CN111164172A - 吸附临时固定片 - Google Patents

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CN111164172A CN201880062965.XA CN201880062965A CN111164172A CN 111164172 A CN111164172 A CN 111164172A CN 201880062965 A CN201880062965 A CN 201880062965A CN 111164172 A CN111164172 A CN 111164172A
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Abstract

提供在与表面相同的方向具有充分的剪切粘接力、在相对于表面垂直的方向具有弱的粘接力、具有优异的抗静电性能的吸附临时固定片。本发明的吸附临时固定片为具有具备连续气泡结构的发泡层的吸附临时固定片，所述吸附临时固定片的表面电阻率为1.0×104Ω/□～1.0×1010Ω/□，将该发泡层的表面的、‑30℃下18小时后的硅芯片垂直粘接力设为V1(N/1cm□)、23℃下18小时后的硅芯片垂直粘接力设为V2(N/1cm□)、80℃下18小时后的硅芯片垂直粘接力设为V3(N/1cm□)、将该发泡层的表面的、‑30℃下18小时后的硅芯片剪切粘接力设为H1(N/1cm□)、23℃下18小时后的硅芯片剪切粘接力设为H2(N/1cm□)、80℃下18小时后的硅芯片剪切粘接力设为H3(N/1cm□)时，V1<H1、V2<H2、V3<H3。

Description

吸附临时固定片
技术领域
本发明涉及吸附临时固定片。
背景技术
作为防止家具、家电的滑倒的片、能够贴附固定于地毯的背衬材料、汽车内饰材料并且能够容易剥离的片等，以往使用了具有吸附性的发泡片。
这种具有吸附性的发泡片主要使用丙烯酸类、橡胶等材料(例如，专利文献1)，由于乳液系的材料为主流，因此虽然再剥离性优异，但存在耐水性差、若在被污染时进行水洗则发生吸水而溶胀，吸附性降低的问题。
另外，在电子行业的显示器、有机EL照明等的制造中，进行在各种薄膜基板(聚酰亚胺、PET、PEN等)、玻璃、Si基板上的各种金属膜、ITO膜的蒸镀、溅射成膜、图案形成加工等时，使用将基板和固定台临时固定这样的材料。作为这样的材料，由于需要在成膜后解除临时固定，因此使用可再剥离的粘合带。作为这样的粘合带，现状是可列举出通过加热进行发泡而剥离的带、在低温下剥离的冷却剥离带、弱粘合的丙烯酸系、有机硅系的双面胶带等。
但是，在制造工序中需要高温加热的情况下，粘合剂的重剥离化导致的残胶、基板的破损成为问题。另外，也有在粘贴粘合带时，因混入气泡而损害基板的平滑性、阻碍高精度的图案形成加工的担心。
作为轻量、耐热性、耐候性优异、热导率也低的发泡材料，最近报告了有机硅发泡体。例如，报告了包含有机硅树脂固化物和分散于该有机硅树脂固化物中的内部具有空洞部的多个颗粒的、适合用于太阳能电池用途的有机硅树脂发泡体(例如，专利文献2)；泡孔致密、泡孔尺寸的均匀性高、泡孔形状良好、独立气泡率高的有机硅泡沫片(例如，专利文献3)等。
对于吸附临时固定片，根据用途，有时要求在与该吸附临时固定片的表面相同的方向具有充分的剪切粘接力、在相对于该吸附临时固定片的表面大致垂直的方向具有弱的粘接力。这样的情况下，例如要求在沿水平方向配置的吸附临时固定片的表面上载置构件时，该构件相对于横向牢固地固定，另一方面，可列举出要求在上方拾取时能够容易地剥离。但是，以往的有机硅发泡体不能充分应对如上所述的要求。
另外，对于吸附临时固定片，根据用途，有时要求具有抗静电性能。但是，以往的有机硅发泡体不能充分应对如上所述的要求。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平1-259043号公报
专利文献2：日本特许第5702899号公报
专利文献3：日本特开2014-167067号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的课题在于，提供在与表面相同的方向具有充分的剪切粘接力、在相对于表面垂直的方向具有弱的粘接力、具有优异的抗静电性能的吸附临时固定片。
用于解决问题的方案
本发明的吸附临时固定片为具有具备连续气泡结构的发泡层的吸附临时固定片，
所述吸附临时固定片的表面电阻率为1.0×104Ω/□～1.0×1010Ω/□，
将该发泡层的表面的、-30℃下18小时后的硅芯片垂直粘接力设为V1(N/1cm□)、23℃下18小时后的硅芯片垂直粘接力设为V2(N/1cm□)、80℃下18小时后的硅芯片垂直粘接力设为V3(N/1cm□)，
将该发泡层的表面的、-30℃下18小时后的硅芯片剪切粘接力设为H1(N/1cm□)、23℃下18小时后的硅芯片剪切粘接力设为H2(N/1cm□)、80℃下18小时后的硅芯片剪切粘接力设为H3(N/1cm□)时，
V1<H1、V2<H2、V3<H3。
此处，硅芯片垂直粘接力为如下的最大载荷：用有机硅粘合带将吸附临时固定片的评价面的相反面固定于平滑的不锈钢板上，对于用研磨机(DISCO Inc.制、DFG8560)进行磨削并用切割机(DISCO Inc.制、DFD6450)单片化为1cm□的厚度300μm的硅芯片的磨削面，使2kg辊往返1次而将该硅芯片的磨削面贴合于吸附临时固定片，在-30℃、23℃、80℃下分别熟化18小时，在23℃下静置2小时，使用Servopulser(株式会社岛津制作所制、控制器4890、称重传感器MMT-250N)，在将双面胶带(日东电工株式会社制、No.5000NS)贴附于20mmΦ的适配器的前端的状态下，在垂直方向以压缩速度0.01N/秒对硅芯片的镜面(磨削面的相反面)进行压缩直到施加0.05N的载荷为止，以10mm/秒进行剥离时的最大载荷。
另外，硅芯片剪切粘接力为如下的剪切粘接力：用有机硅粘合带将吸附临时固定片的评价面的相反面固定于平滑的不锈钢板上，对于用研磨机(DISCO Inc.制、DFG8560)进行磨削并用切割机(DISCO Inc.制、DFD6450)单片化为1cm□的厚度300μm的硅芯片的磨削面，使2kg辊往返1次而将该硅芯片的磨削面贴合于吸附临时固定片，在-30℃、23℃、80℃下分别熟化18小时，在23℃下静置2小时，使用测力计(NIDEC-SHIMPO CORPORATION.制、FGPX-10)以1mm/秒的速度按压硅芯片的侧面而测定的剪切粘接力。
一个实施方式中，上述V1为8N/1cm□以下。
一个实施方式中，上述H1为0.5N/1cm□以上。
一个实施方式中，上述V2为10N/1cm□以下。
一个实施方式中，上述H2为0.6N/1cm□以上。
一个实施方式中，上述V3为12N/1cm□以下。
一个实施方式中，上述H3为0.7N/1cm□以上。
一个实施方式中，上述发泡层的表观密度为0.15g/cm3～0.90g/cm3。
发明的效果
根据本发明，能够提供在与表面相同的方向具有充分的剪切粘接力、在相对于表面垂直的方向具有弱的粘接力、具有优异的抗静电性能的吸附临时固定片。
具体实施方式
《吸附临时固定片》
本发明的吸附临时固定片为具有具备连续气泡结构的发泡层的吸附临时固定片。
作为本发明的吸附临时固定片的方式，例如，可列举出片的整体具有发泡层的方式、片的一部分具有发泡层且该片的最外层的至少一者为该发泡层的方式等。
本发明的吸附临时固定片中，例如可以在直到使用为止在发泡层的表面贴附有隔离体。这样的隔离体在不作为支撑体而发挥作用的情况下，优选在将想要临时固定的构件载置于本发明的吸附临时固定片之前从发泡层表面剥离。
本发明的吸附临时固定片通过使其中包含的发泡层具备连续气泡结构，从而能够在不混入气泡的情况下将被粘物贴合并临时固定。
本发明的吸附临时固定片的表面电阻率为1.0×104Ω/□～1.0×1010Ω/□，优选为1.0×105Ω/□～1.0×109Ω/□、更优选为5.0×105Ω/□～5.0×108Ω/□、进一步优选为1.0×106Ω/□～1.0×108Ω/□、特别优选为5.0×106Ω/□～5.0×107Ω/□。通过使本发明的吸附临时固定片的表面电阻率处于上述范围内，从而本发明的吸附临时固定片具有优异的抗静电性能。
对于本发明的吸附临时固定片，将其中包含的发泡层的表面的、-30℃下18小时后的硅芯片垂直粘接力设为V1(N/1cm□)、23℃下18小时后的硅芯片垂直粘接力设为V2(N/1cm□)、80℃下18小时后的硅芯片垂直粘接力设为V3(N/1cm□)，将其中包含的发泡层的表面的、-30℃下18小时后的硅芯片剪切粘接力设为H1(N/1cm□)、23℃下18小时后的硅芯片剪切粘接力设为H2(N/1cm□)、80℃下18小时后的硅芯片剪切粘接力设为H3(N/1cm□)时，V1<H1、V2<H2、V3<H3。这样，通过具有V1<H1、V2<H2、V3<H3的关系，从而本发明的吸附临时固定片在与表面相同的方向可具有充分的剪切粘接力、并且在相对于表面垂直的方向可具有弱的粘接力。
本发明的吸附临时固定片如上所述，-30℃下18小时后、23℃下18小时后、80℃下18小时后均呈现硅芯片垂直粘接力<硅芯片剪切粘接力，因此优选在低温到高温的宽温度区域内在与表面相同的方向可具有充分的剪切粘接力、并且在相对于表面垂直的方向可具有弱的粘接力。
硅芯片垂直粘接力为如下的最大载荷：用有机硅粘合带将吸附临时固定片的评价面的相反面固定于平滑的不锈钢板上，对于用研磨机(DISCO Inc.制、DFG8560)进行磨削并用切割机(DISCO Inc.制、DFD6450)单片化为1cm□的厚度300μm的硅芯片的磨削面，使2kg辊往返1次而将该硅芯片的磨削面贴合于吸附临时固定片，在-30℃、23℃、80℃下分别熟化18小时，在23℃下静置2小时，使用Servopulser(株式会社岛津制作所制、控制器4890、称重传感器MMT-250N)，在将双面胶带(日东电工株式会社制、No.5000NS)贴附于20mmΦ的适配器的前端的状态下，在垂直方向以压缩速度0.01N/秒对硅芯片的镜面(磨削面的相反面)进行压缩直到施加0.05N的载荷为止，以10mm/秒进行剥离时的最大载荷。
硅芯片剪切粘接力为如下的剪切粘接力：用有机硅粘合带将吸附临时固定片的评价面的相反面固定于平滑的不锈钢板上，对于用研磨机(DISCO Inc.制、DFG8560)进行磨削并用切割机(DISCO Inc.制、DFD6450)单片化为1cm□的厚度300μm的硅芯片的磨削面，使2kg辊往返1次而将该硅芯片的磨削面贴合于吸附临时固定片，在-30℃、23℃、80℃下分别熟化18小时，在23℃下静置2小时，使用测力计(NIDEC-SHIMPO CORPORATION.制、FGPX-10)以1mm/秒的速度按压硅芯片的侧面而测定的剪切粘接力。
V1(发泡层的表面的-30℃下18小时后的硅芯片垂直粘接力)优选为8N/1cm□以下、更优选为0.1N/1cm□～7N/1cm□、进一步优选为0.2N/1cm□～6N/1cm□、特别优选为0.3N/1cm□～5N/1cm□。通过使V1处于上述范围内，从而本发明的吸附临时固定片能够将想要吸附临时固定的构件临时固定、并且在低温的温度区域在相对于表面垂直的方向可具有更弱的粘接力。
H1(发泡层的表面的-30℃下18小时后的硅芯片剪切粘接力)优选为0.5N/1cm□以上、更优选为0.7N/1cm□～40N/1cm□、进一步优选为0.8N/1cm□～35N/1cm□、特别优选为0.9N/1cm□～30N/1cm□。通过使H1处于上述范围内，从而本发明的吸附临时固定片能够将想要吸附临时固定的构件临时固定、并且在低温的温度区域在与表面相同的方向可具有更充分的剪切粘接力。
V2(发泡层的表面的23℃下18小时后的硅芯片垂直粘接力)优选为10N/1cm□以下、更优选为0.1N/1cm□～9N/1cm□、进一步优选为0.2N/1cm□～8N/1cm□、特别优选为0.3N/1cm□～7N/1cm□。通过使V2处于上述范围内，从而本发明的吸附临时固定片能够将想要吸附临时固定的构件临时固定、并且在室温附近的温度区域在相对于表面垂直的方向可具有更弱的粘接力。
H2(发泡层的表面的23℃下18小时后的硅芯片剪切粘接力)优选为0.6N/1cm□以上、更优选为0.7N/1cm□～40N/1cm□、进一步优选为0.8N/1cm□～35N/1cm□、特别优选为0.9N/1cm□～30N/1cm□。通过使H2处于上述范围内，从而本发明的吸附临时固定片能够将想要吸附临时固定的构件临时固定、并且在室温附近的温度区域在与表面相同的方向可具有更充分的剪切粘接力。
V3(发泡层的表面的80℃下18小时后的硅芯片垂直粘接力)优选为12N/1cm□以下、更优选为0.1N/1cm□～11N/1cm□、进一步优选为0.2N/1cm□～10N/1cm□、特别优选为0.3N/1cm□～9N/1cm□。通过使V3处于上述范围内，从而本发明的吸附临时固定片能够将想要吸附临时固定的构件临时固定、并且在高温的温度区域中在相对于表面垂直的方向可具有更弱的粘接力。
H3(发泡层的表面的80℃下18小时后的硅芯片剪切粘接力)优选为0.7N/1cm□以上、更优选为0.8N/1cm□～40N/1cm□、进一步优选为0.9N/1cm□～35N/1cm□、特别优选为1N/1cm□～30N/1cm□。通过使H3处于上述范围内，从而本发明的吸附临时固定片能够将想要吸附临时固定的构件临时固定、并且在高温的温度区域中在与表面相同的方向可具有更充分的剪切粘接力。
作为发泡层的厚度，根据需要可采用任意适当的厚度。发泡层的厚度优选为10μm～3500μm、更优选为20μm～2500μm、进一步优选为30μm～1500μm、特别优选为40μm～950μm、最优选为50μm～800μm。发泡层的厚度即使这样薄，本发明的吸附临时固定片也可表现优异的临时固定性。
发泡层优选具有泡孔(球状气泡)。需要说明的是，泡孔(球状气泡)可以不是严格的圆球形的气泡，例如，可以是局部具有变形的大致球状的气泡、包含具有大的变形的空间的气泡。
发泡层优选具备连续气泡结构。即，发泡层优选具备在邻接的泡孔间具有贯通孔的连续气泡结构。通过使发泡层具备连续气泡结构，结合发泡层的其他特征，能够表现优异的脱气泡性，更能够在不混入气泡的情况下将被粘物贴合并临时固定，能够在解除临时固定时没有残胶地更容易地剥离。另外，即使减薄发泡层的厚度，也能够维持这些效果的表现。
需要说明的是，对于是否存在连续气泡结构的观察，可以通过利用低真空扫描电子显微镜(“S-3400N型扫描电子显微镜”、Hitachi High-Tech Fielding公司制)获取发泡层截面的放大图像，确认泡孔壁的贯通孔的有无来进行。
发泡层的连续气泡率优选为90％以上、更优选为90％～100％、进一步优选为92％～100％、进一步优选为95％～100％、特别优选为99％～100％、最优选实质上为100％。发泡层的连续气泡率处于上述范围时，结合发泡层的其他特征，能够表现更优异的脱气泡性，更能够在不混入气泡的情况下将被粘物贴合并临时固定，能够在解除临时固定时没有残胶地更容易地剥离。另外，即使减薄发泡层的厚度，也更能够维持这些效果的表现。
需要说明的是，连续气泡率例如可以如下所述地来测定。即，将发泡层沉入水中，在-750mmHg的减压下放置3分钟，由此将气泡中的空气置换为水，称量吸收的水的质量，将水的密度设为1.0g/cm3，算出吸收的水的体积，通过下式来算出。
连续气泡率(％)＝{(吸收的水的体积)/(气泡部分体积)}×100
需要说明的是，气泡部分体积例如通过下式来算出。此处，树脂密度为通过对形成发泡层的树脂中的除乳化剂以外的制作的树脂成形体的密度进行测定而得到的值。
气泡部分体积(cm3)＝{(发泡体(发泡片)的质量)/(发泡体(发泡片)的表观密度)}-{(发泡体(发泡片)的质量)/(树脂密度)}
发泡层的平均泡孔直径优选为1μm～200μm、更优选为1.5μm～180μm、进一步优选为2μm～170μm、特别优选为2.5μm～160μm、最优选为3μm～150μm。发泡层中平均泡孔直径处于上述范围时，结合发泡层的其他特征，能够表现更优异的脱气泡性，更能够在不混入气泡的情况下将被粘物贴合并临时固定，能够在解除临时固定时没有残胶地更容易地剥离。另外，即使减薄发泡层的厚度，也更能够维持这些效果的表现。
发泡层优选全部泡孔的90％以上的泡孔直径为300μm以下、更优选全部泡孔的92％以上的泡孔直径为300μm以下、进一步优选全部泡孔的95％以上的泡孔直径为300μm以下、特别优选全部泡孔的97％以上的泡孔直径为300μm以下、最优选全部泡孔的实质上100％的泡孔直径为300μm以下。另外，发泡层更优选全部泡孔的90％以上的泡孔直径为250μm以下、进一步优选全部泡孔的90％以上的泡孔直径为200μm以下、特别优选全部泡孔的90％以上的泡孔直径为180μm以下、最优选全部泡孔的90％以上的泡孔直径为150μm以下。发泡层中，300μm以下的泡孔直径的比例、全部泡孔的90％以上的泡孔直径处于上述范围时，结合发泡层的其他特征，能够表现更优异的脱气泡性，更能够在不混入气泡的情况下将被粘物贴合并临时固定，能够在解除临时固定时没有残胶地更容易地剥离。另外，即使减薄发泡层的厚度，也更能够维持这些效果的表现。
发泡层的全部泡孔中的最大泡孔直径优选为300μm以下、更优选为250μm以下、进一步优选为200μm以下、特别优选为180μm以下、最优选为150μm以下。发泡层中全部泡孔中的最大泡孔直径处于上述范围时，结合发泡层的其他特征，能够表现更优异的脱气泡性，更能够在不混入气泡的情况下将被粘物贴合并临时固定，能够在解除临时固定时没有残胶地更容易地剥离。另外，即使减薄发泡层的厚度，也更能够维持这些效果的表现。
发泡层的全部泡孔中的最小泡孔直径优选为100μm以下、更优选为80μm以下、进一步优选为70μm以下、特别优选为60μm以下、最优选为50μm以下。发泡层中全部泡孔中的最小泡孔直径处于上述范围时，结合发泡层的其他特征，能够表现更优异的脱气泡性，更能够在不混入气泡的情况下将被粘物贴合并临时固定，能够在解除临时固定时没有残胶地更容易地剥离。另外，即使减薄发泡层的厚度，也更能够维持这些效果的表现。
这样，通过使发泡层优选具备连续气泡结构、另外优选泡孔直径如上述那样为微细的，从而能够表现优异的脱气泡性，能够在不混入气泡的情况下将被粘物贴合并临时固定，能够在解除临时固定时没有残胶地剥离，适于吸附临时固定片。
需要说明的是，平均泡孔直径例如可以通过利用低真空扫描电子显微镜(“S-3400N型扫描电子显微镜”、Hitachi High-Tech Sciences Systems公司制)获取发泡层截面的放大图像并进行图像解析来求出。需要说明的是，作为解析的泡孔数，例如为20个。可以通过同样的方法求出最小泡孔直径(μm)及最大泡孔直径(μm)。
发泡层优选具有表面开口部。此处所说的表面开口部是指存在于发泡层表面的、具有一定大小的平均孔径的开口部。通过使发泡层具有表面开口部，从而本发明的吸附临时固定片更能够在不混入气泡的情况下将被粘物贴合并临时固定，能够在解除临时固定时没有残胶地更容易地剥离。推测这是因为表面开口部作为适当的吸盘而发挥作用，由此，具有发泡层的本发明的吸附临时固定片更能够表现如上所述的优异的临时固定性。
表面开口部的开口率优选为1％～99％、更优选为2％～95％、进一步优选为3％～90％、特别优选为4％～85％、最优选为5％～80％。表面开口部的开口率处于上述范围时，本发明的吸附临时固定片更能够在不混入气泡的情况下将被粘物贴合并临时固定，能够在解除临时固定时没有残胶地更容易地剥离。
表面开口部的平均孔径优选为150μm以下、更优选为0.5μm～145μm、进一步优选为1.0μm～140μm、特别优选为1.5μm～135μm、最优选为2.0μm～130μm。表面开口部的平均孔径处于上述范围时，本发明的吸附临时固定片更能够在不混入气泡的情况下将被粘物贴合并临时固定，能够在解除临时固定时没有残胶地更容易地剥离。
需要说明的是，表面开口部的平均孔径例如可以利用低真空扫描电子显微镜(“S-3400N型扫描电子显微镜”、Hitachi High-Tech Fielding公司制)获取发泡层表面的放大图像并进行图像解析来求出。解析的孔数例如为20个。
发泡层的表观密度优选为0.15g/cm3～0.90g/cm3、更优选为0.20g/cm3～0.85g/cm3、进一步优选为0.25g/cm3～0.80g/cm3、特别优选为0.30g/cm3～0.75g/cm3。发泡层的表观密度处于上述范围时，结合发泡层的其他特征，更能够在不混入气泡的情况下将被粘物贴合并临时固定，能够在解除临时固定时没有残胶地更容易地剥离。另外，即使减薄发泡层的厚度，也能够维持这些效果的表现。
发泡层其表面的算术平均表面粗糙度Ra优选为0.1μm～10μm、更优选为0.2μm～9μm、进一步优选为0.3μm～8.5μm、特别优选为0.4μm～8μm。通过使发泡层的表面具有这样范围的算术平均表面粗糙度Ra，从而本发明的吸附临时固定片能够在与表面相同的方向具有更充分的剪切粘接力、在相对于表面垂直的方向具有更弱的粘接力。
例如可以在直到使用为止在发泡层的表面贴附有隔离体。这样的隔离体在不作为支撑体而发挥作用的情况下，优选在将想要临时固定的构件载置于本发明的吸附临时固定片前从发泡层表面剥离。
隔离体的厚度优选为1μm～500μm、更优选为3μm～450μm、进一步优选为5μm～400μm、特别优选为10μm～300μm。
作为隔离体，例如，可列举出纸、塑料薄膜、聚四氟乙烯(PTFE)薄膜、表面进行了有机硅处理、氟化有机硅处理的塑料薄膜等。
作为塑料薄膜，例如，可列举出聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚氨酯薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚酰胺(尼龙)薄膜、芳香族聚酰胺(芳纶)薄膜等。
特别是从可进一步表现本发明效果的方面出发，优选未进行有机硅处理、氟化有机硅处理等表面处理的塑料薄膜贴附于发泡层的至少一个表面作为隔离体。作为这样的隔离体，特别优选为未进行有机硅处理、氟化有机硅处理等表面处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜。
作为如上所述的隔离体，其表面的算术平均表面粗糙度Ra优选为0.1μm～5μm、更优选为0.15μm～4.5μm、进一步优选为0.2μm～4μm、特别优选为0.22μm～3.5μm。通过采用具有这样范围的算术平均表面粗糙度Ra的表面的隔离体，从而在将想要临时固定的构件载置于本发明的吸附临时固定片前将这样的隔离体从发泡层表面剥离，由此本发明的吸附临时固定片能够在与表面相同的方向具有更充分的剪切粘接力、在相对于表面垂直的方向具有更弱的粘接力。
本发明的吸附临时固定片的一个实施方式中，在发泡层的一个表面侧具有支撑体。该实施方式中，例如可以在直到使用为止在发泡层的另一个表面贴附有隔离体。这样的隔离体优选为前述那样的表面的算术平均表面粗糙度Ra优选为0.1μm～5μm的隔离体。
本发明的吸附临时固定片的一个实施方式中，在发泡层的一个表面侧具有粘合剂层。该实施方式中，例如，可以在直到使用为止在发泡层的另一个表面及粘合剂层的另一个表面贴附有隔离体。这样的隔离体中，贴附于发泡层的另一个表面的隔离体优选为前述那样的表面的算术平均表面粗糙度Ra优选为0.1μm～5μm的隔离体。
本发明的吸附临时固定片的一个实施方式中，在发泡层的一个表面侧具有支撑体，进而，在该支撑体的与该发泡层处于相反侧的表面具有粘合剂层。即，为发泡层/支撑体/粘合剂层的方式。该实施方式中，例如，可以在直到使用为止在发泡层的另一个表面及粘合剂层的另一个表面贴附有隔离体。这样的隔离体中，贴附于发泡层的另一个表面的隔离体优选为前述那样的表面的算术平均表面粗糙度Ra优选为0.1μm～5μm的隔离体。
本发明的吸附临时固定片的一个实施方式中，在发泡层的一个表面侧具有支撑体，进而在该支撑体的与该发泡层处于相反侧的表面具有发泡层。即，为发泡层/支撑体/发泡层的方式。该实施方式中，例如可以在直到使用为止在发泡层的另一个表面贴附有隔离体。这样的隔离体优选为前述那样的表面的算术平均表面粗糙度Ra优选为0.1μm～5μm的隔离体。
作为支撑体，只要能够支撑发泡层，就可以采用任意适当的支撑体。作为这样的支撑体，为塑料薄膜、片、带、纸、无纺布、金属箔、金属网、玻璃、玻璃布等。支撑体可以为1层，也可以为2层以上。另外，为了提高支撑体与发泡层的锚固性，优选在支撑体表面涂布硅烷偶联剂等底涂剂、或进行电晕处理、等离子体处理等表面处理。
作为塑料薄膜，例如可列举出聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚氨酯薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚酰胺(尼龙)薄膜、芳香族聚酰胺(芳纶)薄膜等。
作为粘合剂层，可以采用包含任意适当的粘合剂的层。作为这样的粘合剂，例如，可列举出橡胶系粘合剂(合成橡胶系粘合剂、天然橡胶系粘合剂等)、氨基甲酸酯系粘合剂、丙烯酸类氨基甲酸酯系粘合剂、丙烯酸系粘合剂、有机硅系粘合剂、聚酯系粘合剂、聚酰胺系粘合剂、环氧系粘合剂、乙烯基烷基醚系粘合剂、氟系粘合剂等。这样的粘合剂可以仅为1种，也可以为2种以上。粘合剂层可以为1层，也可以为2层以上。
作为粘合剂，若以粘合形态进行分类，例如可列举出乳液型粘合剂、溶剂型粘合剂、紫外线交联型(UV交联型)粘合剂、电子束交联型(EB交联型)粘合剂、热熔融型粘合剂(热熔型粘合剂)等。这样的粘合剂可以仅为1种，也可以为2种以上。
本发明的吸附临时固定片的一个实施方式中，在不损害本发明效果的范围内，可以采用任意适当的发泡层。作为这样的发泡层，例如，可列举出有机硅发泡层、丙烯酸类发泡层等。
发泡层的一个实施方式为有机硅发泡层。
有机硅发泡层优选通过有机硅树脂组合物的热固化而形成。
有机硅树脂组合物优选如下。
至少包含：
(A)一分子中具有至少2个烯基的有机聚硅氧烷100质量份；
(B)一分子中具有至少2个与硅原子键合的氢原子的有机聚硅氧烷(相对于(A)成分中的烯基1摩尔，(B)成分中的与硅原子键合的氢原子为0.4摩尔～20摩尔的量)；
(C)包含水和无机系增粘剂的混合物100质量份～1000质量份；
(D)包含(D-1)HLB的值为3以上的非离子系表面活性剂及(D-2)HLB的值小于3的非离子系表面活性剂的表面活性剂(其中，(D-1)成分相对于(D-2)成分的质量比至少为1)0.1质量份～15质量份；
(E)氢化甲硅烷化反应催化剂；
(F)固化延迟剂0.001质量份～5质量份；及、
(G)导电性物质(将(A)成分及(B)成分的合计量设为100质量份时，为0.1质量份～100质量份)。
(A)成分为一分子中具有至少2个烯基的有机聚硅氧烷，为本组合物的主剂。作为(A)成分中的烯基，可例示出乙烯基、烯丙基、己烯基，优选为乙烯基。另外，作为(A)成分中的除烯基以外的与硅原子键合的有机基团，可例示出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基等芳基；苄基、苯乙基等芳烷基；3,3,3-三氟丙基等卤素取代烷基等，优选为甲基。
(A)成分具体而言可例示出二甲基乙烯基硅氧烷基封端二甲基聚硅氧烷、二甲基乙烯基硅氧烷基封端二甲基硅氧烷·甲基苯基硅氧烷共聚物、三甲基硅氧烷基封端甲基乙烯基聚硅氧烷、三甲基硅氧烷基封端二甲基硅氧烷·甲基乙烯基硅氧烷共聚物、三甲基硅氧烷基封端二甲基硅氧烷·甲基乙烯基硅氧烷·甲基苯基硅氧烷共聚物，优选为主链实质上为直链状的二有机聚硅氧烷。
(B)成分为一分子中具有至少2个与硅原子键合的氢原子的有机聚硅氧烷，为本组合物的交联剂。(B)成分中的与硅原子键合的氢原子的键合位置没有限定，可例示出分子链末端和/或分子链侧链。作为(B)成分中的除氢原子以外的与硅原子键合的有机基团，可例示出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基等芳基；苄基、苯乙基等芳烷基；3,3,3-三氟丙基等卤素取代烷基等，优选为甲基。
作为这样的(B)成分，可例示出二甲基氢硅氧烷基封端二甲基聚硅氧烷、二甲基氢硅氧烷基封端二甲基硅氧烷·甲基氢硅氧烷共聚物、三甲基硅氧烷基封端甲基氢聚硅氧烷、三甲基硅氧烷基封端二甲基硅氧烷·甲基氢硅氧烷共聚物、包含(CH3)3SiO1/2所示的硅氧烷单元和H(CH3)2SiO1/2所示的硅氧烷单元和SiO4/2所示的硅氧烷单元的有机聚硅氧烷，优选为直链状的有机聚硅氧烷。
对于(B)成分的含量，相对于(A)成分中的烯基1摩尔，(B)成分中的与硅原子键合的氢原子为0.4摩尔～20摩尔的范围内的量、优选为1.5摩尔～20摩尔的范围内的量、更优选为1.5摩尔～10摩尔的范围内的量。这是因为，若(B)成分中的与硅原子键合的氢的摩尔数为上述范围内，则可改善得到的有机硅发泡片的压缩永久变形。
(C)成分为包含水和无机系增稠剂的混合物，为用于通过从将本组合物交联而得到的有机硅橡胶中将(C)成分中的水去除来制成有机硅橡胶海绵的成分。从(C)成分在(A)成分中稳定分散的方面出发，(C)成分中的水优选为离子交换水。
(C)成分中的无机系增稠剂是为了提高水的粘度、使(C)成分容易分散于(A)成分中、使(C)成分的分散状态稳定而配混的。作为该无机增稠剂，有天然或合成的物质，可例示出膨润土、蒙脱石、锂蒙脱石、皂石、锌蒙脱石、贝得石及绿脱石等天然或合成的蒙皂石粘土；硅酸铝镁；及它们与羧基乙烯基聚合物等水溶性有机聚合物的复合品，优选为膨润土、蒙脱石等蒙皂石粘土。作为这样的蒙皂石粘土，例如，可获得作为水热合成品的SUMECTONSA(KUNIMINE INDUSTRIES CO.,LTD.制)、作为天然精制品的BENGEL(HOJUN Co.,Ltd.制)。从维持有机硅橡胶海绵的耐热性的方面出发，这些蒙皂石粘土的pH优选为pH5.0～9.0的范围内。另外，相对于水100质量份，(C)成分中的无机系增稠剂的含量优选为0.1质量份～10质量份的范围内、更优选为0.5质量份～5质量份的范围内。
(C)成分的含量相对于(A)成分100质量份为100质量份～1000质量份的范围内、优选为100质量份～800质量份的范围内、更优选为100质量份～500质量份的范围、进一步优选为200质量份～500质量份的范围内、特别优选为200质量份～350质量份的范围内。这是因为，若(C)成分的含量为上述范围的下限以上，则能够形成低密度的有机硅发泡片，另一方面是因为，若为上述范围的上限以下，则能够形成具有均匀且微细的连续气泡结构的有机硅发泡片。
(D)成分的表面活性剂包含(D-1)HLB的值为3以上的非离子系表面活性剂及(D-2)HLB的值低于3的非离子系表面活性剂。作为(D)成分的表面活性剂，可例示出甘油脂肪酸酯、聚甘油脂肪酸酯、山梨糖醇酐脂肪酸酯、蔗糖脂肪酸酯、聚乙二醇脂肪酸酯、聚丙二醇脂肪酸酯、聚氧乙烯甘油脂肪酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯、聚氧乙烯·聚氧丙烯嵌段共聚物、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚、聚氧乙烯脂肪酸酰胺。
(D)成分包含(D-1)成分和(D-2)成分，(D-1)成分相对于(D-2)成分的质量比至少为1、优选至少为5、更优选至少为8、进一步优选至少为10、特别优选至少为15。另外，(D-1)成分相对于(D-2)成分的质量比优选最多为100、更优选最多为80、最多为70、最多为60、或最多为50。这是因为，该质量比大于上述下限时，能够形成具有均匀且微细的连续气泡结构的低密度的有机硅发泡片，另一方面是因为，小于上述上限时，能够使(C)成分稳定性良好地分散于(A)成分和(B)成分中，结果，能够形成具有均匀且微细的连续气泡结构的有机硅发泡片。
(D)成分的含量相对于(A)成分100质量份为0.1质量份～15质量份的范围内、优选为0.2质量份～3质量份的范围内。这是因为，若(D)成分的含量为上述范围的下限以上，则能够形成具有均匀且微细的连续气泡结构的有机硅发泡片，另一方面是因为，若为上述范围的上限以下，则能够形成耐热性优异的有机硅发泡片。
(E)成分为用于促进有机硅树脂组合物的氢化甲硅烷化反应的氢化甲硅烷化反应催化剂，例如，可例示出铂系催化剂、钯系催化剂、铑系催化剂，优选为铂系催化剂。作为这样的(E)成分，可例示出氯铂酸、醇改性氯铂酸、氯铂酸与烯烃类、乙烯基硅氧烷或乙炔化合物的配位化合物、铂与烯烃类、乙烯基硅氧烷或乙炔化合物的配位化合物、四(三苯基膦)钯、三(三苯基膦)氯化铑。
(E)成分的含量为对使有机硅树脂组合物交联充分的量，具体而言，相对于(A)成分及(B)成分的合计量，(E)成分中的催化剂金属以质量换算计优选为0.01ppm～500ppm的范围内的量、更优选为0.1ppm～100ppm的范围内的量。
为了调整有机硅树脂组合物的固化速度、作业可使用时间，可以含有(F)固化延迟剂。作为这样的(F)成分，可例示出3-甲基-1-丁炔-3-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、3-苯基-1-丁炔-3-醇、1-乙炔基-1-环己醇等炔醇。(F)成分的含量根据有机硅树脂组合物的使用方法、成形方法来适宜选择，通常，相对于(A)成分100质量份为0.001质量份～5质量份的范围内。
(G)成分为导电性物质，在不损害本发明效果的范围内可采用任意适当的导电性物质。作为这样的导电性物质，例如，可列举出炭黑、碳纤维、碳纳米纤维、碳纳米管、石墨、石墨烯等碳系导电剂；金、银、镍等金属粉；导电性锌氧化物、导电性钛氧化物、导电性铝氧化物；对各种填料表面进行金属镀覆处理等对填料表面进行了导电覆盖处理的导电性填充剂；等。导电性物质可以仅为1种，也可以为2种以上。
对于(G)成分的含量，从可进一步表现本发明效果的方面出发，将(A)成分及(B)成分的合计量设为100质量份时，优选为0.1质量份～100质量份、更优选为0.2质量份～50质量份、进一步优选为0.3质量份～20质量份、特别优选为0.3质量份～15质量份。
作为导电性物质，从可进一步表现本发明效果的方面出发，优选为炭黑。
作为炭黑，在不损害本发明效果的范围内，可采用任意适当的炭黑。作为这样的炭黑，例如，可列举出科琴黑、乙炔黑、导电炉黑(CF)、超导电炉黑(SCF)、特导电炉黑(XCF)、导电槽黑(CC)、在1500℃左右的高温下进行了热处理的炉法炭黑、在1500℃左右的高温下进行了热处理的槽法炭黑等。
作为科琴黑的具体例，例如，可列举出科琴黑EC(Ketjen Black InternationalCompany制)、科琴黑EC-600JD(Ketjen Black International Company制)等。
作为乙炔黑的具体例，例如，可列举出DENKABLACK(电气化学株式会社制)、Shawinigan Acetylene Black(Shawinigan Chemicals Ltd.制)等。
作为导电炉黑的具体例，例如，可列举出ContinexCF(Continental CarbonCompany制)、VULCAN C(Cabot Corporation制)等。
作为超导电炉黑的具体例，例如，可列举出ContinexSCF(Continental CarbonCompany制)、VULCAN SC(Cabot Corporation制)等。
作为特导电炉黑的具体例，例如，可列举出Asahi HS-500(Asahi Carbon Co.,Ltd.制)、VULCAN XC-72(Cabot Corporation制)等。
作为导电槽黑，例如，可列举出CoraxL(Degussa株式会社制)等。
作为炭黑，从可进一步表现本发明效果的方面出发，优选可列举出科琴黑。
从提高得到的有机硅发泡片的强度的方面出发，有机硅树脂组合物中可以进而含有(H)加强性二氧化硅微粉末。作为这样的(H)成分，优选BET比表面积优选为50m2/g～350m2/g、更优选为80m2/g～250m2/g的二氧化硅微粉末，可例示出气相二氧化硅、沉降二氧化硅。另外，这些二氧化硅微粉末可以用有机硅烷等进行了表面处理。
(H)成分的含量相对于(A)成分100质量份最多为20质量份，优选最多为15质量份、更优选最多为10质量份。另外，(H)成分的含量相对于(A)成分100质量份优选至少为0.1质量份。
有机硅树脂组合物中在不损害本发明的目的的范围内可以含有氧化铁红(Bengala)等颜料(其中，不包括炭黑)。
有机硅树脂组合物在不损害本发明效果的范围内可以通过任意适当的方法来制造。从可进一步表现本发明效果的方面出发，有机硅树脂组合物优选可以通过包括如下工序的制造方法来制造：制备包含“(A)成分的全部用量的50.1质量％以上”和“(G)成分的全部用量的60质量％以上”的第1有机硅液的工序(I)；制备包含“(B)成分的全部用量的60质量％以上”和“(D)成分的全部用量的60质量％以上”的第2有机硅液的工序(II)；将该第1有机硅液和该第2有机硅液混合而制备混合液的工序(III)；及在该混合液中混合“(C)成分的全部用量的60质量％以上”的工序(IV)。通过以这样的方法来制造有机硅树脂组合物，从而更能表现本发明的效果。特别是通过以这样的方法来制造有机硅树脂组合物，从而最终得到的吸附临时固定片可表现非常优异的抗静电性能。
有机硅树脂组合物的制造时的混合操作中优选进行搅拌。作为这样的搅拌，例如，可使用均质混合器、桨式混合器、均质分散器、胶体磨、真空混合搅拌混合器、自转公转混合器等任意适当的混合器等。
工序(I)中优选将“(A)成分的全部用量的50.1质量％以上”和“(G)成分的全部用量的60质量％以上”混合并搅拌。
工序(I)中的(A)成分的用量优选为全部用量的70质量％以上、更优选为80质量％以上、进一步优选为90质量％以上、特别优选为95质量％以上、最优选实质上为100质量％(总量)。
工序(I)中的(G)成分的用量优选为全部用量的70质量％以上、更优选为80质量％以上、进一步优选为90质量％以上、特别优选为95质量％以上、最优选实质上为100质量％(总量)。
工序(II)中优选将“(B)成分的全部用量的60质量％以上”和“(D)成分的全部用量的60质量％以上”混合并搅拌。
工序(II)中的(B)成分的用量优选为全部用量的70质量％以上、更优选为80质量％以上、进一步优选为90质量％以上、特别优选为95质量％以上、最优选实质上为100质量％(总量)。
工序(II)中的(D)成分的用量优选为全部用量的70质量％以上、更优选为80质量％以上、进一步优选为90质量％以上、特别优选为95质量％以上、最优选实质上为100质量％(总量)。
工序(I)中制备的第1有机硅液中优选不含(B)成分。
工序(I)中制备的第1有机硅液中优选不含(D)成分。
工序(II)中制备的第2有机硅液中优选不含(A)成分。
工序(II)中制备的第2有机硅液中优选不含(G)成分。
工序(IV)中优选在混合液中混合“(C)成分的全部用量的60质量％以上”并搅拌。
工序(IV)中的(C)成分的用量优选为全部用量的70质量％以上、更优选为80质量％以上、进一步优选为90质量％以上、特别优选为95质量％以上、最优选实质上为100质量％(总量)。
对于有机硅树脂组合物的制造时的温度，从可进一步表现本发明效果的方面出发，在全部工序中，优选为0℃～50℃、更优选为5℃～45℃、进一步优选为10℃～40℃、特别优选为15℃～35℃。
有机硅树脂组合物的制造优选在常压或真空下进行。
有机硅树脂组合物的制造中，(E)成分可以在不损害本发明效果的范围内在任意适当的工序、时刻添加。从可进一步表现本发明效果的方面出发，(E)成分优选在尽可能靠后的工序中并且在与(B)成分接触的时刻添加。
有机硅树脂组合物的制造中，(F)成分可以在不损害本发明效果的范围内在任意适当的工序、时刻添加。从可进一步表现本发明效果的方面出发，(F)成分优选预先与(E)成分组合使用来添加。
有机硅树脂组合物的制造方法特别优选为包括如如下工序的方法：制备包含“(A)成分的全部用量的实质上100质量％(总量)”和“(G)成分的全部用量的实质上100质量％(总量)”的第1有机硅液的工序(I)；制备包含“(B)成分的全部用量的实质上100质量％(总量)”和“(D)成分的全部用量的实质上100质量％(总量)”的第2有机硅液的工序(II)；将该第1有机硅液和该第2有机硅液混合而制备混合液的工序(III)；及在该混合液中混合“(C)成分的全部用量的实质上100质量％(总量)”的工序(IV)。
《吸附临时固定片的制造方法》
本发明的吸附临时固定片在不损害本发明效果的范围内可以通过任意适当的方法来制造。作为这样的制造方法，优选为具有具备连续气泡结构的发泡层的吸附临时固定片的制造方法，其中，将形成该发泡层的树脂组合物(优选上述有机硅树脂组合物)涂布于隔离体A上，在经该涂布的树脂组合物的与该隔离体A处于相反侧的表面上载置隔离体B，进行热固化后，将选自该隔离体A及该隔离体B中的至少1种剥离，该剥离的隔离体中的至少1种是具有算术平均表面粗糙度Ra为0.1μm～5μm的表面的隔离体。
上述算术平均表面粗糙度Ra优选为0.15μm～4.5μm、更优选为0.2μm～4μm、进一步优选为0.22μm～3.5μm。通过采用具有这样的范围的算术平均表面粗糙度Ra的表面的隔离体，从而得到的吸附临时固定片能够在与表面相同的方向具有更充分的剪切粘接力、在相对于表面垂直的方向具有更弱的粘接力。
制造本发明的吸附临时固定片的方法中，进行热固化后剥离的隔离体中的至少1种为具有算术平均表面粗糙度Ra为0.1μm～5μm的表面的隔离体，由此从其剥离后得到的本发明的吸附临时固定片的表面的算术平均表面粗糙度Ra优选为0.1μm～10μm、更优选为0.2μm～9μm、进一步优选为0.3μm～8.5μm、特别优选为0.4μm～8μm。通过使如上所述地剥离后得到的本发明的吸附临时固定片的表面具有这样的范围的算术平均表面粗糙度Ra，从而通过本发明的制造方法得到的吸附临时固定片能够在与表面相同的方向具有更充分的剪切粘接力、在相对于表面垂直的方向具有更弱的粘接力。
作为具有算术平均表面粗糙度Ra为0.1μm～5μm的表面的隔离体，例如，可列举出纸、塑料薄膜、聚四氟乙烯(PTFE)薄膜、表面进行了有机硅处理、氟化有机硅处理的塑料薄膜等。作为塑料薄膜，例如，可列举出聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚氨酯薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚酰胺(尼龙)薄膜、芳香族聚酰胺(芳纶)薄膜等，特别是从可进一步表现本发明效果的方面出发，优选未进行有机硅处理、氟化有机硅处理等表面处理的塑料薄膜。作为这样的隔离体，特别优选为未进行有机硅处理、氟化有机硅处理等表面处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜。
隔离体A、隔离体B的厚度优选为1μm～500μm、更优选为3μm～450μm、进一步优选为5μm～400μm、特别优选为10μm～300μm。
作为制造本发明的吸附临时固定片的方法的一例，对发泡层为有机硅发泡层的情况进行说明。发泡层为其他发泡层的情况下，只要将下述的制造方法的说明置换为例如以有机硅树脂组合物为该其他发泡层的原料的组合物来理解即可。需要说明的是，有时将发泡层为有机硅发泡层的情况下所制造的吸附临时固定片称为“有机硅发泡片”。
有机硅发泡片的制造方法的一个实施方式中，将至少包含热固化性有机硅树脂和水的有机硅树脂组合物涂布于隔离体A上(以下，将该工序记为工序(1))，在该涂布的有机硅树脂组合物的与该隔离体A处于相反侧的表面上载置隔离体B(以下，将该工序记为工序(2))，使该有机硅树脂组合物热固化(以下，将该工序记为工序(3))，将选自该隔离体A及该隔离体B的至少1种剥离，将所得物质加热干燥(以下，将该工序记为工序(4))，形成有机硅发泡片。该情况下，经剥离的隔离体中的至少1种是具有算术平均表面粗糙度Ra为0.1μm～5μm的表面的隔离体。
有机硅发泡片的制造方法的另一实施方式中，将至少包含热固化性有机硅树脂和水的有机硅树脂组合物涂布于隔离体A上(以下，将该工序记为工序(1))，在该涂布的有机硅树脂组合物的与该隔离体A处于相反侧的表面上载置隔离体B(以下，将该工序记为工序(2))，使该有机硅树脂组合物热固化(以下，将该工序记为工序(3))，将选自该隔离体A及该隔离体B的至少1种剥离，将所得物质加热干燥(以下，将该工序记为工序(4))，与支撑体贴合(以下，将该工序记为工序(5))，形成有机硅发泡片。该情况下，经剥离的隔离体中的至少1种是具有算术平均表面粗糙度Ra为0.1μm～5μm的表面的隔离体。然后，在经热固化及加热干燥的有机硅树脂组合物的、与将具有上述算术平均表面粗糙度Ra为0.1μm～5μm的表面的隔离体剥离了的表面侧相反的表面侧配置上述支撑体。
隔离体A、隔离体B直接作为支撑体使用的情况下，为了提高与发泡层的锚固性，优选对作为支撑体的隔离体A、隔离体B的表面涂布硅烷偶联剂等底涂剂、或进行电晕处理、等离子体处理等表面处理。
作为隔离体A、隔离体B，使用除具有算术平均表面粗糙度Ra为0.1μm～5μm的表面的隔离体以外的隔离体的情况下，作为这样的隔离体，例如，优选不具有透气性的塑料、金属、玻璃的片、薄膜。作为这样的片、薄膜的材料，例如，可列举出聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等以α-烯烃为单体成分的烯烃系树脂；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯系树脂；聚氯乙烯(PVC)；乙酸乙烯酯系树脂；聚苯硫醚(PPS)；聚酰胺(尼龙)、全芳香族聚酰胺(芳纶)等酰胺系树脂；聚酰亚胺系树脂；聚醚醚酮(PEEK)；铜；氧化铝；任意玻璃；等。另外，可列举出聚四氟乙烯(PTFE)薄膜、纸、塑料薄膜的基材(衬垫基材)的表面进行了有机硅处理、氟化有机硅处理的剥离衬垫等。对于作为衬垫基材的塑料薄膜，例如可列举出聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚氨酯薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚酰胺(尼龙)薄膜、芳香族聚酰胺(芳纶)薄膜等。
存在工序(4)中的加热干燥时未去除的隔离体的情况下，可用作该隔离体的剥离衬垫优选为聚四氟乙烯(PTFE)薄膜、纸、塑料薄膜的基材(衬垫基材)的表面进行了氟化有机硅处理的剥离衬垫。作为存在工序(4)中的加热干燥时未去除的隔离体的情况下的该隔离体，使用聚四氟乙烯(PTFE)薄膜、纸、塑料薄膜的基材(衬垫基材)的表面进行了氟化有机硅处理的剥离衬垫，从而能够容易地进行加热干燥后的剥离。另外，可以在隔离体A、隔离体B设置有前述的粘合剂层。
工序(1)中使用的隔离体A和工序(2)中使用的隔离体B可以相同，也可以为不同种类。另外，工序(1)中使用的隔离体A和工序(2)中使用的隔离体B可以各自仅为1层、也可以包含2层以上。
根据工序(1)中使用的隔离体A及工序(2)中使用的隔离体B的、与上述有机硅树脂组合物接触的一方的表面的亲水性·疏水性的程度，与该表面接触的该有机硅树脂组合物的表面形状发生变化。例如，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜那样的亲水性高的隔离体作为隔离体A、隔离体B的情况下，可以在与该隔离体接触的有机硅树脂组合物的表面存在大量微细的直径的表面开口部。另外，例如，使用实施了氟化有机硅处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)剥离衬垫那样的疏水性高的隔离体作为隔离体A、隔离体B的情况下，可以在与该隔离体接触的有机硅树脂组合物的表面存在少量微细的直径的表面开口部。因此，想要对有机硅发泡片表现高的透气性、高的吸附性的情况下，优选使用亲水性高的隔离体，想要对有机硅发泡片表现高的止水性、高的防尘性的情况下，优选使用疏水性高的隔离体。另外，需要有机硅发泡片与隔离体的再剥离性的情况下，优选使用疏水性高的隔离体。需要说明的是，亲水性·疏水性的程度例如可以通过与水的接触角来定义。例如，可以将与水的接触角小于90度的情况定义为亲水性、将与水的接触角为90度以上的情况定义为疏水性。
工序(3)中，使有机硅树脂组合物热固化。对于该热固化的温度，从可有效地使有机硅树脂组合物热固化的方面出发，优选为50℃以上且小于100℃。热固化的温度小于50℃时，有热固化过度花费时间的担心。热固化的温度为100℃以上时，有被隔离体A及隔离体B夹持而呈大致密闭状态的有机硅树脂组合物中的水分挥发，由此引起形成的泡孔的粗大化、高密度化的担心。需要说明的是，将通过工序(3)由有机硅树脂组合物形成的物体称为有机硅发泡片前体。
如工序(3)那样，进行在由隔离体A及隔离体B夹持有机硅树脂组合物的大致密闭状态下热固化这样的特殊的热固化方法，由此在有机硅树脂组合物中的水分未被去除的状态下热固化，通过与后续工序(4)的联合，能够有效地得到具有连续气泡结构且泡孔直径微细的有机硅发泡片。
工序(4)中，对剥离了选自隔离体A及隔离体B中的至少1种而得者进行加热干燥。通过将选自隔离体A及隔离体B中的至少1种剥离，由此工序(3)中的上述大致密闭状态被解放，在该解放状态下进行加热干燥，由此水分从工序(3)中形成的有机硅发泡片前体中有效地挥发而被去除，得到有机硅发泡片。从可有效地形成有机硅发泡片的方面出发，工序(4)中的加热干燥温度优选120℃～250℃。工序(4)中的加热干燥温度小于120℃时，有干燥及固化过度花费时间的担心，另外，有得不到具有连续气泡结构且泡孔直径微细的有机硅发泡片的担心。工序(4)中的加热干燥温度超过250℃时，有因基材的收缩、膨胀而片形成变困难的担心。
工序(5)中，在工序(4)后与支撑体贴合，由此形成有机硅发泡片。
实施例
以下，通过实施例具体地对本发明进行说明，但本发明不受这些实施例任何限定。需要说明的是，实施例等中的试验及评价方法如下。需要说明的是，记载为“份”的情况下，只要没有特别记载，就是指“质量份”，记载为“％”的情况下，只要没有特别记载，就是指“质量％”。
<厚度的测定>
用3D测定激光显微镜(LEXTOLS4000、Olympus Corporation制)，以高精度·物镜10倍的设定、在玻璃板(显微镜载玻片S、松浪硝子工业株式会社制)上载置测定对象物(例如，吸附临时固定片)，测定从玻璃板表面到测定对象物的最上部的3D图像，将其高度作为厚度。
<表观密度的测定>
用50mm×50mm的冲裁刀模冲裁测定对象物(例如，吸附临时固定片)，厚度使用前述的<厚度的测定>的值，根据这些值算出测定对象物的体积。
接着，用最小刻度0.01g以上的上皿天秤对测定对象物的质量进行测定。根据这些值算出测定对象物的表观密度(g/cm3)。
<表面电阻率>
将测定对象物(例如，吸附临时固定片)裁切成100cm×100cm的尺寸，用HirestaHT-210(三菱油化株式会社制)求出表面电阻率(Ω/□)。
<硅芯片垂直粘接力的测定>
用有机硅粘合带将有机硅发泡片的评价面的相反面固定于平滑的不锈钢板上，对于用研磨机(DISCO Inc.制、DFG8560)进行磨削并用切割机(DISCO Inc.制、DFD6450)单片化为1cm□的厚度300μm的硅芯片的磨削面，使2kg辊往返1次而贴合于有机硅发泡片，在-30℃、23℃、80℃下分别熟化18小时，在23℃下静置2小时，使用Servopulser(株式会社岛津制作所制、控制器4890、称重传感器MMT-250N)，在将双面胶带(日东电工株式会社制、No.5000NS)贴附于20mmΦ的适配器的前端的状态下，在垂直方向以压缩速度0.01N/秒对硅芯片的镜面(磨削面的相反面)进行压缩直到施加0.05N的载荷为止，以10mm/秒进行剥离，将此时的最大载荷作为垂直粘接力。
<硅芯片剪切粘接力的测定>
用有机硅粘合带将有机硅发泡片的评价面的相反面固定于平滑的不锈钢板上，对于用研磨机(DISCO Inc.制、DFG8560)进行磨削并用切割机(DISCO Inc.制、DFD6450)单片化为1cm□的厚度300μm的硅芯片的磨削面，使2kg辊往返1次而贴合于有机硅发泡片，在-30℃、23℃、80℃下分别熟化18小时，在23℃下静置2小时，使用测力计(NIDEC-SHIMPOCORPORATION.制、FGPX-10)以1mm/秒的速度按压硅芯片的侧面，求出剪切粘接力。
〔实施例1〕
将乙烯基含量0.28质量％的二甲基聚硅氧烷：44.84质量份、以六甲基二硅氮烷进行了表面处理的BET比表面积225m2/g的气相二氧化硅：3.25质量份、科琴黑EC-600JD(Ketjen Black International Company制)：1.80质量份、1-乙炔基-1-环己醇：0.02质量份及铂的1,3-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物的1,3-二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液(铂金属含量约4000ppm)：0.22质量份投入到罗斯混合器中，室温下混合直到变均匀为止后，置于三辊磨进行5个行程，制备有机硅液(1-1)。
将乙烯基含量0.28质量％的二甲基聚硅氧烷：38.61质量份、与硅原子键合的氢原子含量0.7质量％的甲基氢聚硅氧烷：6.40质量份(相对于上述二甲基聚硅氧烷及上述有机硅液(1-1)中的乙烯基的总量1摩尔，甲基氢聚硅氧烷中的与硅原子键合的氢原子为5摩尔的量)、以六甲基二硅氮烷进行了表面处理的BET比表面积225m2/g的气相二氧化硅：3.25质量份、科琴黑EC-600JD(Ketjen Black International Company制)：0.20质量份、非离子系表面活性剂(山梨糖醇酐脂肪酸酯、商品名：RHEODOL SP-O10V、花王株式会社制HLB4.3)：1.63质量份、非离子系表面活性剂(山梨糖醇酐脂肪酸酯、商品名：RHEODOL SP-O30V、花王株式会社制HLB1.8)：0.045质量份投入到罗斯混合器中，室温下混合直到变均匀为止后，置于三辊磨进行5个行程，制备有机硅液(1-2)。
将得到的有机硅液(1)和有机硅液(2)各50.13质量份、蒙皂石粘土(水系添加剂、有机聚合物复合纯化膨润土、Hojun Co.,Ltd.制)：0.85质量份、离子交换水：98.77质量份用均质混合器在室温下进行30分钟乳化直至均匀为止，接着，将乳化液在室温下进行5分钟减压干燥并进行脱泡，得到树脂组合物(1)。
将该树脂组合物(1)用涂抹器涂布于氟有机硅处理PET薄膜(Nippa sheetPET38x1-SS4A、Nippa公司制)上，从其上覆盖PET薄膜(Lumirror S10、Toray Industries,Inc.制)，利用热风烘箱在85℃下进行6分钟加热，使树脂组合物(1)固化。固化后将PET薄膜剥离，进而进行200℃下3分钟加热干燥，得到厚度200μm、表观密度0.5g/cm3的有机硅发泡片(1)。
将关于得到的有机硅发泡片(1)的各种测定结果、评价结果示于表1。
〔比较例1〕
代替有机硅液(1-1)的科琴黑：1.80质量份和有机硅液(1-2)的科琴黑：0.20质量份，使用氧化铁红(商品名：BAYFERROX、Bayer公司制)：有机硅液(1-1)1.20质量份、有机硅液(1-2)1.20质量份，除此以外，与实施例1同样地进行，得到厚度200μm、表观密度0.5g/cm3的有机硅发泡片(C1)。
将关于得到的有机硅发泡片(C1)的各种测定结果、评价结果示于表1。
〔比较例2〕
将乙烯基含量0.28质量％的二甲基聚硅氧烷：46.44质量份、以六甲基二硅氮烷进行了表面处理的BET比表面积225m2/g的气相二氧化硅：3.25质量份、科琴黑EC-600JD(Ketjen Black International Company制)：0.20质量份、1-乙炔基-1-环己醇：0.02质量份及铂的1,3-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物的1,3-二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液(铂金属含量约4000ppm)：0.22质量份投入到罗斯混合器中，室温下混合直到变均匀为止后，置于三辊磨进行5个行程，制备有机硅液(C2-1)。
将乙烯基含量0.28质量％的二甲基聚硅氧烷：37.01质量份、与硅原子键合的氢原子含量0.7质量％的甲基氢聚硅氧烷：6.40质量份(相对于上述二甲基聚硅氧烷及上述有机硅液(C2-1)中的乙烯基的总量1摩尔，甲基氢聚硅氧烷中的与硅原子键合的氢原子为5摩尔的量)、以六甲基二硅氮烷进行了表面处理的BET比表面积225m2/g的气相二氧化硅：3.25质量份、科琴黑EC-600JD(Ketjen Black International Company制)：1.80质量份、非离子系表面活性剂(山梨糖醇酐脂肪酸酯、商品名：RHEODOL SP-O10V、花王株式会社制HLB4.3)：1.63质量份、非离子系表面活性剂(山梨糖醇酐脂肪酸酯、商品名：RHEODOL SP-O30V、花王株式会社制HLB1.8)：0.045质量份投入到罗斯混合器中，室温下混合直到变均匀为止后，置于三辊磨进行5个行程，制备有机硅液(C2-2)。
将得到的有机硅液(C2-1)和有机硅液(C2-2)各50.13质量份、蒙皂石粘土(水系添加剂、有机聚合物复合纯化膨润土、Hojun Co.,Ltd.制)：0.85质量份、离子交换水：98.77质量份用均质混合器在室温下进行30分钟乳化直至均匀为止，将乳化液在室温下进行5分钟减压干燥并进行脱泡，得到树脂组合物(C2)。
将该树脂组合物(C2)用涂抹器涂布于氟有机硅处理PET薄膜(Nippa sheetPET38x1-SS4A、Nippa公司制)上，从其上覆盖PET薄膜(Lumirror S10、Toray Industries,Inc.制)，利用热风烘箱在85℃下进行6分钟加热，使树脂组合物(C2)固化。固化后将PET薄膜剥离，进而进行200℃下3分钟加热干燥，得到厚度200μm、表观密度0.5g/cm3的有机硅发泡片(C2)。
将关于得到的有机硅发泡片(C2)的各种测定结果、评价结果示于表1。
[表1]
Figure BDA0002428016000000311
产业上的可利用性
本发明的吸附临时固定片可以用作各种领域中的临时固定材料。

Claims (8)

1.一种吸附临时固定片，其具有具备连续气泡结构的发泡层，
所述吸附临时固定片的表面电阻率为1.0×104Ω/□～1.0×1010Ω/□，
将该发泡层的表面的、-30℃下18小时后的硅芯片垂直粘接力设为V1(N/1cm□)、23℃下18小时后的硅芯片垂直粘接力设为V2(N/1cm□)、80℃下18小时后的硅芯片垂直粘接力设为V3(N/1cm□)，
将该发泡层的表面的、-30℃下18小时后的硅芯片剪切粘接力设为H1(N/1cm□)、23℃下18小时后的硅芯片剪切粘接力设为H2(N/1cm□)、80℃下18小时后的硅芯片剪切粘接力设为H3(N/1cm□)时，
V1<H1、V2<H2、V3<H3，
其中，硅芯片垂直粘接力为如下的最大载荷：用有机硅粘合带将吸附临时固定片的评价面的相反面固定于平滑的不锈钢板上，对于用研磨机(DISCO Inc.制、DFG8560)进行磨削并用切割机(DISCO Inc.制、DFD6450)单片化为1cm□的厚度300μm的硅芯片的磨削面，使2kg辊往返1次而将该硅芯片的磨削面贴合于吸附临时固定片，在-30℃、23℃、80℃下分别熟化18小时，在23℃下静置2小时，使用Servopulser(株式会社岛津制作所制、控制器4890、称重传感器MMT-250N)，在将双面胶带(日东电工株式会社制、No.5000NS)贴附于20mmΦ的适配器的前端的状态下，在垂直方向以压缩速度0.01N/秒对硅芯片的镜面(磨削面的相反面)进行压缩直到施加0.05N的载荷为止，以10mm/秒进行剥离时的最大载荷，
另外，硅芯片剪切粘接力为如下的剪切粘接力：用有机硅粘合带将吸附临时固定片的评价面的相反面固定于平滑的不锈钢板上，对于用研磨机(DISCO Inc.制、DFG8560)进行磨削并用切割机(DISCO Inc.制、DFD6450)单片化为1cm□的厚度300μm的硅芯片的磨削面，使2kg辊往返1次而将该硅芯片的磨削面贴合于吸附临时固定片，在-30℃、23℃、80℃下分别熟化18小时，在23℃下静置2小时，使用测力计(NIDEC-SHIMPOCORPORATION.制、FGPX-10)以1mm/秒的速度按压硅芯片的侧面而测定的剪切粘接力。
2.根据权利要求1所述的吸附临时固定片，其中，所述V1为8N/1cm□以下。
3.根据权利要求1或2所述的吸附临时固定片，其中，所述H1为0.5N/1cm□以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的吸附临时固定片，其中，所述V2为10N/1cm□以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的吸附临时固定片，其中，所述H2为0.6N/1cm□以上。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的吸附临时固定片，其中，所述V3为12N/1cm□以下。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的吸附临时固定片，其中，所述H3为0.7N/1cm□以上。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的吸附临时固定片，其中，所述发泡层的表观密度为0.15g/cm3～0.90g/cm3。
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