CN111212831A

CN111212831A - 含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂及磁记录介质

Info

Publication number: CN111212831A
Application number: CN201880067135.6A
Authority: CN
Inventors: 加藤刚; 柳生大辅; 福本直也; 山口裕太; 栗谷真澄; 室伏克己; 南口晋毅; 富田浩幸
Original assignee: Showa Denko KK
Current assignee: Resonac Holdings Corp
Priority date: 2017-10-31
Filing date: 2018-08-28
Publication date: 2020-05-29
Anticipated expiration: 2038-08-28
Also published as: JPWO2019087548A1; JP7177782B2; CN111212831B; US11180457B2; US20200283392A1; WO2019087548A1

Abstract

本发明提供可以形成即使厚度薄也具有优异的耐磨损性的润滑层，适合作为磁记录介质用润滑剂的材料的含氟醚化合物。式(1)所示的含氟醚化合物。R¹‑R²‑CH₂‑R³‑CH₂‑R⁴‑R⁵(1)(在式(1)中，R³为全氟聚醚链。R¹为与R²结合的末端基，R⁵为与R⁴结合的末端基。R¹为烯基或炔基，R⁵为包含杂环的基团。R²由下述式(2)表示，R⁴由下述式(3)表示。式(2)中的a和式(3)中的b各自独立地为整数1～3。)

Description

含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂及磁记录介质

技术领域

本发明涉及适合于磁记录介质的润滑剂用途的含氟醚化合物、包含该含氟醚化合物的磁记录介质用润滑剂以及磁记录介质。

本申请基于2017年10月31日在日本申请的特愿2017-210678号来主张优先权，将其内容援用到本文中。

背景技术

为了使磁记录再生装置的记录密度提高，适于高记录密度的磁记录介质的开发进展。

以往，作为磁记录介质，有在基板上形成记录层，在记录层上形成了碳等保护层的磁记录介质。保护层保护记录于记录层的信息，并且提高磁头的滑动性。然而，仅在记录层上设置保护层，不能充分地获得磁记录介质的耐久性。因此，一般而言，在保护层的表面涂布润滑剂而形成润滑层。

作为在形成磁记录介质的润滑层时使用的润滑剂，提出了例如，含有具有包含CF₂的重复结构的氟系聚合物的润滑剂(例如，参照专利文献1～2)。

例如，在专利文献1中公开了末端具有杂环的全氟聚醚衍生物。此外，在专利文献2中公开了氟烷基与烯基被具有极性基的亚烷基连接了的含氟化合物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-33253号公报

专利文献2：日本专利第2866622号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在磁记录再生装置中，要求使磁头的上浮量更加小。因此，要求使磁记录介质中的润滑层的厚度更薄。

然而，一般而言如果使润滑层的厚度薄，则有润滑层的被覆性降低，磁记录介质的耐磨损性降低的倾向。

本发明是鉴于上述情况而提出的，其课题是提供可以形成即使厚度薄也具有优异的耐磨损性的润滑层，可以适合用作磁记录介质用润滑剂的材料的含氟醚化合物。

此外，本发明的课题是提供包含本发明的含氟醚化合物的磁记录介质用润滑剂。

此外，本发明的课题是提供具有包含本发明的含氟醚化合物的润滑层的具有优异的可靠性和耐久性的磁记录介质。

用于解决课题的手段

本发明人为了解决上述课题而反复进行了深入研究。

其结果发现，只要制成在全氟聚醚链与分子的第1末端基之间、全氟聚醚链与第2末端基之间分别配置具有特定结构的连接基，该具有特定结构的连接基为将醚键(-O-)与亚甲基(-CH₂-)与1个氢原子被羟基取代了的亚甲基(-CH(OH)-)组合了的连接基，且第1末端基为烯基或炔基，第2末端基为包含杂环的基团的含氟醚化合物即可，从而想到了本发明。

即，本发明涉及以下事项。

[1]一种含氟醚化合物，其特征在于，由下述式(1)表示。

R¹-R²-CH₂-R³-CH₂-R⁴-R⁵ (1)

(在式(1)中，R³为全氟聚醚链。R¹为与R²结合的末端基，R⁵为与R⁴结合的末端基。R¹为烯基或炔基，R⁵为包含杂环的基团。R²由下述式(2)表示，R⁴由下述式(3)表示。式(2)中的a和式(3)中的b各自独立地为整数1～3。)

[2]根据[1]所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的R¹为碳原子数2～8的烯基或碳原子数3～8的炔基。

[3]根据[1]所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的R¹为选自烯丙基、丁烯基、戊烯基、炔丙基中的任一者。

[4]根据[1]～[3]中任一项所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的R⁵为选自包含噻吩环的基团、包含噻唑环的基团、包含吡唑环的基团中的任一者。

[5]根据[1]～[4]中任一项所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的R³为下述式(4)～(6)中的任一者。

-CF₂O-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CF₂- (4)

(式(4)中的(4)m、n表示平均聚合度，分别表示0～30。其中，m或n为0.1以上。)

-CF(CF₃)-(OCF(CF₃)CF₂)_y-OCF(CF₃)- (5)

(式(5)中的y表示平均聚合度，表示0.1～30。)

-CF₂CF₂O-(CF₂CF₂CF₂O)_z-CF₂CF₂-(6)

(式(6)中的z表示平均聚合度，表示0.1～30。)

[6]根据[1]～[5]中任一项所述的含氟醚化合物，其数均分子量在500～10000的范围内。

[7]一种磁记录介质用润滑剂，其特征在于，包含[1]～[6]中任一项所述的含氟醚化合物。

[8]一种磁记录介质，其特征在于，是在基板上至少依次设置有磁性层、保护层和润滑层的磁记录介质，上述润滑层包含[1]～[6]中任一项所述的含氟醚化合物。

[9]根据[8]所述的磁记录介质，上述润滑层的平均膜厚为0.5nm～2nm。

发明的效果

本发明的含氟醚化合物适合作为磁记录介质用润滑剂的材料。

本发明的磁记录介质用润滑剂由于包含本发明的含氟醚化合物，因此可以形成即使厚度薄也可获得优异的耐磨损性的润滑层。

本发明的磁记录介质由于设置有具有优异的耐磨损性的润滑层，因此具有优异的可靠性和耐久性。

附图说明

图1是显示本发明的磁记录介质的一实施方式的概略截面图。

具体实施方式

以下，对本发明的含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂(以下，有时简写为“润滑剂”。)和磁记录介质进行详细地说明。需要说明的是，本发明不仅仅限定于以下所示的实施方式。

[含氟醚化合物]

本实施方式的含氟醚化合物由下述式(1)表示。

R¹-R²-CH₂-R³-CH₂-R⁴-R⁵ (1)

这里，对在使用包含本实施方式的含氟醚化合物的润滑剂，在磁记录介质的保护层上形成了润滑层的情况下，即使厚度薄，也可获得优异的耐磨损性的理由进行说明。

如式(1)所示，本实施方式的含氟醚化合物具有R³所示的全氟聚醚链(以下有时简写为“PFPE链”。)。PFPE链在包含本实施方式的含氟醚化合物的润滑层中，被覆保护层的表面，并且向润滑层赋予润滑性而使磁头与保护层的摩擦力降低。

此外，式(1)所示的含氟醚化合物为两末端基(R¹、R⁵)分别不同的不对称的化合物。具体而言，分子的第1末端基(R¹)为烯基或炔基，第2末端基(R⁵)为包含杂环的基团。因此，式(1)所示的含氟醚化合物通过两末端分别结合的具有不同功能的末端基(R¹、R⁵)的协同效果，从而与两末端结合有相同末端基的化合物相比，可获得优异的耐磨损性。

此外，在式(1)所示的含氟醚化合物中，R²由上述式(2)表示，R⁴由上述式(3)表示。

因此，式(1)所示的含氟醚化合物在R²和R⁴中分别包含1个以上羟基。R²和R⁴所包含的羟基在包含本实施方式的含氟醚化合物的润滑层中，使含氟醚化合物与保护层密合，使耐磨损性提高。因此推定，包含上述含氟醚化合物的润滑剂可以形成即使使厚度薄，也具有优异的耐磨损性的润滑层。

此外，推定包含本实施方式的含氟醚化合物的润滑层中，含氟醚化合物内的相互作用(例如氢键)小，含氟醚化合物的末端基(R¹、R⁵)、以及R²和R⁴所包含的羟基与保护层的亲和性高，可获得良好的耐磨损性。

R²为二价连接基，由上述式(2)表示。式(2)中的a为整数1～3，可以根据包含含氟醚化合物的润滑剂所要求的性能等而适当选择。式(2)中的a优选为整数1～2。如果式(2)中的a为1以上，则在包含含氟醚化合物的润滑层中，可以使含氟醚化合物与保护层的密合性提高。如果式(2)中的a为3以下，则含氟醚化合物的极性不会过高，可以防止发生作为异物(污渍)而附着于磁头的粘着(pick up)。

R⁴为二价连接基，由上述式(3)表示。式(3)中的b为整数1～3，可以根据包含含氟醚化合物的润滑剂所要求的性能等而适当选择。式(3)中的b优选为整数1～2。如果式(3)中的b为1以上，则在包含含氟醚化合物的润滑层中，可以使含氟醚化合物与保护层的密合性提高。如果式(3)中的b为3以下，则含氟醚化合物的极性不会过高，可以防止发生作为异物(污渍)而附着于磁头的粘着。

对于本实施方式的含氟醚化合物，R²所包含的羟基(-OH)的数与R⁴所包含的羟基的数的合计为2以上，优选为3以上。在本实施方式中，由于R²和R⁴中分别包含1个以上羟基，因此在包含含氟醚化合物的润滑层中，含氟醚化合物与保护层的密合性变得良好。R²所包含的羟基的数与R⁴所包含的羟基的数的合计为6以下，优选为4以下。如果R²所包含的羟基的数与R⁴所包含的羟基的数的合计为6以下，则含氟醚化合物的极性不会过高，可以防止发生作为异物(污渍)而附着于磁头的粘着。

在式(1)所示的含氟醚化合物中，R²与R⁴可以相同，也可以不同。

在上述式(1)所示的本实施方式的含氟醚化合物中，R¹为与R²结合的末端基，R⁵为与R⁴结合的末端基。R¹与R⁵不同。

R¹为烯基或炔基，R⁵为包含杂环的基团。因此，式(1)所示的含氟醚化合物可获得R¹与R⁵的协同效果。例如，在R¹为烯基的情况下，可获得烯基的SP2键与保护层的高亲和性、与包含杂环的基团的杂原子与保护层的高亲和性的协同效果。其结果，成为可以形成具有更优异的耐磨损性的润滑层的含氟醚化合物。

在式(1)所示的含氟醚化合物中，R¹为烯基或炔基。烯基或炔基与保护层的亲和性高。

在R¹为烯基的情况下，优选烯基所具有的双键配置在距R²最远的位置。此外，在R¹为烯基的情况下，优选为碳原子数2～8的烯基，具体而言，优选为选自乙烯基、烯丙基(丙烯基)、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基中的任一者，更优选为选自烯丙基、丁烯基、戊烯基中的任一者。如果R¹为碳原子数2～8的烯基，则R²所包含的羟基到R¹的末端的原子的距离变得适当，在包含该含氟醚化合物的润滑层中显示与保护层的良好的相互作用，因此是优选的。

在R¹为炔基的情况下，优选炔基所具有的三键配置在距R²最远的位置。此外，在R¹为炔基的情况下，优选为碳原子数3～8的炔基，更优选为选自丙炔基(CH₃-C≡C-)、炔丙基(HC≡CCH₂-)、丁炔基、甲基丁炔基、戊炔基、甲基戊炔基、己炔基、庚炔基、辛炔基中的任一者，特别优选为炔丙基。如果R¹为碳原子数3～8的炔基，则R²所包含的羟基到R¹的末端的原子的距离变得适当，在包含该含氟醚化合物的润滑层中显示与保护层的良好的相互作用，因此是优选的。

如果R¹为选自烯丙基、丁烯基、戊烯基、炔丙基中的任一者，则成为可以形成具有更优异的耐磨损性的润滑层的含氟醚化合物。

在式(1)所示的含氟醚化合物中，R⁵为包含杂环的基团。

作为包含杂环的基团，可举出例如，吡咯基、吡唑基、甲基吡唑基甲基、咪唑基、呋喃基、糠基、

唑基、异

唑基、噻吩基、噻吩基乙基、甲基噻唑乙基、噻唑基、甲基噻唑基乙基、异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、二氢吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并咪唑基、苯并

唑基、苯并噻唑基、苯并吡唑基、苯并异

唑基、苯并异噻唑基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、噌啉基等。

R⁵优选为选自包含噻吩环的基团、包含噻唑环的基团、包含吡唑环的基团中的任一者。作为包含噻吩环的基团，优选为噻吩基乙基，作为包含噻唑环的基团，优选为甲基噻唑乙基，作为包含吡唑环的基团，优选为甲基吡唑基甲基。

