CN111303789A - 一种可防静电的晶圆切割保护膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明第一方面提供一种可防静电的晶圆切割保护膜，依次包括第一防静电层、基材层、第二防静电层、减粘层以及离型膜层。本发明采用双面抗静电层与含有抗静电性能填料的减粘膜材料相结合制备得到晶圆切割保护膜避免了在长时间储存或高温条件下容易出现残胶的现象，同时也可以提高晶圆切割保护膜在减粘前的剥离强度以及降低保护膜在减粘后的剥离强度，从而提高准确度的固定以及捡取效率。

Description

一种可防静电的晶圆切割保护膜及其制备方法
技术领域
本发明属于半导体相关的技术领域，更具体地，本发明提供一种可防静电的晶圆切割保护膜及其制备方法。
背景技术
在半导体晶圆加工过程中，特别是后期晶圆封装测试的晶圆切割后捡取晶粒的过程中，往往因为切割后的小晶粒在与切割膜剥离的过程中很容易产生静电，对晶粒的功能性造成损伤，从而导致后续测试中良率的降低。
目前市场已有部分含有防静电涂层的保护膜以起到稳固保护的作用，但这种目前保护膜只是简单在材料表面做了防静电处理，在使用过程中仍然会有静电压偏大的现象，在一些对静电要求很高的电子零件切割的领域使用受到限制。
目前晶圆切割保护膜一般包括热减粘保护膜与UV减粘保护膜，这些保护膜一般会在储存时间较长或高温情况下虽然后期剥离时经过减粘后粘合力变小，但胶粘层的小分子会残留在被贴合物体表面，给被贴合物体造成污染；此外，目前国内制备的保护膜在减粘前的剥离强度较低而在减粘后剥离强度较高，不能实现高准确度的固定以及高效的捡取。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明第一方面提供一种可防静电的晶圆切割保护膜，依次包括第一防静电层、基材层、第二防静电层、减粘层以及离型膜层。
作为本发明的一种优选技术方案，减粘层包括以下重量份的原料：20～40份丙烯酸酯单体、10～20份含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物、0.8～4.2份光引发剂、5～15份填料以及25～55份溶剂。
作为本发明的一种优选技术方案，丙烯酸酯单体选自1,6-己二醇双丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、二缩丙二醇双丙烯酸酯、三缩丙二醇双丙烯酸酯、1,9-壬二醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸、月桂酸丙烯酸酯、硬酯酸丙烯酸酯、异冰片基丙烯酸酯、醋酸乙烯酯、甲基丙烯酸甲酯、月桂酸甲基丙烯酸酯、异冰片基甲基丙烯酸酯中的任一种或多种的组合。
作为本发明的一种优选技术方案，所述含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物的制备原料包括含羟基的丙烯酸酯单体与多异氰酸酯。
作为本发明的一种优选技术方案，含羟基丙烯酸酯单体选自烯酸羟乙酯、丙烯酸羟丙酯、丙烯酸羟丁酯、季戊四醇三丙烯酸酯、6-羟基己基丙烯酸酯、2,3-二羟基丙基丙烯酸酯、2,4-二羟基丙基甲基丙烯酸酯中的任一种或多种的组合；优选为6-羟基己基丙烯酸酯与2,3-二羟基丙基丙烯酸酯。
作为本发明的一种优选技术方案，多异氰酸酯选自三亚甲基二异氰酸脂、四亚甲基二异氰酸脂、1,2－亚丙基二异氰酸脂、2,3－亚丁基二异氰酸脂、1,3－亚丁基二异氰酸脂、十二亚甲基二异氰酸脂中的任一种或多种的组合。
作为本发明的一种优选技术方案，填料选自季铵盐、铵盐、季铵内盐、烷基咪唑类、烷基氨基酸、多元醇、多元醇酯、脂肪酸醇、纳米石墨烯中的任一种或多种的组合。
作为本发明的一种优选技术方案，第一防静电层的厚度为5～10μm，第二防静电层的厚度为15～20μm。
作为本发明的一种优选技术方案，基材层的厚度为70-200μm，减粘层的厚度为15-35μm，离型膜层的厚度为20-60μm。
本发明的第二方面提供一种根所述可防静电的晶圆切割保护膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)将第一防静电层与基材膜的一侧贴合，第二防静电层与基材膜的另一侧贴合；
(2)再将减粘层的原料涂布于第二防静电层表面，预烘后再与离型膜层贴合，熟化，得到所述晶圆切割保护膜。
有益效果：本发明采用双面抗静电层与含有抗静电性能填料的减粘膜材料相结合制备得到晶圆切割保护膜避免了在长时间储存或高温条件下容易出现残胶的现象，同时也可以提高晶圆切割保护膜在减粘前的剥离强度以及降低保护膜在减粘后的剥离强度，从而提高准确度的固定以及捡取效率。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明提供技术方案中的技术特征作进一步清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个组分或者操作与另一个组分或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些组分或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法或者成分那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法或者成分所固有的要素。
本发明中的词语“优选的”、“优选地”、“更优选的”等是指，在某些情况下可提供某些有益效果的本发明实施方案。然而，在相同的情况下或其他情况下，其他实施方案也可能是优选的。此外，对一个或多个优选实施方案的表述并不暗示其他实施方案不可用，也并非旨在将其他实施方案排除在本发明的范围之外。
应当理解，除了在任何操作实例中，或者以其他方式指出的情况下，表示例如说明书和权利要求中使用的成分的量的所有数字应被理解为在所有情况下被术语“约”修饰。
本发明主要为解决晶圆切割保护膜在长时间储存或高温条件下容易出现残胶的问题，同时也可以提高晶圆切割保护膜在减粘前的剥离强度以及降低保护膜在减粘后的剥离强度，从而提高准确度的固定以及捡取效率。
为解决上述技术问题，本发明第一方面提供一种可防静电的晶圆切割保护膜，依次包括第一防静电层、基材层、第二防静电层、减粘层以及离型膜层。
本发明所述的减粘层包括以下重量份的原料：20～40份丙烯酸酯单体、10～20份含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物、0.8～4.2份光引发剂、5～15份填料以及25～55份溶剂；优选地，减粘层包括25～35份丙烯酸酯单体、12～18份含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物、2.3～3.5份光引发剂、7～12份填料以及30～45份溶剂；更优选地，30份丙烯酸酯单体、15份含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物、2.8份光引发剂、9份填料以及38份溶剂。
本发明所述丙烯酸酯单体可以为本领域技术人员熟知的用于半导体UV减粘保护膜的原材料；优选为1,6-己二醇双丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、二缩丙二醇双丙烯酸酯、三缩丙二醇双丙烯酸酯、1,9-壬二醇二丙烯酸酯(107481-28-7)、1,4-丁二醇二丙烯酸酯(1070-70-8)、丙烯酸异辛酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸、月桂酸丙烯酸酯、硬酯酸丙烯酸酯、异冰片基丙烯酸酯、醋酸乙烯酯、甲基丙烯酸甲酯、月桂酸甲基丙烯酸酯、异冰片基甲基丙烯酸酯中的任一种或多种的组合；进一步优选为丙烯酸丁酯、月桂酸丙烯酸酯以及1,4-丁二醇二丙烯酸酯(1070-70-8)；进一步优选地，丙烯酸丁酯、月桂酸丙烯酸酯以及1,4-丁二醇二丙烯酸酯的摩尔比为1：(0.2～0.35)：(0.3～0.5)；更优选地，丙烯酸丁酯、月桂酸丙烯酸酯以及1,4-丁二醇二丙烯酸酯的摩尔比为1：0.25：0.45。
本发明中所述含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物中的活性基团包括异氰酸酯与羟基；优选地，所述含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物的制备原料包括含羟基的丙烯酸酯单体与多异氰酸酯；进一步优选地，含羟基的丙烯酸酯单体中的羟基与多异氰酸酯中的异氰酸酯基的摩尔比为1：(0.6～0.75)。
上述含羟基丙烯酸酯单体选自烯酸羟乙酯、丙烯酸羟丙酯、丙烯酸羟丁酯、季戊四醇三丙烯酸酯、6-羟基己基丙烯酸酯、2,3-二羟基丙基丙烯酸酯、2,4-二羟基丙基甲基丙烯酸酯中的任一种或多种的组合；优选为6-羟基己基丙烯酸酯与2,3-二羟基丙基丙烯酸酯；进一步优选地，6-羟基己基丙烯酸酯与2,3-二羟基丙基丙烯酸酯的摩尔比为1：(2～3)；更优选地，6-羟基己基丙烯酸酯与2,3-二羟基丙基丙烯酸酯的摩尔比为1：2.5。
上述多异氰酸酯选自三亚甲基二异氰酸脂、四亚甲基二异氰酸脂、1,2－亚丙基二异氰酸脂、2,3－亚丁基二异氰酸脂、1,3－亚丁基二异氰酸脂、十二亚甲基二异氰酸脂中的任一种或多种的组合。
本发明采用含羟基的丙烯酸酯单体与多异氰酸酯反应形成的低聚物以及特定的丙烯酸酯单体作为减粘层的主要的成分，而不是利用传统方法中将丙烯酸酯树脂以及多官能度的材料共混时，尤其体系中选用的含羟基丙烯酸酯单体为6-羟基己基丙烯酸酯与2,3-二羟基丙基丙烯酸酯，且6-羟基己基丙烯酸酯与2,3-二羟基丙基丙烯酸酯的摩尔比为1：(2～3)，丙烯酸酯单体为丙烯酸丁酯、月桂酸丙烯酸酯以及1,4-丁二醇二丙烯酸酯，可以解决保护膜在长时间储存或高温条件下容易出现残胶的问题，同时也可以提高减粘保护膜在照射前的剥离强度以及降低减粘保护膜在UV照射后的剥离强度，从而提高准确度的固定以及捡取效率，这可能由于含羟基的丙烯酸酯单体与多异氰酸酯反应形成的低聚物呈三维网络，其与丙烯酸酯单体共同作用，减少小分子在储存过程或高温过程中的迁移，避免与被粘结物表面作用，出现残胶问题，同时也加大了照射后的剥离强度，也避免因体系粘度较大而导致在被粘结物表面的铺展，降低照射前的剥离强度。
上述溶剂可以为本领域技术人员熟知的溶剂，例如但不局限于：丙酮、环己酮、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丁酮、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、异丁醇、正丁醇、甲基异丁酮、异佛尔酮、甲苯、二甲苯、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚中的任一种或多种的组合；优选为乙酸乙酯。
上述光引发剂可以为本领域技术人员熟知的光引发剂，例如但不局限于：二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、3，3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、1-羟基环己基苯基甲酮(184)、2-羟基-甲基苯基丙、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉基-1-丙酮(907)、2,4,6-(三甲基苯甲酰基)-二苯基氧化磷(TPO)、烷-1-酮(1173)、DR-575中的一种或多种，优选为2,4,6-(三甲基苯甲酰基)-二苯基氧化磷(TPO)。
填料选自季铵盐、铵盐、季铵内盐、烷基咪唑类、烷基氨基酸、多元醇、多元醇酯、脂肪酸醇、纳米石墨烯中的任一种或多种的组合；优选为纳米石墨烯；购自南京先丰纳米材料科技有限公司，XFQ024；本发明对纳米石墨烯的购买厂家不做特别限定。
所述减粘层原料经过如下处理：
(1)先将含羟基的丙烯酸酯单体、多异氰酸酯、填料以及二分之一重量的溶剂搅拌混合，再加入丙烯酸酯单体搅拌混合，于60～75℃搅拌反应5～8h；
(2)将步骤(1)所得物质、剩余二分之一重量的溶剂、光引发剂混合搅拌。
申请人在实验过程中发现减粘层原料的过程对于所得保护膜的性能也是至关重要的，申请人意外发现将丙烯酸酯单体、填料与含羟基的丙烯酸酯单体、多异氰酸酯一起共混、搅拌加热时可以解决减粘保护膜在高温条件下容易出现残胶的问题，同时也可以提高减粘保护膜在照射前的剥离强度以及降低减粘保护膜在UV照射后的剥离强度，这可能由于当丙烯酸酯单体与含羟基的丙烯酸酯单体、多异氰酸酯一起共混、搅拌加热时有利于组合体系的均一，避免小分子的迁移，从而提高其在照射前在被粘结物表面的剥离强度，同时避免残胶的问题。
上述第一防静电层的厚度为5～10μm，第二防静电层的厚度为15～20μm。
上述基材层的厚度为70-200μm，减粘层的厚度为15-35μm，离型膜层的厚度为20-60μm。
本发明所述基材层可以选自本领域技术人员树脂的材料，例如但不局限于：低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯中的一种或多种。
本发明所述离型膜层可以选择本领域技术人员熟知的材料，例如但不局限于由下列材料制成的薄膜：聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、单硅类物质、聚对苯二甲酸丁二酸酯、乙烯/(甲烯)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、醋酸纤维素、三醋酸纤维素、聚酰亚胺、聚四氟乙烯。
本发明所述第一防静电层与第二防静电层可以选择本领域技术人员熟知的材料，对其购买厂家不做特别限定。
本发明的第二方面提供一种所述可防静电的晶圆切割保护膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)将第一防静电层与基材膜的一侧贴合，第二防静电层与基材膜的另一侧贴合；
(2)再将减粘层的原料涂布于第二防静电层表面，预烘后再与离型膜层贴合，熟化，得到所述晶圆切割保护膜。
优选地，所述可防静电的晶圆切割保护膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)将第一防静电层与基材膜贴合，再与第二防静电层；
(2)再将减粘层经过处理的原料涂布于第二防静电层表面，预烘后再与离型膜层贴合，熟化，得到所述晶圆切割保护膜。
所述预烘包括在90±10℃条件下烘1-6min，优选为在90℃条件下烘2min。
所述熟化条件为在60±10℃条件下熟化24-48h，优选为在60℃熟化48h。
以下实施例中应用到的基材为聚烯烃，购自日本三菱；离型膜层为聚对苯二甲酸乙二醇酯，购自江苏仪化东丽；第一防静电层与第二防静电层购自禾欣。
实施例1
本发明的实施例1提供一种可防静电的晶圆切割保护膜，依次包括第一防静电层、基材层、第二防静电层、减粘层以及离型膜层；
所述的减粘层包括以下重量份的原料：22份丙烯酸酯单体、11份含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物、1.0份光引发剂5份填料以及26份溶剂；
丙烯酸酯单体为丙烯酸丁酯、月桂酸丙烯酸酯以及1,4-丁二醇二丙烯酸酯，丙烯酸丁酯、月桂酸丙烯酸酯以及1,4-丁二醇二丙烯酸酯的摩尔比为1：0.21：0.32；
所述含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物的制备原料包括含羟基的丙烯酸酯单体与多异氰酸酯，含羟基的丙烯酸酯单体中的羟基与多异氰酸酯中的异氰酸酯基的摩尔比为1：0.62；
含羟基丙烯酸酯单体6-羟基己基丙烯酸酯与2,3-二羟基丙基丙烯酸酯，6-羟基己基丙烯酸酯与2,3-二羟基丙基丙烯酸酯的摩尔比为1：2.1；
多异氰酸酯为1,3－亚丁基二异氰酸脂，溶剂为乙酸乙酯；光引发剂为2,4,6-(三甲基苯甲酰基)-二苯基氧化磷；
填料为纳米石墨烯，购自南京先丰纳米材料科技有限公司，XFQ024；
第一防静电层的厚度为7.5μm，第二防静电层的厚度为17μm，基材层的厚度为90μm，减粘层的厚度为32μm，离型膜层的厚度为50μm；
所述减粘层原料经过如下处理：
(1)先将含羟基的丙烯酸酯单体、多异氰酸酯、填料以及二分之一重量的溶剂搅拌混合，再加入丙烯酸酯单体搅拌混合，于65℃搅拌反应7h；
(2)将步骤(1)所得物质、剩余二分之一重量的溶剂、光引发剂混合搅拌；
所述可防静电的晶圆切割保护膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)将第一防静电层与基材膜的一侧贴合，第二防静电层与基材膜的另一侧贴合；
(2)再将减粘层经过处理的原料涂布于第二防静电层表面，预烘后再与离型膜层贴合，熟化，得到所述晶圆切割保护膜；
所述预烘为在90℃条件下烘2min；
所述熟化条件为在60℃熟化48h。
实施例2
本发明的实施例2提供一种可防静电的晶圆切割保护膜，依次包括第一防静电层、基材层、第二防静电层、减粘层以及离型膜层；
所述的减粘层包括以下重量份的原料：38份丙烯酸酯单体、19份含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物、4.0份光引发剂、15份填料以及53份溶剂；
丙烯酸酯单体为丙烯酸丁酯、月桂酸丙烯酸酯以及1,4-丁二醇二丙烯酸酯，丙烯酸丁酯、月桂酸丙烯酸酯以及1,4-丁二醇二丙烯酸酯的摩尔比为1：0.35：0.49；
所述含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物的制备原料包括含羟基的丙烯酸酯单体与多异氰酸酯，含羟基的丙烯酸酯单体中的羟基与多异氰酸酯中的异氰酸酯基的摩尔比为1：0.75；
含羟基丙烯酸酯单体6-羟基己基丙烯酸酯与2,3-二羟基丙基丙烯酸酯，6-羟基己基丙烯酸酯与2,3-二羟基丙基丙烯酸酯的摩尔比为1：2.9；
多异氰酸酯为1,3－亚丁基二异氰酸脂，溶剂为乙酸乙酯；光引发剂为2,4,6-(三甲基苯甲酰基)-二苯基氧化磷；
填料为纳米石墨烯，购自南京先丰纳米材料科技有限公司，XFQ024；
第一防静电层的厚度为7.5μm，第二防静电层的厚度为17μm，基材层的厚度为90μm，减粘层的厚度为32μm，离型膜层的厚度为50μm；
所述减粘层原料经过如下处理：
(1)先将含羟基的丙烯酸酯单体、多异氰酸酯、填料以及二分之一重量的溶剂搅拌混合，再加入丙烯酸酯单体搅拌混合，于65℃搅拌反应7h；
(2)将步骤(1)所得物质、剩余二分之一重量的溶剂、光引发剂混合搅拌；
所述可防静电的晶圆切割保护膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)将第一防静电层与基材膜的一侧贴合，第二防静电层与基材膜的另一侧贴合；
(2)再将减粘层经过处理的原料涂布于第二防静电层表面，预烘后再与离型膜层贴合，熟化，得到所述晶圆切割保护膜；
所述预烘为在90℃条件下烘2min；
所述熟化条件为在60℃熟化48h。
实施例3
本发明的实施例3提供一种可防静电的晶圆切割保护膜，依次包括第一防静电层、基材层、第二防静电层、减粘层以及离型膜层；
所述的减粘层包括以下重量份的原料：30份丙烯酸酯单体、15份含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物、2.8份光引发剂、9份填料以及38份溶剂；
丙烯酸酯单体为丙烯酸丁酯、月桂酸丙烯酸酯以及1,4-丁二醇二丙烯酸酯，丙烯酸丁酯、月桂酸丙烯酸酯以及1,4-丁二醇二丙烯酸酯的摩尔比为1：0.25：0.45；
所述含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物的制备原料包括含羟基的丙烯酸酯单体与多异氰酸酯，含羟基的丙烯酸酯单体中的羟基与多异氰酸酯中的异氰酸酯基的摩尔比为1：0.72；
含羟基丙烯酸酯单体6-羟基己基丙烯酸酯与2,3-二羟基丙基丙烯酸酯，6-羟基己基丙烯酸酯与2,3-二羟基丙基丙烯酸酯的摩尔比为1：2.5；
多异氰酸酯为1,3－亚丁基二异氰酸脂，溶剂为乙酸乙酯；光引发剂为2,4,6-(三甲基苯甲酰基)-二苯基氧化磷；
填料为纳米石墨烯，购自南京先丰纳米材料科技有限公司，XFQ024；
第一防静电层的厚度为7.5μm，第二防静电层的厚度为17μm，基材层的厚度为90μm，减粘层的厚度为32μm，离型膜层的厚度为50μm；
所述减粘层原料经过如下处理：
(1)先将含羟基的丙烯酸酯单体、多异氰酸酯、填料以及二分之一重量的溶剂搅拌混合，再加入丙烯酸酯单体搅拌混合，于65℃搅拌反应7h；
(2)将步骤(1)所得物质、剩余二分之一重量的溶剂、光引发剂混合搅拌；
所述可防静电的晶圆切割保护膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)将第一防静电层与基材膜的一侧贴合，第二防静电层与基材膜的另一侧贴合；
(2)再将减粘层经过处理的原料涂布于第二防静电层表面，预烘后再与离型膜层贴合，熟化，得到所述晶圆切割保护膜；
所述预烘为在90℃条件下烘2min；
所述熟化条件为在60℃熟化48h。
实施例4
本发明的实施例4提供一种可防静电的晶圆切割保护膜，其具体实施方式同实施例3，不同之处在于，所述的减粘层包括以下重量份的原料：30份丙烯酸酯单体、2.8份光引发剂、9份填料以及38份溶剂；
所述的减粘层还包括含羟基的丙烯酸酯单体与多异氰酸酯，含羟基的丙烯酸酯单体中的羟基与多异氰酸酯中的异氰酸酯基的摩尔比为1：0.72；含羟基的丙烯酸酯单体与多异氰酸酯总的重量份是15份；
丙烯酸酯单体为丙烯酸丁酯、月桂酸丙烯酸酯以及1,4-丁二醇二丙烯酸酯，丙烯酸丁酯、月桂酸丙烯酸酯以及1,4-丁二醇二丙烯酸酯的摩尔比为1：0.25：0.45；
含羟基丙烯酸酯单体6-羟基己基丙烯酸酯与2,3-二羟基丙基丙烯酸酯，6-羟基己基丙烯酸酯与2,3-二羟基丙基丙烯酸酯的摩尔比为1：2.5；
多异氰酸酯为1,3－亚丁基二异氰酸脂，溶剂为乙酸乙酯；光引发剂为2,4,6-(三甲基苯甲酰基)-二苯基氧化磷；
填料为纳米石墨烯，购自南京先丰纳米材料科技有限公司，XFQ024；
所述减粘层原料经过如下处理：
将丙烯酸酯单体、含羟基的丙烯酸酯单体、多异氰酸酯、溶剂、光引发剂、填料混合搅拌，即得。
实施例5
本发明的实施例5提供一种可防静电的晶圆切割保护膜，其具体实施方式同实施例3，不同之处在于，所述减粘层原料经过如下处理：
(1)先将含羟基的丙烯酸酯单体、多异氰酸酯与二分之一重量的溶剂搅拌混合，于60～80℃搅拌反应5～8h；
(2)将步骤(1)所得物质、剩余二分之一重量的溶剂、丙烯酸酯单体、填料以及光引发剂混合搅拌，即得。
实施例6
本发明的实施例6提供一种可防静电的晶圆切割保护膜，其具体实施方式同实施例3，不同之处在于，3-二羟基丙基丙烯酸酯的含量为0。
实施例7
本发明的实施例7提供一种可防静电的晶圆切割保护膜，其具体实施方式同实施例3，不同之处在于，6-羟基己基丙烯酸酯与2,3-二羟基丙基丙烯酸酯的摩尔比为1：5。
实施例8
本发明的实施例8提供一种可防静电的晶圆切割保护膜，其具体实施方式同实施例3，不同之处在于，月桂酸丙烯酸酯含量为0。
实施例9
本发明的实施例9提供一种可防静电的晶圆切割保护膜，其具体实施方式同实施例3，不同之处在于，1,4-丁二醇二丙烯酸酯含量为0。
性能评估
1.将实施例1～9所得保护膜并储存3个月后，贴附于玻璃板表面，按照GB-2792-81测试180°UV照射前剥离力；UV照射后的剥离力以及UV照射后是否有残胶，测试结果见表1；
2.将实施例1～9所得保护膜贴附于玻璃板表面，100℃处理1h，观察UV照射后是否有残胶，测试结果见表2，其中测试1与测试2中UV灯为450mJA/cm2。
表1
Figure BDA0002423314030000111
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种可防静电的晶圆切割保护膜，其特征在于，依次包括第一防静电层、基材层、第二防静电层、减粘层以及离型膜层。
2.根据权利要求1所述可防静电的晶圆切割保护膜，其特征在于，减粘层包括以下重量份的原料：20～40份丙烯酸酯单体、10～20份含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物、0.8～4.2份光引发剂、5～15份填料以及25～55份溶剂。
3.根据权利要求2所述可防静电的晶圆切割保护膜，其特征在于，丙烯酸酯单体选自1,6-己二醇双丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、二缩丙二醇双丙烯酸酯、三缩丙二醇双丙烯酸酯、1,9-壬二醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸、月桂酸丙烯酸酯、硬酯酸丙烯酸酯、异冰片基丙烯酸酯、醋酸乙烯酯、甲基丙烯酸甲酯、月桂酸甲基丙烯酸酯、异冰片基甲基丙烯酸酯中的任一种或多种的组合。
4.根据权利要求2所述可防静电的晶圆切割保护膜，其特征在于，所述含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物的制备原料包括含羟基的丙烯酸酯单体与多异氰酸酯。
5.根据权利要求4所述可防静电的晶圆切割保护膜，其特征在于，含羟基丙烯酸酯单体选自烯酸羟乙酯、丙烯酸羟丙酯、丙烯酸羟丁酯、季戊四醇三丙烯酸酯、6-羟基己基丙烯酸酯、2,3-二羟基丙基丙烯酸酯、2,4-二羟基丙基甲基丙烯酸酯中的任一种或多种的组合；优选为6-羟基己基丙烯酸酯与2,3-二羟基丙基丙烯酸酯。
6.根据权利要求4所述可防静电的晶圆切割保护膜，其特征在于，多异氰酸酯选自三亚甲基二异氰酸脂、四亚甲基二异氰酸脂、1,2－亚丙基二异氰酸脂、2,3－亚丁基二异氰酸脂、1,3－亚丁基二异氰酸脂、十二亚甲基二异氰酸脂中的任一种或多种的组合。
7.根据权利要求2所述可防静电的晶圆切割保护膜，其特征在于，填料选自季铵盐、铵盐、季铵内盐、烷基咪唑类、烷基氨基酸、多元醇、多元醇酯、脂肪酸醇、纳米石墨烯中的任一种或多种的组合。
8.根据权利要求1所述可防静电的晶圆切割保护膜，其特征在于，第一防静电层的厚度为5～10μm，第二防静电层的厚度为15～20μm。
9.根据权利要求1所述可防静电的晶圆切割保护膜，其特征在于，基材层的厚度为70-200μm，减粘层的厚度为15-35μm，离型膜层的厚度为20-60μm。
10.一种根据权利要求1～9任一项所述可防静电的晶圆切割保护膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将第一防静电层与基材膜的一侧贴合，第二防静电层与基材膜的另一侧贴合；
(2)再将减粘层的原料涂布于第二防静电层表面，预烘后再与离型膜层贴合，熟化，得到所述晶圆切割保护膜。
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