CN111279301A - 静电电容式传感器 - Google Patents

Abstract

静电电容式传感器，具有：第一连结部，其将相邻的两个第一透明电极相互电连接，并包含非晶态氧化物系材料；以及第二连结部，其将相邻的两个第二透明电极相互电连接，并包含非晶态氧化物系材料，第一连结部和第二连结部配置成，在从与主面正交的方向看的俯视观察下不相互交叉，在第一连结部具有分别被配设于相邻的两个第一透明电极上的第一连接面，第一连接面与各个第一透明电极电连接，在第二连结部具有分别被配设于相邻的两个第二透明电极上的第二连接面，第二连接面与各个第二透明电极电连接，该静电电容式传感器能够抑制导通稳定性以及ESD耐性低下。

Description

静电电容式传感器

技术领域

本发明涉及一种静电电容式传感器，特别地，涉及一种设置了包含导电性纳米线的透明电极的静电电容式传感器。

背景技术

专利文献1中公开了一种在透明玻璃基板上形成了氧化铟锡(ITO)层的X电极以及Y电极的手指接触式检测面板。在专利文献1中记载的手指接触式检测面板，设置有X电极以及Y电极相互相交的部分。Y电极经由开孔部通过导电体膜而电连接。这样，在基板上使X电极以及Y电极相互相交，并设置将Y电极电连接的桥接布线部，由此，能够使检测面板薄型化。

这里，作为市场的动向，期望使静电电容式传感器的形状为曲面、或者能够使静电电容式传感器折弯。为此，作为静电电容式传感器的透明电极的材料，有时使用例如包含金纳米线、银纳米线以及铜纳米线等金属纳米线(导电性纳米线)的材料。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭58-166437号公报

发明内容

发明要解决的课题

若将包含导电性纳米线的材料用于透明电极的材料，则存在如下问题：各个独立的透明电极和在接通这些透明电极的交叉部分设置的桥接布线部的接触面积变得比较狭小。换言之，包含导电性纳米线的材料的透明电极通过在透明电极的表面露出的导电性纳米线确保了与桥接布线材料的导电性，并且通过导电性纳米线之间的间隙确保了透明性。因此，在桥接布线部的材料是包含导电性纳米线的材料的情况下，透明电极与桥接布线部的接触成为导线与导线的点接触。或者，在桥接布线部的材料是例如ITO等氧化物系材料的情况下，透明电极与桥接布线部的接触成为导电性纳米线的线或点与面的接触。由此，若将包含导电性纳米线的材料用于透明电极的材料，则透明电极与桥接布线部的接触面积变得比较狭小。因此，导通稳定性可能会低下。

此外，若发生静电放电(ESD：Electro Static Discharge)且大电流在透明电极与桥接布线部的接触部分流过，则该接触部分可能会局部发热而熔断。也就是说，若将包含导电性纳米线的材料用于透明电极的材料，则静电电容式传感器的变形性能提高，另一方面，导通稳定性以及ESD耐性可能会下降。

本发明是为了解决上述以往的课题而做出的，其目的在于，提供一种能够抑制导通稳定性以及ESD耐性低下的静电电容式传感器。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题，本发明的静电电容式传感器的特征在于，具有：基材，其具有透光性；多个第一透明电极，其在基材的一个主面的检测区域沿着第一方向并排地配置，具有透光性，并包含导电性纳米线；多个第二透明电极，其在检测区域沿着与第一方向交叉的第二方向并排地配置，具有透光性，并包含导电性纳米线；第一连结部，其将相邻的两个第一透明电极相互电连接，并包含非晶态氧化物系材料；以及第二连结部，其将相邻的两个第二透明电极相互电连接，并包含非晶态氧化物系材料，第一连结部和第二连结部配置成，在从与述主面正交的方向看的俯视观察下不相互交叉，在第一连结部具有分别被配设于相邻的两个第一透明电极上的第一连接面，第一连接面与各个第一透明电极电连接，在第二连结部具有分别被配设于相邻的两个第二透明电极上的第二连接面，第二连接面与各个第二透明电极电连接。

在第一连结部设置第一连接面，在第二连结部设置第二连接面，并将各个连接面(第一连接面或第二连接面)配设在成为电连接的对象的透明电极(第一透明电极、第二透明电极)上，由此，能够分别使第一透明电极和第一连结部的接触面积、以及第二透明电极和第二连结部的接触面积扩大。由此，能够抑制导通稳定性以及ESD耐性的低下。

此外，由于配置成在俯视观察下第一连结部与第二连结部并不相互交叉，因此，相比于使其交叉的结构，能够使制造工序简略化。

优选地，在本发明的静电电容式传感器中，在形成第一连结部的区域，形成了在俯视观察下覆盖第二透明电极的一部分的绝缘层，将两个第一透明电极电连接的第一连结部被配置于与两个第一透明电极相邻的第二透明电极上的绝缘层上。

由此，由于第一连结部隔着绝缘层而被敷设于第二透明电极上，因此，容易使俯视观察下的第一连结部的面积扩大。因此，能够较大地确保与第一透明电极的接触面积，并且能够降低第一连结部的电阻值。由此，能够抑制导通稳定性以及ESD耐性的低下。

优选地，在本发明的静电电容式传感器中，第一连结部具有：在成为电连接的对象的两个第一透明电极的每一个上沿着与第一方向交叉的方向延伸的图案。

由此，第一连结部在第一透明电极上具有沿着与第一方向交叉的方向延伸的图案，因此，能够使敷设成不与第二连结部交叉的第一连结部的图案缩短。因此，能够降低第一连结部的电阻值，并能够抑制导通稳定性以及ESD耐性的低下。并且，能够使第一连结部与第一透明电极的接触面积扩大，即能够使第一连结部的第一连接面扩大。因此，能够抑制导通稳定性以及ESD耐性的低下。

优选地，在本发明的静电电容式传感器中，第一连结部具有：在成为电连接的对象的两个第一透明电极的每一个上沿着第二方向延伸的图案，并且，具有：在与两个第一透明电极相邻的两个第二透明电极上的每一个绝缘层上沿着第一方向延伸的图案。

由此，容易使俯视观察下的第一连结部的面积扩大，因此，能够较大地确保与第一透明电极的接触面积，并且能够降低第一连结部的电阻值。由此，能够抑制导通稳定性以及ESD耐性的低下。

优选地，在本发明的静电电容式传感器中，在绝缘层形成了面临所述第二透明电极并上下贯通绝缘层的第二通孔，经由第二通孔，相邻的第二透明电极利用第二连结部而电连接。

由此，经由在绝缘层设置的第二通孔，相邻的第二透明电极利用第二连结部而电连接，因此，不论与第二透明电极相邻的第一透明电极的图案形状如何，均能够容易地利用第二连结部将相邻的第二透明电极连接。

优选地，在本发明的静电电容式传感器中，绝缘层在俯视观察下覆盖了第一透明电极的一部分，在绝缘层形成了面临第一透明电极并上下贯通绝缘层的第一通孔，经由第一通孔，相邻的第一透明电极利用第一连结部而电连接。

由此，在绝缘层除了第二通孔还设置了第一通孔，且第一连结部以及第二连结部配置在一样的绝缘层上，因此，图案形状的制约变少，由此，能够抑制导通稳定性以及ESD耐性的低下。此外，由于在大致平面的绝缘层上配置，因此，能够高精度地形成连结部的图案。

优选地，在本发明的静电电容式传感器中，在第一透明电极以及第二透明电极上，在俯视观察下，在除了第一连结部以及第二连结部的区域配置有包含非晶态氧化物系材料的图案层。

由此，利用具有与连结部(第一连结部以及第二连结部)同样的材质(非晶态氧化物系材料)且同样的外观的(反射性)的图案层来覆盖透明电极(第一透明电极以及第二透明电极)，因此能够难以视觉辨认连结部。

优选地，在本发明的静电电容式传感器中，图案层与第一连结部以及第二连结部中的一者电连接，与另一者绝缘。

根据该结构，通过使图案层与一个连结部电连接，能够使该连结部与配置了图案层的透明电极的接触面积实质上扩大，由此，能够抑制导通稳定性以及ESD耐性的低下。

优选地，在本发明的静电电容式传感器中，具有：第一引出布线，其与利用多个第一连结部连结的多个第一透明电极电连接；以及第二引出布线，其与利用多个第二连结部连结的多个第二透明电极电连接，在相互相邻的第一透明电极和第一引出布线之间形成有包含非晶态氧化物系材料的第一电阻设定部，并且在相互相邻的第二透明电极和第二引出布线之间形成有包含非晶态氧化物系材料的第二电阻设定部。

由此，由于设置有第一电阻设定部以及第二电阻设定部，因此，通过改变第一电阻设定部以及第二电阻设定部的图案面积以及形状，能够使沿着第一方向的第一透明电极的组的电阻与沿着第二方向的第二透明电极的组的电阻一致。因此，能够避免电流在一个部位集中，并能够抑制ESD耐性的低下。

优选地，在本发明的静电电容式传感器中，导电性纳米线是选自由金纳米线、银纳米线、以及铜纳米线组成的组的至少一者。

由此，相比于将例如ITO等氧化物系材料用于透明电极的材料的情况，能够使静电电容式传感器的变形性能提高，并且能够进一步抑制折弯时的电阻上升。

优选地，在本发明的静电电容式传感器中，非晶态氧化物系材料是选自由非晶态ITO、非晶态IZO、非晶态GZO、非晶态AZO、以及非晶态FTO组成的组的至少一者。

由此，相比于将例如结晶性ITO等用于桥接布线部的材料的情况，能够使静电电容式传感器的变形性能提高，并能够抑制折弯时的电阻上升。此外，相比于将例如导电性纳米线等用于桥接布线部的材料的情况，能够进一步提高桥接布线部的不可见性。

发明效果

根据本发明，能够提供一种能够抑制导通稳定性以及ESD耐性低下的静电电容式传感器。

附图说明

图1是放大地表示本发明的实施方式所涉及的静电电容式传感器的检测区域的一部分的俯视图。

图2的(a)是表示图1的区域A1中的透明电极的配置的俯视图；(b)是表示在图2的(a)所示的区域中设置了绝缘层的状态的俯视图。

图3的(a)是表示在图2的(b)所示的区域中进一步设置了第二连结部的状态的俯视图；(b)是表示在图3的(a)所示的区域中设置了第一连结部的状态的俯视图。

图4的(a)是图3的(b)的4A-4A’线处的剖视图；(b)是图3的(b)的4B-4B’线处的剖视图。

图5是放大地表示第一变形例中的检测区域的俯视图。

图6是放大地表示第二变形例的检测区域中的透明电极和绝缘层的配置的俯视图。

图7的(a)是表示在图6所示的区域中进一步设置了第二连结部的状态的俯视图；(b)是表示在图7的(a)所示的区域中设置了第一连结部的状态的俯视图。

图8的(a)是图7的(b)的8A-8A’线处的剖视图；(b)是图7的(b)的8B-8B’线处的剖视图。

图9的(a)是与第二变形例的图7的(b)所示的8A-8A’线处的剖视图相当的第三变形例中的剖视图；(b)是与第二变形例的图7的(b)所示的8B-8B’线处的剖视图相当的第三变形例中的剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图来详细说明本发明的实施方式所涉及的静电电容式传感器。

图1是表示本实施方式所涉及的静电电容式传感器10的结构图，是放大地表示其检测区域11的一部分的俯视图。此外，图1中省略了后述的第一连结部20的图示。此外，图2的(a)是表示图1的区域A1(后述的第一电极连结体13C和第二电极连结体14C交叉的部分)中的透明电极13、14的配置的俯视图；图2的(b)是表示在图2的(a)所示的区域A1中设置了绝缘层30的状态的俯视图。图3的(a)是表示在图2的(b)所示的区域A1中进一步设置了第二连结部21的状态的俯视图；图3的(b)是表示在图3的(a)所示的区域A1中设置了第一连结部20(斜线部)的状态的俯视图。此外，图1至图3中示出的透明电极13以及透明电极14表示隔着绝缘区域18而划分成的导电区域。此外，图4的(a)是图3的(b)的4A-4A’线处的剖视图；(b)是图3的(b)的4B-4B’线处的剖视图。

此外，各图中，作为基准坐标，示出了X-Y-Z坐标。Z1-Z2方向是与包含X1-X2方向和Y1-Y2方向的面垂直的方向，有时将Z1侧称为上侧，将Z2侧称为下侧。在以下的说明中，分别地，将Y1-Y2方向称为第一方向，并将以正交的方式与Y1-Y2方向交叉的X1-X2方向称为第二方向，然而，能够根据静电电容式传感器的规格等任意地变更。此外，有时将沿着Z1-Z2方向从Z1侧观察Z2侧而得的状态称为俯视观察下。

此外，在以下的说明中，作为“透明”以及“透光性”是指可见光透过率为50％以上(优选地，80％以上)的状态。此外，雾度值为6％以下是优选的。在本申请说明书中，所谓“遮光”以及“遮光性”是指可见光透过率为不足50％(优选地，不足20％)的状态。

首先，说明本实施方式所涉及的静电电容式传感器10的结构。

静电电容式传感器10如图1或图4的(a)、(b)所示，具备：基材12、第一透明电极13、第二透明电极14、第一连结部20、以及第二连结部21。如图4的(a)、(b)所示，第一透明电极13和第二透明电极14形成在基材12的表面12a(主面)上。如图1所示，在基材12的检测区域11，第一透明电极13沿着作为第一方向的Y1-Y2方向配置多个；第二透明电极14沿着作为第二方向的X1-X2方向配置多个。这样，将第一透明电极13和第二透明电极14设置在相同的面(基材12的表面12a)，因此，能够实现静电电容式传感器10的薄型化。

如图1所示，静电电容式传感器10在Z1-Z2方向上从Z1侧观察下，具备：配置了第一透明电极13以及第二透明电极14的检测区域11、和在其外侧配置的非检测区域17。检测区域11是能够通过手指等操作体进行操作的区域，非检测区域17是位于检测区域11的外侧的框缘状区域。

如图1所示，第一透明电极13在俯视观察下被形成为矩形状，沿着Y1-Y2方向以及X1-X2方向并排地配置有多个。并且，在Y1-Y2方向上相邻的两个第一透明电极13经由第一连结部20(参照图3的(b))而相互电连接，构成了第一电极连结体13C。该第一电极连结体13C在X1-X2方向上隔着绝缘区域18空出间隔地排列有多个。

如图1所示，第二透明电极14在俯视观察下被形成为矩形状，沿着X1-X2方向以及Y1-Y2方向并排地配置有多个。并且，在X1-X2方向上相邻的两个第二透明电极14经由第二连结部21(参照图3的(a))而相互电连接，构成了第二电极连结体14C。该第二电极连结体14C在Y1-Y2方向上隔着绝缘区域18空出间隔地排列有多个。这样，通过使第一透明电极13以及第二透明电极14为所谓的菱形图案，能够在同一平面上高效地配置用于检测静电电容的电极。

如图2的(b)所示，在两个第一透明电极13和两个第二透明电极14相邻的区域，在沿着Z1-Z2方向从Z1侧看的俯视观察下，设置有覆盖第一透明电极13的一部分和第二透明电极14的一部分的绝缘层30。该绝缘层30具有将四个图案30a、30b、30c、30d依次连结的、俯视观察下矩形框状的图案。

第一图案30a沿着X1-X2方向延伸，以便覆盖相邻的两个第一透明电极13中的Y1侧的第一透明电极13的Y2侧端部13a(图2的(a))。第二图案30b被形成为，从第一图案30a的X1侧端部起沿着Y1-Y2方向延伸，并且使相邻的两个第二透明电极14中的X1侧的第二透明电极14的X2侧端部14a(图2的(a))露出。第三图案30c被形成为，从第二图案30b的Y2侧端部起沿着X1-X2方向延伸，并覆盖Y2侧的第一透明电极13的Y1侧端部13b(图2的(a))。第四图案30d被形成为，将第一图案30a和第三图案30c的X2侧端部联结而沿着Y1-Y2方向延伸，并使X2侧的第二透明电极14的X1侧端部14b露出。通过绝缘层30具有四个图案30a、30b、30c、30d这一情况，在Y1-Y2方向上相邻的两个第一透明电极13的相互对置的端部13a、13b由绝缘层30覆盖，并且，在X1-X2方向上相邻的两个第二透明电极14的相互对置的端部14a、14b成为露出的状态。此外，如图2的(b)所示，绝缘层30被形成为，在俯视观察下在中央具有矩形状的开口30s的矩形框状的图案。

如图3的(a)所示，在绝缘层30的开口30s(参照图2的(b))内形成了第二连结部21，以便在俯视观察下不与绝缘层30重叠。第二连结部21在X1-X2方向上延伸，在俯视观察下成为长方形状，其长边方向的两端部的下表面即第二连接面21a被配设于相邻的两个第二透明电极14的每一个上(图4的(b))。由此，相邻的两个第二透明电极14经由第二连结部21而电连接。这里，如图3的(b)和图4的(a)所示，第二连结部21被配设于绝缘层30的开口30s内，因此，与相互对置的两个第一透明电极13的任意一个均不接触。

如图3的(b)所示，第一连结部20在绝缘层30上具有沿着上述四个图案30a、30b、30c、30d的图案而形成。此外，如图3的(b)和图4的(a)所示，绝缘层30的Y1侧的第一图案30a上的第一连结部20被形成为，从其中央部延伸到Y1侧的第一透明电极13上，由此，Y1侧的第一透明电极13与第一连结部20电连接。此外，绝缘层30的Y2侧的第三图案30c上的第一连结部20被形成为，从其中央部延伸到Y2侧的第一透明电极13上，由此，Y2侧的第一透明电极13与第一连结部20电连接。换言之，如图4的(a)所示，第一连结部20的Y1侧端部以及Y2侧端部的各自的下表面，作为第一连接面20a，分别与在Y1-Y2方向上相邻的两个第一透明电极13接触。

另一方面，绝缘层30的X1侧的第二图案30b上、以及X2侧的第四图案30d上的第一连结部20并不延伸到第二透明电极14，而仅配设在绝缘层30上，因此，并未与相邻的两个第二透明电极14连接。

通过以上的配置，在Y1-Y2方向上相邻的两个第一透明电极13经由第一连结部20而电连接。此外，第一连结部20和在绝缘层30的开口30s内形成的第二连结部21被配置成在俯视观察下并不相互交叉，成为相互电绝缘的状态。

接下来，说明各结构构件。

基材12具有透光性，由聚对苯二甲酸乙二酯(PET)等薄膜状的透明基材、硼硅酸盐玻璃等玻璃基材等形成。在使用薄膜状的透明基材的情况下，能够容易地使静电电容式传感器10的形状为曲面，或者能够将静电电容式传感器10折弯。此外，如图4的(a)、(b)所示，在基材12的一个表面12a、即基材12的以沿着Z1-Z2方向的方向为法线的主面中的位于Z1侧的主面，设置有第一透明电极13以及第二透明电极14。第一透明电极13和第二透明电极14隔着绝缘区域18而相互离开，在电绝缘的状态下配置。

第一透明电极13以及第二透明电极14具有透光性，由包含导电性纳米线的材料形成。作为导电性纳米线，使用金属纳米线即选自由金纳米线、银纳米线、以及铜纳米线组成的组的至少一者。通过使用包含导电性纳米线的材料，能够实现高透光性以及低电阻化。此外，通过使用包含导电性纳米线的材料，能够使静电电容式传感器10的变形性能提高。

包含导电性纳米线的材料具有导电性纳米线和透明的树脂层。导电性纳米线分散于树脂层中。导电性纳米线的分散性通过树脂层来确保。作为透明的树脂层的材料，例如列举了聚酯树脂、丙烯酸树脂、以及聚氨酯树脂等。多个导电性纳米线在至少一部分相互接触，由此，保持了包含导电性纳米线的材料的面内的导电性。

使第一透明电极13以及第二透明电极14为电绝缘状态的绝缘区域18是将透明的树脂层中的导电性纳米线蚀刻除去而形成。

这里，简单说明使用银纳米线作为导电性纳米线的情况下制作绝缘区域18的方法的一例。首先，将成为绝缘区域18的部分以外利用抗蚀刻剂覆盖，并利用碘-碘化盐溶液(例如碘-碘化钾溶液)使绝缘区域18的银纳米线成为银碘化物。接着，利用硫代硫酸盐溶液(例如硫代硫酸钠溶液)将该银碘化物蚀刻除去。最后，使用抗蚀剂剥离液来除去抗蚀刻剂。这样，形成了透明的树脂层中的银纳米线极其少的区域，该部分的导电性消失而形成绝缘区域18。此外，通过蚀刻条件，还能够制作透明的树脂层中的银纳米线完全不存在的绝缘区域18。

第一连结部20和第二连结部21具有透光性，由包含非晶态氧化物系材料的材料形成。作为非晶态氧化物系材料，使用选择由非晶态ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)、非晶态IZO(Indium Zinc Oxide，氧化锌锡)、非晶态GZO(Gallium-doped Zinc Oxide，镓掺杂氧化锌)、非晶态AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide，铝掺杂氧化锌)以及非晶态FTO(Fluorine-doped Zinc Oxide，氟掺杂氧化锌)组成的组的至少一者。

作为绝缘层30，例如使用了酚醛树脂(Novolac resin)(抗蚀剂)。

如图1所示，在非检测区域17形成有与各第一电极连结体13C连接的多个第一连接端部15、从该第一连接端部15引出的第一引出布线151、与各第二电极连结体14C连接的多条第二连接端部16、以及从该第二连接端部16引出的第二引出布线161。这些引出布线151、161在图1中简略地进行了显示。如以下描述的那样，第一电极连结体13C经由两个连接区域15a、15b、第三连结部22、以及第一连接端部15而与第一引出布线151电连接；第二电极连结体14C经由两个连接区域16a、16b、第四连结部23、以及第二连接端部16而与第二引出布线161电连接。

各连接端部15、16、以及各引出布线151、161通过具有Cu、Cu合金、CuNi合金、Ni、Ag、Au等金属的材料而形成。各引出布线151、161与未图示的柔性印刷基板电连接。

各连接区域15a、15b、16a、16b由ITO、导电性纳米线等透明导电性材料而形成。第三连结部22和第四连结部23通过包含非晶态氧化物系材料的材料而形成。

连接区域15a被使第一透明电极13和第二透明电极14为相互绝缘状态的绝缘区域18、从该绝缘区域18起沿着Y1-Y2方向而向第一引出布线151侧延伸的两条第一绝缘区域18a、和在第一引出布线151侧的非检测区域17中沿着X1-X2方向延伸的第二绝缘区域18b围住，由此，形成了俯视观察下的大致五角形状。在该连接区域15a的Y2侧，设置有通过第二绝缘区域18b而与连接区域15a电分离的连接区域15b。在连接区域15a，通过相互对置的两条第一绝缘区域18a的Y1-Y2方向上的长度、第二绝缘区域18b的Y1-Y2方向上的位置的调整等，能够变更其面积，由此，能够调整成与第一电极连结体13C对应的电阻值。

连接区域16a被绝缘区域18、从该绝缘区域18起沿着X1-X2方向而向第二引出布线161侧延伸的两条第一绝缘区域19a、和在第二引出布线161侧的非检测区域17中沿着Y1-Y2方向延伸的第二绝缘区域19b围住，由此，形成了俯视观察下的大致五角形状。在该连接区域16a的X1侧，设置有通过第二绝缘区域19b而与连接区域16a电分离的连接区域16b。在连接区域16a，通过相互对置的两条第一绝缘区域19a的X1-X2方向上的长度、第二绝缘区域19b的X1-X2方向上的位置的调整等，能够变更其面积，由此，能够调整成与第二电极连结体14C对应的电阻值。

第三连结部22在Y1-Y2方向上延伸，在俯视观察下成为长方形状，其长边方向的两端部的下表面分别被配设于相邻的两个连接区域15a、15b上。由此，相邻的两个连接区域15a、15b经由第三连结部22而相互电连接。由此，各第一电极连结体13C经由各自对应的两个连接区域15a、15b和第三连结部22，与第一引出布线151电连接。第三连结部22还可以由与后述的第一连结部20和第二连结部21相同的材料构成。该情况下，能够通过与第一连结部20以及第二连结部21共通的过程来同时形成第三连结部22。此外，通过任意地设定第三连结部22的形状尺寸，能够任意地调整与第一电极连结体13C对应的布线的电阻值。

第四连结部23在X1-X2方向上延伸，在俯视观察下成为长方形状，其长边方向的两端部的下表面分别被配设于相邻的两个连接区域16a、16b上。由此，相邻的两个连接区域16a、16b经由第四连结部23而相互电连接。由此，各第二电极连结体14C经由各自对应的两个连接区域16a、16b和第四连结部23，与第二引出布线161电连接。第四连结部23还可以由与后述的第一连结部20和第二连结部21相同的材料构成。该情况下，能够通过与第一连结部20以及第二连结部21共通的过程来同时形成第四连结部23。此外，通过任意地设定第四连结部23的形状尺寸，能够任意地调整与第二电极连结体14C对应的布线的电阻值。

在静电电容式传感器10，若作为操作体的一例使手指从Z1侧接触，则手指与靠近手指的第一透明电极13之间、以及手指与靠近手指的第二透明电极14之间产生静电电容。静电电容式传感器10能够根据此时的静电电容变化来算出手指的接触位置。静电电容式传感器10根据手指与第一电极连结体13C之间的静电电容变化来检测手指的位置的X坐标(X1-X2方向的坐标)；并根据手指与第二电极连结体14C之间的静电电容变化来检测手指的位置的Y坐标(Y1-Y2方向的坐标)(自身电容检测型)。

此外，静电电容式传感器10还可以是相互电容检测型。即，静电电容式传感器10还可以对第一电极连结体13C以及第二电极连结体14C的任意一个电极的一列施加驱动电压，检测第一电极连结体13C以及第二电极连结体14C的另一个电极与手指之间的静电电容的变化。由此，静电电容式传感器10通过一个电极来检测手指的位置的X坐标，通过另一个电极来检测手指的位置的Y坐标。

这里，一般而言，在透明电极由包含导电性纳米线的材料形成的情况下，有时，透明电极与桥接布线部的接触面积比较狭小。即，导电性纳米线通过在透明电极的表面露出的导电性线确保了与桥接布线部的导电性。因此，在桥接布线部的材料是包含导电性纳米线的材料的情况下，透明电极与桥接布线部的接触成为导线与导线的点接触。或者，在桥接布线部的材料是例如ITO等氧化物系材料的情况下，透明电极与桥接布线部的接触成为导线的线或者点与面的接触。由此，若将包含导电性纳米线的材料用于透明电极的材料，则有时透明电极与桥接布线部的接触面积比较狭小，由此，有时导通稳定性下降。此外，若发生静电放电(ESD：Electro Static Discharge)且大电流在透明电极与桥接布线部的接触部分流过，则有时该接触部分局部发热而熔断。也就是说，若将包含导电性纳米线的材料用于透明电极的材料，则静电电容式传感器的变形性能提高，另一方面，有时导通稳定性以及ESD耐性下降。此外，若将结晶性的氧化物系材料、金属系材料用于桥接布线部的材料，则有时折弯时的电阻上升，或者桥接布线部断线。

对此，在本实施方式所涉及的静电电容式传感器10中，配置成在俯视观察下第一连结部20与第二连结部21并不相互交叉，并且，在第一连结部20设置第一连接面20a，在第二连结部21设置第二连接面21a，并分别配设于以各自的连接面为电连接的对象的透明电极(第一透明电极13、第二透明电极14)上。由此，能够分别扩大第一透明电极13与第一连结部20的接触面积、以及第二透明电极14与第二连结部21的接触面积，并能够抑制导通稳定性以及ESD耐性的低下。此外，由于将第一连结部20和第二连结部21配置成在俯视观察下相互不交叉，因此，与使其交叉的结构相比，能够使制造工序简略化。

第一透明电极13和第二透明电极14包含导电性纳米线，第一连结部20和第二连结部21包含非晶态氧化物系材料。因此，相比于将结晶性的氧化物系材料或金属系材料用于第一连结部20和第二连结部21的材料的情况，能够使静电电容式传感器10的变形性能提高，并且能够分别确保第一透明电极13与第一连结部20的密合性、以及第二透明电极14与第二连结部21的密合性。此外，能够抑制折弯时的电阻上升。

在导电性纳米线是金属纳米线即选自由金纳米线、银纳米线、以及铜纳米线组成的组的至少一者的情况下，相比于将例如ITO等氧化物系材料用于第一透明电极13以及第二透明电极14的材料的情况，能够使静电电容式传感器10的变形性能提高，并且能够进一步抑制折弯时的电阻上升。

在非晶态氧化物系材料是选择由非晶态ITO、非晶态IZO、非晶态GZO、非晶态AZO、以及非晶态FTO组成的组的至少一者的情况下，相比于将例如结晶性ITO等用于第一连结部20和第二连结部21的材料的情况，能够使静电电容式传感器10的变形性能提高，并且能够抑制折弯时的电阻上升。此外，相比于将例如导电性纳米线等用于第一连结部20和第二连结部21的材料的情况，能够进一步提高第一连结部20和第二连结部21的不可见性。

如图4的(b)所示，第一连结部20隔着绝缘层30而敷设于第二透明电极14上，因此，容易使俯视观察下的第一连结部20的面积扩大。因此，能够较大地确保与第一透明电极13的接触面积，并且能够降低第一连结部20的电阻值。由此，能够抑制导通稳定性以及ESD耐性的低下。

第一连结部20在第一透明电极13上具有沿着与第一方向交叉的第二方向延伸的图案，因此，能够使敷设成不与第二连结部21交叉的第一连结部20的图案缩短。因此，能够降低第一连结部20的电阻值，并能够抑制导通稳定性以及ESD耐性的低下。并且，能够使第一连结部20与第一透明电极13的接触面积扩大，或者能够使第一连结部20的第一连接面20a扩大，因此，能够抑制导通稳定性以及ESD耐性的低下。

通过将绝缘层30设为图3的(b)那样的矩形框状的图案，容易使俯视观察下的第一连结部20的面积扩大，因此，能够较大地确保与第一透明电极13的接触面积，并且能够降低第一连结部20的电阻值。由此，能够抑制导通稳定性以及ESD耐性的低下。

以下，说明变形例。

<第一变形例>

图5是表示上述实施方式中前述的区域A1的第一变形例的俯视图。在上述实施方式中，第一连结部20如图3的(b)所示，在俯视观察下，在矩形框状的绝缘层30上形成为大致矩形框状，并配置成在相邻的两个第二透明电极14这二者上经过。代替其，第一变形例的第一连结部120如图5所示，并未在X1侧的绝缘层30上形成而仅在X2侧的绝缘层30上形成，并配置成仅在相邻的两个第二透明电极14中的X2侧的一者上经过。该情况下，与上述实施方式的第一连结部20同样地，绝缘层30的Y1侧的第一图案30a上的第一连结部120被形成为，从其中央部起延伸到Y1侧的第一透明电极13上，由此，Y1侧的第一透明电极13与第一连结部120电连接。此外，绝缘层30的Y2侧的第三图案30c上的第一连结部120被形成为，从其中央部起延伸到Y2侧的第一透明电极13上，由此，Y2侧的第一透明电极13与第一连结部120电连接。由此，第一连结部120的Y1侧端部以及Y2侧端部的各自的下表面(第一连接面)分别与Y1-Y2方向上相邻的两个第一透明电极13接触。

这里，作为“第一连结部”，如上述实施方式的第一连结部20、第一变形例的第一连结部120那样，沿着与第一方向(Y1-Y2方向)正交的第二方向(X1-X2方向)，在成为电连接的对象的两个第一透明电极13的每一个上延伸的方式是优选的，然而，只要是与第一方向交叉的方向，则也可以是不与第一方向正交的方向。此外，在第二透明电极14上，如上述实施方式的第一连结部20、第一变形例的第一连结部120那样，沿着第一方向延伸是优选的，然而，还可以形成为在与第二方向不一致的方向上延伸。

这样，通过第一连结部在成为电连接的对象的两个第一透明电极13的每一个上，沿着与第一方向交叉的方向延伸，能够使敷设成不与第二连结部交叉的第一连结部的图案缩短。因此，能够降低第一连结部的电阻值，并能够抑制导通稳定性以及ESD耐性的低下。并且，能够使第一连结部与第一透明电极13的接触面积扩大，并能够使第一连结部的第一连接面扩大。因此，能够抑制导通稳定性以及ESD耐性的低下。

<第二变形例>

图6是上述实施方式中前述的区域A1的第二变形例，是放大地表示透明电极和绝缘层的配置的俯视图。图7的(a)是表示在图6所示的区域中进一步设置了第二连结部的状态的俯视图；图7的(b)是表示在图7的(a)所示的区域中设置了第一连结部的状态的俯视图。图8的(a)是图7的(b)的8A-8A’线处的剖视图；图8的(b)是图7的(b)的8B-8B’线处的剖视图。

在第二变形例中，如图6、图7以及图8的(b)所示，形成有在Z1-Z2方向上贯通绝缘层230的通孔231、232(第二通孔)，经由该通孔231、232，相邻的两个第二透明电极14通过第二连结部221而相互电连接。这里，在第二连结部221的下表面中位于通孔231、232上的面成为第二连接面，该第二连接面位于第二透明电极14的上侧。根据该结构，不论与成为电连接的对象的两个第二透明电极14相邻的两个第一透明电极13的图案形状如何，均能够容易地通过第二连结部221将相邻的第二透明电极14连接。

在第二变形例中，如图6所示，关于两个第一透明电极13和两个第二透明电极14相邻的区域，在沿着Z1-Z2方向从Z1侧看的俯视观察下，设置有对第一透明电极13的一部分和第二透明电极14的一部分进行覆盖的绝缘层230。该绝缘层230在俯视观察下成为矩形状，在与相邻的两个第二透明电极14的每一个对应的位置分别形成有两个通孔231、232。两个通孔231、232被形成为沿着Z1-Z2方向贯通绝缘层230(图8的(b))。

如图7的(a)所示，在绝缘层230上形成了在X1-X2方向上延伸的俯视观察下长方形状的第二连结部221。该第二连结部221长边方向的两端部延伸到分别覆盖两个通孔231、232的位置。通过该结构，相邻的两个第二透明电极14中的X1侧的第二透明电极14经由一个通孔231与第二连结部221电连接；X2侧的第二透明电极14经由另一个通孔232与第二连结部221电连接，通过这些连接，相邻的两个第二透明电极14经由第二连结部221而电连接。

此外，如图7的(b)所示，与上述实施方式的第一连结部20同样地，在绝缘层230上形成了第一连结部220(斜线部)以便围住第二连结部221的外侧。如图7的(b)和图8的(a)所示，绝缘层230的Y1侧的第一图案230a上的第一连结部220被形成为，从其中央部起延伸到到Y1侧的第一透明电极13上，由此，Y1侧的第一透明电极13与第一连结部220电连接。此外，绝缘层230的Y2侧的第三图案230c上的第一连结部220被形成为，从其中央部起延伸到Y2侧的第一透明电极13上，由此，Y2侧的第一透明电极13与第一连结部220电连接。换言之，第一连结部220的Y1侧端部以及Y2侧端部的每一个的下表面作为第一连接面220a，分别与在Y1-Y2方向上相邻的两个第一透明电极13接触(图8的(a))。

<第三变形例>

图9的(a)是与第二变形例的图7的(b)所示的8A-8A’线处的剖视图相当的第三变形例中的剖视图；图9的(b)是与第二变形例的图7的(b)所示的8B-8B’线处的剖视图相当的第三变形例中的剖视图。也就是说，图9的(a)、(b)是分别与图8的(a)、(b)对应的位置的剖视图。

在第三变形例中，除了第二变形例的通孔231、232(第二通孔)之外，还设置有在Z1-Z2方向上贯通绝缘层230的通孔341、342(第一通孔)。此外，第一连结部320被形成为在绝缘层230上围住第二连结部221的外侧，然而，并未如上述实施方式的第一连结部20、第一变形例的第一连结部120、以及第二变形例的第一连结部220那样延伸到第一透明电极13上，并未与第一透明电极13连接。

通孔341、342分别被形成于与相邻的两个第一透明电极13的每一个对应的位置。此外，通孔341、342由第一连结部320覆盖。通过该结构，相邻的两个第一透明电极13中的Y1侧的第一透明电极13经由一个通孔341而与第一连结部320电连接；Y2侧的第一透明电极13经由另一个通孔342而与第一连结部320电连接，通过这些连接，相邻的两个第一透明电极13经由第一连结部320而电连接。这里，在第一连结部320的下表面中位于通孔341、342上的面成为第一连接面，该第一连接面位于第一透明电极13的上侧。此外，通过对绝缘层230除了通孔231、232(第二通孔)之外还设置通孔341、342(第一通孔)的结构，第一连结部320以及第二连结部221被配置在一样的绝缘层230上，因此图案形状的制约变少，由此，能够抑制导通稳定性以及ESD耐性的低下。此外，由于在大致平面的绝缘层230上配置，因此，能够高精度地形成第一连结部320以及第二连结部221的图案。

说明其他的变形例。以下，作为上述实施方式的变形例来说明，然而还能够应用于上述第一～第三变形例。

若在第一透明电极13以及第二透明电极14上，即在俯视观察下除了第一连结部20以及第二连结部21的区域，配置包含非晶态氧化物系材料的图案层，则该图案层与第一连结部20以及第二连结部21具有同样的外观或反射性，由此，能够难以视觉辨认第一连结部20以及第二连结部21，因而是优选的。此外，若将该图案层与第一连结部20以及第二连结部21中的一者电连接，并使其与另一个连结部绝缘，则能够使配置了图案层的透明电极和与此对应的连结部的接触面积实质上扩大，由此，能够抑制导通稳定性以及ESD耐性的低下。

若在各连接区域15a、15b、16a、16b上在除了第三连结部22以及第四连结部23的区域也配置包含非晶态氧化物系材料的图案层，则该图案层与第三连结部22以及第四连结部23具有同样的外观或反射性，由此，能够难以视觉辨认第三连结部22以及第四连结部23，因而是优选的。此外，若使该图案层分别与第三连结部22以及第四连结部23电连接，则能够使配置了图案层的连接区域和与此对应的连结部的接触面积实质上扩大，由此，能够抑制导通稳定性以及ESD耐性的低下。包含非晶态氧化物系材料的图案层还可以设置于连接区域15b和第一连接端部15之间、以及连接区域16b和第二连接端部16之间。

优选地，在相互相邻的第一透明电极13和第一引出布线151之间形成有包含非晶态氧化物系材料的第一电阻设定部，并且在相互相邻的第二透明电极14和第二引出布线161之间形成有包含非晶态氧化物系材料的第二电阻设定部。在该结构中，通过改变第一电阻设定部以及第二电阻设定部的图案面积以及形状，能够使沿着第一方向的第一透明电极13的组(第一电极连结体13C)的电阻与沿着第二方向的第二透明电极14的组(第二电极连结体14C)的电阻一致。因此，能够避免电流在一个部位集中，并能够抑制ESD耐性的低下。

参照上述实施方式说明了本发明，然而本发明并不限定于上述实施方式，在改良的目的或本发明的思想的范围内能够进行改良或者变更。

产业上的可利用性

如以上那样，本发明所涉及的静电电容式传感器在能够抑制导通稳定性以及ESD耐性低下的方向是有用的。

符号说明

10 静电电容式传感器

11 检测区域

12 基材

12a 表面(主面)

13 第一透明电极

13C 第一电极连结体

14 第二透明电极

14C 第二电极连结体

15 第一连接端部

15a、15b 连接区域

151 第一引出布线

16 第二连接端部

16a、16b 连接区域

161 第二引出布线

17 非检测区域

18 绝缘区域

18a、19a 第一绝缘区域

18b、19b 第二绝缘区域

20 第一连结部

20a 第一连接面

21 第二连结部

21a 第二连接面

22 第三连结部

23 第四连结部

30 绝缘层

30a、30b、30c、30d 图案

30s 开口

120 第一连结部

220 第一连结部

220a 第一连接面

221 第二连结部

230 绝缘层

230a、230c 图案

231、232 通孔(第二通孔)

320 第一连结部

341、342 通孔(第一通孔)

A1 区域

Claims (11)

1.一种静电电容式传感器，其特征在于，

所述静电电容式传感器具有：

基材，其具有透光性；

多个第一透明电极，其在所述基材的一个主面的检测区域沿着第一方向并排地配置，具有透光性，并包含导电性纳米线；

多个第二透明电极，其在所述检测区域沿着与所述第一方向交叉的第二方向并排地配置，具有透光性，并包含导电性纳米线；

第一连结部，其将相邻的两个所述第一透明电极相互电连接，并包含非晶态氧化物系材料；以及

第二连结部，其将相邻的两个所述第二透明电极相互电连接，并包含非晶态氧化物系材料，

所述第一连结部和所述第二连结部配置成，在从与所述主面正交的方向看的俯视观察下不相互交叉，

在所述第一连结部具有分别被配设于相邻的两个所述第一透明电极上的第一连接面，该第一连接面与各个所述第一透明电极电连接，

在所述第二连结部具有分别被配设于相邻的两个所述第二透明电极上的第二连接面，该第二连接面与各个所述第二透明电极电连接。

2.根据权利要求1所述的静电电容式传感器，其特征在于，

在形成所述第一连结部的区域，形成了在所述俯视观察下覆盖所述第二透明电极的一部分的绝缘层，

将两个所述第一透明电极电连接的所述第一连结部被配置于与该两个所述第一透明电极相邻的所述第二透明电极上的所述绝缘层上。

3.根据权利要求2所述的静电电容式传感器，其特征在于，

所述第一连结部具有：在成为电连接的对象的两个所述第一透明电极的每一个上沿着与所述第一方向交叉的方向延伸的图案。

4.根据权利要求3所述的静电电容式传感器，其特征在于，

所述第一连结部具有：在成为电连接的对象的两个所述第一透明电极的每一个上沿着所述第二方向延伸的图案，并且，具有：在与该两个所述第一透明电极相邻的两个所述第二透明电极上的每一个所述绝缘层上沿着所述第一方向延伸的图案。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的静电电容式传感器，其特征在于，

在所述绝缘层形成了面临所述第二透明电极并上下贯通该绝缘层的第二通孔，

经由该第二通孔，相邻的所述第二透明电极利用所述第二连结部而电连接。

6.根据权利要求5所述的静电电容式传感器，其特征在于，

所述绝缘层在所述俯视观察下覆盖了所述第一透明电极的一部分，

在所述绝缘层形成了面临所述第一透明电极并上下贯通该绝缘层的第一通孔，

经由该第一通孔，相邻的所述第一透明电极利用所述第一连结部而电连接。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的静电电容式传感器，其特征在于，

在所述第一透明电极以及所述第二透明电极上，在所述俯视观察下，在除了所述第一连结部以及所述第二连结部的区域配置有包含非晶态氧化物系材料的图案层。

8.根据权利要求7所述的静电电容式传感器，其特征在于，

所述图案层与所述第一连结部以及所述第二连结部中的一者电连接，并与另一者绝缘。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的静电电容式传感器，其特征在于，

所述静电电容式传感器具有：

第一引出布线，其与利用多个所述第一连结部连结的多个所述第一透明电极电连接；以及

第二引出布线，其与利用多个所述第二连结部连结的多个所述第二透明电极电连接，

在相互相邻的所述第一透明电极和所述第一引出布线之间形成有包含非晶态氧化物系材料的第一电阻设定部，并且在相互相邻的所述第二透明电极和所述第二引出布线之间形成有包含非晶态氧化物系材料的第二电阻设定部。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的静电电容式传感器，其特征在于，

所述导电性纳米线是选自由金纳米线、银纳米线、以及铜纳米线组成的组的至少一者。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的静电电容式传感器，其特征在于，

所述非晶态氧化物系材料是选自由非晶态ITO、非晶态IZO、非晶态GZO、非晶态AZO、以及非晶态FTO组成的组的至少一者。

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