CN111199941B - 一种高绝缘型引线框架及涂胶方法 - Google Patents

一种高绝缘型引线框架及涂胶方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111199941B
CN111199941B CN201811364504.6A CN201811364504A CN111199941B CN 111199941 B CN111199941 B CN 111199941B CN 201811364504 A CN201811364504 A CN 201811364504A CN 111199941 B CN111199941 B CN 111199941B
Authority
CN
China
Prior art keywords
lead frame
groups
monomer
monomers
heater
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811364504.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111199941A (zh
Inventor
张轩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taizhou Yourun Electronic Technologies Co ltd
Original Assignee
Taizhou Yourun Electronic Technologies Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taizhou Yourun Electronic Technologies Co ltd filed Critical Taizhou Yourun Electronic Technologies Co ltd
Priority to CN201811364504.6A priority Critical patent/CN111199941B/zh
Publication of CN111199941A publication Critical patent/CN111199941A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111199941B publication Critical patent/CN111199941B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561Batch processing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种高绝缘型引线框架,包括引线框架本体和绝缘涂层,所述绝缘涂层设置在引线框架本体外侧,所述引线框架本体由至少两组引线框架单体组成,且至少两组所述引线框架单体通过插接的方式连接在一起,至少两组所述引线框架单体一侧均开设有插槽,且所述引线框架单体另一侧设有与插槽相对应的插板,所述插槽内部对称设有至少十组第一凸块,所述插板外侧面对称设有至少十组第二凸块,通过插接的方式将两组或两组以上的引线框架连接在一起,从而改变引线框架本体的长度,提高引线框架本体的通用性;在对引线框架单体上安装晶片时,对引线框架进行清洁,使晶片能够更好的安装在引线框架单体上。

Description

一种高绝缘型引线框架及涂胶方法
技术领域
本发明属于引线框架技术领域,具体涉及一种高绝缘型引线框架,同时,本发明还涉及一种高绝缘型引线框架的涂胶方法。
背景技术
引线框架作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。
引线框架一般都是由注塑成型的,形状、大小都是不能够发生改变的,不能够适合不同装置使用,通用性差,而且一般的引线框架在安装晶片时,都不会进行清洗,引线框架的表面容易沾染灰尘,影响晶片的安装。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高绝缘型引线框架,以解决上述背景技术中提出现有技术中引线框架通用性差,影响晶片的安装的问题。
为实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
一种高绝缘型引线框架,包括引线框架本体和绝缘涂层,所述绝缘涂层设置在引线框架本体外侧,所述引线框架本体由至少两组引线框架单体组成,且至少两组所述引线框架单体通过插接的方式连接在一起,至少两组所述引线框架单体一侧均开设有插槽,且所述引线框架单体另一侧设有与插槽相对应的插板,所述插槽内部对称设有至少十组第一凸块,所述插板外侧面对称设有至少十组第二凸块,相邻两组第一凸块之间形成第一卡槽,至少十组第二凸块分别插接到对应的第一卡槽内部,相邻两组所述第二凸块之间形成第二卡槽,至少十组所述第一凸块分别插接到对应的第二卡槽内部,所述引线框架单体一侧粘接有橡胶块,所述引线框架单体另一侧开设有与橡胶块相对应的凹槽,且所述凹槽一侧开设有通孔,所述橡胶块上设有通孔相对应的凸起,且所述凹槽内部另一侧设有梯形块。
优选的,至少两组所述引线框架单体上均开设有散热孔,且所述散热孔为圆形结构。
