CN111199942B - 一种高绝缘型引线框架及塑封方法 - Google Patents
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- 238000009413 insulation Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 13
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 claims description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 9
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 238000007723 die pressing method Methods 0.000 claims description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 5
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49558—Insulating layers on lead frames, e.g. bridging members
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种高绝缘型引线框架，包括主架体，所述主架体呈工字形，所述主架体上设置有对称布设的至少八组副架体，所述主架体和副架体之间通过连杆设置有载板，所述载板上嵌入式安装有载片台，所述载板上焊接有第一引线，所述主架体和副架体上均设置有绝缘框体。本发明还提供了一种高绝缘型引线框架的塑封方法。本发明提供的一种高绝缘型引线框架通过设置第一引线和第二引线方便与外引线的连接，通过绝缘聚合物层、氧化铝绝缘层和电镀陶瓷层组成的绝缘框体可保证该引线框体良好的绝缘性，本发明提供的一种高绝缘型引线框架的塑封方法采用浸入方式，不需要高压，提高了封装良率，塑封效果好，良品率高。
Description
技术领域
本发明属于引线框架技术领域，具体涉及一种高绝缘型引线框架及塑封方法。
背景技术
引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。
现有的引线框架不方便连接外引线，且外层均设置一层绝缘层，若绝缘层破损，可能会发生漏电，影响引线框架的使用，且现有的引线框架的塑封方法大都采用加压注塑法，高压可能会导致引线框架被冲倒或焊接电路断裂的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高绝缘型引线框架及塑封方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种高绝缘型引线框架，包括主架体，所述主架体呈工字形，所述主架体上设置有对称布设的至少八组副架体，所述主架体和副架体之间通过连杆设置有载板，所述载板上嵌入式安装有载片台，所述载板上焊接有第一引线，所述第一引线的左右两侧通过连接筋设置有两组第二引线，所述主架体和副架体上均设置有绝缘框体，所述绝缘框体包括绝缘聚合物层、氧化铝绝缘层和电镀陶瓷层，所述绝缘聚合物层设置在主架体和副架体的外侧，所述氧化铝绝缘层设置在绝缘聚合物层的外侧，所述电镀陶瓷层设置在氧化铝绝缘层的一侧。
较佳地，所述载片台上设置有两组对称布设的限位卡块。
较佳地，所述载板上开设有散热孔，所述散热孔对称设置在载片台的左右两侧。
较佳地，所述连杆点焊在主架体、副架体和载板上。
较佳地，所述主架体、副架体和载板上均开设有定位孔。
较佳地，所述第一引线和第二引线的端头上均设置有连接压片。
较佳地，所述绝缘聚合物层、氧化铝绝缘层和电镀陶瓷层的厚度分别为20-30μm、50-80μm和30-50μm。
本发明还提供了一种高绝缘型引线框架的塑封方法，包括以下步骤：
S1、将半导体芯片安装在引线框架上的载片台上；
S2、用电浆清洗引线框架及半导体芯片，同时取塑封料粉进行回温；
S3、将安装有半导体芯片的引线框架的背面，利用真空压力吸附于模压腔体的上模，已安装有半导体芯片的引线框架倒贴于上模体，上模与下模保持一定距离；
S4、向下模槽内均匀填撒经过回温的塑封料粉；
S5、使下模位于密封墙内，加热至150-200℃，使下模内塑封料粉中有机树脂从固体完全融化为液体；
S6、抽取上下模内气体至真空状态；
S7、上下腔体相向移动，使引线框架逐步浸入下模内流体塑封料内，直至上下模完全压合后，腔内温度设置为150-180℃，并保持50-70s；
S8、上下模压合状态下降温固化塑封料，完成再结晶过程；
S9、关闭腔内吸真空，退出已塑封的引线框架；
S10、对引线框架进行烘烤，烘烤温度为85-125℃，烘烤时间为24-72h，即完成对该高绝缘型引线框架的塑封。
较佳地，所述S2中的电浆为95％氩气与5％氧气的组合气体。
较佳地，所述S2中塑封料粉回温时间为4-6h。
本发明的技术效果和优点：本发明提出的一种高绝缘型引线框架及塑封方法，与现有技术相比，具有以下优点：
本发明提供的一种高绝缘型引线框架通过设置第一引线和第二引线方便与外引线的连接，同时，连接筋设置有至少两组，保证第一引线和第二引线的连接强度，通过绝缘聚合物层、氧化铝绝缘层和电镀陶瓷层组成的绝缘框体可保证该引线框体良好的绝缘性，本发明提供的一种高绝缘型引线框架的塑封方法采用浸入方式，不需要高压，提高了封装良率，塑封效果好，良品率高。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图2为本发明的图1中A处放大示意图；
图3为本发明的载片台的结构示意图；
图4为本发明的绝缘框体的剖视示意图；
图5为本发明的塑封方法的流程图。
图中：1、主架体；2、副架体；3、连杆；4、载板；5、载片台；6、第一引线；7、连接筋；8、第二引线；9、绝缘框体；901、绝缘聚合物层；902、氧化铝绝缘层；903、电镀陶瓷层；10、限位卡块；11、散热孔；12、定位孔；13、连接压片。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供了如图1-4所示的一种高绝缘型引线框架，包括主架体1，所述主架体1呈工字形，所述主架体1上设置有对称布设的至少八组副架体2，所述主架体1和副架体2之间通过连杆3设置有载板4，所述载板4上嵌入式安装有载片台5，所述载板4上焊接有第一引线6，所述第一引线6的左右两侧通过连接筋7设置有两组第二引线8，所述主架体1和副架体2上均设置有绝缘框体9，所述绝缘框体9包括绝缘聚合物层901、氧化铝绝缘层902和电镀陶瓷层903，所述绝缘聚合物层901设置在主架体1和副架体2的外侧，所述氧化铝绝缘层902设置在绝缘聚合物层901的外侧，所述电镀陶瓷层903设置在氧化铝绝缘层902的一侧。
较佳地，所述载片台5上设置有两组对称布设的限位卡块10。
通过采用上述技术方案，限位卡块10可将半导体芯片卡住，不必进行焊接，提高了半导体芯片的安装效率。
较佳地，所述载板4上开设有散热孔11，所述散热孔11对称设置在载片台5的左右两侧。
通过采用上述技术方案，散热孔11可提高散热效率。
较佳地，所述连杆3点焊在主架体1、副架体2和载板4上。
通过采用上述技术方案，方便载板4的分离。
较佳地，所述主架体1、副架体2和载板4上均开设有定位孔12。
通过采用上述技术方案，定位孔12方便进行定位
较佳地，所述第一引线6和第二引线8的端头上均设置有连接压片13。
通过采用上述技术方案，连接压片13方便连接外引线。
较佳地，所述绝缘聚合物层901、氧化铝绝缘层902和电镀陶瓷层903的厚度分别为20-30μm、50-80μm和30-50μm。
通过采用上述技术方案，保证良好的绝缘性能。
本发明还提供了如图5所示的一种高绝缘型引线框架的塑封方法，包括以下步骤：
S1、将半导体芯片安装在引线框架上的载片台上；
S2、用电浆清洗引线框架及半导体芯片，同时取塑封料粉进行回温；
S3、将安装有半导体芯片的引线框架的背面，利用真空压力吸附于模压腔体的上模，已安装有半导体芯片的引线框架倒贴于上模体，上模与下模保持一定距离；
S4、向下模槽内均匀填撒经过回温的塑封料粉；
S5、使下模位于密封墙内，加热至150℃，使下模内塑封料粉中有机树脂从固体完全融化为液体；
S6、抽取上下模内气体至真空状态；
S7、上下腔体相向移动，使引线框架逐步浸入下模内流体塑封料内，直至上下模完全压合后，腔内温度设置为150℃，并保持70s；
S8、上下模压合状态下降温固化塑封料，完成再结晶过程；
S9、关闭腔内吸真空，退出已塑封的引线框架；
S10、对引线框架进行烘烤，烘烤温度为85℃，烘烤时间为72h，即完成对该高绝缘型引线框架的塑封。
较佳地，所述S2中的电浆为95％氩气与5％氧气的组合气体。
较佳地，所述S2中塑封料粉回温时间为4h。
实施例2
与实施例1的不同之处在于高绝缘型引线框架的塑封方法，包括如下步骤：
S1、将半导体芯片安装在引线框架上的载片台上；
S2、用电浆清洗引线框架及半导体芯片，同时取塑封料粉进行回温；
S3、将安装有半导体芯片的引线框架的背面，利用真空压力吸附于模压腔体的上模，已安装有半导体芯片的引线框架倒贴于上模体，上模与下模保持一定距离；
S4、向下模槽内均匀填撒经过回温的塑封料粉；
S5、使下模位于密封墙内，加热至180℃，使下模内塑封料粉中有机树脂从固体完全融化为液体；
S6、抽取上下模内气体至真空状态；
S7、上下腔体相向移动，使引线框架逐步浸入下模内流体塑封料内，直至上下模完全压合后，腔内温度设置为165℃，并保持60s；
S8、上下模压合状态下降温固化塑封料，完成再结晶过程；
S9、关闭腔内吸真空，退出已塑封的引线框架；
S10、对引线框架进行烘烤，烘烤温度为105℃，烘烤时间为48h，即完成对该高绝缘型引线框架的塑封。
较佳地，所述S2中的电浆为95％氩气与5％氧气的组合气体。
较佳地，所述S2中塑封料粉回温时间为5h。
实施例3
与实施例2的不同之处在于高绝缘型引线框架的塑封方法，包括如下步骤：
S1、将半导体芯片安装在引线框架上的载片台上；
S2、用电浆清洗引线框架及半导体芯片，同时取塑封料粉进行回温；
S3、将安装有半导体芯片的引线框架的背面，利用真空压力吸附于模压腔体的上模，已安装有半导体芯片的引线框架倒贴于上模体，上模与下模保持一定距离；
S4、向下模槽内均匀填撒经过回温的塑封料粉；
S5、使下模位于密封墙内，加热至200℃，使下模内塑封料粉中有机树脂从固体完全融化为液体；
S6、抽取上下模内气体至真空状态；
S7、上下腔体相向移动，使引线框架逐步浸入下模内流体塑封料内，直至上下模完全压合后，腔内温度设置为180℃，并保持50s；
S8、上下模压合状态下降温固化塑封料，完成再结晶过程；
S9、关闭腔内吸真空，退出已塑封的引线框架；
S10、对引线框架进行烘烤，烘烤温度为125℃，烘烤时间为24h，即完成对该高绝缘型引线框架的塑封。
较佳地，所述S2中的电浆为95％氩气与5％氧气的组合气体。
较佳地，所述S2中塑封料粉回温时间为6h。
本发明提供的一种高绝缘型引线框架的塑封方法，其腔内温度与保持时间的数据，如下表：
| 实施例 | 实施例1 | 实施例2 | 实施例3 |
| 腔内温度(℃) | 125 | 105 | 180 |
| 保持时间(s) | 70 | 60 | 50 |
烘烤温度与烘烤时间的数据，如下表：
| 实施例 | 实施例1 | 实施例2 | 实施例3 |
| 烘干温度(℃) | 85 | 105 | 125 |
| 烘干时间(h) | 72 | 48 | 24 |
综上所述：本发明提供的一种高绝缘型引线框架通过设置第一引线和第二引线方便与外引线的连接，同时，连接筋设置有至少两组，保证第一引线和第二引线的连接强度，通过绝缘聚合物层、氧化铝绝缘层和电镀陶瓷层组成的绝缘框体可保证该引线框体良好的绝缘性，本发明提供的一种高绝缘型引线框架的塑封方法采用浸入方式，不需要高压，提高了封装良率，塑封效果好，良品率高。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种高绝缘型引线框架，包括主架体(1)，其特征在于：所述主架体(1)呈工字形，所述主架体(1)上设置有对称布设的至少八组副架体(2)，所述主架体(1)和副架体(2)之间通过连杆(3)设置有载板(4)，所述载板(4)上嵌入式安装有载片台(5)，所述载板(4)上焊接有第一引线(6)，所述第一引线(6)的左右两侧通过连接筋(7)设置有两组第二引线(8)，所述主架体(1)和副架体(2)上均设置有绝缘框体(9)，所述绝缘框体(9)包括绝缘聚合物层(901)、氧化铝绝缘层(902)和电镀陶瓷层(903)，所述绝缘聚合物层(901)设置在主架体(1)和副架体(2)的外侧，所述氧化铝绝缘层(902)设置在绝缘聚合物层(901)的外侧，所述电镀陶瓷层(903)设置在氧化铝绝缘层(902)的一侧。
2.根据权利要求1所述的一种高绝缘型引线框架，其特征在于：所述载片台(5)上设置有两组对称布设的限位卡块(10)。
3.根据权利要求1所述的一种高绝缘型引线框架，其特征在于：所述载板(4)上开设有散热孔(11)，所述散热孔(11)对称设置在载片台(5)的左右两侧。
4.根据权利要求1所述的一种高绝缘型引线框架，其特征在于：所述连杆(3)点焊在主架体(1)、副架体(2)和载板(4)上。
5.根据权利要求1所述的一种高绝缘型引线框架，其特征在于：所述主架体(1)、副架体(2)和载板(4)上均开设有定位孔(12)。
6.根据权利要求1所述的一种高绝缘型引线框架，其特征在于：所述第一引线(6)和第二引线(8)的端头上均设置有连接压片(13)。
7.根据权利要求1所述的一种高绝缘型引线框架，其特征在于：所述绝缘聚合物层(901)、氧化铝绝缘层(902)和电镀陶瓷层(903)的厚度分别为20-30μm、50-80μm和30-50μm。
8.一种权利要求1所述的高绝缘型引线框架的塑封方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将半导体芯片安装在引线框架上的载片台上；
S2、用电浆清洗引线框架及半导体芯片，同时取塑封料粉进行回温；
S3、将安装有半导体芯片的引线框架的背面，利用真空压力吸附于模压腔体的上模，已安装有半导体芯片的引线框架倒贴于上模体，上模与下模保持一定距离；
S4、向下模槽内均匀填撒经过回温的塑封料粉；
S5、使下模位于密封墙内，加热至150-200℃，使下模内塑封料粉中有机树脂从固体完全融化为液体；
S6、抽取上下模内气体至真空状态；
S7、上下腔体相向移动，使引线框架逐步浸入下模内流体塑封料内，直至上下模完全压合后，腔内温度设置为150-180℃，并保持50-70s；
S8、上下模压合状态下降温固化塑封料，完成再结晶过程；
S9、关闭腔内吸真空，退出已塑封的引线框架；
S10、对引线框架进行烘烤，烘烤温度为85-125℃，烘烤时间为24-72h，即完成对该高绝缘型引线框架的塑封。
9.根据权利要求8所述的一种高绝缘型引线框架的塑封方法，其特征在于：所述S2中的电浆为95％氩气与5％氧气的组合气体。
10.根据权利要求8所述的一种高绝缘型引线框架的塑封方法，其特征在于：所述S2中塑封料粉回温时间为4-6h。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811364516.9A CN111199942B (zh) | 2018-11-16 | 2018-11-16 | 一种高绝缘型引线框架及塑封方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811364516.9A CN111199942B (zh) | 2018-11-16 | 2018-11-16 | 一种高绝缘型引线框架及塑封方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111199942A CN111199942A (zh) | 2020-05-26 |
| CN111199942B true CN111199942B (zh) | 2022-05-06 |
Family
ID=70745992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811364516.9A Active CN111199942B (zh) | 2018-11-16 | 2018-11-16 | 一种高绝缘型引线框架及塑封方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111199942B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113675094A (zh) * | 2021-08-04 | 2021-11-19 | 泰兴市龙腾电子有限公司 | 一种半导体框架的内引线分层制作方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6268646B1 (en) * | 1996-08-27 | 2001-07-31 | Hitachi Cable, Ltd. | Lead frame for lead on chip |
| CN102891129A (zh) * | 2012-08-30 | 2013-01-23 | 无锡永阳电子科技有限公司 | 预塑封引线框架及其封装工艺 |
| CN103887225A (zh) * | 2012-12-21 | 2014-06-25 | 万国半导体股份有限公司 | 基于铝合金引线框架的半导体器件及制备方法 |
| CN206806334U (zh) * | 2017-06-06 | 2017-12-26 | 深圳市三联盛科技股份有限公司 | 一种应用于大功率器件的多腿位集成电路 |
| CN207909872U (zh) * | 2018-03-22 | 2018-09-25 | 泰州东田电子有限公司 | 一种大功率半导体引线框架 |
| CN208014689U (zh) * | 2017-12-01 | 2018-10-26 | 泰州友润电子科技股份有限公司 | 一种改进的to-220c7引线框架 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6387732B1 (en) * | 1999-06-18 | 2002-05-14 | Micron Technology, Inc. | Methods of attaching a semiconductor chip to a leadframe with a footprint of about the same size as the chip and packages formed thereby |
| CN206210784U (zh) * | 2016-08-31 | 2017-05-31 | 无锡罗姆半导体科技有限公司 | 局部绝缘的to‑220型引线框架 |
| CN106935520A (zh) * | 2017-03-29 | 2017-07-07 | 江苏长电科技股份有限公司 | 一种内绝缘封装结构及其制造工艺 |
-
2018
- 2018-11-16 CN CN201811364516.9A patent/CN111199942B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6268646B1 (en) * | 1996-08-27 | 2001-07-31 | Hitachi Cable, Ltd. | Lead frame for lead on chip |
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| CN103887225A (zh) * | 2012-12-21 | 2014-06-25 | 万国半导体股份有限公司 | 基于铝合金引线框架的半导体器件及制备方法 |
| CN206806334U (zh) * | 2017-06-06 | 2017-12-26 | 深圳市三联盛科技股份有限公司 | 一种应用于大功率器件的多腿位集成电路 |
| CN208014689U (zh) * | 2017-12-01 | 2018-10-26 | 泰州友润电子科技股份有限公司 | 一种改进的to-220c7引线框架 |
| CN207909872U (zh) * | 2018-03-22 | 2018-09-25 | 泰州东田电子有限公司 | 一种大功率半导体引线框架 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111199942A (zh) | 2020-05-26 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |