩膜部件的破损，还可以减少清洗液的使用量。
如上所述，参考附图中示出的一实施例对本发明进行了说明，但其仅为示例性的，只要是在本发明所属领域具有通常的知识的人便能够理解可以对本发明进行多种变形以及对实施例进行变形。因此，本发明真正的技术保护范围应当由权利要求书记载的技术思想来定义。

Claims (10)

1.一种掩膜部件的清洗装置，其中，包括：
腔室，在内部储存有清洗液；
循环部，具有使从所述腔室流入的所述清洗液的一部分通过的过滤器；
喷嘴部，配备有布置在所述腔室的内壁并向所述掩膜部件喷射从所述循环部流入的所述清洗液的所述一部分的多个喷嘴；以及
移送部，使所述掩膜部件在所述腔室内进行升降运动，所述掩膜部件的上表面被支撑为与所述腔室的内壁对向。
2.如权利要求1所述的掩膜部件的清洗装置，其中
所述腔室具有可开闭地布置在所述腔室的顶棚的盖体。
3.如权利要求1所述的掩膜部件的清洗装置，其中
所述喷嘴部还包括：
分配部，将所述清洗液的所述一部分分配到所述多个喷嘴中的每一个喷嘴。
4.如权利要求1所述的掩膜部件的清洗装置，其中
随着所述掩膜部件进行升降运动，所述多个喷嘴中的一部分喷嘴的喷射工作被解除。
5.如权利要求4所述的掩膜部件的清洗装置，其中
随着所述掩膜部件进行升降运动，储存在所述腔室内的所述清洗液的体积增加。
6.如权利要求1所述的掩膜部件的清洗装置，其中
所述腔室具有可开闭地布置在所述腔室的顶棚的盖体，
所述盖体在所述掩膜部件向所述腔室外部排出时被打开。
7.如权利要求1所述的掩膜部件的清洗装置，其中
所述掩膜部件布置为使所述掩膜部件的至少一部分从储存在所述腔室内的所述清洗液暴露。
8.一种掩膜部件的清洗系统，其中，包括：
第一清洗部，储存有体积可变的第一清洗液；以及
第二清洗部，储存有体积恒定的第二清洗液，
所述第一清洗部包括：
第一腔室，在内部储存有所述第一清洗液；
第一循环部，具有使从所述第一腔室流入的所述第一清洗液的一部分通过的第一过滤器；以及
第一喷嘴部，配备有布置在所述第一腔室的内壁并向所述掩膜部件喷射从所述第一循环部流入的所述第一清洗液的一部分的多个第一喷嘴。
9.如权利要求8所述的掩膜部件的清洗系统，其中
所述第一清洗部，还包括：
第一移送部，使所述掩膜部件在所述第一腔室内进行升降运动，所述掩膜部件的上表面被支撑为与所述第一腔室的内壁对向。
10.如权利要求8所述的掩膜部件的清洗系统，其中
所述第二清洗部包括：
第二腔室，在内部储存有所述第二清洗液；
所述掩膜部件被布置为整个所述掩膜部件浸入到所述第二清洗液内部。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114995052A (zh) * 2022-05-18 2022-09-02 上海图灵智算量子科技有限公司 光罩版清洁装置
US11500295B2 (en) * 2019-12-23 2022-11-15 Waymo Llc Systems and methods for contact immersion lithography

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102674690B1 (ko) 2023-09-26 2024-06-12 (주) 유피테크 메탈마스크 자동 세정장치

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07313947A (ja) * 1995-03-09 1995-12-05 Seiko Epson Corp ワーク洗浄方法および洗浄装置
CN1182281A (zh) * 1996-11-11 1998-05-20 三菱电机株式会社 半导体材料的清洗装置
JPH10189526A (ja) * 1996-12-20 1998-07-21 Sony Corp レチクルの洗浄方法及びその装置
KR20040045197A (ko) * 2002-11-22 2004-06-01 어드벤스드 알케미(주) 기판 처리 장치
US20070034562A1 (en) * 2003-02-25 2007-02-15 Valerio Vernocchi Washing device for pleated cartridges and filter comprising said device
JP2009088442A (ja) * 2007-10-03 2009-04-23 Hitachi High-Technologies Corp 基板乾燥装置、フラットパネルディスプレイの製造装置及びフラットパネルディスプレイ
JP2010236088A (ja) * 2009-03-09 2010-10-21 Hitachi High-Technologies Corp マスク部材のクリーニング装置及びクリーニング方法並びに有機ｅｌディスプレイ
JP2015017320A (ja) * 2013-07-08 2015-01-29 上海和輝光電有限公司Ｅｖｅｒｄｉｓｐｌａｙ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ （Ｓｈａｎｇｈａｉ） Ｌｉｍｉｔｅｄ マスクに付着した有機物や汚れを除去する装置
CN104646337A (zh) * 2013-11-19 2015-05-27 三星显示有限公司 清洁基板的设备
KR20150094200A (ko) * 2014-02-11 2015-08-19 멤스피아 주식회사 마스크 세정장비
JP2017087700A (ja) * 2015-11-17 2017-05-25 株式会社沖電気コミュニケーションシステムズ 洗浄装置
CN108374146A (zh) * 2017-01-31 2018-08-07 三星显示有限公司 有机物沉积装置及方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07313947A (ja) * 1995-03-09 1995-12-05 Seiko Epson Corp ワーク洗浄方法および洗浄装置
CN1182281A (zh) * 1996-11-11 1998-05-20 三菱电机株式会社 半导体材料的清洗装置
JPH10189526A (ja) * 1996-12-20 1998-07-21 Sony Corp レチクルの洗浄方法及びその装置
KR20040045197A (ko) * 2002-11-22 2004-06-01 어드벤스드 알케미(주) 기판 처리 장치
US20070034562A1 (en) * 2003-02-25 2007-02-15 Valerio Vernocchi Washing device for pleated cartridges and filter comprising said device
JP2009088442A (ja) * 2007-10-03 2009-04-23 Hitachi High-Technologies Corp 基板乾燥装置、フラットパネルディスプレイの製造装置及びフラットパネルディスプレイ
JP2010236088A (ja) * 2009-03-09 2010-10-21 Hitachi High-Technologies Corp マスク部材のクリーニング装置及びクリーニング方法並びに有機ｅｌディスプレイ
JP2015017320A (ja) * 2013-07-08 2015-01-29 上海和輝光電有限公司Ｅｖｅｒｄｉｓｐｌａｙ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ （Ｓｈａｎｇｈａｉ） Ｌｉｍｉｔｅｄ マスクに付着した有機物や汚れを除去する装置
CN104646337A (zh) * 2013-11-19 2015-05-27 三星显示有限公司 清洁基板的设备
KR20150094200A (ko) * 2014-02-11 2015-08-19 멤스피아 주식회사 마스크 세정장비
JP2017087700A (ja) * 2015-11-17 2017-05-25 株式会社沖電気コミュニケーションシステムズ 洗浄装置
CN108374146A (zh) * 2017-01-31 2018-08-07 三星显示有限公司 有机物沉积装置及方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11500295B2 (en) * 2019-12-23 2022-11-15 Waymo Llc Systems and methods for contact immersion lithography
US11892777B2 (en) 2019-12-23 2024-02-06 Waymo Llc Systems and methods for contact immersion lithography
CN114995052A (zh) * 2022-05-18 2022-09-02 上海图灵智算量子科技有限公司 光罩版清洁装置

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CN111346861B (zh) 2023-09-22
KR20200078737A (ko) 2020-07-02

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