CN207909872U - 一种大功率半导体引线框架 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种大功率半导体引线框架，包括单元框架、主引线连筋、副引线连筋、金属散热片和引线框架，所述引线框架由主引线连筋、副引线连筋和若干个单元框架组成，所述单元框架的顶部设置有主引线连筋，所述主引线连筋上设置有定位孔。通过在载片台上设置相互对称的限位卡块，使得半导体芯片能够直接卡合在载片台的上方，使得半导体在安装的过程中再也不会要焊接了，既加快了半导体的封装速度，也杜绝了焊接金属的使用，使得生产成本大大降低；通过在载片台的两侧设置均匀分布的散热孔，使得半导体产生的热量能即使通过散热孔扩散出去，同时整个载片台内嵌在一个金属散热片中，进一步加快了整个装置的散热速率。
Description
技术领域
本实用新型属于引线框架技术领域，具体涉及一种大功率半导体引线框架。
背景技术
引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。按照合金强化类型可分为固溶型、析出型、析中型，从材料设计原理看，引线框架材料几乎都是析出强化型合金，采用多种强化方法进行设计，主要有形变强化、固溶强化(合金化强化)、晶粒细化强化、沉淀强化，加人适量的稀土元素可使材料的导电率提高1.5一3％IACS，有效地细化晶粒，可提高材料的强度，改善韧性，而对导电性的影响很小。从加工硬化与固溶硬化相结合和固溶一时效硬化以及复合强化等方面进行研究，改进材料性能。
现有技术的引线框架存在以下问题：1、引线框架在封装半导体芯片的时候都采用焊接的方式将半导体芯片固定在引线框架中，该方式的安装速率较慢，且消耗较多的焊接金属，成本较高；2、大功率半导体运行产生的热量很高，引线框架不太容易快速的将热量排出去，会影响半导体的使用寿命。
实用新型内容
为解决上述背景技术中提出的问题。本实用新型提供了一种大功率半导体引线框架，具有便于半导体安装且散热效果好的特点。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种大功率半导体引线框架，包括单元框架、主引线连筋、副引线连筋、金属散热片和引线框架，所述引线框架由主引线连筋、副引线连筋和若干个单元框架组成，所述单元框架的顶部设置有主引线连筋，所述主引线连筋上设置有定位孔，所述主引线连筋的下方设置有副引线连筋，所述单元框架中设置有内引线，所述内引线的底部设置有金属散热片，所述金属散热片上设置有载片台和安装孔，所述安装孔设置在载片台的下方，所述载片台的两侧设置有相互对称的若干个通气孔，所述载片台的上方设置有半导体芯片，所述半导体芯片的两侧设置有相互对称的限位卡块，所述限位卡块安装在载片台的上方，所述内引线的两侧设置有相互对称的外引线，所述外引线的底部均连接有精压片。
优选的，所述主引线连筋和副引线连筋与外引线和内引线均为一体式结构。
优选的，所述主引线连筋的宽度为1.9-2.1mm。
优选的，所述副引线连筋的宽度为0.48-0.52mm。
优选的，所述金属散热片的厚度为0.55-1.05mm。
优选的，所述半导体芯片与限位卡块的连接方式为卡合连接。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
1、本实用新型通过在载片台上设置相互对称的限位卡块，使得半导体芯片能够直接卡合在载片台的上方，使得半导体在安装的过程中再也不会要焊接了，既加快了半导体的封装速度，也杜绝了焊接金属的使用，使得生产成本大大降低。
2、本实用新型通过在载片台的两侧设置均匀分布的散热孔，使得半导体产生的热量能即使通过散热孔扩散出去，同时整个载片台内嵌在一个金属散热片中，进一步加快了整个装置的散热速率。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型的连接示意图；
图3为本实用新型载片台的结构示意图；
图中：1、单元框架；2、定位孔；3、主引线连筋；4、外引线；5、载片台；6、安装孔；7、内引线；8、副引线连筋；9、精压片；10、通气孔；11、金属散热片；12、引线框架；13、限位卡块；14、半导体芯片。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-3，本实用新型提供以下技术方案：一种大功率半导体引线框架，包括单元框架1、主引线连筋3、副引线连筋8、金属散热片11和引线框架12，引线框架12由主引线连筋3、副引线连筋8和若干个单元框架1组成，单元框架1的顶部设置有主引线连筋3，主引线连筋3的宽度为2.0mm，主引线连筋3上设置有定位孔2，主引线连筋3的下方设置有副引线连筋8，副引线连筋8的宽度为0.5mm，单元框架1中设置有内引线7，内引线7的底部设置有金属散热片11，金属散热片11的厚度为0.8mm，金属散热片11上设置有载片台5和安装孔6，安装孔6设置在载片台5的下方，载片台5的两侧设置有相互对称的若干个通气孔10，载片台5的上方设置有半导体芯片14，半导体芯片14的两侧设置有相互对称的限位卡块13，半导体芯片14与限位卡块13的连接方式为卡合连接，限位卡块13安装在载片台5的上方，内引线7的两侧设置有相互对称的外引线4，主引线连筋3和副引线连筋8与外引线4和内引线7均为一体式结构，外引线4的底部均连接有精压片9。
本实用新型的工作原理及使用流程：本实用新型使用时通过主引线连筋3和副引线连筋8将若干个单元框架1连接起来形成引线框架12，半导体芯片14可通过与两个限位卡块13的卡合连接固定在载片台5的顶部，使得半导体芯片14的安装变得极为方便，载片台5则直接内嵌在金属散热片11的内部，加快半导体芯片14产生的热量的散发速度，在载片台5两侧设置的通气孔10能进一步加快半导体芯片14产生的热能的散发，主引线连筋3和副引线连筋8的设置可加强外引线4和内引线7的稳定性，延长引线框架12的使用寿命。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种大功率半导体引线框架，包括单元框架(1)、主引线连筋(3)、副引线连筋(8)、金属散热片(11)和引线框架(12)，其特征在于：所述引线框架(12)由主引线连筋(3)、副引线连筋(8)和若干个单元框架(1)组成，所述单元框架(1)的顶部设置有主引线连筋(3)，所述主引线连筋(3)上设置有定位孔(2)，所述主引线连筋(3)的下方设置有副引线连筋(8)，所述单元框架(1)中设置有内引线(7)，所述内引线(7)的底部设置有金属散热片(11)，所述金属散热片(11)上设置有载片台(5)和安装孔(6)，所述安装孔(6)设置在载片台(5)的下方，所述载片台(5)的两侧设置有相互对称的若干个通气孔(10)，所述载片台(5)的上方设置有半导体芯片(14)，所述半导体芯片(14)的两侧设置有相互对称的限位卡块(13)，所述限位卡块(13)安装在载片台(5)的上方，所述内引线(7)的两侧设置有相互对称的外引线(4)，所述外引线(4)的底部均连接有精压片(9)。
2.根据权利要求1所述的一种大功率半导体引线框架，其特征在于：所述主引线连筋(3)和副引线连筋(8)与外引线(4)和内引线(7)均为一体式结构。
3.根据权利要求1所述的一种大功率半导体引线框架，其特征在于：所述主引线连筋(3)的宽度为1.9-2.1mm。
4.根据权利要求1所述的一种大功率半导体引线框架，其特征在于：所述副引线连筋(8)的宽度为0.48-0.52mm。
5.根据权利要求1所述的一种大功率半导体引线框架，其特征在于：所述金属散热片(11)的厚度为0.55-1.05mm。
6.根据权利要求1所述的一种大功率半导体引线框架，其特征在于：所述半导体芯片(14)与限位卡块(13)的连接方式为卡合连接。
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