如果R⁵为选自包含噻吩环的基团、包含噻唑环的基团、包含吡唑环的基团中的任一者，则与保护层的亲和性高，成为可以形成具有更优异的耐磨损性的润滑层的含氟醚化合物。

上述包含杂环的基团可以具有烷基、烷氧基、羟基、巯基、羧基、羰基、氨基、氰基等取代基。

在上述式(1)所示的本实施方式的含氟醚化合物中，R³为全氟聚醚链(PFPE链)。R³没有特别限定，可以根据包含含氟醚化合物的润滑剂所要求的性能等而适当选择。作为PFPE链，可举出例如，由全氟亚甲基氧基聚合物、全氟亚乙基氧基聚合物、全氟-正亚丙基氧基聚合物、全氟异亚丙基氧基聚合物、它们的共聚物形成的PFPE链等。

具体而言，式(1)中的R³优选为下述式(4)～(6)中的任一者。需要说明的是，对式(4)中的重复单元(CF₂CF₂O)与(CF₂O)的排列顺序没有特别限制。式(4)可以包含由单体单元(CF₂-CF₂-O)与(CF₂-O)形成的无规共聚物、嵌段共聚物、交替共聚物中的任一者。

-CF₂O-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CF₂- (4)

(式(4)中的m、n表示平均聚合度，分别表示0～30。其中，m或n为0.1以上。)

-CF(CF₃)-(OCF(CF₃)CF₂)_y-OCF(CF₃)- (5)

(式(5)中的y表示平均聚合度，表示0.1～30。)

-CF₂CF₂O-(CF₂CF₂CF₂O)_z-CF₂CF₂-(6)

(式(6)中的z表示平均聚合度，表示0.1～30。)

如果式(5)和式(6)中的y、z分别为0.1～30(式(4)中的m、n分别为0～30并且m或n为0.1以上)，则成为可获得具有良好的耐磨损性的润滑层的含氟醚化合物。然而，如果m、n、y、z分别超过30，则有时含氟醚化合物的粘度变高，包含该含氟醚化合物的润滑剂不易涂布。因此，m、n、y、z优选为30以下，更优选为20以下。

在式(1)中的R³为式(4)～式(6)中的任一者的情况下，含氟醚化合物的合成容易，因此是优选的。在R³为式(4)的情况下，原料获得容易，因此是更优选的。

此外，在R³为式(4)～式(6)中的任一者的情况下，全氟聚醚链中的氧原子数(醚键(-O-)数)相对于碳原子数的比例是适当的。因此，成为具有适度硬度的含氟醚化合物。因此，涂布在保护层上的含氟醚化合物在保护层上不易凝集，可以以充分的被覆率形成厚度更薄的润滑层。此外，在R³为式(4)～式(6)中的任一者的情况下，成为可获得具有良好的耐磨损性的润滑层的含氟醚化合物。

具体而言，式(1)所示的含氟醚化合物优选为下述式(A)～(I)所示的任一化合物。需要说明的是，式(A)～(H)中的重复数m、n、和式(I)中的重复数z为表示平均值的值，因此不一定是整数。

关于式(A)～(G)和(J)所示的化合物，R¹为烯基，R²为式(2)且a＝1或2，R³为式(4)，R⁴为式(3)且b＝1或2，R⁵为包含杂环的基团。

关于式(H)所示的化合物，R¹为炔基，R²为式(2)且a＝1，R³为式(4)，R⁴为式(3)且b＝2，R⁵为包含杂环的基团。

关于式(I)所示的化合物，R¹为烯基，R²为式(2)且a＝2，R³为式(6)，R⁴为式(3)且b＝2，R⁵为包含杂环的基团。

(在式(A)中，m、n表示平均聚合度，m表示1～30，n表示0～30。)

(在式(B)中，m、n表示平均聚合度，m表示1～30，n表示0～30。)

(在式(C)中，m、n表示平均聚合度，m表示1～30，n表示0～30。)

(在式(D)中，m、n表示平均聚合度，m表示1～30，n表示0～30。)

(在式(E)中，m、n表示平均聚合度，m表示1～30，n表示0～30。)

(在式(F)中，m、n表示平均聚合度，m表示1～30，n表示0～30。)

(在式(G)中，m、n表示平均聚合度，m表示1～30，n表示0～30。)

(在式(H)中，m、n表示平均聚合度，m表示1～30，n表示0～30。)

(在式(I)中，z表示平均聚合度，z表示1～30。)

(在式(J)中，m、n表示平均聚合度，m表示1～30，n表示0～30。)

如果式(1)所示的化合物为上述式(A)～(J)所示的任一化合物，则原料易于获得，可以形成即使厚度薄也可获得优异的耐磨损性的润滑层，因此是优选的。

本实施方式的含氟醚化合物优选数均分子量(Mn)在500～10000的范围内。如果数均分子量为500以上，则包含本实施方式的含氟醚化合物的润滑剂不易蒸发，可以防止润滑剂蒸发而移附于磁头。含氟醚化合物的数均分子量更优选为1000以上。此外，如果数均分子量为10000以下，则含氟醚化合物的粘度变得适当，通过涂布包含该含氟醚化合物的润滑剂，可以容易地形成厚度薄的润滑层。为了在应用于润滑剂的情况下成为易于操作的粘度，含氟醚化合物的数均分子量优选为3000以下。

含氟醚化合物的数均分子量(Mn)是通过采用ブルカー·バイオスピン社制AVANCEIII400的¹H-NMR和¹⁹F-NMR测定的值。在NMR(核磁共振)的测定中，将试样在六氟苯、d-丙酮、d-四氢呋喃等的单独或混合溶剂中稀释，用于测定。¹⁹F-NMR化学位移的基准是将六氟苯的峰设为-164.7ppm、¹H-NMR化学位移的基准是将丙酮的峰设为2.2ppm。

“制造方法”

本实施方式的含氟醚化合物的制造方法没有特别限定，可以使用以往公知的制造方法制造。本实施方式的含氟醚化合物例如可以使用以下所示的制造方法制造。

首先，准备在与式(1)中的R³对应的全氟聚醚链的两末端分别配置了羟基甲基(-CH₂OH)的氟系化合物。

接着，将配置在上述氟系化合物的一个末端的羟基甲基的羟基置换成由式(1)中的R¹-R²-构成的基团(第1反应)。然后，将配置在另一个末端的羟基甲基的羟基置换成由式(1)中的-R⁴-R⁵构成的末端基(第2反应)。

第1反应和第2反应可以使用以往公知的方法进行，可以根据式(1)中的R¹、R²、R⁴、R⁵的种类等而适当决定。此外，可以先进行第1反应与第2反应之中的、任何反应。

通过以上方法，可获得式(1)所示的化合物。

在本实施方式中，为了制造R²由式(2)表示、R⁴由式(3)表示的含氟醚化合物，优选使用环氧化合物。该环氧化合物也可以购入市售品，但可以使用具有与所制造的含氟醚化合物的R¹或R⁵所示的末端基对应的结构的醇、与表氯醇或表溴醇而合成。此外，可以将不饱和键氧化而合成。

本实施方式的含氟醚化合物为上述式(1)所示的化合物。因此，如果使用包含该含氟醚化合物的润滑剂在保护层上形成润滑层，则通过式(1)中R³所示的PFPE链，被覆保护层的表面，并且降低磁头与保护层的摩擦力。此外，对于使用包含本实施方式的含氟醚化合物的润滑剂而形成的润滑层，通过R¹和R⁵所示的末端基、与R²和R⁴分别具有的1个以上羟基之间的分子内相互作用和/或、R¹和R⁵所示的末端基与保护层的相互作用，可获得优异的耐磨损性。

此外，对于本实施方式的含氟醚化合物，PFPE链通过与PFPE链连接的R²和R⁴分别具有的1个以上羟基与保护层的结合，而密合在保护层上。因此，根据本实施方式的含氟醚化合物，润滑层与保护层被牢固地结合，可获得具有优异的耐磨损性的润滑层。

[磁记录介质用润滑剂]

本实施方式的磁记录介质用润滑剂包含式(1)所示的含氟醚化合物。

只要在不损害由包含式(1)所示的含氟醚化合物带来的特性的范围内，本实施方式的润滑剂就可以根据需要混合使用作为润滑剂的材料而使用的公知的材料。

作为公知的材料的具体例，可举出例如，FOMBLIN(注册商标)ZDIAC、FOMBLINZDEAL、FOMBLIN AM-2001(以上，Solvay Solexis社制)、Moresco A20H(Moresco社制)等。与本实施方式的润滑剂混合使用的公知的材料优选数均分子量为1000～10000。

在本实施方式的润滑剂包含除式(1)所示的含氟醚化合物以外的材料的情况下，本实施方式的润滑剂中的式(1)所示的含氟醚化合物的含量优选为50质量％以上，更优选为70质量％以上。

本实施方式的润滑剂由于包含式(1)所示的含氟醚化合物，因此可以形成即使使厚度薄也可以以高被覆率被覆保护层的表面，与保护层的密合性优异的润滑层。因此，根据本实施方式的润滑剂，可获得即使厚度薄也具有优异的耐磨损性的润滑层。

此外，本实施方式的润滑剂由于包含式(1)所示的含氟醚化合物，因此不与保护层密合(吸附)而存在的润滑剂层中的含氟醚化合物不易凝集。因此，可以防止含氟醚化合物凝集，作为异物(污渍)而附着于磁头，抑制粘着。

此外，本实施方式的润滑剂由于包含式(1)所示的含氟醚化合物，因此通过式(1)中的R¹和R⁵所示的末端基、与R²和R⁴分别具有的1个以上羟基之间的分子内相互作用和/或该末端基与保护层的相互作用，可获得具有优异的耐磨损性的润滑层。

[磁记录介质]

本实施方式的磁记录介质在基板上至少依次设置有磁性层、保护层和润滑层。

对于本实施方式的磁记录介质，在基板与磁性层之间，根据需要可以设置1层或2层以上基底层。此外，也可以在基底层与基板之间设置附着层和/或软磁性层。

图1为显示本发明的磁记录介质的一实施方式的概略截面图。

本实施方式的磁记录介质10形成在基板11上依次设置有附着层12、软磁性层13、第1基底层14、第2基底层15、磁性层16、保护层17、和润滑层18的结构。

“基板”

作为基材11，可以使用例如，在由Al或Al合金等金属或合金材料形成的基体上，形成了由NiP或NiP合金形成的膜的非磁性基板等。

此外，作为基板11，可以使用由玻璃、陶瓷、硅、碳化硅、碳、树脂等非金属材料形成的非磁性基板，也可以使用在由这些非金属材料形成的基体上形成了NiP或NiP合金的膜的非磁性基板。

“附着层”

附着层12防止在将基板11与设置在附着层12上的软磁性层13相接配置的情况下产生的、基板11的腐蚀的进行。

附着层12的材料例如可以从Cr、Cr合金、Ti、Ti合金、CrTi、NiAl、AlRu合金等中适当选择。附着层12例如可以通过溅射法而形成。

“软磁性层”

软磁性层13优选具有第1软磁性膜、由Ru膜构成的中间层、和第2软磁性膜依次叠层而成的结构。即，软磁性层13优选具有通过在2层软磁性膜之间夹入由Ru膜构成的中间层，从而中间层上下的软磁性膜进行了反铁耦合(AFC)结合的结构。

作为第1软磁性膜和第2软磁性膜的材料，可举出CoZrTa合金、CoFe合金等。

优选在第1软磁性膜和第2软磁性膜所使用的CoFe合金中，添加Zr、Ta、Nb中的任一者。由此，能够促进第1软磁性膜和第2软磁性膜的非晶质化，使第1基底层(籽晶层)的取向性提高，并且能够降低磁头的上浮量。

软磁性层13例如可以通过溅射法而形成。

“第1基底层”

第1基底层14是用于控制设置在其上的第2基底层15和磁性层16的取向、结晶尺寸的层。

作为第1基底层14，可举出例如，Cr层、Ta层、Ru层、或CrMo、CoW、CrW、CrV、CrTi合金层等。

第1基底层14例如可以通过溅射法而形成。

“第2基底层”

第2基底层15是以磁性层16的取向变得良好的方式进行控制的层。第2基底层15优选为由Ru或Ru合金形成的层。

第2基底层15可以为由1层构成的层，也可以由多层构成。在第2基底层15由多层构成的情况下，可以全部层由相同材料构成，也可以至少一层由不同材料构成。

第2基底层15例如可以通过溅射法而形成。

“磁性层”

磁性层16由易磁化轴相对于基板面朝向垂直或水平方向的磁性膜构成。磁性层16为包含Co和Pt的层，为了改善SNR特性，可以为进一步包含氧化物、Cr、B、Cu、Ta、Zr等的层。

作为磁性层16所含有的氧化物，可举出SiO₂、SiO、Cr₂O₃、CoO、Ta₂O₃、TiO₂等。

磁性层16可以由1层构成，也可以由组成不同的材料形成的多个磁性层构成。

例如，在磁性层16由从下依次叠层的第1磁性层、第2磁性层和第3磁性层的3层构成的情况下，第1磁性层优选为由包含Co、Cr、Pt，进一步包含氧化物的材料形成的粒状结构。作为第1磁性层所含有的氧化物，优选使用例如，Cr、Si、Ta、Al、Ti、Mg、Co等的氧化物。其中，可以特别适合使用TiO₂、Cr₂O₃、SiO₂等。此外，第1磁性层优选由添加了2种以上氧化物的复合氧化物形成。其中，可以特别适合使用Cr₂O₃-SiO₂、Cr₂O₃-TiO₂、SiO₂-TiO₂等。

第1磁性层除了Co、Cr、Pt、氧化物以外，可以包含选自B、Ta、Mo、Cu、Nd、W、Nb、Sm、Tb、Ru、Re中的1种以上元素。

在第2磁性层中可以使用与第1磁性层同样的材料。第2磁性层优选为粒状结构。

第3磁性层优选为由包含Co、Cr、Pt，不包含氧化物的材料形成的非粒状结构。第3磁性层除了Co、Cr、Pt以外，可以包含选自B、Ta、Mo、Cu、Nd、W、Nb、Sm、Tb、Ru、Re、Mn中的1种以上元素。

在磁性层16由多个磁性层形成的情况下，优选在相邻的磁性层之间设置非磁性层。在磁性层16由第1磁性层、第2磁性层和第3磁性层的3层构成的情况下，优选在第1磁性层与第2磁性层之间、和第2磁性层与第3磁性层之间设置非磁性层。

设置在磁性层16的相邻的磁性层间的非磁性层，例如，可以适合使用Ru、Ru合金、CoCr合金、CoCrX1合金(X1表示选自Pt、Ta、Zr、Re、Ru、Cu、Nb、Ni、Mn、Ge、Si、O、N、W、Mo、Ti、V、B中的1种或2种以上元素。)等。

优选在设置在磁性层16的相邻的磁性层间的非磁性层中使用包含氧化物、金属氮化物、或金属碳化物的合金材料。具体而言，作为氧化物，可以使用例如，SiO₂、Al₂O₃、Ta₂O₅、Cr₂O₃、MgO、Y₂O₃、TiO₂等。作为金属氮化物，可以使用例如，AlN、Si₃N₄、TaN、CrN等。作为金属碳化物，可以使用例如，TaC、BC、SiC等。

非磁性层例如可以通过溅射法而形成。

为了实现更高的记录密度，磁性层16优选为易磁化轴相对于基板面朝向垂直方向的垂直磁记录的磁性层。磁性层16也可以为面内磁记录。

磁性层16可以通过蒸镀法、离子束溅射法、磁控管溅射法等以往公知的任一方法形成，磁性层16通常通过溅射法而形成。

“保护层”

保护层17保护磁性层16。保护层17可以由一层构成，也可以由多层构成。作为保护层17的材料，可举出碳、包含氮的碳、碳化硅等。

作为保护层17，可以优选使用碳系保护层，特别优选为无定形碳保护层。如果保护层17为碳系保护层，则与润滑层18中的含氟醚化合物所包含的极性基(特别是羟基)的相互作用更加提高，因此是优选的。

碳系保护层与润滑层18的附着力能够通过使碳系保护层为氢化碳和/或氮化碳，调节碳系保护层中的氢含量和/或氮含量来控制。碳系保护层中的氢含量在通过氢前向散射法(HFS)测定时优选为3～20原子％。此外，碳系保护层中的氮含量通过X射线光电子分光分析法(XPS)测定时，优选为4～15原子％。

碳系保护层所包含的氢和/或氮不需要均匀地包含于碳系保护层整体。碳系保护层例如形成使保护层17的润滑层18侧含有氮，使保护层17的磁性层16侧含有氢的组成倾斜层是适合的。在该情况下，磁性层16和润滑层18、与碳系保护层的附着力更加提高。

保护层17的膜厚为1nm～7nm为好。如果保护层17的膜厚为1nm以上，则作为保护层17的性能充分地获得。如果保护层17的膜厚为7nm以下，则从保护层17的薄膜化的观点考虑是优选的。

作为保护层17的成膜方法，可以使用：使用包含碳的靶材的溅射法、使用乙烯、甲苯等烃原料的CVD(化学蒸镀法)法、IBD(离子束蒸镀)法等。

在作为保护层17而形成碳系保护层的情况下，例如可以通过DC磁控管溅射法而成膜。特别是，在作为保护层17而形成碳系保护层的情况下，优选通过等离子体CVD法而成膜无定形碳保护层。通过等离子体CVD法而成膜的无定形碳保护层的表面均匀，粗糙度小。

“润滑层”

润滑层18防止磁记录介质10的污染。此外，润滑层18使在磁记录介质10上滑动的磁记录再生装置的磁头的摩擦力降低，使磁记录介质10的耐久性提高。

如图1所示，润滑层18在保护层17上相接地形成。润滑层18包含上述含氟醚化合物。

在配置在润滑层18下的保护层17为碳系保护层的情况下，润滑层18特别是与保护层17以高结合力结合。其结果，易于获得即使润滑层18的厚度薄也以高被覆率被覆了保护层17的表面的磁记录介质10，可以有效果地防止磁记录介质10的表面的污染。

润滑层18的平均膜厚优选为

更优选为

如果润滑层18的平均膜厚为0.5nm以上，则润滑层18不为岛状或网眼状而以均匀的膜厚形成。因此，通过润滑层18，可以以高被覆率被覆保护层17的表面。此外，通过使润滑层18的平均膜厚为2nm以下，可以将润滑层18充分地薄膜化，使磁头的上浮量充分小。

在保护层17的表面未通过润滑层18以充分高的被覆率被覆的情况下，吸附于磁记录介质10的表面的环境物质穿越润滑层18的间隙，侵入润滑层18下。侵入润滑层18的下层的环境物质与保护层17吸附、结合而生成污染物质。进而，在磁记录再生时，该污染物质(凝集成分)作为污渍而附着(转印)于磁头，使磁头破损、或使磁记录再生装置的磁记录再生特性降低。

作为使污染物质生成的环境物质，可举出例如，硅氧烷化合物(环状硅氧烷、直链硅氧烷)、离子性化合物、二十八烷等分子量比较高的烃、邻苯二甲酸二辛酯等增塑剂等。作为离子性杂质所包含的金属离子，可以举出例如，钠离子、钾离子等。作为离子性杂质所包含的无机离子，可以举出例如，氯离子、溴离子、硝酸根离子、硫酸根离子、铵根离子等。作为离子性杂质所包含的有机物离子，可以举出例如，草酸根离子、甲酸根离子等。

“润滑层的形成方法”

作为形成润滑层18的方法，可举出例如，准备在基板11上形成了直到保护层17为止的各层的制造中途的磁记录介质，在保护层17上涂布润滑层形成用溶液，使其干燥的方法。

润滑层形成用溶液通过使上述实施方式的磁记录介质用润滑剂根据需要分散溶解于溶剂，制成适于涂布方法的粘度和浓度来获得。

作为润滑层形成用溶液所使用的溶剂，可举出例如，バートレル(注册商标)XF(商品名，三井デュポンフロロケミカル社制)等氟系溶剂等。

润滑层形成用溶液的涂布方法没有特别限定，可举出例如，旋转涂布法、喷雾法、纸涂布法、浸渍法等。

在使用浸渍法的情况下，可以使用例如以下所示的方法。首先，在加入到浸渍涂布装置的浸渍槽的润滑层形成用溶液中，浸渍形成了直到保护层17为止的各层的基板11。接着，从浸渍槽以规定的速度提拉基板11。

由此，将润滑层形成用溶液涂布在基板11的保护层17上的表面。

通过使用浸渍法，可以将润滑层形成用溶液均匀地涂布在保护层17的表面，可以在保护层17上以均匀的膜厚形成润滑层18。

在本实施方式中，优选对形成了润滑层18的基板11实施热处理。通过实施热处理，从而润滑层18与保护层17的密合性提高，润滑层18与保护层17的附着力提高。

热处理温度优选为100～180℃。如果热处理温度为100℃以上，则可充分地获得使润滑层18与保护层17的密合性提高的效果。此外，通过使热处理温度为180℃以下，可以防止润滑层18的热分解。热处理时间优选为10～120分钟。

本实施方式的磁记录介质10在基板11上至少依次设置有磁性层16、保护层17和润滑层18。对于本实施方式的磁记录介质10，在保护层17上相接地形成有包含上述含氟醚化合物的润滑层18。该润滑层18即使厚度薄也以高被覆率被覆保护层17的表面。

因此，对于本实施方式的磁记录介质10，防止使离子性杂质等污染物质生成的环境物质从润滑层18的间隙侵入。因此，本实施方式的磁记录介质10在表面上存在的污染物质少。此外，本实施方式的磁记录介质10中的润滑层18不易使异物(污渍)产生，可以抑制粘着。此外，本实施方式的磁记录介质10中的润滑层18具有优异的耐磨损性。因此，本实施方式的磁记录介质10具有优异的可靠性和耐久性。

实施例

以下，通过实施例和比较例进一步具体地说明本发明。需要说明的是，本发明不仅仅限定于以下实施例。

“润滑剂的制造”

(实施例1)

通过以下所示的方法，制造出上述式(A)所示的化合物。

在氮气气氛下在100mL茄型烧瓶中加入HOCH₂CF₂O(CF₂CF₂O)_q(CF₂O)_rCF₂CH₂OH(式中的q为4.5，r为4.5。)所示的化合物(数均分子量1000，分子量分布1.1)20.0g、烯丙基缩水甘油基醚1.14g(分子量114.14，10mmol)、和叔丁醇(t-BuOH)20mL，在室温下搅拌直到变得均匀。在该均匀的液体中进一步加入叔丁醇钾(t-BuOK)0.674g(分子量112.21，6mmol)，在70℃下搅拌8小时使其反应。

将所得的反应生成物冷却到25℃，向装有水30mL的分液漏斗转移，用乙酸乙酯80mL提取2次。将有机层水洗，通过无水硫酸钠脱水。将干燥剂过滤分离后，将滤液浓缩，将残渣利用硅胶柱色谱进行精制，作为中间体，获得了下述式(7)所示的化合物8.91g(分子量1114，8mmol)。

(在式(7)中，m为4.5，n为4.5。)

在氮气气氛下在100mL茄型烧瓶中加入上述获得的作为中间体的式(7)所示的化合物5.57g(分子量1114，5.0mmol)、下述式(8)所示的化合物1.10g(分子量184.26，6.0mmol)、和t-BuOH 50mL，在室温下搅拌直到变得均匀。在该均匀的液体中加入t-BuOK0.168g(分子量112.21，1.50mmol)，在70℃下搅拌16小时使其反应。式(8)所示的化合物由噻吩乙醇和表溴醇合成。

将反应结束了的液体恢复到室温，向装有水50mL的分液漏斗转移，用乙酸乙酯100mL提取2次。将有机层水洗，通过无水硫酸钠脱水。将干燥剂过滤分离后，将滤液浓缩，将残渣利用硅胶柱色谱进行精制，获得了化合物(A)3.88g(分子量1295，3.0mmol)。在式(A)中，m为4.5，n为4.5。

进行所得的化合物(A)的¹H-NMR测定，通过以下结果鉴定了结构。

化合物(A)；¹H-NMR(CD₃COCD₃)；

δ[ppm]3.1(2H)，3.5～4.2(18H)，5.1～5.3(2H)，5.9(1H)，6.8～7.0(2H)，7.2(1H)

(实施例2)

通过以下所示的方法，制造出上述式(B)所示的化合物。

在氮气气氛下在100mL茄型烧瓶中加入HOCH₂CF₂O(CF₂CF₂O)_q(CF₂O)_rCF₂CH₂OH(式中的q为4.5，r为4.5。)所示的化合物(数均分子量1000，分子量分布1.1)20.0g、下述式(9)所示的化合物2.72g(分子量272.34，10mmol)、和t-BuOH 20mL，在室温下搅拌直到变得均匀。在该均匀的液体中进一步加入t-BuOK 0.674g(分子量112.21，6mmol)，在70℃下搅拌8小时使其反应。式(9)所示的化合物使使用二氢吡喃对甘油α,α’-二烯丙基醚进行保护而得的化合物氧化而合成。

将所得的反应生成物冷却到25℃，向装有水30mL的分液漏斗转移，用乙酸乙酯80mL提取2次。将有机层水洗，通过无水硫酸钠脱水。将干燥剂过滤分离后，将滤液浓缩，将残渣利用硅胶柱色谱进行精制，作为中间体，获得了下述式(10)所示的化合物10.15g(分子量1269，8mmol)。

(在式(10)中，m为4.5，n为4.5。)

在氮气气氛下在100mL茄型烧瓶中加入上述获得的作为中间体的式(10)所示的化合物6.36g(分子量1269，5.0mmol)、下述式(8)所示的化合物1.10g(分子量184.26，6.0mmol)、和t-BuOH 50mL，在室温下搅拌直到变得均匀。在该均匀的液体中加入t-BuOK0.168g(分子量112.21，1.50mmol)，在70℃下搅拌16小时使其反应。

将反应液恢复到室温，加入10％的氯化氢-甲醇溶液20g，在室温下搅拌4小时。将反应液一点点地转移到装有8％碳酸氢钠水溶液70mL的分液漏斗中，用乙酸乙酯200mL提取2次。将有机层用水和5％碳酸氢钠水溶液洗涤，通过无水硫酸钠进行了脱水。将干燥剂过滤分离后，将滤液浓缩，将残渣利用硅胶柱色谱进行精制，获得了化合物(B)4.11g(分子量1369，3.0mmol)。在式(B)中，m为4.5，n为4.5。

进行所得的化合物(B)的¹H-NMR测定，通过以下结果鉴定了结构。

化合物(B)；¹H-NMR(CD₃COCD₃)；

δ[ppm]3.1(2H)，3.5～4.2(23H)，5.1～5.3(2H)，5.9(1H)，6.8～7.0(2H)，7.2(1H)

(实施例3)

在氮气气氛下在100mL茄型烧瓶中加入式(7)所示的化合物6.35g(分子量1269，5.0mmol)、下述式(11)所示的化合物1.81g(分子量302.39，6.0mmol)、和t-BuOH 50mL，在室温下搅拌直到变得均匀。在该均匀的液体中加入t-BuOK 0.168g(分子量112.21，1.50mmol)，在70℃下搅拌16小时使其反应。

式(11)所示的化合物通过以下所示的方法合成。将上述式(8)所示的化合物水解，将所得的化合物的伯羟基用叔丁基二甲基甲硅烷基进行了保护。然后，将仲羟基用甲氧基甲基进行保护，从所得的化合物除去叔丁基二甲基甲硅烷基。使表溴醇与生成的伯羟基反应而合成。

将反应液恢复到室温，向装有水50mL的分液漏斗转移，用乙酸乙酯100mL提取2次，将有机层浓缩。在其中加入10％的氯化氢-甲醇溶液20g，在室温下搅拌1小时。将反应液一点点地转移到装有8％碳酸氢钠水溶液70mL的分液漏斗中，用乙酸乙酯200mL提取2次。将有机层水洗，通过无水硫酸钠进行了脱水。将干燥剂过滤分离后，将滤液浓缩，将残渣利用硅胶柱色谱进行精制，获得了化合物(C)4.11g(分子量1369，3.0mmol)。在式(C)中，m为4.5，n为4.5。

进行所得的化合物(C)的¹H-NMR测定，通过以下结果鉴定了结构。

化合物(C)；¹H-NMR(CD₃COCD₃)；

(实施例4)

代替式(8)所示的化合物，使用了式(11)所示的化合物1.81g(分子量302.39，6.0mmol)，除此以外，进行与实施例2同样的操作，获得了化合物(D)4.33g(分子量1443，3mmol)。在式(D)中，m为4.5，n为4.5。

进行所得的化合物(D)的¹H-NMR测定，通过以下结果鉴定了结构。

化合物(D)；¹H-NMR(CD₃COCD₃)：

δ[ppm]3.1(2H)，3.5～4.2(28H)，5.1～5.3(2H)，5.9(1H)，6.8～7.0(2H)，7.2(1H)

(实施例5)

代替式(8)所示的化合物，使用了式(12)所示的化合物1.20g(分子量199.27，6mmol)，除此以外，进行与实施例1同样的操作，获得了化合物(E)3.93g(分子量1310，3.0mmol)。式(12)所示的化合物由甲基噻唑乙醇和表溴醇合成。在式(E)中，m为4.5，n为4.5。

进行所得的化合物(E)的¹H-NMR测定，通过以下结果鉴定了结构。

化合物(E)；¹H-NMR(CD₃COCD₃)；

δ[ppm]2.35(3H)，3.1(2H)，3.5～4.2(18H)，5.1～5.3(2H)，5.9(1H)，8.5(1H)

(实施例6)

代替烯丙基缩水甘油基醚，使用了式(13)所示的化合物1.28g(分子量128.17，10mmol)，除此以外，进行与实施例3同样的操作，获得了化合物(F)4.15g(分子量1383，3.0mmol)。式(13)所示的化合物由3-丁烯-1-醇和表溴醇合成。在式(F)中，m为4.5，n为4.5。

进行所得的化合物(F)的¹H-NMR测定，通过以下结果鉴定了结构。

化合物(F)；¹H-NMR(CD₃COCD₃)；

δ[ppm]2.2～2.4(2H)，3.1(2H)，3.5～4.3(23H)，5.1～5.3(2H)，5.9(1H)，6.8～7.0(2H)，7.2(1H)

(实施例7)

代替烯丙基缩水甘油基醚，使用了下述式(14)所示的化合物1.42g(分子量142.20，10mmol)，除此以外，进行与实施例3同样的操作，获得了化合物(G)4.19g(分子量1397，3mmol)。式(14)所示的化合物由4-戊烯-1-醇和表溴醇合成。在式(G)中，m为4.5，n为4.5。

进行所得的化合物(G)的¹H-NMR测定，通过以下结果鉴定了结构。

化合物(G)；¹H-NMR(CD₃COCD₃)；

δ[ppm]1.6～1.8(2H)，2.2-2.4(2H)，3.1(2H)，3.5～4.3(23H)，5.1～5.3(2H)，5.9(1H)，6.8～7.0(2H)，7.2(1H)

(实施例8)

代替烯丙基缩水甘油基醚，使用了缩水甘油基炔丙基醚1.12g(分子量112.13，10mmol)，除此以外，进行与实施例3同样的操作，获得了化合物(H)4.10g(分子量1367，3.0mmol)。在式(H)中，m为4.5，n为4.5。

进行所得的化合物(H)的¹H-NMR测定，通过以下结果鉴定了结构。

化合物(H)；¹H-NMR(CD₃COCD₃)；

δ[ppm]2.5(1H)，3.1(2H)，3.5～4.2(23H)，6.8～7.0(2H)，7.2(1H)

(实施例9)

代替HOCH₂CF₂O(CF₂CF₂O)_q(CF₂O)_rCF₂CH₂OH(式中的q为4.5，r为4.5。)所示的化合物(数均分子量1000，分子量分布1.1)，使用了HOCH₂CF₂CF₂O(CF₂CF₂CF₂O)_sCF₂CF₂CH₂OH(式中的s为4.5。)所示的化合物(数均分子量1000，分子量分布1.1)20g，除此以外，进行与实施例4同样的操作，获得了化合物(I)4.41g(分子量1471，3.0mmol)。在式(I)中，z为4.5。

进行所得的化合物(I)的¹H-NMR测定，通过以下结果鉴定了结构。

化合物(I)；¹H-NMR(CD₃COCD₃)；

(实施例10)

代替式(12)所示的化合物，使用了式(15)所示的化合物1.01g(分子量168.19，6mmol)，除此以外，进行与实施例5同样的操作，获得了化合物(J)3.84g(分子量1279，3.0mmol)。式(15)所示的化合物由1-甲基吡唑-5-甲醇和表溴醇合成。在式(J)中，m为4.5，n为4.5。

进行所得的化合物(J)的¹H-NMR测定，通过以下结果鉴定了结构。

化合物(J)；¹H-NMR(CD₃COCD₃)；

δ[ppm]3.5～4.3(21H)，5.1～5.3(2H)，5.9(1H)，6.2(1H)，7.3(1H)

“比较例1”

通过专利文献1所记载的方法合成了下述式(X)所示的化合物。

(在式(X)中，m为4.5，n为4.5。)

“比较例2”

通过专利文献2所记载的方法合成了下述式(Y)所示的化合物。

将这样操作而获得的实施例1～10的化合物适用于式(1)时的R¹～R⁵的结构示于表1中。此外，通过上述¹H-NMR和¹⁹F-NMR的测定而求出实施例1～10的化合物的数均分子量(Mn)。将其结果示于表1中。

[表1]

接下来，通过以下所示的方法，使用实施例1～10和比较例1～2中获得的化合物而调制出润滑层形成用溶液。进而，使用所得的润滑层形成用溶液，通过以下所示的方法，形成磁记录介质的润滑层，获得了实施例1～10和比较例1～2的磁记录介质。

“润滑层形成用溶液”

将实施例1～10和比较例1～2中获得的化合物分别溶解于作为氟系溶剂的バートレル(注册商标)XF(商品名，三井デュポンフロロケミカル社制)，以涂布在保护层上时的膜厚成为

的方式用バートレル稀释，制成润滑层形成用溶液。

“磁记录介质”

准备在直径65mm的基板上依次设置有附着层、软磁性层、第1基底层、第2基底层、磁性层和保护层的磁记录介质。保护层由碳形成。

在形成了直到保护层为止的各层的磁记录介质的保护层上，分别通过浸渍法涂布实施例1～10和比较例1～2的润滑层形成用溶液。需要说明的是，浸渍法在浸渍速度10mm/秒、浸渍时间30秒、提拉速度1.2mm/秒的条件下进行。

然后，将涂布了润滑层形成用溶液的磁记录介质放入到120℃的恒温槽中，加热10分钟而将润滑层形成用溶液中的溶剂除去，从而在保护层上形成润滑层，获得了磁记录介质。

使用FT-IR(商品名：Nicolet iS50，Thermo FisherScientific社制)测定了这样操作而获得的实施例1～10和比较例1～2的磁记录介质所具有的润滑层的膜厚。将其结果示于表2中。

接下来，对实施例1～10和比较例1～2的磁记录介质，进行以下所示的耐磨损性试验。

(耐磨损性试验)

使用销盘型摩擦磨损试验机，使作为接触件的直径2mm的氧化铝的球以荷重40gf、滑动速度0.25m/秒在磁记录介质的润滑层上滑动，测定了润滑层的表面的摩擦系数。进而，测定了直到润滑层的表面的摩擦系数急剧增大为止的滑动时间。直到摩擦系数急剧增大为止的滑动时间对各磁记录介质的润滑层测定各4次，将其平均值(小时)设为润滑剂涂膜的耐磨损性的指标。

将使用了实施例1～10的化合物和比较例1～2的化合物的磁记录介质的结果示于表2中。摩擦系数增大时间的评价如下所述。

◎：650秒以上

○：550秒以上且小于650秒

△：450秒以上且小于550秒

×：小于450秒

需要说明的是，直到摩擦系数急剧增大为止的时间可以基于以下所示的理由而作为润滑层的耐磨损性的指标使用。原因是，磁记录介质的润滑层由于使用磁记录介质而磨损进行，如果由于磨损而润滑层消失，则接触件与保护层直接接触，摩擦系数急剧增大。直到本摩擦系数急剧增大为止的时间认为与摩擦试验也相关。

[表2]

如表2所示那样，实施例1～10的磁记录介质与比较例1～2的磁记录介质相比，直到摩擦系数急剧增大为止的滑动时间长，耐磨损性良好。

推定这是通过实施例1～10的磁记录介质的形成润滑层的式(1)所示的化合物中的R¹为烯基或炔基、并且R⁵为包含杂环的基团而达成的。

产业可利用性

通过使用包含本发明的含氟醚化合物的磁记录介质用润滑剂，可以形成即使厚度薄也可以实现优异的耐磨损性的润滑层。

符号的说明

10···磁记录介质，11···基板，12···附着层，13···软磁性层，14···第1基底层，15···第2基底层，16···磁性层，17···保护层，18···润滑层。

Claims

1.一种含氟醚化合物，其特征在于，由下述式(1)表示，

R¹-R²-CH₂-R³-CH₂-R⁴-R⁵ (1)

在式(1)中，R³为全氟聚醚链；R¹为与R²结合的末端基，R⁵为与R⁴结合的末端基；R¹为烯基或炔基，R⁵为包含杂环的基团；R²由下述式(2)表示，R⁴由下述式(3)表示；式(2)中的a和式(3)中的b各自独立地为整数1～3，

2.根据权利要求1所述的含氟醚化合物，所述式(1)中的R¹为碳原子数2～8的烯基或碳原子数3～8的炔基。

3.根据权利要求1所述的含氟醚化合物，所述式(1)中的R¹为选自烯丙基、丁烯基、戊烯基、炔丙基中的任一者。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的含氟醚化合物，所述式(1)中的R⁵为选自包含噻吩环的基团、包含噻唑环的基团、包含吡唑环的基团中的任一者。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的含氟醚化合物，所述式(1)中的R³为下述式(4)～(6)中的任一者，

-CF₂O-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CF₂- (4)

式(4)中的m、n表示平均聚合度，分别表示0～30；其中，m或n为0.1以上；

-CF(CF₃)-(OCF(CF₃)CF₂)_y-OCF(CF₃)- (5)

式(5)中的y表示平均聚合度，表示0.1～30；

-CF₂CF₂O-(CF₂CF₂CF₂O)_z-CF₂CF₂- (6)

式(6)中的z表示平均聚合度，表示0.1～30。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的含氟醚化合物，其数均分子量在500～10000的范围内。

7.一种磁记录介质用润滑剂，其特征在于，包含权利要求1～6中任一项所述的含氟醚化合物。

8.一种磁记录介质，其特征在于，是在基板上至少依次设置有磁性层、保护层和润滑层的磁记录介质，所述润滑层包含权利要求1～6中任一项所述的含氟醚化合物。

9.根据权利要求8所述的磁记录介质，所述润滑层的平均膜厚为0.5nm～2nm。