优选的,所述第一凸块的形状第二卡槽的形状相吻合,且所述第一凸块的形状为三角形。
优选的,所述第二凸块的形状第一卡槽的形状相吻合,且所述第二凸块的形状为三角形。
优选的,所述绝缘涂层为环氧树脂绝缘胶,且所述绝缘涂层的厚度至少在0.5mm。
本发明还提供了一种高绝缘型引线框架的涂胶方法,包括以下步骤:
S1:取料,选取一组引线框架单体,在选取引线框架单体时,应选择表面无裂痕的引线框架单体;
S2:清洁,使用湿纸巾在S1选取的引线框架单体表面进行擦拭,去除引线框架单体表面的灰尘;
S3:烘干,将经过S2清洁后的引线框架单体固定在烘干机的出风口处,为烘干机供电,使烘干机工作,对引线框架单体进行烘干处理,烘干温度为30~50℃;
S4:覆膜,在引线框架单体的非涂胶区上放置掩膜,放置完成后,用手指按压掩膜,使掩膜贴合在引线框架单体上,在按压过程中,应避免用力过大造成引线框架单体的弯折;
S5:涂胶,将胶涂抹在引线框架单体的涂胶区上;
S6:晶片安装,将晶片放置在引线框架单体的涂胶区上;
S7:加热,将放置有晶片的引线框架单体移动到加热器上,并时引线框架单体的涂胶区与加热器的加热端对齐,使加热器对引线框架单体进行加热,加热温度为60~80℃,在加热过程中使胶水融化,按压晶片,使胶水与晶片连接。
优选的,所述步骤S3中的风机为暖风机,该暖风机是由通风机、电动机和空气加热器组合而成,通过空气加热器产生热能,由通风机对热能进行输送,从而对空气进行循环加热。
优选的,所述步骤S7中的加热器为电加热器,是一种将电能转换为热能的设备,在转换过程中不会产生烟尘等污染物。
本发明的技术效果和优点:
1、通过插接的方式将两组或两组以上的引线框架连接在一起,从而改变引线框架本体的长度,提高引线框架本体的通用性;
2、在对引线框架单体上安装晶片时,对引线框架进行清洁,使晶片能够更好的安装在引线框架单体上。
附图说明
图1为本发明的引线框架单体俯视结构示意图;
图2为本发明的结构示意图;
图3为本发明的引线框架单体结构示意图;
图4为本发明的图1中A处结构示意图;
图5为本发明的图1中B处结构示意图。
图中:1、引线框架本体;101引线框架单体;2绝缘涂层;3、插槽;4、插板;5、第一凸块;6、第二凸块;7、第一卡槽;8、第二卡槽;9、橡胶块;10、凹槽;11、凸起;12、通孔;13、梯形块;14、散热孔。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明提供的一种高绝缘型引线框架的涂胶方法,其烘干温度与烘干时间的数据,如下表:
Figure GDA0003470526350000041
实施例1
本发明提供了如图1-4所示的一种高绝缘型引线框架,包括引线框架本体1和绝缘涂层2,所述绝缘涂层2设置在引线框架本体1外侧,所述引线框架本体1由至少两组引线框架单体101组成,且至少两组所述引线框架单体101通过插接的方式连接在一起,至少两组所述引线框架单体101一侧均开设有插槽3,且所述引线框架单体101另一侧设有与插槽3相对应的插板4,所述插槽3内部对称设有至少十组第一凸块5,所述插板4外侧面对称设有至少十组第二凸块6,所述第一凸块5和第二凸块6均采用硅胶材料制成,硅胶材料质软,能够发生形变,便于将插板4插接到插槽3槽内,相邻两组第一凸块5之间形成第一卡槽7,至少十组第二凸块6分别插接到对应的第一卡槽7内部,相邻两组所述第二凸块6之间形成第二卡槽8,至少十组所述第一凸块5分别插接到对应的第二卡槽8内部,所述引线框架单体101一侧粘接有橡胶块9,所述引线框架单体101另一侧开设有与橡胶块9相对应的凹槽10,且所述凹槽10一侧开设有通孔12,所述橡胶块9上设有通孔12相对应的凸起11,且所述凹槽10内部另一侧设有梯形块13。
较佳地,至少两组所述引线框架单体101上均开设有散热孔14,且所述散热孔14为圆形结构;较佳地,所述第一凸块5的形状第二卡槽8的形状相吻合,且所述第一凸块5的形状为三角形;较佳地,所述第二凸块6的形状第一卡槽7的形状相吻合,且所述第二凸块6的形状为三角形;较佳地,所述绝缘涂层2为环氧树脂绝缘胶,且所述绝缘涂层2的厚度至少在0.5mm。
本发还提供了如图5所示的一种高绝缘型引线框架的涂胶方法,包括以下步骤:
S1:取料,选取一组引线框架单体,在选取引线框架单体时,应选择表面无裂痕的引线框架单体;
S2:清洁,使用湿纸巾在S1选取的引线框架单体表面进行擦拭,去除引线框架单体表面的灰尘;
S3:烘干,将经过S2清洁后的引线框架单体固定在烘干机的出风口处,为烘干机供电,使烘干机工作,对引线框架单体进行烘干处理,烘干温度为30℃;
S4:覆膜,在引线框架单体的非涂胶区上放置掩膜,放置完成后,用手指按压掩膜,使掩膜贴合在引线框架单体上,在按压过程中,应避免用力过大造成引线框架单体的弯折;
S5:涂胶,将胶涂抹在引线框架单体的涂胶区上;
S6:晶片安装,将晶片放置在引线框架单体的涂胶区上;
S7:加热,将放置有晶片的引线框架单体移动到加热器上,并时引线框架单体的涂胶区与加热器的加热端对齐,使加热器对引线框架单体进行加热,加热温度为60℃,在加热过程中使胶水融化,按压晶片,使胶水与晶片连接。
较佳地,所述步骤S3中的风机为暖风机,该暖风机是由通风机、电动机和空气加热器组合而成,通过空气加热器产生热能,由通风机对热能进行输送,从而对空气进行循环加热;较佳地,所述步骤S7中的加热器为电加热器,是一种将电能转换为热能的设备,在转换过程中不会产生烟尘等污染物。
实施例2
与实施例1的不同之处在于高绝缘型引线框架的涂胶方法,其具体步骤如下:
S1:取料,选取一组引线框架单体,在选取引线框架单体时,应选择表面无裂痕的引线框架单体;
S2:清洁,使用湿纸巾在S1选取的引线框架单体表面进行擦拭,去除引线框架单体表面的灰尘;
S3:烘干,将经过S2清洁后的引线框架单体固定在烘干机的出风口处,为烘干机供电,使烘干机工作,对引线框架单体进行烘干处理,烘干温度为40℃;
S4:覆膜,在引线框架单体的非涂胶区上放置掩膜,放置完成后,用手指按压掩膜,使掩膜贴合在引线框架单体上,在按压过程中,应避免用力过大造成引线框架单体的弯折;
S5:涂胶,将胶涂抹在引线框架单体的涂胶区上;
S6:晶片安装,将晶片放置在引线框架单体的涂胶区上;
S7:加热,将放置有晶片的引线框架单体移动到加热器上,并时引线框架单体的涂胶区与加热器的加热端对齐,使加热器对引线框架单体进行加热,加热温度为70℃,在加热过程中使胶水融化,按压晶片,使胶水与晶片连接。
较佳地,所述步骤S3中的风机为暖风机,该暖风机是由通风机、电动机和空气加热器组合而成,通过空气加热器产生热能,由通风机对热能进行输送,从而对空气进行循环加热;较佳地,所述步骤S7中的加热器为电加热器,是一种将电能转换为热能的设备,在转换过程中不会产生烟尘等污染物。
实施例3
与实施例2的不同之处在于高绝缘型引线框架的涂胶方法,其具体步骤如下:
S1:取料,选取一组引线框架单体,在选取引线框架单体时,应选择表面无裂痕的引线框架单体;
S2:清洁,使用湿纸巾在S1选取的引线框架单体表面进行擦拭,去除引线框架单体表面的灰尘;
S3:烘干,将经过S2清洁后的引线框架单体固定在烘干机的出风口处,为烘干机供电,使烘干机工作,对引线框架单体进行烘干处理,烘干温度为50℃;
S4:覆膜,在引线框架单体的非涂胶区上放置掩膜,放置完成后,用手指按压掩膜,使掩膜贴合在引线框架单体上,在按压过程中,应避免用力过大造成引线框架单体的弯折;
S5:涂胶,将胶涂抹在引线框架单体的涂胶区上;
S6:晶片安装,将晶片放置在引线框架单体的涂胶区上;
S7:加热,将放置有晶片的引线框架单体移动到加热器上,并时引线框架单体的涂胶区与加热器的加热端对齐,使加热器对引线框架单体进行加热,加热温度为80℃,在加热过程中使胶水融化,按压晶片,使胶水与晶片连接。
较佳地,所述步骤S3中的风机为暖风机,该暖风机是由通风机、电动机和空气加热器组合而成,通过空气加热器产生热能,由通风机对热能进行输送,从而对空气进行循环加热;较佳地,所述步骤S7中的加热器为电加热器,是一种将电能转换为热能的设备,在转换过程中不会产生烟尘等污染物。
本发明提供的一种高绝缘型引线框架的涂胶方法,其加热温度与胶水融化时间的数据,如下表:
Figure GDA0003470526350000071
Figure GDA0003470526350000081
综上所述:在对两组或两组以上的引线框架单体101进行连接时,将一组引线框架单体101上设置的插板4插接到另一组引线框架单体101上的插槽3槽内,使第一凸块5插入到对应的第二卡槽8槽内,并使第二凸块6插接到对应的第一卡槽7内部,第一凸块5和第二凸块6能够增大插杆4与插槽3之间的摩擦,从而使两组引线框架单体101的连接更牢固,使橡胶块9插接到对应的凹槽10槽内,梯形块13能够挤压橡胶块9,使橡胶块9发生形变,使凸起11插入到对应的通孔12孔内,从而将凸起11固定在通孔12内部,防止凸起11移动,进而防止两组引线框架单体101发生分离。
最后应说明的是:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种高绝缘型引线框架,包括引线框架本体(1)和绝缘涂层(2),其特征在于:所述绝缘涂层(2)设置在引线框架本体(1)外侧,所述引线框架本体(1)由至少两组引线框架单体(101)组成,且至少两组所述引线框架单体(101)通过插接的方式连接在一起,至少两组所述引线框架单体(101)一侧均开设有插槽(3),且所述引线框架单体(101)另一侧设有与插槽(3)相对应的插板(4),所述插槽(3)内部对称设有至少十组第一凸块(5),所述插板(4)外侧面对称设有至少十组第二凸块(6),相邻两组第一凸块(5)之间形成第一卡槽(7),至少十组第二凸块(6)分别插接到对应的第一卡槽(7)内部,相邻两组所述第二凸块(6)之间形成第二卡槽(8),至少十组所述第一凸块(5)分别插接到对应的第二卡槽(8)内部,所述引线框架单体(101)一侧粘接有橡胶块(9),所述引线框架单体(101)另一侧开设有与橡胶块(9)相对应的凹槽(10),且所述凹槽(10)一侧开设有通孔(12),所述橡胶块(9)上设有通孔(12)相对应的凸起(11),且所述凹槽(10)内部另一侧设有梯形块(13)。
2.根据权利要求1所述的一种高绝缘型引线框架,其特征在于:至少两组所述引线框架单体(101)上均开设有散热孔(14),且所述散热孔(14)为圆形结构。
3.根据权利要求1所述的一种高绝缘型引线框架,其特征在于:所述第一凸块(5)的形状第二卡槽(8)的形状相吻合,且所述第一凸块(5)的形状为三角形。
4.根据权利要求1所述的一种高绝缘型引线框架,其特征在于:所述第二凸块(6)的形状第一卡槽(7)的形状相吻合,且所述第二凸块(6)的形状为三角形。
