CN111265906B - 一种制备6n高纯硫的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于高纯材料制备领域,具体为一种制备6N高纯硫的方法。该方法以98%‑98.5%的工业硫为原料,步骤为:1)将石英外管装入蒸馏炉炉膛内,接上冷却水;2)将原料硫装入石英料斗内后将料斗装入石英外管底部;3)将3个石英锥形管装入石英外管内后盖上真空压盖;4)开启真空系统和冷却水,开启加热,控制料斗温度、升温时间和埚底残留量;5)待停炉冷却至室温后,将上部锥形管冷凝的硫从上往下约100mm长作为尾料去除掉,得上部锥形管剩余和中部锥形管蒸馏产物—5N高纯硫;将5N高纯硫作为蒸馏原料重复上述1)至5),得6N高纯硫。该方法操作简单、成本较低,环境污染小,可制备出质量稳定的6N高纯硫,产出率可达88%以上。
Description
技术领域
本发明属于高纯材料制备领域,具体为一种制备6N高纯硫的方法。
背景技术
硫广泛用于有机化工,染料合成及医药工业。另外,硫还用于制造半导体物质和各种新技术部分所需要的晶体。随着电子技术的发展,对硫醇度的要求就越来越高。
高纯硫是指纯度在5N及以上的硫,高纯硫主要用于制备Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,光电器件,玻璃半导体元件,太阳能电池以及分析标样。随着电子技术的发展,对硫纯度的要求越来越高,硫的纯度越高,硫中杂质对其所制备的半导体器件性能影响越小。目前高纯硫的制备主要化学法和蒸馏法,化学法制备高纯硫的过程中由于会用到较多的化学试剂,化学试剂会引入新的杂质,难以将硫提纯至6N。传统蒸馏法的蒸馏温度较高,在230℃以上,蒸馏温度越高,硫蒸汽压越大,由于硫蒸汽具有高化学活性,强腐蚀性,对人体和环境危害较大。由此,急需一种简单有效制备6N高纯硫的方法来解决上述技术问题,获得一种环保、高效的高纯硫材料。
发明内容
本发明的目的是针对上述技术问题,提供一种制备6N高纯硫的方法。该方法操作简单、成本较低,环境污染小,能有效的解决上述现有技术中存在的问题。
为了实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:
一种蒸馏炉,包括蒸馏炉炉膛和石英外管,其中所述石英外管的一部分设置蒸馏炉炉膛内,在另外一部分留在蒸馏炉炉膛外的石英外管上设置冷却水套,在石英外管的底部装填入石英料斗,在石英外管内的石英料斗上装填石英锥形管,在石英外管入口设置真空压盖。
可根据实际生产需要使用不同尺寸的石英管设备;作为优选,石英外管的尺寸为φ120*1400mm;所述石英锥形管的数量为3根,长度均为330mm,分别为上部石英锥形管、中部石英锥形管和下部石英锥形管;每一根石英锥形管的大小一致,依次排列。
作为优选,冷却水套的长度为100mm。
利用以上蒸馏炉制备6N高纯硫的方法,该方法以98%-98.5%的工业硫为原料,具体包括如下步骤:
第一步,将石英外管装入蒸馏炉炉膛内,并将冷却水套接上冷却水;
第二步,称取一定重量(4-5kg)的原料硫装入石英料斗内,并将装有原料的石英料斗装入石英外管底部;
第三步,依次将3个石英锥形管装入内,并盖上真空压盖;
第四步,开启真空系统,待真空度达到5×10-4Pa时,开启石英外管冷却水套的冷却水,并开启加热装置。蒸馏炉采用一段加热,控制料斗温度140℃—160℃,升温时间20—25min,恒温8-12h(具体恒温时间根据投料多少而定),埚底残留量控制4%—6%;
第五步,待停炉冷却至室温后,依次取出石英锥形管和料斗,硫冷凝在上部和中部两个石英锥形管,将上部石英锥形管冷凝的硫从上往下约100mm长作为尾料去除掉。取出上部锥形管剩余和中部锥形管蒸馏产物—5N高纯硫。
第六步,将第五步的蒸馏产物5N高纯硫作为蒸馏原料重复上述第一步至第五步,得到6N高纯硫。
作为一种优选方式,将整个蒸馏炉倾斜放置,与地面成约30°的倾斜角,一方面可以便于出装炉,另一方面在相同的垂直高度内,相对于竖直放置方式,可以获得更大的冷凝面积,从而可以降低蒸馏温度。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:
(一)通过本发明所述蒸馏方法可制备出质量稳定的6N高纯硫,以98%-98.5%的工业硫为原料可制备出质量稳定的6N高纯硫,产出率可达88%以上。
(二)在本发明中蒸馏管使用高纯度石英管材,避免了硫在蒸馏过程中的沾污。
(三)由于本发明的蒸馏温度较低,蒸馏工艺在140℃—160℃的温度下进行,本发明所涉及的蒸馏工艺对人体和环境危害也较小;故本发明为一种环保、高效的高纯硫制备方法。
附图说明
图1是本发明高纯硫蒸馏工艺方法的蒸馏炉结构示意图。
其中,1—蒸馏炉,2—石英外管,3—石英料斗,4—石英锥形管,5—冷却水套。
具体实施方式
下为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本说明书中公开的所有特征,或公开的所有方法或过程中的步骤,除了相互排斥的特质和/或步骤以外,均可以以任何方式组合,除非特别叙述,均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换,即,除非特别叙述,每个特征之一系列等效或类似特征中的一个实施例而已。
以下实施例中采用的蒸馏炉,包括蒸馏炉炉膛和石英外管,其中石英外管的部分(总长度的二分之一)装填在石英外管内,在蒸馏炉炉膛外的石英外管的外侧设置冷却水套,在石英外管内侧的底部装填入石英料斗,然后在石英外管内的石英料斗上装填石英锥形管,在石英外管入口设置真空压盖。
石英锥形管为3根,分别为上部石英锥形管、中部石英锥形管和下部石英锥形管。
石英外管的尺寸为φ120*1400mm;所述石英锥形管的数量(4)为3根,长度均为330mm,分别为上部石英锥形管、中部石英锥形管和下部石英锥形管;每一根石英锥形管的大小一致,依次排列。
冷却水套的长度为100mm。
蒸馏炉倾斜放置,与地面成约30°的倾斜角。
利用以上蒸馏炉制备6N高纯硫的方法,该方法以98%-98.5%的工业硫为原料,具体包括如下步骤:
第一步,将石英外管装入蒸馏炉炉膛内,并将冷却水套接上冷却水;
第二步,称取一定重量(4-5kg)的原料硫装入石英料斗内,并将装有原料的石英料斗装入石英外管底部;
第三步,依次将3个石英锥形管装入内,并盖上真空压盖;
第四步,开启真空系统,待真空度达到5×10-4Pa时,开启石英外管冷却水套的冷却水,并开启加热。蒸馏炉采用一段加热,控制料斗温度140℃—160℃,升温时间20—25min,恒温8-12h(具体恒温时间根据投料多少而定),埚底残留量控制5%—6%;
第五步,待停炉冷却至室温后,依次取出石英锥形管和料斗,硫冷凝在上部和中部两个石英锥形管,将上部石英锥形管冷凝的硫从上往下约100mm长作为尾料去除掉。取出上部锥形管剩余和中部锥形管蒸馏产物—5N高纯硫。
第六步,将第五步的蒸馏产物5N高纯硫作为蒸馏原料重复上述第一步至第五步,得到6N高纯硫。
本申请中所采用的%,如无特殊说明,均表示其质量百分含量。
实施例1:
一种制备6N高纯硫的方法,该方法中的蒸馏炉采用具体实施方式中记载的结构,具体包括如下步骤:
第一步,将石英外管装入蒸馏炉炉膛内,并将冷却水套接上冷却水;
第二步,称取4.3kg纯度为98%的工业硫作为原料装入石英料斗内,并将装有原料的石英料斗装入石英外管底部;
第三步,依次将3个石英锥形管装入石英外管内,并盖上真空压盖;
第四步,开启真空系统,待真空度达到5×10-4Pa时,开启石英外管冷却水套的冷却水,并开启加热。蒸馏炉采用一段加热,控制料斗温度150℃,升温时间20min,恒温时间10h;
第五步,待停炉冷却至室温后,依次取出石英锥形管和料斗,硫冷凝在上部和中部两个石英锥形管,将上部锥形管冷凝的硫从上往下约100mm长作为尾料去除掉。取出上部锥形管剩余和中部锥形管蒸馏产物——5N高纯硫,料斗剩余硫为0.24kg,残留量为5.6%。
将上一步蒸馏产物5N高纯硫作为蒸馏原料重复上述第一步至第五步,得到6N高纯硫。
实施例2:
一种制备6N高纯硫的方法,该方法包括如下步骤:
第一步,将石英外管装入蒸馏炉炉膛内,并将冷却水套接上冷却水;
第二步,称取4.5kg纯度为98%的工业硫作为原料装入石英料斗内,并将装有原料的石英料斗装入石英外管底部;
第三步,依次将3个石英锥形管装入石英外管内,并盖上真空压盖;
第四步,开启真空系统,待真空度达到5×10-4Pa时,开启石英外管冷却水套的冷却水,并开启加热。蒸馏炉采用一段加热,控制料斗温度155℃,升温时间25min,恒温时间11h;
第五步,待停炉冷却至室温后,依次取出石英锥形管和料斗,硫冷凝在上部和中部两个石英锥形管,将上部锥形管冷凝的硫从上往下约100mm长作为尾料去除掉。取出上部锥形管剩余和中部锥形管蒸馏产物——5N高纯硫,料斗剩余硫为0.27kg,残留量为6%。
将上述一次蒸馏产物5N高纯硫作为蒸馏原料重复上述第一步至第五步,得到6N高纯硫。
对比例1:
采用与实施例1同样的装置、步骤和参数进行6N高纯硫的制备,仅改变料斗的温度为140℃,结果取出上部锥形管剩余和中部锥形管蒸馏产物——5N高纯硫,料斗剩余硫为0.24kg,残留量为5.6%。
对比例2:
采用与实施例1同样的装置、步骤和参数进行6N高纯硫的制备,仅改变料斗的温度为170℃,结果取出上部锥形管剩余和中部锥形管蒸馏产物——5N高纯硫,料斗剩余硫为0.27kg,残留量为6%。
对比例3:
在专利2007100498892(申请号)中采用升华法,以纯度99%硫为原料,制备5N高纯硫,制备回收率为75%-78%。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.利用蒸馏炉制备6N高纯硫的方法,其特征在于该方法以纯度为98%-98.5%的工业硫为原料,采用的蒸馏炉包括蒸馏炉炉膛(1)和石英外管(2),所述石英外管(2)的一部分设置蒸馏炉炉膛(1)内,在另外一部分留在蒸馏炉炉膛(1)外的石英外管(2)上设置冷却水套(5),在石英外管(2)的底部装填入石英料斗(3),在石英外管(2)内的石英料斗(3)上装填石英锥形管(4),在石英外管(2)入口设置真空压盖;所述石英锥形管的数量(4)为3根,每一根石英锥形管的大小一致,依次排列;
具体包括如下步骤:
第一步,将石英外管装入蒸馏炉炉膛内,并将冷却水套与冷却水管连通,使冷却水套接上冷却水;
第二步,称取一定重量的原料工业硫装入石英料斗内,并将装有原料的石英料斗装入石英外管底部;
第三步,依次将3个石英锥形管装入石英外管内,并盖上真空压盖;
第四步,开启真空系统,待真空度达到5×10-4Pa时,开启石英外管冷却水套的冷却水,并开启加热装置;蒸馏炉采用一段加热,控制料斗温度140℃-160℃,升温时间20-25min,恒温8-12h,埚底残留量控制5%-6%;
第五步,待停炉冷却至室温后,依次取出石英锥形管和料斗,硫冷凝在上部和中部两个石英锥形管,将上部锥形管冷凝的硫从上往下的100mm长作为尾料去除掉;取出上部锥形管剩余物和中部锥形管剩余物,即为蒸馏产物——5N高纯硫;
第六步,将第五步蒸馏产物5N高纯硫作为蒸馏原料重复上述第一步至第五步,得到6N高纯硫。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:石英外管的尺寸为φ100*1200mm。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述石英锥形管的长度为330mm。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于:冷却水套的长度为100mm。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于:将所述的蒸馏炉倾斜放置,蒸馏炉炉膛(1)的中心与地面成30°的倾斜角。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于:原料工业硫装入石英料斗,其装入量为4-5kg。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202010097473.3A CN111265906B (zh) | 2020-02-17 | 2020-02-17 | 一种制备6n高纯硫的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111265906A CN111265906A (zh) | 2020-06-12 |
CN111265906B true CN111265906B (zh) | 2022-04-12 |
Family
ID=70991143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010097473.3A Active CN111265906B (zh) | 2020-02-17 | 2020-02-17 | 一种制备6n高纯硫的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111265906B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112391610B (zh) * | 2021-01-21 | 2021-04-13 | 北京凯德石英股份有限公司 | 石英冷却管及其生产设备 |
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-
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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