WO2019088077A1 - 静電容量式センサ - Google Patents

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知行 山井
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  • FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line 4B-4B' in FIG. 3B. It is a top view which expands and shows a detection field in the 1st modification. These are top views which expand and show arrangement
  • (A) is a plan view showing a state in which a second connecting portion is further provided in the area shown in FIG. 6,
  • (b) is a plan view showing a state in which a first connecting portion is provided in the area shown in FIG. It is. 7A is a cross-sectional view taken along line 8A-8A 'in FIG. 7B, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along line 8B-8B' in FIG.
  • transparent and translucent refer to a state in which the visible light transmittance is 50% or more (preferably 80% or more). Furthermore, it is preferable that the haze value is 6% or less.
  • light shielding and “light shielding property” refer to a state in which the visible light transmittance is less than 50% (preferably less than 20%).
  • the capacitance type sensor 10 includes a base 12, a first transparent electrode 13, a second transparent electrode 14, and a first connecting portion 20. , And a second connecting portion 21.
  • the first transparent electrode 13 and the second transparent electrode 14 are formed on the surface 12 a (main surface) of the base 12.
  • a plurality of first transparent electrodes 13 are disposed along the Y1-Y2 direction as a first direction, and the second transparent electrodes 14 are as a second direction.
  • a plurality of are arranged along the X1-X2 direction.
  • the second connection portion 21 is formed in the opening 30s (see FIG. 2B) of the insulating layer 30 so as not to overlap the insulating layer 30 in plan view.
  • the second connection portion 21 extends in the X1-X2 direction and has a rectangular shape in a plan view, and the second connection surfaces 21a, which are the lower surfaces of the both end portions in the longitudinal direction, of the two adjacent second transparent electrodes 14 It is disposed on top of each other (Fig. 4 (b)).
  • the two adjacent second transparent electrodes 14 are electrically connected to each other through the second connecting portion 21.
  • FIG. 3B and FIG. 4A since the second connection portion 21 is disposed in the opening 30s of the insulating layer 30, two opposing first transparent electrodes 13 are provided. I have not touched any of them.
  • the capacitance type sensor 10 when the finger is brought into contact with the Z1 side as an example of the operating body, the second transparent electrode 14 close to the finger and between the finger and the first transparent electrode 13 close to the finger and Capacitance between the The capacitance type sensor 10 can calculate the contact position of the finger based on the change in capacitance at this time.
  • the capacitive sensor 10 detects the X coordinate (coordinate in the X1-X2 direction) of the position of the finger based on the change in capacitance between the finger and the first electrode connector 13C, and the finger and the second electrode are detected.
  • the Y coordinate (coordinate in the Y1-Y2 direction) of the position of the finger is detected based on the change in capacitance with the connector 14C (self-capacitance detection type).
  • the first connection portion 20 and the second connection portion 21 are disposed so as not to intersect with each other in plan view, and A connection surface 20 a is provided, and a second connection surface 21 a is provided in the second connection portion 21, and each connection surface is placed on transparent electrodes (first transparent electrode 13 and second transparent electrode 14) to be electrically connected. It is arranged.
  • the contact area of the first transparent electrode 13 and the first connection portion 20 and the contact area of the second transparent electrode 14 and the second connection portion 21 can be increased, and the conduction stability and the ESD resistance decrease. Can be reduced.
  • the manufacturing process can be simplified as compared with the configuration in which the first connection portion 20 and the second connection portion 21 intersect.
  • Third Modified Example 9 (a) is a sectional view of a third modification corresponding to the sectional view taken along line 8A-8A 'shown in FIG. 7 (b) of the second modification
  • FIG. 9 (b) is a view of FIG. 7 of the second modification
  • FIG. 21 is a cross sectional view in a third modification example corresponding to the cross sectional view taken along line 8B-8B ′ shown in (b). That is, FIGS. 9A and 9B are cross-sectional views of positions corresponding to FIGS. 8A and 8B, respectively.

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Abstract

隣り合う２つの第１透明電極を互いに電気的に接続し、アモルファス酸化物系材料を含む第１連結部と、隣り合う２つの第２透明電極を互いに電気的に接続し、アモルファス酸化物系材料を含む第２連結部とを有し、第１連結部と第２連結部は、主面に直交する方向から見た平面視において、互いに交差しないように配置され、第１連結部には、隣り合う２つの第１透明電極上にそれぞれ配設される第１接続面を有し、第１接続面がそれぞれの第１透明電極と電気的に接続され、第２連結部には、隣り合う２つの第２透明電極上にそれぞれ配設される第２接続面を有し、第２接続面がそれぞれの第２透明電極と電気的に接続される静電容量式センサは、導通安定性及びＥＳＤ耐性が低下することを抑えることができる。

Description

静電容量式センサ
　本発明は、静電容量式センサに関し、特に導電性ナノワイヤを含む透明電極が設けられた静電容量式センサに関する。
　特許文献１には、透明ガラス基板上にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）層のＸ電極及びＹ電極が形成された指タッチ式検出パネルが開示されている。特許文献１に記載された指タッチ式検出パネルには、Ｘ電極及びＹ電極が互いにクロスする部分が設けられている。Ｙ電極は、開孔部を介して導電体膜により電気的に接続されている。このように、基板上においてＸ電極及びＹ電極を互いにクロスさせ、Ｙ電極を電気的に接続するブリッジ配線部を設けることで、検出パネルを薄型化することができる。
　ここで、市場の動向として、静電容量式センサの形状を曲面にしたり、あるいは静電容量式センサを折り曲げ可能にしたりすることが望まれている。そのために、静電容量式センサの透明電極の材料として、例えば金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ及び銅ナノワイヤなどの金属ナノワイヤ（導電性ナノワイヤ）を含む材料が用いられることがある。
特開昭５８－１６６４３７号公報
　透明電極の材料に導電性ナノワイヤを含む材料を用いると、それぞれ独立した透明電極と、それら透明電極を繋ぐ交差部分に設けられたブリッジ配線部と、の接触面積が比較的狭くなるという問題がある。言い換えると、導電性ナノワイヤを含む材料の透明電極は、透明電極の表面に露出した導電性ナノワイヤによってブリッジ配線材料との導電性を確保しつつ、導電性ナノワイヤ間の隙間により透明性を確保している。そのため、ブリッジ配線部の材料が導電性ナノワイヤを含む材料である場合には、透明電極とブリッジ配線部との接触は、ワイヤとワイヤとの点接触になる。あるいは、ブリッジ配線部の材料が例えばＩＴＯなどの酸化物系材料である場合には、透明電極とブリッジ配線部との接触は、導電性ナノワイヤの線あるいは点と面との接触になる。これにより、透明電極の材料に導電性ナノワイヤを含む材料を用いると、透明電極と、ブリッジ配線部との接触面積が比較的狭くなる。従って、導通安定性が低下するおそれがある。
　また、静電気放電（ＥＳＤ；Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｓｔａｔｉｃ　Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）が発生し、大電流が透明電極とブリッジ配線部との接触部分に流れると、その接触部分が局所的に発熱して溶断するおそれがある。つまり、透明電極の材料に導電性ナノワイヤを含む材料を用いると、静電容量式センサの変形性能が向上する一方で、導通安定性及びＥＳＤ耐性が低下するおそれがある。
　本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、導通安定性及びＥＳＤ耐性が低下することを抑えることができる静電容量式センサを提供することを目的とする。
　上記課題を解決するために、本発明の静電容量式センサは、透光性を有する基材と、基材の一方の主面の検出領域において、第１方向に沿って並んで配置され、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む複数の第１透明電極と、検出領域において、第１方向と交差する第２方向に沿って並んで配置され、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む複数の第２透明電極と、隣り合う２つの第１透明電極を互いに電気的に接続し、アモルファス酸化物系材料を含む第１連結部と、隣り合う２つの第２透明電極を互いに電気的に接続し、アモルファス酸化物系材料を含む第２連結部とを有し、第１連結部と第２連結部は、主面に直交する方向から見た平面視において、互いに交差しないように配置され、第１連結部には、隣り合う２つの第１透明電極上にそれぞれ配設される第１接続面を有し、第１接続面がそれぞれの第１透明電極と電気的に接続され、第２連結部には、隣り合う２つの第２透明電極上にそれぞれ配設される第２接続面を有し、第２接続面がそれぞれの第２透明電極と電気的に接続されることを特徴としている。
　第１連結部に第１接続面を設け、第２連結部に第２接続面を設け、それぞれの接続面（第１接続面又は第２接続面）を電気的接続の対象となる透明電極（第１透明電極、第２透明電極）上に配設することによって、第１透明電極と第１連結部の接触面積、及び、第２透明電極と第２連結部の接触面積をそれぞれ広くとることができる。これにより、導通安定性及びＥＳＤ耐性の低下を抑えることが可能となる。
　また、平面視において第１連結部と第２連結部が互いに交差しないように配置しているため、交差させる構成と比較して製造工程を簡略化することができる。
　本発明の静電容量式センサにおいて、第１連結部が形成される領域には、平面視において、第２透明電極の一部を覆う絶縁層が形成され、２つの第１透明電極を電気的に接続する第１連結部は、２つの第１透明電極に隣り合う第２透明電極上の絶縁層上に配置されることが好ましい。
　これにより、第１連結部が絶縁層を挟んで第２透明電極上に敷設されているので、平面視における第１連結部の面積を大きくとりやすくなる。このため、第１透明電極との接触面積を広く確保することができ、かつ、第１連結部の電気抵抗値を下げることができる。よって、導通安定性及びＥＳＤ耐性の低下を抑えることができる。
　本発明の静電容量式センサにおいて、第１連結部は、電気的な接続の対象となる２つの第１透明電極のそれぞれの上において、第１方向と交差する方向に沿って延びているパターンを有することが好ましい。
　これにより、第１連結部が、第１透明電極上において、第１方向と交差する方向に沿って延びているパターンを有しているので、第２連結部と交差しないように敷設される第１連結部のパターンを短くすることができる。このため、第１連結部の電気抵抗値を下げることができ、導通安定性及びＥＳＤ耐性の低下を抑えることができる。しかも、第１連結部と第１透明電極との接触面積を広くすることができる、すなわち、第１連結部の第１接続面を広くすることができる。このため、導通安定性及びＥＳＤ耐性の低下を抑えることができる。
　本発明の静電容量式センサにおいて、第１連結部は、電気的な接続の対象となる２つの第１透明電極のそれぞれの上において、第２方向に沿って延びているパターンを有するとともに、２つの第１透明電極に隣り合う２つの第２透明電極上のそれぞれの絶縁層上において、第１方向に沿って延びているパターンを有することが好ましい。
　これにより、平面視における第１連結部の面積を大きくとりやすくなるため、第１透明電極との接触面積を広く確保することができ、かつ、第１連結部の電気抵抗値を下げることができる。よって、導通安定性及びＥＳＤ耐性の低下を抑えることができる。
　本発明の静電容量式センサにおいて、絶縁層には、第２透明電極を臨み絶縁層を上下に貫通する第２スルーホールが形成され、第２スルーホールを介して、隣り合う第２透明電極が第２連結部で電気的に接続されていることが好ましい。
　これにより、絶縁層に設けられた第２スルーホールを介して、隣り合う第２透明電極が第２連結部で電気的に接続されているので、第２透明電極と隣り合う第１透明電極のパターン形状にかかわらず、第２連結部で隣り合う第２透明電極を容易に接続することができる。
　本発明の静電容量式センサにおいて、絶縁層は、平面視して、第１透明電極の一部を覆っており、絶縁層には、第１透明電極を臨み絶縁層を上下に貫通する第１スルーホールが形成され、第１スルーホールを介して、隣り合う第１透明電極が第１連結部で電気的に接続されていることが好ましい。
　これにより、絶縁層には、第２スルーホールに加え第１スルーホールが設けられて、第１連結部及び第２連結部が一様な絶縁層上に配置されるため、パターン形状の制約が少なくなり、これにより、導通安定性及びＥＳＤ耐性の低下を抑えることができる。また、略平面である絶縁層上に配置するため、連結部のパターンを精度よく形成することができる。
　本発明の静電容量式センサにおいて、第１透明電極及び第２透明電極上には、平面視において、第１連結部及び第２連結部を除く領域に、アモルファス酸化物系材料を含むパターン層が配置されていることが好ましい。
　これにより、連結部（第１連結部及び第２連結部）と同様の材質（アモルファス酸化物系材料）で同様の外観（反射性）を有するパターン層で透明電極（第１透明電極及び第２透明電極）が覆われているので、連結部を視認されづらくできる。
　本発明の静電容量式センサにおいて、パターン層は、第１連結部及び第２連結部の一方に電気的に接続され、他方とは絶縁されていることが好ましい。
　この構成によれば、パターン層を一方の連結部に電気的に接続させることによって、その連結部と、パターン層が配置された透明電極との接触面積を実質的に広くとることができ、これによって、導通安定性及びＥＳＤ耐性の低下を抑えることができる。
　本発明の静電容量式センサにおいて、複数の第１連結部で連結された複数の第１透明電極と電気的に接続された第１引出配線と、複数の第２連結部で連結された複数の第２透明電極と電気的に接続された第２引出配線と、を有し、互いに隣り合う第１透明電極と第１引出配線との間に、アモルファス酸化物系材料を含む第１抵抗設定部が形成されているとともに、互いに隣り合う第２透明電極と第２引出配線との間に、アモルファス酸化物系材料を含む第２抵抗設定部が形成されていることが好ましい。
　これにより、第１抵抗設定部及び第２抵抗設定部が設けられているので、第１抵抗設定部及び第２抵抗設定部のパターン面積及び形状を変えることによって、第１方向に沿った第１透明電極の群の抵抗と第２方向に沿った第２透明電極の群の抵抗とを揃えることができる。このため、１箇所に電流が集中することが避けられ、ＥＳＤ耐性の低下を抑えることができる。
　本発明の静電容量式センサにおいて、導電性ナノワイヤは、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、及び銅ナノワイヤよりなる群から選択された少なくとも１つであることが好ましい。
　これにより、透明電極の材料に例えばＩＴＯなどの酸化物系材料を用いた場合と比較して、静電容量式センサの変形性能を向上させることができるとともに、折り曲げ時の抵抗が上昇することをより抑えることができる。
　本発明の静電容量式センサにおいて、アモルファス酸化物系材料は、アモルファスＩＴＯ、アモルファスＩＺＯ、アモルファスＧＺＯ、アモルファスＡＺＯ、及びアモルファスＦＴＯよりなる群から選択された少なくとも１つであることが好ましい。
　これにより、ブリッジ配線部の材料に例えば結晶性ＩＴＯなどを用いた場合と比較して、静電容量式センサの変形性能を向上させることができるとともに、折り曲げ時の抵抗が上昇することを抑えることができる。また、ブリッジ配線部の材料に例えば導電性ナノワイヤなどを用いた場合と比較して、ブリッジ配線部の不可視性をより高めることができる。
　本発明によると、導通安定性及びＥＳＤ耐性が低下することを抑えることができる静電容量式センサを提供することができる。
本発明の実施形態に係る静電容量式センサの検出領域の一部を拡大して示す平面図である。 （ａ）は図１の領域Ａ１における透明電極の配置を示す平面図、（ｂ）は図２（ａ）に示す領域において絶縁層を設けた状態を示す平面図である。 （ａ）は図２（ｂ）に示す領域において、さらに第２連結部を設けた状態を示す平面図、（ｂ）は図３（ａ）に示す領域において第１連結部を設けた状態を示す平面図である。 （ａ）は図３（ｂ）の４Ａ－４Ａ’線における断面図、（ｂ）は図３（ｂ）の４Ｂ－４Ｂ’線における断面図である。 第１変形例における検出領域を拡大して示す平面図である。 は第２変形例の検出領域における透明電極と絶縁層の配置を拡大して示す平面図である。 （ａ）は図６に示す領域において、さらに第２連結部を設けた状態を示す平面図、（ｂ）は図７（ａ）に示す領域において第１連結部を設けた状態を示す平面図である。 （ａ）は図７（ｂ）の８Ａ－８Ａ’線における断面図、（ｂ）は図７（ｂ）の８Ｂ－８Ｂ’線における断面図である。 （ａ）は第２変形例の図７（ｂ）に示す８Ａ－８Ａ’線における断面図に相当する第３変形例における断面図、（ｂ）は第２変形例の図７（ｂ）に示す８Ｂ－８Ｂ’線における断面図に相当する第３変形例における断面図である。
　以下、本発明の実施形態に係る静電容量式センサについて図面を参照しつつ詳しく説明する。
　図１は、本実施形態に係る静電容量式センサ１０を示す構成図であり、その検出領域１１の一部を拡大して示す平面図である。なお、図１においては後述する第１連結部２０の図示を省略している。また、図２（ａ）は図１の領域Ａ１（後述する第１電極連結体１３Ｃと第２電極連結体１４Ｃとが交差する部分）における透明電極１３、１４の配置を示す平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）に示す領域Ａ１において絶縁層３０を設けた状態を示す平面図である。図３（ａ）は図２（ｂ）に示す領域Ａ１において、さらに第２連結部２１を設けた状態を示す平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）に示す領域Ａ１において第１連結部２０（斜線部）を設けた状態を示す平面図である。なお、図１ないし図３で示している透明電極１３及び透明電極１４は、絶縁領域１８を挟んで区切られた導電領域を示している。また、図４（ａ）は図３（ｂ）の４Ａ－４Ａ’線における断面図、（ｂ）は図３（ｂ）の４Ｂ－４Ｂ’線における断面図である。
　また、各図には、基準座標としてＸ－Ｙ－Ｚ座標が示されている。Ｚ１－Ｚ２方向は、Ｘ１－Ｘ２方向とＹ１－Ｙ２方向を含む面に垂直な方向であり、Ｚ１側を上側、Ｚ２側を下側と称することがある。以下の説明においては、Ｙ１－Ｙ２方向を第１方向、Ｙ１－Ｙ２方向に直交するように交差するＸ１－Ｘ２方向を第２方向とそれぞれ称するが、静電容量式センサの仕様等に応じて任意に変更することができる。また、Ｚ１－Ｚ２方向に沿ってＺ１側からＺ２側を見た状態を平面視ということがある。
　また、以下の説明において、「透明」及び「透光性」とは、可視光線透過率が５０％以上（好ましくは８０％以上）の状態を指す。さらに、ヘイズ値が６％以下であることが好適である。本願明細書において「遮光」及び「遮光性」とは、可視光線透過率が５０％未満（好ましくは２０％未満）の状態を指す。
　まず、本実施形態に係る静電容量式センサ１０の構成について説明する。
　静電容量式センサ１０は、図１又は図４（ａ）、（ｂ）に示すように、基材１２と、第１透明電極１３と、第２透明電極１４と、第１連結部２０と、第２連結部２１とを備える。図４（ａ）、（ｂ）に示すように、第１透明電極１３と第２透明電極１４は基材１２の表面１２ａ（主面）上に形成されている。図１に示すように、基材１２の検出領域１１において、第１透明電極１３は、第１方向としてのＹ１－Ｙ２方向に沿って複数配置され、第２透明電極１４は、第２方向としてのＸ１－Ｘ２方向に沿って複数配置されている。このように、第１透明電極１３と第２透明電極１４を同じ面（基材１２の表面１２ａ）に設けているため、静電容量式センサ１０の薄型化を実現することができる。
　図１に示すように、静電容量式センサ１０は、Ｚ１－Ｚ２方向においてＺ１側から見て、第１透明電極１３及び第２透明電極１４が配置された検出領域１１と、その外側に配置された非検出領域１７とを備える。検出領域１１は、指などの操作体により操作を行うことができる領域であり、非検出領域１７は、検出領域１１の外側に位置する額縁状の領域である。
　第１透明電極１３は、図１に示すように、平面視して矩形状に形成されており、Ｙ１－Ｙ２方向及びＸ１－Ｘ２方向に沿って複数並んで配置されている。そして、Ｙ１－Ｙ２方向において隣り合う２つの第１透明電極１３が第１連結部２０（図３（ｂ）を参照）を介して互いに電気的に接続されており、第１電極連結体１３Ｃを構成している。この第１電極連結体１３Ｃは、Ｘ１－Ｘ２方向において、絶縁領域１８を挟んで間隔を空けて複数配列されていることとなる。
　第２透明電極１４は、図１に示すように、平面視して矩形状に形成されており、Ｘ１－Ｘ２方向及びＹ１－Ｙ２方向に沿って複数並んで配置されている。そして、Ｘ１－Ｘ２方向において隣り合う２つの第２透明電極１４が第２連結部２１（図３（ａ）を参照）を介して互いに電気的に接続されており、第２電極連結体１４Ｃを構成している。この第２電極連結体１４Ｃは、Ｙ１－Ｙ２方向において、絶縁領域１８を挟んで間隔を空けて複数配列されていることとなる。このように、第１透明電極１３及び第２透明電極１４を、所謂ダイヤモンド型のパターンにすることによって、静電容量を検出するための電極を同一平面上に効率良く配置することができる。
　図２（ｂ）に示すように、２つの第１透明電極１３と２つの第２透明電極１４とが隣り合う領域では、Ｚ１－Ｚ２方向に沿ってＺ１側から見た平面視において、第１透明電極１３の一部と第２透明電極１４の一部を覆う絶縁層３０が設けられている。この絶縁層３０は、４つのパターン３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄが順に連結された平面視で矩形枠状のパターンを有する。
　第１パターン３０ａは、隣り合う２つの第１透明電極１３のうち、Ｙ１側の第１透明電極１３のＹ２側端部１３ａ（図２（ａ））を覆うように、Ｘ１－Ｘ２方向に沿って延びる。第２パターン３０ｂは、第１パターン３０ａのＸ１側端部からＹ１－Ｙ２方向に沿って延び、かつ、隣り合う２つの第２透明電極１４のうちのＸ１側の第２透明電極１４のＸ２側端部１４ａ（図２（ａ））を露出させるように形成されている。第３パターン３０ｃは、第２パターン３０ｂのＹ２側端部からＸ１－Ｘ２方向に沿って延び、Ｙ２側の第１透明電極１３のＹ１側端部１３ｂ（図２（ａ））を覆うように形成される。第４パターン３０ｄは、第１パターン３０ａと第３パターン３０ｃのＸ２側端部を結んでＹ１－Ｙ２方向に沿って延び、Ｘ２側の第２透明電極１４のＸ１側端部１４ｂを露出させるように形成されている。絶縁層３０が４つのパターン３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄを有することによって、Ｙ１－Ｙ２方向において隣り合う２つの第１透明電極１３の対向しあう端部１３ａ、１３ｂは絶縁層３０で覆われ、かつ、Ｘ１－Ｘ２方向において隣り合う２つの第２透明電極１４の対向しあう端部１４ａ、１４ｂは露出した状態となる。さらに、図２（ｂ）に示すように、絶縁層３０は、平面視において、中央に矩形状の開口３０ｓを有した矩形枠状のパターンとして形成される。
　図３（ａ）に示すように、平面視において絶縁層３０に重ならないように、絶縁層３０の開口３０ｓ（図２（ｂ）を参照）内に第２連結部２１が形成される。第２連結部２１は、Ｘ１－Ｘ２方向に延びて平面視長方形状をなしており、その長手方向の両端部の下面である第２接続面２１ａは、隣り合う２つの第２透明電極１４のそれぞれの上に配設されている（図４（ｂ））。これによって、隣り合う２つの第２透明電極１４は第２連結部２１を介して電気的に接続される。ここで、図３（ｂ）と図４（ａ）に示すように、第２連結部２１は絶縁層３０の開口３０ｓ内に配置されているため、対向しあう２つの第１透明電極１３のいずれにも接触していない。
　図３（ｂ）に示すように、第１連結部２０は、絶縁層３０上において、上記４つのパターン３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄに沿ったパターンを有して形成されている。さらに、図３（ｂ）と図４（ａ）に示すように、絶縁層３０のＹ１側の第１パターン３０ａ上の第１連結部２０は、その中央部から、Ｙ１側の第１透明電極１３上に至るまで延びるように形成され、これによって、Ｙ１側の第１透明電極１３と第１連結部２０とが電気的に接続される。また、絶縁層３０のＹ２側の第３パターン３０ｃ上の第１連結部２０は、その中央部から、Ｙ２側の第１透明電極１３上に至るまで延びるように形成され、これによって、Ｙ２側の第１透明電極１３と第１連結部２０とが電気的に接続される。別言すれば、図４（ａ）に示すように、第１連結部２０のＹ１側端部及びＹ２側端部のそれぞれの下面が、第１接続面２０ａとして、Ｙ１－Ｙ２方向において隣り合う２つの第１透明電極１３にそれぞれ接触している。
　一方、絶縁層３０のＸ１側の第２パターン３０ｂ上、及び、Ｘ２側の第４パターン３０ｄ上の第１連結部２０は、第２透明電極１４まで延ばすことなく、絶縁層３０の上のみに配設しているため、隣り合う２つの第２透明電極１４とは接続されていない。
　以上の配置により、Ｙ１－Ｙ２方向において隣り合う２つの第１透明電極１３が第１連結部２０を介して電気的に接続される。また、第１連結部２０と、絶縁層３０の開口３０ｓ内に形成された第２連結部２１とは、平面視において互いに交差しないように配置されており、互いに電気的に絶縁された状態となっている。
　つづいて、各構成部材について説明する。
　基材１２は、透光性を有し、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のフィルム状の透明基材や硼珪酸ガラス等のガラス基材等で形成される。フィルム状の透明基材を用いた場合には、静電容量式センサ１０の形状を曲面にしたり、あるいは静電容量式センサ１０を折り曲げ可能にしたりすることが容易にできる。また、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、基材１２の一方の表面１２ａ、すなわち、基材１２におけるＺ１－Ｚ２方向に沿った方向を法線とする主面のうちＺ１側に位置する主面には、第１透明電極１３及び第２透明電極１４が設けられている。第１透明電極１３と第２透明電極１４は互いに絶縁領域１８を挟んで離間しており、電気的に絶縁された状態で配置されている。
　第１透明電極１３及び第２透明電極１４は、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む材料により形成される。導電性ナノワイヤとしては、金属ナノワイヤである、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、及び銅ナノワイヤよりなる群から選択された少なくとも１つが用いられる。導電性ナノワイヤを含む材料を用いることで、高い透光性とともに低電気抵抗化を図ることができる。また、導電性ナノワイヤを含む材料を用いることで、静電容量式センサ１０の変形性能を向上させることができる。
　導電性ナノワイヤを含む材料は、導電性ナノワイヤと、透明な樹脂層と、を有する。導電性ナノワイヤは、樹脂層の中において分散されている。導電性ナノワイヤの分散性は、樹脂層により確保されている。透明な樹脂層の材料としては、例えば、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、及びポリウレタン樹脂などが挙げられる。複数の導電性ナノワイヤが少なくとも一部において互いに接触することにより、導電性ナノワイヤを含む材料の面内における導電性が保たれている。
　第１透明電極１３及び第２透明電極１４を電気的に絶縁された状態にしている絶縁領域１８は、透明な樹脂層中の導電性ナノワイヤがエッチング除去されて形成されている。
　ここで、導電性ナノワイヤとして、銀ナノワイヤを用いた場合の絶縁領域１８を作製する方法の一例を簡単に説明する。先ず、絶縁領域１８となる部分以外をエッチングレジストで覆い、絶縁領域１８の銀ナノワイヤをヨウ素ヨウ化塩溶液（例えばヨウ素ヨウ化カリウム溶液）で銀ヨウ化物にする。次に、この銀ヨウ化物をチオ硫酸塩溶液（例えばチオ硫酸ナトリウム溶液）でエッチング除去する。最後に、レジスト剥離液を用いてエッチングレジストを除去する。このようにして、透明な樹脂層中の銀ナノワイヤが極端に少ない領域が形成され、この部分の導電性が消失されて絶縁領域１８となる。なお、エッチング条件によっては、透明な樹脂層中の銀ナノワイヤが全く無い絶縁領域１８を作製することもできる。
　第１連結部２０と第２連結部２１は、透光性を有し、アモルファス酸化物系材料を含む材料により形成される。アモルファス酸化物系材料としては、アモルファスＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、アモルファスＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、アモルファスＧＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ－ｄｏｐｅｄ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、アモルファスＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ－ｄｏｐｅｄ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）及びアモルファスＦＴＯ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ－ｄｏｐｅｄ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）よりなる群から選択された少なくとも１つが用いられる。
　絶縁層３０としては、例えばノボラック樹脂（レジスト）が用いられる。
　図１に示すように、非検出領域１７には、各第１電極連結体１３Ｃに接続された複数の第１接続端部１５と、この第１接続端部１５から引き出された第１引出配線１５１と、各第２電極連結体１４Ｃに接続された複数本の第２接続端部１６と、この第２接続端部１６から引き出された第２引出配線１６１が形成されている。これらの引出配線１５１、１６１は、図１においては簡略に表示している。以下に述べるように、第１電極連結体１３Ｃは、２つの接続領域１５ａ、１５ｂ、第３連結部２２、及び、第１接続端部１５を介して第１引出配線１５１と電気的に接続され、第２電極連結体１４Ｃは、２つの接続領域１６ａ、１６ｂ、第４連結部２３、及び、第２接続端部１６を介して第２引出配線１６１と電気的に接続されている。
　各接続端部１５、１６、及び、各引出配線１５１、１６１は、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＣｕＮｉ合金、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ等の金属を有する材料により形成される。各引出配線１５１、１６１は、図示しないフレキシブルプリント基板と電気的に接続される。
　各接続領域１５ａ、１５ｂ、１６ａ、１６ｂは、ＩＴＯ、導電性ナノワイヤ等の透明導電性材料で形成される。第３連結部２２と第４連結部２３はアモルファス酸化物系材料を含む材料により形成される。
　接続領域１５ａは、第１透明電極１３と第２透明電極１４を互いに絶縁状態にしている絶縁領域１８と、この絶縁領域１８からＹ１－Ｙ２方向に沿って第１引出配線１５１側へ延びる２本の第１絶縁領域１８ａと、第１引出配線１５１側の非検出領域１７においてＸ１－Ｘ２方向に沿って延びる第２絶縁領域１８ｂとによって囲まれることで平面視略五角形状に形成される。この接続領域１５ａのＹ２側には、第２絶縁領域１８ｂによって接続領域１５ａと電気的に分離された接続領域１５ｂが設けられている。接続領域１５ａにおいては、互いに対向する２本の第１絶縁領域１８ａのＹ１－Ｙ２方向における長さや第２絶縁領域１８ｂのＹ１－Ｙ２方向における位置の調整などによって、その面積を変更でき、これによって、第１電極連結体１３Ｃに対応した抵抗値に調整することができる。
　接続領域１６ａは、絶縁領域１８と、この絶縁領域１８からＸ１－Ｘ２方向に沿って第２引出配線１６１側へ延びる２本の第１絶縁領域１９ａと、第２引出配線１６１側の非検出領域１７においてＹ１－Ｙ２方向に沿って延びる第２絶縁領域１９ｂとによって囲まれることで平面視略五角形状に形成される。この接続領域１６ａのＸ１側には、第２絶縁領域１９ｂによって接続領域１６ａと電気的に分離された接続領域１６ｂが設けられている。接続領域１６ａにおいては、互いに対向する２本の第１絶縁領域１９ａのＸ１－Ｘ２方向における長さや第２絶縁領域１９ｂのＸ１－Ｘ２方向における位置の調整などによって、その面積を変更でき、これによって、第２電極連結体１４Ｃに対応した抵抗値に調整することができる。
　第３連結部２２は、Ｙ１－Ｙ２方向に延びて平面視長方形状をなしており、その長手方向の両端部の下面が、隣り合う２つの接続領域１５ａ、１５ｂの上にそれぞれ配設される。これによって、隣り合う２つの接続領域１５ａ、１５ｂが第３連結部２２を介して電気的に互いに接続される。よって、各第１電極連結体１３Ｃが、それぞれに対応する、２つの接続領域１５ａ、１５ｂと第３連結部２２とを介して第１引出配線１５１と電気的に接続される。第３連結部２２は後述する第１連結部２０と第２連結部２１と同じ材料で構成されていてもよい。この場合には、第１連結部２０及び第２連結部２１と共通のプロセスにより第３連結部２２を同時に形成することができる。さらに、第３連結部２２の形状サイズを任意に設定することで、第１電極連結体１３Ｃに対応した配線の抵抗値を任意に調整することができる。
　第４連結部２３は、Ｘ１－Ｘ２方向に延びて平面視長方形状をなしており、その長手方向の両端部の下面が、隣り合う２つの接続領域１６ａ、１６ｂの上にそれぞれ配設される。これによって、隣り合う２つの接続領域１６ａ、１６ｂが第４連結部２３を介して電気的に互いに接続される。よって、各第２電極連結体１４Ｃが、それぞれに対応する、２つの接続領域１６ａ、１６ｂと第４連結部２３とを介して第２引出配線１６１と電気的に接続される。第４連結部２３は後述する第１連結部２０と第２連結部２１と同じ材料で構成されていてもよい。この場合には、第１連結部２０及び第２連結部２１と共通のプロセスにより第４連結部２３を同時に形成することができる。さらに、第４連結部２３の形状サイズを任意に設定することで、第２電極連結体１４Ｃに対応した配線の抵抗値を任意に調整することができる。
　静電容量式センサ１０においては、Ｚ１側から、操作体の一例として指を接触させると、指と指に近い第１透明電極１３との間、及び、指と指に近い第２透明電極１４との間で静電容量が生じる。静電容量式センサ１０は、このときの静電容量変化に基づいて、指の接触位置を算出することが可能である。静電容量式センサ１０は、指と第１電極連結体１３Ｃとの間の静電容量変化に基づいて指の位置のＸ座標（Ｘ１－Ｘ２方向の座標）を検出し、指と第２電極連結体１４Ｃとの間の静電容量変化に基づいて指の位置のＹ座標（Ｙ１－Ｙ２方向の座標）を検出する（自己容量検出型）。
　なお、静電容量式センサ１０は相互容量検出型であってもよい。すなわち、静電容量式センサ１０は、第１電極連結体１３Ｃ及び第２電極連結体１４Ｃのいずれか一方の電極の一列に駆動電圧を印加し、第１電極連結体１３Ｃ及び第２電極連結体１４Ｃの他方の電極と指との間の静電容量の変化を検出してもよい。これにより、静電容量式センサ１０は、他方の電極により指の位置のＹ座標を検出し、一方の電極により指の位置のＸ座標を検出する。
　ここで、一般に、透明電極が導電性ナノワイヤを含む材料により形成された場合には、透明電極とブリッジ配線部との接触面積が比較的狭くなることがある。すなわち、導電性ナノワイヤは、透明電極の表面に露出した導電性ワイヤによってブリッジ配線部との導電性を確保している。そのため、ブリッジ配線部の材料が導電性ナノワイヤを含む材料である場合には、透明電極とブリッジ配線部との接触は、ワイヤとワイヤとの点接触になる。あるいは、ブリッジ配線部の材料が例えばＩＴＯなどの酸化物系材料である場合には、透明電極とブリッジ配線部との接触は、ワイヤの線あるいは点と面との接触になる。これにより、透明電極の材料に導電性ナノワイヤを含む材料を用いると、透明電極とブリッジ配線部との接触面積が比較的狭くなることがあり、これによって導通安定性が低下することがある。また、静電気放電（ＥＳＤ；Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｓｔａｔｉｃ　Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）が発生し、大電流が透明電極とブリッジ配線部との接触部分に流れると、その接触部分が局所的に発熱して溶断することがある。つまり、透明電極の材料に導電性ナノワイヤを含む材料を用いると、静電容量式センサの変形性能が向上する一方で、導通安定性及びＥＳＤ耐性が低下することがある。また、ブリッジ配線部の材料に結晶性の酸化物系材料や金属系材料を用いると、折り曲げ時の抵抗が上昇したり、ブリッジ配線部が断線したりすることがある。
　これに対して、本実施形態に係る静電容量式センサ１０では、平面視において第１連結部２０と第２連結部２１が互いに交差しないように配置するとともに、第１連結部２０に第１接続面２０ａを設け、第２連結部２１に第２接続面２１ａを設け、それぞれの接続面を電気的接続の対象となる透明電極（第１透明電極１３、第２透明電極１４）上にそれぞれ配設している。これによって、第１透明電極１３と第１連結部２０の接触面積、及び、第２透明電極１４と第２連結部２１の接触面積をそれぞれ広くとることができ、導通安定性及びＥＳＤ耐性の低下を抑えることが可能となる。また、第１連結部２０と第２連結部２１を平面視において互いに交差しないように配置しているため、交差させる構成と比較して製造工程を簡略化することが可能となる。
　第１透明電極１３と第２透明電極１４は導電性ナノワイヤを含み、第１連結部２０と第２連結部２１はアモルファス酸化物系材料を含んでいる。このため、第１連結部２０と第２連結部２１の材料に結晶性の酸化物系材料や金属系材料を用いた場合と比較して、静電容量式センサ１０の変形性能を向上させることができるとともに、第１透明電極１３と第１連結部２０の密着性、及び、第２透明電極１４と第２連結部２１との密着性をそれぞれ確保することができる。また、折り曲げ時の抵抗が上昇することを抑えることができる。
　導電性ナノワイヤが金属ナノワイヤである金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、及び銅ナノワイヤよりなる群から選択された少なくとも１つである場合には、第１透明電極１３及び第２透明電極１４の材料に例えばＩＴＯなどの酸化物系材料を用いた場合と比較して、静電容量式センサ１０の変形性能を向上させることができるとともに、折り曲げ時の抵抗が上昇することをより抑えることができる。
　アモルファス酸化物系材料がアモルファスＩＴＯ、アモルファスＩＺＯ、アモルファスＧＺＯ、アモルファスＡＺＯ、及びアモルファスＦＴＯよりなる群から選択された少なくとも１つである場合には、第１連結部２０と第２連結部２１の材料に例えば結晶性ＩＴＯなどを用いた場合と比較して、静電容量式センサ１０の変形性能を向上させることができるとともに、折り曲げ時の抵抗が上昇することを抑えることができる。また、第１連結部２０と第２連結部２１の材料に例えば導電性ナノワイヤなどを用いた場合と比較して、第１連結部２０と第２連結部２１の不可視性をより高めることができる。
　図４（ｂ）に示すように、第１連結部２０が絶縁層３０を挟んで第２透明電極１４上に敷設されているので、平面視における第１連結部２０の面積を大きくとりやすくなる。このため、第１透明電極１３との接触面積を広く確保することができ、かつ、第１連結部２０の電気抵抗値を下げることができる。よって、導通安定性及びＥＳＤ耐性の低下を抑えることができる。
　第１連結部２０が、第１透明電極１３上において、第１方向と交差する第２方向に沿って延びているパターンを有しているので、第２連結部２１と交差しないように敷設される第１連結部２０のパターンを短くすることができる。このため、第１連結部２０の電気抵抗値を下げることができ、導通安定性及びＥＳＤ耐性の低下を抑えることができる。しかも、第１連結部２０と第１透明電極１３との接触面積を広くすることができ、又は、第１連結部２０の第１接続面２０ａを広くすることができるため、導通安定性及びＥＳＤ耐性の低下を抑えることができる。
　絶縁層３０を図３（ｂ）のような矩形枠状のパターンとすることにより、平面視における第１連結部２０の面積を大きくとりやすくなるため、第１透明電極１３との接触面積を広く確保することができ、かつ、第１連結部２０の電気抵抗値を下げることができる。よって、導通安定性及びＥＳＤ耐性の低下を抑えることができる。
　以下に変形例について説明する。
＜第１変形例＞
　図５は上記実施形態で前述した領域Ａ１における第１変形例を示す平面図である。上記実施形態では、第１連結部２０は、図３（ｂ）に示すように、平面視において、矩形枠状の絶縁層３０上に略矩形枠状に形成され、隣り合う２つの第２透明電極１４の両方の上を通るように配置されていた。これに代えて、第１変形例の第１連結部１２０は、図５に示すように、Ｘ１側の絶縁層３０上には形成せずにＸ２側の絶縁層３０のみの上に形成し、隣り合う２つの第２透明電極１４のうちのＸ２側のみの上を通るように配置している。この場合も、上記実施形態の第１連結部２０と同様に、絶縁層３０のＹ１側の第１パターン３０ａ上の第１連結部１２０は、その中央部から、Ｙ１側の第１透明電極１３上に至るまで延びるように形成され、これによって、Ｙ１側の第１透明電極１３と第１連結部１２０とが電気的に接続される。また、絶縁層３０のＹ２側の第３パターン３０ｃ上の第１連結部１２０は、その中央部から、Ｙ２側の第１透明電極１３上に至るまで延びるように形成され、これによって、Ｙ２側の第１透明電極１３と第１連結部１２０とが電気的に接続される。これらにより、第１連結部１２０のＹ１側端部及びＹ２側端部のそれぞれの下面（第１接続面）が、Ｙ１－Ｙ２方向において隣り合う２つの第１透明電極１３にそれぞれ接触する。
　ここで、“第１連結部”としては、上記実施形態の第１連結部２０や第１変形例の第１連結部１２０のように、第１方向（Ｙ１－Ｙ２方向）に直交する第２方向（Ｘ１－Ｘ２方向）に沿って、電気的な接続の対象となる２つの第１透明電極１３のそれぞれの上において延びる形態が好ましいが、第１方向と交差する方向であれば第１方向と直交しない方向であってもよい。また、第２透明電極１４上において、上記実施形態の第１連結部２０や第１変形例の第１連結部１２０のように、第１方向に沿って延びることが好ましいが、第２方向と一致しない方向に延びるように形成してもよい。
　このように、第１連結部が、電気的な接続の対象となる２つの第１透明電極１３のそれぞれの上において、第１方向と交差する方向に沿って延びることにより、第２連結部と交差しないように敷設される第１連結部のパターンを短くすることができる。このため、第１連結部の電気抵抗値を下げることができ、導通安定性及びＥＳＤ耐性の低下を抑えることができる。しかも、第１連結部と第１透明電極１３との接触面積を広くすることができ、第１連結部の第１接続面を広くすることができる。このため、導通安定性及びＥＳＤ耐性の低下を抑えることができる。
＜第２変形例＞
　図６は上記実施形態で前述した領域Ａ１における第２変形例であって、透明電極と絶縁層の配置を拡大して示す平面図である。図７（ａ）は図６に示す領域において、さらに第２連結部を設けた状態を示す平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）に示す領域において第１連結部を設けた状態を示す平面図である。図８（ａ）は図７（ｂ）の８Ａ－８Ａ’線における断面図、図８（ｂ）は図７（ｂ）の８Ｂ－８Ｂ’線における断面図である。
　第２変形例においては、図６、図７及び図８（ｂ）に示すように、絶縁層２３０をＺ１－Ｚ２方向に貫通するスルーホール２３１、２３２（第２スルーホール）が形成されており、このスルーホール２３１、２３２を介して隣り合う２つの第２透明電極１４が第２連結部２２１によって電気的に互いに接続される。ここで、第２連結部２２１の下面のうちでスルーホール２３１、２３２上に位置する面が第２接続面となり、この第２接続面は第２透明電極１４の上側に位置する。この構成によれば、電気的接続の対象となる２つの第２透明電極１４に隣り合う２つの第１透明電極１３のパターン形状にかかわらず、第２連結部２２１によって隣り合う第２透明電極１４を容易に接続することができる。
　第２変形例では、図６に示すように、２つの第１透明電極１３と２つの第２透明電極１４とが隣り合う領域についてＺ１－Ｚ２方向に沿ってＺ１側から見た平面視において、第１透明電極１３の一部と第２透明電極１４の一部を覆う絶縁層２３０が設けられている。この絶縁層２３０は、平面視矩形状をなしており、隣り合う２つの第２透明電極１４のそれぞれに対応する位置に２つのスルーホール２３１、２３２がそれぞれ形成されている。２つのスルーホール２３１、２３２は、Ｚ１－Ｚ２方向に沿って絶縁層２３０を貫通するように形成されている（図８（ｂ））。
　図７（ａ）に示すように、絶縁層２３０上には、Ｘ１－Ｘ２方向に延びる、平面視長方形状の第２連結部２２１が形成される。この第２連結部２２１は、長手方向の両端部が２つのスルーホール２３１、２３２をそれぞれ覆う位置まで延びている。この構成により、隣り合う２つの第２透明電極１４のうちＸ１側の第２透明電極１４が一方のスルーホール２３１を介して第２連結部２２１に電気的に接続され、Ｘ２側の第２透明電極１４が他方のスルーホール２３２を介して第２連結部２２１に電気的に接続され、これらの接続によって、隣り合う２つの第２透明電極１４が第２連結部２２１を介して電気的に接続される。
　さらに、図７（ｂ）に示すように、上記実施形態の第１連結部２０と同様に、絶縁層２３０上において、第２連結部２２１の外側を囲むように第１連結部２２０（斜線部）が形成される。図７（ｂ）と図８（ａ）に示すように、絶縁層２３０のＹ１側の第１パターン２３０ａ上の第１連結部２２０は、その中央部から、Ｙ１側の第１透明電極１３上に至るまで延びるように形成され、これによって、Ｙ１側の第１透明電極１３と第１連結部２２０とが電気的に接続される。また、絶縁層２３０のＹ２側の第３パターン２３０ｃ上の第１連結部２２０は、その中央部から、Ｙ２側の第１透明電極１３上に至るまで延びるように形成され、これによって、Ｙ２側の第１透明電極１３と第１連結部２２０とが電気的に接続される。別言すれば、第１連結部２２０のＹ１側端部及びＹ２側端部のそれぞれの下面が、第１接続面２２０ａとして、Ｙ１－Ｙ２方向において隣り合う２つの第１透明電極１３にそれぞれ接触している（図８（ａ））。
＜第３変形例＞
　図９（ａ）は第２変形例の図７（ｂ）に示す８Ａ－８Ａ’線における断面図に相当する第３変形例における断面図、図９（ｂ）は第２変形例の図７（ｂ）に示す８Ｂ－８Ｂ’線における断面図に相当する第３変形例における断面図である。つまり、図９（ａ）、（ｂ）は図８（ａ）、（ｂ）にそれぞれ対応する位置の断面図である。
　第３変形例においては、第２変形例のスルーホール２３１、２３２（第２スルーホール）に加えて、絶縁層２３０をＺ１－Ｚ２方向に貫通するスルーホール３４１、３４２（第１スルーホール）が設けられている。また、第１連結部３２０は、絶縁層２３０上において第２連結部２２１の外側を囲むように形成されているものの、上記実施形態の第１連結部２０、第１変形例の第１連結部１２０、及び、第２変形例の第１連結部２２０のように第１透明電極１３上まで延びてはおらず、第１透明電極１３とは接続されていない。
　スルーホール３４１、３４２は、隣り合う２つの第１透明電極１３のそれぞれに対応する位置にそれぞれ形成されている。さらに、スルーホール３４１、３４２は第１連結部３２０で覆われている。この構成により、隣り合う２つの第１透明電極１３のうちＹ１側の第１透明電極１３が一方のスルーホール３４１を介して第１連結部３２０に電気的に接続され、Ｙ２側の第１透明電極１３が他方のスルーホール３４２を介して第１連結部３２０に電気的に接続され、これらの接続によって、隣り合う２つの第１透明電極１３が第１連結部３２０を介して電気的に接続される。ここで、第１連結部３２０の下面のうちでスルーホール３４１、３４２上に位置する面が第１接続面となり、この第１接続面は第１透明電極１３の上側に位置する。さらに、絶縁層２３０に対して、スルーホール２３１、２３２（第２スルーホール）に加えてスルーホール３４１、３４２（第１スルーホール）を設ける構成により、第１連結部３２０及び第２連結部２２１が一様な絶縁層２３０上に配置されるため、パターン形状の制約が少なくなり、これにより、導通安定性及びＥＳＤ耐性の低下を抑えることができる。また、略平面である絶縁層２３０上に配置するため、第１連結部３２０及び第２連結部２２１のパターンを精度よく形成することができる。
　その他の変形例について説明する。以下、上記実施形態の変形例として説明するが、上記第１～第３変形例にも適用可能である。
　第１透明電極１３及び第２透明電極１４上であって、平面視において、第１連結部２０及び第２連結部２１を除く領域に、アモルファス酸化物系材料を含むパターン層を配置すると、このパターン層が第１連結部２０及び第２連結部２１と同様の外観又は反射性を有することにより、第１連結部２０及び第２連結部２１を視認されづらくできるため好ましい。さらに、このパターン層を、第１連結部２０及び第２連結部２１の一方に電気的に接続し、他方の連結部とは絶縁させると、パターン層が配置された透明電極と、これに対応する連結部との接触面積を実質的に広くとることができ、これによって、導通安定性及びＥＳＤ耐性の低下を抑えることができる。
　各接続領域１５ａ、１５ｂ、１６ａ、１６ｂ上においても、第３連結部２２及び第４連結部２３を除く領域に、アモルファス酸化物系材料を含むパターン層を配置すると、このパターン層が第３連結部２２及び第４連結部２３と同様の外観又は反射性を有することにより、第３連結部２２及び第４連結部２３を視認されづらくできるため好ましい。さらに、このパターン層を、第３連結部２２及び第４連結部２３にそれぞれ電気的に接続させると、パターン層が配置された接続領域と、これに対応する連結部との接触面積を実質的に広くとることができ、これによって、導通安定性及びＥＳＤ耐性の低下を抑えることができる。アモルファス酸化物系材料を含むパターン層は、接続領域１５ｂと第１接続端部１５との間および接続領域１６ｂと第２接続端部１６との間に設けられていてもよい。
　互いに隣り合う第１透明電極１３と第１引出配線１５１との間に、アモルファス酸化物系材料を含む第１抵抗設定部を形成するとともに、互いに隣り合う第２透明電極１４と第２引出配線１６１との間に、アモルファス酸化物系材料を含む第２抵抗設定部が形成されていることが好ましい。この構成において、第１抵抗設定部及び第２抵抗設定部のパターン面積及び形状を変えることによって、第１方向に沿った第１透明電極１３の群（第１電極連結体１３Ｃ）の抵抗と、第２方向に沿った第２透明電極１４の群（第２電極連結体１４Ｃ）の抵抗とを揃えることができる。このため、１箇所に電流が集中することが避けられ、ＥＳＤ耐性の低下を抑えることができる。
　本発明について上記実施形態を参照しつつ説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、改良の目的又は本発明の思想の範囲内において改良又は変更が可能である。
　以上のように、本発明に係る静電容量式センサは、導通安定性及びＥＳＤ耐性が低下することを抑えることができる点で有用である。
　１０　　　静電容量式センサ
　１１　　　検出領域
　１２　　　基材
　１２ａ　　表面（主面）
　１３　　　第１透明電極
　１３Ｃ　　第１電極連結体
　１４　　　第２透明電極
　１４Ｃ　　第２電極連結体
　１５　　　第１接続端部
　１５ａ、１５ｂ　接続領域
　１５１　　第１引出配線
　１６　　　第２接続端部
　１６ａ、１６ｂ　接続領域
　１６１　　第２引出配線
　１７　　　非検出領域
　１８　　　絶縁領域
　１８ａ、１９ａ　第１絶縁領域
　１８ｂ、１９ｂ　第２絶縁領域
　２０　　　第１連結部
　２０ａ　　第１接続面
　２１　　　第２連結部
　２１ａ　　第２接続面
　２２　　　第３連結部
　２３　　　第４連結部
　３０　　　絶縁層
　３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄ　パターン
　３０ｓ　　開口
　１２０　　第１連結部
　２２０　　第１連結部
　２２０ａ　第１接続面
　２２１　　第２連結部
　２３０　　絶縁層
　２３０ａ、２３０ｃ　パターン
　２３１、２３２　スルーホール（第２スルーホール）
　３２０　　第１連結部
　３４１、３４２　スルーホール（第１スルーホール）
　Ａ１　　　領域

Claims (11)

  1. 　透光性を有する基材と、
    　前記基材の一方の主面の検出領域において、第１方向に沿って並んで配置され、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む複数の第１透明電極と、
    　前記検出領域において、前記第１方向と交差する第２方向に沿って並んで配置され、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む複数の第２透明電極と、
    　隣り合う２つの前記第１透明電極を互いに電気的に接続し、アモルファス酸化物系材料を含む第１連結部と、
    　隣り合う２つの前記第２透明電極を互いに電気的に接続し、アモルファス酸化物系材料を含む第２連結部とを有し、
    　前記第１連結部と前記第２連結部は、前記主面に直交する方向から見た平面視において、互いに交差しないように配置され、
    　前記第１連結部には、隣り合う２つの前記第１透明電極上にそれぞれ配設される第１接続面を有し、
    該第１接続面がそれぞれの前記第１透明電極と電気的に接続され、
    　前記第２連結部には、隣り合う２つの前記第２透明電極上にそれぞれ配設される第２接続面を有し、該第２接続面がそれぞれの前記第２透明電極と電気的に接続されることを特徴とする静電容量式センサ。
  2. 　前記第１連結部が形成される領域には、前記平面視において、前記第２透明電極の一部を覆う絶縁層が形成され、
    　２つの前記第１透明電極を電気的に接続する前記第１連結部は、該２つの前記第１透明電極に隣り合う前記第２透明電極上の前記絶縁層上に配置されることを特徴とする請求項１に記載の静電容量式センサ。
  3. 　前記第１連結部は、電気的な接続の対象となる２つの前記第１透明電極のそれぞれの上において、前記第１方向と交差する方向に沿って延びているパターンを有することを特徴とする請求項２に記載の静電容量式センサ。
  4. 　前記第１連結部は、電気的な接続の対象となる２つの前記第１透明電極のそれぞれの上において、前記第２方向に沿って延びているパターンを有するとともに、該２つの前記第１透明電極に隣り合う２つの前記第２透明電極上のそれぞれの前記絶縁層上において、前記第１方向に沿って延びているパターンを有することを特徴とする請求項３に記載の静電容量式センサ。
  5. 　前記絶縁層には、前記第２透明電極を臨み該絶縁層を上下に貫通する第２スルーホールが形成され、
    　該第２スルーホールを介して、隣り合う前記第２透明電極が前記第２連結部で電気的に接続されていることを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の静電容量式センサ。
  6. 　前記絶縁層は、前記平面視して、前記第１透明電極の一部を覆っており、
    　前記絶縁層には、前記第１透明電極を臨み該絶縁層を上下に貫通する第１スルーホールが形成され、
    　該第１スルーホールを介して、隣り合う前記第１透明電極が前記第１連結部で電気的に接続されていることを特徴とする請求項５に記載の静電容量式センサ。
  7. 　前記第１透明電極及び前記第２透明電極上には、前記平面視において、前記第１連結部及び前記第２連結部を除く領域に、アモルファス酸化物系材料を含むパターン層が配置されていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の静電容量式センサ。
  8. 　前記パターン層は、前記第１連結部及び前記第２連結部の一方に電気的に接続され、他方とは絶縁されていることを特徴とする請求項７に記載の静電容量式センサ。
  9. 　複数の前記第１連結部で連結された複数の前記第１透明電極と電気的に接続された第１引出配線と、
    複数の前記第２連結部で連結された複数の前記第２透明電極と電気的に接続された第２引出配線と、を有し、
    　互いに隣り合う前記第１透明電極と前記第１引出配線との間に、アモルファス酸化物系材料を含む第１抵抗設定部が形成されているとともに、
    互いに隣り合う前記第２透明電極と前記第２引出配線との間に、アモルファス酸化物系材料を含む第２抵抗設定部が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の静電容量式センサ。
  10. 　前記導電性ナノワイヤは、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、及び銅ナノワイヤよりなる群から選択された少なくとも１つであることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の静電容量式センサ。
  11. 　前記アモルファス酸化物系材料は、アモルファスＩＴＯ、アモルファスＩＺＯ、アモルファスＧＺＯ、アモルファスＡＺＯ、及びアモルファスＦＴＯよりなる群から選択された少なくとも１つであることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の静電容量式センサ。
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