5.根据权利要求1所述的一种高绝缘型引线框架,其特征在于:所述绝缘涂层(2)为环氧树脂绝缘胶,且所述绝缘涂层(2)的厚度至少在0.5mm。
6.一种权利要求1所述的高绝缘型引线框架的涂胶方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1:取料,选取一组引线框架单体,在选取引线框架单体时,应选择表面无裂痕的引线框架单体;
S2:清洁,使用湿纸巾在S1选取的引线框架单体表面进行擦拭,去除引线框架单体表面的灰尘;
S3:烘干,将经过S2清洁后的引线框架单体固定在烘干机的出风口处,为烘干机供电,使烘干机工作,对引线框架单体进行烘干处理,烘干温度为30~50℃;
S4:覆膜,在引线框架单体的非涂胶区上放置掩膜,放置完成后,用手指按压掩膜,使掩膜贴合在引线框架单体上,在按压过程中,应避免用力过大造成引线框架单体的弯折;
S5:涂胶,将胶涂抹在引线框架单体的涂胶区上;
S6:晶片安装,将晶片放置在引线框架单体的涂胶区上;
S7:加热,将放置有晶片的引线框架单体移动到加热器上,并时引线框架单体的涂胶区与加热器的加热端对齐,使加热器对引线框架单体进行加热,加热温度为60~80℃,在加热过程中使胶水融化,按压晶片,使胶水与晶片连接。
7.根据权利要求6所述的一种高绝缘型引线框架的涂胶方法,其特征在于:所述步骤S3中的风机为暖风机,该暖风机是由通风机、电动机和空气加热器组合而成,通过空气加热器产生热能,由通风机对热能进行输送,从而对空气进行循环加热。
8.根据权利要求6所述的一种高绝缘型引线框架的涂胶方法,其特征在于:所述步骤S7中的加热器为电加热器,是一种将电能转换为热能的设备。
CN201811364504.6A 2018-11-16 2018-11-16 一种高绝缘型引线框架及涂胶方法 Active CN111199941B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811364504.6A CN111199941B (zh) 2018-11-16 2018-11-16 一种高绝缘型引线框架及涂胶方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811364504.6A CN111199941B (zh) 2018-11-16 2018-11-16 一种高绝缘型引线框架及涂胶方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111199941A CN111199941A (zh) 2020-05-26
CN111199941B true CN111199941B (zh) 2022-03-25

Family

ID=70747392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811364504.6A Active CN111199941B (zh) 2018-11-16 2018-11-16 一种高绝缘型引线框架及涂胶方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111199941B (zh)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6268646B1 (en) * 1996-08-27 2001-07-31 Hitachi Cable, Ltd. Lead frame for lead on chip
US6274406B1 (en) * 1996-11-14 2001-08-14 Nippon Steel Semiconductor Corporation Semiconductor device and a method of manufacturing the same
CN202259229U (zh) * 2011-08-29 2012-05-30 江阴康强电子有限公司 引线框架传动夹具
CN102637673A (zh) * 2012-04-12 2012-08-15 张轩 一种新型引线框架
CN204315565U (zh) * 2015-01-09 2015-05-06 无锡罗姆半导体科技有限公司 引线框架
CN105932007A (zh) * 2016-06-28 2016-09-07 无锡市玉祁红光电子有限公司 一种具有高结合强度的引线框架
CN206210784U (zh) * 2016-08-31 2017-05-31 无锡罗姆半导体科技有限公司 局部绝缘的to‑220型引线框架
CN206364007U (zh) * 2016-08-30 2017-07-28 常州金方圆铜业有限公司 引线框架
CN207637787U (zh) * 2017-08-28 2018-07-20 济南界龙科技有限公司 一种新型to型引线框架
CN207909872U (zh) * 2018-03-22 2018-09-25 泰州东田电子有限公司 一种大功率半导体引线框架
US10128426B1 (en) * 2013-11-11 2018-11-13 Andrey Zykin LS core LED connector system and manufacturing method

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103337488B (zh) * 2013-06-05 2016-09-14 吉林华微斯帕克电气有限公司 一种引线框架
CN107749409B (zh) * 2017-10-23 2020-06-16 杰群电子科技(东莞)有限公司 一种双引线框架加强连接强度的方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6268646B1 (en) * 1996-08-27 2001-07-31 Hitachi Cable, Ltd. Lead frame for lead on chip
US6274406B1 (en) * 1996-11-14 2001-08-14 Nippon Steel Semiconductor Corporation Semiconductor device and a method of manufacturing the same
CN202259229U (zh) * 2011-08-29 2012-05-30 江阴康强电子有限公司 引线框架传动夹具
CN102637673A (zh) * 2012-04-12 2012-08-15 张轩 一种新型引线框架
US10128426B1 (en) * 2013-11-11 2018-11-13 Andrey Zykin LS core LED connector system and manufacturing method
CN204315565U (zh) * 2015-01-09 2015-05-06 无锡罗姆半导体科技有限公司 引线框架
CN105932007A (zh) * 2016-06-28 2016-09-07 无锡市玉祁红光电子有限公司 一种具有高结合强度的引线框架
CN206364007U (zh) * 2016-08-30 2017-07-28 常州金方圆铜业有限公司 引线框架
CN206210784U (zh) * 2016-08-31 2017-05-31 无锡罗姆半导体科技有限公司 局部绝缘的to‑220型引线框架
CN207637787U (zh) * 2017-08-28 2018-07-20 济南界龙科技有限公司 一种新型to型引线框架
CN207909872U (zh) * 2018-03-22 2018-09-25 泰州东田电子有限公司 一种大功率半导体引线框架

Also Published As

Publication number Publication date
CN111199941A (zh) 2020-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20240030177A1 (en) Double-sided cooling type power module and manufacturing method therefor
SG102032A1 (en) Semiconductor device and method of its manufacture
EP1615263A4 (en) METHOD FOR CONNECTING CONNECTIONS AND METHOD FOR ATTACHING A SEMICONDUCTOR CONSTRUCTION ELEMENT
CN107086183A (zh) 半导体模块的制造方法及半导体模块
JP2012009568A (ja) 半導体モジュール
CN101841975A (zh) 热压法制作高导热性电路板的方法及高导热性电路板
JP5983249B2 (ja) 半導体モジュールの製造方法
CN208401002U (zh) 一种均温式动力电池加热装置
CN210349834U (zh) 双面散热的功率器件模组
CN111199941B (zh) 一种高绝缘型引线框架及涂胶方法
JP2003051573A5 (zh)
WO2006016532A1 (ja) 電気部品の接続方法及び加熱装置
JPH06151657A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2011018736A (ja) 半導体装置
JPH0645721A (ja) 混成集積回路装置
CN211865712U (zh) 铝基板热压合后烘烤装置
CN210956665U (zh) 智能功率模块及电子设备
CN210247351U (zh) 一种便于安装的电路板
CN207489856U (zh) 一种封装结构
CN206685381U (zh) 一种用于开关稳压的引线框架
KR19980070675A (ko) 오프셋 다이 패드를 갖는 반도체 패키지 및 그 제조 방법
CN209691740U (zh) 一种场效应管散热装置、电路板及汽车
CN217114382U (zh) 一种具有高效散热功能的半导体引线框架
CN211580285U (zh) 一种集成电路板的散热装置
CN210925990U (zh) 一种半导体器件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant