CN111341710B - Led芯片转移系统及led芯片的转移方法 - Google Patents

Led芯片转移系统及led芯片的转移方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111341710B
CN111341710B CN202010170922.2A CN202010170922A CN111341710B CN 111341710 B CN111341710 B CN 111341710B CN 202010170922 A CN202010170922 A CN 202010170922A CN 111341710 B CN111341710 B CN 111341710B
Authority
CN
China
Prior art keywords
led chip
transfer
viscous liquid
transfer system
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010170922.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111341710A (zh
Inventor
向昌明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Original Assignee
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd filed Critical TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority to CN202010170922.2A priority Critical patent/CN111341710B/zh
Publication of CN111341710A publication Critical patent/CN111341710A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111341710B publication Critical patent/CN111341710B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781—Batch transfer of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本申请提供一种LED芯片转移系统及LED芯片的转移方法，该LED芯片转移系统包括载台、转移机构和喷涂机构，载台用于放置待转移的LED芯片；转移机构设置在载台上，转移机构包括基板和多个设置在基板上的转移部件，转移部件用于转移LED芯片；喷涂机构用于对LED芯片喷涂粘性液；其中，转移部件包括转移本体和吸附结构，转移本体设置在基板上，吸附结构设置在转移本体上，且用于吸附粘性液。本申请实现了Micro LED芯片的高效和精确转移。

Description

LED芯片转移系统及LED芯片的转移方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种LED芯片转移系统及LED芯片的转移方法。
背景技术
目前，在Micro LED(Micro Light Emitting Display，微型发光二极管)显示领域，为了制作发光二极管显示器，需要将微小的发光二极管从原始衬底转移到接收基板上排列成阵列，因此涉及到巨量且微小的发光二级管器件的转移问题。
然而，在目前的Micro LED芯片巨量转移技术中，转移精度较低，因此，如何实现Micro LED芯片的高效和精确转移成为亟待解决的技术问题。
发明内容
本申请提供一种LED芯片转移系统及LED芯片的转移方法，以实现Micro LED芯片的高效和精确转移。
本申请提供一种LED芯片转移系统，其包括：
载台，所述载台用于放置待转移的LED芯片；
转移机构，所述转移机构设置在所述载台上，所述转移机构包括基板和多个设置在所述基板上的转移部件，所述转移部件用于转移所述LED芯片；以及
喷涂机构，所述喷涂机构用于对所述LED芯片喷涂粘性液；
其中，所述转移部件包括转移本体和吸附结构，所述转移本体设置在所述基板上，所述吸附结构设置在所述转移本体上，且用于吸附所述粘性液。
在本申请的LED芯片转移系统中，所述吸附结构包括至少一吸附部，所述吸附部设置在所述转移本体朝向所述载台的一侧，所述吸附部上设置有多个凹槽。
在本申请的LED芯片转移系统中，所述转移本体上设置有通气通道，所述通气通道的出气口朝向所述LED芯片；
所述LED芯片转移系统还包括通气机构，所述通气机构的出气口连通于所述通气通道的进气口。
在本申请的LED芯片转移系统中，所述吸附部的数量为一个，所述吸附部上设置有至少一通孔，所述通孔连通于所述通气通道。
在本申请的LED芯片转移系统中，所述吸附部的数量为多个，且所述吸附部与所述通气通道相错设置。
在本申请的LED芯片转移系统中，所述凹槽的截面形状为半圆弧形、三角形、方形或梯形。
在本申请的LED芯片转移系统中，所述吸附结构的材料的极性与所述粘性液的极性相似。
在本申请的LED芯片转移系统中，所述LED芯片为Mini LED芯片或Micro LED芯片。
本申请还提供一种LED芯片的转移方法，其包括以下步骤：
提供一LED芯片转移系统，所述LED芯片转移系统包括载台、转移机构和喷涂机构，所述转移机构包括基板和多个设置在所述基板上的转移部件，所述转移部件包括转移本体和设置在所述转移本体上的吸附结构；
将多个待转移的LED芯片置于所述载台上；
采用所述喷涂机构在所述LED芯片上喷涂粘性液，以使所述粘性液粘结在所述LED芯片上；
采用所述转移机构的所述吸附结构吸附所述粘性液；
提供一驱动基板；
采用所述转移机构将所述LED芯片转移并固定连接至所述驱动基板上。
在本申请的LED芯片转移方法中，所述吸附结构包括至少一吸附部，所述吸附部设置在所述转移本体朝向所述载台的一侧，且所述吸附部上设置有多个凹槽；其中，所述采用所述转移机构的所述吸附结构吸附所述粘性液的步骤，包括：
将所述转移部件与粘结在所述LED芯片上的所述粘性液接触；
所述吸附部上的凹槽通过表面张力作用吸附所述粘性液，以使所述LED芯片固定连接至所述转移部件。
相较于现有技术中的LED芯片转移系统，本申请提供的LED芯片转移系统通过在转移部件上设置吸附结构，并在LED芯片上形成粘性液，通过吸附结构的表面张力作用吸附粘性液，以使LED芯片从载台上脱离，进而实现了Micro LED芯片的高效和精确转移。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的LED芯片转移系统的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的LED芯片转移系统中转移机构和通气机构的结构示意图；
图3是本申请实施例提供的LED芯片转移系统中转移部件的第一结构示意图；
图4是图3中沿PP’线处的剖面结构示意图；
图5是本申请实施例提供的LED芯片转移系统中转移部件的第二结构示意图；
图6是图5中沿QQ’线处的剖面结构示意图；
图7是本申请实施例提供的LED芯片的转移方法的流程示意图；
图8是本申请实施例提供的LED芯片的转移方法中所用LED芯片转移系统的结构示意图；
图9是图8中转移机构和通气机构的结构示意图；
图10A至10F是本申请实施例提供的LED芯片的转移方法中步骤S201至S207依次得到的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
需要说明的是，本申请中基板上转移部件的数量为多个，本申请实施例仅以转移部件的数量为三个为例进行说明，但并不限于此。
另外，本申请中的载台、转移机构、喷涂机构、通气机构和滑动机构可以形成一个共同协作的装置，也可以各自独立或自由组合形成不同的装置进行协作作业，本申请实施例仅以载台、转移机构、喷涂机构、通气机构和滑动机构形成一个共同协作的装置为例进行说明，但并不限于此。
请参阅图1和图2，图1为本申请实施例提供的LED芯片转移系统的结构示意图，图2为本申请实施例提供的LED芯片转移系统中转移机构和通气机构的结构示意图。
本申请实施例提供的LED芯片转移系统100包括载台10、转移机构11、喷涂机构12、通气机构13和滑动机构14。载台10用于放置待转移的LED芯片15。转移机构11设置在载台10上。转移机构11包括基板111和多个设置在基板111上的转移部件112。转移部件112用于转移LED芯片15。喷涂机构12设置在滑动机构14上。喷涂机构12用于对LED芯片15喷涂粘性液15A。其中，转移部件112包括转移本体1121和吸附结构1122。转移本体1121设置在基板111上。吸附结构1122设置在转移本体1121上。吸附结构1122用于吸附粘性液15A。
由此，本申请实施例提供的LED芯片转移系统100通过在转移部件112上设置吸附结构1122，并在LED芯片15上形成粘性液15A，通过吸附结构1122的表面张力作用吸附粘性液15A，进而实现了LED芯片15的高效和精确转移。
具体的，载台10可以为玻璃基板，也可以为其他承载LED芯片15的承载装置，本申请对此不作限定。
在本申请实施例中，滑动机构14包括滑轨141以及与滑轨141滑动连接的固定板142。滑轨141设置在载台10和转移机构11的外侧。固定板142设置在载台10和转移机构11之间。
进一步的，喷涂机构12包括多个喷头121。喷头121与LED芯片15一一对应设置，且位于固定板142朝向载台10的一侧。其中，喷头121与固定板142之间可以为固定连接，也可以为活动连接，本申请对此不作限定。
可以理解的是，喷涂机构12还可以包括控制喷头121喷涂粘性液15A的控制装置(图中未示出)，在此不再赘述。
在本申请实施例中，粘性液15A为氟化物类液晶材料，如二氟化物或三氟化物等。在一些实施例中，粘性液15A还可以为其他粘性材料，在此不再赘述。
可以理解的是，当对LED芯片15喷涂粘性液15A时，固定板142上的多个喷头121将粘性液15A喷涂至对应的LED芯片15上，以使LED芯片15与粘性液15A粘结。
进一步的，本申请实施例通过将喷涂机构12设置在滑动机构14上，还可以通过控制固定板142在滑轨141上的上下移动，进而控制喷头121与LED芯片15之间的距离，从而可以有效控制粘性液15A的喷涂面积。
在本申请实施例中，吸附结构1122设置在转移本体1121朝向载台10的一侧上。在LED芯片15的转移过程中，通过将转移机构11靠近载台10，进而使得吸附结构1122通过表面张力作用吸附LED芯片15上的粘性液15A，以使LED芯片15从载台10上脱离。
在一些实施例中，转移本体1121朝向载台10的一侧设置有放置槽，吸附结构1122设置放置槽内，该设置可以节省转移本体1121上的空间。
进一步的，吸附结构1122的材料的极性与粘性液15A的极性相似。
具体的，吸附结构1122的材料可以为聚氯乙烯或聚四氟乙烯等。该设置通过使用相似极性的吸附结构1122材料和粘性液15A材料，可以进一步提高吸附结构1122的吸附作用，从而进一步提高了LED芯片15的转移效率。
在本申请实施例中，转移本体1121上设置有通气通道11A。通气通道11A的出气口朝向LED芯片15。通气机构13的出气口连通于通气通道11A的进气口。该设置通过利用通气机构13对通气通道11A通入气流，可以实现LED芯片15与转移本体1121之间的有效分离。
需要说明的是，通气机构13可以设置在转移机构11的上方，也可以设置在转移机构11的两侧，还可以设置在LED芯片转移系统100中的其他位置，本申请实施例仅以通气机构13设置在转移机构11的上方为例进行说明，但并不限于此。
进一步的，基板111上设置有多个通气孔111A，通气孔111A一一对应连通于通气通道11A。通气孔111A的进气口连通于通气机构13的出气口。通气孔111A的出气口连通于通气通道11A的进气口。
进一步的，本申请中的通气机构13可以为通气泵或其他通气装置，本申请实施例仅以通气机构13为通气泵为例进行说明，但并不限于此。
具体的，通气泵包括多个通气管13A。通气管13A设置在通气泵朝向基板111的一侧上。通气管13A与通气孔111A连通。通气管13A的出气口连通于通气孔111A的进气口。
需要说明的是，在本申请实施例中，通气机构13的具体尺寸、通气管13A的形状以及尺寸均为示例，但不能理解为对本申请的限制。
上述设置通过在转移本体1121上设置通气通道11A，并在基板111上设置与通气通道11A对应的通气孔111A，通过采用通气机构13对通气孔111A通入气流，使得气体通过通气孔111A流入通气通道11A，进而对转移本体1121上的吸附结构1122产生冲击作用，从而使得粘附在转移本体1121的LED芯片15从吸附结构1122上脱离，以此完成LED芯片15的转移。进一步的，上述设置还可以通过控制通气机构13中的通气流量来控制LED芯片15的脱离速度，进而控制LED芯片15的转移速率。
需要说明的是，本申请中通气通道11A的具体数目和排列方式可以根据LED芯片15的大小进行调整，本实施例不能理解为对本申请的限制。
在本申请实施例中，吸附结构1122包括至少一吸附部112A。吸附部112A设置在转移本体1121朝向载台10的一侧。吸附部112A上设置有多个凹槽16。
上述设置通过在吸附部112A上设置凹槽16，通过凹槽16的表面张力作用吸附LED芯片15上的粘性液15A，进而使得粘性液15A均匀分布于凹槽16内，从而增加了LED芯片15与转移本体1121的有效接触面积，提高了LED芯片15转移的高效性。此外，通过凹槽16的毛细作用可以进一步增加凹槽16对粘性液15A的吸附作用力，从而进一步提高凹槽16与粘性液15A的粘附效果。
可选的，凹槽16的截面形状为半圆弧形、三角形、方形或梯形。在本申请实施例中，凹槽16的截面形状为半圆弧形。
需要说明的是，本申请中通气通道11A的流通截面形状可以为圆形或方形等，本申请实施例仅以通气通道11A的流通截面形状为圆形为例进行说明，但并不限于此。
请一并参阅图1至图4，其中，图3为本申请实施例提供的LED芯片转移系统中转移部件的第一结构示意图，图4为图3中沿PP’线处的剖面结构示意图。
如图3和图4所示，在本申请实施例中，吸附部112A的数量为一个。吸附部112A上设置有至少一通孔11B。通孔11B连通于通气通道11A。
进一步的，通孔11B与通气通道11A同轴设置。通孔11B的孔径大于通气通道11A的孔径。当通气通道11A中的气体流经吸附部112A上的通孔11B时，上述设置可以防止因气体流速过大而对吸附部112A产生较大的冲击力，避免产生部分LED芯片15从转移本体1121上脱离的现象，进而可以提高LED芯片15的转移效率。此外，该设置还可以降低吸附部112A从转移本体1121上的脱离几率，进而提高了转移部件112的使用寿命。
进一步的，请参阅图5和图6，图5为本申请实施例提供的LED芯片转移系统中转移部件的第二结构示意图，图6为图5中沿QQ’线处的剖面结构示意图。
如图5和图6所示，本申请实施例中吸附部112A的数量还可以为多个。具体的，吸附部112A之间间隔设置。吸附部112A与通气通道11A相错设置。
需要说明的是，当吸附结构1122上的吸附部112A为多个时，不同吸附部112A上的凹槽16数量可以相同，也可以不同，本申请对此不作限定。
可选的，本申请中的LED芯片15可以为Mini LED芯片或Micro LED芯片。其中，该Mini LED芯片的尺寸在100～200微米之间，MicroLED芯片的尺寸在100微米以下。Mini LED芯片及MicroLED芯片的尺寸还可以根据实际情况进行选择，本申请对此不作限定。
本申请实施例提供的LED芯片转移系统100通过在转移部件112上设置吸附结构1122，并在LED芯片15上形成粘性液15A，通过吸附结构1122的表面张力作用吸附粘性液15A，以使LED芯片15从载台10上脱离，进而可以实现巨量LED芯片15的高效和精确转移。
请参阅图7，图7为本申请实施例提供的LED芯片的转移方法的流程示意图。
本申请提供一种LED芯片的转移方法，其包括以下步骤：
步骤S201：提供一LED芯片转移系统，所述LED芯片转移系统包括载台、转移机构和喷涂机构，所述转移机构包括基板和多个设置在所述基板上的转移部件，所述转移部件包括转移本体和设置在所述转移本体上的吸附结构；
步骤S202：将多个待转移的LED芯片置于所述载台上；
步骤S203：采用所述喷涂机构在所述LED芯片上喷涂粘性液，以使所述粘性液粘结在所述LED芯片上；
步骤S204：采用所述转移机构的所述吸附结构吸附所述粘性液；
步骤S205：提供一驱动基板；
步骤S206：采用所述转移机构将所述LED芯片转移并固定连接至所述驱动基板上；
步骤S207：采用通气机构对所述转移本体上的通气通道通气，以使所述LED芯片从所述转移本体上脱离。
下面对本申请实施例的LED芯片的转移方法进行详细的阐述。
请一并参阅图8、图9以及图10A至10F，其中，图8为本申请实施例提供的LED芯片的转移方法中所用LED芯片转移系统的结构示意图，图9为图8中转移机构和通气机构的结构示意图，图10A至图10F为本申请实施例提供的LED芯片的转移方法中步骤S201至S207依次得到的结构示意图。
步骤S201：提供一LED芯片转移系统200。
如图8所示，LED芯片转移系统200包括载台20、转移机构21、喷涂机构22、通气机构23和滑动机构24。转移机构21包括基板211和多个设置在基板211上的转移部件212。转移部件212包括转移本体2121和设置在转移本体2121上的吸附结构2122。喷涂机构22设置在滑动机构24上。其中，LED芯片转移系统200的结构与上述实施例中的LED芯片转移系统100的结构相同。随后转入步骤S202。
步骤S202：将多个待转移的LED芯片25置于载台20上。
请参阅图10A。其中，载台20为玻璃基板或其他承载LED芯片25的承载装置。
具体的，采用静电吸附作用将多个待转移的LED芯片25从原始基板上剥离，然后转移至载台20上。随后转入步骤S203。
步骤S203：采用喷涂机构22在LED芯片25上喷涂粘性液25A，以使粘性液25A粘结在LED芯片25上。
请参阅图10B。其中，喷涂机构22包括多个喷头221，喷头221与LED芯片25一一对应设置。
具体的，可以采用喷墨打印技术将喷头中的粘性液25A喷至对应的LED芯片25上，进而使得LED芯片25与粘性液25A粘结。其中，粘性液25A的涂覆面积可以根据LED芯片25的尺寸进行设定，本申请对此不作限定。
进一步的，粘性液25A的材料可以为氟化物类液晶材料，如二氟化物或三氟化物等。随后转入步骤S204。
步骤S204：采用转移机构21的吸附结构2122吸附粘性液25A。
请继续参阅图8和图9。在本申请实施例中，吸附结构2122包括至少一吸附部212A。吸附部212A设置在转移本体2121朝向载台20的一侧，且吸附部212A上设置有多个凹槽26。
具体的，步骤S204包括以下步骤：
步骤S2041：将转移部件212与粘结在LED芯片25上的粘性液25A接触。
步骤S2042：吸附部212A的凹槽26通过表面张力作用吸附粘性液25A，以使LED芯片25固定连接至转移部件212，如图10C所示。
进一步的，凹槽16的截面形状为半圆弧形、三角形、方形或梯形。在本申请实施例中，凹槽16的截面形状为半圆弧形。
在本申请实施例中，采用湿法刻蚀工艺形成凹槽26。首先，在转移本体2121朝向载台20的一侧上形成一层吸附结构2122，然后采用湿法刻蚀工艺对吸附结构2122进行刻蚀，以形成多个吸附部212A。接着，通过对吸附部212A进行刻蚀处理以形成凹槽26。
在一些实施例中，还可以采用干法刻蚀工艺对吸附部212A进行刻蚀处理，以形成凹槽26，在此不再赘述。随后转入步骤S205。
步骤S205：提供一驱动基板27。
请参阅图10D。该驱动基板27为驱动电路板。驱动基板27上设置有多个焊膏27A。焊膏27A与粘附在转移机构21上的LED芯片25对应设置。
具体的，焊膏27A为具有粘结作用的共晶膏。每一LED芯片25对应位置处的焊膏27A数量可以为一个、两个或者多个，本实施例仅以每一LED芯片25对应位置处的焊膏27A数量为两个为例进行说明，但并不限于此。随后转入步骤S206。
步骤S206：采用转移机构21将LED芯片25转移并固定连接至驱动基板27上。
请参阅10E。具体的，首先在超声波作用下对驱动基板27上的焊膏27A进行加热。
接着，当驱动基板27上的焊膏27A融化之后，将转移机构21与驱动基板27上的焊膏27A接触，转移机构21上的LED芯片25与焊膏27A粘结，进而使得LED芯片25固定连接至驱动基板27上。随后转入步骤S207。
步骤S207：采用通气机构23对转移本体2121上的通气通道21A通气，以使LED芯片25从转移本体2121上脱离。
请继续参阅图8和图9。其中，转移本体2121上设置有通气通道21A。通气通道21A的出气口朝向LED芯片25。通气机构23的出气口连通于通气通道21A的进气口。进一步的，基板211上设置有多个通气孔211A，通气孔211A一一对应连通于通气通道21A。通气孔211A的进气口连通于通气机构23的出气口。通气孔211A的出气口连通于通气通道21A的进气口。
在本申请实施例中，通气机构23为通气泵，通气泵通过通气管23A与通气孔211A连通。通气管23A的出气口连通于通气孔211A的进气口。
具体的，在通气泵的作用下向通气通道21A通气，进而使得LED芯片25从转移本体2121上脱离。
进一步的，在本申请实施例中，在LED芯片25从转移本体2121上脱离之后，还包括：采用溶剂将LED芯片25上残留的粘性液25A洗去，具体溶剂的类型可以根据粘性液25A的极性进行选择，在此不再赘述。
这样便完成了本申请实施例的LED芯片的转移方法。
相较于现有技术中的LED芯片转移系统，本申请提供的LED芯片转移系统通过在转移部件上设置吸附结构，并在LED芯片上形成粘性液，通过吸附结构的表面张力作用吸附粘性液，以使LED芯片从载台上脱离，进而实现了LED芯片的高效和精确转移。
以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (8)

1.一种LED芯片转移系统，其特征在于，包括：
载台，所述载台用于放置待转移的LED芯片；
转移机构，所述转移机构设置在所述载台上，所述转移机构包括基板和多个设置在所述基板上的转移部件，所述转移部件用于转移所述LED芯片；以及
喷涂机构，所述喷涂机构用于对所述待转移的LED芯片喷涂粘性液；
其中，所述转移部件包括转移本体和吸附结构，所述转移本体设置在所述基板上，所述吸附结构包括至少一吸附部，所述吸附部设置在所述转移本体朝向所述载台的一侧，所述吸附部上设置有多个凹槽，且所述多个凹槽用于吸附所述粘性液。
2.根据权利要求1所述的LED芯片转移系统，其特征在于，所述转移本体上设置有通气通道，所述通气通道的出气口朝向所述LED芯片；
所述LED芯片转移系统还包括通气机构，所述通气机构的出气口连通于所述通气通道的进气口。
3.根据权利要求2所述的LED芯片转移系统，其特征在于，所述吸附部的数量为一个，所述吸附部上设置有至少一通孔，所述通孔连通于所述通气通道。
4.根据权利要求2所述的LED芯片转移系统，其特征在于，所述吸附部的数量为多个，且所述吸附部与所述通气通道相错设置。
5.根据权利要求2所述的LED芯片转移系统，其特征在于，所述凹槽的截面形状为半圆弧形、三角形、方形或梯形。
6.根据权利要求1所述的LED芯片转移系统，其特征在于，所述吸附结构的材料的极性与所述粘性液的极性相似。
7.根据权利要求1所述的LED芯片转移系统，其特征在于，所述LED芯片为Mini LED芯片或Micro LED芯片。
8.一种LED芯片的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一LED芯片转移系统，所述LED芯片转移系统包括载台、转移机构和喷涂机构，所述转移机构包括基板和多个设置在所述基板上的转移部件，所述转移部件包括转移本体和设置在所述转移本体上的吸附结构；
将多个待转移的LED芯片置于所述载台上；
采用所述喷涂机构在所述待转移的LED芯片上喷涂粘性液，以使所述粘性液粘结在所述LED芯片上；
采用所述转移机构的所述吸附结构吸附所述粘性液；
提供一驱动基板；
采用所述转移机构将所述LED芯片转移并固定连接至所述驱动基板上；
其中，所述吸附结构包括至少一吸附部，所述吸附部设置在所述转移本体朝向所述载台的一侧，且所述吸附部上设置有多个凹槽；其中，所述采用所述转移机构的所述吸附结构吸附所述粘性液的步骤，包括：
将所述转移部件与粘结在所述LED芯片上的所述粘性液接触；
所述吸附部上的凹槽通过表面张力作用吸附所述粘性液，以使所述LED芯片固定连接至所述转移部件。
CN202010170922.2A 2020-03-12 2020-03-12 Led芯片转移系统及led芯片的转移方法 Active CN111341710B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010170922.2A CN111341710B (zh) 2020-03-12 2020-03-12 Led芯片转移系统及led芯片的转移方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010170922.2A CN111341710B (zh) 2020-03-12 2020-03-12 Led芯片转移系统及led芯片的转移方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111341710A CN111341710A (zh) 2020-06-26
CN111341710B true CN111341710B (zh) 2022-12-06

Family

ID=71186050

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010170922.2A Active CN111341710B (zh) 2020-03-12 2020-03-12 Led芯片转移系统及led芯片的转移方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111341710B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116612699B (zh) * 2023-07-17 2023-11-21 惠科股份有限公司 灯板、显示装置和灯板的组装方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8573469B2 (en) * 2011-11-18 2013-11-05 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer
JP2013187529A (ja) * 2012-03-12 2013-09-19 National Institute Of Advanced Industrial & Technology チップ部品の組立方法
US10446728B2 (en) * 2014-10-31 2019-10-15 eLux, Inc. Pick-and remove system and method for emissive display repair
CN107833526B (zh) * 2016-09-15 2021-05-28 伊乐视有限公司 拾取-移除系统以及发光显示器的修复方法
CN108767092A (zh) * 2018-07-17 2018-11-06 佛山市国星半导体技术有限公司 一种批量转移MicroLED芯片的方法和装置
WO2020154884A1 (zh) * 2019-01-29 2020-08-06 京东方科技集团股份有限公司 元件拾取装置及其制备方法、使用方法
CN110098289A (zh) * 2019-05-07 2019-08-06 京东方科技集团股份有限公司 一种转移装置及显示基板的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111341710A (zh) 2020-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI437669B (zh) 電子封裝裝置及電子封裝方法
WO2012165313A1 (ja) 実装方法および実装装置
CN111341710B (zh) Led芯片转移系统及led芯片的转移方法
JP2015213131A (ja) 積層体の基板剥離装置
KR20210092225A (ko) 마이크로 소자 이송 장치 및 이의 제조 방법
WO2019033491A1 (zh) 玻璃基板分离方法及玻璃基板分离装置
CN112017988B (zh) 转移设备
JP2015060924A (ja) フリップチップボンダ及びボンディング方法
JP2004022995A (ja) 半導体チップのボンディング方法および装置
CN115702479A (zh) 基片液处理装置和基片液处理方法
CN111244011B (zh) 微元件的转移装置以及转移方法
CN112025020B (zh) 一种激光锡球焊接装置
US10059106B2 (en) Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus
TW201001566A (en) Jig and method for picking up a die
CN212907784U (zh) 一种显示背板、显示模块、以及巨量转移装置
KR20080033092A (ko) 전자부품의 실장방법 및 장치
JPH08115916A (ja) はんだバンプの形成方法
JP3366155B2 (ja) バンプ形成方法及びバンプ形成装置
CN111987193B (zh) 微发光二极管转移装置及其制作方法
TWI640371B (zh) 接合裝置及接合方法
CN113814597A (zh) 电子器件的焊接方法
CN2916690Y (zh) 基板贴合装置
TWI811027B (zh) 基板的電子元件安裝方法、元件排列裝置及自動化電子元件安裝設備
CN112701195B (zh) 微元件的转移装置以及转移方法
CN220189689U (zh) Led基板结构和真空转移平台

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant